CN113488499A - 一种阵列基板及显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种阵列基板及显示面板，其中，该阵列基板的电极层远离衬底一侧还设置有绝缘层，该绝缘层包括多个开孔结构，在沿垂直于衬底所在平面的方向上，该开孔结构贯穿绝缘层且暴露出阵列基板的发光单元，且开孔结构在衬底上的正投影围绕发光单元在衬底上的正投影，使得该开孔结构具有限定发光单元设置位置的功能，在阵列基板的制备过程中，该开孔结构可以使得分散在溶液中的LED准确落入开孔结构中，有利于提升阵列基板及显示面板的制备良率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，更具体地说，涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
随着显示技术的不断发展，各类新型显示面板不断涌现，其中，以小尺寸LED(Light-Emitting Diode，发光二极管)作为光源的新型显示面板以其高色彩饱和度和可柔性制备等优点成为相关研究人员的研究焦点。
QNED(Quantum Dots Nano LED，量子点微型发光二极管)显示面板在制备过程中需要将分散在溶液中的小尺寸LED喷射到阵列基板上，通过电场控制使得LED落在两电极之间的凹槽内。但由于LED在溶液中随机分布，无法准确落入电极间的凹槽内，导致产品制备良率低。
发明内容
为解决上述技术问题，本申请提供了一种阵列基板及显示面板，以实现提高阵列基板及显示面板的制备良率的目的。
为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：
一种阵列基板，包括：
衬底；
位于所述衬底上的电极层，所述电极层包括多个电极组，所述电极组包括相对设置的第一电极和第二电极；
位于所述衬底上的发光单元，所述发光单元的两端分别与所述第一电极和所述第二电极对应；
位于所述电极层远离所述衬底一侧的绝缘层，所述绝缘层包括多个开孔结构，沿垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述开孔结构贯穿所述绝缘层并暴露所述发光单元，所述开孔结构在所述衬底上的正投影围绕所述发光单元在所述衬底上的正投影。
一种显示面板，包括：如上文所述的阵列基板。
从上述技术方案可以看出，本申请实施例提供了一种阵列基板及显示面板，其中，该阵列基板的电极层远离衬底一侧还设置有绝缘层，该绝缘层包括多个开孔结构，在沿垂直于衬底所在平面的方向上，该开孔结构贯穿绝缘层且暴露出阵列基板的发光单元，且开孔结构在衬底上的正投影围绕发光单元在衬底上的正投影，使得该开孔结构具有限定发光单元设置位置的功能，在阵列基板的制备过程中，该开孔结构可以使得分散在溶液中的LED准确落入开孔结构中，有利于提升阵列基板及显示面板的制备良率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请的一个实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；
图2为本申请的一个实施例提供的一种阵列基板的局部剖面结构示意图；
图3为本申请的一个实施例提供的一种图1中虚线框的放大示意图；
图4为本申请的另一个实施例提供的一种图1中虚线框的放大示意图；
图5为本申请的又一个实施例提供的一种图1中虚线框的放大示意图；
图6为本申请的另一个实施例提供的一种阵列基板的局部剖面结构示意图；
图7为本申请的又一个实施例提供的一种阵列基板的局部剖面结构示意图；
图8为本申请的再一个实施例提供的一种阵列基板的局部剖面结构示意图；
图9为本申请的再一个实施例提供的一种阵列基板的局部剖面结构示意图；
图10为本申请的再一个实施例提供的一种阵列基板的局部剖面结构示意图；
图11为本申请的一个可选实施例提供的一种阵列基板的局部剖面结构示意图；
图12为本申请的一个实施例提供的一种发光单元的结构示意图；
图13为本申请的另一个实施例提供的一种发光单元的结构示意图；
图14为本申请的另一个实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；
图15为本申请的又一个实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；
图16为本申请的再一个实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；
图17为本申请的一个实施例提供的一种显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供了一种阵列基板，如图1和图2所示，图1为阵列基板的俯视结构示意图，图2为图1中沿AA线的剖面结构示意图，该阵列基板包括：
衬底10。
位于衬底10上的电极层40，电极层40包括多个电极组，电极组包括相对设置的第一电极41和第二电极42。具体地，参考图2，电极组中的第一电极41和第二电极42在沿平行于衬底10表面所在方向上相对设置。
位于衬底10上的发光单元50，发光单元50的两端分别与第一电极41和第二电极42对应。可选的，发光单元50包括沿其长度方向依次设置的阳极、外延结构和阴极，发光单元的两端分别指的是阳极和阴极。发光单元50的两端分别与第一电极41和第二电极42对应可以是指发光单元50的两端分别与第一电极41和第二电极42接触，也可以是指发光单元50的两端分别与第一电极41和第二电极42的位置相对应，即发光单元50的两端分别与第一电极41和第二电极42相对设置。参考图3、图4和图5，图3、图4和图5均为图1中虚线框的放大示意图，为了清楚的显示电极组与发光单元50的相对位置关系，图3-图5中并未示出绝缘层30，在图3和图4中，发光单元50的两端分别与第一电极41和第二电极42接触，在图3中，发光单元50的两端分别与第一电极41和第二电极42恰好接触，在图4中，发光单元50的两端分别覆盖部分第一电极41和第二电极42，即在图3和图4对应的实施例中，发光单元50的两端可与第一电极41和第二电极42直接接触实现电连接。在图5中，发光单元50的两端分别与第一电极41和第二电极42的位置对应，但未接触，发光单元50的两端与第一电极41和第二电极42的电连接可通过其他导电结构实现。
位于电极层40远离衬底10一侧的绝缘层30，绝缘层30包括多个开孔结构31，沿垂直于衬底10所在平面的方向上，开孔结构31贯穿绝缘层30并暴露发光单元50，开孔结构31在衬底10上的正投影围绕发光单元50在衬底10上的正投影。
贯穿绝缘层30的开孔结构31在衬底10上的正投影围绕发光单元50在衬底10上的正投影的目的是使得开孔结构31具有发光单元50的限位、筛选和对位功能，具体地，如此设置的开孔结构31可以使得发光单元50落入其中，实现限位功能，另外通过设计开孔结构31的开口尺寸和/或开口形状等方式可以实现对不同类型的发光单元50的筛选和对位。
仍然参考图1和图2，绝缘层30中的开孔结构31按照阵列基板的发光单元50的排布位置设计，通常开孔结构31为阵列排布的方式设置。形成绝缘层30的材料包括但不限于有机聚合物薄膜和无机非金属薄膜，其中，有机聚合物薄膜可以包括聚碳酸酯、聚乙烯和聚酰亚胺等，无机非金属薄膜可以包括硅酸盐、透明陶瓷和无机氧化物等。
在本实施例中，仍然参考图2，由于绝缘层30的开孔结构31的开口位置环绕发光单元50，使得该开孔结构31具有限定发光单元50设置位置的功能，在阵列基板的制备过程中，该开孔结构31可以使得分散在溶液中的LED准确落入开孔结构31中，有利于提升阵列基板及显示面板的制备良率，而由于绝缘层30是阵列基板30上固有的膜层，因此复用绝缘层30，并通过实际需求设计绝缘层30上开孔结构31的形状、排布等就能够实现发光单元50的先筛选、再对位、后功限位能，无需添加其他膜层或者增加其他限位或筛选结构。
在图2中还示出了阵列基板的驱动膜层20，该驱动膜层20包括交叉设置的栅极线、数据线以及位于栅极线和数据线交叉限定区域中的薄膜晶体管，多个薄膜晶体管构成像素电路，像素电路与第一电极或第二电极电连接，像素电路的类型包括但不限于2T(薄膜晶体管)1C(电容)或6T1C或7T1C等。薄膜晶体管包括有源层、栅极、源极和漏极等结构层，结构层之间通过半导体绝缘层隔离。
可选的，在本申请的一个实施例中，仍然参考图2，电极层40还包括位于第一电极41和第二电极42之间的凹槽43，沿垂直于衬底10所在平面的方向上，发光单元50的正投影与凹槽43的正投影交叠。
在工艺流程中，可以在驱动膜层上铺设一层金属层，并通过对整层的金属层进行图案化的方式实现第一电极41和第二电极42的制备，在图案化过程中形成的位于第一电极41和第二电极42之间的镂空部分及凹槽43，因此该凹槽43位于第一电极41和第二电极42之间。
在本实施例中，第一电极41和第二电极42之间的凹槽43配合开孔结构31在垂直于衬底10表面的平面内，形成了一个深度较大的槽状结构，使得该槽状结构可以发挥对发光单元50的位置限定的功能，在阵列基板的制备过程中，有利于使得分散在溶液中的LED准确地落在第一电极41和第二电极42之间的凹槽43中。
需要说明的是，无论发光单元与第一电极和第二电极是否接触，发光单元与第一电极和第二电极之间的正投影均有至少部分交叠。
可选的，仍然参考图2，发光单元50位于凹槽43中。由于凹槽43对于发光单元50的限位功能，凹槽43配合绝缘层30还可以对落入凹槽43中的发光单元50起到一定的辅助固定功能，这是由于绝缘层30的开孔结构31在衬底10上的正投影围绕发光单元50在衬底10上的正投影，使得开孔结构31的侧壁和凹槽43的侧壁一起构成了一个较深的“凹坑”结构，因此相比发光单元50位于凹槽外，仅是搭接在第一电极41与第二电极42上的方案，本发明实施例可以使得落入“凹坑”结构中的发光单元50不易从该“凹坑”结构中脱离出来，实现更好的固定效果。
可选的，在本申请的另一个实施例中，如图6所示，图6为图1中沿AA’线的另一种剖面结构示意图。开孔结构31包括第一开口311和第二开口312，第一开口311位于第二开口312远离衬底10一侧，且在平行于衬底10所在平面的方向上，第一开口311的面积大于第二开口312的面积。
第二开口312与衬底10之间的距离小于发光单元50的顶面与衬底10之间的距离，发光单元50的顶面为发光单元50远离衬底10一侧的表面。
如此形状的开孔结构31可以使得发光单元50的一部分嵌入开孔结构31中，以使开孔结构31也可对于发光单元50起到一定的固定作用。
在本实施例中，开孔结构31在垂直于衬底10表面所在平面的平面内的剖面形状为倒梯形，开孔结构31类似于漏斗，有利于发光单元50落入开孔结构31中，另外，由于绝缘层30朝向发光单元50的侧壁与衬底10所在平面形成坡度角，而绝缘层30又具有一定的反射能力，倒梯形形状的开孔结构31的侧壁可以将部分发光单元50出射的光线尽可能向阵列基板的出光方向反射，有利于提高发光单元50的光利用率。
对于倒梯形形状的开孔结构31的各个开口的尺寸，可选的，参考图7，图7为图1中沿AA’线的又一种剖面结构示意图。在平行于衬底10所在平面的至少一个平面内，第一开口311的直径D1小于或等于第一电极41和第二电极42之间的间距，且第一开口311的直径D1大于发光单元50的顶面的直径D3。
在本实施例中，直径是指封闭图形中连接两点的最大距离。第一电极41和第二电极42之间的间距是指第一电极41和第二电极42的顶面在平行于衬底10表面所在平面的方向上的距离，即图7中的距离D4，第一电极41和第二电极42的顶面指的是一电极41和第二电极42远离衬底10的表面。
对于第二开口312，仍然参考图7，在平行于衬底10所在平面的方向上，第二开口312的直径D2与发光单元50的顶面的直径D3的差值的取值范围满足0≤△d≤5％×D3，其中，△d表示第二开口312的直径D2与发光单元50的顶面的直径D3的差值，D3表示发光单元50的顶面的直径。其中，0≤△d可保证发光单元50可通过第二开孔312落入到凹槽中，而5％×D3则是在考虑到开孔精度误差和发光单元50顶面的直径误差等因素制定的，使△d≤5％×D3可避免第二开口312与发光单元50的顶面直径D3相差较大而导致开口结构的筛选功能削弱的问题。在本实施例中，第一开口311的直径大于第二开口312的直径，可保持开孔结构31的剖面形状为倒梯形，而倒梯形形状的开孔结构31可以使得绝缘层30朝向开孔结构31的侧壁具有一定的反射能力，使得绝缘层30朝向开孔结构31的侧壁可将发光单元50出射的光线向发光方向反射，以提高发光单元50的光利用效率。第一开口311的直径小于或等于第一电极41和第二电极42之间的间距，可使绝缘层30至少部分覆盖第一电极41或第二电极42，起到对第一电极41或第二电极42的保护作用。第一开口311的直径大于发光单元50的顶面的直径，可使发光单元50更易落入第一开口311中，起到对发光单元50的限位作用。
第二开口312的直径与发光单元50的顶面的直径的差值大于或等于0，可保证发光单元50能够通过第二开口312落入第一电极41和第二电极42之间的凹槽43内，当第二开口312的直径与发光单元50的顶面的直径的差值等于0时，第二开口312还可在一定程度上辅助固定落入凹槽43内的发光单元50。
对于发光单元50的可行结构，参考图8，图8为阵列基板的局部剖面结构示意图，发光单元50包括阳极51、阴极53和外延结构52，阳极51和阴极53分别位于外延结构52朝向第一电极41和第二电极42一侧。
阳极51与第一电极41接触，阴极53与第二电极42接触。
外延结构52是指发光单元50中通过外延方式生长的各功能层，该外延结构52包括但不限于依次层叠的N型掺杂半导体层、多量子阱层和P型掺杂半导体层等。其中，多量子阱层也可称为发光层，是发光单元50中产生光线的主要膜层。
在本实施例中，阳极51和阴极53位于外延结构52朝向第一电极41和第二电极42一侧，阳极51与第一电极41接触，用于接收通过第一电极41传输的正驱动信号，阳极51与第二电极42接触，用于接收通过第二电极42传输的负驱动信号。
可选的，在本申请的又一个实施例中，阳极51包括第一磁性电极；
第一电极41包括第二磁性电极，第一磁性电极和第二磁性电极的磁性相反。
可选的，磁性电极为铁磁合金。铁磁合金属于被磁场强烈地吸引的物质，其磁性随外磁场的加强而急剧增高，并在外磁场移走后，仍能保留磁性。例如Fe、Co、Ni等金属中的一种或多种混合。
由于第一磁性电极和第二磁性电极的磁性相反，因此在阵列基板的制备过程中，分散在溶液中的发光单元50可以通过不同磁性的磁性电极形成的磁场进行对位，且对位完成后，阳极51和第一电极41仍可依靠磁场彼此固定，进而实现发光单元50与第一电极41和第二电极42的电连接，因此在本发明实施例中，发光单元50的对位与发光单元50的电连接可基本同步实现。
对于磁性电极的设置位置，除了设置在第一电极41与发光单元50之间，在一些实施例中，参考图9与图10，图9为另一种阵列基板的局部剖面结构示意图，图10为另一种阵列基板的局部剖面结构示意图。如图所示，第一磁性电极61与第二磁性电极62设置在驱动膜层20电极层一侧。可选的，磁性件可呈倒T字型。可选的，第一磁性电极61与第二磁性电极62位于驱动膜层20中的绝缘层或平坦化层中；可选的，第一磁性电极61与第二磁性电极62与第一电极41和第二电极42分别接触，使得发光单元50的对位完成后即可实现电连接。在本发明实施例中，发光单元50通过下方两侧的磁性件进行取向和固定，并通过下方磁性件与两侧电极形成电导通。
可选的，本申请的另一个实施例提供了另一种电极对位方式，电极组包括第一状态和第二状态，在第一状态下，发光单元50通过第一电极41和第二电极42对位，在第二状态下，阳极51与第一电极41接触，阴极53与第二电极42接触。
可选的，第一状态为发光单元50在阵列基板上的对位阶段，第二状态为发光单元50与第一电极41和第二电极42的电连接阶段；在第一状态下，第一电极41和第二电极42用于形成对位电场，以使发光单元50在对位电场中完成对位。在第二状态下，阳极51用于接收通过第一电极41传输的正驱动信号，阳极51用于接收通过第二电极42传输的负驱动信号。
可选的，在本申请的一个实施例中，参考图11并结合参考图8，图11为阵列基板的局部剖面结构示意图，外延结构52的延伸方向为第一方向DR1；在图8中，第一方向DR1平行于衬底10表面。
或
参考图11，第一方向DR1与衬底10表面相交。
外延结构52的延伸方向即为外延结构52的长边的延伸方向，外延结构52的延伸方向与外延结构52内部的各个功能膜层的层叠方向垂直。
在图8中，外延结构52的延伸方向与衬底10表面平行，在图9中，外延结构52的延伸方向与衬底10表面相交。
图8和图11示出了两种针对不同结构的发光单元50的基本像素结构，在图8中，发光单元50处于“躺倒”状态，即利用发光单元50的侧面进行发光，发光面积更大，光提取效率更高。而在图11中，发光单元50处于“直立”状态，相比于发光单元50发光单元50处于“躺倒”状态，发光单元50处于“直立”状态可以占用更少的分布空间，使得阵列基板上的像素排列密度可以进一步增大，进而提高PPI。无论发光单元50处于何种状态，发光单元50的阳极51和阴极53均位于外延结构52分别朝向第一电极41和第二电极42的两侧，方便更好的实现电连接。第一方向DR1与衬底10表面是否平行可以根据阵列基板的具体设计需求而定，满足不同像素排布的设计要求，提升阵列基板的适应性。
对于外延结构52的形状，可选的，参考图12或图13，图12和图13为发光单元50的结构示意图，外延结构52为柱状结构或圆台状结构，外延结构52包括相背设置的第一端和第二端。阳极51和阴极53均为圆弧状电极，阳极51与外延结构52的第一端电连接，阴极53与外延结构52的第二端电连接。
在等长等宽的情况下，柱状结构或圆台状结构的外延结构52的体积相较于其他形状更大，有利于提升发光单元50的发光亮度。
可选的，在本申请的一个实施例中，参考图14或图15，图14和图15为阵列基板的俯视结构示意图，至少存在两个发光单元50的顶面的形状不同，发光单元50的顶面为发光单元50远离衬底10一侧的表面。
可以理解的，这里的两个发光单元50的顶面的形状不同可以指的是两个发光单元50的整体形状不同导致顶面的形状不同，也可以指的是发光单元50局部的形状不同导致顶面的形状不同。
当发光单元50的顶面的形状不同时，可通过设计阵列基板不同区域的开孔结构31的形状来实现不同区域中不同形状的发光单元50的筛选，满足不同区域的不同显示需求。另外，也可使得出射不同颜色光线的发光单元50的顶面形状不同，实现对出射不同颜色光线的发光单元50的筛选。
仍然参考图14或图15，当发光单元50的顶面的形状不同时，为了使得开孔结构31对不同形状的发光单元50的筛选功能，相应的，在平行于衬底10表面的平面内，至少存在两个开孔结构31的剖面形状不同，开孔结构31的剖面形状和被其暴露的发光单元50的顶面的形状相同。
可选的，发光单元50的顶面的形状包括但不限于圆形、长方形或平行四边形中的一种。
在平行于衬底10表面的平面内，开孔结构31的剖面形状包括但不限于圆形、长方形或平行四边形。
可以根据需要的像素排列设计，设计绝缘层的开孔形状或排列方案，不同于现有技术中进行像素设计时，需重新设计蒸镀方案或者转运方式，在本发明实施例中，不同形状的发光单元50和开孔结构31可以使得阵列基板满足更多不同应用场景的设计需求，扩展阵列基板的适用性。
可选的，在本申请的一个实施例中，参考图16，图16为阵列基板的俯视结构示意图，至少存在两个发光单元50的顶面面积不同，发光单元50的顶面为发光单元50远离衬底10一侧的表面。
用于出射不同颜色光线的发光单元50的顶面面积可以不同，这样可以综合考虑用户出射不同颜色光线的发光单元50的出光效率和寿命等因素，设计用于出射不同颜色光线的发光单元50的顶面面积，使得用于出射不同颜色的发光单元50的寿命和出光效率等参数一致。
例如，对于分别出射红绿蓝三种颜色光线的发光单元50来说，由于蓝色发光材料的寿命最差、人眼对于绿光的敏感度最高等原因，一般用于出射蓝色光线的发光单元50的顶面面积最大，用于出射绿色光线的发光单元50的顶面面积最小，本申请对此并不做限定，具体视实际情况而定。
当至少存在两个发光单元50的顶面面积不同时，为了使得开孔结构31能够对不同顶面面积的发光单元50进行筛选，相应的，至少存在两个开孔结构31的开口面积不同，开孔结构31的开口面积为在平行于衬底10表面的平面内，开孔结构31的最小截面面积。开孔结构31的开口面积等于被其暴露的发光单元50的顶面面积。
相应的，本申请实施例还提供了一种显示面板，如图17所示，图17为所述显示面板A100的结构示意图，所述显示面板A100包括如上述任一实施例所述的阵列基板，其中，阵列基板的具体结构已经在上述实施例中进行了详细说明，此处不再赘述。当然，图17所示的显示面板仅仅为示意说明，该显示面板可以应用在例如手机、平板计算机、笔记本电脑、电纸书或电视机等任何具有显示功能的电子设备。。
综上所述，本申请实施例提供了一种阵列基板及显示面板，其中，该阵列基板的电极层远离衬底一侧还设置有绝缘层，该绝缘层包括多个开孔结构，在沿垂直于衬底所在平面的方向上，该开孔结构贯穿绝缘层且暴露出阵列基板的发光单元，且开孔结构在衬底上的正投影围绕发光单元在衬底上的正投影，使得该开孔结构具有限定发光单元设置位置的功能，在阵列基板的制备过程中，该开孔结构可以使得分散在溶液中的LED准确落入开孔结构中，有利于提升阵列基板及显示面板的制备良率。
本说明书中各实施例中记载的特征可以相互替换或者组合，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (17)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上的电极层，所述电极层包括多个电极组，所述电极组包括相对设置的第一电极和第二电极；
位于所述衬底上的发光单元，所述发光单元的两端分别与所述第一电极和所述第二电极对应；
位于所述电极层远离所述衬底一侧的绝缘层，所述绝缘层包括多个开孔结构，沿垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述开孔结构贯穿所述绝缘层并暴露所述发光单元，所述开孔结构在所述衬底上的正投影围绕所述发光单元在所述衬底上的正投影。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述电极层还包括位于所述第一电极和所述第二电极之间的凹槽，沿垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述发光单元的正投影与所述凹槽的正投影交叠。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述发光单元位于所述凹槽中。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述开孔结构包括第一开口和第二开口，所述第一开口位于所述第二开口远离所述衬底一侧，且在平行于所述衬底所在平面的方向上，所述第一开口的面积大于所述第二开口的面积；
所述第二开口与所述衬底之间的距离小于所述发光单元的顶面与所述衬底之间的距离，所述发光单元的顶面为所述发光单元远离所述衬底一侧的表面。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，在平行于所述衬底所在平面的至少一个平面内，所述第一开口的直径小于或等于所述第一电极和所述第二电极之间的间距，且所述第一开口的直径大于所述发光单元的顶面的直径。
6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，在平行于所述衬底所在平面的方向上，所述第二开口的直径与所述发光单元的顶面的直径的差值的取值范围满足0≤△d≤5％×D3，其中，△d表示所述第二开口的直径与所述发光单元的顶面的直径的差值，D3表示所述发光单元的顶面的直径。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述发光单元包括阳极、阴极和外延结构，所述阳极和所述阴极分别位于所述外延结构朝向所述第一电极和所述第二电极一侧；
所述阳极与所述第一电极接触，所述阴极与所述第二电极接触。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阳极包括第一磁性电极；
所述第一电极包括第二磁性电极，所述第一磁性电极和所述第二磁性电极的磁性相反。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述发光单元包括阳极、阴极和外延结构，所述阳极和所述阴极分别位于所述外延结构朝向所述第一电极和所述第二电极一侧；
所述电极组包括第一状态和第二状态，在所述第一状态下，所述发光单元通过所述第一电极和所述第二电极对位，在所述第二状态下，所述阳极与所述第一电极接触，所述阴极与所述第二电极接触。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述外延结构的延伸方向为第一方向；所述第一方向平行于所述衬底表面；
或
所述第一方向与所述衬底表面相交。
11.根据权利要求7-10任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述外延结构为柱状结构或圆台状结构，所述外延结构包括相背设置的第一端和第二端；
所述阳极和所述阴极均为圆弧状电极，所述阳极与所述外延结构的第一端电连接，所述阴极与所述外延结构的第二端电连接。
12.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，至少存在两个所述发光单元的顶面的形状不同，所述发光单元的顶面为所述发光单元远离所述衬底一侧的表面。
13.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，在平行于所述衬底表面的平面内，至少存在两个所述开孔结构的剖面形状不同，所述开孔结构的剖面形状和被其暴露的发光单元的顶面的形状相同。
14.根据权利要求12或13任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述发光单元的顶面的形状为圆形、长方形或平行四边形；
在平行于所述衬底表面的平面内，所述开孔结构的剖面形状为圆形、长方形或平行四边形。
15.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，至少存在两个所述发光单元的顶面面积不同，所述发光单元的顶面为所述发光单元远离所述衬底一侧的表面。
16.根据权利要求15所述的阵列基板，其特征在于，至少存在两个所述开孔结构的开口面积不同，所述开孔结构的开口面积为在平行于所述衬底表面的平面内，所述开孔结构的最小截面面积；
所述开孔结构的开口面积等于被其暴露的发光单元的顶面面积。
17.一种显示面板，其特征在于，包括：如权利要求1-16任一项所述的阵列基板。
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| CN202110738437.5A CN113488499A (zh) | 2021-06-30 | 2021-06-30 | 一种阵列基板及显示面板 |
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- 2021-06-30 CN CN202110738437.5A patent/CN113488499A/zh active Pending
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