CN113436985B - 基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够以将基板的凹部内填埋的方式形成膜的技术。提供一种基板处理装置，其具有：供基板载置的基板载置台；从基板载置台的上方侧向基板的面上供给吸附阻碍气体的吸附阻碍气体供给部；从基板载置台的上方侧向基板的面上供给原料气体的原料气体供给部，设于吸附阻碍气体供给部的气体供给口与基板之间的距离(D1)构成为，比设于原料气体供给部的气体供给口与基板之间的距离(D2)大。

Description

基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质
技术领域
本发明涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质。
背景技术
作为半导体器件的制造工序中的一个工序，有时会进行在基板上形成膜的处理(例如参照专利文献1)。在该情况下，有时会进行以将基板的表面上所设的凹部内填埋的方式形成膜的处理。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-56410号公报
发明内容
本发明提供能够以将基板的凹部内填埋的方式形成膜的技术。
根据本发明的一个方式，提供一种基板处理装置，其具有：
供基板载置的基板载置台；
从所述基板载置台的上方侧向所述基板的面上供给吸附阻碍气体的吸附阻碍气体供给部；和
从所述基板载置台的上方侧向所述基板的面上供给原料气体的原料气体供给部，
设于所述吸附阻碍气体供给部的气体供给口与所述基板之间的距离D1构成为，比设于所述原料气体供给部的气体供给口与所述基板之间的距离D2大。
发明效果
根据本发明，能够以将基板的凹部内填埋的方式形成膜。
附图说明
图1是表示本发明的第1方式的基板处理装置的主要部分的概略构成例的概念图。
图2是表示本发明的第1方式的基板处理装置的主要部分的详细构成例的图，图2的(a)是表示图1的A-A截面的侧剖视图，图2的(b)是表示图1的B-B截面的侧剖视图。
图3是表示本发明的第1方式的基板处理装置的主要部分的详细构成例的图，是表示图1的C-C截面的侧剖视图。
图4是表示本发明的第1方式的成膜方法的一例的一系列工序的图，图4的(a)是表示吸附阻碍层形成工序的一例的图，图4的(b)是表示原料气体吸附工序的一例的图，图4的(c)是表示基于反应气体进行的改质工序的一例的图。
图5是表示本发明的第2方式的基板处理装置的主要部分的概略构成的一例的概念图。
图6是表示本发明的其他方式的基板处理装置的主要部分的概略构成的一例的概念图。
附图标记说明
200…晶圆，232b…吸附阻碍气体供给部，232c…原料气体供给部，222b…吸附阻碍气体供给口，222b…吸附阻碍气体供给口，222c…原料气体供给口。
具体实施方式
＜本发明的第1方式＞
以下说明本发明的第1方式。
(1)基板处理装置的构成
首先，使用图1、图2的(a)、图2的(b)、图3来说明基板处理装置的构成。本方式的基板处理装置作为对于成为处理对象的基板一片一片地进行处理的枚叶式基板处理装置而构成。作为成为处理对象的基板，例如能够举出制成半导体器件(半导体器件)的半导体晶圆基板(以下仅称为“晶圆”。)。
(处理容器)
本方式所说明的基板处理装置100具有未图示的处理容器。处理容器例如由铝(Al)或不锈钢(SUS)等金属材料作为密闭容器而构成。另外，在处理容器的侧面设有未图示的基板搬入搬出口，经由该基板搬入搬出口来搬送晶圆200。而且，在处理容器上，连接有未图示的真空泵和压力控制器等气体排出系统，能够使用该气体排出系统而将处理容器内调整为规定压力。
(基板载置台)
在处理容器的内部设有供晶圆200载置的基板载置台210。基板载置台210构成为，当俯视时例如形成为圆板状，在其上表面(基板载置面)沿圆周方向以均等间隔载置多片晶圆200。另外，基板载置台210作为加热源而内置有未图示的加热器，能够使用该加热器而将晶圆200的温度维持为规定温度。基板载置台210构成为，以基板载置台210的俯视时的中心位置为旋转轴而由未图示的旋转机构旋转驱动。对基板载置台210进行旋转驱动的旋转机构构成为，例如具有将基板载置台210能够旋转地支承的旋转轴承、和以电动马达为代表的驱动源等。此外，在图例中表示了以供五片晶圆200载置的方式构成的情况，但并不限于此，载置片数只要能够适当设定即可。例如，若载置片数多，则能够期待处理吞吐量的提高，若载置片数少，则能够抑制基板载置台210的大型化。基板载置台210中的基板载置面由于与晶圆200直接接触，所以例如优选由石英和矾土等材质形成。
(匣盒头；Cartridge Head)
在基板载置台210的上方侧设有匣盒头230，该匣盒头230作为对于基板载置台210上的晶圆200的气体供给机构。匣盒头230的构成具有：配置于基板载置台210的中心位置附近的中央支承部230a；和从该中央支承部230a向着基板载置台210的外周侧以放射状延伸的多个匣盒部230b、230c、230d。具体地，匣盒头230具有按照匣盒部230b、230c、230d、230b、230c、230d的顺序沿着以中央支承部230a为中心的圆周以大致均等间隔排列的合计六个匣盒部。各匣盒部230b、230c、230d分别超出基板载置台210上的晶圆200的外周端，进一步延伸至其外周侧。
各匣盒部230b、230c、230d的设置数量虽然在图1中表示了在以中央支承部230a为中心的圆周方向上均等地各设有两个、合计设有六个的情况，但并不限于此。只要能够考虑对晶圆200供给的气体种类的数量和处理吞吐量等适当设定即可。
另外，在本方式中，各匣盒部230b、230c、230d以从中央支承部230a朝向基板载置台210的外周侧以带状延伸的方式构成。即，各匣盒部230b、230c、230d具有使长边方向朝向基板载置台210的外周侧配置的大致矩形状的平面形状。然而，各匣盒部230b、230c、230d的平面形状不需要必须为大致矩形状。例如，即使考虑后述的基板载置台210与匣盒头230的相对移动时的内外周的周速差和气体供给量之间的关系而设为朝向外周侧扩展的扇形状，也没有关系。在任何平面形状的情况下，各匣盒部230b、230c、230d的长边方向尺寸都形成得比晶圆200的最大直径大。
(匣盒部)
使用图2的(a)、图2的(b)、图3来详细说明具有匣盒头230的各匣盒部230b、230c、230d的构成。
图2的(a)是表示匣盒部230b的详细构成例的图，是表示图1的A-A截面的侧剖视图。
匣盒部230b具有吸附阻碍气体供给部232b(以下，称为“气体供给部232b”。)。气体供给部232b以从基板载置台210的上方侧向晶圆200的面上供给吸附阻碍气体的方式构成。气体供给部232b具有作为吸附阻碍气体的贯穿孔的吸附阻碍气体供给孔233b(以下，称为“气体供给孔233b”。)。另外，在气体供给孔233b的下端部设有吸附阻碍气体供给口222b(以下，称为“气体供给口222b”。)。在本说明书中，将气体供给部232b上所设的气体供给口222b与晶圆200的表面之间的距离设为距离D1。
而且，匣盒部230b在气体供给部232b的两侧方具有一对的吸附阻碍气体排出部240b(以下，称为“气体排出部240b”。)。气体排出部240b以在气体供给部232b的两侧方将吸附阻碍气体排出的方式构成。气体排出部240b具有作为吸附阻碍气体的贯穿孔的吸附阻碍气体排出孔238b(以下，称为“气体排出孔238b”。)。
而且，匣盒部230b在一对的气体排出部240b的两侧方具有一对的第1非活性气体供给部234b(以下，称为“气体供给部234b”。)。气体供给部234b以在气体供给部232b的两侧方从基板载置台210的上方侧向晶圆200的面上供给非活性气体的方式构成。气体供给部234b具有作为非活性气体的贯穿孔的第1非活性气体供给孔235b(以下，称为“气体供给孔235b”。)。另外，在气体供给孔235b的下端部设有第1非活性气体供给口225b(以下，称为“气体供给口225b”。)。在本说明书中，将气体供给部234b上所设的气体供给口225b与晶圆200的表面之间的距离设为距离P1。
而且，匣盒部230b在气体排出部240b与气体供给部234b之间分别具有第1非活性气体排出部239b(以下，称为“气体排出部239b”。)。气体排出部239b以将非活性气体排出的方式构成。气体排出部239b具有作为非活性气体的贯穿孔的第1非活性气体排出孔237b(以下，称为“气体排出孔237b”。)。
图2的(b)是表示匣盒部230c的详细构成例的图，是表示图1的B-B截面的侧剖视图。
匣盒部230c具有原料气体供给部232c(以下，称为“气体供给部232c”。)。气体供给部232c以从基板载置台210的上方侧向晶圆200的面上供给原料气体的方式构成。气体供给部232c具有作为原料气体的贯穿孔的原料气体供给孔233c(以下，称为“气体供给孔233c”。)。另外，在气体供给孔233c的下端部设有原料气体供给口222c(以下，称为“气体供给口222c”。)。在本说明书中，将气体供给部232c上所设的气体供给口222c与晶圆200的表面之间的距离设为距离D2。
而且，匣盒部230c在气体供给部232c的两侧方具有一对的原料气体排出部240c(以下，称为“气体排出部240c”。)。气体排出部240c以在气体供给部232c的两侧方将原料气体排出的方式构成。气体排出部240c具有作为原料气体的贯穿孔的原料气体排出孔238c(以下，称为“气体排出孔238c”。)。
而且，匣盒部230c在一对的气体排出部240c的两侧方具有一对的第2非活性气体供给部234c(以下，称为“气体供给部234c”。)。气体供给部234c以在气体供给部232c的两侧方从基板载置台210的上方侧向晶圆200的面上供给非活性气体的方式构成。气体供给部234c具有作为非活性气体的贯穿孔的第2非活性气体供给孔235c(以下，称为“气体供给孔235c”。)。另外，在气体供给孔235c的下端部设有第2非活性气体供给口225c(以下，称为“气体供给口225c”。)。在本说明书中，将气体供给部234c上所设的气体供给口225c与晶圆200的表面之间的距离设为距离P2。
而且，匣盒部230c在气体排出部240c与气体供给部234c之间分别具有第2非活性气体排出部239c(以下，称为“气体排出部239c”。)。气体排出部239c以将非活性气体排出的方式构成。气体排出部239c具有作为非活性气体的贯穿孔的第2非活性气体排出孔237c(以下，称为“气体排出孔237c”。)。
图3是表示匣盒部230d的详细构成例的图，是表示图1的C-C截面的侧剖视图。
匣盒部230d具有反应气体供给部232d(以下，称为“气体供给部232d”。)。气体供给部232d以从基板载置台210的上方侧向晶圆200的面上供给反应气体的方式构成。气体供给部232d具有作为反应气体的贯穿孔的反应气体供给孔233d(以下，称为“气体供给孔233d”。)。另外，在气体供给孔233d的下端部设有反应气体供给口222d(以下，称为“气体供给口222d”。)。在本说明书中，将气体供给部232d上所设的气体供给口222d与晶圆200的表面之间的距离设为距离D3。
而且，匣盒部230d在气体供给部232d的两侧方具有一对的反应气体排出部240d(以下，称为“气体排出部240d”。)。气体排出部240d以在气体供给部232d的两侧方将反应气体排出的方式构成。气体排出部240d具有作为反应气体的贯穿孔的反应气体排出孔238d(以下，称为“气体排出孔238d”。)。
而且，匣盒部230d在一对的气体排出部240d的两侧方具有一对的第3非活性气体供给部234d(以下，称为“气体供给部234d”。)。气体供给部234d以在气体供给部232d的两侧方从基板载置台210的上方侧向晶圆200的面上供给非活性气体的方式构成。气体供给部234d具有作为非活性气体的贯穿孔的第3非活性气体供给孔235d(以下，称为“气体供给孔235d”。)。另外，在气体供给孔235d的下端部设有第3非活性气体供给口225d(以下，称为“气体供给口225d”。)。在本说明书中，将气体供给部234d上所设的气体供给口225d与晶圆200的表面之间的距离设为距离P3。
而且，匣盒部230d在气体排出部240d与气体供给部234d之间分别具有第3非活性气体排出部239d(以下，称为“气体排出部239d”。)。气体排出部239d以将非活性气体排出的方式构成。气体排出部239d具有作为非活性气体的贯穿孔的第3非活性气体排出孔237d(以下，称为“气体排出孔237d”。)。
气体排出部239d用于将非活性气体排出。气体排出部239d构成为，在匣盒基体231d上设有作为非活性气体的贯穿孔的第3非活性气体排出孔237d(以下，称为“气体排出孔237d”。)。
如图2的(a)以及图2的(b)所示，距离D1比距离D2大。另外，如图2的(a)所示，距离P1比距离D1小。另外，如图2的(b)所示，距离P2比距离D2小。如图3所示，距离P3比距离D3小。
(气体供给系统)
接下来，说明与各匣盒部230b、230c、230d连接的气体供给系统的构成。
如图2的(a)所示，在气体供给部232b的气体供给孔233b连接有吸附阻碍气体供给管241b(以下，称为“气体供给管241b”。)。在气体供给管241b，从上游方向依次设有吸附阻碍气体供给源242b(以下，称为“气体供给源242b”。)、作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)243b、以及作为开闭阀的阀244b。主要由气体供给管241b、MFC243b、阀244b构成了吸附阻碍气体供给系统。在吸附阻碍气体供给系统中也可以包括气体供给源242b。通过这种构成，吸附阻碍气体供给系统通过气体供给孔233b从基板载置台210的上方侧向晶圆200的面上供给吸附阻碍气体。吸附阻碍气体是阻碍原料气体向晶圆200的吸附的气体。作为吸附阻碍气体，例如能够使用四氟化碳素(CF4)气体。
另外，第1非活性气体供给管251b(以下，称为“气体供给管251b”。)的下游侧分支而与各气体供给部234b的气体供给孔235b分别连接。在气体供给管251b上，从上游方向依次设有非活性气体供给源252(以下，称为“气体供给源252”。)、MFC253、以及阀254。由气体供给管251b、MFC253、阀254构成了第1非活性气体供给系统。在第1非活性气体供给系统中也可以包括气体供给源252。通过这种构成，第1非活性气体供给系统通过气体供给孔235b从基板载置台210的上方侧向晶圆200的面上供给非活性气体。
如图2的(b)所示，在气体供给部232c的气体供给孔233c连接有原料气体供给管241c(以下，称为“气体供给管241c”。)。在气体供给管241c上，从上游方向依次设有原料气体供给源242c(以下，称为“气体供给源242c”。)、MFC243c、以及阀244c。主要由气体供给管241c、MFC243c、阀244c构成了原料气体供给系统。此外，在原料气体供给系统中也可以包括气体供给源242c。通过这种构成，原料气体供给系统通过气体供给孔233c从基板载置台210的上方侧向晶圆200的面上供给原料气体。作为原料气体，例如能够使用二氯硅烷(SiH2Cl2，简称：DCS)气体。
另外，第2非活性气体供给管251c(以下，称为“气体供给管251c”。)的下游侧分支而与各气体供给部234c的气体供给孔235c分别连接。在气体供给管251c上，从上游方向依次设有气体供给源252、MFC253、以及阀254。由气体供给管251c、MFC253、阀254构成了第2非活性气体供给系统。此外，在第2非活性气体供给系统中也可以包括气体供给源252。通过这种构成，第2非活性气体供给系统通过气体供给孔235c从基板载置台210的上方侧向晶圆200的面上供给非活性气体。
如图3所示，在气体供给部232d的气体供给孔233d连接有反应气体供给管241d(以下，称为“气体供给管241d”。)。在气体供给管241d上，从上游方向依次设有反应气体供给源242d(以下，称为“气体供给源242d”。)、MFC243d、以及阀244d。主要由气体供给管241d、MFC243d、阀244d构成了反应气体供给系统。此外，在反应气体供给系统中也可以包括气体供给源242d。通过这种构成，反应气体供给系统通过气体供给孔233d从基板载置台210的上方侧向晶圆200的面上供给反应气体。作为反应气体，例如能够使用氨气(NH3)。
另外，第3非活性气体供给管251d(以下，称为“气体供给管251d”。)的下游侧分支而与各气体供给部234d的气体供给孔235d分别连接。在气体供给管251d上，从上游方向依次设有气体供给源252、MFC253以及阀254。由气体供给管251d、MFC253、阀254构成了第3非活性气体供给系统。此外，在第3非活性气体供给系统中也可以包括气体供给源252。通过这种构成，第3非活性气体供给系统通过气体供给孔235d从基板载置台210的上方侧向晶圆200的面上供给非活性气体。
(气体排出系统)
接下来，说明与各匣盒部230b、230c、230d连接的气体排出系统的构成。
如图2的(a)所示，吸附阻碍气体排出管261b(以下，称为“气体排出管261b”。)的上游侧分支而与各气体排出部240b的气体排出孔238b分别连接。在气体排出管261b上设有阀262。另外，在阀262的下游侧，设有将气体供给部232b的下方空间控制为规定压力的压力控制器263。在压力控制器263的下游侧设有真空泵264。主要由气体排出管261b、阀262、压力控制器263构成了吸附阻碍气体排出系统。此外，在吸附阻碍气体排出系统中也可以包括真空泵264。通过这种构成，吸附阻碍气体排出系统通过气体排出孔238b将向晶圆200的面上供给的吸附阻碍气体向晶圆200的上方侧排出。
另外，第1非活性气体排出管271b(以下，称为“气体排出管271b”。)的上游侧分支而与各气体排出部239b的气体排出孔237b分别连接。在气体排出管271b上设有阀272。另外，在阀272的下游侧设有将气体供给部234b的下方空间控制为规定压力的压力控制器273。而且，在压力控制器273的下游侧设有真空泵274。主要由气体排出管271b、阀272、压力控制器273构成了第1非活性气体排出系统。此外，在第1非活性气体排出系统中也可以包括真空泵274。通过这种构成，第1非活性气体排出系统通过气体排出孔237b将向晶圆200的面上供给的非活性气体向晶圆200的上方侧排出。
如图2的(b)所示，原料气体排出管261c(以下，称为“气体排出管261c”。)的上游侧分支而与各气体排出部240c的气体排出孔238c分别连接。在气体排出管261c上设有阀262。另外，在阀262的下游侧设有将气体供给部232c的下方空间控制为规定压力的压力控制器263。在压力控制器263的下游侧设有真空泵264。主要由气体排出管261c、阀262、压力控制器263构成了原料气体排出系统。此外，在原料气体排出系统中也可以包括真空泵274。通过这种构成，原料气体排出系统通过气体排出孔238c将向晶圆200的面上供给的原料气体向晶圆200的上方侧排出。
另外，第2非活性气体排出管271c(以下，称为“气体排出管271c”。)的上游侧分支而与各气体排出部239c的气体排出孔237c分别连接。在气体排出管271c上设有阀272。另外，在阀272的下游侧，设有将气体供给部234c的下方空间控制为规定压力的压力控制器273。而且，在压力控制器273的下游侧设有真空泵274。主要由气体排出管271c、阀272、压力控制器273构成了第2非活性气体排出系统。此外，在第2非活性气体排出系统中也可以包括真空泵274。通过这种构成，第2非活性气体排出系统通过气体排出孔237c将向晶圆200的面上供给的非活性气体向晶圆200的上方侧排出。
如图3所示，反应气体排出管261d(以下，称为“气体排出管261d”。)的上游侧分支而与各气体排出部239d的气体排出孔238d分别连接。在气体排出管261d上设有阀262。另外，在阀262的下游侧设有将气体供给部232d的下方空间控制为规定压力的压力控制器263。在压力控制器263的下游侧设有真空泵264。主要由气体排出管261d、阀262、压力控制器263构成了反应气体排出系统。此外，在反应气体排出系统中可以包括真空泵274。通过这种构成，反应气体排出系统通过气体排出孔238d将向晶圆200的面上供给的反应气体向晶圆200的上方侧排出。
另外，第3非活性气体排出管271d(以下，称为“气体排出管271d”。)的上游侧分支而与各气体排出部239d的气体排出孔237d分别连接。在气体排出管271d上设有阀272。另外，在阀272的下游侧设有将气体供给部234d的下方空间控制为规定压力的压力控制器273。而且，在压力控制器273的下游侧设有真空泵274。主要由气体排出管271d、阀272、压力控制器273构成了第3非活性气体排出系统。此外，在第3非活性气体排出系统中也可以包括真空泵274。通过这种构成，第3非活性气体排出系统通过气体排出孔237d将向晶圆200的面上供给的非活性气体向晶圆200的上方侧排出。
(控制器)
另外，如图1所示，基板处理装置100具有控制基板处理装置100的各部分的动作的控制器280。控制器280至少具有运算部281以及记忆部282。控制器280与上述的各构成连接，根据上位控制器和使用者的指示而从记忆部282呼叫程序和配方，并根据其内容来控制各构成的动作。具体地，控制器280控制旋转机构、加热器、高频电源、匹配器、MFC243b、243c、243d、253、阀244b、244c、244d、254、262、272、真空泵264、274、升降机构500等的动作。
此外，控制器280可以作为专用计算机构成，也可以作为通用计算机构成。例如，准备存储上述程序的外部记忆装置(例如，磁带、软盘或硬盘等磁盘、CD和DVD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器和存储卡等半导体存储器)283，使用外部记忆装置283在通用计算机内安装程序，由此能够构成本方式的控制器280。
另外，用于向计算机供给程序的方式并不限于经由外部记忆装置283供给的情况。例如也可以使用互联网和专用线路等通信方式，不经由外部记忆装置283地供给程序。此外，记忆部282和外部记忆装置283作为能够计算机读取的记录介质而构成。以下，总称这些部分而仅称为记录介质。此外，本说明书中使用记录介质这一用语的情况具有仅包括记忆部282单体的情况、仅包括外部记忆装置283单体的情况、或包括其双方的情况。
(2)基板处理工序
接下来，作为半导体制造工序的一个工序，而说明使用上述构成的基板处理装置100来进行对于晶圆200的处理的基板处理工序。
在此，作为基板处理工序，以在晶圆200上形成薄膜的情况为例。尤其，在本方式中，作为吸附阻碍气体使用了CF4气体，作为原料气体使用了DCS气体，作为反应气体使用了NH3气体。说明交替供给DCS气体和NH3气体而在晶圆200上形成硅氮化膜(SiN膜)的例子。
在以下的说明中，构成基板处理装置100的各部分的动作由控制器280控制。此外，在本方式中，作为晶圆200使用硅(Si)晶圆，在晶圆200的表面，形成有沟道(Trench)或孔洞(hole)等凹部。
(基板搬入工序：S101)
对于基板处理装置100，首先作为基板搬入工序(S101)，打开处理容器的基板搬入搬出口，使用未图示的晶圆移载机向处理容器内搬入多片(例如五片)晶圆200，将其排列而载置于基板载置台210上。并且，使晶圆移载机退避至处理容器的外部，将基板搬入搬出口关闭而使处理容器内密闭。
(压力温度调整工序：S102)
在基板搬入工序(S101)之后进行压力温度调整工序(S102)。在压力温度调整工序(S102)中，当由基板搬入工序(S101)使处理容器内密闭之后，使与处理容器连接的气体排出系统工作，以使处理容器内成为规定压力的方式控制。规定压力是在后述的成膜工序(S103)中能够形成SiN膜的处理压力，例如是不会使对于晶圆200供给的原料气体自身分解的程度的处理压力。具体地为10～9000Pa。在后述的成膜工序(S103)中也维持该处理压力。
另外，在压力温度调整工序(S102)中，向埋设于基板载置台210的内部的加热器供给电力，以使晶圆200的表面成为规定温度的方式进行控制。此时，加热器的温度基于由未图示的温度传感器检测到的温度信息来控制对加热器的通电情况，由此进行调整。规定温度是在后述的成膜工序(S103)中能够形成SiN膜的处理温度，例如是不会使对于晶圆200供给的原料气体自身分解的程度的处理温度。具体地为室温以上750℃以下，优选为室温以上650℃以下。在后述的成膜工序(S103)中也维持该处理温度。
(成膜工序：S103)
在压力温度调整工序(S102)之后进行成膜工序(S103)。由成膜工序(S103)进行的基板处理装置100的处理动作若在大体上进行区分，则具有相对位置移动处理动作和气体供给排气处理动作。这些动作同时并列地进行。
首先说明相对位置移动处理动作。
在该动作中，由未图示的旋转机构来旋转驱动基板载置台210，由此开始基板载置台210、与匣盒头230中的各匣盒部230b、230c、230d之间的相对位置移动。由此，基板载置台210上载置的各晶圆200从匣盒头230中的各匣盒部230b、230c、230d的下方依次通过。
接下来说明气体供给排气处理动作。
在该动作中，从匣盒部230b的气体供给口222b供给吸附阻碍气体(CF4气体)，从匣盒部230c的气体供给口222c供给原料气体(DCS气体)，从匣盒部230d的气体供给口222d供给反应气体(NH3气体)。通过使真空泵264工作，同时将阀262设为开状态，则被供给的这些气体经由气体排出孔238b、238c、238d向晶圆200的上方排出。另外，此时，从匣盒部230b的气体供给口225b、匣盒部230c的气体供给口225c、以及匣盒部230d的气体供给口225d的各自供给非活性气体(N2气体)。通过使真空泵274工作，同时将阀272设为开状态，则被供给的这些非活性气体经由气体排出孔237b、237c、237d向晶圆200的上方排出。
以上，同时并列地进行相对位置移动处理动作和气体供给排气处理动作的两个动作，由此以规定次数执行如下的循环，若关注于某一个晶圆200，则该循环为，按照对于晶圆200供给吸附阻碍气体的工序(步骤A)、供给原料气体的工序(步骤B)、和供给反应气体的工序(步骤C)的顺序，并在这些步骤之间夹隔着对这些工序内的晶圆200的表面进行清扫的步骤，来执行这些工序。
在步骤A中，相对于晶圆200的面上供给CF4气体。若供给CF4气体，则在晶圆200的表面露出的Si和CF4气体发生反应，由此在晶圆200表面形成被设为F终端(SiF终端)的吸附阻碍层。如上所述，距离D1比距离D2大，因此在步骤A中，CF4气体相对于晶圆200以相比较的低压、例如比在后述的步骤B中供给的DCS气体的压力低的压力供给。因此，CF4气体无法到达至晶圆200的凹部的底部侧，仅吸附于晶圆200的凹部的开口部侧。该结果为，吸附阻碍层仅形成于晶圆200的凹部的开口部侧(参照图4的(a))。此外，匣盒部230b相对于晶圆200的面上的通过时间，也就是说，CF4气体的供给时间例如以成为0.1～20秒(优选为0.1～9秒以下)的方式调整。
此外，优选为，吸附阻碍气体的气体浓度至少比原料气体的浓度低。在本发明中，将这种气体浓度的关系称为低气体浓度。气体浓度依存于气体的流量和压力的至少一个。即，通过减少气体的流量、降低压力中的某一个条件或着双方条件，能够降低气体浓度。以低气体浓度向晶圆200供给吸附阻碍气体。由此，由晶圆200的凹部的开口部侧来消耗吸附阻碍气体，吸附阻碍气体没有到达至凹部的底部侧，能够仅在晶圆200的凹部的开口部侧形成吸附阻碍层。在此，吸附阻碍气体的消耗意味着向晶圆200的吸附，即吸附阻碍气体的分子吸附于凹部的开口部侧的表面。此外，吸附于凹部的底部侧的吸附阻碍气体设为如后述的原料气体比吸附于凹部的底部侧的量少的那样的低气体浓度。此外，吸附的分子包括吸附阻碍气体分子本身、和吸附阻碍气体分子的一部分分解后的分子。
此外，在此，虽然记载了设为低气体浓度，但并不限定于此。在低气体浓度之外，也可以通过使气体的流速变化，而设为类似低气体浓度的环境。通过降低气体的流速，而使气体在到达凹部的底部侧之前由开口部侧消耗。
在步骤B中，对于晶圆200的面上供给DCS气体。供给的DCS气体到达至位于晶圆处理位置的晶圆200的面上，由此，在没有形成吸附阻碍层的晶圆200的表面上，形成有包含氯元素(Cl)的Si含有层(参照图4的(b))。如上所述，距离D2比距离D1小，因此在步骤B中，DCS气体相对于晶圆200以相比较的高压，例如比在上述的步骤A中供给的CF4气体的压力高的压力供给。因此，DCS气体从晶圆200的凹部的开口部侧到达至底部侧为止。但是，因为在晶圆200的凹部的开口部侧形成有吸附阻碍层，所以DCS气体仅吸附于凹部的底部侧。该结果为，Si含有层仅形成于晶圆200的凹部的底部侧(参照图4的(b))。这样地，在步骤B中，能够抑制Si含有层形成于具有吸附阻碍层的晶圆200的表面(例如凹部的开口部)，同时能够在不具有吸附阻碍层的晶圆200的表面(凹部内的底部)上选择性地形成Si含有层。这样地能够选择性地形成Si含有层是由于存在于晶圆200的凹部的开口部侧的被设为F终端的吸附阻碍层、作为阻碍Si含有层向晶圆200的凹部的开口部侧形成(Si的吸附)的主要原因、即阻聚剂(inhibitor)而起到作用。此外，匣盒部230c对于晶圆200的面上的通过时间，也就是说DCS气体的供给时间例如以成为0.1～20秒(优选为0.1～9秒以下)的方式调整。
此外，优选为，原料气体的气体浓度比吸附阻碍气体的浓度高。在本发明中，将这种气体浓度的关系称为高气体浓度。气体浓度依存于气体的流量和压力的至少一个。即，通过增加气体的流量、使压力上升中的某一个条件或着双方条件，能够提高气体浓度。以高气体浓度向晶圆200供给原料气体。由此，即使原料气体的一部分由晶圆200的凹部的开口部侧消耗掉，也能够产生到达至凹部的底部侧的原料气体分子。此外，如上述那样，成为在凹部的开口部侧吸附有吸附阻碍气体的状态，因此能够降低由凹部的开口部侧消耗的原料气体的量，并增加到达至凹部的底部侧的原料气体。
此外，在此，虽然记载了设为高气体浓度，但并不限定于此。在高气体浓度之外，也可以通过使气体的流速变化，而设为类似高气体浓度的环境。通过提高气体的流速，能够使气体在由凹部的开口部侧消耗掉之前，到达至凹部的底部侧。
在步骤C中，相对于晶圆200的面上供给NH3气体。供给的NH3气体到达至位于晶圆处理位置的晶圆200的面上，由此，晶圆200的表面上形成的Si含有层的至少一部分被氮化(改质)。通过使Si含有层发生改质，而在晶圆200的表面形成有包含Si以及N的层，也就是说SiN层。如上所述，Si含有层因为仅形成于晶圆200的凹部的底部侧，所以SiN层也会仅形成于晶圆200的凹部的底部侧(参照图4的(c))。此外，匣盒部230d对于晶圆200的面上的通过时间，也就是说，NH3气体的供给时间例如以成为0.1～20秒(优选为，0.1～9秒)的方式调整。
若通过以规定时间持续执行相对位置移动处理动作和气体供给排气处理动作，而以规定次数实施上述的循环，则层叠有上述的SiN层的成为希望膜厚的SiN膜会形成在晶圆200上。此时，在晶圆200的表面形成的凹部内，从底部朝向开口部逐渐由SiN膜所填埋(以下在本说明书中，具有将这种填埋处理称为自下而上(bottom-up)成膜的情况。)。此外，当增加循环的实施次数，在晶圆200的表面形成的凹部内的SiN膜的填埋发展时，通过CF4气体向凹部内的供给，有时填埋处理的生产性会降低，或填埋处理的发展变得困难。在这些情况下，优选为，根据填埋处理的进展状况，减少CF4气体的供给流量，或停止CF4气体的供给。在停止CF4气体的供给的情况下，优选为从气体供给部232b供给非活性气体(N2气体)。
当SiN膜向凹部内的填埋处理完成之后，结束气体供给排气处理动作。然后，旋转机构停止基板载置台210、与匣盒头230中的各匣盒部230b、230c、230d之间的相对位置移动。由此，相对位置移动处理动作结束。
(基板搬出工序：S104)
当成膜工序(S103)的结束后，基板处理装置100进行基板搬出工序(S104)。在基板搬出工序(S104)中，通过与上述的基板搬入工序(S101)相反的流程，将处理完成的晶圆200向处理容器外搬出。
(3)本方式的效果
根据本方式，起到以下所示的一个或多个效果。
(a)在本方式中，如图2的(a)以及图2的(b)所示，距离D1比距离D2大。因此，在步骤A中，吸附阻碍气体(CF4气体)相对于晶圆200以相比较的低压供给。由此，CF4气体无法到达至晶圆200的凹部的底部侧，仅吸附于晶圆200的凹部的开口部侧。该结果为，吸附阻碍层仅形成于晶圆200的凹部的开口部侧(参照图4的(a))。
如上所述，距离D2比距离D1小。因此，在步骤B中，原料气体(DCS气体)相对于晶圆200以相比较的高压供给。由此，DCS气体从晶圆200的凹部的开口部侧到达至底部侧为止。但是，因为在晶圆200的凹部的开口部侧形成有吸附阻碍层，所以DCS气体仅吸附于凹部的底部侧。该结果为，Si含有层仅形成于晶圆200的凹部的底部侧(参照图4的(b))。另外，在步骤C中，反应气体(NH3气体)将Si含有层氮化，因此SiN层仅形成于晶圆200的凹部的底部侧(参照图4的(c))。
如以上那样，在上述的循环中，从晶圆200的凹部的底部向着开口部逐渐填埋SiN膜，能够进行自下而上成膜。该结果为，能够提高在晶圆200的表面形成的凹部内的SiN膜的填埋特性。
(b)在本方式中，如图2的(a)所示，距离P1比距离D1小。因此，非活性气体(N2气体)与CF4气体相比相对于晶圆200以高压供给。由此，气体供给部234b的下方空间的压力与气体供给部232b的下方空间的压力相比成为高压。作为结果，可靠地发挥N2气体的气流密封效果，能够可靠地抑制CF4气体从匣盒部230b的下方空间向外侧漏出。
(c)在本方式中，如图2的(b)所示，距离P2比距离D2小。因此，非活性气体(N2气体)与DCS气体相比相对于晶圆200以高压供给。由此，匣盒部230c中的气体供给部234c的下方空间的压力与气体供给部232c的下方空间的压力相比成为高压。作为结果，可靠地发挥N2气体的气流密封效果，能够可靠地抑制DCS气体从匣盒部230c的下方空间向外侧漏出。
(d)在本方式中，如图3所示，距离P3比距离D3小。因此，非活性气体(N2气体)与NH3气体相比相对于晶圆200以高压供给。由此，匣盒部230d中的气体供给部234c的下方空间的压力与气体供给部232d的下方空间的压力相比成为高压。作为结果，可靠地发挥N2气体的气流密封效果，能够可靠地抑制NH3气体从匣盒部230d的下方空间向外侧漏出。
＜本发明的第2方式＞
以下，使用图5来说明本发明的第2方式。
如上所述，当增加上述循环的实施次数，在晶圆200的表面形成的凹部内的SiN膜的填埋发展时，通过吸附阻碍气体(CF4气体)向凹部内的供给，有时填埋处理的生产性会降低，或填埋处理的发展变得困难。在本方式中，不仅根据填埋处理的进展状况，减少CF4气体的供给流量，或停止CF4气体的供给，而且使距离D1的大小变化，由此解决这些课题。以下，详细说明本方式。
本方式的基板处理装置100不同于上述的第1方式的点在于，如图5所示，在匣盒部230b上设有作为使气体供给部232b升降的升降部的升降机构500。以下，说明使用升降机构500进行的成膜处理的流程。
为了进行晶圆200的凹部内的SiN膜的填埋处理，在上述的循环的前期阶段中，使原料气体(DCS气体)吸附于晶圆200的凹部的底部。因此，在本方式中，在循环的前期阶段中，为了使CF4气体吸附于晶圆200的凹部的底部附近，而相对于晶圆200以相比较的高压供给CF4气体。具体地，在上述的循环的前期阶段中，使升降机构500工作并使气体供给部232b向低位置移动，缩小距离D1。然而，距离D1的下限设为不会使CF4气体吸附于晶圆200的凹部的底部的距离。
另一方面，在上述的循环的中期阶段和后期阶段中，若即使成为填埋处理发展的状态，也保持将距离D1缩小的状态，则CF4气体会吸附于以将凹部内填埋的方式形成的SiN膜的表面，从此之后，填埋处理变得不再发展。因此，在本方式中，在循环的中期阶段和后期阶段中，根据晶圆200的凹部内的SiN膜的填埋处理的发展状态，使CF4气体逐渐吸附于晶圆200的凹部的较浅的位置。具体地，在循环的中期阶段和后期阶段中，使升降机构500工作，根据SiN膜的填埋处理的进展状况，使气体供给部232b逐渐向较高的位置移动，增大距离D1。
这样地，根据晶圆200的凹部内的SiN膜的填埋处理的进展状况来调整距离D1的大小，由此在循环的前期阶段中，使CF4气体吸附于晶圆200的凹部的底部附近，在循环的中期阶段和后期阶段中，使CF4气体逐渐吸附于晶圆200的凹部的较浅的位置。作为结果，能够不减少吸附阻碍气体的供给流量或不停止吸附阻碍气体的供给地进行填埋处理。
另外，作为使升降机构500工作来调整距离D1的大小的其他效果，能够举出根据晶圆200的凹部的深度或开口的阔度中的某一个条件而针对每个晶圆200来决定距离D1的大小。根据本方式，预先与晶圆200的凹部的深度和开口的阔度相配合地设定最佳距离D1，由此，能够不减少吸附阻碍气体的供给流量或不停止吸附阻碍气体的供给地进行填埋处理。
此外，在本方式中，也可以根据填埋处理的进展状况，减少CF4气体的供给流量，或停止CF4气体的供给。在停止CF4气体的供给的情况下，优选为从气体供给部232b供给非活性气体(N2气体)。在从气体供给部232b供给N2气体的情况下，优选为缩小距离D1。
＜本发明的其他方式＞
以上，具体说明了本发明的第1、第2方式，但本发明并不限定于上述方式，能够在不脱离其要旨的范围内进行各种变更。
在上述的方式中，说明了当以规定次数进行上述的循环时，以相同次数供给吸附阻碍气体(CF4气体)的例子，但本发明并不限定于此。也可以为，例如每当进行多次上述的循环时，将CF4气体供给一次。在该情况下，也能够获得与上述的方式同样的效果。
另外，在上述的方式中，以基板载置台210由旋转机构旋转驱动的情况为例进行了举例说明，但本发明并不限定于此。只要例如基板载置台210与匣盒头230中的各匣盒部230b、230c、230d之间的相对位置能够移动，则也可以为匣盒头230由旋转机构旋转驱动。在该情况下，也能够获得与上述的方式同样的效果。在匣盒头230被旋转驱动的情况下，与基板载置台210被旋转驱动的上述方式相比，能够抑制作用于晶圆200的惯性转矩，因此在能够增大旋转速度的点上为优选。但是，基板载置台210被旋转驱动的上述方式在能够使气体配管等构成简洁化的点上为优选。
另外，在上述的方式中，举例说明了以基板载置台210的中心位置为旋转轴而旋转驱动的基板载置台210，但本发明并不限定于此。例如，如图6所示，也可以使用使各晶圆200排列为一列的基板载置台210。也就是说，也可以使用以使晶圆200在各匣盒部230b、230c、230d的下方直线移动的方式向一个方向地或往返地水平移动的基板载置台210。在该情况下，也能够获得与上述的方式同样的效果。
另外，在上述的方式中，举例说明了具有气体供给部234b的匣盒部230b，但本发明并不限定于此。也就是说，也可以使用不具有气体供给部234b的匣盒部230b。针对匣盒部230c也同样地，可以使用不具有气体供给部234c的匣盒部230c。另外，针对匣盒部230d也同样地，可以使用不具有气体供给部234d的匣盒部230d。在这些情况下，也能够获取与上述的方式同样的效果。
此外，也可以在各匣盒部230b、230c、230d中的匣盒部230d上，连接未图示的匹配器以及高频电源。在该情况下，由高频电源、匹配器来调整阻抗，由此在匣盒部230d的下方侧空间生成等离子。在该情况下，也能够获得与上述的方式同样的效果。
另外，在上述的方式中，说明了作为吸附阻碍气体而使用CF4气体的例子，但本发明并不限定于此。例如，能够使用含有卤素的气体、含有卤素自由基的气体、含有多个碳元素的气体等。具体地，存在使上述的CF4、三氟化氯(ClF3)气体、Cl2气体由等离子等活性化后的气体。在这些情况下，也能够获得与上述的方式同样的效果。
另外，在上述的方式中，作为吸附阻碍气体，使用了无机类气体，但也可以使用有机类气体。作为有机类气体，具有形成自组织化单分子膜(self-assemble dmonolayer：SAM)的材料。作用这种材料，具有羟酸材料、磷酸材料、硫醇材料、烯丙胺材料、氯硅烷材料、氧基硅烷材料。在这些情况下，也能够获得与上述的方式同样的效果。
另外，在上述的方式中，作为在晶圆200上形成的膜，说明了SiN膜，但本发明并不限定于此。例如，也可以形成含有Al、铪(Hf)、锆(Zr)、钛(Ti)、钼(Mo)、钌(Ru)等至少一种以上的元素的膜。另外，也能够适用于形成包含这种元素中的至少一种以上的氧化膜、氮化膜、氮氧化膜、碳化膜、碳氮化膜、碳氧化膜等的处理装置。在这些情况下，也能够获得与上述的方式同样的效果。
＜本发明的优选方式＞
以下，添附记载本发明的优选方式。
[附记1]
根据本发明的一个方式，提供一种基板处理装置，其具有：
供基板载置的基板载置台；
从所述基板载置台的上方侧向所述基板的面上供给吸附阻碍气体的吸附阻碍气体供给部；和
从所述基板载置台的上方侧向所述基板的面上供给原料气体的原料气体供给部，
设于所述吸附阻碍气体供给部的气体供给口与所述基板之间的距离D1构成为，比设于所述原料气体供给部的气体供给口与所述基板之间的距离D2大。
[附记2]
提供附记1所述的基板处理装置，其优选为，
具有在所述吸附阻碍气体供给部的两侧方从所述基板载置台的上方侧向所述基板的面上供给非活性气体的第1非活性气体供给部，
设于所述第1非活性气体供给部的气体供给口与所述基板之间的距离P1构成为比所述距离D1小。
[附记3]
提供附记1或2所述的基板处理装置，其优选为，
具有在所述原料气体供给部的两侧方从所述基板载置台的上方侧向所述基板的面上供给非活性气体的第2非活性气体供给部，
设于所述第2非活性气体供给部的气体供给口与所述基板之间的距离P2构成为比所述距离D2小。
[附记4]
提供附记1至3中任一项所述的基板处理装置，其优选为，
还具有使所述吸附阻碍气体供给部升降而使所述距离D1变化的升降部。
[附记5]
提供附记4所述的基板处理装置，其优选为，
还具有控制部，该控制部控制所述吸附阻碍气体供给部以及所述原料气体供给部，以实施进行规定次数循环的成膜处理，该循环包括吸附阻碍气体相对于在表面形成有凹部的所述基板的供给、和原料气体相对于所述基板的供给，并且该控制部控制所述升降部，使得在所述成膜处理的实施期间内所述距离D1变化(减少或增加)。
[附记6]
提供附记4所述的基板处理装置，其优选为，
还具有控制部，该控制部控制所述升降部，使得根据形成于所述基板的表面的凹部的深度、以及开口阔度中的某一条件来决定所述距离D1的大小。
[附记7]
提供附记1至6中任一项所述的基板处理装置，其优选为，
具有控制部，该控制部控制所述吸附阻碍气体供给部以及所述原料气体供给部，使得当包括吸附阻碍气体相对于在表面形成有凹部的所述基板的供给、和原料气体相对于所述基板的供给在内的循环执行规定次数，且所述凹部内的填埋进行直到规定条件为止时，使所述吸附阻碍气体的供给停止，并使所述原料气体的供给继续。
[附记8]
提供附记7所述的基板处理装置，其优选为，
所述控制部在停止所述吸附阻碍气体的供给，并继续所述原料气体的供给时，以从所述吸附阻碍气体供给部供给非活性气体的方式控制所述吸附阻碍气体供给部。
[附记9]
本发明的其他方式，提供一种半导体器件的制造方法，其具有：
向基板载置台上载置基板的工序：和
成膜工序，该成膜工序包括从设于所述基板载置台的上方侧的吸附阻碍气体供给部向所述基板的面上供给吸附阻碍气体的工序、和从设于所述基板载置台的上方侧的原料气体供给部向所述基板的面上供给原料气体的工序，
在设于所述吸附阻碍气体供给部的气体供给口与所述基板之间的距离D1比设于所述原料气体供给部的气体供给口与所述基板之间的距离D2大的状态下实施所述成膜工序。
[附记10]
根据本发明的另一其他方式，提供一种程序，其能够在如下状态下通过计算机使基板处理装置实施向所述基板处理装置的基板载置台上载置基板的步骤、和成膜步骤，其中，
该成膜步骤包括：从设于所述基板载置台的上方侧的吸附阻碍气体供给部向所述基板的面上供给吸附阻碍气体的步骤；和从设于所述基板载置台的上方侧的原料气体供给部向所述基板的面上供给原料气体的步骤，
所述状态为，设于所述吸附阻碍气体供给部的气体供给口与所述基板之间的距离D1比设于所述原料气体供给部的气体供给口与所述基板之间的距离D2大。

Claims (12)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
供基板载置的基板载置台；
从所述基板载置台的上方侧向所述基板的面上供给吸附阻碍气体的吸附阻碍气体供给部；
从所述基板载置台的上方侧向所述基板的面上供给原料气体的原料气体供给部；和
在所述吸附阻碍气体供给部的两侧方从所述基板载置台的上方侧向所述基板的面上供给非活性气体的第1非活性气体供给部，
设于所述吸附阻碍气体供给部的气体供给口与所述基板之间的距离D1构成为，比设于所述原料气体供给部的气体供给口与所述基板之间的距离D2大，
设于所述第1非活性气体供给部的气体供给口与所述基板之间的距离P1构成为比所述距离D1小。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，具有在所述原料气体供给部的两侧方从所述基板载置台的上方侧向所述基板的面上供给非活性气体的第2非活性气体供给部，
设于所述第2非活性气体供给部的气体供给口与所述基板之间的距离P2构成为比所述距离D2小。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还具有使所述吸附阻碍气体供给部升降而使所述距离D1变化的升降部。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，还具有使所述吸附阻碍气体供给部升降而使所述距离D1变化的升降部。
5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，还具有控制部，该控制部控制所述吸附阻碍气体供给部以及所述原料气体供给部，以实施进行规定次数循环的成膜处理，该循环包括吸附阻碍气体相对于在表面形成有凹部的所述基板的供给、和原料气体相对于所述基板的供给，并且该控制部控制所述升降部，使得在所述成膜处理的实施期间内所述距离D1减少或增加。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，还具有控制部，该控制部控制所述吸附阻碍气体供给部以及所述原料气体供给部，以实施进行规定次数循环的成膜处理，该循环包括吸附阻碍气体相对于在表面形成有凹部的所述基板的供给、和原料气体相对于所述基板的供给，并且该控制部控制所述升降部，使得在所述成膜处理的实施期间内所述距离D1减少或增加。
7.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，还具有控制部，该控制部控制所述升降部，使得根据形成于所述基板的表面的凹部的深度、以及开口阔度中的某一条件来决定所述距离D1的大小。
8.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部控制所述升降部，使得根据形成于所述基板的表面的凹部的深度、以及开口阔度中的某一条件来决定所述距离D1的大小。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，具有控制部，该控制部控制所述吸附阻碍气体供给部以及所述原料气体供给部，使得当包括吸附阻碍气体相对于在表面形成有凹部的所述基板的供给、和原料气体相对于所述基板的供给在内的循环执行规定次数，且所述凹部内的填埋进行直到规定条件为止时，使所述吸附阻碍气体的供给停止，并使所述原料气体的供给继续。
10.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部在停止所述吸附阻碍气体的供给、并继续所述原料气体的供给时，以从所述吸附阻碍气体供给部供给非活性气体的方式控制所述吸附阻碍气体供给部。
11. 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：
向基板载置台上载置基板的工序：和
成膜工序，该成膜工序包括从设于所述基板载置台的上方侧的吸附阻碍气体供给部向所述基板的面上供给吸附阻碍气体的工序、和从设于所述基板载置台的上方侧的原料气体供给部向所述基板的面上供给原料气体的工序，
在设于所述吸附阻碍气体供给部的气体供给口与所述基板之间的距离D1比设于所述原料气体供给部的气体供给口与所述基板之间的距离D2大的状态下实施所述成膜工序，
还具有在所述吸附阻碍气体供给部的两侧方从设于所述基板载置台的上方侧的第1非活性气体供给部向所述基板的面上供给非活性气体的工序，该工序在设于所述第1非活性气体供给部的气体供给口与所述基板之间的距离P1构成为比所述距离D1小的状态下实施。
12.一种记录介质，能够由计算机读取，记录有程序，其特征在于，所述程序在如下状态下通过计算机使基板处理装置实施向所述基板处理装置的基板载置台上载置基板的步骤、成膜步骤和供给第1非活性气体的步骤，其中，
该成膜步骤包括：从设于所述基板载置台的上方侧的吸附阻碍气体供给部向所述基板的面上供给吸附阻碍气体的步骤；和从设于所述基板载置台的上方侧的原料气体供给部向所述基板的面上供给原料气体的步骤，
所述状态为，设于所述吸附阻碍气体供给部的气体供给口与所述基板之间的距离D1比设于所述原料气体供给部的气体供给口与所述基板之间的距离D2大，
所述供给第1非活性气体的步骤为，在所述吸附阻碍气体供给部的两侧方从设于所述基板载置台的上方侧的第1非活性气体供给部向所述基板的面上供给非活性气体，并在设于所述第1非活性气体供给部的气体供给口与所述基板之间的距离P1构成为比所述距离D1小的状态下实施该步骤。
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