CN113502197A - 异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法 - Google Patents
异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113502197A CN113502197A CN202110764802.XA CN202110764802A CN113502197A CN 113502197 A CN113502197 A CN 113502197A CN 202110764802 A CN202110764802 A CN 202110764802A CN 113502197 A CN113502197 A CN 113502197A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mixture
- pollutants
- isopropanol
- equipment
- dust
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 107
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 239000002904 solvent Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 claims abstract description 40
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 claims abstract description 40
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract description 9
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 11
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims description 6
- 235000015096 spirit Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000002699 waste material Substances 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 239000012466 permeate Substances 0.000 claims description 5
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000005202 decontamination Methods 0.000 claims description 3
- 230000003588 decontaminative effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 1
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 abstract 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012258 stirred mixture Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010003591 Ataxia Diseases 0.000 description 1
- 206010019233 Headaches Diseases 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 229920001800 Shellac Polymers 0.000 description 1
- 206010041349 Somnolence Diseases 0.000 description 1
- 206010043521 Throat irritation Diseases 0.000 description 1
- 229930013930 alkaloid Natural products 0.000 description 1
- 150000003797 alkaloid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 210000003169 central nervous system Anatomy 0.000 description 1
- KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N chloro(fluoro)methane Chemical compound F[C]Cl KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 150000002191 fatty alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 231100000869 headache Toxicity 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 230000007794 irritation Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- ZLGIYFNHBLSMPS-ATJNOEHPSA-N shellac Chemical compound OCCCCCC(O)C(O)CCCCCCCC(O)=O.C1C23[C@H](C(O)=O)CCC2[C@](C)(CO)[C@@H]1C(C(O)=O)=C[C@@H]3O ZLGIYFNHBLSMPS-ATJNOEHPSA-N 0.000 description 1
- 229940113147 shellac Drugs 0.000 description 1
- 235000013874 shellac Nutrition 0.000 description 1
- 239000004208 shellac Substances 0.000 description 1
- 208000024891 symptom Diseases 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/261—Alcohols; Phenols
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/40—Products in which the composition is not well defined
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
- C11D7/5004—Organic solvents
- C11D7/5027—Hydrocarbons
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法,所述处理方法包括如下步骤:S1、常温状态下,将纯异丙醇和脱芳烃类溶剂油分别置入调试模块,进行搅拌反应,得到混合物;S2、使用混合物浸湿无尘布;S3、运用无尘布覆盖需要清洁的半导体设备表面,降低油性污染物和金属污染物与设备表面的粘结力;S4、再用无尘布擦拭半导体设备表面,使得油性污染物和金属污染物剥离设备表面,达到清洁效果,常温下表面残留清洁剂可快速挥发。该异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法,利用异丙醇的高清洁效果、渗透性和溶剂油的稳定性、低粘性,提高了对半导体设备表面油性污染物和金属污染物的处理。
Description
技术领域
本发明涉及异丙醇和溶剂油的混合物的清洁技术领域,特别涉及异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法。
背景技术
异丙醇是正丙醇的同分异构体,别名二甲基甲醇、2-丙醇。分子中有三个碳原子,属于短链饱和脂肪醇。无色透明液体,有似丙酮和乙醇混合物的醇香气味,能与醇、醚、氯仿和水混溶,能溶解类似虫胶、松香、生物碱、橡胶、合成树脂等多种有机物和某些无机物,与水形成共沸物,不溶于盐溶液。异丙醇是一种性能优良的有机溶剂,主要应用在油墨和涂料等领域中,在医药、有机化工中间体原料及电子工业清洗剂等方面也有着广泛应用。在清洗剂领域,为保护大气臭氧层,异丙醇作为氟氯烃、三氯乙烷等电子工业清洗剂的替代品,成为半导体的清洗剂。异丙醇具有较大的蒸汽压和挥发性,是一种易挥发性液体,闪点低,易燃,常温下可引火燃烧,蒸汽与空气混合易形成爆炸混合物。且异丙醇有刺激性,对中枢神经系统抑制的效果大约是乙醇的两倍,作用持续时间为乙醇的2~4倍,接触高浓度蒸气出现头痛、倦睡、共济失调以及眼、鼻、喉刺激症状。
目前在半导体行业,主要运用高纯度异丙醇作为半导体器件的清洗剂,成本较高,安全性较差,挥发性较快造成的危害和浪费较大,且清洗后容易造成被清洁物的基底受到破坏。为此,我们提出异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法。
发明内容
本发明的主要目的在于提供异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法,可以有效解决背景技术中的问题。
异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法,所述处理方法包括如下步骤:
S1、常温状态下,将纯异丙醇和脱芳烃类溶剂油分别置入调试模块,进行搅拌反应,得到混合物;
S2、使用混合物浸湿无尘布;
S3、运用无尘布覆盖需要清洁的半导体设备表面,降低油性污染物和金属污染物与设备表面的粘结力;
S4、再用无尘布擦拭半导体设备表面,使得油性污染物和金属污染物剥离设备表面,达到清洁效果,常温下表面残留清洁剂可快速挥发。
进一步,所述步骤S1中包括:
①调试模块为反应皿;
②将脱芳烃类溶剂油倒入异丙醇中,避免异丙醇快速挥发造成浪费;
③异丙醇和脱芳烃类溶剂油之间的比例为1:1-2:1,采用试棒搅拌,反应时间为3~5min,充分混合。
进一步,所述步骤S2包括:无尘布浸湿时间为0.5~1min。
进一步,所述步骤S3中包括:无尘布的覆盖时间为2~3min,使得混合液充分渗透至设备表面污染物,降低粘结力,从而使得油性污染物和金属污染物分散成微粒。
进一步,所述步骤S4中包括:
①无尘布的擦拭作用使得污染物脱离设备表面而卷离到混合液中,达到去污的效果;
②清洁后设备表面残留的混合液可在常温状态下快速挥发,无需另外处理。
本发明提供的异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法,通过在常温状态下,将纯异丙醇和脱芳烃类溶剂油分别置入调试模块,以脱芳烃类溶剂油倒入异丙醇中的方式,以1:1-2:1的比例充分混合,搅拌时间为3~5min,得到混合物,闪点的升高,挥发速率的降低,从而达到了提高安全性,减少因挥发造成的危害和浪费的效果;使用搅拌后的混合物浸湿无尘布,浸湿时间为0.5~1min,将浸湿的无尘布覆盖至半导体设备表面,覆盖时间为2~3min,使得混合液充分渗透至设备表面污染物,降低粘结力,使得油性污染物和金属污染物分散成微粒,清洁剂整体粘度的降低,流动性的增强,从而达到了增强清洗效果,更适用于间隙清洗的效果;再用无尘布擦拭半导体设备表面,使得油性污染物和金属污染物剥离设备表面,达到清洁效果,常温下表面残留清洁剂可快速挥发,异丙醇和溶剂油混合后减少了纯异丙醇的比例,从而达到了降低成本,同时减少了纯异丙醇对被清洁物的基底的破坏作用的效果。
附图说明
图1为本发明异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本发明。
如图1所示,异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法,处理方法包括如下步骤:
S1、常温状态下,将纯异丙醇和脱芳烃类溶剂油分别置入调试模块,进行搅拌反应,得到混合物;
S2、使用混合物浸湿无尘布;
S3、运用无尘布覆盖需要清洁的半导体设备表面,降低油性污染物和金属污染物与设备表面的粘结力;
S4、再用无尘布擦拭半导体设备表面,使得油性污染物和金属污染物剥离设备表面,达到清洁效果,常温下表面残留清洁剂可快速挥发。
根据本发明提供的技术方案,步骤S1中包括:
①调试模块为反应皿;
②将脱芳烃类溶剂油倒入异丙醇中,避免异丙醇快速挥发造成浪费;
③异丙醇和脱芳烃类溶剂油之间的比例为1:1-2:1,采用试棒搅拌,反应时间为3~5min,充分混合。
根据本发明提供的技术方案,步骤S2包括:无尘布浸湿时间为0.5~1min。
根据本发明提供的技术方案,步骤S3中包括:无尘布的覆盖时间为2~3min,使得混合液充分渗透至设备表面污染物,降低粘结力,从而使得油性污染物和金属污染物分散成微粒。
根据本发明提供的技术方案,步骤S4中包括:
①无尘布的擦拭作用使得污染物脱离设备表面而卷离到混合液中,达到去污的效果;
②清洁后设备表面残留的混合液可在常温状态下快速挥发,无需另外处理。
本发明提供的异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法,工作人员通过在常温状态下,将纯异丙醇和脱芳烃类溶剂油分别置入调试模块,以脱芳烃类溶剂油倒入异丙醇中的方式,以1:1-2:1的比例充分混合,搅拌时间为3~5min,得到混合物;使用搅拌后的混合物浸湿无尘布,浸湿时间为0.5~1min,将浸湿的无尘布覆盖至半导体设备表面,覆盖时间为2~3min,使得混合液充分渗透至设备表面污染物,降低粘结力,使得油性污染物和金属污染物分散成微粒;再用无尘布擦拭半导体设备表面,使得油性污染物和金属污染物剥离设备表面,达到清洁效果,常温下表面残留清洁剂可快速挥发。大大提高了工作人员在进行半导体设备表面处理的安全性,减少了因挥发造成的危害和浪费,降低成本的同时,减少了对被清洁物的基底的破坏,并且清洁的更为彻底。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (5)
1.异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法,其特征在于:所述处理方法包括如下步骤:
S1、常温状态下,将纯异丙醇和脱芳烃类溶剂油分别置入调试模块,进行搅拌反应,得到混合物;
S2、使用混合物浸湿无尘布;
S3、运用无尘布覆盖需要清洁的半导体设备表面,降低油性污染物和金属污染物与设备表面的粘结力;
S4、再用无尘布擦拭半导体设备表面,使得油性污染物和金属污染物剥离设备表面,达到清洁效果,常温下表面残留清洁剂可快速挥发。
2.根据权利要求1所述的异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法,其特征在于:所述步骤S1中包括:
①调试模块为反应皿;
②将脱芳烃类溶剂油倒入异丙醇中,避免异丙醇快速挥发造成浪费;
③异丙醇和脱芳烃类溶剂油之间的比例为1:1-2:1,采用试棒搅拌,反应时间为3~5min,充分混合。
3.根据权利要求1所述的异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法,其特征在于:所述步骤S2包括:无尘布浸湿时间为0.5~1min。
4.根据权利要求1所述的异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法,其特征在于:所述步骤S3中包括:无尘布的覆盖时间为2~3min,使得混合液充分渗透至设备表面污染物,降低粘结力,从而使得油性污染物和金属污染物分散成微粒。
5.根据权利要求1所述的异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法,其特征在于:所述步骤S4中包括:
①无尘布的擦拭作用使得污染物脱离设备表面而卷离到混合液中,达到去污的效果;
②清洁后设备表面残留的混合液可在常温状态下快速挥发,无需另外处理。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110764802.XA CN113502197A (zh) | 2021-07-07 | 2021-07-07 | 异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110764802.XA CN113502197A (zh) | 2021-07-07 | 2021-07-07 | 异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113502197A true CN113502197A (zh) | 2021-10-15 |
Family
ID=78011829
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110764802.XA Pending CN113502197A (zh) | 2021-07-07 | 2021-07-07 | 异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113502197A (zh) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1124285A (zh) * | 1995-11-23 | 1996-06-12 | 山东大学 | 半导体工业用清洗剂 |
CN101217101A (zh) * | 2007-01-04 | 2008-07-09 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种洗净陶瓷表面污点的方法 |
CN112111340A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-12-22 | 山东旭锐新材有限公司 | 一种低VOCs含量的环保型清洗剂 |
CN112452838A (zh) * | 2020-11-24 | 2021-03-09 | 江苏筑磊电子科技有限公司 | 脱芳烃类溶剂油在火灾后电器表面处理的方法 |
-
2021
- 2021-07-07 CN CN202110764802.XA patent/CN113502197A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1124285A (zh) * | 1995-11-23 | 1996-06-12 | 山东大学 | 半导体工业用清洗剂 |
CN101217101A (zh) * | 2007-01-04 | 2008-07-09 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种洗净陶瓷表面污点的方法 |
CN112111340A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-12-22 | 山东旭锐新材有限公司 | 一种低VOCs含量的环保型清洗剂 |
CN112452838A (zh) * | 2020-11-24 | 2021-03-09 | 江苏筑磊电子科技有限公司 | 脱芳烃类溶剂油在火灾后电器表面处理的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6006711B2 (ja) | 1級アルカノールアミンを含むlcd製造用フォトレジスト剥離液組成物 | |
CN102216855B (zh) | 用于制造lcd的光致抗蚀剂剥离组合物 | |
CN104781732B (zh) | 光刻胶剥离液组合物及光刻胶的剥离方法 | |
CN107924144B (zh) | 用于制造液晶显示的光刻胶剥离剂组合物 | |
CN103157362A (zh) | 一种用于处理有机废气的微乳吸收液的制备方法 | |
KR101691850B1 (ko) | 포토레지스트 스트리퍼 조성물 | |
KR101710170B1 (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 폐액의 재생 방법 | |
TWI514094B (zh) | 厚膜負性光致抗蝕劑剝離劑組成成分 | |
US20060135390A1 (en) | Cleaning and rinsing method | |
CN113736584A (zh) | 一种晶圆用聚酰亚胺除胶剂组合物及其制备方法 | |
CN101578341A (zh) | 有机涂膜剥离用组合物及剥离有机涂膜的方法 | |
CN113502197A (zh) | 异丙醇和溶剂油的混合物在半导体设备表面处理的方法 | |
KR101487853B1 (ko) | 레지스트 박리제 조성물 및 그것을 이용한 레지스트 박리 방법 | |
CN107346095A (zh) | 一种半导体制程正性光刻胶去胶液及应用 | |
TW200905420A (en) | Particle-containing resist peeling liquid and peeling method by using it | |
CN105296217A (zh) | 有机清洗剂 | |
CN106468861B (zh) | 抗蚀剂剥离液组合物及使用其的抗蚀剂剥离方法 | |
CN111427243A (zh) | 光刻胶剥离液再生方法 | |
EP3663857A1 (en) | Photoresist stripping solution and method of stripping photoresist | |
JP5437541B1 (ja) | レジスト剥離剤 | |
JPH04182062A (ja) | ハンダフラックス除去液 | |
JP2007193053A (ja) | レジスト除去方法 | |
KR20160121205A (ko) | 포토레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리 방법 | |
KR101520648B1 (ko) | 절연 세정제 조성물 | |
CN103540459A (zh) | 一种水基印刷电路板焊药清洗剂及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20211015 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |