CN113484605B - 一种充电机超高次谐波发射评估方法、装置及存储介质 - Google Patents

一种充电机超高次谐波发射评估方法、装置及存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种充电机超高次谐波发射评估方法、装置及存储介质，该方法包括：采用双重傅里叶分析法对单模块整流电路进行分析，建立单模块整流电路超高次谐波电压扰动模型；基于单模块整流电路超高次谐波电压扰动模型，构建多模块并联的单台充电机超高次谐波原生发射模型；基于单台充电机超高次谐波原生发射模型，计算单台充电机超高次谐波发射电流；根据电压扰动模型和单台充电机超高次谐波发射电流确定单台充电机超高次谐波电流频带分布规律与特征频带发射幅值。通过实施本发明，对单模块整流电路进行分析，实现了对多模块并联的充电机超高次谐波发射电流的计算和分析，弥补了现有技术中对于充电机超高次谐波发射机理与评估方法存在的空缺。

Description

一种充电机超高次谐波发射评估方法、装置及存储介质
技术领域
本发明涉及电能质量分析技术领域，具体涉及一种充电机超高次谐波发射评估方法、装置及存储介质。
背景技术
随着节能降耗与环境保护政策的实施，清洁高效的能源利用成为主流，新型用能设备广泛接入，电力电子设备开关频率不断升高，充电机等设备制造商使用有源功率因数校正(Active Power Factor Correction，APFC)装置或PWM整流器等开关型电力电子设备来满足2kHz以下的低频谐波发射限值要求并提高设备的功率因数。采用这些技术会使得发射从低于2kHz的经典谐波向2kHz至150kHz范围内的更高频率的转移，从而引发了新的电能质量问题。研究发现，超高次谐波发射会导致诸多电气设备的工作异常，例如PLC抄表系统中智能电表与集中器通讯失败、数控铣床控制功能故障、触控调光灯控制失灵、漏电断路器意外跳闸、干扰医疗设备等。给电力用户和企业带来经济损失。
电动汽车充电机是典型的超高次谐波源之一，随着新能源汽车产业发展规划的提出与新基建的展开，电动汽车充电机迎来了爆发式增长。可以预见，随着充电机渗透率的提高、开关频率的升高，在不同环境下配电网中充电机引起的超高次谐波污染问题将更加严峻。充电机超高次谐波问题已成为极具必要性和紧迫性的新型电能质量专题。然而目前针对超高次谐波的研究尚处于起步阶段，对于充电机超高次谐波发射机理与评估方法的研究尚浅。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了一种充电机超高次谐波发射评估方法、装置及存储介质，以解决现有技术中对于充电机超高次谐波发射机理与评估方法存在空缺的技术问题。
本发明提出的技术方案如下：
本发明实施例第一方面提供一种充电机超高次谐波发射评估方法，包括：采用双重傅里叶分析法对单模块整流电路进行分析，建立单模块整流电路超高次谐波电压扰动模型；基于单模块整流电路超高次谐波电压扰动模型，构建多模块并联的单台充电机超高次谐波原生发射模型；基于单台充电机超高次谐波原生发射模型，计算单台充电机超高次谐波发射电流；根据电压扰动模型和单台充电机超高次谐波发射电流确定单台充电机超高次谐波电流频带分布规律与特征频带发射幅值。
可选地，该充电机超高次谐波发射评估方法还包括：基于单台充电机超高次谐波原生发射模型，计算多台相同开关频率充电机并联的超高次谐波发射电流；根据电压扰动模型和多台相同开关频率充电机并联的超高次谐波发射电流确定多台相同开关频率充电机并联时超高次谐波电流频带分布规律与特征频带发射幅值。
可选地，该充电机超高次谐波发射评估方法还包括：基于单台充电机超高次谐波原生发射模型，计算多台不同开关频率充电机并联的超高次谐波发射电流；根据电压扰动模型和多台不同开关频率充电机并联的超高次谐波发射电流确定多台不同开关频率充电机并联时超高次谐波电流频带分布规律与特征频带发射幅值。
可选地，单模块整流电路超高次谐波电压扰动模型包括：基于同相层叠式载波空间矢量调制的单模块整流电路超高次谐波电压扰动模型和基于反相层叠式载波空间矢量调制的单模块整流电路超高次谐波电压扰动模型。
可选地，单台充电机超高次谐波发射电流通过以下公式计算得到：
Figure GDA0003515159000000031
其中，
Figure GDA0003515159000000032
Figure GDA0003515159000000033
为充电机超高次谐波原生发射模型中等效超高次谐波源，Zc为相应开关频率下滤波器容抗，Zb为相应开关频率下Boost电感感抗，Zg为相应开关频率下网络阻抗，
Figure GDA0003515159000000034
为单模块整流电路超高次谐波电压，k为并联的多个模块的个数。
可选地，多台相同开关频率充电机并联时单台充电机的超高次谐波发射电流通过以下公式计算得到：
Figure GDA0003515159000000035
其中，
Figure GDA0003515159000000036
是并联的第一充电机的超高次谐波源，Z1为
Figure GDA0003515159000000037
对应的第一充电机的等效并联阻抗，Zg是
Figure GDA0003515159000000038
对应的网络阻抗，n为并联的相同开关频率充电机个数。
可选地，两台不同开关频率充电机并联时第一充电机本身发射的超高次谐波电流通过以下公式计算得到：
Figure GDA0003515159000000039
其中，
Figure GDA00035151590000000310
是并联的第一充电机的超高次谐波源，Z1为
Figure GDA00035151590000000311
对应的第一充电机的等效并联阻抗，Z2为
Figure GDA00035151590000000312
对应并联的第二充电机的等效并联阻抗，，Zg是
Figure GDA00035151590000000313
对应的网络阻抗。
本发明实施例第二方面提供一种充电机超高次谐波发射评估装置，包括：电路分析模块，用于采用双重傅里叶分析法对单模块整流电路进行分析，建立单模块整流电路超高次谐波电压扰动模型；模型构建模块，用于基于单模块整流电路超高次谐波电压扰动模型，构建多模块并联的单台充电机超高次谐波原生发射模型；电流计算模块，用于基于单台充电机超高次谐波原生发射模型，计算单台充电机超高次谐波发射电流；特征分析模块，用于根据电压扰动模型和单台充电机超高次谐波发射电流确定单台充电机超高次谐波电流频带分布规律与特征频带发射幅值。
本发明实施例第三方面提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使所述计算机执行如本发明实施例第一方面及第一方面任一项所述的充电机超高次谐波发射评估方法。
本发明实施例第四方面提供一种电子设备，包括：存储器和处理器，所述存储器和所述处理器之间互相通信连接，所述存储器存储有计算机指令，所述处理器通过执行所述计算机指令，从而执行如本发明实施例第一方面及第一方面任一项所述的充电机超高次谐波发射评估方法。
本发明提供的技术方案，具有如下效果：
本发明实施例提供的充电机超高次谐波发射评估方法、装置及存储介质，通过采用双重傅里叶分析法对单模块整流电路进行分析，建立单模块整流电路超高次谐波电压扰动模型；基于该模型构建了多模块并联的单台充电机超高次谐波原生发射模型；由此计算得到单台充电机超高次谐波发射电流；从电压扰动模型和单台充电机超高次谐波发射电流可以确定单台充电机超高次谐波电流频带分布规律与特征频带发射幅值。由此，该评估方法通过对单模块整流电路的分析，实现了对多模块并联的充电机超高次谐波发射电流的计算和分析，弥补了现有技术中对于充电机超高次谐波发射机理与评估方法存在的空缺。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据本发明实施例的充电机超高次谐波发射评估方法的流程图；
图2是根据本发明实施例的充电机电路拓扑结构图；
图3是根据本发明实施例的多模块整流电路超高次谐波电压扰动模型示意图；
图4是根据本发明实施例的多模块并联的单台充电机超高次谐波原生发射模型示意图；
图5是根据本发明另一实施例的充电机超高次谐波发射评估方法的流程图；
图6是根据本发明实施例的多台相同开关频率充电机并联示意图；
图7是根据本发明另一实施例的充电机超高次谐波发射评估方法的流程图；
图8是根据本发明实施例的两台不同开关频率充电机并联示意图；
图9是根据本发明实施例的充电机超高次谐波发射评估装置的结构框图；
图10是根据本发明实施例提供的计算机可读存储介质的结构示意图；
图11是根据本发明实施例提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种充电机超高次谐波发射评估方法，如图1所示，该评估方法包括如下步骤：
步骤S101：采用双重傅里叶分析法对单模块整流电路进行分析，建立单模块整流电路超高次谐波电压扰动模型；具体地，该整流电路可以选择Vieena型整流电路。Vieena型整流电路作为一种三电平拓扑，适用于高电压，大功率的研究领域，相比于传统的两电平拓扑结构，Vieena型整流电路可以有效降低开关管的电压应力以及交流侧的谐波含量；相比于二极管箝位型的三电平拓扑结构，其每个桥臂上只需要一个开关管，可以有效避免上下桥臂的直通问题，从而简化控制环节。
在一实施例中，在分析时，首先确定Vieena型整流电路载波调制方法，采用双重傅里叶分析方法对单模块Vieena整流电路进行分析，在分析时假设实际调制比为M，直流侧电压为VDC。具体地，通过分析，可以建立基于同相/反相层叠式载波空间矢量调制的单模块Vieena型整流电路超高次谐波电压扰动模型。
具体地，基于同相层叠式载波空间矢量调制的单模块Vieena型整流电路超高次谐波电压表达式为：
us＝A1cos[(2m-1)ωct]+A2cos[2mωct+(2n-1)ωgt]+A3cos[(2m-1)ωct+2nωgt]
式中，
Figure GDA0003515159000000061
Figure GDA0003515159000000062
Figure GDA0003515159000000063
ωc为开关频率角频率，ωg为工频角频率，m和n均为整数，如0、±1、±2、±3……；J2k－1为2k－1次的贝塞尔函数，J2n+1为2n+1次的贝塞尔函数，M为调制比，VDC为直流侧电压。
基于反相层叠式载波空间矢量调制的单模块Vieena型整流电路超高次谐波电压表达式为：
us＝A1 cos[mωct+(2n+1)ωgt]
式中：
Figure GDA0003515159000000071
步骤S102：基于单模块整流电路超高次谐波电压扰动模型，构建多模块并联的单台充电机超高次谐波原生发射模型。具体地，充电机可以是电动汽车充电机，也可以是用于电力，通讯，铁路，航船等领域中。
在一实施例中，多模块并联的单台充电机电路拓扑结构如图2所示，其中，整流电路为Vieena型整流电路，除Vieena模块外，该充电机电路还包括滤波器、电感Lb、整流桥、双向开关、直流母线以及外部输入的交流电源。多模块整流电路超高次谐波电压扰动模型如图3所示，其中，
Figure GDA0003515159000000072
为k个Vieena模块并联时单台充电机超高次谐波发射电流，Zc为相应开关频率下滤波器容抗，Zb为相应开关频率下Boost电感感抗，Zg为相应开关频率下网络阻抗，
Figure GDA0003515159000000073
至
Figure GDA0003515159000000074
为k个模块整流电路超高次谐波电压。图4所示为图3的频域模型等效示意图，
Figure GDA0003515159000000075
是单台充电机的超高次谐波源，Z1为
Figure GDA0003515159000000076
对应的单台充电机的等效并联阻抗。
步骤S103：基于单台充电机超高次谐波原生发射模型，计算单台充电机超高次谐波发射电流；具体地，基于上述图4构建的原生发射模型，则单台充电机超高次谐波发射电流通过以下公式计算得到：
Figure GDA0003515159000000077
其中，
Figure GDA0003515159000000081
Figure GDA0003515159000000082
为充电机超高次谐波原生发射模型中等效超高次谐波源，Zc为相应开关频率下滤波器容抗，Zb为相应开关频率下Boost电感感抗，Zg为相应开关频率下网络阻抗，
Figure GDA0003515159000000083
为单模块整流电路超高次谐波电压，k为并联的多个模块的个数。
步骤S104：根据电压扰动模型和单台充电机超高次谐波发射电流确定单台充电机超高次谐波电流频带分布规律与特征频带发射幅值。具体地，频带分布规律可以由电压扰动模型确定，即可以从基于同相层叠式载波空间矢量调制的单模块Vieena型整流电路超高次谐波电压表达式和基于反相层叠式载波空间矢量调制的单模块Vieena型整流电路超高次谐波电压表达式中确定。特征频带发射幅值可以由单台充电机超高次谐波发射电流表达式确定。
本发明实施例提供的充电机超高次谐波发射评估方法，通过采用双重傅里叶分析法对单模块整流电路进行分析，建立单模块整流电路超高次谐波电压扰动模型；基于该模型构建了多模块并联的单台充电机超高次谐波原生发射模型；由此计算得到单台充电机超高次谐波发射电流；从电压扰动模型和单台充电机超高次谐波发射电流可以确定单台充电机超高次谐波电流频带分布规律与特征频带发射幅值。由此，该评估方法通过对单模块整流电路的分析，实现了对多模块并联的充电机超高次谐波发射电流的计算和分析，弥补了现有技术中对于充电机超高次谐波发射机理与评估方法存在的空缺。
作为本发明实施例的一种可选的实施方式，如图5所示，该充电机超高次谐波发射评估方法还包括：
步骤S201：基于单台充电机超高次谐波原生发射模型，计算多台相同开关频率充电机并联的超高次谐波发射电流；具体地，当多台相同开关频率充电机并联时，其结构如图6所示，其中，
Figure GDA0003515159000000084
至
Figure GDA0003515159000000085
分别表示并联的充电机的超高次谐波源，Z1至Zn为对应的每个充电机的等效并联阻抗，Zg是
Figure GDA0003515159000000091
对应的网络阻抗，
Figure GDA0003515159000000092
为多台相同开关频率充电机并联时单台充电机的超高次谐波发射电流，
Figure GDA0003515159000000093
为流入网侧的超高次谐波电流。
具体地，基于原生发射模型，计算的多台相同开关频率充电机并联时单台充电机超高次谐波发射电流可以通过以下公式计算得到：
Figure GDA0003515159000000094
其中，
Figure GDA0003515159000000095
是并联的第一充电机的超高次谐波源，Z1为
Figure GDA0003515159000000096
对应的第一充电机的等效并联阻抗，Zg是
Figure GDA0003515159000000097
对应的网络阻抗，n为并联的相同开关频率充电机个数。
流入网侧的超高次谐波电流
Figure GDA0003515159000000098
可以由以下公式表示：
Figure GDA0003515159000000099
步骤S202：根据电压扰动模型和多台相同开关频率充电机并联的超高次谐波发射电流确定多台相同开关频率充电机并联时超高次谐波电流频带分布规律与特征频带发射幅值。具体地，频带分布规律可以由电压扰动模型确定，即可以从基于同相层叠式载波空间矢量调制的单模块Vieena型整流电路超高次谐波电压表达式和基于反相层叠式载波空间矢量调制的单模块Vieena型整流电路超高次谐波电压表达式中确定。特征频带发射幅值可以由多台相同开关频率充电机并联的超高次谐波发射电流表达式确定。
作为本发明实施例的一种可选的实施方式，如图7所示，该充电机超高次谐波发射评估方法还包括：
步骤S301：基于单台充电机超高次谐波原生发射模型，计算多台不同开关频率充电机并联的超高次谐波发射电流；在一实施例中，以两台不同开关频率充电机并联为例，如图8所示，为两台不同开关频率充电机并联示意图。其中，
Figure GDA0003515159000000101
为两台不同开关频率充电机并联时充电机1本身发射的超高次谐波电流，
Figure GDA0003515159000000102
为两台不同开关频率充电机并联时充电机1本身发射的超高次谐波电流流入充电机2的超高次谐波电流分量，
Figure GDA0003515159000000103
为充电机1发射的超高次谐波电流
Figure GDA0003515159000000104
流入网侧的超高次谐波电流，
Figure GDA0003515159000000105
表示充电机1的超高次谐波源，Z1和Z2分别为
Figure GDA0003515159000000106
对应的充电机1和2的等效并联阻抗，Zg是
Figure GDA0003515159000000107
对应的网络阻抗。
两台不同开关频率充电机并联时第一充电机即充电机1本身发射的超高次谐波电流通过以下公式计算得到：
Figure GDA0003515159000000108
其中，
Figure GDA0003515159000000109
是并联的第一充电机的超高次谐波源，Z1为
Figure GDA00035151590000001010
对应的第一充电机的等效并联阻抗，Z2是
Figure GDA00035151590000001011
对应第二充电机的等效并联阻抗，Zg是
Figure GDA00035151590000001012
对应的网络阻抗。
第一充电机即充电机1发射的超高次谐波电流
Figure GDA00035151590000001013
流入电网的超高次谐波电流分量
Figure GDA00035151590000001014
计算公式如下：
Figure GDA00035151590000001015
步骤S302：根据电压扰动模型和多台不同开关频率充电机并联的超高次谐波发射电流确定多台不同开关频率充电机并联时超高次谐波电流频带分布规律与特征频带发射幅值。具体地，频带分布规律可以由电压扰动模型确定，即可以从基于同相层叠式载波空间矢量调制的单模块Vieena型整流电路超高次谐波电压表达式和基于反相层叠式载波空间矢量调制的单模块Vieena型整流电路超高次谐波电压表达式中确定。特征频带发射幅值可以由多台不同开关频率充电机并联的超高次谐波发射电流表达式确定。
本发明实施例还提供一种充电机超高次谐波发射评估装置，如图9所示，该装置包括：
电路分析模块，用于采用双重傅里叶分析法对单模块整流电路进行分析，建立单模块整流电路超高次谐波电压扰动模型；详细内容参见上述方法实施例中步骤S101的相关描述。
模型构建模块，用于基于单模块整流电路超高次谐波电压扰动模型，构建多模块并联的单台充电机超高次谐波原生发射模型；详细内容参见上述方法实施例中步骤S102的相关描述。
电流计算模块，用于基于单台充电机超高次谐波原生发射模型，计算单台充电机超高次谐波发射电流；详细内容参见上述方法实施例中步骤S103的相关描述。
特征分析模块，用于根据电压扰动模型和单台充电机超高次谐波发射电流确定单台充电机超高次谐波电流频带分布规律与特征频带发射幅值。详细内容参见上述方法实施例中步骤S104的相关描述。
本发明实施例提供的充电机超高次谐波发射评估装置，通过采用双重傅里叶分析法对单模块整流电路进行分析，建立单模块整流电路超高次谐波电压扰动模型；基于该模型构建了多模块并联的单台充电机超高次谐波原生发射模型；由此计算得到单台充电机超高次谐波发射电流；从电压扰动模型和单台充电机超高次谐波发射电流可以确定单台充电机超高次谐波电流频带分布规律与特征频带发射幅值。由此，该评估装置通过对单模块整流电路的分析，实现了对多模块并联的充电机超高次谐波发射电流的计算和分析，弥补了现有技术中对于充电机超高次谐波发射机理与评估方法存在的空缺。
本发明实施例提供的充电机超高次谐波发射评估装置的功能描述详细参见上述实施例中充电机超高次谐波发射评估方法描述。
本发明实施例还提供一种存储介质，如图10所示，其上存储有计算机程序601，该指令被处理器执行时实现上述实施例中充电机超高次谐波发射评估方法的步骤。该存储介质上还存储有音视频流数据，特征帧数据、交互请求信令、加密数据以及预设数据大小等。其中，存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read－Only Memory，ROM)、随机存储记忆体(Random Access Memory，RAM)、快闪存储器(Flash Memory)、硬盘(Hard Disk Drive，缩写：HDD)或固态硬盘(Solid－State Drive，SSD)等；所述存储介质还可以包括上述种类的存储器的组合。
本领域技术人员可以理解，实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，所述存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read－Only Memory，ROM)、随机存储记忆体(RandomAccessMemory，RAM)、快闪存储器(Flash Memory)、硬盘(Hard Disk Drive，缩写：HDD)或固态硬盘(Solid－State Drive，SSD)等；所述存储介质还可以包括上述种类的存储器的组合。
本发明实施例还提供了一种电子设备，如图11所示，该电子设备可以包括处理器51和存储器52，其中处理器51和存储器52可以通过总线或者其他方式连接，图11中以通过总线连接为例。
处理器51可以为中央处理器(Central Processing Unit，CPU)。处理器51还可以为其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现场可编程门阵列(Field－Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等芯片，或者上述各类芯片的组合。
存储器52作为一种非暂态计算机可读存储介质，可用于存储非暂态软件程序、非暂态计算机可执行程序以及模块，如本发明实施例中的对应的程序指令/模块。处理器51通过运行存储在存储器52中的非暂态软件程序、指令以及模块，从而执行处理器的各种功能应用以及数据处理，即实现上述方法实施例中的充电机超高次谐波发射评估方法。
存储器52可以包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需要的应用程序；存储数据区可存储处理器51所创建的数据等。此外，存储器52可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非暂态存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非暂态固态存储器件。在一些实施例中，存储器52可选包括相对于处理器51远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至处理器51。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
所述一个或者多个模块存储在所述存储器52中，当被所述处理器51执行时，执行如图1－8所示实施例中的充电机超高次谐波发射评估方法。
上述电子设备具体细节可以对应参阅图1至图8所示的实施例中对应的相关描述和效果进行理解，此处不再赘述。
虽然结合附图描述了本发明的实施例，但是本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下做出各种修改和变型，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。

Claims (10)

1.一种充电机超高次谐波发射评估方法，其特征在于，包括：
采用双重傅里叶分析法对单模块整流电路进行分析，建立单模块整流电路超高次谐波电压扰动模型；
基于单模块整流电路超高次谐波电压扰动模型，构建多模块并联的单台充电机超高次谐波原生发射模型；
基于单台充电机超高次谐波原生发射模型，计算单台充电机超高次谐波发射电流；
根据电压扰动模型和单台充电机超高次谐波发射电流确定单台充电机超高次谐波电流频带分布规律与特征频带发射幅值。
2.根据权利要求1所述的充电机超高次谐波发射评估方法，其特征在于，还包括：
基于单台充电机超高次谐波原生发射模型，计算多台相同开关频率充电机并联的超高次谐波发射电流；
根据电压扰动模型和多台相同开关频率充电机并联的超高次谐波发射电流确定多台相同开关频率充电机并联时超高次谐波电流频带分布规律与特征频带发射幅值。
3.根据权利要求1所述的充电机超高次谐波发射评估方法，其特征在于，还包括：
基于单台充电机超高次谐波原生发射模型，计算多台不同开关频率充电机并联的超高次谐波发射电流；
根据电压扰动模型和多台不同开关频率充电机并联的超高次谐波发射电流确定多台不同开关频率充电机并联时超高次谐波电流频带分布规律与特征频带发射幅值。
4.根据权利要求1所述的充电机超高次谐波发射评估方法，其特征在于，单模块整流电路超高次谐波电压扰动模型包括：基于同相层叠式载波空间矢量调制的单模块整流电路超高次谐波电压扰动模型和基于反相层叠式载波空间矢量调制的单模块整流电路超高次谐波电压扰动模型。
5.根据权利要求1所述的充电机超高次谐波发射评估方法，其特征在于，单台充电机超高次谐波发射电流通过以下公式计算得到：
Figure DEST_PATH_IMAGE002
其中，
Figure DEST_PATH_IMAGE004
，
Figure DEST_PATH_IMAGE006
，
Figure DEST_PATH_IMAGE008
为充电机超高次谐波原生发射模型中等效超高次谐波源，Zc为相应开关频率下滤波器容抗，Zb为相应开关频率下Boost电感感抗，Zg为相应开关频率下网络阻抗，
Figure DEST_PATH_IMAGE010
为单模块整流电路超高次谐波电压，k为并联的多个模块的个数。
6.根据权利要求2所述的充电机超高次谐波发射评估方法，其特征在于，多台相同开关频率充电机并联时单台充电机的超高次谐波发射电流通过以下公式计算得到：
Figure DEST_PATH_IMAGE012
其中，
Figure DEST_PATH_IMAGE014
是并联的第一充电机的超高次谐波源，Z1为
Figure 23312DEST_PATH_IMAGE014
对应的第一充电机的等效并联阻抗，Zg是
Figure 471611DEST_PATH_IMAGE014
对应的网络阻抗，n为并联的相同开关频率充电机个数。
7.根据权利要求3所述的充电机超高次谐波发射评估方法，其特征在于，两台不同开关频率充电机并联时第一充电机本身发射的超高次谐波电流通过以下公式计算得到：
Figure DEST_PATH_IMAGE016
其中，
Figure DEST_PATH_IMAGE018
是并联的第一充电机的超高次谐波源，Z1为
Figure 110402DEST_PATH_IMAGE018
对应的第一充电机的等效并联阻抗，Z2为
Figure 912136DEST_PATH_IMAGE018
对应并联的第二充电机的等效并联阻抗，Zg是
Figure 255454DEST_PATH_IMAGE018
对应的网络阻抗。
8.一种充电机超高次谐波发射评估装置，其特征在于，包括：
电路分析模块，用于采用双重傅里叶分析法对单模块整流电路进行分析，建立单模块整流电路超高次谐波电压扰动模型；
模型构建模块，用于基于单模块整流电路超高次谐波电压扰动模型，构建多模块并联的单台充电机超高次谐波原生发射模型；
电流计算模块，用于基于单台充电机超高次谐波原生发射模型，计算单台充电机超高次谐波发射电流；
特征分析模块，用于根据电压扰动模型和单台充电机超高次谐波发射电流确定单台充电机超高次谐波电流频带分布规律与特征频带发射幅值。
9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使所述计算机执行如权利要求1-7任一项所述的充电机超高次谐波发射评估方法。
10.一种电子设备，其特征在于，包括：存储器和处理器，所述存储器和所述处理器之间互相通信连接，所述存储器存储有计算机指令，所述处理器通过执行所述计算机指令，从而执行如权利要求1-7任一项所述的充电机超高次谐波发射评估方法。
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