CN113451373A - 显示设备 - Google Patents

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CN113451373A CN202110307614.4A CN202110307614A CN113451373A CN 113451373 A CN113451373 A CN 113451373A CN 202110307614 A CN202110307614 A CN 202110307614A CN 113451373 A CN113451373 A CN 113451373A
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权昭罗
尹美珍
李旭宰
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Abstract

显示设备包括基板、第一像素、电压线组和连接导电层。基板包括透射区、显示区和第一非显示区。显示区围绕透射区。第一非显示区位于透射区和显示区之间。显示图像的像素不位于透射区或第一非显示区中。第一像素布置在显示区中并且包括显示元件和像素电路。电压线组电连接到像素电路并且与显示区和第一非显示区两者重叠。连接导电层位于第一非显示区中，围绕透射区，并且电连接到电压线组。电压线组的材料与连接导电层的材料相同。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年3月26日提交的韩国专利申请号10-2020-0037056的优先权和权益；该韩国专利申请通过引用被并入。
技术领域
技术领域涉及显示设备。
背景技术
显示设备可包括用于根据输入信号显示图像的显示区。可在显示区附近实现附加功能。例如，感测功能可在被显示区围绕的区中实现。
发明内容
实施方式可涉及在布线之间具有最小的非期望的电阻偏差的显示设备。
实施方式可涉及显示设备，该显示设备具有最小的潜在地由来自像素的显示元件发射的光的亮度差引起的污点。
根据一个或多个实施方式，显示设备包括：基板，该基板包括透射区、显示区和第一非显示区，显示区围绕透射区，并且第一非显示区在透射区和显示区之间；像素，该像素布置在显示区中并且包括显示元件和像素电路；电压线，该电压线连接到像素电路并且从显示区延伸到第一非显示区；和连接导电层，该连接导电层在第一非显示区中，围绕透射区并且连接到电压线，其中电压线包括与连接导电层的材料相同的材料。
电压线和连接导电层可布置在不同层上。
显示设备可进一步包括布置在基板和显示元件之间的无机绝缘层，其中电压线可通过无机绝缘层的接触部分连接到连接导电层。
无机绝缘层可包括第一无机绝缘层、第二无机绝缘层和第三无机绝缘层，并且电压线可布置在第一无机绝缘层和第二无机绝缘层之间。
连接导电层可布置在第二无机绝缘层和第三无机绝缘层之间。
显示设备可进一步包括布置在无机绝缘层和显示元件之间的有机绝缘层，其中连接导电层可布置在无机绝缘层和有机绝缘层之间。
显示设备可进一步包括各自布置在基板和显示元件之间的无机绝缘层和有机绝缘层，其中连接导电层可布置在有机绝缘层上，并且电压线可通过无机绝缘层和有机绝缘层的接触部分连接到连接导电层。
显示设备可进一步包括布置在无机绝缘层和有机绝缘层之间的连接电极，其中电压线可通过连接电极连接到连接导电层。
电压线和连接导电层可布置在同一层上并且一体地提供。
像素可包括彼此相邻的第一像素和第二像素，电压线可包括第一电压线和第二电压线，第一电压线连接到第一像素，并且第二电压线连接到第二像素，并且连接导电层可连接到第一电压线和第二电压线两者。
电压线可包括在第一方向或与第一方向相交的第二方向上与透射区重叠的第一初始化电压线。
显示设备可进一步包括在第一方向上延伸并且在第二方向上远离透射区的第二初始化电压线。
电压线可包括在第一方向上延伸并且连接到连接导电层的水平电压线，和在与第一方向相交的第二方向上从连接导电层延伸的垂直电压线。
水平电压线可包括相对于透射区彼此对称布置的第一水平电压线和第二水平电压线。
根据一个或多个实施方式，显示设备包括基板，该基板包括透射区、显示区和第一非显示区，显示区围绕透射区，并且第一非显示区在透射区和显示区之间；在显示区中彼此相邻并且各自包括显示元件和像素电路的第一像素和第二像素；第一电压线和第二电压线，第一电压线连接到第一像素，并且第二电压线连接到第二像素；和连接导电层，该连接导电层布置在第一非显示区中并且连接到第一电压线和第二电压线两者，其中第一电压线、第二电压线和连接导电层包括相同的材料。
第一电压线和连接导电层可布置在不同的层上。
显示设备可进一步包括布置在基板和显示元件之间的绝缘层，其中第一电压线可通过绝缘层的第一接触部分连接到连接导电层。
第一电压线、第二电压线和连接导电层可一体地提供。
连接导电层可围绕透射区。
第一电压线和第二电压线中的每一个可包括初始化电压线。
实施方式可涉及显示设备。显示设备可包括基板、第一像素、电压线组和连接导电层。基板可包括透射区、显示区和第一非显示区。显示区围绕透射区。第一非显示区可位于透射区和显示区之间。显示图像的像素可不位于透射区或第一非显示区中。第一像素可布置在显示区中并且可包括显示元件和像素电路。电压线组可电连接到像素电路并且与显示区和第一非显示区两者重叠。连接导电层可位于第一非显示区中，围绕透射区，并且可电连接到电压线组。电压线组的材料可与连接导电层的材料相同。
显示设备可包括直接接触电压线组并且与连接导电层间隔开的绝缘材料层。
显示设备可包括布置在基板和显示元件之间的无机绝缘层。电压线组可通过无机绝缘层的接触孔电连接到连接导电层。
无机绝缘层可包括第一无机绝缘层、第二无机绝缘层和第三无机绝缘层。第一无机绝缘层可为绝缘材料层。电压线组可布置在第一无机绝缘层和第二无机绝缘层之间。
连接导电层可布置在第二无机绝缘层和第三无机绝缘层之间。
显示设备可包括布置在无机绝缘层和显示元件之间的有机绝缘层。连接导电层可布置在无机绝缘层和有机绝缘层之间。
显示设备可包括各自布置在基板和显示元件之间的无机绝缘层和有机绝缘层。连接导电层可布置在有机绝缘层上。电压线组可通过无机绝缘层和有机绝缘层的接触孔电连接到连接导电层。
显示设备可包括至少部分布置在无机绝缘层和有机绝缘层之间的连接电极。电压线组可通过连接电极电连接到连接导电层。
显示设备可包括直接接触电压线组的面和连接导电层的面中的每一个的绝缘材料层。电压线组和连接导电层可彼此直接连接并且可都由电压线组的材料形成。
显示设备可包括与第一像素相邻的第二像素。电压线组可包括第一电压线和第二电压线。连接导电层可通过第一电压线电连接到第一像素并可通过第二电压线电连接到第二像素。
电压线组可包括在第一方向或不同于第一方向的第二方向上与透射区重叠的第一初始化电压线。
显示设备可包括在第一方向上延伸并且在第二方向上与透射区间隔开的第二初始化电压线。
电压线组可包括下述构件：在第一方向上延伸并且直接连接到连接导电层的第一水平电压线；和直接连接到连接导电层并且在不同于第一方向的第二方向上延伸垂直电压线。
电压线组可包括第二水平电压线，该第二水平电压线可为第一水平电压线相对于透射区的镜像。
实施方式可涉及显示设备。显示设备可包括下述元件：基板，该基板包括透射区、显示区和第一非显示区，显示区围绕透射区，第一非显示区位于透射区和显示区之间，显示图像的像素不位于透射区或第一非显示区中；第一像素和第二像素，该第一像素和第二像素彼此相邻，位于显示区中，并且各自包括显示元件和像素电路；第一电压线；第二电压线；和连接导电层，该连接导电层布置在第一非显示区中，通过第一电压线电连接到第一像素，并且通过第二电压线电连接到第二像素。第一电压线的材料、第二电压线的材料和连接导电层的材料可彼此相同。
显示设备可包括直接接触第一电压线并且与连接导电层间隔开的绝缘材料层。
显示设备可包括布置在基板和第一像素的显示元件之间的绝缘层。第一电压线可通过绝缘层的第一接触孔连接到连接导电层。
第一电压线、第二电压线和连接导电层可彼此直接连接。
连接导电层可围绕透射区。
显示设备可包括电连接到第一电压线和第二电压线中的每一个并配置为接收初始化电压的端子。
附图说明
图1为根据实施方式的显示设备的透视图。
图2为根据实施方式的显示设备的横截面视图。
图3为根据实施方式的显示面板的平面图。
图4A为根据实施方式的显示面板的像素的等效电路图。
图4B为根据实施方式的显示面板的像素的等效电路图。
图5为根据实施方式的显示面板的一部分的平面图。
图6为根据实施方式的一个像素的横截面视图。
图7为根据实施方式的图5的区域VII的平面图。
图8为根据实施方式的沿着图7的线VIII-VIII'截取的横截面视图。
图9为根据另一实施方式的沿着图7的线VIII-VIII'截取的横截面视图。
图10为根据另一实施方式的沿着图7的线VIII-VIII'截取的横截面视图。
图11为根据另一实施方式的沿着图7的线VIII-VIII'截取的横截面视图。
图12为根据另一实施方式的图5的区域VII的平面图。
图13为根据实施方式的沿着图12的线XIII-XIII'截取的横截面视图。
图14为根据另一实施方式的沿着图12的线XIII-XIII'截取的横截面视图。
具体实施方式
参考附图描述示例实施方式，其中相同的附图标记可指代相同的元件。
尽管术语“第一”、“第二”等可用来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语可用于区分一个元件与另一个元件。在不背离一个或多个实施方式的教导的情况下，第一元件可被称为第二元件。将元件描述为“第一”元件可不要求或暗示第二元件或其他元件的存在。术语“第一”、“第二”等可用于区分不同类别或不同组的元件。为了简明起见，术语“第一”、“第二”等可分别表示“第一类(或第一组)”、“第二类(或第二组)”等。
单数形式“一个”、“一种”和“所述”也可指示复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
为了便于解释，附图中元件的尺寸可放大或减小。
当某个实施方式可不同地实现时，可与描述的顺序不同地进行具体的工艺顺序。例如，可基本上同时进行或以与描述的顺序相反的顺序进行两个连续描述的工艺。
术语“连接”可意为“电连接”或“不通过中间晶体管电连接”。术语“绝缘”可意为“电绝缘”或“电分离”。术语“导电的”可意为“电导电的”。术语“驱动”可意为“操作”或“控制”。术语“部分”可意为“构件”、“元件”或“部件”。术语“线”可意为“线组”或“布线”。元件包括材料的表述可意为该元件由该材料形成或者包括由该材料形成的层。材料的列表可意为所列材料中的至少一种。
图1为根据实施方式的显示设备1的透视图。
参考图1，显示设备1可包括第一区A1和围绕第一区A1的第二区A2。多个像素，例如，像素阵列，可布置在第二区A2中。第二区A2可通过像素阵列显示图像。第二区A2可为用于根据输入信号显示图像的显示区(的主要部分)。第一区A1可被第二区A2完全围绕。第一区A1可容纳用于进行一个或多个功能的部件。例如，该部件可为/可包括可使用光的传感器和/或照相机，并且第一区A1可为/可包括透射由传感器发射的光和/或朝向照相机透射光的透射区。
第三区A3可布置在第一区A1和第二区A2之间。第三区A3可为/可包括其中不布置像素的第一非显示区。绕行围绕(或绕过)第一区A1的布线可布置在第三区A3中。围绕第二区A2的第四区A4可为/可包括其中不布置像素的第二非显示区。各种类型的布线和内置电路可布置在第四区A4中。
显示设备1的每个像素可包括发光二极管作为可发射具有预定颜色的光的显示元件。发光二极管可包括有机发光二极管，该有机发光二极管包括有机材料作为发射层。发光二极管可包括无机发光二极管。发光二极管可包括量子点作为发射层。
虽然在图1中示出了第一区A1在显示设备1的宽度方向(例如±x方向)上布置在第二区A2的中心处，但是第一区A1可在显示设备1的宽度方向上向左或向右偏移布置。第一区A1可布置在显示设备1的纵向方向(例如±y方向)上的比如顶侧、中心或底侧的各种位置上。
虽然在图1中示出了显示设备1包括一个第一区A1，但是显示设备1可包括多个第一区A1。
图2为沿着图1的线II-II'截取的根据实施方式的显示设备1的横截面视图。
参考图2，显示设备1可包括显示面板10、输入感测部分40和光学功能部分50，输入感测部分40和光学功能部分50布置在显示面板10上。这些元件可被窗口60覆盖。窗口60可通过比如光学透明粘合剂(OCA)的粘合剂层耦接到光学功能部分50。显示设备1可适用于各种电子设备，比如移动电话、平板个人计算机(PC)、笔记本计算机和智能手表。
显示面板10可包括布置在第二区A2中的多个发光二极管。输入感测部分40可获得对应于外部输入(例如触摸事件)的坐标信息。输入感测部分40可包括感测电极和连接到感测电极的迹线。输入感测部分40可布置在显示面板10上。输入感测部分40可使用互电容方法或自电容方法感测外部输入。
输入感测部分40可直接形成在显示面板10上，没有中间粘合剂。输入感测部分40可单独形成，并且然后使用粘合剂层(比如OCA)耦接到显示面板10。
光学功能部分50可包括防反射层。防反射层可减少已通过窗口60朝向显示面板10入射的光(外部光)的反射率/反射。防反射层可包括延迟器和偏振器。延迟器可包括膜型延迟器或液晶型延迟器。延迟器可包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器可包括膜型偏振器或液晶型偏振器。膜型偏振器可包括可拉伸的合成的树脂膜，并且液晶型偏振器可包括以预定排列方式布置的液晶。延迟器和偏振器中的每一个可进一步包括保护膜。
防反射层可包括黑色矩阵和滤色器。滤色器可根据显示面板10的像素的排列方式来布置。防反射层可包括相消干涉结构。相消干涉结构可包括第一反射层和第二反射层。分别由第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可产生相消干涉，并且因此可减少外部光的反射率/反射。
光学功能部分50可包括透镜层。透镜层可提高从显示面板10发射的光的发射效率或减少颜色偏差。透镜层可包括具有凹透镜和/或凸透镜的层和/或可包括具有不同折射率的多个层。光学功能部分50可包括防反射层和/或透镜层。
输入感测部分40和光学功能部分50中的每一个可包括孔。例如，输入感测部分40可包括连接输入感测部分40的顶表面和底表面的孔40H。光学功能部分50可包括连接光学功能部分50的顶表面和底表面的孔50H。输入感测部分40的孔40H和光学功能层50的孔50H可布置在第一区A1中并且可彼此对应。
当窗口60和光学功能层50之间的粘合剂层包括OCA时，粘合剂层可不包括对应于第一区A1的孔。
部件20可布置在第一区A1中。部件20可包括电子元件。例如，部件20可为/可包括使用光或声音的电子元件。电子元件可为/可包括下述中的至少一种：传感器，比如发射和/或接收光的红外传感器；接收光以捕获图像的照相机；输出和感测光或声音以测量距离或识别指纹的传感器；输出光的小灯；和输出声音的扬声器。当部件20包括使用光或声音的电子元件时，电子元件可使用在各种波长带的至少一个中的光，比如可见光、红外光和紫外光。在实施方式中，第一区A1可包括透射从部件20输出的光和/或朝向部件20透射光的(显示面板10的)透射区。
当显示设备1用于智能手表或汽车仪表板时，部件20可为指示预定信息(例如车辆速度等)的构件，比如时钟指针或指针。当显示设备1包括时钟指针或汽车仪表板时，部件20可突出到窗口60之外，并且窗口60可包括对应于第一区A1的开口。
部件20可向显示设备1添加预定功能和/或美感。
图3为根据实施方式的显示面板10的平面图。图4A和图4B中的每一个为根据实施方式的显示面板10的像素P的等效电路图。
参考图3，显示面板10可包括第一区A1、第二区A2、第三区A3和第四区A4，第二区A2围绕第一区A1，第三区A3在第一区A1和第二区A2之间，并且第四区A4围绕第二区A2。显示面板10的基板100可相应地包括第一区A1、第二区A2、第三区A3和第四区A4。显示面板10可电连接到印刷电路板PCB的电路板端子部分PCB-P。
显示面板10可包括布置在第二区A2中的多个像素P。如图4A和图4B所示，每个像素P可包括像素电路PC和连接到像素电路PC的显示元件(例如，有机发光二极管OLED)。
参考图4A，像素电路PC可包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。每个像素P可通过有机发光二极管OLED发射，例如，红光、绿光或蓝光，或发射红光、绿光、蓝光或白光。
开关薄膜晶体管T2可连接到扫描线SL和数据线DL，并且可基于从扫描线SL输入的扫描信号或开关电压，将从数据线DL输入的数据信号或数据电压传送到驱动薄膜晶体管T1。存储电容器Cst可连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且存储对应于从开关薄膜晶体管T2传送的电压和供应到驱动电压线PL的第一电力电压ELVDD之间的差的电压。
驱动薄膜晶体管T1可连接在驱动电压线PL和存储电容器Cst之间，并且可响应于存储于存储电容器Cst中的电压来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可通过使用驱动电流发射具有预定亮度的光。有机发光二极管OLED的相对电极(例如阴极)可接收第二电力电压ELVSS。
参考图4B，像素电路PC可包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7。
信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL中的至少一个和/或初始化电压线VL可由相邻像素共享。
驱动薄膜晶体管T1的漏电极可通过发射控制薄膜晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED。驱动薄膜晶体管T1接收数据信号Dm，并且响应于开关薄膜晶体管T2的开关操作向有机发光二极管OLED供应驱动电流。
开关薄膜晶体管T2的栅电极连接到扫描线SL，并且开关薄膜晶体管T2的源电极连接到数据线DL。开关薄膜晶体管T2的漏电极连接到驱动薄膜晶体管T1的源电极，并且同时通过操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL。
开关薄膜晶体管T2响应于通过扫描线SL传送的扫描信号Sn而导通，并且进行将通过数据线DL传送的数据信号Dm传送到驱动薄膜晶体管T1的源电极的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的栅电极可连接到扫描线SL。补偿薄膜晶体管T3的源电极可连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极，并且同时通过发射控制薄膜晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的像素电极。补偿薄膜晶体管T3的漏电极可同时连接到存储电容器Cst的一个电极、第一初始化薄膜晶体管T4的源电极和驱动薄膜晶体管T1的栅电极。补偿薄膜晶体管T3可响应于通过扫描线SL传送的扫描信号Sn而导通，并且通过将驱动薄膜晶体管T1的栅电极连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极来二极管连接驱动薄膜晶体管T1。
第一初始化薄膜晶体管T4的栅电极可连接到前扫描线SL-1。第一初始化薄膜晶体管T4的漏电极可连接到初始化电压线VL。第一初始化薄膜晶体管T4的源电极可同时连接到存储电容器Cst的一个电极、补偿薄膜晶体管T3的漏电极和驱动薄膜晶体管T1的栅电极。第一初始化薄膜晶体管T4响应于通过前扫描线SL-1传送的前扫描信号Sn-1而导通，并且通过将初始化电压Vint传送到驱动薄膜晶体管T1的栅电极来进行初始化驱动薄膜晶体管T1的栅电极的电压的初始化操作。
操作控制薄膜晶体管T5的栅电极可连接到发射控制线EL。操作控制薄膜晶体管T5的源电极可连接到驱动电压线PL。操作控制薄膜晶体管T5的漏电极可连接到驱动薄膜晶体管T1的源电极和开关薄膜晶体管T2的漏电极。
发射控制薄膜晶体管T6的栅电极可连接到发射控制线EL。发射控制薄膜晶体管T6的源电极可连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极和补偿薄膜晶体管T3的源电极。发射控制薄膜晶体管T6的漏电极可电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6响应于通过发射控制线EL传送的发射控制信号En而同时导通，第一电力电压ELVDD被传送到有机发光二极管OLED，并且驱动电流流过有机发光二极管OLED。
第二初始化薄膜晶体管T7的栅电极可连接到后扫描线SL+1。第二初始化薄膜晶体管T7的源电极可连接到有机发光二极管OLED的像素电极。第二初始化薄膜晶体管T7的漏电极可连接到初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管T7可响应于通过后扫描线SL+1传送的后扫描信号Sn+1而导通，以初始化有机发光二极管OLED的像素电极。
图4B示出第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7分别连接到前扫描线SL-1和后扫描线SL+1的情况。第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7两者均可连接到前扫描线SL-1，并且响应于前扫描信号Sn-1而被驱动。
存储电容器Cst的另一个电极可连接到驱动电压线PL。存储电容器Cst的一个电极可同时连接到驱动薄膜晶体管T1的栅电极、补偿薄膜晶体管T3的漏电极和第一初始化薄膜晶体管T4的源电极。
有机发光二极管OLED的相对电极(例如阴极)接收第二电力电压ELVSS。有机发光二极管OLED通过从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流来发射光。
像素电路PC不限于参考图4A和图4B描述的薄膜晶体管的数量、存储电容器的数量和电路设计。薄膜晶体管的数量、存储电容器的数量和电路设计可根据实施方式来配置。
再次参考图3，第三区A3可围绕第一区A1。第三区A3可不包括显示元件。信号线或电压线可穿过第三区A3，用于向布置在第一区A1中的像素P提供信号。连接导线CL可布置在第三区A3中，连接导线CL围绕第一区A1。
第一驱动器1100、第二驱动器1200、数据驱动器1300和焊盘区PADA可布置在第四区A4中。第一驱动器1100和第二驱动器1200可向像素P提供扫描信号和/或发射控制信号。数据驱动器1300可向像素P提供数据信号。多个焊盘PAD可布置在焊盘区PADA中。焊盘PAD可电连接到电路板端子部分PCB-P的端子。
第二区A2可位于第一驱动器1100和第二驱动器1200之间。第一驱动器1100或第二驱动器1200可连接到连接至像素P的扫描线SL和/或发射控制线EL。
扫描线SL可向像素P提供扫描信号。扫描线SL可在第一方向(例如x方向)上从第一驱动器1100或第二驱动器1200延伸。
发射控制线EL可向像素P提供发射控制信号。发射控制线EL可在第一方向(例如x方向)上从第一驱动器1100或第二驱动器1200延伸。
数据驱动器1300可与基板100的一侧相邻。数据驱动器1300可布置在印刷电路板PCB上。
数据线DL可向像素P提供数据信号。数据线DL可在第二方向(例如y方向)上从数据驱动器1300延伸。
电源部分1400可布置在印刷电路板PCB上。电源部分1400可提供第一电力电压ELVDD(见图4B)、第二电力电压ELVSS(见图4B)和初始化电压Vint(见图4B)。电源部分1400可布置在第四区A4中。
初始化电压线VL可连接到焊盘PAD。初始化电压线VL的区段可在第四区A4中在第二方向(例如y方向)上延伸。初始化电压线VL的区段可在第一驱动器1100和/或第二驱动器1200的纵向方向上延伸。
初始化电压线VL可将初始化电压从电源部分1400传送到每个像素P。初始化电压线VL可包括第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2，第一初始化电压线VL1在第一方向(例如x方向)或第二方向(例如y方向)上与第一区A1重叠(与第一区A1对齐)，第二初始化电压线VL2在第二方向(例如y方向)上与第一区A1间隔开。
第一初始化电压线VL1可包括各自在第一方向(例如x方向)上延伸的第一水平电压线HVL1和第二水平电压线HVL2。第一水平电压线HVL1和第二水平电压线HVL2可对应于第一区A1。第一水平电压线HVL1和第二水平电压线HVL2可对称地布置在第一区A1的相对侧。第一水平电压线HVL1和第二水平电压线HVL2可在第一方向(例如x方向)上从第四区A4延伸到第三区A3。第一水平电压线HVL1和第二水平电压线HVL2中的每一个可连接到连接导线CL。尽管未示出，但是第一初始化电压线VL1可包括在第二方向(例如y方向)上延伸的垂直电压线。
图5为根据实施方式的显示面板的一部分的平面图。
参考图5，基板可包括第一区A1、第二区A2和第三区A3，第二区A2围绕第一区A1，并且第三区A3在第一区A1和第二区A2之间。像素P可布置在第二区A2中并且可包括显示元件和像素电路。初始化电压线VL可包括第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2。
布置在第二区A2中的一些像素P可通过第一区A1彼此分开。第一区A1可布置在在第一方向(例如x方向)上对齐的两个像素P之间。第一区A1可布置在在第二方向(例如y方向)上对齐的两个像素P之间。
像素P可连接到扫描线SL、第一数据线DL1和第二数据线DL2以及初始化电压线VL。扫描线SL可在第一方向(例如x方向)上延伸。第一数据线DL1和第二数据线DL2可在第二方向(例如y方向)上延伸。初始化电压线VL可包括在第一方向(例如x方向)和第二方向(例如y方向)上延伸的区段。
第一初始化电压线VL1可在第一方向(例如x方向)和/或第二方向(例如y方向)上与第一区A1重叠(和/或可与第一区A1对齐)。第一初始化电压线VL1可包括第一水平电压线HVL1、第二水平电压线HVL2和垂直电压线VVL。第一水平电压线HVL1和第二水平电压线HVL2可分别连接到布置在第一区A1的相对侧并且在第一方向(例如x方向)上对齐的两个像素P。垂直电压线VVL可在第二方向(例如y方向)上延伸并且可连接到与第一区A1相邻的像素P。
第二初始化电压线VL2可在第二方向(例如y方向)上与第一区A1间隔开。第二初始化电压线VL2可在第一方向(例如x方向)上延伸。
连接导电层CL可布置在第三区A3中。连接导电层CL可围绕第一区A1。连接导电层CL可完全围绕第一区A1。
连接导电层CL可连接到第一初始化电压线VL1。即，连接导电层CL可连接到第一水平电压线HVL1、第二水平电压线HVL2和垂直电压线VVL中的每一个。连接导电层CL可与第一初始化电压线VL1包括和/或由相同的导电材料形成。连接导电层CL和第一初始化电压线VL1中的每一个可包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)中的至少一种，并且可包括单层或多层结构。
因此，连接导电层CL和第一初始化电压线VL1的组合的电阻可不显著偏离第二初始化电压线VL2的电阻。因此，连接到第一初始化电压线VL1的像素的亮度可不与连接到第二初始化电压线VL2的像素的亮度显著不同。有利地，可防止显示图像中非期望的污点。
数据线DL可包括第一数据线DL1、通过第一区A1与第一数据线DL1间隔开的第二数据线DL2以及将第一数据线DL1连接至第二数据线DL2的绕行布线DWL。绕行布线DWL可与第一数据线DL1或第二数据线DL2布置在不同的层上，并且可通过接触孔连接到第一数据线DL1或第二数据线DL2。绕行布线DWL可布置在第三区A3中，并且可沿着第一区A1的边缘绕行。
第一数据线DL1、第二数据线DL2和绕行布线DWL可布置在同一层上。第一数据线DL1、第二数据线DL2和绕行布线DWL可一体地提供。
绕行布线DWL可布置在连接导电层CL内部。连接导电层CL可围绕绕行布线DWL。绕行布线DWL可比连接导电层CL更靠近第一区A1，并且连接导电层CL可比绕行布线DWL更靠近第二区A2。
在第一方向(例如x方向)上对齐并通过第一区A1分开的两个像素P可分别电连接到不同的扫描线SL。在第一区A1左侧上的扫描线SL可电连接到第一驱动器1100(图3中所示)，并且在第一区A1右侧上的扫描线SL可电连接到第二驱动器1200(图3中所示)。第一区A1的两个相对侧上的像素P可电连接到彼此间隔开的扫描线SL。一些扫描线SL可通过第一区A1彼此分开。
第二驱动器1200(见图3)可为任选的，并且在第一方向(例如x方向)上对齐并且通过第一区A1分开的两个像素P可连接到同一扫描线SL。扫描线SL可包括在第三区A3中的绕行部分。
图6为根据实施方式的沿着图5的线VI-VI'截取的像素的横截面视图。
参考图6，像素电路PC可布置在基板100之上，并且有机发光二极管OLED可布置在像素电路PC上并且电连接到像素电路PC。基板100可包括玻璃或聚合物树脂。基板100可包括单层或多层结构。
缓冲层101可布置在基板100上，以阻挡潜在地穿透基板100的外来物质、湿气或外部空气，并且在基板100上提供平坦的表面。缓冲层101可包括无机材料(比如氧化物或氮化物)、有机材料或无机/有机复合材料，并且可包括包含无机材料和/或有机材料的单层或多层结构。在基板100和缓冲层101之间可进一步布置屏障层(未示出)以阻挡空气。
像素电路PC可布置在缓冲层101上。绝缘层INL可布置在缓冲层101上。绝缘层INL可包括无机绝缘层IL和有机绝缘层207。无机绝缘层IL可包括第一无机绝缘层201、第二无机绝缘层203和第三无机绝缘层205。
像素电路PC可包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。薄膜晶体管TFT可包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。像素电路PC可包括顶栅型薄膜晶体管TFT，其中栅电极GE布置成比半导体层Act更远离基板100。薄膜晶体管TFT可为底栅型薄膜晶体管。
半导体层Act可包括多晶硅。半导体层Act可包括非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。栅电极GE可包括低电阻金属材料。栅电极GE可包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)中的至少一种的导电材料，并且包括单层或多层结构。
在半导体层Act和栅电极GE之间的第一无机绝缘层201可包括无机绝缘材料，比如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽和氧化铪。第一无机绝缘层201可包括单层或多层结构。
源电极SE和漏电极DE可包括具有卓越导电性的材料。源电极SE和漏电极DE可包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)中的至少一种的导电材料，并且可包括单层或多层结构。源电极SE和漏电极DE可包括Ti、Al和Ti的多层。
存储电容器Cst可包括彼此重叠并且通过第二无机绝缘层203分开的底电极CE1和顶电极CE2。存储电容器Cst可与薄膜晶体管TFT重叠。薄膜晶体管TFT的栅电极GE可用作存储电容器Cst的底电极CE1。存储电容器Cst可不与薄膜晶体管TFT重叠。存储电容器Cst可被第三无机绝缘层205覆盖。
第二无机绝缘层203和第三无机绝缘层205可各自包括无机绝缘材料，比如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽和氧化铪中的至少一种。第二无机绝缘层203和第三无机绝缘层205可各自包括单层或多层结构。
像素电路PC(包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst)可被有机绝缘层207覆盖。有机绝缘层207可包括基本上平坦的顶表面。有机绝缘层207可包括有机绝缘材料，该有机绝缘材料包括通用聚合物(比如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或以上材料中的一些的共混物。有机绝缘层207可包括聚酰亚胺。
像素电极221可布置在有机绝缘层207上。像素电极221可包括导电氧化物，比如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。像素电极221可包括反射层，该反射层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)和铬(Cr)中的至少一种。像素电极221可包括在反射层上/下方的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
像素限定层215可形成在像素电极221上。像素限定层215包括暴露像素电极221的顶表面的开口并且可覆盖像素电极221的边缘。像素限定层215可包括有机绝缘材料。像素限定层215可包括无机绝缘材料，比如氧化硅、氮氧化硅和氮化硅。像素限定层215可包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
中间层222可包括发射层222b。发射层222b可包括，例如，有机材料。发射层222b可包括发射具有预定颜色的光的聚合物有机材料或低分子量有机材料。中间层222可包括第一功能层222a和/或第二功能层222c，第一功能层222a在发射层222b下方，并且第二功能层222c在发射层222b上。
第一功能层222a可包括单层或多层结构。当第一功能层222a包括聚合物材料时，第一功能层222a可包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)，并且包括聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT)或聚苯胺(PANI)。当第一功能层222a包括低分子量材料时，第一功能层222a可包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)。
第二功能层222c可为任选的。当第一功能层222a和发射层222b包括聚合物材料时，可形成第二功能层222c。第二功能层222c可包括单层或多层。第二功能层222c可包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
中间层222的发射层222b可针对第二区A2中的每个像素布置。发射层222b可与像素限定层215的开口和/或像素电极221重叠。中间层222的第一功能层222a和第二功能层222c被一体地提供，并且不仅可形成于第二区A2中，也可形成于参考图5描述的第三区A3中。
相对电极223可包括具有低功函数的导电材料。例如，相对电极223可包括半透明或透明层，该半透明或透明层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或一些金属的合金。相对电极223可进一步包括包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。相对电极223被一体地提供以覆盖第二区A2中的多个像素电极221。中间层222和相对电极223可通过热沉积形成。
间隔物217可布置在像素限定层215上。间隔物217可包括有机绝缘材料，比如聚酰亚胺。间隔物217可包括无机绝缘材料(比如氮化硅或氧化硅)或包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
间隔物217可包括不同于像素限定层215的材料的材料。间隔物217可与像素限定层215包括相同的材料。像素限定层215和间隔物217可在使用半色调掩模等的掩模工艺期间同时形成。像素限定层215和间隔物217可包括聚酰亚胺。
封盖层230可布置在相对电极223上。封盖层230可包括氟化锂(LiF)、无机材料和/或有机材料。封盖层230可为任选的。
薄膜封装层可布置在封盖层230上。薄膜封装层可包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。
至少一个无机封装层可包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。至少一个有机封装层可包括聚合物类材料。聚合物类材料可包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯。有机封装层可包括丙烯酸酯。
基板100可通过密封构件耦接至作为透明构件的顶基板，使得基板100和顶基板之间的内部空间被密封。吸湿剂或填充材料等可布置在内部空间中。密封构件可包括密封剂。密封构件可包括通过激光硬化的材料。例如，密封构件可包括玻璃料。密封构件可包括作为有机密封剂的氨基甲酸乙酯类树脂、环氧类树脂和丙烯酸类树脂或作为无机密封剂的硅。氨基甲酸乙酯类树脂可包括，例如，氨基甲酸乙酯丙烯酸酯。丙烯酸类树脂可包括，例如，丙烯酸丁酯和丙烯酸乙基己酯。密封构件可包括通过加热硬化的材料。
图7为根据实施方式的图5的区域VII的平面图。
参考图7，基板可包括第二区A2和第三区A3，第二区A2围绕第一区A1，并且第三区A3布置在第一区A1和第二区A2之间。
多个像素P可布置在第二区A2中，像素P各自包括像素电路和显示元件。多个像素P可在第一方向(例如x方向)和/或第二方向(例如y方向)上布置。一些像素P可彼此相邻并且与第三区A3相邻。例如，第一像素P1和第二像素P2可在第一方向(例如x方向)上对齐，并且可与第三区A3相邻。
一些像素P可连接到从第二区A2延伸到第三区A3并且包括垂直电压线VVL的电压线，该垂直电压线VVL是初始化电压线VL的区段。垂直电压线VVL可在第二方向(例如y方向)上从连接导电层CL延伸。第一像素P1可连接到在第二方向(例如y方向)上延伸的第一电压线VVL1，并且第二像素P2可连接到在第二方向(例如y方向)上延伸的第二电压线VVL2。垂直电压线VVL可包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的导电材料，并且可包括单层或多层结构。
连接导电层CL可布置在第三区A3中。连接导电层CL可与第二区A2相邻。连接导电层CL可沿着布置在第二区A2中的像素P弯曲。连接导电层CL可包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的导电材料，并且包括单层或多层结构。连接导电层CL和垂直电压线VVL可包括相同的材料。例如，当垂直电压线VVL包括钼(Mo)时，连接导电层CL也可包括钼(Mo)。因此，可防止潜在地由从像素P发射的光的亮度差引起的污点。
连接导电层CL和电压线可直接布置在不同层上。例如，连接导电层CL和垂直电压线VVL可直接布置在不同层上。图5中描述的水平电压线HVL可与连接导电层CL直接布置在不同的层上。连接导电层CL可通过绝缘层的接触部分CNP连接到电压线。例如，第一电压线VVL1可通过第一接触部分CNP1连接到连接导电层CL。第二电压线VVL2可通过第二接触部分CNP2连接到连接导电层CL。
图8为根据实施方式的沿着图7的线VIII-VIII'截取的显示面板的横截面视图。
参考图8，显示面板可包括在基板100上的缓冲层101和绝缘层INL。绝缘层INL可包括无机绝缘层IL和有机绝缘层207。无机绝缘层IL可包括第一无机绝缘层201、第二无机绝缘层203和第三无机绝缘层205。
第一电压线VVL1可布置在第一无机绝缘层201和第二无机绝缘层203之间。连接导电层CL可布置在第三无机绝缘层205和有机绝缘层207之间。
第一电压线VVL1可通过第一接触部分CNP1连接到连接导电层CL。第一接触部分CNP1可包括第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2。第一接触孔CNT1可提供在第二无机绝缘层203中，并且第二接触孔CNT2可提供在第三无机绝缘层205中。第一接触孔CNT1可重叠于并且直接连接到第二接触孔CNT2。
图9为根据另一实施方式的沿着图7的线VIII-VIII'截取的显示面板的横截面视图。
参考图9，显示面板可包括在基板100上的缓冲层101和绝缘层INL。绝缘层INL可包括无机绝缘层IL和有机绝缘层207。无机绝缘层IL可包括第一无机绝缘层201、第二无机绝缘层203和第三无机绝缘层205。
第一电压线VVL1可布置在第一无机绝缘层201和第二无机绝缘层203之间。连接导电层CL可布置在第二无机绝缘层203和第三无机绝缘层205之间。第一电压线VVL1可通过第二无机绝缘层203的第一接触部分CNP1连接到连接导电层CL。
图10为根据另一实施方式的沿着图7的线VIII-VIII'截取的显示面板的横截面视图。
参考图10，显示面板可包括在基板100上的缓冲层101和绝缘层INL。绝缘层INL可包括无机绝缘层IL和有机绝缘层207。无机绝缘层IL可包括第一无机绝缘层201、第二无机绝缘层203和第三无机绝缘层205。
第一电压线VVL1可布置在第一无机绝缘层201和第二无机绝缘层203之间。连接导电层CL可布置在有机绝缘层207上。
第一电压线VVL1可通过第一接触部分CNP1连接到连接导电层CL。第一接触部分CNP1可包括第一接触孔CNT1、第二接触孔CNT2和第三接触孔CNT3。第一接触孔CNT1可提供在第二无机绝缘层203中，并且第二接触孔CNT2可提供在第三无机绝缘层205中。第三接触孔CNT3可提供在有机绝缘层207中。第一接触孔CNT1、第二接触孔CNT2和第三接触孔CNT3可彼此重叠并且彼此连接。
图11为根据另一实施方式的沿着图7的线VIII-VIII'截取的显示面板的横截面视图。
参考图11，显示面板可包括在基板100上的缓冲层101和绝缘层INL。绝缘层INL可包括无机绝缘层IL和有机绝缘层207。无机绝缘层IL可包括第一无机绝缘层201、第二无机绝缘层203和第三无机绝缘层205。
第一电压线VVL1可布置在第一无机绝缘层201和第二无机绝缘层203之间。连接导电层CL可布置在有机绝缘层207上。连接电极CM可(至少部分地)布置在第三无机绝缘层205和有机绝缘层207之间。连接电极CM可与第一电压线VVL1和连接导电层CL包括相同的材料。
第一电压线VVL1可通过第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2连接到连接电极CM。第一接触孔CNT1可提供在第二无机绝缘层203中，并且第二接触孔CNT2可提供在第三无机绝缘层205中。第一接触孔CNT1可重叠于并且连接到第二接触孔CNT2。
连接导电层CL可通过第三接触孔CNT3连接到连接电极CM。第三接触孔CNT3可被提供给有机绝缘层207。因此，连接导电层CL可通过连接电极CM连接到第一电压线VVL1。连接导电层CL可通过绝缘层INL的第一接触部分CNP1连接到第一电压线VVL1。
图12为根据另一实施方式的图5的区域VII的平面图。
参考图12，基板可包括第二区A2和第三区A3，第二区A2围绕第一区A1，并且第三区A3布置在第一区A1和第二区A2之间。
多个像素P可布置在第二区A2中，像素P各自包括像素电路和显示元件。多个像素P可布置在第一方向(例如x方向)或第二方向(例如y方向)上。一些像素P可彼此相邻并且与第三区A3相邻。例如，第一像素P1和第二像素P2可在第一方向(例如x方向)上对齐，并且可与第三区A3相邻。
一些像素P可连接到从第二区A2延伸到第三区A3的电压线，例如，作为初始化电压线VL的区段的垂直电压线VVL。垂直电压线VVL可在第二方向(例如y方向)上从连接导电层CL延伸。第一像素P1可连接到在第二方向(例如y方向)上延伸的第一电压线VVL1，并且第二像素P2可连接到在第二方向(例如y方向)上延伸的第二电压线VVL2。垂直电压线VVL可包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的导电材料，并且可包括单层或多层结构。
连接导电层CL可布置在第三区A3中。连接导电层CL可与第二区A2相邻。连接导电层CL可沿着布置在第二区A2中的像素P弯曲。连接导电层CL可包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的导电材料，并且可包括单层或多层结构。连接导电层CL和垂直电压线VVL可包括相同的材料。例如，当垂直电压线VVL包括钼(Mo)时，连接导电层CL也可包括钼(Mo)。
连接导电层CL可与电压线直接布置在同一层上。连接导电层CL可与电压线一体地提供。例如，连接导电层CL可与垂直电压线VVL直接布置在同一层上并且与垂直电压线VVL一体地提供。图5中描述的水平电压线HVL可与连接导电层CL直接布置在同一层上并且与连接导电层CL一体地提供。连接导电层CL可与垂直电压线VVL包括相同的材料，并且可防止潜在地由从像素P发射的光的亮度差引起的污点。
图13为根据实施方式的沿着图12的线XIII-XIII'截取的显示面板的横截面视图。
参考图13，显示面板可包括在基板100上的缓冲层101和绝缘层INL。绝缘层INL可包括无机绝缘层IL和有机绝缘层207。无机绝缘层IL可包括第一无机绝缘层201、第二无机绝缘层203和第三无机绝缘层205。
第一电压线VVL1和连接导电层CL可直接布置在同一层上并且一体地提供。第一电压线VVL1和连接导电层CL可布置在第一无机绝缘层201和第二无机绝缘层203之间。
图14为根据另一实施方式的沿着图12的线XIII-XIII'截取的显示面板的横截面视图。
参考图14，显示面板可包括在基板100上的缓冲层101和绝缘层INL。绝缘层INL可包括无机绝缘层IL和有机绝缘层207。无机绝缘层IL可包括第一无机绝缘层201、第二无机绝缘层203和第三无机绝缘层205。
第一电压线VVL1和连接导电层CL可直接布置在同一层上并且一体地提供。第一电压线VVL1和连接导电层CL可布置在第二无机绝缘层203和第三无机绝缘层205之间。
实施方式可包括围绕第一非显示区中的透射区并且连接到电压线的连接导电层。因为电压线和连接导电层可包括相同的材料，所以可最小化第一初始化电压线和第二初始化电压线之间的电阻偏差。
因此，可防止潜在地由像素发射的光的亮度差引起的污点。
本文所述的示例实施方式是阐释性的，而不是出于限制的目的。每个实施方式中的特征或方面的描述可用于其他实施方式。在不背离由所附权利要求限定的范围的情况下，可在示例实施方式中做出形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种显示设备，所述显示设备包括：
基板，所述基板包括透射区、显示区和第一非显示区，所述显示区围绕所述透射区，所述第一非显示区位于所述透射区和所述显示区之间，显示图像的像素不位于所述透射区或所述第一非显示区中；
第一像素，所述第一像素布置在所述显示区中并且包括显示元件和像素电路；
电压线组，所述电压线组电连接到所述像素电路并且与所述显示区和所述第一非显示区两者重叠；和
连接导电层，所述连接导电层位于所述第一非显示区中，围绕所述透射区，并且电连接到所述电压线组，
其中所述电压线组的材料与所述连接导电层的材料相同。
2.如权利要求1所述的显示设备，包括直接接触所述电压线组并且与所述连接导电层间隔开的绝缘材料层。
3.如权利要求2所述的显示设备，包括布置在所述基板和所述显示元件之间的无机绝缘层，
其中所述电压线组通过所述无机绝缘层的接触孔电连接到所述连接导电层。
4.如权利要求3所述的显示设备，其中所述无机绝缘层包括第一无机绝缘层、第二无机绝缘层和第三无机绝缘层，
其中所述第一无机绝缘层为所述绝缘材料层，并且
其中所述电压线组布置在所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层之间。
5.如权利要求3所述的显示设备，包括布置在所述无机绝缘层和所述显示元件之间的有机绝缘层，
其中所述连接导电层布置在所述无机绝缘层和所述有机绝缘层之间。
6.如权利要求2所述的显示设备，包括各自布置在所述基板和所述显示元件之间的无机绝缘层和有机绝缘层，
其中所述连接导电层布置在所述有机绝缘层上，并且
其中所述电压线组通过所述无机绝缘层和所述有机绝缘层的接触孔电连接到所述连接导电层。
7.如权利要求1所述的显示设备，包括直接接触所述电压线组的面和所述连接导电层的面中的每一个的绝缘材料层，其中所述电压线组和所述连接导电层彼此直接连接并且都由所述电压线组的所述材料形成。
8.如权利要求1所述的显示设备，包括与所述第一像素相邻的第二像素，
其中所述电压线组包括第一电压线和第二电压线，并且
其中所述连接导电层通过所述第一电压线电连接到所述第一像素并且通过所述第二电压线电连接到所述第二像素。
9.如权利要求1所述的显示设备，其中所述电压线组包括在第一方向或不同于所述第一方向的第二方向上与所述透射区重叠的第一初始化电压线，并且
包括在所述第一方向上延伸并且在所述第二方向上与所述透射区间隔开的第二初始化电压线。
10.如权利要求1所述的显示设备，其中所述电压线组包括：
在第一方向上延伸并且直接连接到所述连接导电层的第一水平电压线；和
直接连接到所述连接导电层并且在不同于所述第一方向的第二方向上延伸的垂直电压线，并且
其中所述电压线组包括第二水平电压线，所述第二水平电压线为所述第一水平电压线相对于所述透射区的镜像。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114743484A (zh) * 2020-05-15 2022-07-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
CN112420959A (zh) * 2020-11-19 2021-02-26 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示基板、其制作方法、显示面板及显示装置
KR20220154320A (ko) * 2021-05-12 2022-11-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20230106789A (ko) * 2022-01-06 2023-07-14 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 이를 구비하는 표시장치
KR20240094341A (ko) * 2022-12-16 2024-06-25 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005046352A (ja) 2003-07-29 2005-02-24 Hitachi Electronics Service Co Ltd ホール付表示装置
US8149346B2 (en) 2005-10-14 2012-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
KR102711851B1 (ko) 2016-10-31 2024-10-04 엘지디스플레이 주식회사 관통 홀을 구비한 평판 표시장치
KR102450621B1 (ko) 2017-10-12 2022-10-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102664717B1 (ko) 2018-04-13 2024-05-10 삼성전자 주식회사 표시 영역에 의해 둘러싸인 홀 영역을 우회하는 복수의 배선들을 포함하는 디스플레이 및 이를 포함하는 전자 장치
US10541380B1 (en) * 2018-08-30 2020-01-21 Samsung Display Co., Ltd. Display device with substrate comprising an opening and adjacent grooves
CN110061014B (zh) * 2019-04-30 2021-06-08 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
KR20210002171A (ko) * 2019-06-26 2021-01-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210086908A (ko) * 2019-12-31 2021-07-09 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20210091864A (ko) * 2020-01-14 2021-07-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

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