CN113488422A - 传送装置和处理系统 - Google Patents

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辛孟阳
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Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd
Mattson Technology Inc
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Abstract

本公开提供了一种传送装置和处理系统。该传送装置可以包括第一传送组件，用于向腔室传送第一工件；第二传送组件，用于从该腔室传送出第二工件；阻隔组件，设置于该第一传送组件与该第二传送组件之间，用于阻隔该第一工件和该第二工件的能量传递；支撑组件，用于将该阻隔组件限制在该第一传送组件与该第二传送组件之间。本公开实施例通过阻隔组件阻隔第一传送组件之上的工件和第二传送组件之上的工件的能量传递，可以防止或避免第二传送组件之上的工件对第一传送组件之上的工件产生影响，有利于采用可重复的工艺对工件进行处理，提高工件产量。

Description

传送装置和处理系统
技术领域
本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种传送装置和处理系统。
背景技术
在半导体器件的制造过程中，可以在反应腔室中对晶圆进行各种工艺。通过传送机构可以将晶圆传送至处理系统的腔室中进行处理。
发明内容
本公开提供了一种传送装置和处理系统。
根据本公开的一方面，提供了一种传送装置，包括：
第一传送组件，用于向腔室传送第一工件；
第二传送组件，用于从该腔室传送出第二工件；
阻隔组件，设置于该第一传送组件与该第二传送组件之间，用于阻隔该第一工件和该第二工件的能量传递；
支撑组件，用于将该阻隔组件限制在该第一传送组件与该第二传送组件之间；
其中，该第一传送组件的第一端耦合该支撑组件，该第一传送组件的第二端用于沿着第一工件传送方向往复运动；并且，该第二传送组件的第一端耦合该支撑组件，该第二传送组件的第二端用于沿着第二工件传送方向往复运动。
根据本公开的另一方面，提供了一种处理系统，包括：
腔室，用于对工件进行处理；
传送装置，用于向腔室传送第一工件，以及从该腔室传送出第二工件，该传送装置采用本公开实施例中任意一种结构的传送装置。
本公开实施例通过阻隔组件阻隔第一传送组件之上的第一工件和第二传送组件之上的第二工件的能量传递，可以防止或避免第二工件对第一工件产生影响，有利于采用可重复的工艺对工件进行处理，提高工件产量。
应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本公开的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
附图用于更好地理解本方案，不构成对本公开的限定。其中：
图1A是根据本公开一实施例的传送系统的示意图；
图1B是根据本公开一实施例的传送系统的部分结构的立体图；
图2是根据本公开一实施例的传送装置的示意图；
图3是根据本公开另一实施例的传送装置的示意图；
图4A是根据本公开另一实施例的传送装置的侧视的示意图；
图4B是根据本公开另一实施例的传送装置的俯视的示意图；
图5是根据本公开另一实施例的传送装置的示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本公开的示范性实施例做出说明，其中包括本公开实施例的各种细节以助于理解，应当将它们认为仅仅是示范性的。因此，本领域普通技术人员应当认识到，可以对这里描述的实施例做出各种改变和修改，而不会背离本公开的范围和精神。同样，为了清楚和简明，以下的描述中省略了对公知功能和结构的描述。
为了提高传送效率和处理效率，可以同步传送进腔室的晶圆和出腔室的晶圆。因此，出腔室的晶圆可能对进腔室的晶圆产生不利的影响。
本公开多个实施例涉及传送装置、包括传送装置的处理系统，例如半导体处理系统或等离子体处理系统等。为了实现快速传送，传送装置例如传送腔通常可以包括多个传送组件例如多个机械臂，可以在同一时间传送多个工件例如晶圆。例如，上面的机械臂上的晶圆准备进到腔室进行工艺，下面的机械臂上的经验结束工艺准备返回晶舟。这些晶圆可能会在垂直投影方向上位置重叠。因此上面的晶圆上的光阻就会因为下面带有高温的晶圆而发生一定的收缩，产生一个相对较高的去灰(即去光阻或去光刻胶)速率，最终使得去灰速率不重复。通过延长工艺配方的时间或者采取光片预暖机的办法，削弱和最小化来自光阻收缩效应的去灰速率不重复的影响。但是，这样的方法存在诸多缺点，例如：去灰时间太长、产量低、机台维护成本高、需要更久的时间暖机等。
本公开实施例通过在传送装置通例如传送腔中的传送组件之间加入阻隔组件，例如在上下同轴的两组机械手臂之间加入隔板，可以有效消除出腔室晶圆的高温使得进腔室晶圆光阻收缩的效应，保证去灰速率的可重复性。
图1A是根据本公开一实施例的处理系统100的示意图，该处理系统可以包括前端部分112、一个或多个装载锁定室114、传送室115和多个处理室，包括第一处理室120和第二处理室130。系统可包括第一工件搬运机器人150，用于对装载锁定室114中的工件柱110、第一处理室120和第二处理室130送入和送出工件，和/或在第一处理室120和第二处理室130之间传送工件。
前端部分112可以被配置为保持在大气压下并且可以被配置为接合工件输入装置118。工件输入装置118可以包括例如匣盒、前开式晶圆传送盒或其他用于支撑多个工件的装置。工件输入装置118可用于将预处理工件提供给处理系统100，或从处理系统100接收处理后工件。
前端部分112可以包括一个或多个机器人(未示出)，用于将工件从工件输入装置118传送到例如装载锁定室114，例如传送到装载锁定室114中的工件柱110和从其传送出。在一个示例中，前端部分112中的机器人可以将预处理工件传送到装载锁定室114，并且可以将处理后工件从装载锁定室114传送到一个或多个工件输入装置118。在不偏离本公开的范围的情况下，可以在前端部分112中使用任何适用于传送工件的机器人。可以通过合适的狭缝、开口或孔口将工件传送到或传送出装载锁定室114。
装载锁定室114可以包括工件柱110，该工件柱110被配置为以堆叠布置支撑多个工件。工件柱110可以包括例如多个搁架。每个搁架可以被配置为支撑一个或多个工件。在一个示例实施方式中，工件柱110可包括用于支撑预处理工件的一个或多个搁架和用于支撑处理后工件的一个或多个搁架。
在一些实施例中，可以与装载锁定室114和其他室一起设置适当的阀，以适当地调整用于处理工件的处理压力。在一些实施例中，装载锁定室114和传送室115可保持在相同的压力下。在该实施例中，不需要将装载锁定室114相对于传送室115密封。实际上，在一些实施例中，装载锁定室114和传送室115可以是同一室的一部分。
在图1A中示出了单个装载锁定室114。使用本文提供的公开内容，本领域普通技术人员将理解，多个装载锁定室114可以用于本文所述的任何处理系统中，而不会偏离本公开的范围。例如，系统100可以包括用于将工件传送到系统100的真空部分中的第一装载锁定室，以及用于将工件传送出系统100的真空部分的第二装载锁定室。
第一处理室120和第二处理室130可用于对工件执行多种工件处理中的任何一种，例如真空退火处理、表面处理过程、干法剥离处理、干法蚀刻处理、沉积处理以及其他处理。在一些实施例中，第一处理室120和第二处理室130中的一个或多个可以包括基于等离子体的处理源，例如，感应耦合等离子体(ICP)源、微波源、表面波等离子体源、ECR等离子体源和电容耦合(平行板)等离子体源。
如图1A所示，第一处理室120和第二处理室130中的每一个包括并排布置的一对处理站，使得可以将一对工件同时暴露于同一处理。更具体地，第一处理室120可以包括并排布置的第一处理站122和第二处理站124。
第二处理室130可以包括并排布置的第一处理站132和第二处理站134。每个处理站可包括用于在处理期间支撑工件的工件支撑件(例如，基座)。在一些实施例中，每个处理站可以与用于支撑工件的两个部分共用公共基座。在一些实施例中，工件支撑件可包括基座组件，该基座组件包括基板、被配置为支撑工件的静电卡盘和可更换部件。可更换部件可以包括相对于静电卡盘布置的聚焦环，使得当将工件定位在静电卡盘上时，聚焦环的至少一部分至少部分地围绕工件的外围。第一处理室120和/或第二处理室130可以相对于传送室115选择性地密封以进行处理。
传送室115可以包括工件搬运机器人150。工件搬运机器人150可以被配置为将工件从装载锁定室114中的工件柱110传送到第一处理室120和/或第二处理室130中的处理站。工件搬运机器人150还可以在第一处理室120和第二处理室130之间传送工件。
本公开实施例提供了一种处理系统，该处理系统可以包括：腔室，用于对工件进行处理；传送装置，用于向腔室传送第一工件，以及从该腔室传送出第二工件。例如，第一工件可以为需要在腔室中进行处理的工件，第二工件可以为在腔室中已处理的工件。例如，第一工件和第二工件可以为半导体晶圆。
该传送装置可以包括第一传送组件、第二传送组件和阻隔组件，阻隔组件可以设置于第一传送组件与第二传送组件之间，用于阻隔该第一工件和该第二工件的能量传递；支撑组件，用于将该阻隔组件限制在该第一传送组件与该第二传送组件之间。其中，该第一传送组件的第一端耦合该支撑组件，该第一传送组件的第二端用于沿着第一工件传送方向往复运动；并且，该第二传送组件的第一端耦合该支撑组件，该第二传送组件的第二端用于沿着第二工件传送方向往复运动。
例如，某个半导体晶圆在位于第一传送组件之上将要送进腔室的状态下，可以被称为第一工件；该半导体晶圆从腔室中送出位于第二传送组件之上的状态下，可以被称为第二工件。在某一时间段，在第一传送组件向腔室传送一个或多个第一工件的同时，第二传送组件可能从腔室传送出一个或多个第二工件。通过阻隔组件，可以消除第二传送组件之上的第二工件的能量对第一传送组件之上的第一工件的影响，有利于采用重复的工艺，提高产量。传送装置可以参见下述关于传送装置的各个实施例的相关描述。
在一种示例中，参见图1A，该处理系统中的腔室可以包括处理系统100的处理室，传送装置可以包括工件搬运机器人150。
在另一种示例中，参见图1B，该处理系统可以包括腔室101和传送装置102。传送装置102可以向腔室传送工件103，也可以将在腔室101中处理后的工件103传送回晶舟。
在一种实施方式中，该处理系统为半导体晶圆处理系统；该第一工件和该第二工件为半导体晶圆。
在一种实施方式中，该半导体晶圆处理系统为等离子体去胶机台。
在一种实施方式中，该阻隔组件用于阻隔该第二传送组件之上的高温半导体晶圆向该第一传送组件之上的低温半导体晶圆的热辐射，以降低对该低温半导体晶圆的光阻收缩的效应而增强去灰速率的可重复性。
图2是根据本公开一实施例的传送装置的示意图。该传送装置可以包括：
第一传送组件201，用于向腔室传送第一工件。其中，第一工件可以为需要在腔室中处理的工件。
第二传送组件202，用于从该腔室传送出第二工件。其中，第二工件可以为在腔室中已处理的工件。
阻隔组件203，设置于该第一传送组件201与该第二传送组件202之间，用于阻隔该第一工件和该第二工件的能量传递；
支撑组件204，用于将该阻隔组件203限制在该第一传送组件201与该第二传送组件202之间；
其中，该第一传送组件201的第一端耦合该支撑组件，该第一传送组件201的第二端用于沿着第一工件传送方向往复运动；并且，该第二传送组件202的第一端耦合该支撑组件，该第二传送组件202的第二端用于沿着第二工件传送方向往复运动。
在本公开实施例中，传送装置是需要被传送进或传送出腔室的工件的载体。工件可以包括晶圆、衬底等半导体器件。在腔室中可以对工件进行各种处理，腔室也可以称为反应腔室、处理室等。本公开实施例的腔室可以是各种类型的处理系统的反应腔室。处理系统可以对工件进行剥离、刻蚀、去胶等各种处理，可以包括半导体处理系统、等离子体处理系统等。例如，腔室可以是等离子体去胶机台的反应腔室。为了加快传送，传送装置可以包括多个传送组件。例如，传送装置可以通过第一传送组件201向腔室传送需要处理的第一工件，还可以通过第二传送组件202从腔室传送出已处理的第二工件。传送装置也可以称为传送机构、传送腔等。需要处理的第一工件也可以称为进腔室的工件，已处理的第二工件也可以称为出腔室的工件。阻隔组件203可以包括具有隔温效果的隔板，隔板的材料可以包括金属，也可以包括非金属。
在一种实施方式中，该第二工件的温度高于该第一工件的温度，该隔离组件用于阻隔该第二工件向该第一工件传送能量，以降低对该第一工件的光阻收缩的效应而增强去灰速率的可重复性。
在一种实施方式中，该能量包括红外辐射，该红外辐射的波长范围为约1微米至约20微米。也即是说，该阻隔组件能够阻隔的红外辐射的波长范围可以为约1微米至约20微米。优选地，该阻隔组件能够阻隔的红外辐射波长可以为约2微米至约15微米。
进一步优选地，该阻隔组件能够阻隔的红外辐射波长可以为约5微米至约10微米。这样，该阻隔组件能够阻隔的温度范围可以为约90℃至约300℃。
在一种实施方式中，该阻隔组件包括红外反射表面以阻隔该红外辐射。
在一种实施方式中，该阻隔组件的红外反射表面可以面向该第一传送组件和该第二传送组件中温度较高的一个。例如，如果出腔体的晶圆温度较高，则第二传送组件的温度较高，阻隔组件的红外反射表面可以面向第二传送组件。
在一种实施方式中，该阻隔组件包括冷源以降低该阻隔组件温度。冷源的类型可以根据该第一传送组件和该第二传送组件的间隔等灵活选择。
在一种实施方式中，该阻隔组件的厚度范围为约2.5毫米至约3.5毫米。例如，阻隔组件的厚度为约3毫米。该厚度范围仅是一种示例，而非限制，也可以为其他厚度。
在一种实施方式中，该阻隔组件与该第一传送组件和该第二传送组件垂直投影方向上等间隔。该等间隔仅是一种示例，而非限制，也可以为非等间隔。例如，在第一传送组件的最下层的传送臂的下表面涂敷红外反射表面。该阻隔组件与第一传送组件的垂直投影方向上的间隔为0。该阻隔组件与第二传送组件垂直投影方向上的间隔，等于第一传送组件与第二传送组件的传送臂垂直投影方向上的距离。再如，该阻隔组件与该第一传送组件垂直投影方向上的间隔，小于该阻隔组件与该第二传送组件垂直投影方向上的间隔。
在一种实施方式中，该第一传送组件和该第二传送组件垂直投影方向上的距离的范围为约4毫米至约5毫米。例如，该距离可以为4.4毫米。该距离范围仅是一种示例，而非限制，也可以为其他距离。
在一种实施方式中，该阻隔组件由金属构成。
在一种实施方式中，该金属为铝。该铝仅是一种示例而非限制，也可以采用其他隔温效果好的金属。
在一种实施方式中，该铝为6061-T6铝。该铝的产品型号仅是示例而非限制，也可以采用其他隔温效果好的产品型号。
在一种实施方式中，该金属包括红外反射层。
在一种实施方式中，该红外反射层面向该第一传送组件和该第二传送组件中温度较高的一个。
在一种实施方式中，该红外反射层面向第二传送组件。
例如，阻隔组件为隔板，第一传送组件在第二传送组件的上方，第二传送组件传送的晶圆温度较高，则可以在隔板面向第二传送组件表面涂敷该红外反射层。
再如，第一传送组件在第二传送组件的上方，第二传送组件传送的晶圆温度较高，在第一传送组件与第二传送组件相邻的表面涂敷的红外反射层。这种情况下，阻隔组件可以包括涂敷在第一传送组件的下表面的红外反射层。
在一种实施方式中，该阻隔组件由非金属构成。
在一种实施方式中，该非金属包括PTFE(Polytetrafluoroethylene，聚四氟乙烯，也称为特氟龙)、石墨、石英、陶瓷、气体、真空中的至少之一或其组合。例如，阻隔组件包括两层薄板，在两层薄板之间充入气体。再如，将阻隔组件包括的两层薄板之间的空气抽出，使得两层薄板之间为真空状态。上述几种非金属仅是示例而非限制，也可以采用其他隔温效果好的非金属制作阻隔组件。
此外，金属和非金属也可以组合构成阻隔组件。例如，在PTFE表面镀一层金属的红外反射层。
此外，在本公开实施例中，还可以根据与温度相关一些物理参数选择阻隔组件的材料。例如，可以根据导热系数选择阻隔组件的材料，具体例如，铝AL的导热系数为约238W/mK；PTFE的导热系数为约0.256W/mK；石英的导热系数为约36W/mK；陶瓷的导热系数为约29.3W/mK。如果该阻隔组件是合成材料，导热系数可能会发生变化。
在一种实施方式中，该阻隔组件的形状和尺寸可以根据传送组件的尺寸来设置。例如，阻隔组件的形状可以为长方形，长度略长于传送臂。阻隔组件的宽度可以略宽于传送臂的最宽处，也可以小于或等于传送臂沿着工件传送方向往复运动的最宽范围。
在一种实施方式中，第一传送组件的第一端耦合该支撑组件，以及该第二传送组件的第一端耦合该支撑组件，该耦合为可转动耦合。
在一种实施方式中，沿着第一工件传送方向往复运动，以及沿着第二工件传送方向往复运动，该往复运动为围绕转动轴的轴向转动；该可转动耦合为相对于该转动轴的可转动耦合。
例如，支撑组件包括转动轴，第一传送组件的第一端和第二传送组件的第一端相对于该转动轴的可转动耦合。可以控制第一传送组件和第二传送组件围绕该转动轴轴向转动，从而使得第一传送组件的第二端和第二传送组件的第二端沿着工件传送方向往复运动，将工件运送进入或运送出腔室。
在一种实施方式中，第一传送组件的第一端耦合该支撑组件，以及该第二传送组件的第一端耦合该支撑组件，该耦合为固定耦合。
例如，支撑组件包括固定轴，第一传送组件的第一端和第二传送组件的第一端分别与固定轴固定连接。可以控制固定轴带动第一传送组件和第二传送组件转动，从而使得第一传送组件的第二端和第二传送组件的第二端沿着工件传送方向往复运动，将工件运送进入或运送出腔室。
在一种实施方式中，支撑组件204可以与阻隔组件203的至少一端耦合。该耦合可以为固定耦合、可转动耦合等。例如，支撑组件204与阻隔组件203的第一端固定连接，阻隔组件203的第二端随着支撑组件的转动而转动。再如，支撑组件204与阻隔组件203的两端可转动耦合。在支撑组件204带动传送组件转动的情况下，阻隔组件203可以不动。
在本公开实施例中，以上支撑组件与传送组件的连接方式，以及支撑组件与阻隔组件的连接方式，仅为举例说明，而非限制。在实际应用场景中，也可以采用其他可能的实现方式。例如，耦合也可以为悬浮连接。支撑组件与阻隔组件通过磁力等方式悬浮连接，使得支撑组件与阻隔组件之间具有一定的空隙，减少二者之间的摩擦力，使得二者之间的相对转动更加顺畅。
在一种示例中，第一传送组件201之上的进腔室的第一工件具有较低的温度，第二传送组件202之上的出腔室的第二工件经过处理后具有较高的温度。如果第一传送组件201和第二传送组件202之间没有阻隔组件203，由于热量可以从温度高的物体传递到温度低的物体，第二传送组件202之上的出腔室的第二工件的热量会传递到第一传送组件201之上的第一工件。如果在第一传送组件201和第二传送组件202之间设置有阻隔组件203，可以阻隔第二传送组件202之上的第二工件的热量传递到第一传送组件201之上的第一工件。当然，如果第二传送组件也从腔室或工件中吸收了热量，阻隔组件203也可以阻隔第二传送组件202的热量传递到第一传送组件201之上的第一工件。这样可以阻隔第二传送组件202之上的第二工件对第一传送组件201之上的第一工件产生影响，有利于采用可重复的工艺对工件进行处理，提高工件产量。
例如，在第一时间段通过第一传送组件传送进腔室的第一工件的去灰速率是V1，设置阻隔组件的情况下，在第二时间段通过第一传送组件传送进腔室的第一工件的去灰速率是V2，V1可以等于V2。因此，通过阻隔组件可以实现工件的去灰速率重复。
例如，如果需要去除晶圆上的光阻，通过阻隔组件203阻隔第一传送组件201之上的晶圆和第二传送组件202之上的晶圆的能量传递，可以消除第二传送组件202之上的晶圆的能量对第一传送组件201之上的晶圆的光阻的影响，保证去灰速率的可重复性。这样，有利于减少去灰时间，提高产量，降低机台维护成本，暖机时间短。
图3是根据本公开另一实施例的传送装置的示意图。在上述实施例的基础上，在一种实施方式中，该阻隔组件203阻隔组件位于第一传送组件201下方，以及第二传送组件202的上方。阻隔组件203可以用于阻隔位于该第二传送组件202之上的第二工件向位于该第一传送组件201之上的第一工件传递热量。例如，传送装置的第一传送组件201向腔室传送第一工件与第二传送组件202从腔室传送出第二工件的过程，可以是同步的，也可以是交替的。如果是同步的，第一传送组件201可以一直位于第二传送组件202的上方。如果是交替的，则第一传送组件201可以有部分时间位于第二传送组件202的上方。在第一传送组件201位于第二传送组件202的上方的情况下，第二传送组件202之上的第二工件更容易向位于第一传送组件201之上的第一工件传递热量。阻隔组件203可以有效阻隔下方的第二传送组件202之上的第二工件向上方的第一传送组件201之上的第一工件传递热量。如果第一传送组件201之上的第一工件具有光阻，可以消除第一传送组件201之上的第一工件的光阻收缩的效应，保证去灰速率的可重复性。
在一种实施方式中，该第一传送组件201包括至少一个传送臂，该传送臂用于向该腔室传送第一工件，即需要处理的工件。
在一种实施方式中，该第二传送组件202包括至少一个传送臂，该传送臂用于从该腔室传送出第二工件，即已处理的工件。
本公开实施例中，并不限定第一传送组件或第二传送组件中包括的传送臂的数量，具体可以根据腔室的处理能力灵活设置。
在一种实施方式中，参见图3，该第一传送组件201包括第一传送臂301，该第二传送组件202包括第二传送臂302，该第一传送臂301和该第二传送臂302是上下同轴的；该第一传送臂的一端和该第二传送臂的一端分别连接在该支撑组件的第一轴401。例如，第一传送臂301的一端连接在第一轴的上方，另一端可以绕着轴转动一定角度；第二传送臂302的一端连接在第一轴的下方，另一端可以绕着轴转动一定角度。第一传送臂301和第二传送臂302连接在同一轴有利于对二者进行同步控制。控制第一传送臂301和第二传送臂302绕着第一轴朝向腔室转动，第一传送臂301可以向腔室传送第一工件，第二传送臂302将接收到出腔室的第二工件。控制第一传送臂301和第二传送臂302绕着第一轴远离腔室转动，第一传送臂301可以接收新的需要处理的第一工件，第二传送臂302将出腔室的已处理的第二工件传送回晶舟。
在一种实施方式中，该阻隔组件203用于阻隔位于该第二传送臂302之上的第二工件向位于该第一传送臂301之上的第一工件传递热量。这种情况下，该阻隔组件203的第一端可以连接在第一传送臂301和第二传送臂302所在的第一轴，该阻隔组件203的第二端可以悬空，也可以连接其他的组件例如其他的轴。
例如，阻隔组件203可以有效阻隔下方的第二传送臂302之上的第二工件向上方的第一传送臂301之上的第一工件传递热量。如果第一传送臂301之上的第一工件具有光阻，可以消除第一传送臂301之上的第一工件的光阻收缩的效应，保证去灰速率的可重复性。
在一种实施方式中，参见图4A和图4B，该第一传送组件201还包括第三传送臂303，该第二传送组件202还包括第四传送臂304，该第三传送臂303和该第四传送臂304是上下同轴的，该第三传送臂303的一端和该第四传送臂304的一端分别连接在该支撑组件204的第二轴402。例如，第一传送组件201包括第一传送臂301和第三传送臂303。第二传送组件包括第二传送臂302和第四传送臂304。这四个传送臂中，第一传送臂301和第二传送臂302是上下同轴的，第三传送臂303和第四传送臂304是上下同轴的，可以实现双轴交叉，能够更快的传送工件。此外，在水平投影方向上，第一传送臂301和第三传送臂303可以看作是对称的，第二传送臂302和第四传送臂304可以看作是对称的。
在一种实施方式中，该阻隔组件203用于阻隔位于该第二传送臂302之上的第二工件和该第四传送臂304之上的第四工件向位于该第一传送臂301之上的第一工件和该第三传送臂303之上的第三工件传递热量。其中，第一工件和第三工件为待处理工件，第二工件和第四工件为已处理工件。本示例的阻隔组件可以阻隔分别位于该第二传送臂302和该第四传送臂304之上的已处理工件，向分别位于该第一传送臂301和该第三传送臂303之上的已处理工件传递热量。
在本实施例中，虽然以第一传送组件和第二传送组件分别包括1个或2个传送臂为例进行说明，但实际应用场景中，可以包括更多的传送臂，本公开不限定传送臂的具体数量。此外，在本实施例中，也不限定待处理工件以及已处理工件的具体数量。
在一种实施方式中，阻隔组件203具有第一端和第二端，该阻隔组件203的第一端连接在该第一传送臂301所连接的第一轴401(也即第二传送臂302所连接的轴)，该阻隔组件203的第二端连接在第三传送臂303所连接的第二轴402(也即第四传送臂304所连接的轴)。
在一种实施方式中，该阻隔组件203的宽度可以大于各个传送臂的最大宽度，该阻隔组件203的长度可以略长于传送臂的长度，有利于在更大的范围内阻隔热量传递。
在本实施例中，阻隔组件203可以有效阻隔下方的第二传送臂302之上的第二工件和第四传送臂304之上的第四工件，向上方的第一传送臂301之上的第一工件和第三传送臂303之上的第三工件传递热量。如果第一传送臂301之上的第一工件和第三传送臂303之上的第三工件具有光阻，可以消除第一工件和第三工件的光阻收缩的效应，保证去灰速率的可重复性。
图5是根据本公开另一实施例的传送装置的示意图。在图2所示的实施例的基础上，在一种实施方式中，该第一传送组件201包括第一传送臂305，第二传送组件202包括第二传送臂306，该第一传送臂305和该第二传送臂306是对称的。例如，该第一传送臂305和该第二传送臂306在水平投影方向上是对称的。
在一种实施方式中，该第一传送臂305的一端连接在该支撑组件204的第一轴501，该第二传送臂306的一端连接在该支撑组件204的第二轴502。也即是说，第一传送臂305和第二传送臂306的一端分别连接在支撑组件的不同的轴。
在一种实施方式中，该阻隔组件203用于阻隔位于该第二传送臂306之上的第二工件向位于该第一传送臂305之上的第一工件传递热量。
在一种实施方式中，该阻隔组件203具有第一端和第二端，该阻隔组件的第一端连接在该第一传送臂305所连接的该第一轴501，该阻隔组件203的第二端连接在该第二传送臂306所连接的该第二轴502。
在本实施例中，阻隔组件203可以有效阻隔下方的第二传送臂306之上的第二工件，向上方的第一传送臂305之上的第一工件传递热量。如果第一传送臂305之上的工件具有光阻，可以消除第一传送臂305之上的第一工件的光阻收缩的效应，保证去灰速率的可重复性。
在一种实施方式中，该阻隔组件203设置为阻隔该第一传送组件之上的工件和该第二传送组件之上的工件的红外辐射。
在一种应用场景中，为了实现快速传送，处理系统可以采用配备有例如4个双轴交叉机械手臂的传送腔，参见图4A和图4B的传送装置。处理系统的传送腔可以为上述实施例中传送装置的示例，传送腔中的4个交叉机械手臂可以为上述实施例中的传送臂的示例。左右侧转轴都连接两个机械手臂，分别放置对应腔室A和B进/出的工件例如晶圆。通常，出腔室的晶圆带有腔室内工艺的高温，进腔室的晶圆温度较低。
这种结构可以使得处理系统同一时间可以传送4片晶圆。其中在上面的2片晶圆准备进到腔室进行工艺，下面的2片晶圆则结束工艺准备返回晶舟。此时，这4片晶圆可能会在垂直投影方向上位置重叠。上面的2片晶圆可能会收到因为下面带有高温的晶圆的影响。例如，上面的晶圆的光阻发生一定的收缩，产生一个相对较高的去灰速率，使得去灰速率不重复。除了最先进入腔室的2片晶圆的去灰速率较慢，其他的晶圆去灰速率较快。
在处理系统的传送腔中的下传输机械手臂和上传输机械手臂之间增加阻隔组件例如隔板，可以阻隔上下传输机械手臂上的晶圆之间的热量传递例如红外辐射，使进腔室的晶圆温度保持在同一水平上，减少对上面的晶圆上的影响，保证去灰速率的可重复性。
在本示例中，以上传输机械手臂包括2个机械手臂，下传输机械手臂也包括2个机械手臂为例进行说明。隔板的位置可以设置在上传输机械手臂的最下层的机械手臂之下，以及下传输机械手臂最上层的机械手臂之上。上述上传输机械手臂包括2个机械手臂，下传输机械手臂也包括2个机械手臂仅为示例，而非限制。在实际应用场景中，上传输机械手臂和下传输机械手臂的数量可以变化。例如，上传输机械手臂为4个，下传输机械手臂为4个。此外，上传输机械手臂和下传输机械手臂的数量可以相同，也可以不同。
等离子处理在半导体工业中广泛用于半导体晶片和其他基板的沉积、蚀刻、抗蚀剂去除以及相关处理。等离子体源(例如，微波、ECR、感应等)通常用于等离子体处理，产生高密度等离子体和反应性物质，以用于处理基板。在一种应用场景中，本公开实施例中的处理系统可以包括等离子体去胶机台，例如12寸等离子体去胶机台。等离子体去胶机台可用于去光阻(即光刻胶或光致抗蚀剂)。
在对工件例如晶圆进行工艺时，可重复的去灰速率是一个重点关注的指标。由于晶圆上的光阻(或称为光刻胶)对温度非常敏感，使得光阻容易被环境影响，比如传送路径、温度等可能影响光阻。
例如，处理系统包括等离子体去胶机台，该机台的传送装置可以参见图4A和图4B。由于出腔室的晶圆带有腔室内去胶工艺的高温，进腔室的晶圆温度较低，上面的2片晶圆上的光阻会因为下面带有高温的晶圆而发生一定的收缩，产生一个相对较高的去灰速率，使得去灰速率不重复(例如差异>4％)。通过在等离子体去胶机台的传送腔中的下传输机械手臂和上传输机械手臂之间增加阻隔组件例如隔板，可以阻隔上下传输机械手臂上的晶圆之间的热量传递，使进腔室的晶圆温度保持在同一水平上，防止上面的晶圆上的光阻收缩，有效消除光阻收缩的影响，保证去灰速率的可重复性。
尽管上面已经通过对本公开的具体实施例的描述对本公开进行了披露，但是，上述具体实施方式，并不构成对本公开保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本公开的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本公开保护范围之内。

Claims (31)

1.一种传送装置，包括：
第一传送组件，用于向腔室传送第一工件；
第二传送组件，用于从所述腔室传送出第二工件；
阻隔组件，设置于所述第一传送组件与所述第二传送组件之间，用于阻隔所述第一工件和所述第二工件的能量传递；
支撑组件，用于将所述阻隔组件限制在所述第一传送组件与所述第二传送组件之间；
其中，所述第一传送组件的第一端耦合所述支撑组件，所述第一传送组件的第二端用于沿着第一工件传送方向往复运动；并且，所述第二传送组件的第一端耦合所述支撑组件，所述第二传送组件的第二端用于沿着第二工件传送方向往复运动。
2.根据权利要求1所述的传送装置，其中，所述第二工件的温度高于所述第一工件的温度，所述隔离组件用于阻隔所述第二工件向所述第一工件传送能量，以降低对所述第一工件的光阻收缩的效应而增强去灰速率的可重复性。
3.根据权利要求2所述的传送装置，其中，所述阻隔组件位于所述第一传送组件下方，以及所述第二传送组件的上方。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的传送装置，其中所述能量包括红外辐射，所述红外辐射的波长范围为约1微米至约20微米。
5.根据权利要求1至3中任一项中所述的传送装置，其中所述阻隔组件包括红外反射表面以阻隔所述红外辐射。
6.根据权利要求1至3中任一项中所述的传送装置，其中所述阻隔组件包括冷源以降低所述阻隔组件温度。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的传送装置，其中所述阻隔组件的厚度范围为约2.5毫米至约3.5毫米。
8.根据权利要求1至3中任一项中任一项所述的传送装置，其中所述阻隔组件与所述第一传送组件和所述第二传送组件垂直投影方向上等间隔。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的传送装置，其中所述阻隔组件由金属构成。
10.根据权利要求9所述的传送装置，其中所述金属为铝。
11.根据权利要求10所述的传送装置，其中所述铝为6061-T6铝。
12.根据权利要求9所述的传送装置，其中所述金属包括红外反射层。
13.根据权利要求12所述的传送装置，其中所述红外反射层面向所述第二传送组件。
14.根据权利要求1至3中任一项所述的传送装置，其中所述阻隔组件由非金属构成。
15.根据权利要求14所述的传送装置，其中所述非金属包括PTFE、石墨、石英、陶瓷中的至少之一或其组合。
16.根据权利要求1至3中任一项所述的传送装置，其中所述第一传送组件和所述第二传送组件垂直投影方向上的距离的范围为约4毫米至约5毫米。
17.根据权利要求1至3中任一项所述的传送装置，其中，所述第一传送组件包括至少一个传送臂，所述传送臂用于向所述腔室传送第一工件。
18.根据权利要求1至3中任一项所述的传送装置，其中，所述第二传送组件包括至少一个传送臂，所述传送臂用于从所述腔室传送出第二工件。
19.根据权利要求1至3中任一项所述的传送装置，其中，所述第一传送组件包括第一传送臂，所述第二传送组件包括第二传送臂，所述第一传送臂和所述第二传送臂是上下同轴的，所述第一传送臂的一端和所述第二传送臂的一端分别连接在所述支撑组件的第一轴。
20.根据权利要求19所述的传送装置，其中，所述第一传送组件还包括第三传送臂，所述第二传送组件还包括第四传送臂，所述第三传送臂和所述第四传送臂是上下同轴的，所述第三传送臂的一端和所述第四传送臂的一端分别连接在所述支撑组件的第二轴。
21.根据权利要求20所述的传送装置，其中，所述阻隔组件用于阻隔位于所述第二传送臂之上的第二工件和所述第四传送臂之上的第四工件向位于所述第一传送臂之上的第一工件和所述第三传送臂之上的第三工件传递热量。
22.根据权利要求20所述的传送装置，其中，所述阻隔组件具有第一端和第二端，所述阻隔组件的第一端连接在所述第一传送臂所连接的所述第一轴，所述阻隔组件的第二端连接在所述第三传送臂所连接的所述第二轴。
23.根据权利要求1至3中任一项所述的传送装置，其中，所述第一传送组件包括第一传送臂，第二传送组件包括第二传送臂，所述第一传送臂和所述第二传送臂是对称的，所述第一传送臂的一端连接在所述支撑组件的第一轴，所述第二传送臂的一端连接在所述支撑组件的第二轴。
24.根据权利要求23所述的传送装置，其中，所述阻隔组件具有第一端和第二端，所述阻隔组件的第一端连接在所述第一传送臂所连接的所述第一轴，所述阻隔组件的第一端连接在所述第一传送臂所连接的所述第一轴，所述阻隔组件的第二端连接在所述第二传送臂所连接的所述第二轴。
25.根据权利要求1至3中任一项所述的传送装置，其中，所述第一传送组件的第一端耦合所述支撑组件，以及所述第二传送组件的第一端耦合所述支撑组件，所述耦合为可转动耦合。
26.根据权利要求25中所述的传送装置，其中，沿着第一工件传送方向往复运动，以及沿着第二工件传送方向往复运动，所述往复运动为围绕转动轴的轴向转动；所述可转动耦合为相对于该转动轴的可转动耦合。
27.根据权利要求1至3中任一项所述的传送装置，其中，所述第一传送组件的第一端耦合所述支撑组件，以及所述第二传送组件的第一端耦合所述支撑组件，所述耦合为固定耦合。
28.一种处理系统，包括：
腔室，用于对工件进行处理；
传送装置，用于向腔室传送第一工件，以及从所述腔室传送出第二工件，所述传送装置采用如权利要求1至27中任一项所述的传送装置。
29.根据权利要求28中所述的处理系统，其中所述处理系统为半导体晶圆处理系统；所述第一工件和所述第二工件为半导体晶圆。
30.根据权利要求29中所述的处理系统，其中所述半导体晶圆处理系统为等离子体去胶机台。
31.根据权利要求28所述的处理系统，其中所述阻隔组件用于阻隔所述第二传送组件之上的高温半导体晶圆向所述第一传送组件之上的低温半导体晶圆的热辐射，以降低对所述低温半导体晶圆的光阻收缩的效应而增强去灰速率的可重复性。
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