CN113454859A - 发光元件阵列芯片、发光装置、光学装置和信息处理装置 - Google Patents

发光元件阵列芯片、发光装置、光学装置和信息处理装置 Download PDF

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Abstract

一种发光元件阵列芯片，其具备：低功率用发光元件阵列，该低功率用发光元件阵列具有第一基板，形成在所述第一基板上的发光元件层，以及与所述发光元件层电连接的第一阴极电极；以及高功率用发光元件阵列，该高功率用发光元件阵列具有第二基板，形成在所述第二基板上的非p型下部反射镜，以及与所述非p型下部反射镜电连接的第二阴极电极，其中，所述低功率用发光元件阵列设置在所述高功率用发光元件阵列的射出面侧。

Description

发光元件阵列芯片、发光装置、光学装置和信息处理装置
技术领域
本发明涉及一种发光元件阵列芯片、发光装置、光学装置和信息处理装置。
背景技术
专利文献1公开了一种激光二极管驱动系统，其具备：第一高侧驱动电流源，其用于驱动包括一个以上的激光二极管的第一组二极管；第二高侧驱动电流源，其用于驱动包括一个以上的激光二极管的第二组二极管；能量存储电容器；以及能量存储电容器充电器，其用于对所述能量存储电容器进行充电。
专利文献2公开了一种VCSEL阵列，其构成为将VCSEL阵列分割为多个区域，到对象物的距离越远，越使更多的区域发光。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表第2016-507167号公报
专利文献2：美国专利公报第10135222号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而，在发光元件阵列中，从提高电力转换效率的观点出发，有由n型半导体或i型(本征)半导体等非p型半导体构成下部分布布拉格型反射镜的方法。
另外，在由非p型半导体构成下部分布布拉格型反射镜，并且与其他发光元件独立地驱动一部分发光元件的情况下，有将背面侧的阴极电极作为共用电极，并用一部分发光元件和其他发光元件对射出面侧的阳极电极进行分离，分别进行高侧驱动的方法。
在独立地驱动一部分发光元件和其他发光元件的情况下，从提高驱动速度的观点出发，期望有能够进行低侧驱动而不是高侧驱动的结构。
本公开的例示性的实施方式涉及提供一种在具有由非p型半导体构成的下部分布布拉格型反射镜的发光元件阵列芯片中，能够分别独立地使一部分发光元件和其他发光元件低侧驱动的发光元件阵列芯片、发光元件、光学装置以及信息处理装置。
用于解决课题的手段
[1]根据本公开的一个方面，提供了一种发光元件阵列芯片，其具备：第一发光元件阵列，该第一发光元件阵列包括第一发光元件，该第一发光元件具有第一基板，形成在所述第一基板上的发光元件层，以及与所述发光元件层电连接的第一阴极电极；以及第二发光元件阵列，该第二发光元件阵列包括第二发光元件，该第二发光元件具有第二基板，形成在所述第二基板上的非p型下部反射镜，以及与所述非p型下部反射镜电连接的第二阴极电极，其中，所述第一发光元件阵列设置在所述第二发光元件阵列的射出面侧。
[2]也可以是，在[1]所述的发光元件阵列芯片中，所述第一阴极电极形成在所述第一基板的背面侧，所述第一发光元件阵列设置在设置于所述第二发光元件阵列的所述射出面侧的阴极布线上。
[3]也可以是，在[2]所述的发光元件阵列芯片中，连接到所述阴极布线的阴极焊盘设置在所述第二发光元件阵列的所述射出面侧。
[4]也可以是，在[2]所述的发光元件阵列芯片中，所述第一发光元件阵列在射出面侧具有第一阳极电极，所述第一阳极电极与设置在所述第二发光元件阵列的所述射出面侧的阳极布线通过接合线连接。
[5]也可以是，在[4]所述的发光元件阵列芯片中，连接到所述阳极布线的阳极焊盘设置在所述第二发光元件阵列的所述射出面侧。
[6]也可以是，在[1]所述的发光元件阵列芯片中，所述第一发光元件阵列通过粘接部件粘接到所述第二发光元件阵列的所述射出面侧。
[7]也可以是，在[1]所述的发光元件阵列芯片中，所述第一发光元件阵列的所述第一发光元件被所述第二发光元件阵列的所述第二发光元件包围。
[8]也可以是，在[7]所述的发光元件阵列芯片中，所述第一发光元件阵列设置在所述第二发光元件阵列的中央区域。
[9]也可以是，在[1]所述的发光元件阵列芯片中，所述第一发光元件阵列设置在所述第二发光元件阵列的端部区域。
[10]根据本公开的另一方面，提供了一种发光装置，其具备：[1]至[9]中的任意一项所述的发光元件阵列芯片；以及光扩散部件，其设置在所述发光元件阵列芯片的所述第一发光元件阵列和所述发光元件阵列芯片的所述第二发光元件阵列的光射出路径上。
[11]根据本公开的另一方面，提供了一种光学装置，其具备：[10]所述的发光装置；以及受光部，其接收从所述发光装置的所述第一发光元件阵列射出并由被测定物反射来的第一反射光、以及从所述发光装置的所述第二发光元件阵列射出并由所述被测定物反射来的第二反射光，其中，所述受光部输出与从所述第一发光元件阵列射出光起到该光由所述受光部接收到为止的时间相当的信号、以及与从所述第二发光元件阵列射出光起到该光由所述受光部接收到为止的时间相当的信号。
[12]根据本公开的另一方面，提供了一种信息处理装置，其具备：[11]所述的光学装置；以及形状特定部，其基于从所述光学装置的所述第一发光元件阵列或所述第二发光元件阵列射出并由所述被测定物反射来的所述第一反射光或所述第二反射光，特定所述被测定物的三维形状。
[13]也可以是，[12]所述的信息处理装置具备：认证处理部，其基于所述形状特定部的特定结果，进行与所述信息处理装置的使用相关的认证处理。
发明效果
根据[1]所述的发光元件阵列芯片，在具有由非p型半导体构成的下部反射镜的发光元件阵列芯片中，一部分发光元件和其他发光元件能够独立地进行低侧驱动。
根据[2]所述的发光元件阵列芯片，能够在第二发光元件阵列的射出面侧和背面侧分离地进行从外部向第一阴极电极和第二阴极电极的连接。
根据[3]所述的发光元件阵列芯片，在从外部与第一发光元件阵列的阴极电极连接的情况下，能够从第二发光元件阵列的射出面侧进行布线。
根据[4]所述的发光元件阵列芯片，与利用接合线从第一阳极电极直接连接到外部的情况相比，能够缩短接合线的长度。
根据[5]所述的发光元件阵列芯片，在从外部与第一发光元件阵列的阳极电极连接的情况下，能够从第二发光元件阵列的射出面侧进行布线。
根据[6]所述的发光元件阵列芯片，第一发光元件阵列和第二发光元件阵列形成为一体。
根据[7]或[8]所述的发光元件阵列芯片，从第一发光元件阵列射出的光的反射光容易被接收。
根据[9]所述的发光元件阵列芯片，与所述第一发光元件阵列设置在所述第二发光元件阵列的中央区域的情况相比，可以缩短来自第一发光元件阵列的布线的引出长度。
根据[10]所述的发光装置，与不具备扩散部件的情况相比，从发光元件阵列射出的光被照射到更宽的照射面。
根据[11]所述的光学装置，可以得到与从不同的发光元件阵列射出的光对应的距离信息。
根据[12]所述的信息处理装置，能够测定三维形状。
根据[13]所述的信息处理装置，可以提供一种搭载有基于三维形状的认证处理的信息处理装置。
附图说明
图1是表示信息处理装置的一个例子的图。
图2是说明信息处理装置的结构的框图。
图3是光学装置的俯视图和剖视图的一个例子，(a)是俯视图，(b)是(a)的IIIB-IIIB线处的剖视图。
图4是说明发光元件阵列芯片的结构的图。
图5是说明VCSEL的剖面构造的图，(a)表示低功率用发光元件阵列中的1个VCSEL，(b)表示高功率用发光元件阵列中的1个VCSEL。
图6是说明3D传感器的图。
图7是说明发光元件阵列芯片和设置于电路基板的导体图案的连接关系的图。
图8是说明低侧驱动的图。
图9是说明低功率用发光元件阵列和高功率用发光元件阵列的配置的变形例的图，(a)表示第一变形例，(b)表示第二变形例。
图10是对发光装置中的发光元件阵列芯片和光量监视用受光元件的配置进行说明的图，(a)表示第一例示性的实施方式的配置，(b)表示第一比较例的配置，(c)表示第二比较例的配置。
图11是说明应用第二例示性的实施方式的高功率用发光元件阵列中的1个VCSEL的剖面构造的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的例示性的实施方式进行详细说明。
通常，信息处理装置会识别访问了该信息处理装置的用户是否被允许访问，并仅在认证为是允许访问的用户的情况下，允许该用户使用本装置即信息处理装置。到目前为止，一直使用的是通过密码、指纹、虹膜等来认证用户的方法。近来，正在寻求一种具有更高安全性的认证方法。该方法进行基于用户的面部形状等三维图像的认证。
在此，信息处理装置以便携式信息处理终端为例来进行说明，并说明其通过识别作为三维图像而被捕捉到的面部的形状来认证用户。需要说明的是，信息处理装置能够应用于便携式信息终端以外的信息处理装置，例如个人计算机(PC)等。
进而，在以下的例示性的实施方式中说明的结构、功能、方法等能够应用于面部识别以外的三维形状的识别，也可以应用于面部以外的物体形状的识别。另外，到被测定物的距离不限。
【第一例示性的实施方式】
(信息处理装置1)
图1是示出信息处理装置1的一个例子的图。如上所述，例如，信息处理装置1是便携式信息处理终端。
信息处理装置1具备用户接口部(以下，表述为UI部)2和用于获取三维图像的光学装置3。该UI部2例如是通过将向用户显示信息的显示设备和通过用户的操作输入对信息处理的指示的输入设备形成一体而构成的。显示设备例如是液晶显示器或有机EL显示器，输入设备例如是触控面板。
光学装置3具备发光装置4和三维传感器(以下，标记为3D传感器)6。发光装置4为了获取三维图像而朝向被测定物、在此说明的例子中朝向面部射出光。3D传感器6获取发光装置4射出的光被面部反射而返回的光。在此，基于依据光的飞行时间的所谓TOF(Time ofFlight：飞行时间)法，获取面部的三维图像。以下，即使在被测定物为面部的情况下，也简单标记为被测定物。
需要说明的是，信息处理装置1构成为包括CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)、ROM(Read Only Memory：只读存储器)、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)等的计算机。需要说明的是，ROM包括非易失性的可改写的存储器，例如闪存。并且，存储在ROM中的应用程序和常数被加载到RAM中，并且由CPU执行，从而信息处理装置1运行并执行各种信息处理。
图2是说明信息处理装置1的结构的框图。
信息处理装置1具备上述的光学装置3、光学装置控制部8以及系统控制部9。如上所述，光学装置3具备发光装置4和3D传感器6。光学装置控制部8控制光学装置3。光学装置控制部8包括形状特定部81。系统控制部9将信息处理装置1整体作为系统进行控制。系统控制部9包括认证处理部91。UI部2、扬声器92、二维(2D)照相机93等连接至系统控制部9。需要说明的是，发光装置4是发光装置的一个例子，3D传感器6是受光部的一个例子。
以下，依次进行说明。
如上所述，光学装置3具备发光装置4和3D传感器6。发光装置4具备发光元件阵列芯片10、扩散板30、光量监视用受光元件(以下，有时也标记为PD)40、第一驱动部50A和第二驱动部50B。发光元件阵列芯片10具备低功率用发光元件阵列10A和高功率用发光元件阵列10B。在此，低功率用发光元件阵列10A和高功率用发光元件阵列10B分别具备排列在其中的多个发光元件。低功率用发光元件阵列10A是第一发光元件阵列的一个例子，高功率用发光元件阵列10B是第二发光元件阵列的一个例子。另外，稍后将描述扩散板30。扩散板30是光扩散部件的一例。
发光装置4中的第一驱动部50A驱动低功率用发光元件阵列10A，第二驱动部50B驱动高功率用发光元件阵列10B。例如，低功率用发光元件阵列10A和高功率用发光元件阵列10B被驱动以射出数十MHz～数百MHz的脉冲光。将射出的脉冲光标记为出射光脉冲。
如后所述，光学装置3构成为3D传感器6接收从发光元件阵列芯片10朝向被测定物照射的光从被测定物反射的反射光。
3D传感器6具备多个受光区域61(参照后述图6)。3D传感器6输出与从低功率用发光元件阵列10A射出的光由被测定物反射并被3D传感器6接收到为止的时间相当的信号、以及与从高功率用发光元件阵列10B射出的光由被测定物反射并被3D传感器6接收到为止的时间相当的信号。需要说明的是，3D传感器6也可以具备聚光用的透镜。
从低功率用发光元件阵列10A射出并由被测定物反射的光是第一反射光的一个例子，从高功率用发光元件阵列10B射出并由被测定物反射的光是第二反射光的一个例子。
光学装置控制部8的形状特定部81从3D传感器6获取按每个受光区域61得到的数字值，按每个受光区域61计算到被测定物的距离，特定被测定物的3D形状。
在形状特定部81特定出的特定结果即被测定物的3D形状是预先存储于ROM等的3D形状的情况下，系统控制部9的认证处理部91进行与信息处理装置1的使用相关的认证处理。需要说明的是，作为一个例子，与信息处理装置1的使用相关的认证处理是指是否允许使用本装置(信息处理装置1)的处理。例如，在被测定物即面部的3D形状与存储在ROM等存储部件中的面部形状一致的情况下，允许使用包括信息处理装置1提供的各种应用等的信息处理装置1。
例如，上述形状特定部81和认证处理部91由应用程序构成。另外，形状特定部81和认证处理部91也可以由ASIC(Application Specific Integrated Circuit：专用集成电路)、FPGA(Field-Programmable Gate Array：现场可编程门阵列)等集成电路构成。形状特定部81以及认证处理部91也可以由应用程序等软件和集成电路构成。
在图2中，分别分开示出了光学装置3、光学装置控制部8以及系统控制部9，但系统控制部9也可以包含光学装置控制部8。另外，光学装置控制部8也可以包括在光学装置3中。进而，光学装置3、光学装置控制部8以及系统控制部9也可以一体地构成。
(光学装置3的整体结构)
接下来，对光学装置3进行详细说明。
图3是光学装置3的俯视图以及剖视图的一个例子。在图3中，(a)是俯视图，(b)是(a)的IIIB-IIIB线处的剖视图。在此，在图3(a)中，将纸面的横向设为x方向，将纸面的上方向设为y方向，将与x方向以及y方向逆时针正交的方向设为z方向。
如图3(a)所示，在光学装置3中，在电路基板7上的x方向上配置有发光装置4和3D传感器6。电路基板7以由绝缘性材料构成的板状的部件为基材，设置有由导电性材料构成的导体图案。绝缘性材料例如是陶瓷、环氧树脂等。导电性材料例如是铜(Cu)、银(Ag)等金属或包含这些金属的导电性浆料。电路基板7可以是在表面设置有导体图案的单层基板，也可以是设置有多层导体图案的多层基板。
在发光装置4中，作为一个例子，在电路基板7上的+x方向上依次配置有第二驱动部50B、光量监视用受光元件40、发光元件阵列芯片10和第一驱动部50A。在高功率用发光元件阵列10B上配置有低功率用发光元件阵列10A。即，低功率用发光元件阵列10A重叠配置在高功率用发光元件阵列10B的中央区域上。在此，低功率用发光元件阵列10A和高功率用发光元件阵列10B被制造为不同的半导体芯片，低功率用发光元件阵列10A粘接在高功率用发光元件阵列10B上，构成发光元件阵列芯片10。需要说明的是，低功率用发光元件阵列10A和高功率用发光元件阵列10B向相同的方向(图3(b)中的z方向)射出光。高功率用发光元件阵列10B可以直接搭载在电路基板7上，也可以将氧化铝、氮化铝等散热用基材夹在中间而搭载在电路基板7上。
驱动低功率用发光元件阵列10A的第一驱动部50A和驱动高功率用发光元件阵列10B的第二驱动部50B在电路基板7上，夹着发光元件阵列芯片10配置在相对的位置处。
光量监视用受光元件40在电路基板7上配置在接近高功率用发光元件阵列10B的位置、即配置在高功率用发光元件阵列10B和第二驱动部50B之间。
如图3(b)所示，扩散板30在发光元件阵列芯片10的光出射方向侧、即光射出路径上，经由间隔件33设置在距发光元件阵列芯片10预定的距离之处。扩散板30设置为覆盖发光元件阵列芯片10和光量监视用受光元件40。
扩散板30例如具备树脂层，该树脂层在两面平行且平坦的玻璃基材的一个表面上形成有用于使光扩散的凹凸。扩散板30使入射到扩散板30的光的扩散角进一步扩大并使光从扩散板30射出。从发光元件阵列芯片10的低功率用发光元件阵列10A和高功率用发光元件阵列10B所具备的发光元件射出的光的扩散角通过扩散板30而扩大，从而与未设置扩散板30的情况相比，光照射到的照射面扩大。
光量监视用受光元件40例如是输出与受光量对应的电信号的、由硅等构成的光电二极管(PD)。
光量监视用受光元件40接收从低功率用发光元件阵列10A和高功率用发光元件阵列10B射出并在扩散板30的背面(-z方向的面)反射的光。
在发光装置4中，低功率用发光元件阵列10A由第一驱动部50A驱动，从而对被测定物射出光。高功率用发光元件阵列10B由第二驱动部50B驱动，从而以比低功率用发光元件阵列10A射出的光更强的光强度对被测定物射出光。光量监视用受光元件40接收低功率用发光元件阵列10A和高功率用发光元件阵列10B射出的光中的、由扩散板30反射的光，来监视低功率用发光元件阵列10A和高功率用发光元件阵列10B射出的光的光强度。然后，基于由光量监视用受光元件40监视的低功率用发光元件阵列10A和高功率用发光元件阵列10B射出的光的光强度，经由第一驱动部50A和第二驱动部50B，控制低功率用发光元件阵列10A和高功率用发光元件阵列10B射出的光的光强度。
需要说明的是，在光量监视用受光元件40接收的光量极低的情况下，有可能是由于扩散板30脱落或破损，低功率用发光元件阵列10A或高功率用发光元件阵列10B射出的光未被扩散而直接照射到外部。在这样的情况下，经由光学装置控制部8，通过第一驱动部50A或者第二驱动部50B，抑制低功率用发光元件阵列10A或者高功率用发光元件阵列10B的光的射出。例如，停止来自低功率用发光元件阵列10A和高功率用发光元件阵列10B中的任意一方或双方的光的照射。
(发光元件阵列芯片10的结构)
图4是说明发光元件阵列芯片10的结构的图。如上所述，在发光元件阵列芯片10中，在高功率用发光元件阵列10B上设置有低功率用发光元件阵列10A。在此，低功率用发光元件阵列10A和高功率用发光元件阵列10B的表面形状均为长方形。需要说明的是，低功率用发光元件阵列10A和高功率用发光元件阵列10B的表面形状也可以不是长方形。作为发光元件的一个例子，发光元件阵列芯片10的低功率用发光元件阵列10A具备垂直腔表面发射激光器元件VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)-A。另一方面，作为发光元件的一个例子，高功率用发光元件阵列10B具备垂直腔表面发射激光器元件VCSEL-B。以下，将垂直腔表面发射激光器元件VCSEL-A标记为VCSEL-A，将垂直腔表面发射激光器元件VCSEL-B标记为VCSEL-B。需要说明的是，在不区分VCSEL-A和VCSEL-B时，标记为VCSEL。VCSEL-A是第一发光元件的一个例子，VCSEL-B是第二发光元件的一个例子。
VCSEL是一种发光元件，其在层叠在基板上的下部多层膜反射镜与上部多层膜反射镜之间设置有成为发光区域的有源区域，并使激光在与基板垂直的方向上射出。因此，VCSEL容易进行二维的阵列化。需要说明的是，在图4所示的例子中，低功率用发光元件阵列10A具备多个VCSEL-A，高功率用发光元件阵列10B也具备多个VCSEL-B。在此，低功率用发光元件阵列10A中的多个VCSEL-A和高功率用发光元件阵列10B中的多个VCSEL-B在x方向和y方向上等间隔地排列。需要说明的是，VCSEL-A和VCSEL-B也可以以与上述不同的方式排列。
低功率用发光元件阵列10A设置在高功率用发光元件阵列10B的中央区域。即，低功率用发光元件阵列10A的VCSEL-A的三边侧被高功率用发光元件阵列10B的VCSEL-B包围。
低功率用发光元件阵列10A的VCSEL-A例如在被测定物接近信息处理装置1的情况下射出光。另一方面，例如，高功率用发光元件阵列10B的VCSEL-B在被测定物不接近信息处理装置1的情况下射出光。即，在被测定物接近信息处理装置1的情况下，不需要过强的光强度，因此仅驱动低功率用发光元件阵列10A。
另外，在被测定物未接近信息处理装置1的情况下，即，在低功率用发光元件阵列10A的光强度不足的情况下，驱动高功率用发光元件阵列10B。进而，在仅高功率用发光元件阵列10B的光强度不足的情况下，同时驱动低功率用发光元件阵列10A和高功率用发光元件阵列10B。根据这样的结构，与没有区分低功率用发光元件阵列10A和高功率用发光元件阵列10B而始终以恒定的光强度射出光的结构相比，抑制了电力消耗。即，在信息处理装置1是便携式信息终端的情况下，抑制了电池的充电量的降低。
构成低功率用发光元件阵列10A的VCSEL-A和构成高功率用发光元件阵列10B的VCSEL-B的数量为1个以上1000个以下。然后，将高功率用发光元件阵列10B的VCSEL-B的数量设定得比低功率用发光元件阵列10A的VCSEL-A的数量多。在低功率用发光元件阵列10A中使用多个VCSEL-A的情况下，VCSEL-A相互并联连接，并被并联驱动。另外，在高功率用发光元件阵列10B中使用多个VCSEL-B的情况下，VCSEL-B也相互并联连接，并被并联驱动。需要说明的是，低功率用发光元件阵列10A也可以具备1个VCSEL-A，高功率用发光元件阵列10B也可以具备1个VCSEL-B。
上述VCSEL的数量是一个例子，根据测定距离、测定范围来设定即可。
以下，对构成低功率用发光元件阵列10A的VCSEL-A和构成高功率用发光元件阵列10B的VCSEL-B进行说明。VCSEL-A和VCSEL-B具有相同的构造。首先，利用低功率用发光元件阵列10A所具备的VCSEL-A对VCSEL的构造进行说明。VCSEL-A和VCSEL-B的振荡模式可以是单模也可以是多模。以下，非p型半导体(有时标记为非p型)是指掺杂了n型杂质的n型半导体、或者未掺杂杂质的(即未掺杂的)i型(本征)半导体。
图5是说明VCSEL的剖面构造的图。在图5中，(a)是低功率用发光元件阵列10A中的1个VCSEL-A，(b)是高功率用发光元件阵列10B中的1个VCSEL-B。在图5中，纸面的上方向是z方向。
图5(a)所示的VCSEL-A是在n型GaAs基板100上层叠下列结构而构成：不同Al组成的AlGaAs层交替重叠的n型下部分布布拉格型反射镜(DBR:Distributed BraggReflector)102；形成在下部DBR102上的、包括被上部间隔层和下部间隔层夹着的量子阱层的有源区域106；以及形成在有源区域106上的、不同Al组成的AlGaAs层交替重叠的p型上部DBR108。在上部DBR108的最下层或上部DBR108的内部形成有p型AlAs电流限制层110。基板100是第一基板的一个例子，有源区域106是第一发光元件的发光元件层的一个例子。
n型下部DBR102是以Al0.9Ga0.1As层和GaAs层为一对的多层层叠体。各层的厚度为λ/4nr(其中，λ为振荡波长，nr为介质的折射率)，各层交替地层叠40个周期。掺杂n型杂质即硅之后的载流子浓度例如为3×1018cm-3。
有源区域106通过层叠下部间隔部、量子阱活性层和上部间隔层而构成。例如，下部间隔层是未掺杂的Al0.6Ga0.4As层，量子阱活性层是未掺杂的InGaAs量子阱层以及未掺杂的GaAs势垒层，上部间隔层是未掺杂的Al0.6Ga0.4As层。
p型上部DBR108是p型Al0.9Ga0.1As层和GaAs层的层叠体。各层的厚度为λ/4nr，各层交替地层叠29个周期。掺杂p型杂质即碳后的载流子浓度例如为3×1018cm-3。优选地，在上部DBR108的最上层形成由p型GaAs构成的接触层，并且在上部DBR108的最下层或其内部形成p型AlAs的电流限制层110。
通过蚀刻从上部DBR108到下部DBR102层叠的半导体层，在基板100上形成圆柱形的台面M1。然后，电流限制层110暴露于台面M1的侧面。在电流限制层110中，形成从台面M1的侧面选择性地氧化的氧化区域110A和由氧化区域110A包围的导电区域110B。在氧化工序中，AlAs层的氧化速度比AlGaAs层快，氧化区域110A从台面M1的侧面朝向内部以大致恒定的速度被氧化。因此，导电区域110B的与基板100平行的平面形状是反映了台面M1的外形的形状、即圆形，其圆心与单点划线所示的台面M1的中心轴方向大致一致。
在台面M1的最上层形成有层叠了Ti/Au等的金属制的环状的p侧电极112。p侧电极112与上部DBR108的接触层欧姆接触。环状的p侧电极112的内侧是向外部射出激光的光射出口112A。即，台面M1的中心轴方向是光轴。进而，在基板100的背面形成阴极电极114作为n侧电极。需要说明的是，光射出口112A即p侧电极112的内侧的面是射出面。
设置有绝缘层116以覆盖除了p侧电极112和稍后描述的阳极电极118连接的部分以及光射出口112A之外的台面M1的面。除了光射出口112A以外，阳极电极118设置为与p侧电极112欧姆接触。阳极电极118设置在除了VCSEL-A的光射出口112A以外的位置。即，在VCSEL-A中，p侧电极112连接到阳极电极118。在使用多个VCSEL-A的情况下，各VCSEL-A的p侧电极112并联连接到阳极电极118。在此，阴极电极114是与第一发光元件的发光元件层的一个例子即有源区域106电连接的第一阴极电极的一个例子，阳极电极118是第一阳极电极的一个例子。
图5(b)所示的VCSEL-B在n型GaAs基板200上层叠下列结构而构成：不同Al组成的AlGaAs层交替重叠的n型下部DBR202；在下部DBR202上形成的、包括被上部间隔层和下部间隔层夹着的量子阱层的有源区域206；以及在有源区域206上形成的、不同Al组成的AlGaAs层交替重叠的p型上部DBR208。在上部DBR208的最下层或上部DBR208的内部形成有p型AlAs的电流限制层210。基板200是第二基板的一个例子，n型下部DBR202是非p型下部反射镜的一个例子。
下部DBR202、有源区域206、上部DBR208以及电流限制层210与上述的VCSEL-A的下部DBR102、有源区域106、上部DBR108以及电流限制层110相同，因此省略其描述。
通过蚀刻从上部DBR208到下部DBR202层叠的半导体层，在基板200上形成圆柱形的台面M2。在暴露于台面M2的侧面的电流限制层210中，形成从台面M2的侧面选择性地氧化的氧化区域210A和由氧化区域210A包围的导电区域210B。导电区域210B的与基板200平行的平面形状是反映了台面M2的外形的形状、即圆形，其圆心与台面M2的中心轴方向大致一致。
在台面M2的最上层，形成层叠了Ti/Au等的金属制的环状的p侧电极212，p侧电极212与上部DBR208的接触层欧姆接触。环状的p侧电极212的内侧是向外部射出激光的光射出口212A。即，台面M2的中心轴方向是光轴。进而，在基板200的背面形成作为n侧电极的阴极电极214。光射出口212A即p侧电极212的内侧的面是射出面。在此，阴极电极214是与第二发光元件的发光元件层的一个例子即有源区域206电连接的第二阴极电极的一个例子，阳极电极218是第二阳极电极的一个例子。
设置有绝缘层216以覆盖除了p侧电极212和稍后描述的阳极电极218连接的部分以及光射出口212A之外的台面M2的面。然后，除了光射出口212A之外，阳极电极218设置为和p侧电极212欧姆接触。阳极电极218设置在除了VCSEL-B的光射出口212A以外的位置。即，在VCSEL-B中，p侧电极212连接到阳极电极218。在使用多个VCSEL-B的情况下，各VCSEL-B的p侧电极212并联连接到阳极电极218。
如后所述，在绝缘层216上，除了阳极电极218以外，还设置有粘接低功率用发光元件阵列10A的阴极电极114的阴极布线219、和对低功率用发光元件阵列10A的阳极电极118的连接进行中继的阳极布线220。阴极焊盘219A连接到阴极布线219。阳极焊盘220A连接到阳极布线220。阴极布线219、阴极焊盘219A、阳极布线220以及阳极焊盘220A设置在绝缘层216上，因此对VCSEL-B的动作没有影响。阴极布线219、阴极焊盘219A、阳极布线220以及阳极焊盘220A设置在VCSEL-B的射出面侧。低功率用发光元件阵列10A的阴极电极114通过导电性粘接剂等导电性材料粘接到阴极布线219上。导电性粘接剂是粘接部件的一个例子。
(3D传感器6的结构)
图6是说明3D传感器6的图。
3D传感器6是将多个受光区域61排列成格子状而构成的。3D传感器6接收由来自发光装置4的出射光脉冲经被测定物反射而形成的反射光即受光脉冲，并且在每个受光区域61蓄积与到光被接收到为止的时间对应的电荷。作为一例，3D传感器6构成为具有CMOS构造的器件，其中各受光区域61具备两个栅极和与两个栅极对应的电荷蓄积部。3D传感器6构成为，通过对两个栅极交替地施加脉冲，将产生的光电子高速地传送到两个电荷蓄积部中的任意一个，蓄积与出射光脉冲和受光脉冲的相位差对应的电荷。然后，经由AD转换器，输出与电荷对应的数字值作为信号，该电荷与每个受光区域61的出射光脉冲和受光脉冲的相位差相对应。即，3D传感器6输出与从低功率用发光元件阵列10A射出光到由3D传感器6接收到光为止的时间相当的信号、以及与从高功率用发光元件阵列10B射出光到由3D传感器6接收到光为止的时间相当的信号。
(发光元件阵列芯片10和电路基板7的连接关系)
接下来，对发光元件阵列芯片10和设置于电路基板7的导体图案的连接关系进行说明。
图7是说明发光元件阵列芯片10和设置于电路基板7的导体图案的连接关系的图。
在电路基板7上，作为导体图案，设置有低功率用发光元件阵列10A用的阴极图案71、阳极图案72、以及高功率用发光元件阵列10B用的阴极图案73、阳极图案74A、74B。
如上所述，低功率用发光元件阵列10A在背面设置有阴极电极114，在表面设置有阳极电极118(参照图5(a))。需要说明的是，阳极电极118形成为连接VCSEL-A的p侧电极112，并且具备连接后述接合线77的焊盘区域。
同样地，高功率用发光元件阵列10B在背面设置有阴极电极214，在表面设置有阳极电极218(参照图5(b))。需要说明的是，阳极电极218沿着配置有VCSEL-B的低功率用发光元件阵列10A的三边形成，以连接VCSEL-B的p侧电极212。阳极电极218在±y方向侧具备连接接合线75A、75B的焊盘区域。另外，在高功率用发光元件阵列10B的表面，设置有低功率用发光元件阵列10A用的阴极布线219和对与低功率用发光元件阵列10A的阳极电极118的连接进行中继的阳极布线220。与阴极布线219连接的阴极焊盘219A和与阳极布线220连接的阳极焊盘220A也同样地设置。阴极布线219、阴极焊盘219A、阳极布线220以及阳极焊盘220A在低功率用发光元件阵列10A的周围设置于未设置高功率用发光元件阵列10B的VCSEL-B的一边侧。阴极布线219以比低功率用发光元件阵列10A大的面积形成，以与设置于低功率用发光元件阵列10A的背面的阴极电极114连接。
高功率用发光元件阵列10B用的阴极图案73以比高功率用发光元件阵列10B大的面积形成，以与设置于高功率用发光元件阵列10B的背面的阴极电极214连接。在阴极图案73上，通过导电性粘接剂等粘接有高功率用发光元件阵列10B。
高功率用发光元件阵列10B用的阳极图案74A、74B设置为与设置于高功率用发光元件阵列10B的表面的阳极电极218(参照图5(b))的相对的±y方向侧的两边相对。阳极图案74A、74B与高功率用发光元件阵列10B的阳极电极218通过接合线75A、75B连接。
在低功率用发光元件阵列10A中，设置于背面的阴极电极114与设置于高功率用发光元件阵列10B的表面的低功率用发光元件阵列10A用的阴极布线219通过导电性粘接剂粘接。与设置于高功率用发光元件阵列10B的表面的阴极布线219连接的阴极焊盘219A和电路基板7上的低功率用发光元件阵列10A用的阴极图案71通过接合线76连接。另一方面，设置于低功率用发光元件阵列10A的表面的阳极电极118和设置于高功率用发光元件阵列10B的表面的阳极布线220通过接合线77连接。然后，阳极布线220的阳极焊盘220A与电路基板7上的低功率用发光元件阵列10A用的阳极图案72通过接合线78连接。
若将低功率用发光元件阵列10A的阳极电极118与电路基板7上的阳极图案72经由阳极布线220连接，则与不经由阳极布线220的情况相比，接合线的长度变短。在将低功率用发光元件阵列10A配置于高功率用发光元件阵列10B的中央区域的情况下，若不经由阳极布线220而将低功率用发光元件阵列10A的阳极电极118与电路基板7上的阳极图案72直接用接合线连接，则接合线变得过长。若接合线变得过长，则有时容易产生制造上的不良情况等某些不良情况。因此，在这样的情况下，也可以经由设置在高功率用发光元件阵列10B上的阳极布线220进行连接。
另外，为了向高功率用发光元件阵列10B供给大电流，从高功率用发光元件阵列10B的相对的两侧利用多条接合线进行供电。通过至少从相对的两侧供给电流，与从一侧供给电流的结构相比，容易向各VCSEL-B均匀地供给电流，降低了各VCSEL-B的发光量的偏差。
在此，高功率用发光元件阵列10B的中央区域是指高功率用发光元件阵列10B的比从中心到端部的距离的1/2更靠中心侧的区域。高功率用发光元件阵列10B的比从中心到端部的距离的1/2更靠端部侧的区域标记为端部区域。
需要说明的是，在高功率用发光元件阵列10B中，在低功率用发光元件阵列10A所占有的区域未设置VCSEL-B。但是，高功率用发光元件阵列10B射出的光被扩散板30扩散，因此，通过优化VCSEL-B的数量或光输出，可以得到在照射面上具有预先确定的均匀性的照射图案。
(驱动方法)
在想要更高速地驱动低功率用发光元件阵列10A和高功率用发光元件阵列10B的情况下，只要对低功率用发光元件阵列10A和高功率用发光元件阵列10B都进行低侧驱动即可。低侧驱动是指相对于VCSEL等驱动对象，MOS晶体管等驱动部位于电流路径的下游侧的结构。相反，将驱动部位于上游侧的结构称为高侧驱动。在第一例示性的实施方式中，为了对低功率用发光元件阵列10A和高功率用发光元件阵列10B双方进行低侧驱动，将两者的阴极分离，独立地进行驱动。即，为了分离阴极，将低功率用发光元件阵列10A和高功率用发光元件阵列10B分别形成在不同的基板(在此为基板100和基板200)上，通过将它们重叠为一体来分离阴极。
图8是说明低侧驱动的图。图8示出了低功率用发光元件阵列10A的VCSEL-A、高功率用发光元件阵列10B的VCSEL-B、第一驱动部50A、第二驱动部50B和光学装置控制部8之间的关系。第一驱动部50A和第二驱动部50B经由MOS晶体管接地。即，通过使MOS晶体管接通/断开，来使VCSEL的阴极侧接通/断开，由此进行低侧驱动。
需要说明的是，在图8中，低功率用发光元件阵列10A的VCSEL-A和高功率用发光元件阵列10B的VCSEL-B的阳极侧也分离。需要说明的是，可以分离地驱动阳极侧，也可以共同驱动阳极侧。
也可以不采用重叠低功率用发光元件阵列10A和高功率用发光元件阵列10B的结构，而将由形成在共用的基板上的同一外延层构成的VCSEL阵列的一部分设为低功率用，将其他部分设为高功率用。在该情况下，表面侧的阳极电极以低功率用和高功率用被分离，但形成于基板的背面的阴极电极是共用的。因此，不得不进行阳极被分离的高侧驱动。因此，在想要更高速地驱动的情况下，只要设为将低功率用发光元件阵列10A和高功率用发光元件阵列10B重叠的结构即可。
需要说明的是，作为在低功率用发光元件阵列10A和高功率用发光元件阵列10B中使用共用的基板的结构的变形例，也可以构成为代替n型GaAs基板而采用p型GaAs基板，在基板的表面侧分离阴极电极，分别进行低侧驱动。然而，在该情况下，与上部DBR相比对数较多的下部DBR侧成为光吸收多、电阻值也高的p型，因此电力转换效率降低。因此，在想要优先考虑电力转换效率的情况下，也可以采用将低功率用发光元件阵列10A和高功率用发光元件阵列10B重叠的结构。
(低功率用发光元件阵列10A和高功率用发光元件阵列10B的配置的变形例)
图9是说明低功率用发光元件阵列10A和高功率用发光元件阵列10B的配置的变形例的图。在图9中，(a)表示第一变形例，(b)表示第二变形例。在此，示出了发光元件阵列芯片10和低功率用发光元件阵列10A用的阴极图案71、阳极图案72。
在图4所示的第一例示性的实施方式中，低功率用发光元件阵列10A配置在高功率用发光元件阵列10B的中央区域。但是，只要能够检测被测定物的接近，则也可以不必将低功率用发光元件阵列10A配置在高功率用发光元件阵列10B的中央区域。
在图9(a)所示的第一变形例中，低功率用发光元件阵列10A配置于高功率用发光元件阵列10B的+x方向侧的端部区域。同样在该情况下，低功率用发光元件阵列10A的VCSEL-A在±y方向侧和x方向侧这三个方向上被高功率用发光元件阵列10B的VCSEL-B包围。
由此，不需要图7所示的阳极布线220以及接合线77。因此，在发光装置4的制造中，用于连接接合线77的工时减少。
在图9(b)所示的第二变形例中，低功率用发光元件阵列10A配置在高功率用发光元件阵列10B的+x方向侧和y方向侧的角部。同样在该情况下，不需要图7所示的阳极布线220和接合线77。因此，在发光装置4的制造中，用于连接接合线77的工时减少。
需要说明的是，设置有低功率用发光元件阵列10A的高功率用发光元件阵列10B上的位置不限于图4所示的第一例示性的实施方式和图9的(a)、(b)所示的变形例1、2。设置有低功率用发光元件阵列10A的高功率用发光元件阵列10B上的位置只要设置在通过来自低功率用发光元件阵列10A的出射光的照射来检测被测定物的位置上即可。
(发光装置4中的发光元件阵列芯片10和光量监视用受光元件40的配置)
图10是对发光装置4中的发光元件阵列芯片10和光量监视用受光元件40的配置进行说明的图。在图10中，(a)表示第一例示性的实施方式的配置，(b)表示第一比较例的配置，(c)表示第二比较例的配置。在此，示出了发光元件阵列芯片10、光量监视用受光元件40和接合线，省略了其他记载。在发光元件阵列芯片10中，假设低功率用发光元件阵列10A配置在高功率用发光元件阵列10B的中央区域。需要说明的是，将发光元件阵列芯片10的-x方向的侧面设为侧面11A，将+x方向的侧面设为侧面11B，将+y方向的侧面设为侧面11C，将-y方向的侧面设为侧面11D。侧面11A与侧面11B相对，侧面11C和侧面11D通过连接侧面11A和侧面11B而彼此相对。
如图10(a)所示，在第一例示性的实施方式的配置中，光量监视用受光元件40设置于发光元件阵列芯片10的-x方向的侧面11A侧。将高功率用发光元件阵列10B的阳极电极218(参照图5(b))和设置在电路基板7上的阳极图案74A、74B(参照图7)连接的接合线75A、75B设置为与高功率用发光元件阵列10B的±y方向的侧面11C、11D侧相对。将重叠在高功率用发光元件阵列10B上的低功率用发光元件阵列10A的阴极电极114、即设置在高功率用发光元件阵列10B上的阴极布线219和设置在电路基板7上的阴极图案71连接的接合线76(参照图7)设置在高功率用发光元件阵列10B的x方向的侧面11B侧。同样地，将低功率用发光元件阵列10A的阳极电极118和设置在电路基板7上的阳极图案72连接的接合线78(参照图7)设置在高功率用发光元件阵列10B的x方向的侧面11B侧。
由此，从高功率用发光元件阵列10B的±y方向对称地向VCSEL-B供给电流。因此，与后述图10(b)所示的第一比较例相比，容易向高功率用发光元件阵列10B的各VCSEL-B更均匀地供给电流。
在配置有光量监视用受光元件40的一侧即发光元件阵列芯片10的-x方向的侧面11A侧，未设置接合线。因此，容易将光量监视用受光元件40与发光元件阵列芯片10接近地配置。因此，与后述图10(c)所示的第二比较例相比，光量监视用受光元件40容易接收来自发光元件阵列芯片10的低功率用发光元件阵列10A和高功率用发光元件阵列10B的出射光中的、被扩散板30反射的光。
在图10(b)所示的第一比较例中，光量监视用受光元件40配置在发光元件阵列芯片10的-y方向的侧面11D侧。由于光量监视用受光元件40与发光元件阵列芯片10接近地配置，因此不使用将高功率用发光元件阵列10B的阳极电极218(参照图5(b))和设置在电路基板7上的阳极图案74A连接的接合线75A。在第一比较例中，在发光元件阵列芯片10的-x方向的侧面11A侧的电路基板7上，另外设置有阳极图案，并设置有用于连接高功率用发光元件阵列10B的阳极电极218和在电路基板7上另外设置的阳极图案的接合线75C。
这样，从+y方向的侧面11C侧和-x方向的侧面11A侧向高功率用发光元件阵列10B的VCSEL-B供给电流，因此难以向配置在高功率用发光元件阵列10B的-y方向的侧面11D侧的VCSEL-B供给电流。即，难以使电流均匀地流向高功率用发光元件阵列10B的各VCSEL-B。因此，在VCSEL-B之间容易产生出射光量的偏差。
在图10(c)所示的第二比较例的配置中，光量监视用受光元件40配置在发光元件阵列芯片10的+x方向的侧面11B侧。然后，除了图10(a)的配置中的接合线75A、75B之外，还具备在图10(b)的第一比较例中加入的接合线75C。因此，容易使电流更均匀地流向高功率用发光元件阵列10B的各VCSEL-B。
但是，在第二比较例中，光量监视用受光元件40设置在设置有低功率用发光元件阵列10A用的接合线76、78的+x方向的侧面11B侧。因此，光量监视用受光元件40不与发光元件阵列芯片10接近地配置。因此，在第二比较例中，光量监视用受光元件40与图10(a)所示的第一例示性的实施方式中的配置相比，来自低功率用发光元件阵列10A和高功率用发光元件阵列10B的出射光中的、被扩散板30反射的光的受光量降低。即，难以接收由扩散板30反射的光。
如以上说明的那样，在第一例示性的实施方式中，设置有接合线(图10(a)的接合线75A、75B等)，并且光量监视用受光元件40与发光元件阵列芯片10接近地配置，以向高功率用发光元件阵列10B的各VCSEL-B更均匀地供给电流。由此，能够兼顾向各VCSEL-B更均匀地供给电流，并且抑制光量监视用受光元件40的受光量的降低。
以上，在高功率用发光元件阵列10B上重叠配置有低功率用发光元件阵列10A，但也可以在高功率用发光元件阵列10B内设置低功率用发光元件阵列10A。
【第二例示性的实施方式】
在第一例示性的实施方式中，高功率用发光元件阵列10B的VCSEL-B使用n型下部DBR202。在第二例示性的实施方式中，构成高功率用发光元件阵列10B的VCSEL-C使用i型(本征)下部DBR302。即，在第二例示性的实施方式中，使用VCSEL-C来代替VCSEL-B。第二例示性的实施方式中的其他结构与第一例示性的实施方式相同，因此省略说明。
(高功率用发光元件阵列10B的VCSEL-C)
图11是说明应用第二例示性的实施方式的高功率用发光元件阵列10B中的1个VCSEL-C的剖面构造的图。
在VCSEL-C中，在未掺杂杂质的半绝缘性的i型GaAs基板300上设置有不同Al组成的未掺杂的i型AlGaAs层交替重叠的未掺杂的i型下部DBR302，在下部DBR302上设置有n型接触层304。通过在接触层304上层叠下列结构而构成VCSEL-C：包括被上部间隔层和下部间隔层夹着的量子阱层的有源区域306；以及在有源区域306上形成的、不同Al组成的AlGaAs层交替重叠的p型上部DBR308。需要说明的是，在上部DBR308的最下层或上部DBR308的内部形成有p型AlAs的电流限制层310。基板300可以是n型或p型等的导电性的基板，也可以是玻璃等电绝缘性的基板。基板300是第二基板的另一个例子，i型下部DBR302是非p型下部反射镜的另一个例子。
在此，有源区域306和上部DBR308与关于第一例示性的实施方式已说明的VCSEL-A的有源区域106和上部DBR108相同，因此省略其描述。
通过蚀刻从上部DBR308到接触层304层叠的半导体层，在基板300上形成圆柱形的台面M3。电流限制层310暴露于台面M3的侧面。在电流限制层310中，形成从台面M3的侧面选择性地氧化的氧化区域310A和由氧化区域310A包围的导电区域310B。导电区域310B的与基板300平行的平面形状是反映了台面M3的外形的形状、即圆形，其圆心与单点划线所示的台面M3的中心轴方向大致一致。
在台面M3的最上层形成有层叠了Ti/Au等的金属制的环状的p侧电极312。p侧电极312与上部DBR308的接触层欧姆连接。环状的p侧电极312的内侧是向外部射出激光的光射出口312A。即，台面M3的中心轴方向是光轴。进而，在接触层304的表面上形成n侧电极314。n侧电极314与接触层304欧姆连接。需要说明的是，光射出口312A即p侧电极312的内侧的表面是射出面。
设置有绝缘层316以覆盖除了光射出口312A、p侧电极312与后述阳极电极318连接的部分、以及n侧电极314与后述阴极电极319连接的部分之外的台面M3的表面。阳极电极318设置为与p侧电极312欧姆接触，阴极电极319设置为与n侧电极314欧姆接触。
即，在第二例示性的实施方式的高功率用发光元件阵列10B的VCSEL-C中，为了使用了i型下部DBR302，在基板300的背面不设置阴极电极。在VCSEL-C中，在基板300的表面侧设置有阳极电极318和阴极电极319。
在高功率用发光元件阵列10B的VCSEL-C中，代替图7所示的配置VCSEL-B的部分的阳极电极218，例如，以条纹状交替地设置阳极电极318和阴极电极319。VCSEL-A重叠的部分(图7的阴极布线219和阳极布线220)与图7相同即可。
综上，参照附图对各种例示性的实施方式进行了说明，但本发明当然并不限定于这样的例子。应理解，本领域技术人员显然能够在权利要求书所记载的范畴内想到各种变更例或修正例，这些当然也属于本发明的技术范围。另外，在不脱离发明的主旨的范围内，也可以将上述实施方式中的各构成要素任意地组合。
需要说明的是，本申请基于2019年3月25日申请的日本专利申请(日本特愿2019-056926)，其内容在本申请中作为参照被引用。

Claims (13)

1.一种发光元件阵列芯片，其具备：
第一发光元件阵列，该第一发光元件阵列包括第一发光元件，该第一发光元件具有第一基板，形成在所述第一基板上的发光元件层，以及与所述发光元件层电连接的第一阴极电极；以及
第二发光元件阵列，该第二发光元件阵列包括第二发光元件，该第二发光元件具有第二基板，形成在所述第二基板上的非p型下部反射镜，以及与所述非p型下部反射镜电连接的第二阴极电极，其中，
所述第一发光元件阵列设置在所述第二发光元件阵列的射出面侧。
2.根据权利要求1所述的发光元件阵列芯片，其中
所述第一阴极电极形成在所述第一基板的背面侧，
所述第一发光元件阵列设置在设置于所述第二发光元件阵列的所述射出面侧的阴极布线上。
3.根据权利要求2所述的发光元件阵列芯片，其中
连接到所述阴极布线的阴极焊盘设置在所述第二发光元件阵列的所述射出面侧。
4.根据权利要求2所述的发光元件阵列芯片，其中
所述第一发光元件阵列在射出面侧具有第一阳极电极，
所述第一阳极电极与设置在所述第二发光元件阵列的所述射出面侧的阳极布线通过接合线连接。
5.根据权利要求4所述的发光元件阵列芯片，其中
连接到所述阳极布线的阳极焊盘设置在所述第二发光元件阵列的所述射出面侧。
6.根据权利要求1所述的发光元件阵列芯片，其中
所述第一发光元件阵列通过粘接部件粘接到所述第二发光元件阵列的所述射出面侧。
7.根据权利要求1所述的发光元件阵列芯片，其中
所述第一发光元件阵列的所述第一发光元件被所述第二发光元件阵列的所述第二发光元件包围。
8.根据权利要求7所述的发光元件阵列芯片，其中
所述第一发光元件阵列设置在所述第二发光元件阵列的中央区域。
9.根据权利要求1所述的发光元件阵列芯片，其中
所述第一发光元件阵列设置在所述第二发光元件阵列的端部区域。
10.一种发光装置，其具备：
权利要求1至9中的任意一项所述的发光元件阵列芯片；以及
光扩散部件，其设置在所述发光元件阵列芯片的所述第一发光元件阵列和所述发光元件阵列芯片的所述第二发光元件阵列的光射出路径上。
11.一种光学装置，其具备：
权利要求10所述的发光装置；以及
受光部，其接收从所述发光装置的所述第一发光元件阵列射出并由被测定物反射来的第一反射光、以及从所述发光装置的所述第二发光元件阵列射出并由所述被测定物反射来的第二反射光，其中，
所述受光部输出与从所述第一发光元件阵列射出光起到该光由所述受光部接收到为止的时间相当的信号、以及与从所述第二发光元件阵列射出光起到该光由所述受光部接收到为止的时间相当的信号。
12.一种信息处理装置，其具备：
权利要求11所述的光学装置；以及
形状特定部，其基于从所述光学装置的所述第一发光元件阵列或所述第二发光元件阵列射出并由所述被测定物反射来的所述第一反射光或所述第二反射光，特定所述被测定物的三维形状。
13.根据权利要求12所述的信息处理装置，其具备：
认证处理部，其基于所述形状特定部的特定结果，进行与所述信息处理装置的使用相关的认证处理。
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