CN113498234B - Mos管驱动电路及增强型led驱动电路 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供一种MOS管驱动电路，包括1个主MOS管和1个与所述主MOS管的栅极相连的主使能端，所述驱动电路进一步包括：MOS管增强型驱动网络，所述MOS增强型驱动网络包括s个次MOS管，所述s个次MOS管依次并联，所述s个次MOS管的漏极电连接，所述s个次MOS管的源极电连接；所述MOS增强型驱动网络与所述主MOS管并联；s个独立次使能端，分别与所述s个次MOS管的栅极相连。相应的还提供基于此MOS管驱动电路的增强型LED驱动电路。用以达到在不同的驱动负载下均可保证正常的导通电压和恒流。

Description

MOS管驱动电路及增强型LED驱动电路

技术领域

本申请涉及电路，具体涉及MOS管驱动电路及增强型LED驱动电路。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)驱动电路中，通常有两组控制信号，一组为COM信号，即公共端信号；另外一组为SEG信号，即扫描端信号。通过COM信号和SEG信号的配合，即可实现丰富的LED显示。如图1所示为一个8x8的LED阵列，通过COM信号和SEG信号的交替变换可以实现64颗LED灯的状态控制。如图1和图2位现有的两种LED矩阵式阵列，图2是一种COM信号和SEG信号分时复用的LED阵列。由于LED灯特性，不同类型的LED灯需要在特定的导通电压以及特定的恒流场景下，才能保证LED灯达到理想的显示状态。在集成电路实现中，普通GPIO引脚通常的电路是通过PMOS上拉到集成电路电源端VCC且通过NMOS下拉到集成电路公共地GND，通过控制PMOS管或者NMOS管的导通或者关闭来实现GPIO引脚状态。LED驱动引脚与普通GPIO引脚驱动原理类似，但加入了恒流保护等控制电路来适应外接不同类型的LED阵列。对于集成芯片来说，芯片制程工艺等决定了芯片的电源电压特性，例如目前比较常用的GPIO为3.3V标准，而一般的LED阵列导通电压最小也会在2V多，所以如果针对LED驱动引脚为3.3V的电压网络来说，对于导通电压较高的LED阵列，就会存在由于LED灯导通电压不够造成LED阵列点亮不均匀现象。另外，不管是图1还是图2的LED驱动阵列，如若某一时刻当作SEG功能的引脚上处于驱动点亮状态的引脚越多，流经当作COM端使用的引脚上的电流就会越多，导致当作COM端使用的引脚到GND的电平就会太高，从而会出现在LED阵列中随着不同的显示内容出现忽明忽暗的场景。不管是传统LED阵列还是可分时复用的阵列LED，COM端作为公共端，在系统内部实现时，对于共阳极LED，其通过PMOS管上拉到LED驱动电源；对于共阴极LED，其通过NMOS管下拉到系统地端。当点亮较多的LED灯时，流经COM端的电流越多，导致PMOS或者NMOS管导通压降变大，由此LED正向电压就会降低，从观感上讲，会出现多灯同时点亮时整体亮度变弱的现象，影响视觉观感。

现有技术中，为了确保LED阵列达到理想显示效果，简单的办法就是，提高LED驱动网络的电源电压到足够高，保证在任何场景下，LED灯两侧的电压均大于LED导通电压，从而实现恒流。但是对于大规模集成电路来说，工艺制程等确定，芯片电源电压等也是确定的，单独为LED阵列采用单独较高的电源域，且该电源域做特殊的设计以及静电等保护，设计上很难实现且成本过高。所以在集成电路设计中，亟待一种电路设计改进上述缺陷。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例的主要目的在于提供一种MOS管驱动电路，以达到在不同的驱动负载下均可保证正常的导通电压和恒流。

本发明实施例是这样实现的，一种MOS管驱动电路，包括1个主MOS管和1个与所述主MOS管的栅极相连的主使能端，所述驱动电路进一步包括：

MOS管增强型驱动网络，所述MOS增强型驱动网络包括s个次MOS管，所述s个次MOS管依次并联，所述s个次MOS管的漏极电连接，所述s个次MOS管的源极电连接；所述MOS增强型驱动网络与所述主MOS管并联；s个独立次使能端，分别与所述s个次MOS管的栅极相连。

进一步地，所述s的值根据次MOS管的面积、成本以及提高导通电压的程度进行相应选择处理。

进一步地，所述s个独立次使能端相连，共同接收控制信号；

或者，所述s个独立次使能端分别接收控制信号，实现分别控制。

进一步地，所述MOS管驱动电路为NMOS管驱动电路，所述s的值为t，所述主MOS管为主NMOS管，用于下拉电路到公共地GND，所述主使能端与所述主NMOS管的栅极相连，所述驱动电路进一步包括：

所述MOS管增强型驱动网络为NMOS增强型驱动网络，所述NMOS增强型驱动网络包括t个次NMOS管，所述t个次NMOS管依次并联，所述t个次NMOS管的漏极电连接，所述t个次NMOS管的源极电连接；所述NMOS增强型驱动网络与所述主NMOS管并联；

t个独立次使能端，分别与所述t个次NMOS管的栅极相连。

进一步地，所述MOS管驱动电路为PMOS管驱动电路，所述s的值为v，所述主MOS管为主PMOS管，用于上拉电路到电源端VCC，所述主使能端与所述主PMOS管的栅极相连，所述驱动电路进一步包括：

所述MOS管增强型驱动网络为PMOS增强型驱动网络，所述PMOS增强型驱动网络包括v个次PMOS管，所述v个次PMOS管依次并联，所述v个次PMOS管的漏极电连接，所述v个次PMOS管的源极电连接；所述PMOS增强型驱动网络与所述主PMOS管并联；

v个独立次使能端，分别与所述v个次PMOS管的栅极相连。

根据本发明实施例的另一方面，本发明实施例还提供一种增强型LED驱动电路，以达到在不同的驱动负载下均可保证正常的导通电压和恒流。

本发明实施例是这样实现的，一种增强型LED驱动电路，所述LED的阵列包括n个SEG信号端、m个COM信号端和m组n个共阴极的LED，所述增强型LED驱动电路进一步包括：n个上述实施例所述的PMOS管驱动电路，分别与所述n个SEG信号端相连；m个上述实施例所述的NMOS管驱动电路，分别与所述m个COM信号端相连。

根据本发明实施例的另一方面，本发明实施例还提供一种增强型LED驱动电路，以达到在不同的驱动负载下均可保证正常的导通电压和恒流。。

本发明实施例是这样实现的，一种增强型LED驱动电路，所述LED的阵列包括m个COM信号端、n个SEG信号端和m组n个共阳极的LED，所述增强型LED驱动电路进一步包括：m个上述实施例所述的PMOS管驱动电路，分别与所述m个COM信号端相连；n个上述实施例所述的NMOS管驱动电路，分别与所述n个SEG信号端相连。

进一步地，所述LED的阵列为普通矩阵型阵列，所述LED的阵列中最多包括m*n个LED。

进一步地，所述LED的阵列为SEG信号和COM信号分时复用的矩阵型阵列，所述LED的阵列中最多包括(n-1)*m个LED。

本发明的另一个实施例中，一种增强型LED驱动电路，所述LED的阵列为用N个控制信号在预设时间点进行SEG信号端和COM信号端分时复用控制的矩阵型阵列，所述LED的阵列为共阴极阵列，该增强型LED驱动电路进一步包括：

上述的PMOS管驱动电路，与执行所述SEG信号功能的端口相连；其中，PMOS管驱动电路的数量与执行所述SEG信号功能的端口的数量一致；

上述的NMOS管驱动电路，分别与执行所述COM信号功能的端口相连；其中，NMOS管驱动电路的数量与执行所述COM信号功能的端口的数量一致。

本发明的另一个实施例中，一种增强型LED驱动电路，所述LED的阵列为用N个控制信号在预设时间点进行SEG信号和COM信号分时复用的矩阵型阵列，所述LED的阵列为共阳极阵列，进一步包括：

上述的PMOS管驱动电路，分别与执行所述COM信号功能的端口相连；其中，PMOS管驱动电路的数量与执行所述COM信号功能的端口数量一致。

上述的NMOS管驱动电路，分别与执行所述SEG信号功能的端口相连；其中，NMOS管驱动电路的数量与执行所述SEG信号功能的端口的数量一致。

进一步地，所述LED的阵列最多包括(N-1)*N个所述LED。

根据上述技术方案，本发明实施例具有如下效果：增强型驱动网络架构LED驱动方式，其用于解决在芯片设计中有限LED驱动网络电源电压的场景下，通过增强型驱动网络加大在LED管两端的正向导通电压，保证在工作过程中流经LED阵列的电流恒定，适用于普通矩阵型阵列或SEG信号和COM信号分时复用的矩阵型阵列，从而解决LED阵列亮暗不均匀的现象。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1示出了现有技术的LED阵列图；

图2示出了现有技术的另一种LED阵列图；

图3示出了本申请实施例提供的一种MOS管驱动电路图；

图4示出了本申请实施例提供的一种NMOS管驱动电路图；

图5示出了本申请实施例提供的一种PMOS管驱动电路图；

图6示出了本申请实施例提供的一种增强型LED驱动电路电路图；

图7示出了本申请实施例提供的另一种增强型LED驱动电路电路图；

图8示出了本申请实施例提供的另一种增强型LED驱动电路电路图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与有关发明相关的部分。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请，以下实施例中的步骤顺序仅为列举，在不冲突的情况下可以调整。

如图3所示，本发明实施例提出一种MOS管驱动电路1，包括1个主MOS管102和1个与所述主MOS管102的栅极相连的主使能端En_main，所述驱动电路进一步包括：

MOS管增强型驱动网络101，所述MOS增强型驱动网络101包括s个次MOS管，所述s个次MOS管依次并联，所述s个次MOS管的漏极电连接，所述s个次MOS管的源极电连接；所述MOS增强型驱动网络与所述主MOS管并联；其中s个次MOS管分别对应s个独立次使能端En_sub0～En_subs，分别与所述s个次MOS管的栅极相连。所述主MOS管和次MOS管可以是NMOS管或者PMOS管，根据不同的使用场景均适用。

在上述实施例中，所述s个独立次使能端En_sub0～En_subs相连，共同接收控制信号；或者，所述s个次独立使能端En_sub0～En_subs接收控制信号，实现分别控制。当共同接收控制信号的控制时，MOS管增强型驱动网络中的中的所有MOS管同时工作，增强性能最强。当En_sub0～En_subs分别接收不同的控制信号时，控制信号可以根据驱动网络的性能来控制增强MOS管的数量。这里所述的控制信号为外围控制模块传来的控制信号，外围控制模块既可以是cpu主控制器，也可以是LED驱动模块等。根据集成电路设计的情况，MOS管的各个使能端在共同接收控制信号时，驱动网络中的所有MOS管同时工作，从而最大效果的扩大LED正向电压，此时增强性能最强。当控制信号可以根据驱动网络的性能来控制增强MOS管的数量来分别对驱动网络中的MOS管进行控制，可以在满足显示均匀的情况下，有效的降低功耗。在实际使用中，如果不需要增强型驱动网络的增强，只保留主MOS管工作，通过独立次使能端关闭MOS管增强型增强网络即可。

在上述实施例中，所述s的值表示MOS管增强型驱动网络中MOS管的数量，该数量在集成电路设计过程中，需要根据次MOS管在集成电路中所占的面积、设计成本以及提高导通电压的程度进行相应选择处理，本领域技术人员在设计时，可以根据集成电路设计时的实际需求进行确定。

本发明提出另一实施例，如图4所示，本发明实施例提出一种NMOS管驱动电路2，在上述实施例的基础上，所述MOS管驱动电路为NMOS管驱动电路，所述s的值为t，所述主MOS管为主NMOS管202，用于下拉电路到公共地GND，所述主使能端ENx_main与所述主NMOS管202的栅极相连，所述NMOS管驱动电路进一步包括NMOS增强型驱动网络201，所述NMOS增强型驱动网络包括t个次NMOS管，所述t个次NMOS管依次并联，所述t个次NMOS管的漏极电连接，所述t个次NMOS管的源极电连接；所述NMOS增强型驱动网络201与所述主NMOS管202并联；其中t个次NMOS管分别对应t个独立次使能端ENx_sub0～ENx_subt，分别与所述t个次NMOS管的栅极相连,用于接收使能控制。NMOS管驱动电路通常用于下拉到集成电路公共地GND，使用本实施例的NMOS增强型驱动网络，其中设计的增强型驱动网络可以有效扩大负载的正向电压，保证负载处于最佳工作性能。

本发明提出另一实施例，如图5所示，本发明实施例提出一种PMOS管驱动电路3，在上述实施例的基础上，所述MOS管驱动电路为PMOS管驱动电路，所述s的值为v，所述主MOS管为主PMOS管302，用于上拉电路到电源端VCC，所述主使能端EPy_main与所述主PMOS管302的栅极相连，所述PMOS管驱动电路进一步包括PMOS增强型驱动网络301，所述PMOS增强型驱动网络301包括v个次PMOS管，所述v个次PMOS管依次并联，所述v个次PMOS管的漏极电连接，所述v个次PMOS管的源极电连接；所述PMOS增强型驱动网络301与所述主PMOS管302并联；其中v个次PMOS管分别对应v个独立次使能端EPy_sub0～EPy_subv，分别与所述v个次NMOS管的栅极相连,用于接收使能控制。PMOS管驱动电路通常用于上拉到集成电路电源端VCC，使用本实施例的PMOS增强型驱动网络，其中设计的增强型驱动网络可以有效扩大负载的正向电压，保证负载处于最佳工作性能。根据本发明实施例的另一方面，本发明实施例还提供一种增强型LED驱动电路，用于解决LED阵列亮暗不均匀的现象。

本发明实施例是这样实现的，一种增强型LED驱动电路，适用于共阴极LED阵列，所述LED阵列为可以为如图1或图2所示的矩阵型LED阵列。如图6所示，为一组n个共阴极的LED，所述LED的阵列包括n个SEG信号端及n个共阴极的LED，所述增强型LED驱动电路进一步包括：n个前述实施例中的PMOS管驱动电路，分别与所述n个共阴极的LED的阳极相连；1个前述的NMOS管驱动电路，与所述n个共阴极的LED的阴极相连。假设有m组如图6所述的共阴极的LED组成一个阵列，那么这个阵列中则包括n个seg信号端和m个com端，则共有n*m个LED，那就一共有n个PMOS管驱动电路和m个NOMS管驱动电路；所述LED的阵列包括n个SEG信号端、m个COM信号端，m组n个共阴极的LED，所述增强型LED驱动电路进一步包括：n个前述实施例中所述的PMOS管驱动电路，分别与所述n个SEG信号端相连；m个前述实施例中所述的NMOS管驱动电路，分别与所述m个COM信号端相连。

如图7所示，给出了一个n＝3，m＝3的3*3的LED阵列，那么对于这个9个LED的阵列，需要3个NMOS管驱动电路和3个PMOS管驱动电路，3个PMOS管驱动电路分别和SEG0信号、SEG1信号和SEG2信号的LED的阳极相连，3个NMOS管驱动电路分别和COM0信号、COM1信号和COM2信号相连的LED的阴极相连。在共阴极LED阵列中，当任意一个LED驱动管脚作为COM端功能使用时，系统关闭PMOS端驱动网络，并根据预先设置值或者当前SEG端的数量自动控制该驱动引脚NMOS端进入增强驱动网络工作模式；当任意一个LED驱动管脚作为SEG端功能使用时，系统关闭NMOS端驱动网络，并根据预先设置值或者当前SEG端的数量自动控制该驱动引脚PMOS端进入增强驱动网络工作模式；从而有效扩大LED正向电压，确保LED显示亮度均匀性。在此，预先设置值的确定中，稳妥起见，应为保证在所有SEG端均需要有驱动的场景下，LED灯两端电压大于LED灯导通电压的最小MOS管数量。且引入根据当前SEG端驱动数量自动控制MOS管导通的概念，是出于降低功耗方面的考虑。

相应的，上述技术原理同样适用于共阳极LED驱动方案，根据本发明实施例的另一方面，本发明实施例还提供一种增强型LED驱动电路，阵列中包括n个SEG信号端和m个COM信号端，共有n*m个LED，一共有m个PMOS管驱动电路和n个NOMS管驱动电路，具体来说，该n*m的LED的阵列包括m个COM信号端、n个SEG信号端和m组n个共阳极的LED，所述增强型LED驱动电路进一步包括：m个前述实施例中所述的PMOS管驱动电路，分别与所述m个COM信号端相连；n个前述实施例中所述的NMOS管驱动电路，分别与所述n个SEG信号端相连。如图8所示，给出了一个m＝3，n＝4的LED阵列，那么对于这个12个LED的阵列，需要4个NMOS管驱动电路和3个PMOS管驱动电路，3个PMOS管驱动电路分别和COM0信号、COM1信号和COM2信号的LED的阳极相连，4个NMOS管驱动电路分别和SEG0信号、SEG1信号、SEG2信号和SEG3信号相连的LED的阴极相连。

在共阳极LED驱动网络中，当任意一个LED驱动管脚作为SEG端功能使用时，系统关闭PMOS端驱动网络，并根据预先设置值或者当前SEG端的数量自动控制该驱动引脚PMOS端进入增强驱动网络工作模式；当任意一个LED驱动管脚作为COM端功能使用时，系统关闭PMOS端驱动网络，并根据预先设置值或者当前COM端的数量自动控制该驱动引脚NMOS端进入增强驱动网络工作模式；从而有效扩大LED正向电压，确保LED显示亮度均匀性。

上述实施例是以普通的n*m的矩阵型LED阵列为例进行的说明。如图2所示，是现有技术中一种COM信号和SEG信号分时复用的LED阵列，其可以用较少的管脚操控较多的LED阵列，所谓分时复用，即不同的LED驱动信号根据需求在显示周期内可以灵活配置成COM信号或者SEG信号功能使用，从而控制LED状态显示。本发明实施例技术方案的MOS管增强型驱动网络同样适用于此COM信号和SEG信号分时复用的LED阵列。具体来说，无论当LED的阵列为共阴极阵列或者是共阳极阵列，所述LED的阵列中最多可以包括(n-1)*m个LED，其中n>2，m>2，n的值和m的值可以相同或不同，在集成电路内部COM信号端和SEG信号端电路上连接相应的PMOS管驱动电路上拉或NMOS管驱动电路下拉，在此实施例中仅用n或m(取其较大值)个管脚信号最多可实现对(n-1)*m个LED的控制，其中在LED矩阵式阵列中，在n＝m处时，如图2所示，采用分时复用结构时不设置LED的排列，通过分时复用的方法可以点亮在普通矩阵中除n＝m处LED的其他LED，使用比普通LED矩阵式更少的控制信号点亮LED,并能保持LED显示亮度的均匀性。

更优的，在本发明的一个具体实施例，分时复用的矩阵式LED阵列增强电路实施例中即增强型LED驱动电路，分时复用的矩阵式LED阵列不先限定SEG信号端和COM信号端数量，通过接收N个LED控制信号即LED驱动信号进行分时复用，具体而言，是将LED驱动信号在某个时间点作为SEG信号执行SEG信号端的功能，在其他时刻点作为COM信号执行COM信号端的功能。例如，有N个控制信号在预设时间点进行SEG信号和COM信号分时复用的LED矩阵型阵列，在单根控制线上，在共阴极端的增强电路中，通过N个控制信号可以控制(N-1)个SEG信号执行SEG信号端功能，1个COM信号执行COM信号端功能，在该分时复用的LED矩阵式阵列中，N为大于1的整数。使用了N个控制信号最多可以实现控制(N-1)*N个LED。同时为了保证控制的LED能够保持亮度显示的均匀稳定性，将前文所述的PMOS管驱动电路与执行SEG信号端功能的端口连接，且PMOS管驱动电路的数量与执行SEG信号端功能的端口的数量一致；将前文所述的NMOS管驱动电路与执行COM信号端功能的端口连接，且NMOS管驱动电路的数量与执行COM信号端功能的端口的数量一致，增强型LED驱动电路中LED驱动模块提供的控制信号可以实现对PMOS管驱动电路和NMOS管驱动电路的控制，在实现显示均匀的情况下，能有效的降低功耗。

同样的，在时复用的矩阵式LED阵列增强电路的共阳极端的增强电路实施例中，通过N个控制信号可以控制(N-1)个COM信号执行COM信号端功能，1个SEG信号执行SEG信号端功能，N为大于1的整数。该分时复用的LED矩阵式阵列中，使用了N个控制信号最多可以实现控制(N-1)*N个LED。同时为了保证控制的LED能够保持亮度显示的均匀稳定性，将前文所述的PMOS管驱动电路与执行COM信号端功能的端口连接，且PMOS管驱动电路的数量与执行COM信号端功能的端口的数量一致；将前文所述的NMOS管驱动电路与执行SEG信号端功能的端口连接，且NMOS管驱动电路的数量与执行SEG信号端功能的端口的数量一致，增强型LED驱动电路中的LED驱动模块提供的控制信号可以实现对PMOS管驱动电路和NMOS管驱动电路的控制，在实现显示均匀的情况下，并有效的降低功耗。

在本领域技术人员可以理解，本申请所提出的MOS管驱动电路不仅仅用于LED阵列的驱动，在任意负载下需要保证导通电压及恒流均适用，本发明实施例仅以LED阵列进行说明。

以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (12)

1.一种MOS管驱动电路，包括1个主MOS管和1个与所述主MOS管的栅极相连的主使能端，其特征在于，所述驱动电路进一步包括：

MOS管增强型驱动网络，所述MOS增强型驱动网络包括s个次MOS管，所述s个次MOS管依次并联，所述s个次MOS管的漏极电连接，所述s个次MOS管的源极电连接；所述MOS增强型驱动网络与所述主MOS管并联；

s个独立次使能端，分别与所述s个次MOS管的栅极相连。

2.根据权利要求1所述的MOS管驱动电路，其特征在于，所述s的值根据次MOS管的面积、成本以及提高导通电压的程度进行相应选择处理。

3.根据权利要求2所述的MOS管驱动电路，其特征在于，所述s个独立次使能端相连，共同接收控制信号；

或者，所述s个独立次使能端分别接收控制信号，实现分别控制。

4.根据权利要求1～3任一所述的MOS管驱动电路，其特征在于，所述MOS管驱动电路为NMOS管驱动电路，所述s的值为t，所述主MOS管为主NMOS管，用于下拉电路到公共地GND，所述主使能端与所述主NMOS管的栅极相连，所述驱动电路进一步包括：

所述MOS管增强型驱动网络为NMOS增强型驱动网络，所述NMOS增强型驱动网络包括t个次NMOS管，所述t个次NMOS管依次并联，所述t个次NMOS管的漏极电连接，所述t个次NMOS管的源极电连接；所述NMOS增强型驱动网络与所述主NMOS管并联；

t个独立次使能端，分别与所述t个次NMOS管的栅极相连。

5.根据权利要求1～3任一所述的MOS管驱动电路，其特征在于，所述MOS管驱动电路为PMOS管驱动电路，所述s的值为v，所述主MOS管为主PMOS管，用于上拉电路到电源端VCC，所述主使能端与所述主PMOS管的栅极相连，所述驱动电路进一步包括：

所述MOS管增强型驱动网络为PMOS增强型驱动网络，所述PMOS增强型驱动网络包括v个次PMOS管，所述v个次PMOS管依次并联，所述v个次PMOS管的漏极电连接，所述v个次PMOS管的源极电连接；所述PMOS增强型驱动网络与所述主PMOS管并联；

v个独立次使能端，分别与所述v个次PMOS管的栅极相连。

6.一种增强型LED驱动电路，所述LED的阵列包括n个SEG信号端、m个COM信号端，所述LED的阵列为共阴极阵列，其特征在于，所述增强型LED驱动电路进一步包括：

n个如权利要求5所述的PMOS管驱动电路，分别与所述n个SEG信号端相连；

m个如权利要求4所述的NMOS管驱动电路，分别与所述m个COM信号端相连。

7.一种增强型LED驱动电路，所述LED的阵列包括m个COM信号端、n个SEG信号端，所述LED的阵列为共阳极阵列，其特征在于，所述增强型LED驱动电路进一步包括：

m个如权利要求5所述的PMOS管驱动电路，分别与所述m个COM信号端相连；

n个如权利要求4所述的NMOS管驱动电路，分别与所述n个SEG信号端相连。

8.根据权利要求6或7所述的增强型LED驱动电路，其特征在于，所述LED的阵列为普通矩阵型阵列，所述LED的阵列中最多包括m*n个所述LED。

9.根据权利要求6或7所述的增强型LED驱动电路，其特征在于，所述LED的阵列为SEG信号和COM信号分时复用的矩阵型阵列，所述LED的阵列中最多包括(n-1)*m个所述LED。

10.一种增强型LED驱动电路，所述LED的阵列为用N个控制信号在预设时间点进行SEG信号端和COM信号端分时复用控制的矩阵型阵列，所述LED的阵列为共阴极阵列，其特征在于，所述增强型LED驱动电路进一步包括：

如权利要求5所述的PMOS管驱动电路，与执行所述SEG信号功能的端口相连；其中，所述PMOS管驱动电路的数量与执行所述SEG信号功能的端口的数量一致；

如权利要求4所述的NMOS管驱动电路，分别与执行所述COM信号功能的端口相连；其中，所述NMOS管驱动电路的数量与执行所述COM信号功能的端口的数量一致。

11.一种增强型LED驱动电路，所述LED的阵列为用N个控制信号在预设时间点进行SEG信号和COM信号分时复用的矩阵型阵列，所述LED的阵列为共阳极阵列，其特征在于，所述增强型LED驱动电路进一步包括：

如权利要求5所述的PMOS管驱动电路，分别与执行所述COM信号功能的端口相连；其中，所述PMOS管驱动电路的数量与执行所述COM信号功能的端口数量一致；

如权利要求4所述的NMOS管驱动电路，分别与执行所述SEG信号功能的端口相连；其中，所述NMOS管驱动电路的数量与执行所述SEG信号功能的端口的数量一致。

12.根据权利要求10或11所述的增强型LED驱动电路，其特征在于，所述LED的阵列最多包括(N-1)*N个所述LED。

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