CN113418918A - 极片开槽检测方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种极片开槽检测方法及装置,包括对X个极片的待开槽区域的活性物质层分别进行减薄处理,以在X个极片上分别形成X个凹槽;分别检测X个凹槽的特征,以得到X个特征值;所述特征包括亮度或灰度,所述特征值包括亮度值或灰度值;根据设定范围值和X个亮度值的平均值确定减薄处理的强度调整值。基于活性物质层减薄处理后形成的凹槽的特征值和设定范围值,确定当前减薄处理的强度是否调整。由此可以使得后续的极片的开槽的深度更加合理,也即使得极片减薄处理后,剩余的活性物质层的厚度可以保护集流体层,也可以较为容易的采用物理清除法去除。
Description
技术领域
本申请电池技术领域,尤其涉及一种极片开槽检测方法及装置。
背景技术
锂离子电池制备过程中,在极片上焊接极耳是非常重要的步骤。极耳作为将电芯的正负极引出的器件,若焊接不良,会导致加工完成的锂离子电池不能使用。
在极片上焊接极耳之前,一般需要将极片上需要设置极耳的区域的活性物质去除掉,将活性物质下方的集流体裸露出来,然后将极耳和该集流体焊接。将活性物质去除的步骤也称之为开槽,若开出来的凹槽太深,会损伤集流体,若开出来的凹槽太浅,活性物质未清除干净,会导致极耳不能和集流体焊接。
发明内容
本申请的目的在于提供一种极片开槽检测方法及装置,根据集流体层和活性物质层的亮度或灰度差别特性,在开槽过程中实时检测凹槽的亮度或灰度,根据亮度值或灰度值确定凹槽是否已经处于合适深度,从而保证极耳可以和集流体良好焊接,又能避免损伤集流体。
本申请第一方面提供一种极片开槽检测方法,包括:对X个极片的待开槽区域的活性物质层分别进行减薄处理,以在X个极片上分别形成X个凹槽;X为大于或等于3的整数;分别检测X个凹槽的特征,以得到X个特征值;所述特征包括亮度或灰度,所述特征值包括亮度值或灰度值;根据设定范围值和X个亮度值的平均值确定减薄处理的强度调整值。
如上所述的极片开槽检测方法,其中,所述设定范围值为设定范围值;所述根据设定范围值和X个特征值的平均值确定减薄处理的强度调整值包括:在X个特征值的平均值大于所述设定范围值的情况下,确定减薄处理的强度调整值降低;在X个特征值的平均值小于所述设定范围值的情况下,确定减薄处理的强度调整值增加。
如上所述的极片开槽检测方法,其中,所述根据设定范围值和X个特征值的平均值确定减薄处理的强度调整值之前,所述极片开槽检测方法还包括:根据X个特征值计算变异系数;根据所述变异系数确定减薄处理强度是否可调。
如上所述的极片开槽检测方法,其中,所述根据所述变异系数确定减薄处理强度是否可调包括:在所述变异系数大于所述设定变异系数范围值的情况下,确定所述减薄处理强度不可调;在所述变异系数小于所述设定变异系数范围值的情况下,确定减薄处理的强度可调。
如上所述的极片开槽检测方法,其中,在所述根据设定范围值和X个特征值的平均值确定减薄处理的强度调整值之前,所述方法还包括:确定所述设定范围值:按照预设减薄处理强度对M个活性物质层分别进行减薄处理,以形成凹槽;所述活性物质层分别位于M个极片的待开槽区域;M为大于或等于3的整数;检测M个凹槽的特征值,以及检测M个减薄处理后的活性物质层的厚度值;在M个厚度值的平均值和预设厚度值相等的情况下,基于M个特征值的平均值确定设定范围值。
如上所述的极片开槽检测方法,其中,所述检测M个凹槽的特征值,以及检测M个减薄处理后的活性物质层的厚度值之后;以及在M个厚度值的平均值和预设厚度值相等的情况下,基于M个特征值的平均值确定设定范围值之前,所述方法还包括:根据M个特征值的平均值小于集流体层的净特征值一定范围的情况下,将M个厚度值的平均值确定为预设厚度值。
本申请第二方面提供一种极片开槽检测装置,包括:激光器、数据处理器和检测传感器;所述激光器用于:对X个极片的待开槽区域的活性物质层分别进行减薄处理,以在X个极片上分别形成X个凹槽;X为大于或等于3的整数;所述检测传感器用于:分别检测X个凹槽的特征,以得到X个特征值;所述特征包括亮度或灰度,所述特征值包括亮度值或灰度值;所述数据处理器用于:根据X个特征值的平均值和设定范围值,确定减薄处理的强度调整值。
如上所述的极片开槽检测装置,其中,所述数据处理器还用于:在X个特征值的平均值大于所述设定范围值的情况下,确定减薄处理的强度调整值降低;在X个特征值的平均值小于所述设定范围值的情况下,确定减薄处理的强度调整值增加。
如上所述的极片开槽检测装置,其中,所述数据处理器还用于:根据X个特征值的平均值计算标准差;根据所述标准差和X个特征值的平均值计算变异系数;根据所述变异系数确定减薄处理的强度调整值。
如上所述的极片开槽检测装置,其中,所述数据处理器还用于:在所述变异系数大于所述设定范围值的情况下,确定减薄处理的强度调整值降低;在所述变异系数小于所述设定范围值的情况下,确定减薄处理的强度调整值增加。
本申请提供的极片开槽检测方法,基于活性物质层减薄处理后形成的凹槽的特征值和设定范围值,确定当前减薄处理的强度是否调整。由此可以使得后续的极片的开槽的深度更加合理,也即使得极片减薄处理后,剩余的活性物质层的厚度可以保护集流体层,也可以较为容易的采用物理清除法去除。尤其是针对不同批次的极片,由于原料的细微差异,或者加工过程中细微的差异,每一批次的极片的活性物质层和集流体层可能略有不同,本申请使得每一批次的极片减薄处理后,状态都为极片的集流体层没有受到损伤,剩余的活性物质层也很容易清理。
附图说明
为了更清楚地说明本申请的技术方案,下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1是本申请实施例提供的极片开槽方法的流程图;
图2是本申请实施例提供的极片开槽装置的结构示意图。
附图标记说明:
10-激光器,20-检测传感器,30-极片,31-凹槽。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
以下首先对极片进行简单说明,极片作为锂电子电池的核心部件,包括集流体层和活性物质层,活性物质层设置在集流体层相对的两个表面上。极片上一般需要焊接极耳,以将正负极引出。由于极耳需要和集流体层焊接,因此就需要将极片上需要焊接极耳位置的活性物质层去除掉,去除活性物质层的过程也称之为开槽。
一般开槽过程中,会先采用激光器等对活性物质层进行减薄处理,剩余很薄一层活性物质层后,再采用物理清除法清除剩余的活性物质层,由此避免激光器损伤集流体层。因此激光器减薄处理的步骤非常重要,如果激光器减薄处理强度过大,则导致活性物质层被清除的同时,集流体层也被损伤。如果激光器减薄处理强度太小,则会导致剩余的活性物质层太厚,采用物理清除法清除剩余活性物质层难度增加,也不容易清理干净。
为了使得对活性物质层的减薄处理完成后,剩余活性物质层在合理厚度范围内,从而起到保护集流体层作用的同时,还便于物理清除法清理剩余活性物质层。本申请实施例提供一种极片开槽检测方法,该方法包括:
步骤S1:对X个极片的待开槽区域的活性物质层分别进行减薄处理,以在X个极片上分别形成X个凹槽;X为大于或等于3的整数。
具体地,以X等于4为例。那么步骤S1则为对四个极片待开槽区域的活性物质层进行减薄处理后。由于一般情况下,减薄处理会进行2次至10次之间,以每个极片待开槽区域的活性物质层减薄2次为例,在两次减薄处理完成后,会形成一个还剩余有一定厚度活性物质层的凹槽。
详细地,四个极片分别为第一极片、第二极片、第三极片和第四极片。对第一极片待开槽区域的活性物质层进行两次减薄处理后,形成第一凹槽;对第二极片待开槽区域的活性物质层进行两次减薄处理后,形成第二凹槽;对第三极片待开槽区域的活性物质层进行两次减薄处理后,形成第三凹槽;对第四极片待开槽区域的活性物质层进行两次减薄处理后,形成第四凹槽;
减薄处理具体可以采用激光器进行,减薄处理的强度由激光器的功率确定,激光器的功率越大,减薄处理的强度越大,则每次减薄处理活性物质层的厚度降低的越多。激光器的功率越小,减薄处理的强度越小,则每次减薄处理活性物质层的厚度降低的越少。
步骤S2:分别检测X个凹槽的特征,以得到X个特征值。所述特征包括亮度或灰度,所述特征值包括亮度值或灰度值。也即,检测上述第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽和第四凹槽的亮度值或灰度值。
具体地,可以设置检测传感器,该检测传感器可以为亮度传感器,在激光器完成减薄处理后,亮度传感器检测凹槽的亮度值。第一凹槽对应的第一亮度值a1,第二凹槽对应第二亮度值a2,第三凹槽对应第三亮度值a3,第四凹槽对应第四亮度值a4。
当然,检测传感器也可以为灰度传感器,在激光器完成减薄处理后,亮度传感器检测凹槽的灰度值。第一凹槽对应的第一灰度值a1,第二凹槽对应第二灰度值a2,第三凹槽对应第三灰度值a3,第四凹槽对应第四灰度值a4。
步骤S3:根据设定范围值和X个特征值的平均值确定减薄处理的强度调整值。检测传感器将检测的亮度值或灰度值发送给数据处理器,数据处理器可以计算四个亮度值或灰度值的平均值。另外,数据处理器中还存储有设定范围值。因此只要计算出四个亮度值或四个灰度值的平均值,就可以根据设定范围值和四个亮度值或四个灰度值的平均值,确定减薄处理的强度调整值。减薄处理的强度调整值,也即激光器的功率调整值。具体地,将四个亮度值或四个灰度值的平均值和设定范围值进行比较,根据比较结果确定激光器的功率应该增加还是降低。
详细地,在X个特征值的平均值大于所述设定范围值a的情况下,确定减薄处理的强度调整值降低。在X个特征值的平均值小于所述设定范围值a的情况下,确定减薄处理的强度调整值增加。特征值为亮度值的情况下,设定范围值a的取值范围可以如下:3700≥a≥3900。特征值为灰度值的情况下,设定范围值a的取值范围可以如下:235≥a≥245。设定范围值选定下面会详细说明。
具体地,四个特征值的平均值ā和四个特征值的关系如下:
如果的情况下,则降低激光器的功率。如果的情况下,则增加激光器的功率。调整激光器的功率时,可以按照1%为阶梯进行增加或降低。例如,初始激光器的功率为16%,降低时则将激光器的功率调整为15%,增加时则将激光器的功率调整为17%。
采用X个特征值的平均值和设定范围值直接比较大小的方式,可以降低数据处理量,可以快速得出减薄处理的强度调整值。
可选地,步骤S3之前,也即根据设定范围值和X个特征值的平均值确定减薄处理的强度调整值之前,所述极片开槽检测方法还包括根据所述变异系数确定减薄处理强度是否可调。
首先,根据X个特征值计算变异系数。
具体计算过程如下:首先,根据X个特征值的平均值计算标准差。详细地,可以根据以下公式计算标准差σ:
接着,根据所述标准差和X个特征值的平均值计算变异系数。具体地,可以根据以下公式计算变异系数COV:
COV=σ/ā。
然后,根据所述变异系数确定减薄处理强度是否可调。
具体地,在所述变异系数大于所述设定变异系数范围值COV1的情况下,确定所述减薄处理强度不可调。在所述变异系数小于所述设定变异系数范围值COV1的情况下,确定减薄处理的强度可调。COV1的取值范围如下:10.5%≥COV1≥9.5%。
详细地,如果COV>COV1的情况下,则说明变异情况比较明显,此时不适宜调整激光器的功率。如果出现COV>COV1的情况,则可以检查来料或激光器等,确定问题来源,再继续进行后续工作,以避免造成不必要的损失。
如果COV1<COV1的情况下,则说明变异情况比较稳定,此时适宜调整激光器的功率。
由上可见,本申请实施例提供的极片开槽检测方法,基于活性物质层减薄处理后形成的凹槽的特征值和设定范围值,确定当前减薄处理的强度是否合适。如果不合适的情况下,则调整减薄处理的强度;如果合适,则继续使用当前减薄处理的强度进行减薄处理。由此可以使得后续的极片的开槽的深度更加合理,也即使得极片减薄处理后,剩余的活性物质层的厚度可以保护集流体层,也可以较为容易的采用物理清除法去除。
尤其是针对不同批次的极片,由于原料的细微差异,或者加工过程中细微的差异,每一批次的极片的活性物质层和集流体层可能略有不同,例如两批次的极片的活性物质层的厚度或硬度等略有差异,导致激光器进行减薄处理的情况下,每一批次的减薄处理情况也不相同。那么采用本申请实施例提供的极片开槽检测方法,可以确保对每一批次的极片进行减薄处理后,极片待开槽区域剩余活性物质层的相同。不会因为极片批次不同,导致减薄处理后的效果不相同的情况。例如不会出现以下情况:第一批次极片减薄处理后,极片的集流体层没有受到损伤,剩余的活性物质层也很容易清理;第二批次极片减薄处理后,极片的集流体层受到损伤;第三批次极片减薄处理后,极片剩余的活性物质层厚度太厚,导致采用物理清除法难以清理。而是第一批次至第三批次的极片减薄处理后,状态都为极片的集流体层没有受到损伤,剩余的活性物质层也很容易清理。
之所以可以根据凹槽的亮度值调整减薄处理的强度,原因在于,集流体层由铝箔制成,没有设置活性物质层的情况下,集流体层的净亮度值为4095。而在集流体层上覆盖有活性物质层的情况下,覆盖的活性物质层越厚,检测的凹槽亮度值和集流体层的净亮度值差异越大;覆盖的活性物质层越薄,检测的凹槽亮度值和集流体层的净亮度值差异越小;如果活性物质层接近没有或者完全没有的情况下,则检测的凹槽亮度值和集流体层的净亮度值相等。另外,凹槽的亮度比较容易检测,因此也为采用凹槽的亮度值评价凹槽减薄处理强度成为可能。
相同的道理,之所以能够根据凹槽的灰度值调整减薄处理的强度,原因在于,集流体层由铝箔制成,没有设置活性物质层的情况下,集流体层的净灰度值为255。而在集流体层上覆盖有活性物质层的情况下,覆盖的活性物质层越厚,检测的凹槽灰度值和集流体层的净灰度值差异越小;覆盖的活性物质层越薄,检测的凹槽灰度值和集流体层的净灰度值差异越大;如果活性物质层接近没有或者完全没有的情况下,则检测的凹槽灰度值和集流体层的净灰度值相等。另外,凹槽的灰度比较容易检测,因此也为采用凹槽的灰度值评价凹槽减薄处理强度成为可能。
因此,需要预先设置好设定范围值,该设定范围值对应的活性物质层的厚度为既能保护集流体层不被激光器损伤,又能保证剩余的活性物质层可以快速采用物理清除法去除。
本领域技术人员可以理解的是,设定范围值为预先设置完成,存储在数据处理器中的数值,以下详述设定范围值的确定方法。
首先对特征值为亮度值进行说明:
按照预设减薄处理强度对M个活性物质层分别进行减薄处理,以形成凹槽;所述活性物质层分别位于M个极片的待开槽区域;M为大于或等于3的整数。
检测M个凹槽的亮度值,以及检测M个减薄处理后的活性物质层的厚度值。
在M个厚度值的平均值和预设厚度值相等的情况下,基于M个亮度值的平均值确定设定范围值。
预设减薄处理强度,也即激光器的功率分别设置为14%、16%、16.5%、16.8%和17%。选择五组M个极片作为减薄处理对象,以M等于5为例,每组都包括五个极片,每组的五个极片都分别为第一极片、第二极片、第三极片、第四极片和第五极片。以下将每组极片按照预设减薄处理强度处理后的信息列举出来,主要包括对应的剩余活性物质层的厚度信息和凹槽的亮度信息。激光器的功率为14%的情况下,对应第一组极片。激光器的功率为16%的情况下,对应第二组极片;激光器的功率为16.5%的情况下,对应第三组极片;激光器的功率为16.8%的情况下,对应第四组极片;激光器的功率为17%的情况下,对应第五组极片。
参见表一。
表一:
从表一中可见,激光的功率为14%的情况下,第一组中五个极片减薄处理后,剩余的活性物质层的厚度均为30微米;剩余的活性物质层的厚度为30微米的情况下,测得凹槽的亮度值处于1700至2000之间。第一组中五个极片、第三组中五个极片和第四组中五个极片减薄处理后,剩余的活性物质层的厚度均为20微米;剩余的活性物质层的厚度均为20微米的情况下,测得凹槽的亮度值处于3000至4000之间。第五组中五个极片减薄处理后,剩余的活性物质层的厚度均为15微米。
由于纯铝箔形成的集流体层的净亮度值为4095,也即集流体层上完全没有活性物质层的情况下,集流体层的亮度值为4095。因此在激光器的功率为17%及以上的情况下,已经将活性物质层减薄至几乎没有。尽管激光器的功率为17%的情况下,检测到还剩余15微米厚度的活性物质层。但是由于不同批次的极片的情况略有差异,有可能在有的批次的极片中,还剩余10微米厚度的活性物质层时,才能检测到亮度值为4095;若还是按照17%的功率进行减薄处理,那么该批次的极片,需要减薄处理至活性物质层仅剩余10微米,才会停止减薄处理。此时由于剩余活性物质层太薄,有可能已经损伤到集流体层。
为了避免上述情况的出现,设置比15微米略厚一些的厚度作为预设厚度值。例如:可以选择将剩余22微米作为预设厚度值,当然,为了便于快速确认设定范围值,可以将(22±2)μm作为预设厚度值。也即,根据M个亮度值的平均值小于集流体层的净亮度值一定范围的情况下,将M个厚度值的平均值确定为预设厚度值。
确定预设厚度值之后,可见,第一组的五个极片的剩余活性物质层的平均厚度为30微米,和预设厚度值相差较大,因此第一组五个极片的亮度值的平均值不能用于确定设定范围值。第五组的五个极片的剩余活性物质层的平均厚度为15微米,和预设厚度值相差较大,因此第五组五个极片的亮度值的平均值不能用于确定设定范围值。第二组至第四组的剩余活性物质层的平均厚度为20微米,位于预设厚度值范围内,因此,第二组至第四组的极片的亮度值的平均值可以用于确定设定范围值。对应的,将预设厚度值对应的亮度值的平均值作为设定范围值,设定范围值a大致的范围可以为:3700≥a≥3900。
可以用第二组至第四组极片的亮度值按照上述提及的平均值计算方法确定。如果该设定范围值为设定变异系数范围值的情况下,可以利用第二组至第四组极片的亮度值按照上述提及的变异系数计算方式确定。
表一中采用五组极片进行试验,以下列举采用更多组极片试验得到的结果,参见表二。
表二:
功率(%) | 亮度平均值 | 厚度平均值 |
21~22 | 4095 | 5μm |
19~20 | 4095 | 10μm |
17~18 | 4095 | 15μm |
16~17 | 3756 | 20μm |
15 | 2400 | 25μm |
14 | 1400 | 30μm |
表二中,示出了对大批量的极片进行试验后,激光器的功率对应的极片上凹槽的亮度平均值和剩余活性物质层的厚度平均值。和上述采用五组极片进行试验的结果相仿,也是在功率为17%及以上的情况下,检测的亮度值等于集流体层的净亮度值4095。剩余的活性物质层的厚度略有差异,大批量试验中,剩余的活性物质层的厚度平均值为20微米的情况下,亮度平均值已经和集流体层的净亮度值4095相等。但是,以大批量试验为基准,设置(22±2)μm作为预设厚度值也是合理的。
表一和表二中,集流体层的净亮度值为相对值,因此未设置具体单位;只要保证凹槽的亮度值和集流体层的净亮度值采用相同的方式得出,能够比较大小即可。表一和表二中列举的均为针对活性物质层的最后一次减薄处理的操作,也即,如果需要进行2次减薄处理操作,第一次可以设置较大的激光器的功率,例如20%。然后第二次按照表一和表二中的功率进行处理。
以下对特征值为灰度值进行说明,参考表三。
表三:
功率(%) | 灰度平均值 | 厚度平均值 |
21~22 | 201.949 | 5μm |
19~20 | 224.240 | 10μm |
17~18 | 240.471 | 15μm |
16~17 | 244.855 | 20μm |
15 | 238.401 | 25μm |
14 | 245.190 | 30μm |
表三中,采用不同的功率,对多个极片进行减薄处理,因此得出的是灰度平均值和厚度平均值。
表三中,当剩余的活性物质层的厚度为30微米的情况下,设置激光器的功率为14%以对该30微米厚的活性物质层进行减薄处理;对该30微米厚的活性物质层减薄处理完成后,测得此时凹槽的灰度平均值为245.190。当剩余的活性物质层的厚度为15微米的情况下,设置激光器的功率为17%-18%之间以对该15微米厚的活性物质层进行减薄处理;对该15微米厚的活性物质层减薄处理完成后,测得此时凹槽的灰度平均值为245.190。其他的类似,不再赘述。
从表三中可见,当活性物质层的厚度为15微米的情况下,对该15微米厚的活性物质层减薄处理完成后,测得凹槽的灰度平均值已经比较接近集流体层的净灰度值255。因此,预设厚度值为15微米左右。对应的,将预设厚度值对应的灰度值的平均值作为设定范围值,设定范围值a大致的范围可以为:235≥a≥245。
另外,本申请实施例还提供一种极片开槽检测装置,包括:激光器10、数据处理器和检测传感器20。
所述激光器10用于:对X个极片30的待开槽区域的活性物质层分别进行减薄处理,以在X个极片上分别形成X个凹槽31;X为大于或等于3的整数。
所述检测传感器20用于:检测X个凹槽31的特征,以得到X个特征值;所述特征包括亮度或灰度,所述特征值包括亮度值或灰度值。
所述数据处理器用于:根据X个特征值的平均值和设定范围值,确定减薄处理的强度调整值。
其中,检测传感器20可以为用于测量亮度值的亮度传感器,例如:光纤传感器;或者检测传感器20为用于测量灰度值的灰度传感器。数据处理器可以为电脑、平板或手机等设备。
可选地,所述数据处理器还用于:在X个特征值的平均值大于所述设定范围值的情况下,确定减薄处理的强度调整值降低。在X个特征值的平均值小于所述设定范围值的情况下,确定减薄处理的强度调整值增加。
可选地,所述数据处理器还用于:根据X个特征值计算变异系数;根据所述变异系数确定减薄处理强度是否可调。
可选地,所述数据处理器还用于:在所述变异系数大于所述设定变异系数范围值的情况下,确定所述减薄处理强度不可调;在所述变异系数小于所述设定变异系数范围值的情况下,确定减薄处理的强度可调。
以上对本申请实施例进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想。
Claims (10)
1.一种极片开槽检测方法,其特征在于,包括:
对X个极片的待开槽区域的活性物质层分别进行减薄处理,以在X个极片上分别形成X个凹槽;X为大于或等于3的整数;
分别检测X个凹槽的特征,以得到X个特征值;所述特征包括亮度或灰度,所述特征值包括亮度值或灰度值;
根据设定范围值和X个特征值的平均值确定减薄处理的强度调整值。
2.根据权利要求1所述的极片开槽检测方法,其特征在于,所述根据设定范围值和X个特征值的平均值确定减薄处理的强度调整值包括:
在X个特征值的平均值大于所述设定范围值的情况下,确定减薄处理的强度调整值降低;
在X个特征值的平均值小于所述设定范围值的情况下,确定减薄处理的强度调整值增加。
3.根据权利要求1所述的极片开槽检测方法,其特征在于,所述根据设定范围值和X个特征值的平均值确定减薄处理的强度调整值之前,所述极片开槽检测方法还包括:
根据X个特征值计算变异系数;
根据所述变异系数确定减薄处理强度是否可调。
4.根据权利要求3所述的极片开槽检测方法,其特征在于,所述根据所述变异系数确定减薄处理强度是否可调包括:
在所述变异系数大于所述设定变异系数范围值的情况下,确定所述减薄处理强度不可调;
在所述变异系数小于所述设定变异系数范围值的情况下,确定减薄处理的强度可调。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的极片开槽检测方法,其特征在于,在所述根据设定范围值和X个特征值的平均值确定减薄处理的强度调整值之前,所述方法还包括:
确定所述设定范围值:
按照预设减薄处理强度对M个活性物质层分别进行减薄处理,以形成凹槽;所述活性物质层分别位于M个极片的待开槽区域;M为大于或等于3的整数;
检测M个凹槽的特征值,以及检测M个减薄处理后的活性物质层的厚度值;
在M个厚度值的平均值和预设厚度值相等的情况下,基于M个特征值的平均值确定设定范围值。
6.根据权利要求5所述的极片开槽检测方法,其特征在于,所述检测M个凹槽的特征值,以及检测M个减薄处理后的活性物质层的厚度值之后;以及在M个厚度值的平均值和预设厚度值相等的情况下,基于M个特征值的平均值确定设定范围值之前,所述方法还包括:
根据M个特征值的平均值小于集流体层的净特征值一定范围的情况下,将M个厚度值的平均值确定为预设厚度值。
7.一种极片开槽检测装置,其特征在于,包括:激光器、数据处理器和检测传感器;
所述激光器用于:对X个极片的待开槽区域的活性物质层分别进行减薄处理,以在X个极片上分别形成X个凹槽;X为大于或等于3的整数;
所述检测传感器用于:分别检测X个凹槽的特征,以得到X个特征值;所述特征包括亮度或灰度,所述特征值包括亮度值或灰度值;
所述数据处理器用于:根据X个特征值的平均值和设定范围值,确定减薄处理的强度调整值。
8.根据权利要求7所述的极片开槽检测装置,其特征在于,所述数据处理器还用于:
在X个特征值的平均值大于所述设定范围值的情况下,确定减薄处理的强度调整值降低;
在X个特征值的平均值小于所述设定范围值的情况下,确定减薄处理的强度调整值增加。
9.根据权利要求8所述的极片开槽检测装置,其特征在于,所述数据处理器还用于:
根据X个特征值计算变异系数;
根据所述变异系数确定减薄处理强度是否可调。
10.根据权利要求9所述的极片开槽检测装置,其特征在于,所述数据处理器还用于:
在所述变异系数大于所述设定变异系数范围值的情况下,确定所述减薄处理强度不可调;
在所述变异系数小于所述设定变异系数范围值的情况下,确定减薄处理的强度可调。
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