CN112945415B - 一种激光器阵列温度检测方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种激光器阵列温度检测方法及装置，该方法包括：获取激光器阵列低于阈值电流时的阵列各发光单点的第一光谱信息；获取激光器阵列设定电流时的阵列各发光单点的第二光谱信息；根据第一光谱信息、第二光谱信息以及激光器阵列的温漂系数计算得到激光器阵列的各发光单点温度值。本发明实施例提供的激光器阵列温度检测方法，通过获取激光器阵列中各发光单点在阈值电流以下时的第一光谱信息和设定电流时的第二光谱信息，由于光谱信息中包含各发光单点的波长信息，可以通过波长和温度的关系实现温度的分布式检测。因此，该方法与探针接触式检测方法相比，通过非接触测量，可以避免探针对阵列芯片的损坏。

Description

一种激光器阵列温度检测方法及装置

技术领域

本发明涉及激光器领域，具体涉及一种激光器阵列温度检测方法及装置。

背景技术

目前，激光器中尤其是垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，VCSEL)由于出射光束易于光纤耦合、阈值电流低、直调带宽大、支持片上检测、易于实现二维阵列、生产成本低廉等优势，已经广泛应用于短距离光通信网络、数据中心以及USB，PCI Express，等消费类电子产品中。

然而，在VCSEL阵列芯片的检测过程中，芯片温度是非常重要的监测数据，过高的温度会影响芯片的性能及寿命。目前行业中对于VCSEL阵列芯片普遍采用温度探针接触式测量，由于VCSEL阵列中的发光单点尺寸小，排列密集。采用探针接触式检测可能会损伤发光单点，且检测效率低下，不利于批量检测。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种激光器阵列温度检测方法及装置，以解决现有技术中采用探针接触式测量时可能会损伤发光单点的问题。

本发明提供的技术方案如下：

本发明实施例第一方面提供一种激光器阵列温度检测方法，该方法包括如下步骤：获取所述激光器阵列在低于阈值电流时的阵列各发光单点的第一光谱信息；获取所述激光器阵列在设定电流时的阵列各发光单点的第二光谱；根据所述第一光谱信息、所述第二光谱信息以及所述激光器阵列的温漂系数计算得到所述激光器阵列的各发光单点温度值。

可选地，获取所述激光器阵列在低于阈值电流时的阵列各发光单点的第一光谱信息，包括：在所述激光器阵列中通入低于阈值的第一电流；采集所述激光器阵列在所述第一电流作用下发出的第一光束；根据光谱仪对所述第一光束进行检测得到阵列各发光单点的第一光谱信息。

可选地，获取所述激光器阵列在设定电流时的阵列各发光单点的第二光谱信息，包括：在所述激光器阵列中通入高于阈值的第二电流；采集所述激光器阵列在所述第二电流作用下发出的第二光束；根据光谱仪对所述第二光束进行检测得到阵列各发光单点的第二光谱信息。

可选地，采集所述激光器阵列在所述第一电流作用下发出的第一光束，包括：采集所述激光器阵列中第一个发光单点在所述第一电流作用下发出的第一光束；每隔预设时间将所述激光器阵列移动预设距离，采集所述激光器阵列中其他各发光单点在所述第一电流作用下发出的第一光束；采集所述激光器阵列在所述第二电流作用下发出的第二光束，包括：采集所述激光器阵列中第一个发光单点在所述第二电流作用下发出的第二光束；每隔预设时间将所述激光器阵列移动预设距离，采集所述激光器阵列中其他各发光单点在所述第二电流作用下发出的第二光束。

可选地，根据所述第一光谱信息、所述第二光谱信息以及所述激光器阵列的温漂系数计算得到所述激光器阵列的各发光单点温度值，包括：根据所述第一光谱信息确定所述激光器阵列在低于阈值电流时的第一发光波长；根据所述第二光谱信息确定所述激光器阵列在设定电流时的第二发光波长；根据所述第一发光波长、所述第二发光波长以及所述激光器阵列的温漂系数计算得到所述激光器阵列的各发光单点温度差；根据所述激光器阵列的预设温度以及各发光单点温度差确定所述激光器阵列各发光单点温度值。

本发明实施例第二方面提供一种激光器阵列温度检测装置，该装置包括：光谱仪和微处理器，所述光谱仪用于获取所述激光器阵列在低于阈值电流时的阵列各发光单点的第一光谱信息以及所述激光器阵列在设定电流时的阵列各发光单点的第二光谱信息，将所述第一光谱信息和所述第二光谱信息发送至所述微处理器；所述微处理器根据所述第一光谱信息、所述第二光谱信息以及所述激光器阵列的温漂系数计算得到所述激光器阵列的各发光单点温度值。

可选地，该激光器阵列温度检测装置还包括：光纤，所述光纤用于采集所述激光器阵列在低于阈值的第一电流作用下发出的第一光束以及所述激光器阵列在高于阈值的第二电流作用下发出的第二光束，将所述第一光束以及所述第二光束发送至所述光谱仪。

可选地，该激光器阵列温度检测装置还包括：位移台，所述位移台连接所述微处理器，所述激光器阵列放置在所述位移台上，所述微处理器控制所述位移台每隔预设时间移动预设距离，所述光纤在每次所述位移台移动后采集所述激光器阵列中各发光单点在所述第一电流作用下发出的第一光束以及所述第二电流作用下发出的第二光束。

可选地，该激光器阵列温度检测装置还包括：CCD图像传感器、物镜以及共焦装置，所述共焦装置设置在所述CCD图像传感器和所述物镜之间，并且，所述共焦装置设置在所述物镜和所述光纤之间，所述CCD图像传感器、所述共焦装置以及所述物镜用于确定所述激光器阵列中被采集的第一个发光单点的位置；所述物镜、所述共焦装置以及所述光纤用于传输所述激光器阵列中各发光单点发出的第一光束以及第二光束。

可选地，该激光器阵列温度检测装置还包括：供电装置，所述供电装置用于为所述激光器阵列提供低于阈值的第一电流以及高于阈值的第二电流。

本发明技术方案，具有如下优点：

本发明实施例提供的激光器阵列温度检测方法，提供了一种非接触式阵列芯片温度检测方法，通过获取激光器阵列中各发光单点在低于阈值的第一电流条件下第一光谱信息和设定电流时的第二光谱信息，由于光谱信息中包含各发光单点的波长信息，可以通过波长和温度的关系实现温度的分布式检测。因此，本发明实施例提供的激光器阵列温度检测方法，与探针接触式检测方法相比，可以避免探针对阵列芯片的损坏。

本发明实施例提供的激光器阵列温度检测装置，通过采用光谱仪和微处理器实现了非接触式阵列芯片温度检测方法，其中，光谱仪可以获取激光器阵列中各发光单点在低于阈值的第一电流条件下的第一光谱信息和设定电流时的第二光谱信息，由于光谱信息中包含各发光单点的波长信息，微处理器可以提取其中的波长信息，通过波长和温度的关系实现温度的分布式检测。因此，本发明实施例提供的激光器阵列温度检测装置，与探针接触式检测方法相比，可以避免探针对阵列芯片的损坏。

本发明实施例提供的激光器阵列温度检测装置，通过将激光器阵列置于位移台上，位移台可由程序控制，来进行X轴，Y轴移动，使固定在其上的CCD图像传感器和物镜自动对准个发光单点，提高效率。同时，由于程序自主控制CCD图像传感器及物镜的移动，在进行光谱扫描过程中，无需重复调节物镜焦距和阵列坐标位置。并且光谱的高速读取特性，解决了背景技术中的检测效率低，接触式可能损坏芯片等问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例中激光器阵列温度检测方法的流程图；

图2为本发明另一实施例中激光器阵列温度检测方法的流程图；

图3为本发明另一实施例中激光器阵列温度检测方法的流程图；

图4为本发明实施例中激光器阵列温度检测装置的结构框图；

图5为本发明另一实施例中激光器阵列温度检测装置的结构框图；

图6为本发明另一实施例中激光器阵列温度检测装置的结构框图。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

实施例1

本发明实施例提供一种激光器阵列温度检测方法，如图1所示，该方法包括如下步骤：

步骤S101：获取激光器阵列在低于阈值电流时的阵列各发光单点的第一光谱信息；具体地，该激光器阵列为在VCSEL阵列芯片，芯片中包含多个发光单点，在温度检测时，需要对各个发光单点均进行检测，即实现阵列的温度分布检测。由此，在测试时，需要获取各个单点的光谱信息。在实际测试时，可以先获取芯片在低于阈值电流时的发光信息得到第一光谱信息，例如可以是未发生热效应时的第一光谱信息。

步骤S102：获取激光器阵列在设定电流时的阵列各发光单点的第二光谱信息；在获取第一光谱信息后，再获取芯片在设定电流状态下的发光信息得到第二光谱信息，例如可以是发生热效应时的第二光谱信息。。

步骤S103：根据第一光谱信息、第二光谱信息以及激光器阵列的温漂系数计算得到激光器阵列的各发光单点温度值。由于在阵列芯片中发光波长随温度漂移规律满足公式(1)：

ΔT＝aΔλ 公式(1)

其中，a为芯片波长的温漂系数，λ为阵列芯片的发光波长，T为阵列芯片的温度。

根据公式(1)可以看出，激光器阵列温度变化与发光波长变化成正比，从获取的第一光谱信息和第二光谱信息中可以获取各个发光单点的第一发光波长和第二发光波长，通过第一发光波长和第二发光波长的差值可以确定发光波长变化即Δλ，同时温漂系数a可以通过多次实验获取，由此，根据公式(1)可以确定温度变化，即设定电流和未设定电流时的温度差，由于未设定电流时激光器阵列的温度和周围环境相同，例如在正常环境中，可以认为是常温，因此根据温度差和未设定电流时的温度可以确定设定电流时的温度，从而可以实现激光器阵列中各个发光单点的温度检测。

本发明实施例提供的激光器阵列温度检测方法，提供了一种非接触式阵列芯片温度检测方法，通过获取激光器阵列中各发光单点在低于阈值的第一电流条件下的第一光谱信息和设定电流时的第二光谱信息，由于光谱信息中包含各发光单点的波长信息，可以通过波长和温度的关系实现温度的分布式检测。因此，本发明实施例提供的激光器阵列温度检测方法，与探针接触式检测方法相比，可以避免探针对阵列芯片的损坏。

在一实施例中，如图2所示，步骤S101获取激光器阵列在低于阈值电流时的阵列各发光单点的第一光谱信息，包括：

步骤S201：在激光器阵列中通入低于阈值的第一电流；其中，该阈值可以是激光器阵列正常工作时所需的电流，也可以是用户定义的阈值，在小于该阈值的电流作用下，阵列芯片不会发生热效应。

步骤S202：采集激光器阵列在第一电流作用下发出的第一光束；具体地，为了实现为激光器阵列中各发光单点的测试，可以先采集激光器阵列中第一个发光单点在第一电流作用下发出的第一光束，例如可以将阵列芯片中第一行第一列的点作为第一发光单点，由于各发光单点之间间距固定，之后可以每隔预设时间将激光器阵列移动预设距离，采集激光器阵列中其他各发光单点在第一电流作用下发出的第一光束；该预设时间可以时正常采集一个发光单点所需的时间，或者比正常采集时间更长一些的时间。

步骤S203：根据光谱仪对第一光束进行检测得到阵列各发光单点的第一光谱信息。具体地，在采集到第一光束后，可以将第一光束传输到光谱仪中检测得到第一光谱信息。

在一实施例中，如图3所示，步骤S102获取激光器阵列在设定电流时的阵列各发光单点的第二光谱信息，包括：

步骤S301：在激光器阵列中通入高于阈值的第二电流；其中，该阈值可以是激光器阵列正常工作时所需的电流，也可以是用户定义的阈值，在大于该阈值的电流作用下，阵列芯片会产生热效应。

步骤S302：采集激光器阵列在第二电流作用下发出的第二光束；具体地，为了实现为激光器阵列中各发光单点的测试，可以先采集激光器阵列中第一个发光单点在第二电流作用下发出的第二光束，例如可以将阵列芯片中第一行第一列的点作为第一发光单点，由于各发光单点之间间距固定，之后可以每隔预设时间将激光器阵列移动预设距离，采集激光器阵列中其他各发光单点在第二电流作用下发出的第二光束；该预设时间可以时正常采集一个发光单点所需的时间，或者比正常采集时间更长一些的时间。

步骤S303：根据光谱仪对第二光束进行检测得到阵列各发光单点的第二光谱信息。具体地，在采集到第二光束后，可以将第二光束传输到光谱仪中检测得到第二光谱信息。

在一实施例中，在通过光谱仪获取到第一光谱信息和第二光谱信息后，可以根据第一光谱信息以及各个发光单点的位置绘制各个发光单点的第一mapping图对比作为基底，之后再根据第二光谱信息以及各个发光单点的位置绘制第二mapping图，通过两个mapping图实现各个发光单点温度的检测，从而可以在图中更直观的看出阵列中各个发光单点的温度差，即设定电流和未设定电流时的温度差，由于未设定电流时激光器阵列的温度和周围环境相同，例如在正常环境中，可以认为是常温，因此根据温度差和未设定电流时的温度可以确定设定电流时的温度，。

实施例2

本发明实施例提供一种激光器阵列温度检测装置，如图4所示，该温度检测装置包括：光谱仪4和微处理器9，光谱仪4用于获取激光器阵列在低于阈值电流时的阵列各发光单点的第一光谱信息以及激光器阵列在设定电流时的阵列各发光单点的第二光谱信息，将第一光谱信息和第二光谱信息发送至微处理器9；微处理器9根据第一光谱信息、第二光谱信息以及激光器阵列的温漂系数计算得到激光器阵列的各发光单点温度值。

具体地，该激光器阵列为在VCSEL阵列芯片，芯片中包含多个发光单点，在温度检测时，需要对各个发光单点均进行检测，即实现阵列的温度分布检测。由此，在测试时，需要获取各个单点的光谱信息。在实际测试时，可以先获取芯片在低于阈值电流时的发光信息得到第一光谱信息；在获取第一光谱信息后，再获取芯片在设定电流状态下的发光信息得到第二光谱信息。

由于在阵列芯片中发光波长随温度漂移规律满足公式(1)：

ΔT＝aΔλ 公式(1)

其中，a为芯片波长的温漂系数，λ为阵列芯片的发光波长，T为阵列芯片的温度。

根据公式(1)可以看出，激光器阵列温度变化与发光波长变化成正比，从获取的第一光谱信息和第二光谱信息中可以获取各个发光单点的第一发光波长和第二发光波长，通过第一发光波长和第二发光波长的差值可以确定发光波长变化即Δλ，同时温漂系数a可以通过多次实验获取，由此，根据公式(1)可以确定温度变化，即设定电流和未设定电流时的温度差，由于未设定电流时激光器阵列的温度和周围环境相同，例如在正常环境中，可以认为是常温，因此根据温度差和未设定电流时的温度可以确定设定电流时的温度，从而可以实现激光器阵列中各个发光单点的温度检测。

本发明实施例提供的激光器阵列温度检测装置，通过采用光谱仪和微处理器实现了非接触式阵列芯片温度检测方法，其中，光谱仪可以获取激光器阵列中各发光单点在低于阈值的第一电流条件下的第一光谱信息和设定电流时的第二光谱信息，由于光谱信息中包含各发光单点的波长信息，微处理器可以提取其中的波长信息，通过波长和温度的关系实现温度的分布式检测。因此，本发明实施例提供的激光器阵列温度检测装置，与探针接触式检测方法相比，可以避免探针对阵列芯片的损坏。

在一实施例中，如图5所示，该激光器阵列温度检测装置还包括：光纤3，光纤3用于采集激光器阵列8在低于阈值的第一电流作用下发出的第一光束以及激光器阵列8在高于阈值的第二电流作用下发出的第二光束，将第一光束以及第二光束发送至光谱仪4。

在一实施例中，如图5所示，该激光器阵列温度检测装置还包括：位移台6，位移台6连接微处理器9，激光器阵列8放置在位移台上，微处理器9控制位移台6每隔预设时间移动预设距离，光纤3在每次位移台6移动后采集激光器阵列8中各发光单点在第一电流作用下发出的第一光束以及第二电流作用下发出的第二光束。

在一实施例中，如图5所示，该激光器阵列温度检测装置还包括：CCD图像传感器1、物镜5以及共焦装置2，共焦装置2设置在CCD图像传感器1和物镜5之间，并且，共焦装置2设置在物镜5和光纤3之间，CCD图像传感器1、共焦装置2以及物镜5用于确定激光器阵列8中被采集的第一个发光单点的位置；物镜5、共焦装置2以及光纤3用于传输激光器阵列8中各发光单点发出的第一光束以及第二光束。可选地，共焦装置2为半透半反镜，可以同时实现光束到CCD图像传感器1的监测，以及光束到光纤3的传输。物镜5可以选择CCD高倍物镜。该装置中还设置了固定装置10用于实现CCD图像传感器1、物镜5以及共焦装置2的固定。

在一实施例中，该激光器阵列温度检测装置还包括：供电装置，供电装置用于为激光器阵列提供低于阈值的第一电流以及高于阈值的第二电流。

本发明实施例提供的激光器阵列温度检测装置，通过将激光器阵列置于位移台上，位移台可由程序控制，来进行X轴，Y轴移动，使固定在其上的CCD图像传感器和物镜自动对准个发光单点，提高效率。同时，由于程序自主控制CCD图像传感器及物镜的移动，在进行光谱扫描过程中，无需重复调节物镜焦距和阵列坐标位置。并且光谱的高速读取特性，解决了背景技术中的检测效率低，接触式可能损坏芯片等问题。

实施例3

如图5所示，本发明实施例提供了一种根据实施例2提供的温度检测装置实现温度检测的方法，首先将激光器阵列8置于测试基台7上，移动位移台6，使激光器阵列8置于扫描CCD图像传感器1下，为激光器阵列8通电，此时先在激光器阵列8输入阈值以下的电流，由于电流在阈值下，激光器阵列8无热效应造成的温漂现象，激光器阵列8中心温度与边缘温度相同。调节物镜5的倍数，来控制视场中单点的个数，使用扫描CCD图像传感器1对准激光器阵列8中第一行第一列的点，此时单点发出的光束通过与扫描CCD高倍物镜处于共焦装置2的光纤3，输出到光谱仪4检测出光谱信息，并记录。依次扫描完激光器阵列8上全部发光单点，由于单点之间间距固定，扫描过程可实现自动控制。微处理器9获取完全部发光单点的光谱信息后，会根据激光器阵列8中每个单点的坐标位置绘制mapping图，作为光谱对比基底，然后再在激光器阵列8输入阈值以上设定电流，重新扫描一遍，并绘制mapping图，根据激光器阵列8中波长随温度漂移规律，即公式(1)确定设定电流和未设定电流时的温度差。。

ΔT＝aΔλ 公式(1)

其中，a为芯片波长的温漂系数，λ为阵列芯片的发光波长，T为阵列芯片的温度。

由于未设定电流时激光器阵列的温度和周围环境相同，此时，激光器阵列置于测试基台7上，也可以认为激光器阵列低于阈值的第一电流条件下的温度和测试基台7的温度相同；因此根据温度差和未设定电流时的温度可以确定设定电流时的温度，

如图6所示，为位移台6的俯视图，位移台6为二维位移台，二维位移台可由程序控制，来进行X轴，Y轴移动，使固定在其上的CCD图像传感器1和高倍物镜5自动对准目标点，提高效率。由于程序自主控制CCD图像传感器及物镜的移动，在进行光谱扫描过程中，无需重复调节物镜焦距和芯片坐标位置。同时光谱的高速读取特性，解决了背景技术中的检测效率低，接触式可能损坏芯片等问题。

虽然关于示例实施例及其优发光单点已经详细说明，但是本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和所附权利要求限定的保护范围的情况下对这些实施例进行各种变化、替换和修改，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。对于其他例子，本领域的普通技术人员应当容易理解在保持本发明保护范围内的同时，工艺步骤的次序可以变化。

此外，本发明的应用范围不局限于说明书中描述的特定实施例的工艺、机构、制造、物质组成、手段、方法及步骤。从本发明的公开内容，作为本领域的普通技术人员将容易地理解，对于目前已存在或者以后即将开发出的工艺、机构、制造、物质组成、手段、方法或步骤，其中它们执行与本发明描述的对应实施例大体相同的功能或者获得大体相同的结果，依照本发明可以对它们进行应用。因此，本发明所附权利要求旨在将这些工艺、机构、制造、物质组成、手段、方法或步骤包含在其保护范围内。

Claims (8)

1.一种激光器阵列温度检测方法，其特征在于，包括如下步骤：

获取所述激光器阵列在低于阈值电流时的阵列各发光单点的第一光谱信息；

获取所述激光器阵列在设定电流时的阵列各发光单点的第二光谱信息；

根据所述第一光谱信息、所述第二光谱信息以及所述激光器阵列的温漂系数计算得到所述激光器阵列的各发光单点温度值；

获取所述激光器阵列在低于阈值电流时的阵列各发光单点的第一光谱信息，包括：

在所述激光器阵列中通入低于阈值的第一电流；

采集所述激光器阵列在所述第一电流作用下发出的第一光束；

根据光谱仪对所述第一光束进行检测得到阵列各发光单点的第一光谱信息；

获取所述激光器阵列在设定电流时的阵列各发光单点的第二光谱信息，包括：

在所述激光器阵列中通入高于阈值的第二电流；

采集所述激光器阵列在所述第二电流作用下发出的第二光束；

根据光谱仪对所述第二光束进行检测得到阵列各发光单点的第二光谱信息。

2.根据权利要求1所述的激光器阵列温度检测方法，其特征在于，

采集所述激光器阵列在所述第一电流作用下发出的第一光束，包括：

采集所述激光器阵列中第一个发光单点在所述第一电流作用下发出的第一光束；

每隔预设时间将所述激光器阵列移动预设距离，采集所述激光器阵列中其他各发光单点在所述第一电流作用下发出的第一光束；

采集所述激光器阵列在所述第二电流作用下发出的第二光束，包括：

采集所述激光器阵列中第一个发光单点在所述第二电流作用下发出的第二光束；

每隔预设时间将所述激光器阵列移动预设距离，采集所述激光器阵列中其他各发光单点在所述第二电流作用下发出的第二光束。

3.根据权利要求1所述的激光器阵列温度检测方法，其特征在于，根据所述第一光谱信息、所述第二光谱信息以及所述激光器阵列的温漂系数计算得到所述激光器阵列的各发光单点温度值，包括：

根据所述第一光谱信息确定所述激光器阵列在低于阈值电流时的第一发光波长；

根据所述第二光谱信息确定所述激光器阵列在设定电流时的第二发光波长；

根据所述第一发光波长、所述第二发光波长以及所述激光器阵列的温漂系数计算得到所述激光器阵列的各发光单点温度差；

根据所述激光器阵列的预设温度以及各发光单点温度差确定所述激光器阵列各发光单点温度值。

4.一种激光器阵列温度检测装置，其特征在于，包括：光谱仪和微处理器，

所述光谱仪用于获取所述激光器阵列在低于阈值电流时的阵列各发光单点的第一光谱信息以及所述激光器阵列在设定电流时的阵列各发光单点的第二光谱信息，将所述第一光谱信息和所述第二光谱信息发送至所述微处理器；

所述微处理器根据所述第一光谱信息、所述第二光谱信息以及所述激光器阵列的温漂系数计算得到所述激光器阵列的各发光单点温度值；

获取所述激光器阵列在低于阈值电流时的阵列各发光单点的第一光谱信息，包括：

在所述激光器阵列中通入低于阈值的第一电流；

采集所述激光器阵列在所述第一电流作用下发出的第一光束；

根据光谱仪对所述第一光束进行检测得到阵列各发光单点的第一光谱信息；

获取所述激光器阵列在设定电流时的阵列各发光单点的第二光谱信息，包括：

在所述激光器阵列中通入高于阈值的第二电流；

采集所述激光器阵列在所述第二电流作用下发出的第二光束；

根据光谱仪对所述第二光束进行检测得到阵列各发光单点的第二光谱信息。

5.根据权利要求4所述的激光器阵列温度检测装置，其特征在于，还包括：光纤，所述光纤用于采集所述激光器阵列在低于阈值的第一电流作用下发出的第一光束以及所述激光器阵列在高于阈值的第二电流作用下发出的第二光束，将所述第一光束以及所述第二光束发送至所述光谱仪。

6.根据权利要求5所述的激光器阵列温度检测装置，其特征在于，还包括：位移台，所述位移台连接所述微处理器，所述激光器阵列放置在所述位移台上，所述微处理器控制所述位移台每隔预设时间移动预设距离，所述光纤在每次所述位移台移动后采集所述激光器阵列中各发光单点在所述第一电流作用下发出的第一光束以及所述第二电流作用下发出的第二光束。

7.根据权利要求6所述的激光器阵列温度检测装置，其特征在于，还包括：CCD图像传感器、物镜以及共焦装置，所述共焦装置设置在所述CCD图像传感器和所述物镜之间，并且，所述共焦装置设置在所述物镜和所述光纤之间，所述CCD图像传感器、所述共焦装置以及所述物镜用于确定所述激光器阵列中被采集的第一个发光单点的位置；所述物镜、所述共焦装置以及所述光纤用于传输所述激光器阵列中各发光单点发出的第一光束以及第二光束。

8.根据权利要求5所述的激光器阵列温度检测装置，其特征在于，还包括：供电装置，所述供电装置用于为所述激光器阵列提供低于阈值的第一电流以及高于阈值的第二电流。