CN113504462B - 测试装置及测试方法 - Google Patents
测试装置及测试方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113504462B CN113504462B CN202111057093.8A CN202111057093A CN113504462B CN 113504462 B CN113504462 B CN 113504462B CN 202111057093 A CN202111057093 A CN 202111057093A CN 113504462 B CN113504462 B CN 113504462B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- optical fiber
- chip
- tested
- test
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Abstract
本发明公开了一种测试装置及测试方法。该装置包括:光源组件、耦合台、第一探测器和第一控制器;其中,光源组件与第一控制器相连,光源组件用于向第一控制器发出触发信号,光源组件还用于为待测芯片提供第一测试光;耦合台用于移动光纤组件,以使光纤组件与待测芯片耦合对准,进而至少部分待测芯片的输出光经由光纤组件传输至第一探测器;第一探测器用于在光纤组件与待测芯片耦合对准时,探测至少部分待测芯片的输出光的第一光功率;第一控制器与第一探测器电连接,第一控制器用于根据触发信号采集第一探测器的数据,以获取第一光功率与第一测试光的波长之间的对应关系。本发明提供了一种能提高测试效率、缩短测试时间的测试装置及测试方法。
Description
技术领域
本发明涉及光器件领域,尤其涉及一种测试装置及测试方法。
背景技术
在光子集成电路(Photonic integrated circuits,PIC)芯片生产制造及使用过程中,对其性能进行测试十分重要。
目前,一种光子集成电路芯片测试方法是首先将光子集成电路芯片与光纤进行耦合对准。然后使光纤的光输入光子集成电路芯片。最后对光子集成电路芯片的输出光进行测试。而在光纤对准时,通常采用人工手动调整光纤进行对准,如此导致测试效率低。另外,在一些情况下,需要测量不同波长下器件的特性,这时需要改变光源的波长,通常激光器采用步进的方式进行扫描,由于步进的方式扫描速度较慢,所以测试设备的数据的输出及测试结果较慢。另外,已有的一些测试装置中,光纤耦合对准以及器件测试这两个步骤通常使用同一个光探测器和/或控制系统,造成其可扩展性较差,不能实现额外的功能需求,例如在需要扩展功能时,需要整体替换整个系统,成本很高。
因此,有必要提出一种测试装置及测试方法,以克服上述至少一个缺陷。
应该注意,上面对技术背景的介绍只是为了方便对本发明的技术方案进行清楚、完整的说明,并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本发明的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所知晓。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种能提高测试效率、缩短测试时间,易于进行功能扩展的测试装置及测试方法。
为实现上述目的,本发明提供一种测试装置,所述测试装置包括:光源组件、耦合台、第一探测器和第一控制器;其中,所述光源组件与所述第一控制器相连,所述光源组件用于向所述第一控制器发出触发信号,所述光源组件还用于为待测芯片提供第一测试光,且使所述第一测试光的波长在预定时间内连续变化;所述耦合台用于移动光纤组件,以使光纤组件能与待测芯片耦合对准,进而至少部分所述待测芯片的输出光能经由所述光纤组件传输至所述第一探测器;所述第一探测器用于在所述光纤组件与所述待测芯片耦合对准时,探测至少部分所述待测芯片的输出光的第一光功率;所述第一控制器与所述第一探测器电连接,所述第一控制器用于根据所述触发信号控制所述第一探测器,以获取所述第一光功率与所述第一测试光的波长之间的对应关系。
作为一种优选的实施方式,所述测试装置还包括:具有进光端、第一出光端和第二出光端的分束器,所述进光端用于与所述光纤组件耦合,以使所述光纤组件将所述待测芯片的输出光传输至所述进光端,并使所述分束器能通过所述第一出光端和所述第二出光端对所述待测芯片输出的所述输出光进行分束。
作为一种优选的实施方式,所述光纤组件包括第一光纤和第二光纤,所述第一光纤的一端与所述光源组件相耦合;所述第一光纤的另一端与所述待测芯片相耦合;所述第二光纤的一端与所述待测芯片相耦合,所述第二光纤的另一端与所述分束器的进光端相耦合,以使所述第二光纤能将所述待测芯片输出的所述输出光传输至所述进光端。
作为一种优选的实施方式,所述第一探测器与所述第一出光端相耦合,以使所述第一出光端能将部分所述待测芯片的输出光传输至所述第一探测器。
作为一种优选的实施方式,所述测试装置还包括:第二探测器,与所述第二出光端相耦合,用于探测所述第二出光端输出的光线的第二光功率;所述测试装置还包括第二控制器,所述第二探测器还与所述第二控制器电性连接,以使所述第二控制器根据所述第二探测器所探测的第二光功率控制耦合台移动所述光纤组件,进而使所述光纤组件与所述待测芯片耦合对准。
作为一种优选的实施方式,在所述第二探测器所探测的第二光功率大于预设值时,所述光纤组件与所述待测芯片耦合对准。
作为一种优选的实施方式,所述光源组件中的光源为可调谐激光器,所述可调谐激光器与所述第一控制器相连,用于向所述第一控制器发出触发信号,并用于为所述待测芯片提供所述第一测试光。
作为一种优选的实施方式,所述耦合台上还设置有距离传感器,所述距离传感器用于检测所述耦合台与所述待测芯片之间的第一距离,以使所述光纤组件在与所述待测芯片的不同待测端口耦合对准时,所述第一距离能维持不变。
作为一种优选的实施方式,所述测试装置还包括:承载台,具有用于容置所述待测芯片的承载面。
为实现上述目的,本发明还提供一种测试方法,其包括:
步骤S11:耦合台移动光纤组件,以使所述光纤组件与待测芯片耦合对准;
步骤S13:光源组件向第一控制器发出触发信号,并向待测芯片传输第一测试光,以使所述光纤组件能将所述第一测试光传输到待测芯片,并将至少部分所述待测芯片的输出光传输至第一探测器;
步骤S15:所述第一探测器探测至少部分所述待测芯片的输出光的第一光功率;
步骤S17:所述第一控制器根据所述触发信号控制所述第一探测器,以获取所述第一光功率与所述第一测试光的波长之间的对应关系。
作为一种优选的实施方式,步骤S11:耦合台移动光纤组件,以使所述光纤组件与待测芯片耦合对准,具体包括:耦合台移动光纤组件,以使所述光纤组件与待测芯片有源耦合对准。
作为一种优选的实施方式,步骤S11:耦合台移动光纤组件,以使所述光纤组件与待测芯片有源耦合对准,具体包括:
步骤S111:光源组件向光纤组件发出第二测试光,所述光纤组件的第一光纤将所述第二测试光传输到待测芯片;所述光纤组件的第二光纤将所述待测芯片的输出光传输至分束器的进光端,以使所述分束器能通过第一出光端和第二出光端进行分束;
步骤S113:第二探测器探测所述第二出光端输出的光线的第二光功率,以使第二控制器能根据所述第二探测器所探测的第二光功率控制耦合台移动光纤组件,进而使所述光纤组件与所述待测芯片耦合对准。
作为一种优选的实施方式,步骤S13:光源组件向第一控制器发出触发信号,并向待测芯片传输第一测试光,以使所述光纤组件能将所述第一测试光传输到待测芯片,并将至少部分所述待测芯片的输出光传输至第一探测器;具体包括:光源组件向第一控制器发出触发信号,并向光纤组件发出第一测试光,所述光纤组件的第一光纤将所述第一测试光传输到待测芯片;所述光纤组件的第二光纤将所述待测芯片的输出光传输至分束器的进光端,以使所述分束器能通过第一出光端和第二出光端进行分束,并通过所述第一出光端将至少部分所述待测芯片的输出光传输至第一探测器。
作为一种优选的实施方式,在所述步骤S17之后,所述耦合台移动所述光纤组件至所述待测芯片下一次测试的待测端口,以实现所述光纤组件与所述待测芯片的耦合对准。
本发明的技术效果在于,提供一种测试装置及测试方法,该测试装置设置光源组件、耦合台、第一探测器和第一控制器。该第一控制器与光源组件相连,该光源组件用于向第一控制器发出触发信号,且光源组件还用于为待测芯片提供第一测试光,且使第一测试光的波长在预定时间内连续变化。该第一探测器与第一控制器电连接,该第一探测器用于在光纤组件与待测芯片耦合对准时,探测至少部分待测芯片的输出光的第一光功率。第一控制器用于根据触发信号采集第一探测器的数据,以获取第一光功率与第一测试光的波长之间的对应关系,如此当对待测芯片进行性能测试时,可以通过光源组件为待测芯片提供第一测试光并发出触发信号,使第一测试光的波长在预定时间内连续变化,如此使得光源组件能采用连续的方式进行扫描,相对于采用步进的方式进行扫描,扫描速度更快,进而提高测试效率和缩短测试时间。另外,本发明还可通过分束器的设置,将待测芯片的输出光分为两束,如此使得第一探测器可以增加在包含有第二探测器的单元例如光耦合对准单元上,可分别针对不同单元进行功能扩展。因此,本发明能提供一种能提高测试效率和缩短测试时间、易于进行功能扩展的测试装置及测试方法。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明一实施例所提供的一种测试装置的示意图。
图2为本发明一实施例所提供的一种测试方法的流程图。
附图标记说明:
11、耦合台;13、第一光纤;15、第二光纤;16、待测芯片;17、分束器;18、进光端;19、第一出光端;21、第二出光端;24、第一探测器;23、第二探测器;25、第一控制器;26、光源组件; 28、距离传感器;29、第二控制器;30、承载台;31、承载面;33、第一光栅耦合器;35、第二光栅耦合器;37、光纤组件。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本发明。此外,本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
具体的,如图1所示,本发明的一个实施方式提供一种测试装置。该测试装置用于对待测芯片16的性能进行测试。该待测芯片16可以是光子集成电路芯片或者其他光器件,光子集成电路芯片可以集成多个待测器件。该测试装置包括:光源组件26、耦合台11、第一探测器24和第一控制器25;其中,所述光源组件26与所述第一控制器25相连,所述光源组件26用于向所述第一控制器25发出触发信号,所述光源组件26还用于为待测芯片16提供第一测试光,且使所述第一测试光的波长在预定时间内连续变化;所述耦合台11用于移动光纤组件37,以使光纤组件37能与待测芯片16耦合对准,进而至少部分所述待测芯片16的输出光能经由所述光纤组件37传输至所述第一探测器24;所述第一探测器24用于在所述光纤组件37与所述待测芯片16耦合对准时,探测至少部分所述待测芯片16的输出光的第一光功率;所述第一控制器25与所述第一探测器24电连接,所述第一控制器25用于根据所述触发信号采集所述第一探测器24的数据,以获取所述第一光功率与所述第一测试光的波长之间的对应关系。其中,测量第一光功率也可以替换为测量其它光学特性量。
从以上技术方案可以看出:本发明实施方式的测试装置设置光源组件26、耦合台11、第一探测器24和第一控制器25。该第一控制器25与光源组件26相连,该光源组件26用于向第一控制器25发出触发信号,且光源组件26还用于为待测芯片16提供第一测试光,且使第一测试光的波长在预定时间内连续变化。该第一探测器24与第一控制器25电连接,该第一探测器24用于在光纤组件37与待测芯片16耦合对准时,探测至少部分待测芯片16的输出光的第一光功率。第一控制器25用于根据触发信号采集第一探测器24的数据,以获取第一光功率与第一测试光的波长之间的对应关系,如此当对待测芯片16进行性能测试时,可以通过光源组件26为待测芯片16提供第一测试光,且使第一测试光的波长在预定时间内连续变化,如此使得光源组件26能采用连续的方式进行扫描,相对于采用步进的方式进行扫描,扫描速度更快,进而提高测试效率和缩短测试时间。
在本实施方式中,如图1所示,该光源组件26用于为待测芯片16提供第一测试光,且使第一测试光的波长在预定时间内连续变化。如此使得光源组件26能采用连续的方式进行扫描,相对于采用步进的方式进行扫描,扫描速度更快。例如光源组件26用于在60秒内发出1280纳米至1340纳米的波长的第一测试光。进一步地,该第一控制器25与光源组件26相连。该光源组件26用于向第一控制器25发出触发信号。如此使得第一控制器25能根据该触发信号与光源组件26同时工作。也即该第一控制器25根据该触发信号采集第一探测器的数据,同时例如该光源组件26发出1280纳米的第一测试光。该第一控制器25可以是采集卡。具体地,该光源组件26与光纤组件37相耦合。该光源组件26用于向光纤组件37传输第一测试光,以使光纤组件37能将第一测试光传输到待测芯片16,进而至少部分待测芯片16的输出光能经由光纤组件37传输至第一探测器24。更具体地,光纤组件37包括第一光纤13和第二光纤15。该第一光纤13的一端与光源组件26相耦合。该第一光纤13的另一端与待测芯片16相耦合,以使光源组件26能通过第一光纤13将第一测试光或第二测试光传输到待测芯片16。也即光源组件26通过第一光纤13向待测芯片16提供第一测试光或第二测试光。进一步地,该光源组件26中的光源可以是可调谐激光器,也可以是例如LED等,对此本申请不作规定。
进一步地,第二光纤15的一端与待测芯片16相耦合,第二光纤15的另一端与分束器17的进光端18相耦合,以使第二光纤15能将待测芯片16输出的输出光传输至进光端18。如此使得该第一测试光或第二测试光能依次经过第一光纤13、待测芯片16和第二光纤15传输。
进一步地,如图1所示,待测芯片16上设置有第一光栅耦合器33。该第一光栅耦合器33用于将待测芯片16与第一光纤13相耦合。如此使得光源组件26所发出的第一测试光或第二测试光能通过第一光纤13向待测芯片16内传输。
进一步地,如图1所示,待测芯片16上设置有第二光栅耦合器35。该第二光栅耦合器35用于将待测芯片16与第二光纤15的一端相耦合,该第二光纤15的另一端与分束器17的进光端18相耦合。如此使得待测芯片16所输出的光信号通过第二光纤15向分束器17内传输。
在本实施方式中,耦合台11用于移动光纤组件37,以使光纤组件37能与待测芯片16耦合对准。也即耦合台11用于移动光纤组件37,以使第一光纤13和第二光纤15分别与待测芯片16的第一光栅耦合器33和第二光栅耦合器35耦合对准。从而可以在第一光纤13和第二光纤15分别与待测芯片16的第一光栅耦合器33和第二光栅耦合器35耦合对准时,使得光信号依次经过第一光纤13、待测芯片16和第二光纤15。进一步地,耦合台11上设置有用于承载光纤组件37的容置面。例如如图1所示,容置面面向上方。从而通过该容置面能对光纤组件37进行承载。其中,所述光纤组件为光纤阵列(Fiber array)。
在一个实施方式中,如图1所示,本申请实施方式的测试装置还包括:承载台30。该承载台30具有用于容置待测芯片16的承载面31。例如如图1所示,承载面31面向上方。从而通过该承载面31能对待测芯片16进行承载。进一步地,耦合台11能与承载台30之间发生相对移动,从而使得第一光纤13和第二光纤15能分别与待测芯片16的第一光栅耦合器33和第二光栅耦合器35耦合对准。
在一个实施方式中,如图1所示,本申请实施方式所述的测试装置还包括:第二控制器29。可使用第二控制器29控制耦合台11的移动,以使第一光纤13和第二光纤15分别与待测芯片16的第一光栅耦合器33和第二光栅耦合器35耦合对准。
在本实施方式中,如图1所示,本申请实施方式的测试装置还包括:具有进光端18、第一出光端19和第二出光端21的分束器17。该进光端18用于与光纤组件37耦合,以使光纤组件37将待测芯片16的输出光传输至进光端18。具体地,进光端18通过第二光纤15与待测芯片16的第二光栅耦合器35相耦合。也即,分束器17通过第二光纤15与待测芯片16的第二光栅耦合器35相耦合。例如如图1所示,该进光端18与第二光纤15的远离待测芯片16的一端相耦合。进一步地,分束器17能通过第一出光端19和第二出光端21对待测芯片16输出的输出光进行分束。也即分束器17用于将进光端18所接收到的光信号分成第一光束和第二光束,并通过第一出光端19和第二出光端21分别输出第一光束和第二光束。也即该第一出光端19用于输出第一光束。该第二出光端21用于输出第二光束。如此分束器17能将待测芯片16所输出的输出光分成两束光信号。该两束光信号分别为第一光束和第二光束。且该第一光束和第二光束分别通过第一出光端19和第二出光端21向外输出。进一步地,该分束器17可以是光纤分束器17。
在本实施方式中,第一探测器24与第一出光端19相耦合,以使第一出光端19能将部分待测芯片16的输出光传输至第一探测器24。具体地,该第一出光端19能将第一光束传输至第一探测器24。
在本实施方式中,第一探测器24与第一控制器25电连接。该第一探测器24用于在光纤组件37与待测芯片16耦合对准时,探测至少部分待测芯片16的输出光的第一光功率。具体地,第一探测器24与第一出光端19相耦合,以使第一出光端19所输出的光线能传输至第一探测器24。更具体地,第一探测器24用于在第一光纤13和第二光纤15分别与待测芯片16的第一光栅耦合器33和第二光栅耦合器35耦合对准时,探测第一光束的第一光功率。
进一步地,该第一控制器25用于在第一光纤13和第二光纤15分别与待测芯片16的第一光栅耦合器33和第二光栅耦合器35耦合对准时,获取光源组件26所发出的触发信号。如此避免第一光纤13和第二光纤15与待测芯片16的第一光栅耦合器33和第二光栅耦合器35未耦合对准时,对待测芯片16进行测试而造成测试数据的不准确。具体地,该第一控制器25与可调谐激光器相连。该可调谐激光器用于在第一光纤13和第二光纤15分别与待测芯片16的第一光栅耦合器33和第二光栅耦合器35耦合对准时向第一控制器25发送触发信号。进一步地,该可调谐激光器用于向第一控制器25发出触发信号,以使第一控制器25能根据触发信号采集第一探测器24的数据。
进一步地,本申请实施方式的测试装置还包括:第二探测器23。该第二探测器23与第二出光端21相耦合。该第二探测器23用于探测第二出光端21输出的光线的第二光功率。进一步地,第二探测器23用于探测波长恒定时的第二光束的第二光功率。测量第二光功率也可以替换为测量其它光学特性量。
进一步地,第二探测器23还与第二控制器29电性连接,以使第二控制器29根据第二探测器23所探测的第二光功率控制耦合台11移动光纤组件37,进而使光纤组件37与待测芯片16耦合对准。具体地,在第二探测器23所探测的第二光功率大于预设值时,第一光纤13和第二光纤15分别与待测芯片16的第一光栅耦合器33和第二光栅耦合器35耦合对准。进一步地,利用第二探测器23对光纤组件37和待测芯片16进行耦合对准的方法为现有的方法,对此本申请不在赘述。如此本申请实施方式所述的测试装置利用第二探测器23对光纤组件37和待测芯片16进行耦合对准,并利用第一探测器24探测在光纤组件37与待测芯片16耦合对准时的第一光功率。在已有的一些测试装置中,光纤耦合对准以及器件的测试过程中通常使用同一个光探测器例如上述第二探测器23,以及与该第二探测器23对应的第二控制器29,造成其可扩展性较差,不能实现额外的功能需求,无法实现功能较为复杂的测量。本申请通过分束器17的设置,将待测芯片16的输出光分为两束,如此使得第一探测器24可以增加在包含有第二探测器23的设备上,进而进行扩展,以提高在第一测试光的波长发生改变的情况下对待测芯片16进行的性能测试的测试效率。
在一些实施方式中,额外设置主控制器,主控制器与第一控制器25、第二控制器29通信,以实现整个装置的工作。在一些实施方式中,可不设置主控制器,第一控制器25与第二控制器29直接进行通信,以实现整个装置的工作。
在本实施方式中,第一控制器25还用于根据触发信号采集第一探测器24的数据,以获取第一光功率与第一测试光的波长之间的对应关系。例如光源组件26在60秒内发出1280纳米至1340纳米的波长的第一测试光。该第一控制器25可以根据触发信号,在光源组件26发出1280纳米的第一测试光时,采集第一探测器24的数据,进而获取1280纳米的第一测试光经待测芯片16后的输出光的第一光功率,如此可以建立该1280纳米的第一测试光与第一光功率之间的对应关系。进一步地,该第一控制器25可以根据预定时间采集第一探测器24的数据。例如根据60s的预定时间可知光源组件26在发出1280纳米之后的0.1秒发出1280.1纳米的第一测试光。如此该第一控制器25在获取到触发信号后的0.1秒再一次采集第一探测器24的数据。进而获取1280.1纳米的第一测试光经待测芯片16后的输出光的第一光功率,如此可以建立该1280.1纳米的第一测试光与第一光功率之间的对应关系。按照上述方式,可以建立1280纳米至1340纳米的第一测试光与第一光功率之间的对应关系。如此当可调谐激光器改变第一测试光的波长时,第一控制器25能获取第一测试光改变后的波长,并通过第一探测器24获取第一测试光的波长发生改变时,至少部分输出光的第一光功率,进而对待测芯片16进行性能测试。如此减少在第一测试光的波长发生改变的情况下对待测芯片16进行性能测试所需要的人工操作,进而提高测试效率和缩短测试时间。
进一步地,如图1所示,耦合台11上还设置有距离传感器28。该距离传感器28用于检测耦合台11与待测芯片16之间的第一距离,以使光纤组件37在与待测芯片16的不同待测端口耦合对准时,第一距离能维持不变。如此通过第一距离维持不变能使得光纤组件37在与待测芯片16的不同待测端口耦合对准时能保证输入待测芯片16中的第一测试光的光强基本不变。
如图2所示,本发明的一个实施方式提供一种测试方法。该测试方法用于对待测芯片16的性能进行测试。该待测芯片16可以是光子集成电路芯片或者其他光器件。
该测试方法包括:步骤S11:耦合台11移动光纤组件37,以使所述光纤组件37与待测芯片16耦合对准;步骤S13:光源组件26向第一控制器25发出触发信号,并向待测芯片16传输第一测试光,以使所述光纤组件37能将所述第一测试光传输到待测芯片16,并将至少部分所述待测芯片16的输出光传输至第一探测器24;步骤S15:所述第一探测器24探测至少部分所述待测芯片16的输出光的第一光功率;步骤S17:所述第一控制器25根据所述触发信号采集所述第一探测器24的数据,以获取所述第一光功率与所述第一测试光的波长之间的对应关系。
从以上技术方案可以看出:本发明的一个实施方式所提供的测试方法当对待测芯片16进行性能测试时,可以通过光源组件26向第一控制器25发送触发信号,进而使得第一控制器25能根据该触发信号采集第一探测器24的数据,以获取第一光功率与第一测试光的波长之间的对应关系,如此使第一测试光的波长在预定时间内连续变化,且使得光源组件26能采用连续的方式进行扫描,相对于采用步进的方式进行扫描,扫描速度更快,进而提高测试效率和缩短测试时间。
在本实施方式中,步骤S11:耦合台11移动光纤组件37,以使光纤组件37与待测芯片16耦合对准,具体包括:
耦合台11移动光纤组件37,以使光纤组件37与待测芯片16有源耦合对准。
进一步地,步骤S11:耦合台11移动光纤组件37,以使光纤组件37与待测芯片16有源耦合对准,具体包括:
步骤S111:光源组件26向光纤组件37发出第二测试光,光纤组件37的第一光纤13将第二测试光传输到待测芯片16;光纤组件37的第二光纤15将待测芯片16的输出光传输至分束器17的进光端18,以使分束器17能通过第一出光端19和第二出光端21进行分束。具体地,如图1所示,首先将待测芯片16放置于承载台30的承载面31上。然后可调谐激光器向第一光纤13发出第二测试光。如此第二测试光能依次通过第一光纤13、待测芯片16、第二光纤15、分束器17进行传播。
步骤S113:第二探测器23探测第二出光端21输出的光线的第二光功率,以使第二控制器29能根据第二探测器23所探测的第二光功率控制耦合台11移动光纤组件37,进而使所述光纤组件37与所述待测芯片16耦合对准。具体地,当第二测试光依次通过第一光纤13、待测芯片16、第二光纤15、分束器17进行传播后,分束器17的第二出光端21输出的光线传输至第二探测器23,该第二探测器23检测第二出光端21输出的第二光束的第二光功率。该第二控制器29根据该第二光功率控制耦合台11移动。当第二光束的第二光功率大于预设值时第二控制器29限制耦合台11移动,进而使第一光纤13和第二光纤15分别与待测芯片16的第一光栅耦合器33和第二光栅耦合器35耦合对准。
在本实施方式中,步骤S13:光源组件26向第一控制器25发出触发信号,并向待测芯片16传输第一测试光,以使光纤组件37能将所述第一测试光传输到待测芯片16,并将至少部分待测芯片16的输出光传输至第一探测器24,具体包括:光源组件26向第一控制器25发出触发信号,并向光纤组件37发出第一测试光,光纤组件37的第一光纤13将所述第一测试光传输到待测芯片16;光纤组件37的第二光纤15将待测芯片16的输出光传输至分束器17的进光端18,以使分束器17能通过第一出光端19和第二出光端21进行分束,并通过所述第一出光端19将至少部分待测芯片16的输出光传输至第一探测器24。例如,如图1所示,当光纤组件37与待测芯片16耦合对准后,可调谐激光器向第一光纤13发出第一测试光。如此第一测试光能依次通过第一光纤13、待测芯片16、第二光纤15、分束器17进行传播。之后,该分束器17的第一出光端19输出的第一光束传输至第一探测器24。进一步地,光源组件26在向第一光纤13发出第一测试光时向第一控制器25发出触发信号。
在本实施方式中,步骤S15:第一探测器24探测至少部分待测芯片16的输出光的第一光功率。具体地,当第一测试光依次通过第一光纤13、待测芯片16、第二光纤15、分束器17进行传播后,第一探测器24探测第一出光端19输出的第一光束的第一光功率。更具体地,当第一测试光依次通过第一光纤13、待测芯片16、第二光纤15、分束器17进行传播后,第一探测器24在第一光纤13和第二光纤15分别与待测芯片16的第一光栅耦合器33和第二光栅耦合器35耦合对准时获取分束器17所输出的第一光束的第一光功率。
在本实施方式中,步骤S17:第一控制器25根据触发信号采集第一探测器24的数据,以获取第一光功率与第一测试光的波长之间的对应关系。具体地,如图1所示,首先光源组件26在第一光纤13和第二光纤15分别与待测芯片16的第一光栅耦合器33和第二光栅耦合器35耦合对准时发出触发信号。然后第一控制器25接收到该触发信号。接着,第一控制器25根据触发信号采集第一探测器24的数据。具体地,第一控制器25根据触发信号采集第一探测器24的电压。最后可以根据该第一控制器25所采集到的电压得到第一光功率。更具体地,例如光源组件26在60秒内发出1280纳米至1340纳米的波长的第一测试光。该第一控制器25可以根据触发信号,在光源组件26发出1280纳米的第一测试光时,采集第一探测器24的数据,进而获取1280纳米的第一测试光经待测芯片16后的输出光的第一光功率,如此可以建立该1280纳米的第一测试光与第一光功率之间的对应关系。进一步地,该第一控制器25可以根据预定时间采集第一探测器24的数据。例如根据60s的预定时间可知光源组件26在发出1280纳米之后的0.1秒发出1280.1纳米的第一测试光。如此该第一控制器25在获取到触发信号后的0.1秒再一次采集第一探测器24的数据。进而获取1280.1纳米的第一测试光经待测芯片16后的输出光的第一光功率,如此可以建立该1280.1纳米的第一测试光与第一光功率之间的对应关系。按照上述方式,可以建立1280纳米至1340纳米的第一测试光与第一光功率之间的对应关系。
进一步地,在所述步骤S17之后,耦合台11移动光纤组件37至待测芯片16下一次测试的待测端口,以实现光纤组件37与待测芯片16的耦合对准。具体地,对待测芯片16完成一次测试后,第二控制器29控制耦合台11的移动,以调节光纤组件37的位置,从而将光纤组件37移动至待测芯片16的下一次测试的待测端口,并使得该光纤组件37中的第一光纤13和第二光纤15分别与待测芯片16的下一次待测端口耦合对准,进而进行下一次测试。当待测芯片16存在多个待测器件时,或者具有多次测试需求时,可通过上述方式完成测试。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本发明实施例所提供的一种测试装置及测试方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。
Claims (13)
1.一种测试装置,其特征在于,所述测试装置包括:光源组件、耦合台、第一探测器和第一控制器;其中,
所述光源组件与所述第一控制器相连,所述光源组件用于向所述第一控制器发出触发信号,所述光源组件还用于为待测芯片提供第一测试光,且使所述第一测试光的波长在预定时间内连续变化;
所述耦合台用于移动光纤组件,以使光纤组件能与待测芯片耦合对准,进而至少部分所述待测芯片的输出光能经由所述光纤组件传输至所述第一探测器;
所述第一探测器用于在所述光纤组件与所述待测芯片耦合对准时,探测至少部分所述待测芯片的输出光的第一光功率;
所述第一控制器与所述第一探测器电连接,所述第一控制器用于根据所述触发信号采集所述第一探测器的数据,以获取所述第一光功率与所述第一测试光的波长之间的对应关系;
还包括:具有进光端、第一出光端和第二出光端的分束器,所述进光端用于与所述光纤组件耦合,以使所述光纤组件将所述待测芯片的输出光传输至所述进光端,并使所述分束器能通过所述第一出光端和所述第二出光端对所述待测芯片输出的所述输出光进行分束。
2.根据权利要求1所述的测试装置,其特征在于,所述光纤组件包括第一光纤和第二光纤,所述第一光纤的一端与所述光源组件相耦合;所述第一光纤的另一端与所述待测芯片相耦合;所述第二光纤的一端与所述待测芯片相耦合,所述第二光纤的另一端与所述分束器的进光端相耦合,以使所述第二光纤能将所述待测芯片输出的所述输出光传输至所述进光端。
3.根据权利要求1所述的测试装置,其特征在于,所述第一探测器与所述第一出光端相耦合,以使所述第一出光端能将部分所述待测芯片的输出光传输至所述第一探测器。
4.根据权利要求1所述的测试装置,其特征在于,还包括:第二探测器,与所述第二出光端相耦合,用于探测所述第二出光端输出的光线的第二光功率;所述测试装置还包括第二控制器,所述第二探测器还与所述第二控制器电性连接,以使所述第二控制器根据所述第二探测器所探测的第二光功率控制所述耦合台移动所述光纤组件,进而使所述光纤组件与所述待测芯片耦合对准。
5.根据权利要求4所述的测试装置,其特征在于,在所述第二探测器所探测的第二光功率大于预设值时,所述光纤组件与所述待测芯片耦合对准。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的测试装置,其特征在于,所述光源组件中的光源为可调谐激光器,所述可调谐激光器与所述第一控制器相连,用于向所述第一控制器发出触发信号,并用于为所述待测芯片提供所述第一测试光。
7.根据权利要求6所述的测试装置,其特征在于,所述耦合台上还设置有距离传感器,所述距离传感器用于检测所述耦合台与所述待测芯片之间的第一距离,以使所述光纤组件在与所述待测芯片的不同待测端口耦合对准时,所述第一距离能维持不变。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的测试装置,其特征在于,还包括:承载台,具有用于容置所述待测芯片的承载面。
9.一种测试方法,其特征在于,其包括:
步骤S11:耦合台移动光纤组件,以使所述光纤组件与待测芯片耦合对准;
步骤S13:光源组件向第一控制器发出触发信号,并向待测芯片传输第一测试光,以使所述光纤组件能将所述第一测试光传输到待测芯片,并将至少部分所述待测芯片的输出光传输至第一探测器;
步骤S15:所述第一探测器探测至少部分所述待测芯片的输出光的第一光功率;
步骤S17:所述第一控制器根据所述触发信号采集所述第一探测器的数据,以获取所述第一光功率与所述第一测试光的波长之间的对应关系。
10.根据权利要求9所述的测试方法,其特征在于,步骤S11:耦合台移动光纤组件,以使所述光纤组件与待测芯片耦合对准,具体包括:
耦合台移动光纤组件,以使所述光纤组件与待测芯片有源耦合对准。
11.根据权利要求10所述的测试方法,其特征在于,步骤S11:耦合台移动光纤组件,以使所述光纤组件与待测芯片有源耦合对准,具体包括:
步骤S111:光源组件向光纤组件发出第二测试光,所述光纤组件的第一光纤将所述第二测试光传输到待测芯片;所述光纤组件的第二光纤将所述待测芯片的输出光传输至分束器的进光端,以使所述分束器能通过第一出光端和第二出光端进行分束;
步骤S113:第二探测器探测所述第二出光端输出的光线的第二光功率,以使第二控制器能根据所述第二探测器所探测的第二光功率控制耦合台移动光纤组件,进而使所述光纤组件与所述待测芯片耦合对准。
12.根据权利要求9所述的测试方法,其特征在于,步骤S13:光源组件向第一控制器发出触发信号,并向待测芯片传输第一测试光,以使所述光纤组件能将所述第一测试光传输到待测芯片,并将至少部分所述待测芯片的输出光传输至第一探测器;具体包括:
光源组件向第一控制器发出触发信号,并向光纤组件发出第一测试光,所述光纤组件的第一光纤将所述第一测试光传输到待测芯片;所述光纤组件的第二光纤将所述待测芯片的输出光传输至分束器的进光端,以使所述分束器能通过第一出光端和第二出光端进行分束,并通过所述第一出光端将至少部分所述待测芯片的输出光传输至第一探测器。
13.根据权利要求9所述的测试方法,其特征在于,在所述步骤S17之后,所述耦合台移动所述光纤组件至所述待测芯片下一次测试的待测端口,以实现所述光纤组件与所述待测芯片的耦合对准。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111057093.8A CN113504462B (zh) | 2021-09-09 | 2021-09-09 | 测试装置及测试方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111057093.8A CN113504462B (zh) | 2021-09-09 | 2021-09-09 | 测试装置及测试方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113504462A CN113504462A (zh) | 2021-10-15 |
CN113504462B true CN113504462B (zh) | 2021-12-07 |
Family
ID=78017022
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111057093.8A Active CN113504462B (zh) | 2021-09-09 | 2021-09-09 | 测试装置及测试方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113504462B (zh) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101764646B (zh) * | 2008-12-24 | 2013-01-02 | 中国科学院半导体研究所 | 利用波长编码的光时域反射测试装置对光纤链路进行的测量方法 |
CN102201864B (zh) * | 2011-07-08 | 2014-07-23 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种多通道光器件的损耗测试装置 |
CN111092652B (zh) * | 2019-11-27 | 2022-07-15 | 上海传输线研究所(中国电子科技集团公司第二十三研究所) | 一种光器件的性能检测系统及其测试方法 |
CN112577647B (zh) * | 2020-11-26 | 2022-04-12 | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 | 一种半导体激光器芯片的应力测试系统及测试方法 |
CN112924143B (zh) * | 2021-01-29 | 2023-08-29 | 中国科学院微电子研究所 | 一种光子芯片晶圆级测试装置和方法 |
CN112909732A (zh) * | 2021-05-07 | 2021-06-04 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 一种激光器和plc耦合对准系统及对准方法 |
CN113237640B (zh) * | 2021-07-12 | 2022-03-01 | 南京光智元科技有限公司 | 一种光耦合测试方法、装置、电子设备及存储介质 |
-
2021
- 2021-09-09 CN CN202111057093.8A patent/CN113504462B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113504462A (zh) | 2021-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20210116295A1 (en) | Diagnostic waveguide for optical chip testing | |
CA2558483C (en) | Wafer-level opto-electronic testing apparatus and method | |
US11187613B2 (en) | Opto electrical test measurement system for integrated photonic devices and circuits | |
CN111919124B (zh) | 接触光子集成电路的光电电路板及方法 | |
US8692984B2 (en) | Field tester for topologies utilizing array connectors and multi-wavelength field tester for topologies utilizing array connectors | |
US9791512B2 (en) | Test apparatus, test method, calibration device, and calibration method | |
US20110279812A1 (en) | Test apparatus, test method, and device interface | |
JP2007514165A (ja) | 半導体アレイ検査装置 | |
CN113504462B (zh) | 测试装置及测试方法 | |
WO2020059440A1 (ja) | 検査方法及び検査システム | |
CN111913186A (zh) | 光学试验用装置及半导体试验装置 | |
CN111122124A (zh) | 一种基于半导体激光器光束的多通道同步表征装置及方法 | |
CN114839730B (zh) | 一种光芯片的出射模场测量装置及其测量方法 | |
CN114323103A (zh) | 探测器响应度测试结构、方法及装置 | |
US20030234924A1 (en) | Optical device measuring apparatus and light receiving unit available for such optical device measuring apparatus | |
CN113872683B (zh) | 低通道波导阵列光栅波分解复用器耦合测试系统及方法 | |
CN112945415B (zh) | 一种激光器阵列温度检测方法及装置 | |
KR102566737B1 (ko) | 광 계측 장치 | |
CN217469958U (zh) | 一种光模块波长测试系统 | |
US20030174313A1 (en) | Method and apparatus for testing optical devices | |
CN113049227B (zh) | 激光波长调制测量装置及其测量方法、测量系统 | |
JP6861775B2 (ja) | 光導波路素子及び光軸調整方法 | |
CN117470498A (zh) | 一种光芯片的晶圆测试系统及测试方法 | |
JP2002131181A (ja) | 受光素子の損失測定装置 | |
CN114323587A (zh) | 一种波导损耗测量系统 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |