CN113497101A - 显示面板 - Google Patents

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CN113497101A
CN113497101A CN202110185432.4A CN202110185432A CN113497101A CN 113497101 A CN113497101 A CN 113497101A CN 202110185432 A CN202110185432 A CN 202110185432A CN 113497101 A CN113497101 A CN 113497101A
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CN
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light conversion
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display panel
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裴光洙
郭恩爱
朴钒首
吴旻贞
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Abstract

本发明涉及一种显示面板。显示面板可以包括：发光元件，包括第一电极、配置于所述第一电极上的发光层以及配置于所述发光层上的第二电极，并输出源光；像素界定膜，具备使所述第一电极的至少一部分暴露的开口部；光变换图案，配置于所述像素界定膜上；反射图案，配置于所述发光元件上，并包括倾斜面；以及第一遮光图案，在平面上至少配置于所述光变换图案的外侧。

Description

显示面板
技术领域
本发明涉及一种显示面板，更详细地涉及一种包括光变换图案的显示面板。
背景技术
显示面板包括选择性地透射从光源生成的源光的透射型显示面板和从显示面板自身生成源光的发光型显示面板。显示面板可以为了生成彩色图像而根据像素包括不同种类的颜色控制层。颜色控制层可以仅透射源光的一部分波长范围，或者变换源光的颜色。一部分的颜色控制层也可以不变更源光的颜色而变更光的特性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种光变换效率提升的显示面板。
根据本发明的一实施例的显示面板包括输出源光的发光元件、像素界定膜、第一光变换图案、第一遮光图案以及第二光变换图案。所述发光元件包括第一电极、配置于所述第一电极上的发光层以及配置于所述发光层上的第二电极。所述像素界定膜具备使所述第一电极的至少一部分暴露的开口部，所述第一光变换图案配置于所述像素界定膜上，所述第一遮光图案在平面上配置于所述第一光变换图案的外侧，所述第二光变换图案配置于所述发光元件上，并在平面上重叠于所述发光元件，并且与所述第一光变换图案隔开或形成界面。
根据一实施例，可以是，所述第一光变换图案接触于所述像素界定膜。
根据一实施例，可以是，所述发光元件还包括至少重叠于所述发光层的空穴控制层以及电子控制层中的至少一个，所述空穴控制层以及所述电子控制层中的至少一个的一部分配置于所述像素界定膜和所述第一光变换图案之间。
根据一实施例，可以是，所述第一光变换图案包括：多个子光变换图案，在平面上配置于所述开口部的外侧，所述多个子光变换图案中在平面上相邻的至少两个子光变换图案彼此隔开。
根据一实施例，可以是，所述第一光变换图案包括：第一子光变换图案以及第二子光变换图案，在与所述第一子光变换图案以及所述第二子光变换图案各自延伸的方向交叉的方向上彼此隔开；以及第三子光变换图案以及第四子光变换图案，在与所述第三子光变换图案以及所述第四子光变换图案各自延伸的方向交叉的方向上彼此隔开。所述第一子光变换图案的所述延伸的方向和所述第三子光变换图案的所述延伸的方向彼此交叉，所述第一子光变换图案在平面上与所述第三子光变换图案以及所述第四子光变换图案中的任一个以上隔开，所述第二子光变换图案在平面上与所述第三子光变换图案以及所述第四子光变换图案中的任一个以上隔开。
根据一实施例，可以是，所述显示面板还包括：滤色器，重叠于所述发光元件。
根据一实施例，可以是，所述显示面板还包括：有机层，配置于所述滤色器上并提供平坦的上面。
根据一实施例，可以是，所述第一光变换图案和所述第二光变换图案包括相同的量子点。
根据一实施例，可以是，所述显示面板还包括：第二遮光图案，配置于所述第一遮光图案上。
根据一实施例，可以是，所述第一遮光图案包括金属层，所述第二遮光图案包括黑色成分。
根据一实施例，可以是，所述第一遮光图案以及所述第二遮光图案包括黑色成分。
根据一实施例，可以是，在平面上所述第二遮光图案围绕所述开口部，在平面上所述第一光变换图案的至少一部分配置于所述开口部和所述第二遮光图案之间。
根据本发明的一实施例的显示面板包括输出源光的第一发光元件、第二发光元件、像素界定膜、多个第一侧面光变换图案、多个第二侧面光变换图案、第一前面光变换图案、第二前面光变换图案以及第一遮光图案。第一发光元件以及第二发光元件各自包括第一电极、配置于所述第一电极上的发光层以及配置于所述发光层上的第二电极。在所述像素界定膜界定有第一开口部以及第二开口部，所述第一开口部以及所述第二开口部分别使所述第一发光元件的所述第一电极以及所述第二发光元件的所述第一电极的至少一部分暴露。所述多个第一侧面光变换图案配置于所述像素界定膜上，并在平面上围绕所述第一开口部。所述多个第二侧面光变换图案配置于所述像素界定膜上，并在平面上围绕所述第二开口部。所述第一前面光变换图案以及所述第二前面光变换图案分别配置于所述第一发光元件以及所述第二发光元件上。所述第一遮光图案在平面上配置于所述多个第一侧面光变换图案的外侧，并配置于所述多个第二侧面光变换图案的外侧。
根据一实施例，可以是，所述第一发光元件的所述第一电极和所述第二发光元件的所述第一电极在平面上彼此隔开，所述第一发光元件的所述第二电极和所述第二发光元件的所述第二电极具有一体的形状。
根据一实施例，可以是，在平面上所述多个第一侧面光变换图案中的一个与相邻的其它一个隔开而形成隔开的区域，所述第二电极的一部分配置于所述隔开的区域。
根据一实施例，可以是，所述第一遮光图案包括金属层，所述金属层配置于所述多个第一侧面光变换图案和所述多个第二侧面光变换图案中相邻的第一侧面光变换图案和第二侧面光变换图案之间，所述金属层配置于所述相邻的第一侧面光变换图案的外壁面和第二侧面光变换图案的外壁面。
根据一实施例，可以是，所述显示面板还包括：上绝缘层，配置于所述第一发光元件、所述第二发光元件以及所述金属层上。
根据一实施例，可以是，所述显示面板还包括：第二遮光图案，配置于所述第一遮光图案上，所述第二遮光图案配置于所述上绝缘层的一部分上，所述第二遮光图案配置于所述金属层上。
根据一实施例，可以是，所述第一发光元件的所述第二电极和所述第二发光元件的所述第二电极具有一体的形状，所述金属层接触于所述第二电极。
根据一实施例，可以是，所述第一遮光图案包括黑色成分，所述黑色成分配置于所述多个第一侧面光变换图案和所述多个第二侧面光变换图案中相邻的第一侧面光变换图案和第二侧面光变换图案之间，所述黑色成分填充形成于所述相邻的第一侧面光变换图案和第二侧面光变换图案之间的谷。
根据一实施例，可以是，所述显示面板还包括：第二遮光图案，配置于所述第一遮光图案上，在平面上所述第二遮光图案围绕所述第一开口部以及所述第二开口部，所述第一前面光变换图案的上面以及所述第二前面光变换图案的上面形成台阶，以配置成比所述第二遮光图案的上面低。
根据一实施例，可以是，所述显示面板还包括：第一滤色器，透射从所述多个第一侧面光变换图案以及所述第一前面光变换图案发出的第一光；以及第二滤色器，透射从所述多个第二侧面光变换图案以及所述第二前面光变换图案发出的第二光。
(发明效果)
根据上述内容，在平面上在重叠于发光元件的区域配置有光变换图案(前面光变换图案)，在非重叠于发光元件的发光元件的外侧也配置有光变换图案(侧面光变换图案)。在前面光变换图案被反射的源光或不直接入射于前面光变换图案的源光在侧面光变换图案中变换后通过像素区域向外部发出。从源光变换的变换光的光量能够增加。即，光变换效率提升。
附图说明
图1a是根据本发明的一实施例的显示面板的立体图。
图1b是根据本发明的一实施例的显示面板的截面图。
图1c是根据本发明的一实施例的显示面板的俯视图。
图2a是根据本发明的一实施例的显示面板的放大俯视图。
图2b是根据本发明的一实施例的显示面板的截面图。
图3a至图3c是根据本发明的一实施例的显示面板的放大俯视图。
图4a至图4i是示出根据本发明的一实施例的显示面板的制造工艺的截面图。
图5是根据本发明的一实施例的显示面板的截面图。
图6是根据本发明的一实施例的显示面板的俯视图。
图7是根据本发明的一实施例的显示面板的截面图。
图8是根据本发明的一实施例的显示面板的俯视图。
图9是示出根据本发明的一实施例的显示面板的制造工艺的截面图。
(附图标记说明)
CCL-GS：第一光变换图案
CCL-GS1：第一子光变换图案
CCL-GS2：第二子光变换图案
CCL-GS3：第三子光变换图案
CCL-GS4：第四子光变换图案
CCL-GU：第二光变换图案
CCL：光变换图案
CE-NP：非像素部分
CE-P：像素部分
CE：第二电极
DA：显示区域
DP-CL：电路元件层
DP-IS：显示面
DP-OLED：显示元件层
DP：显示面板
ECL：电子控制层
EML：发光层
GA：隔开的区域
IL-F：绝缘层
IP：绝缘图案
IS：内壁面
IW-B：绝缘隔壁
IW-BS1：第一子绝缘隔壁
IW-BS2：第二子绝缘隔壁
LSP-OP：开口部
LSP-P1：第一部分
LSP-P2：第二部分
LSP1、LSP10：第一遮光图案
LSP2：第二遮光图案
NDA：非显示区域
NPXA：周边区域
OLED：发光元件
OP：开口部
OS：外壁面
OSL：光学结构物层
PDL：像素界定膜
SCL：光散射图案
TFL：上绝缘层
VL：谷
具体实施方式
在本说明书中，在提及某构成要件(或者区域、层、部分等)“在”其它构成要件“上”、“连接”或者“结合”于其它构成要件的情况下，其意指可以直接配置/连接/结合于其它构成要件上或者也可以在它们之间配置有第三构成要件。
相同的附图标记指称相同的构成要件。另外，在附图中，构成要件的厚度、比例以及尺寸为了技术内容的有效说明而放大。“及/或”将关联的构成要件能够定义的一个以上的组合全部包括。
第一、第二等用语可以用于说明各种构成要件，但是上述构成要件不应被上述用语限定。上述用语仅以将一个构成要件区分于其它构成要件的目的使用。例如，在不脱离本发明的权利范围的同时，第一构成要件可以命名为第二构成要件，类似地第二构成要件也可以命名为第一构成要件。除非在文脉上明确不同地表示，否则单数的表述包括复数的表述。
另外，“之下”、“下侧”、“之上”、“上侧”等用语为了说明图中示出的构成要件的关联关系而使用。上述用语是相对性概念，以在附图中标示的方向为基准进行说明。
“包括”或“具有”等用语应理解为是要指定说明书中记载的特征、数字、步骤、动作、构成要件、部件或这些组合的存在，并不预先排除一个或其以上的其它特征或数字、步骤、动作、构成要件、部件或这些组合的存在或附加可能性。
除非不同地定义，否则在本说明书中使用的所有用语(包括技术用语以及科学用语)具有与由本发明所属技术领域的本领域技术人员通常理解的含义相同的含义。另外，在通常使用的字典中所定义的用语之类的用语应该解释为具有与在关联技术的脉络中所具有的含义一致的含义，只要在此没有明示地定义，则不应解释为太理想化或过于形式化的含义。
以下，参照附图说明本发明的实施例。
图1a是根据本发明的一实施例的显示面板DP的立体图。图1b是根据本发明的一实施例的显示面板DP的截面图。图1c是根据本发明的一实施例的显示面板DP的俯视图。
如图1a所示，显示面板DP可以通过显示面DP-IS显示图像。显示面DP-IS与由第一方向DR1以及第二方向DR2定义的面平行。显示面DP-IS可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。在显示区域DA配置有像素PX，在非显示区域NDA未配置有像素PX。非显示区域NDA沿着显示面DP-IS的边缘界定。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。在本发明的一实施例中，非显示区域NDA也可以省略，或者仅配置于显示区域DA的一侧。
显示面DP-IS的法线方向，即显示面板DP的厚度方向指向第三方向DR3。以下说明的各层或单元的前面(或上面)和背面(或下面)通过第三方向DR3区分。但是，在本实施例中示出的第一方向DR1、第二方向DR2以及第三方向DR3仅是示例。以下，第一至第三方向定义为第一方向DR1、第二方向DR2以及第三方向DR3各自指向的方向，参照相同的附图标记。
尽管在本发明的一实施例中示出具备平面型显示面DP-IS的显示面板DP，但是不限于此。显示面板DP也可以包括曲面型显示面或立体型显示面。立体型显示面也可以包括指向彼此不同方向的多个显示区域。
如图1b所示，显示面板DP包括基底层BL、电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED以及光学结构物层OSL。基底层BL可以包括合成树脂基板或玻璃基板。电路元件层DP-CL包括至少一个绝缘层和电路元件。电路元件包括信号线、像素的驱动电路等。可以通过基于涂布、蒸镀等的绝缘层、半导体层以及导电层形成工艺和基于光刻工艺的绝缘层、半导体层以及导电层的图案化工艺形成电路元件层DP-CL。显示元件层DP-OLED至少包括显示元件。光学结构物层OSL可以变换从显示元件提供的光的颜色。光学结构物层OSL包括光变换图案以及用于增加光的变换效率的结构物。
图1c示出信号线GL1～GLn、DL1～DLm以及像素PX11～PXnm的平面上配置关系。信号线GL1～GLn、DL1～DLm可以包括多个栅极线GL1～GLn以及多个数据线DL1～DLm。
像素PX11～PXnm各自连接于多个栅极线GL1～GLn中对应的栅极线和多个数据线DL1～DLm中对应的数据线。像素PX11～PXnm各自可以包括像素驱动电路以及显示元件。根据像素PX11～PXnm的像素驱动电路的构成，更多种类的信号线可以具备于显示面板DP中。
尽管示例性地示出矩阵形式的像素PX11～PXnm，但是不限于此。像素PX11～PXnm可以以五格(PenTile)形式配置。例如，配置有像素PX11～PXnm的点可以相当于钻石的顶点。栅极驱动电路GDC可以通过OSG(oxide silicon gate driver circuit)或ASG(amorphose silicon gate driver circuit)工艺集成化于显示面板DP。
图2a是根据本发明的一实施例的显示面板DP的放大俯视图。图2b是根据本发明的一实施例的显示面板DP的截面图。
图2a示例性地示出包括于两个像素行PXL中的六个像素区域PXA-R、PXA-G、PXA-B。图2b示出对应于图2a的I-I'的截面。在本实施例中，图2a中示出的三种像素区域PXA-R、PXA-G、PXA-B可以重复配置于显示区域DA(参照图1a)整体。
在第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G以及第三像素区域PXA-B的周边配置有周边区域NPXA。周边区域NPXA设定第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G以及第三像素区域PXA-B的边界。周边区域NPXA可以围绕第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G以及第三像素区域PXA-B。在周边区域NPXA可以配置有防止第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G以及第三像素区域PXA-B之间的混色的结构物。
尽管在本实施例中示例性地示出平面上面积彼此相同的第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G以及第三像素区域PXA-B，但是不限于此。第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G以及第三像素区域PXA-B中的两个以上的面积也可以彼此不同。第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G以及第三像素区域PXA-B的面积可以根据出光颜色设定。可以是，发出主色(primary)中红光的像素区域的面积最大，发出主色(primary)中蓝光的像素区域的面积最小。
尽管示出平面上角部区域圆的矩形形状(实质上的矩形形状)的第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G以及第三像素区域PXA-B，但是不限于此。在平面上第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G以及第三像素区域PXA-B可以具有菱形或五边形之类的其它形状的多边形状(包括实质上的多边形状)。
第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G以及第三像素区域PXA-B中的一个提供对应于源光的第三色光，其它一个提供与第三色光不同的第一色光，剩余的其它一个提供与第三色光以及第一色光不同的第二色光。在本实施例中，第三像素区域PXA-B提供第三色光。在本实施例中，可以是，第一像素区域PXA-R提供红光，第二像素区域PXA-G提供绿光，第三像素区域PXA-B提供蓝光。
参照图2b，电路元件层DP-CL可以包括晶体管T-D作为电路元件。根据对像素PX(参照图1)的驱动电路的设计，电路元件层DP-CL的构成可以不同，在图2b中示例性地示出一个晶体管T-D。示例性地示出构成晶体管T-D的有源区A-D、源极S-D、漏极D-D、栅极G-D的配置关系。有源区A-D、源极S-D、漏极D-D可以是根据半导体图案的掺杂浓度或导电性区分的区域。
电路元件层DP-CL可以包括配置于基底层BL上的缓冲层BFL、第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30。例如，可以是，缓冲层BFL、第一绝缘层10以及第二绝缘层20是无机层，第三绝缘层30是有机层。
显示元件层DP-OLED可以包括发光元件OLED作为显示元件。发光元件OLED可以生成上述的源光。发光元件OLED包括第一电极AE、第二电极CE以及配置于它们之间的发光层EML。在本实施例中，显示元件层DP-OLED可以包括有机发光二极管作为发光元件。在本发明的一实施例中，发光元件也可以包括量子点发光二极管。
显示元件层DP-OLED包括像素界定膜PDL。例如，像素界定膜PDL可以是有机层。
第一电极AE配置于第三绝缘层30上。第一电极AE可以与晶体管T-D直接或间接地连接，在图2b中未示出第一电极AE和晶体管T-D的连接结构。在像素界定膜PDL界定有开口部OP。像素界定膜PDL的开口部OP使第一电极AE的至少一部分暴露。在本实施例中，开口部OP界定像素区域PXA-G。
空穴控制层HCL、发光层EML、电子控制层ECL至少重叠于像素区域PXA-G。空穴控制层HCL、发光层EML、电子控制层ECL以及第二电极CE可以共同地配置于第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G以及第三像素区域PXA-B(参照图2a)。重叠于第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G以及第三像素区域PXA-B的空穴控制层HCL、发光层EML、电子控制层ECL以及第二电极CE各自可以具有一体的形状。空穴控制层HCL、发光层EML以及电子控制层ECL也可以在第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G以及第三像素区域PXA-B每个中分离而形成。
空穴控制层HCL可以包括空穴输送层，还包括空穴注入层。发光层EML可以生成蓝光。蓝光可以包括410nm至480nm波长。蓝光的发光光谱可以在440nm至460nm内具有最大峰值。电子控制层ECL可以包括电子输送层，还包括电子注入层。
显示元件层DP-OLED可以包括保护第二电极CE的上绝缘层TFL。上绝缘层TFL可以包括有机物质或无机物质。上绝缘层TFL可以具有无机层/有机层重复的多层结构。上绝缘层TFL可以具有无机层/有机层/无机层的薄膜封装结构。上绝缘层TFL可以还包括用于提升出光效率的折射率控制层。
光学结构物层OSL包括第一光变换图案CCL-GS、第二光变换图案CCL-GU以及第一遮光图案LSP1。第一光变换图案CCL-GS配置于像素界定膜PDL上。尽管示例性地示出接触于像素界定膜PDL的第一光变换图案CCL-GS，但是不限于此。在像素界定膜PDL和第一光变换图案CCL-GS之间也可以还配置有其它层。
第一光变换图案CCL-GS可以包括多个子光变换图案。多个子光变换图案在平面上配置于开口部OP的外侧。第一光变换图案CCL-GS由于在平面上非重叠于发光元件OLED，因此可以定义为侧面光变换图案。
多个子光变换图案可以包括在截面上配置于第一电极AE的一侧的第一子光变换图案CCL-GS1和配置于第一电极AE的另一侧的第二子光变换图案CCL-GS2。
上绝缘层TFL可以配置于第一子光变换图案CCL-GS1和第二子光变换图案CCL-GS2之间。上绝缘层TFL可以接触于第一子光变换图案CCL-GS1和第二子光变换图案CCL-GS2的内壁面IS。
第二光变换图案CCL-GU配置于发光元件OLED上，在平面上重叠于发光元件OLED。第二光变换图案CCL-GU由于在平面上重叠于发光元件OLED，因此可以定义为前面光变换图案。
第二光变换图案CCL-GU配置于上绝缘层TFL上，发光元件OLED的第一电极AE的第一方向DR1上的宽度可以小于第二光变换图案CCL-GU的第一方向DR1上的宽度。
第二光变换图案CCL-GU由于利用与第一光变换图案CCL-GS分离的工艺形成，因此可以与第一光变换图案CCL-GS隔开或与第一光变换图案CCL-GS形成界面。在图2b中示出第二光变换图案CCL-GU的一部分接触于第一光变换图案CCL-GS并在它们之间形成有界面的实施例。在第二光变换图案CCL-GU和第一光变换图案CCL-GS之间配置有绝缘层/绝缘图案的情况下，第二光变换图案CCL-GU可以与第一光变换图案CCL-GS隔开。
第一光变换图案CCL-GS和第二光变换图案CCL-GU可以在吸收从发光元件OLED生成的源光后，生成与源光不同颜色的光。第一光变换图案CCL-GS和第二光变换图案CCL-GU可以形成实质上相同的光。
第一光变换图案CCL-GS和第二光变换图案CCL-GU各自可以包括基底树脂以及混合(或分散)于基底树脂的量子点。第一光变换图案CCL-GS和第二光变换图案CCL-GU可以包括彼此相同的量子点。基底树脂作为供量子点分散的介质，可以由通常可以指称为粘合剂的各种树脂组合物构成。但是，不限于此，在本说明书中，若为能够使量子点分散配置的介质，则可以指称为基底树脂，无关于其名称、附加性其它功能、构成物质等。基底树脂可以是聚合物树脂。例如，基底树脂可以是丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、硅树脂、环氧树脂等。基底树脂可以是透明树脂。
量子点可以是变换入射的光的波长的粒子。量子点作为几纳米尺寸的具有晶体结构的物质，由数百至数千个程度的原子构成，由于小尺寸而表现出能带隙(band gap)增加的量子限制(quantum confinement)效应。在能量高于带隙的波长的光入射于量子点的情况下，量子点吸收该光而成为激发状态，在发出特定波长的光的同时降为基态。发出的波长的光具有相当于带隙的值。量子点若调节其尺寸和组成等，则能够调节量子限制效应引起的发光特性。
量子点可以选自II-VI族化合物、I-III-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物以及它们的组合。
II-VI族化合物可以从由选自由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS以及它们的混合物构成的组的二元素化合物；选自由AgInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS以及它们的混合物构成的组的三元素化合物；以及选自由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe以及它们的混合物构成的组的四元素化合物构成的组选择。
I-III-VI族化合物可以从选自由AgInS2、CuInS2、AgGaS2、CuGaS2以及它们的混合物构成的组的三元素化合物或者AgInGaS2、CuInGaS2等四元素化合物选择。
III-V族化合物可以从由选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb以及它们的混合物构成的组的二元素化合物；选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb以及它们的混合物构成的组的三元素化合物；以及选自由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb以及它们的混合物构成的组的四元素化合物构成的组选择。另一方面，III-V族化合物可以还包括II族金属。例如，作为III-II-V族化合物，可以选择InZnP等。
IV-VI族化合物可以从由选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe以及它们的混合物构成的组的二元素化合物；选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe以及它们的混合物构成的组的三元素化合物；以及选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe以及它们的混合物构成的组的四元素化合物构成的组选择。IV族元素可以选自由Si、Ge以及它们的混合物构成的组。IV族化合物可以是选自由SiC、SiGe以及它们的混合物构成的组的二元素化合物。
此时，二元素化合物、三元素化合物或四元素化合物可以以均匀的浓度存在于粒子中，或者以浓度分布局部性不同的状态划分而存在于同一粒子中。
量子点可以是包括核(core)和围绕核的壳(shell)的核壳结构。另外，一个量子点也可以具有围绕其它量子点的核/壳结构。核与壳的界面可以具有存在于壳的元素的浓度随着前往中心而降低的浓度梯度(gradient)。
量子点可以是具有纳米级尺寸的粒子。量子点可以具有约45nm以下，优选地约40nm以下，更优选地约30nm以下的发光波长光谱的半峰全宽(full width of halfmaximum，FWHM)，在此范围中能够提升色纯度或色再现性。另外，通过这样的量子点发光的光向全方向发出，能够提升光视场角。
另外，尽管量子点的形式是本领域中通常使用的形式，不特别限定，但是更具体地可以使用球型、金字塔型、多臂型(multi-arm)或立方体(cubic)的纳米粒子、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米板状粒子等形式。量子点可以根据粒子尺寸调节发出的光的色相，由此从量子点生成的变换光可以具有红光、绿光、蓝光等各种色相。
在第一方向DR1上，在第一子光变换图案CCL-GS1和第二子光变换图案CCL-GS2的外侧配置有第一遮光图案LSP1。第一遮光图案LSP1防止在光变换图案CCL中没有变换的源光泄漏至相邻的像素区域PXA-R、PXA-B(参考图2a)。
第一遮光图案LSP1可以接触于第一子光变换图案CCL-GS1和第二子光变换图案CCL-GS2的外壁面OS。在本实施例中，第一遮光图案LSP1可以包括金属层。金属层可以包括反射率高的金属。可以包括铝等之类的金属。入射于第一光变换图案CCL-GS的未变换源光可以在金属层被反射后再次提供于量子点。其结果，能够提升光变换效率。金属层可以界定对应于外壁面OS的倾斜面。
一个第一遮光图案LSP1配置于第一子光变换图案CCL-GS1和与其相邻的另外的子光变换图案CCL-RS2之间。另一个第一遮光图案LSP1配置于第二子光变换图案CCL-GS2和与其相邻的子绝缘隔壁IW-BS1之间。
在第一子光变换图案CCL-GS1和与其相邻的另外的子光变换图案CCL-RS2之间以及第二子光变换图案CCL-GS2和与其相邻的子绝缘隔壁IW-BS1之间各自界定有谷VL。第一遮光图案LSP1可以使谷VL保持。在谷VL内侧的第一遮光图案LSP1上可以配置有在上绝缘层TFL的形成工艺中形成的绝缘图案IP。绝缘图案IP可以包括具有与上绝缘层TFL相同的叠层结构的多个绝缘层。后述关于子光变换图案CCL-RS2和子绝缘隔壁IW-BS1的详细说明。
光学结构物层OSL可以还包括配置于第一遮光图案LSP1上的第二遮光图案LSP2。第二遮光图案LSP2可以覆盖第一遮光图案LSP1，以使得在平面上金属层的第一遮光图案LSP1不暴露于外部。
第二遮光图案LSP2可以包括黑色成分(black coloring agent)。黑色成分可以包括黑色染料、黑色颜料。黑色成分可以包括碳黑、铬之类的金属或它们的氧化物。
光学结构物层OSL可以还包括配置于第二遮光图案LSP2上的滤色器CF-G。滤色器CF-G透射变换的光并阻断源光。滤色器CF-G可以吸收从相邻的像素区域泄漏的漏光。滤色器CF-G透射从源光在第一光变换图案CCL-GS以及第二光变换图案CCL-GU中变换的变换光。
滤色器CF-G包括基底树脂以及分散于基底树脂的染料及/或颜料。基底树脂作为供染料及/或颜料分散的介质，可以由通常可以指称为粘合剂的各种树脂组合物构成。
在滤色器CF-G上配置有绝缘层IL-F。绝缘层IL-F可以包括有机层。绝缘层IL-F可以提供平坦的上面。绝缘层IL-F也可以还包括配置于平坦的上面上的硬质涂层之类的无机层。
图3a至图3c是根据本发明的一实施例的显示面板DP的放大俯视图。图3a至图3c以图2a中示出的三种像素区域PXA-R、PXA-G、PXA-B中第二像素区域PXA-G为中心放大示出。图3a示出图2b中示出的构成中的一部分的构成。图3b示出图2b中示出的构成中的另一部分的构成。图3c示出图2b中示出的构成中的又另一部分的构成。
如图3a所示，第一光变换图案CCL-GS包括配置于开口部OP的外侧的第一子光变换图案CCL-GS1、第二子光变换图案CCL-GS2、第三子光变换图案CCL-GS3以及第四子光变换图案CCL-GS4。第一子光变换图案CCL-GS1和第二子光变换图案CCL-GS2向第二方向DR2延伸，并向第一方向DR1隔开。第一子光变换图案CCL-GS1和第二子光变换图案CCL-GS2沿着界定开口部OP的像素界定膜PDL的第一边缘延伸。第三子光变换图案CCL-GS3和第四子光变换图案CCL-GS4向第一方向DR1延伸，并向第二方向DR2隔开。第三子光变换图案CCL-GS3和第四子光变换图案CCL-GS4沿着界定开口部OP的像素界定膜PDL的第二边缘延伸。
第一子光变换图案CCL-GS1、第二子光变换图案CCL-GS2、第三子光变换图案CCL-GS3以及第四子光变换图案CCL-GS4中在平面上相邻的至少两个子光变换图案彼此隔开。第一子光变换图案CCL-GS1在平面上与第三子光变换图案CCL-GS3以及第四子光变换图案CCL-GS4中任一个以上隔开，第二子光变换图案CCL-GS2在平面上与第三子光变换图案CCL-GS3以及第四子光变换图案CCL-GS4中任一个以上隔开。
在图3a以及图3b中，以一个开口部OP为中心界定了四个隔开的区域GA。如图3b所示，隔开的区域GA与第二电极CE(参照图2b)的连接通路相同。第二电极CE可以包括重叠于多个像素区域PXA-R、PXA-G、PXA-B的像素部分CE-P(或者第一部分)和重叠于周边区域NPXA的非像素部分CE-NP(或者第二部分)。通过隔开的区域GA，像素部分CE-P和非像素部分CE-NP具有一体的形状。
如图3c所示，在平面上，第二遮光图案LSP2围绕开口部OP。在第二遮光图案LSP2界定有与像素界定膜PDL的开口部OP对应的开口部LSP-OP。
第二遮光图案LSP2的开口部LSP-OP具有大于像素界定膜PDL(参考图2b)的开口部OP的面积。在平面上，第一光变换图案CCL-GS的至少一部分从第二遮光图案LSP2的开口部LSP-OP暴露。在平面上，在开口部OP和第二遮光图案LSP2之间配置有第一光变换图案CCL-GS的至少一部分。
图4a至图4i是示出根据本发明的一实施例的显示面板DP的制造工艺的截面图。以图2b中示出的截面为基准进行说明。但是，将三种像素区域PXA-R、PXA-G、PXA-B全部示出。未示出配置于电路元件层DP-CL的第三绝缘层30之下的构成。
如图4a所示，在第三绝缘层30上形成第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G以及第三像素区域PXA-B的第一电极AE。执行导电层形成工艺以及图案化工艺而形成第一电极AE。如图4a所示，可以是，第一像素区域PXA-R的第一电极AE具有最大的面积，第三像素区域PXA-B的第一电极AE具有最小的面积。面积比较是假设第一电极AE的第二方向DR2的长度相同。
在第三绝缘层30上形成像素界定膜PDL。执行有机层形成工艺和光刻工艺而形成包括开口部OP的像素界定膜PDL。
如图4b所示，在像素界定膜PDL上形成第一光变换图案CCL-RS、CCL-GS。依次形成对应于第一像素区域PXA-R的第一光变换图案CCL-RS(以下，第一红光变换图案)和对应于第二像素区域PXA-G的第一光变换图案CCL-GS(以下，第一绿光变换图案)。第一红光变换图案CCL-RS和第一绿光变换图案CCL-GS各自可以包括第一子光变换图案CCL-RS1、CCL-GS1和第二子光变换图案CCL-RS2、CCL-GS2。在第一红光变换图案CCL-RS的第二子光变换图案CCL-RS2和第一绿光变换图案CCL-GS的第一子光变换图案CCL-GS1之间形成有谷VL。第一红光变换图案CCL-RS和第一绿光变换图案CCL-GS可以为了生成彼此不同的颜色光而包括彼此不同的量子点。
在像素界定膜PDL上形成对应于第三像素区域PXA-B的绝缘隔壁IW-B。绝缘隔壁IW-B包括与第一红光变换图案CCL-RS和第一绿光变换图案CCL-GS的子光变换图案对应的子绝缘隔壁。在图4b中示出第一子绝缘隔壁IW-BS1和第二子绝缘隔壁IW-BS2。在第一绿光变换图案CCL-GS的第二子光变换图案CCL-GS2和第一子绝缘隔壁IW-BS1之间形成有谷VL。
绝缘隔壁IW-B可以不包括量子点。绝缘隔壁IW-B可以包括基底树脂以及混合(或分散)于基底树脂的散射粒子。散射粒子可以是氧化钛(TiO2)或二氧化硅纳米粒子等。绝缘隔壁IW-B中散射粒子可以省略，上述的第一红光变换图案CCL-RS和第一绿光变换图案CCL-GS也可以还包括散射粒子。
与显示与源光相同的颜色光的第三像素区域PXA-B对应地配置绝缘隔壁IW-B足以，源光的颜色不受特别限定。在本实施例中，只是示例性地说明蓝色的源光。
如图4c所示，形成金属层的第一遮光图案LSP1。第一遮光图案LSP1配置于上述的子光变换图案CCL-RS2、CCL-GS1之间，并配置于子光变换图案CCL-GS2和子绝缘隔壁IW-BS1之间。执行金属层形成工艺和图案化工艺来形成第一遮光图案LSP1。金属层可以通过溅射工艺形成。
如图4d所示，附加地形成发光元件OLED的其它构成。至少形成发光层EML和第二电极CE。通过蒸镀工艺在第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G以及第三像素区域PXA-B形成相同的发光层EML。可以还形成空穴控制层HCL以及电子控制层ECL中的至少任一个。可以执行导电层形成工艺和图案化工艺而形成第二电极CE。
如图4e所示，在第二电极CE上形成上绝缘层TFL。可以是，执行无机物蒸镀工艺而形成无机膜，蒸镀有机物单体而形成有机层。无机物蒸镀工艺以及有机物蒸镀工艺可以执行多次。可以依次执行第一无机膜形成工艺、有机层形成工艺以及第二无机膜形成工艺。
如图4f所示，利用光刻工艺形成第二遮光图案LSP2。第二遮光图案LSP2配置于在第一遮光图案LSP1上配置的上绝缘层TFL的一部分上。另外，第二遮光图案LSP2的一部分配置于第一遮光图案LSP1的一部分上。
如图4g以及图4h所示，形成第二光变换图案CCL-RU、CCL-GU。另外，可以还形成光散射图案SCL。依次形成对应于第一像素区域PXA-R的第二光变换图案CCL-RU(以下，第二红光变换图案)和对应于第二像素区域PXA-G的第二光变换图案CCL-GU(以下，第二绿光变换图案)。之后，形成光散射图案SCL。这些的形成顺序没有特别限定。
如图4g所示，可以利用溶液形成第二光变换图案CCL-RU、CCL-GU以及光散射图案SCL。可以利用量子点溶液形成第二光变换图案CCL-RU、CCL-GU。另一方面，可以利用散射粒子溶液形成光散射图案SCL。
第二遮光图案LSP2具有用于形成第二光变换图案CCL-RU、CCL-GU以及光散射图案SCL的隔壁的功能。例如，从喷墨头将红色量子点溶液提供于第一像素区域PXA-R，将绿色量子点溶液提供于第二像素区域PXA-G，将散射粒子溶液提供于第三像素区域PXA-B。第二遮光图案LSP2防止红色量子点溶液、绿色量子点溶液以及散射粒子溶液溢出至相邻的像素区域。第二光变换图案CCL-RU、CCL-GU以及光散射图案SCL的上面可以形成台阶以配置成比第二遮光图案LSP2的上面低。
量子点溶液可以还包括散射粒子以及表面活性剂。另外，量子点溶液及/或散射粒子溶液可以还包括环氧树脂(epoxy)或环氧丙烯酸酯树脂(epoxy-acrylate)。例如，量子点溶液及/或散射粒子溶液可以还包括甲基丙烯酸甲酯(MMA，methyl-metha-acrylate)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA，Poly-memethyl-metha-acrylate)。量子点溶液以及散射粒子溶液可以还包括用于喷墨工艺的溶剂(solvent)。
接下来，利用光刻工艺形成滤色器CF-R、CF-G、CF-B。可以利用三次的光刻工艺形成三种滤色器CF-R、CF-G、CF-B。可以对应于第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G以及第三像素区域PXA-B各自形成红色滤色器、绿色滤色器以及蓝色滤色器。
之后，如图4i所示，形成绝缘层IL-F。可以通过有机物蒸镀或有机物涂布工艺来形成提供平坦的上面的绝缘层IL-F。
图5是根据本发明的一实施例的显示面板DP的截面图。图6是根据本发明的一实施例的显示面板DP的俯视图。图5示出对应于图2b的截面。图6示出对应于图3a的截面。以下，省略关于与参照图2b以及图3a至图3c说明的构成相同的构成的详细说明。
如图5所示，空穴控制层HCL、电子控制层ECL以及第二电极CE在周边区域NPXA内配置于像素界定膜PDL上。第一光变换图案CCL-GS直接配置于第二电极CE上。第二电极CE可以完全重叠于第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G以及第三像素区域PXA-B(参考图2a)以及周边区域NPXA(参考图2a)，具有一体的形状。
第一遮光图案LSP1的一部分可以接触于第二电极CE。在周边区域NPXA内在像素界定膜PDL上可以还配置有发光层EML，在周边区域NPXA内在像素界定膜PDL上配置的空穴控制层HCL、电子控制层ECL以及第二电极CE中的至少任一个可以省略。
如图6所示，第一遮光图案LSP1可以具有一体的形状。在图3a中彼此隔开了的多个第一遮光图案LSP1在本实施例中彼此连接。
根据本实施例，第一遮光图案LSP1可以包括第一部分LSP-P1以及第二部分LSP-P2。第一部分LSP-P1是相当于在图3a中说明的多个第一遮光图案LSP1的部分。与第一部分LSP-P1不同，第二部分LSP-P2不界定谷VL。第二部分LSP-P2各自连接四个第一部分LSP-P1。
第二部分LSP-P2各自可以连接于图3b中示出的第二电极CE。第二部分LSP-P2直接配置于第二电极CE上而接触于第二电极CE。第二部分LSP-P2可以降低第二电极CE的电阻。第二部分LSP-P2可以物理补偿在隔开的区域GA中开放的第二电极CE的一部分区域。即，第二部分LSP-P2可以具有修整第二电极CE的不良的作用。
图3c中示出的第二遮光图案LSP2可以充分覆盖图6中示出的一体型的第一遮光图案LSP1。
图7是根据本发明的一实施例的显示面板DP的截面图。图8是根据本发明的一实施例的显示面板DP的俯视图。图9是示出根据本发明的一实施例的显示面板DP的制造工艺的截面图。图7对应于图2b，图8对应于图3a，图9对应于图4c。以下，省略关于与参照图1a至图6说明的构成相同的构成的详细说明。
参照图7以及图8，图2b中示出的金属层的第一遮光图案LSP1以黑色成分的第一遮光图案LSP10代替。第一遮光图案LSP10填充谷VL。第二遮光图案LSP20可以配置于第一遮光图案LSP10上，并对准于第一遮光图案LSP10。
第二遮光图案LSP20可以包括黑色成分。第一遮光图案LSP10的一部分也可以从第二遮光图案LSP20暴露。
在本发明的一实施例中，第二遮光图案LSP20也可以以通常的绝缘图案代替。在图2b的实施例中，第二遮光图案LSP2防止外部光在金属层的第一遮光图案LSP10被反射。在本实施例中，由于第一遮光图案LSP1包含黑色成分，因此第二遮光图案LSP20具有参照图4g说明的隔壁的功能即可。
参考图9的制造方法，与在图5中形成金属层不同，在谷VL形成第一遮光图案LSP10。可以通过通常的光刻工艺形成第一遮光图案LSP10。之后的工艺与参照图4d至4i说明的相同。可以对含有黑色成分的有机层进行图案化而形成第一遮光图案LSP10。
以上，尽管参照本发明的优选实施例进行了说明，但是本技术领域的熟练的本领域人员或者在本技术领域中具有通常知识的人员可以理解在不脱离记载于权利要求书中的本发明的构思以及技术领域的范围内可以对本发明进行各种修改以及变更。
因此，本发明的技术范围不应限定于在说明书的详细说明中记载的内容而应通过权利要求书来确定。

Claims (22)

1.一种显示面板，其中，包括：
发光元件，包括第一电极、配置于所述第一电极上的发光层以及配置于所述发光层上的第二电极，并输出源光；
像素界定膜，具备使所述第一电极的至少一部分暴露的开口部；
第一光变换图案，配置于所述像素界定膜上；
第一遮光图案，在平面上配置于所述第一光变换图案的外侧；以及
第二光变换图案，配置于所述发光元件上，并在平面上重叠于所述发光元件，并且与所述第一光变换图案隔开或形成界面。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述第一光变换图案接触于所述像素界定膜。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述发光元件还包括至少重叠于所述发光层的空穴控制层以及电子控制层中的至少一个，
所述空穴控制层以及所述电子控制层中的至少一个的一部分配置于所述像素界定膜和所述第一光变换图案之间。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述第一光变换图案包括：多个子光变换图案，在平面上配置于所述开口部的外侧，
所述多个子光变换图案中在平面上相邻的至少两个子光变换图案彼此隔开。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述第一光变换图案包括：
第一子光变换图案以及第二子光变换图案，在与所述第一子光变换图案以及所述第二子光变换图案各自延伸的方向交叉的方向上彼此隔开；以及
第三子光变换图案以及第四子光变换图案，在与所述第三子光变换图案以及所述第四子光变换图案各自延伸的方向交叉的方向上彼此隔开，
所述第一子光变换图案的所述延伸的方向和所述第三子光变换图案的所述延伸的方向彼此交叉，
所述第一子光变换图案在平面上与所述第三子光变换图案以及所述第四子光变换图案中的任一个以上隔开，所述第二子光变换图案在平面上与所述第三子光变换图案以及所述第四子光变换图案中的任一个以上隔开。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述显示面板还包括：滤色器，重叠于所述发光元件。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其中，
所述显示面板还包括：有机层，配置于所述滤色器上并提供平坦的上面。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述第一光变换图案和所述第二光变换图案包括相同的量子点。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述显示面板还包括：第二遮光图案，配置于所述第一遮光图案上。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其中，
所述第一遮光图案包括金属层，所述第二遮光图案包括黑色成分。
11.根据权利要求9所述的显示面板，其中，
所述第一遮光图案以及所述第二遮光图案包括黑色成分。
12.根据权利要求9所述的显示面板，其中，
在平面上所述第二遮光图案围绕所述开口部，
在平面上所述第一光变换图案的至少一部分配置于所述开口部和所述第二遮光图案之间。
13.一种显示面板，其中，包括：
第一发光元件以及第二发光元件，各自包括第一电极、配置于所述第一电极上的发光层以及配置于所述发光层上的第二电极，并输出源光；
像素界定膜，界定有第一开口部以及第二开口部，所述第一开口部以及所述第二开口部分别使所述第一发光元件的所述第一电极以及所述第二发光元件的所述第一电极的至少一部分暴露；
多个第一侧面光变换图案，配置于所述像素界定膜上，并在平面上围绕所述第一开口部；
多个第二侧面光变换图案，配置于所述像素界定膜上，并在平面上围绕所述第二开口部；
第一前面光变换图案以及第二前面光变换图案，分别配置于所述第一发光元件以及所述第二发光元件上；以及
第一遮光图案，在平面上配置于所述多个第一侧面光变换图案的外侧，并配置于所述多个第二侧面光变换图案的外侧。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其中，
所述第一发光元件的所述第一电极和所述第二发光元件的所述第一电极在平面上彼此隔开，
所述第一发光元件的所述第二电极和所述第二发光元件的所述第二电极具有一体的形状。
15.根据权利要求14所述的显示面板，其中，
在平面上所述多个第一侧面光变换图案中的一个与相邻的其它一个隔开而形成隔开的区域，
所述第二电极的一部分配置于所述隔开的区域。
16.根据权利要求13所述的显示面板，其中，
所述第一遮光图案包括金属层，
所述金属层配置于所述多个第一侧面光变换图案和所述多个第二侧面光变换图案中相邻的第一侧面光变换图案和第二侧面光变换图案之间，
所述金属层配置于所述相邻的第一侧面光变换图案的外壁面和第二侧面光变换图案的外壁面。
17.根据权利要求16所述的显示面板，其中，
所述显示面板还包括：上绝缘层，配置于所述第一发光元件、所述第二发光元件以及所述金属层上。
18.根据权利要求17所述的显示面板，其中，
所述显示面板还包括：第二遮光图案，配置于所述第一遮光图案上，
所述第二遮光图案配置于所述上绝缘层的一部分上，所述第二遮光图案配置于所述金属层上。
19.根据权利要求16所述的显示面板，其中，
所述第一发光元件的所述第二电极和所述第二发光元件的所述第二电极具有一体的形状，
所述金属层接触于所述第二电极。
20.根据权利要求13所述的显示面板，其中，
所述第一遮光图案包括黑色成分，
所述黑色成分配置于所述多个第一侧面光变换图案和所述多个第二侧面光变换图案中相邻的第一侧面光变换图案和第二侧面光变换图案之间，
所述黑色成分填充形成于所述相邻的第一侧面光变换图案和第二侧面光变换图案之间的谷。
21.根据权利要求13所述的显示面板，其中，
所述显示面板还包括：第二遮光图案，配置于所述第一遮光图案上，
在平面上所述第二遮光图案围绕所述第一开口部以及所述第二开口部，
所述第一前面光变换图案的上面以及所述第二前面光变换图案的上面形成台阶，以配置成比所述第二遮光图案的上面低。
22.根据权利要求21所述的显示面板，其中，
所述显示面板还包括：
第一滤色器，透射从所述多个第一侧面光变换图案以及所述第一前面光变换图案发出的第一光；以及
第二滤色器，透射从所述多个第二侧面光变换图案以及所述第二前面光变换图案发出的第二光。
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