CN113502197A - 异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法 - Google Patents

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Abstract

异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法,所述处理方法包括如下步骤:S1、常温状态下,将纯异丙醇和脱芳烃类溶剂油分别置入调试模块,进行搅拌反应,得到混合物;S2、使用混合物浸湿无尘布;S3、运用无尘布覆盖需要清洁的半导体设备表面,降低油性污染物和金属污染物与设备表面的粘结力;S4、再用无尘布擦拭半导体设备表面,使得油性污染物和金属污染物剥离设备表面,达到清洁效果,常温下表面残留清洁剂可快速挥发。该异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法,利用异丙醇的高清洁效果、渗透性和溶剂油的稳定性、低粘性,提高了对半导体设备表面油性污染物和金属污染物的处理。

Description

异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法
技术领域
本发明涉及异丙醇和溶剂油的混合物的清洁技术领域,特别涉及异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法。
背景技术
异丙醇是正丙醇的同分异构体,别名二甲基甲醇、2-丙醇。分子中有三个碳原子,属于短链饱和脂肪醇。无色透明液体,有似丙酮和乙醇混合物的醇香气味,能与醇、醚、氯仿和水混溶,能溶解类似虫胶、松香、生物碱、橡胶、合成树脂等多种有机物和某些无机物,与水形成共沸物,不溶于盐溶液。异丙醇是一种性能优良的有机溶剂,主要应用在油墨和涂料等领域中,在医药、有机化工中间体原料及电子工业清洗剂等方面也有着广泛应用。在清洗剂领域,为保护大气臭氧层,异丙醇作为氟氯烃、三氯乙烷等电子工业清洗剂的替代品,成为半导体的清洗剂。异丙醇具有较大的蒸汽压和挥发性,是一种易挥发性液体,闪点低,易燃,常温下可引火燃烧,蒸汽与空气混合易形成爆炸混合物。且异丙醇有刺激性,对中枢神经系统抑制的效果大约是乙醇的两倍,作用持续时间为乙醇的2~4倍,接触高浓度蒸气出现头痛、倦睡、共济失调以及眼、鼻、喉刺激症状。
目前在半导体行业,主要运用高纯度异丙醇作为半导体器件的清洗剂,成本较高,安全性较差,挥发性较快造成的危害和浪费较大,且清洗后容易造成被清洁物的基底受到破坏。为此,我们提出异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法。
发明内容
本发明的主要目的在于提供异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法,可以有效解决背景技术中的问题。
异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法,所述处理方法包括如下步骤:
S1、常温状态下,将纯异丙醇和脱芳烃类溶剂油分别置入调试模块,进行搅拌反应,得到混合物;
S2、使用混合物浸湿无尘布;
S3、运用无尘布覆盖需要清洁的半导体设备表面,降低油性污染物和金属污染物与设备表面的粘结力;
S4、再用无尘布擦拭半导体设备表面,使得油性污染物和金属污染物剥离设备表面,达到清洁效果,常温下表面残留清洁剂可快速挥发。
进一步,所述步骤S1中包括:
①调试模块为反应皿;
②将脱芳烃类溶剂油倒入异丙醇中,避免异丙醇快速挥发造成浪费;
③异丙醇和脱芳烃类溶剂油之间的比例为1:1-2:1,采用试棒搅拌,反应时间为3~5min,充分混合。
进一步,所述步骤S2包括:无尘布浸湿时间为0.5~1min。
进一步,所述步骤S3中包括:无尘布的覆盖时间为2~3min,使得混合液充分渗透至设备表面污染物,降低粘结力,从而使得油性污染物和金属污染物分散成微粒。
进一步,所述步骤S4中包括:
①无尘布的擦拭作用使得污染物脱离设备表面而卷离到混合液中,达到去污的效果;
②清洁后设备表面残留的混合液可在常温状态下快速挥发,无需另外处理。
本发明提供的异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法,通过在常温状态下,将纯异丙醇和脱芳烃类溶剂油分别置入调试模块,以脱芳烃类溶剂油倒入异丙醇中的方式,以1:1-2:1的比例充分混合,搅拌时间为3~5min,得到混合物,闪点的升高,挥发速率的降低,从而达到了提高安全性,减少因挥发造成的危害和浪费的效果;使用搅拌后的混合物浸湿无尘布,浸湿时间为0.5~1min,将浸湿的无尘布覆盖至半导体设备表面,覆盖时间为2~3min,使得混合液充分渗透至设备表面污染物,降低粘结力,使得油性污染物和金属污染物分散成微粒,清洁剂整体粘度的降低,流动性的增强,从而达到了增强清洗效果,更适用于间隙清洗的效果;再用无尘布擦拭半导体设备表面,使得油性污染物和金属污染物剥离设备表面,达到清洁效果,常温下表面残留清洁剂可快速挥发,异丙醇和溶剂油混合后减少了纯异丙醇的比例,从而达到了降低成本,同时减少了纯异丙醇对被清洁物的基底的破坏作用的效果。
附图说明
图1为本发明异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本发明。
如图1所示,异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法,处理方法包括如下步骤:
S1、常温状态下,将纯异丙醇和脱芳烃类溶剂油分别置入调试模块,进行搅拌反应,得到混合物;
S2、使用混合物浸湿无尘布;
S3、运用无尘布覆盖需要清洁的半导体设备表面,降低油性污染物和金属污染物与设备表面的粘结力;
S4、再用无尘布擦拭半导体设备表面,使得油性污染物和金属污染物剥离设备表面,达到清洁效果,常温下表面残留清洁剂可快速挥发。
根据本发明提供的技术方案,步骤S1中包括:
①调试模块为反应皿;
②将脱芳烃类溶剂油倒入异丙醇中,避免异丙醇快速挥发造成浪费;
③异丙醇和脱芳烃类溶剂油之间的比例为1:1-2:1,采用试棒搅拌,反应时间为3~5min,充分混合。
根据本发明提供的技术方案,步骤S2包括:无尘布浸湿时间为0.5~1min。
根据本发明提供的技术方案,步骤S3中包括:无尘布的覆盖时间为2~3min,使得混合液充分渗透至设备表面污染物,降低粘结力,从而使得油性污染物和金属污染物分散成微粒。
根据本发明提供的技术方案,步骤S4中包括:
①无尘布的擦拭作用使得污染物脱离设备表面而卷离到混合液中,达到去污的效果;
②清洁后设备表面残留的混合液可在常温状态下快速挥发,无需另外处理。
本发明提供的异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法,工作人员通过在常温状态下,将纯异丙醇和脱芳烃类溶剂油分别置入调试模块,以脱芳烃类溶剂油倒入异丙醇中的方式,以1:1-2:1的比例充分混合,搅拌时间为3~5min,得到混合物;使用搅拌后的混合物浸湿无尘布,浸湿时间为0.5~1min,将浸湿的无尘布覆盖至半导体设备表面,覆盖时间为2~3min,使得混合液充分渗透至设备表面污染物,降低粘结力,使得油性污染物和金属污染物分散成微粒;再用无尘布擦拭半导体设备表面,使得油性污染物和金属污染物剥离设备表面,达到清洁效果,常温下表面残留清洁剂可快速挥发。大大提高了工作人员在进行半导体设备表面处理的安全性,减少了因挥发造成的危害和浪费,降低成本的同时,减少了对被清洁物的基底的破坏,并且清洁的更为彻底。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (5)

1.异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法,其特征在于:所述处理方法包括如下步骤:
S1、常温状态下,将纯异丙醇和脱芳烃类溶剂油分别置入调试模块,进行搅拌反应,得到混合物;
S2、使用混合物浸湿无尘布;
S3、运用无尘布覆盖需要清洁的半导体设备表面,降低油性污染物和金属污染物与设备表面的粘结力;
S4、再用无尘布擦拭半导体设备表面,使得油性污染物和金属污染物剥离设备表面,达到清洁效果,常温下表面残留清洁剂可快速挥发。
2.根据权利要求1所述的异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法,其特征在于:所述步骤S1中包括:
①调试模块为反应皿;
②将脱芳烃类溶剂油倒入异丙醇中,避免异丙醇快速挥发造成浪费;
③异丙醇和脱芳烃类溶剂油之间的比例为1:1-2:1,采用试棒搅拌,反应时间为3~5min,充分混合。
3.根据权利要求1所述的异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法,其特征在于:所述步骤S2包括:无尘布浸湿时间为0.5~1min。
4.根据权利要求1所述的异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法,其特征在于:所述步骤S3中包括:无尘布的覆盖时间为2~3min,使得混合液充分渗透至设备表面污染物,降低粘结力,从而使得油性污染物和金属污染物分散成微粒。
5.根据权利要求1所述的异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法,其特征在于:所述步骤S4中包括:
①无尘布的擦拭作用使得污染物脱离设备表面而卷离到混合液中,达到去污的效果;
②清洁后设备表面残留的混合液可在常温状态下快速挥发,无需另外处理。
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