CN113416547A - 一种清洗绕镀多晶硅的碱腐蚀辅助剂及其应用 - Google Patents
一种清洗绕镀多晶硅的碱腐蚀辅助剂及其应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113416547A CN113416547A CN202110679098.8A CN202110679098A CN113416547A CN 113416547 A CN113416547 A CN 113416547A CN 202110679098 A CN202110679098 A CN 202110679098A CN 113416547 A CN113416547 A CN 113416547A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- polycrystalline silicon
- winding
- solution
- plated
- mass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 title claims abstract description 73
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 title claims abstract description 73
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 70
- 239000003513 alkali Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 8
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 51
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M potassium hydroxide Substances [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 36
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 33
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 26
- -1 polyoxyethylene nonyl phenol phosphate Polymers 0.000 claims description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 20
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 17
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 13
- 229940104261 taurate Drugs 0.000 claims description 11
- 229920001495 poly(sodium acrylate) polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 claims description 8
- NNMHYFLPFNGQFZ-UHFFFAOYSA-M sodium polyacrylate Chemical compound [Na+].[O-]C(=O)C=C NNMHYFLPFNGQFZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GVGUFUZHNYFZLC-UHFFFAOYSA-N dodecyl benzenesulfonate;sodium Chemical compound [Na].CCCCCCCCCCCCOS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 GVGUFUZHNYFZLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- KVBGVZZKJNLNJU-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=CC2=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C21 KVBGVZZKJNLNJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229940080264 sodium dodecylbenzenesulfonate Drugs 0.000 claims description 6
- 229920005552 sodium lignosulfonate Polymers 0.000 claims description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 3
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 8
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract description 3
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 30
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- CQDICPOQVVMMKR-UHFFFAOYSA-N 2-(trifluoromethoxy)propane Chemical compound CC(C)OC(F)(F)F CQDICPOQVVMMKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- YDEXUEFDPVHGHE-GGMCWBHBSA-L disodium;(2r)-3-(2-hydroxy-3-methoxyphenyl)-2-[2-methoxy-4-(3-sulfonatopropyl)phenoxy]propane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].[Na+].COC1=CC=CC(C[C@H](CS([O-])(=O)=O)OC=2C(=CC(CCCS([O-])(=O)=O)=CC=2)OC)=C1O YDEXUEFDPVHGHE-GGMCWBHBSA-L 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101710138657 Neurotoxin Proteins 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002581 neurotoxin Substances 0.000 description 1
- 231100000618 neurotoxin Toxicity 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/02—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an alkali metal hydroxide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Weting (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
Abstract
本发明公开了一种清洗绕镀多晶硅的碱腐蚀辅助剂及其应用，碱腐蚀辅助剂中各组分的质量百分含量为：2%～5%的聚醚，1%～2.5%的阴离子表面活性剂，1%～2.5%分散剂，余量为去离子水。本发明采用配入了碱腐蚀辅助剂的碱腐蚀液去除绕镀多晶硅，代替酸腐蚀或TMAH，提高了产品良率降低了化学成本，且不存在氮排等环保问题，对人体无伤害；碱腐蚀辅助剂具有选择性吸附与缓蚀作用，可在保护金字塔结构不被破坏的情况下腐蚀去除边缘绕镀多晶硅；本发明工艺窗口宽、效率稳定，可适用于多种设备，槽式机、链式机均可使用，便于产线使用现有机台实现量产。
Description
技术领域
本发明涉及光伏领域，具体涉及一种清洗绕镀多晶硅的碱腐蚀辅助剂及其应用。
背景技术
TOPCon（Tunnel Oxide Passivated Contact）为一种高效晶硅太阳能电池技术，该技术是在电池背面制备一层超薄（约1～2nm）的可隧穿氧化层，再沉积一层20nm厚的磷掺杂非晶硅层并经过高温退火后形成掺杂多晶硅，二者共同形成了钝化接触结构。由于氧化层很薄，硅薄层有掺杂，多子可以穿透这两层钝化层，而少子则被阻挡，如果在其上再沉积金属就可以得到无需开孔的钝化接触。然而此种电池在制造过程，涉及硅片背面镀上一层多晶硅（poly silicon）,在此一步骤中会产生绕镀现象，导致硅片正面边缘也镀上多晶硅而影响外观与效率，导致成品降级，为了解决此现象，业界最初使用高端仪器避免了绕镀问题，现部分厂研发使用以下三种化学腐蚀方法来解决绕镀问题：
1）采用酸腐蚀方式，使用氢氟酸与硝酸来移除正面绕镀的多晶硅，而此法窗口较窄，极易导致正面PN结受损而产品良率大幅下降；或是直接双面都镀上非晶硅，而解决正面非晶硅影响外观的问题仍然是用酸腐蚀方式来处理，此方法仍然窗口窄，容易破坏正面PN结而无法提升产品良率，且酸腐蚀也具有空污，氮排与化学成本较高等环保问题；
2）仅用无机碱氢氧化钾或氢氧化钠来移除正面绕镀的多晶硅，此方法需要前段工艺中的BSG做得足够厚才能保证移除正面绕镀的多晶硅时保留部分BSG，但此方法窗口较窄，量产时良率不高效率与良率波动大，且做厚BSG时会导致扩硼产能与电池效率较低；
3）用TMAH（四甲基氢氨）解决绕镀问题的方案，但TMAH属于神经毒素对人体有一定伤害且氮含量过高，用量较大，有氮排问题。
发明内容
为解决现有技术的缺陷，本发明提供一种清洗绕镀多晶硅的碱腐蚀辅助剂及其应用，具体如下。
本发明提供一种清洗绕镀多晶硅的碱腐蚀辅助剂，其各组分的质量百分含量为：
2%～5%的聚醚，
1%～2.5%的阴离子表面活性剂，
1%～2.5%分散剂，
余量为去离子水。
优选的，所述聚醚选自聚全氟甲基异丙基醚、聚氧乙烯壬基酚磷酸酯、聚醚改性硅油中的一种或几种。
优选的，所述阴离子表面活性剂选自十二烷基苯磺酸钠、椰油酰基甲基牛磺酸钠、α-烯基磺酸钠中的一种或几种。
优选的，所述分散剂选自木质素磺酸钠、2-萘磺酸、聚丙烯酸钠中的一种或几种。
本发明还提供一种清洗绕镀多晶硅的碱腐蚀液，其含有碱溶液和上述的碱腐蚀辅助剂，所述碱腐蚀辅助剂与碱溶液的质量比为2.5～5:100，所述碱溶液为KOH溶液或NaOH溶液。
优选的，所述KOH溶液中KOH的质量百分含量为0.5%～1.5%；NaOH溶液中NaOH的质量百分含量为0.5%～1.5%。
本发明还提供一种清洗绕镀多晶硅的方法，将硅片浸入上述的碱腐蚀液中150～250S，且碱腐蚀液的温度控制在80～88℃。
本发明还提供一种TOPCon电池的制备方法，包括去除绕镀多晶硅的步骤，在去除多晶硅绕镀的步骤中，采用上述清洗绕镀多晶硅的方法去除绕镀多晶硅。
优选的，在去除多晶硅绕镀的步骤之前，保留硅片正面BSG。
更具体地，本发明提供的TOPCon电池的制备方法，包括如下步骤：
1）制绒；
2）硼扩散；
3）酸刻蚀；
4）LPCVD镀上氧化层和多晶硅，并完成扩磷；
5）镀背面氮化硅膜；
6）去除绕镀多晶硅；
7）镀正面氮化硅膜；
8）丝网烧结。
本发明的优点和有益效果在于：提供一种清洗绕镀多晶硅的碱腐蚀辅助剂及其应用，采用配入了碱腐蚀辅助剂的碱腐蚀液去除绕镀多晶硅，代替酸腐蚀或TMAH，提高了产品良率降低了化学成本，且不存在氮排等环保问题，对人体无伤害；碱腐蚀辅助剂具有选择性吸附与缓蚀作用，可在保护金字塔结构不被破坏的情况下腐蚀去除边缘绕镀多晶硅；本发明工艺窗口宽、效率稳定，可适用于多种设备，槽式机、链式机均可使用，便于产线使用现有机台实现量产。
以硅片正面绕镀有多晶硅的区域为绕镀区，以硅片正面绕镀区以外的区域为非绕镀区。本发明碱腐蚀辅助剂中的聚醚和阴离子表面活性剂能选择性吸附在非绕镀区上并形成致密交联网状结构进而形成保护层，保护层可大幅降低碱（KOH或NaOH）在非绕镀区的扩散速率；而且本发明利用碱腐蚀辅助剂中的分散剂在多晶硅绕镀区与非绕镀区分散吸附差异，可拉大多晶硅绕镀区与非绕镀区腐蚀速率差，在碱还未腐蚀到非绕镀区的硅时先将绕镀区的多晶硅腐蚀掉，进而保护了金字塔尖，且分散剂使得反应更均匀，保证量产的稳定性。
本发明具有如下特点：
1、本发明提高了硅片良率，不会出现部分移除不干净或过度腐蚀的现象；
2、本发明碱腐蚀辅助剂使无机碱腐蚀的工艺窗口变宽，效率稳定；
3、本发明降低了化学成本；
4、本发明不存在氮排等环保问题，添加剂对人体无伤害；
5、本发明不限制设备，槽式机、链式机均可，只要使碱腐蚀液与硅片正面反应，便于产线使用现有机台。
附图说明
图1是对比例1清洗绕镀多晶硅后的电镜图；
图2是对比例2清洗绕镀多晶硅后的电镜图。
具体实施方式
下面结合实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
本发明具体实施的技术方案如下：
实施例1
本发明提供一种清洗绕镀多晶硅的碱腐蚀辅助剂，其各组分的质量百分含量为：2%～5%的聚醚，1%～2.5%的阴离子表面活性剂，1%～2.5%分散剂，余量为去离子水；具体的：
所述聚醚选自聚全氟甲基异丙基醚、聚氧乙烯壬基酚磷酸酯、聚醚改性硅油中的一种或几种；
所述阴离子表面活性剂选自十二烷基苯磺酸钠、椰油酰基甲基牛磺酸钠、α-烯基磺酸钠中的一种或几种；
所述分散剂选自木质素磺酸钠、2-萘磺酸、聚丙烯酸钠中的一种或几种。
实施例2
本发明还提供一种清洗绕镀多晶硅的碱腐蚀液，其含有碱溶液和实施例1的碱腐蚀辅助剂，所述碱腐蚀辅助剂与碱溶液的质量比为2.5～5:100，所述碱溶液为KOH溶液或NaOH溶液；所述KOH溶液中KOH的质量百分含量为0.5%～1.5%；NaOH溶液中NaOH的质量百分含量为0.5%～1.5%。
实施例3
本发明还提供一种清洗绕镀多晶硅的方法，将硅片浸入实施例2的碱腐蚀液中150～250S，且碱腐蚀液的温度控制在80～88℃。
实施例4
本发明还提供一种TOPCon电池的制备方法，包括去除绕镀多晶硅的步骤，在去除多晶硅绕镀的步骤中，采用实施例3的清洗绕镀多晶硅的方法去除绕镀多晶硅。
实施例5
在实施例4的基础上，区别在于：
在去除多晶硅绕镀的步骤之前，保留硅片正面BSG。
实施例6
本发明提供一种TOPCon电池的制备方法，包括如下步骤：
1）制绒；
2）硼扩散；
3）酸刻蚀，采用HF+HNO3；
4）LPCVD镀上镀上背面SiO2与非晶硅（poly silicon），并完成扩磷，使非晶硅转变为多晶硅；
5）镀背面氮化硅膜；
6）去除绕镀多晶硅：
将硅片浸入配入了碱腐蚀辅助剂的碱腐蚀液中150～250S，且碱腐蚀液的温度控制在80～88℃；
所述碱腐蚀辅助剂，其各组分的质量百分含量为：2%～5%的聚醚，1%～2.5%的阴离子表面活性剂，1%～2.5%分散剂，余量为去离子水；具体的：
所述聚醚选自聚全氟甲基异丙基醚、聚氧乙烯壬基酚磷酸酯、聚醚改性硅油中的一种或几种；
所述阴离子表面活性剂选自十二烷基苯磺酸钠、椰油酰基甲基牛磺酸钠、α-烯基磺酸钠中的一种或几种；
所述分散剂选自木质素磺酸钠、2-萘磺酸、聚丙烯酸钠中的一种或几种；
所述碱腐蚀液，其含有碱溶液和上述碱腐蚀辅助剂，所述碱腐蚀辅助剂与碱溶液的质量比为2.5～5:100，所述碱溶液为KOH溶液或NaOH溶液；所述KOH溶液中KOH的质量百分含量为0.5%～1.5%；NaOH溶液中NaOH的质量百分含量为0.5%～1.5%；
量产时可依寿命要求，补加适量碱溶液和碱腐蚀辅助剂；
7）镀正面氮化硅膜；
8）丝网烧结。
为了检验本发明碱腐蚀辅助剂的功效，进行去除绕镀多晶硅的对比实验，具体如下：
对比例1
仅采用纯碱溶液清洗绕镀多晶硅：
纯碱溶液：质量浓度为1.5%的NaOH溶液；
将硅片浸入纯碱溶液中150S，且将溶液温度控制在85℃；
对比例1仅采用纯碱溶液，清洗绕镀多晶硅效果不佳，清洗后金字塔破坏严重，塔顶变平坦，无棱角，且表面绕镀清洗不干净，多晶硅残留，如图1所示；且清洗绕镀多晶硅后的硅片，方块电阻差值5～10Ω/♢，硅片反射率差值0.5～1.0%。
对比例2
采用配入了碱腐蚀辅助剂的碱腐蚀液，清洗绕镀多晶硅：
碱腐蚀辅助剂：以5质量份聚全氟甲基异丙基醚、2.5质量份椰油酰基甲基牛磺酸钠、2.5质量份木质素磺酸钠、90质量份去离子水配制碱腐蚀辅助剂；
碱腐蚀液：在100质量份的NaOH溶液（NaOH的质量浓度为1.5%）中配入5质量份的碱腐蚀辅助剂；
将硅片浸入纯碱溶液中150S，且将溶液温度控制在85℃；
对比例2采用纯碱溶液中添加碱腐蚀辅助剂的方法，清洗绕镀多晶硅效果较佳，清洗后无多晶硅残留，金字塔形貌保持完好，如图2所示；且清洗绕镀多晶硅后的硅片，方块电阻差值0.5～3.0Ω/♢，硅片反射率差值0.1～0.3%。
对比例3
在对比例2的基础上，区别在于：
以2质量份聚全氟甲基异丙基醚、2质量份椰油酰基甲基牛磺酸钠、1.5质量份木质素磺酸钠、94.5质量份去离子水配制碱腐蚀辅助剂。
对比例4
在对比例2的基础上，区别在于：
以3质量份聚全氟甲基异丙基醚、1质量份椰油酰基甲基牛磺酸钠、1质量份聚丙烯酸钠、95质量份去离子水配制碱腐蚀辅助剂。
对比例5
在对比例2的基础上，区别在于：
以2.5质量份聚氧乙烯壬基酚磷酸酯、1.5质量份椰油酰基甲基牛磺酸钠、1质量份2-萘磺酸、95质量份去离子水配制碱腐蚀辅助剂。
对比例6
在对比例2的基础上，区别在于：
以5质量份聚氧乙烯壬基酚磷酸酯、1质量份椰油酰基甲基牛磺酸钠、1质量份聚丙烯酸钠、93质量份去离子水配制碱腐蚀辅助剂。
对比例7
在对比例2的基础上，区别在于：
以3质量份聚醚改性硅油、2质量份椰油酰基甲基牛磺酸钠、1质量份木质素磺酸钠、94质量份去离子水配制碱腐蚀辅助剂。
对比例8
在对比例2的基础上，区别在于：
以4质量份聚醚改性硅油、2.5质量份椰油酰基甲基牛磺酸钠、1.5质量份聚丙烯酸钠、92质量份去离子水配制碱腐蚀辅助剂。
对比例9
在对比例2的基础上，区别在于：
以4.5质量份聚全氟甲基异丙基醚、1.5质量份十二烷基苯磺酸钠、1质量份木质素磺酸钠、93质量份去离子水配制碱腐蚀辅助剂。
对比例10
在对比例2的基础上，区别在于：
以3质量份聚全氟甲基异丙基醚、1.5质量份α-烯基磺酸钠、2.5质量份聚丙烯酸钠、93质量份去离子水配制碱腐蚀辅助剂。
对比例11
在对比例2的基础上，区别在于：
以3质量份聚醚改性硅油、2质量份十二烷基苯磺酸钠、1质量份2-萘磺酸、94质量份去离子水配制碱腐蚀辅助剂。
对比例12
在对比例2的基础上，区别在于：
以3.5质量份聚醚改性硅油、2.5质量份α-烯基磺酸钠、1质量份木质素磺酸钠、93质量份去离子水配制碱腐蚀辅助剂。
对比例3至对比例12也采用纯碱溶液中添加碱腐蚀辅助剂的方法，清洗绕镀多晶硅的效果也较佳，清洗后无多晶硅残留，金字塔形貌保持完好，对比例3至对比例12清洗绕镀多晶硅后的电镜图与对比例2的类似，就不再一一提供。
通过对比实验，可以证明本发明的碱腐蚀辅助剂有明显的功效。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.清洗绕镀多晶硅的碱腐蚀辅助剂，其特征在于，其各组分的质量百分含量为：
2%～5%的聚醚，
1%～2.5%的阴离子表面活性剂，
1%～2.5%分散剂，
余量为去离子水。
2.根据权利要求1所述的清洗绕镀多晶硅的碱腐蚀辅助剂，其特征在于，所述聚醚选自聚全氟甲基异丙基醚、聚氧乙烯壬基酚磷酸酯、聚醚改性硅油中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的清洗绕镀多晶硅的碱腐蚀辅助剂，其特征在于，所述阴离子表面活性剂选自十二烷基苯磺酸钠、椰油酰基甲基牛磺酸钠、α-烯基磺酸钠中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的清洗绕镀多晶硅的碱腐蚀辅助剂，其特征在于，所述分散剂选自木质素磺酸钠、2-萘磺酸、聚丙烯酸钠中的一种或几种。
5.清洗绕镀多晶硅的碱腐蚀液，其特征在于，其含有碱溶液和权利要求1至4中任一项所述的碱腐蚀辅助剂，所述碱腐蚀辅助剂与碱溶液的质量比为2.5～5:100，所述碱溶液为KOH溶液或NaOH溶液。
6.根据权利要求5所述的清洗绕镀多晶硅的碱腐蚀液，其特征在于，所述KOH溶液中KOH的质量百分含量为0.5%～1.5%；NaOH溶液中NaOH的质量百分含量为0.5%～1.5%。
7.清洗绕镀多晶硅的方法，其特征在于，将硅片浸入权利要求5或6所述的碱腐蚀液中150～250S，且碱腐蚀液的温度控制在80～88℃。
8.TOPCon电池的制备方法，包括去除绕镀多晶硅的步骤，其特征在于，在去除多晶硅绕镀的步骤中，采用权利要求7所述的方法去除绕镀多晶硅。
9.根据权利要求8所述的TOPCon电池的制备方法，其特征在于，在去除多晶硅绕镀的步骤之前，保留硅片正面BSG。
10.根据权利要求8所述的TOPCon电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1）制绒；
2）硼扩散；
3）酸刻蚀；
4）LPCVD镀上氧化层和多晶硅，并完成扩磷；
5）镀背面氮化硅膜；
6）去除绕镀多晶硅；
7）镀正面氮化硅膜；
8）丝网烧结。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110679098.8A CN113416547B (zh) | 2021-06-18 | 2021-06-18 | 一种清洗绕镀多晶硅的碱腐蚀辅助剂及其应用 |
| PCT/CN2022/081379 WO2022262340A1 (zh) | 2021-06-18 | 2022-03-17 | 一种清洗绕镀多晶硅的碱腐蚀辅助剂及其应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110679098.8A CN113416547B (zh) | 2021-06-18 | 2021-06-18 | 一种清洗绕镀多晶硅的碱腐蚀辅助剂及其应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113416547A true CN113416547A (zh) | 2021-09-21 |
| CN113416547B CN113416547B (zh) | 2022-05-31 |
Family
ID=77789152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110679098.8A Active CN113416547B (zh) | 2021-06-18 | 2021-06-18 | 一种清洗绕镀多晶硅的碱腐蚀辅助剂及其应用 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113416547B (zh) |
| WO (1) | WO2022262340A1 (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114133876A (zh) * | 2021-11-04 | 2022-03-04 | 西安蓝桥新能源科技有限公司 | 一种小塔基硅片碱抛光辅助剂及其应用 |
| CN114361290A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-04-15 | 嘉兴市小辰光伏科技有限公司 | 一种去除TOPCon电池制作的poly-Si绕镀的添加剂及其清洗工艺 |
| WO2022262340A1 (zh) * | 2021-06-18 | 2022-12-22 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种清洗绕镀多晶硅的碱腐蚀辅助剂及其应用 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116144365B (zh) * | 2023-01-30 | 2023-10-03 | 江苏美阳电子材料有限公司 | 一种缓冲氧化腐蚀液及其制备方法和应用 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106676636A (zh) * | 2017-01-10 | 2017-05-17 | 何秀英 | 一种用于硅晶体表面织构化腐蚀的化学助剂 |
| CN110257072A (zh) * | 2019-06-13 | 2019-09-20 | 常州时创能源科技有限公司 | 硅片单面制绒与边缘刻蚀用添加剂及其应用 |
| CN110416359A (zh) * | 2019-07-19 | 2019-11-05 | 常州时创能源科技有限公司 | 一种TOPCon结构电池的制备方法 |
| CN111524999A (zh) * | 2020-04-03 | 2020-08-11 | 常州大学 | 一种遂穿氧化钝化电池的制备方法 |
| CN111834493A (zh) * | 2020-07-22 | 2020-10-27 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种TOPCon太阳能电池的制备方法 |
| CN111900214A (zh) * | 2020-08-13 | 2020-11-06 | 晶科能源有限公司 | 去除多晶硅绕镀的方法、太阳能电池及其制备方法 |
| CN112812776A (zh) * | 2019-11-15 | 2021-05-18 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种腐蚀液及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104562011B (zh) * | 2013-10-09 | 2018-06-26 | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 | 多晶硅片的制绒辅助剂及制绒工艺 |
| CN103681958B (zh) * | 2013-10-16 | 2017-05-17 | 常州时创能源科技有限公司 | 一种多晶硅片制绒方法 |
| CN103614249A (zh) * | 2013-12-03 | 2014-03-05 | 常州时创能源科技有限公司 | 一种用于多晶硅片酸制绒后的碱清洗添加剂及使用方法 |
| CN105177719A (zh) * | 2015-08-25 | 2015-12-23 | 安徽飞阳能源科技有限公司 | 一种环保高效硅片制绒剂及其制备方法 |
| CN111785809A (zh) * | 2020-07-15 | 2020-10-16 | 常州时创能源股份有限公司 | 钝化接触电池的制备方法 |
| CN113416547B (zh) * | 2021-06-18 | 2022-05-31 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种清洗绕镀多晶硅的碱腐蚀辅助剂及其应用 |
-
2021
- 2021-06-18 CN CN202110679098.8A patent/CN113416547B/zh active Active
-
2022
- 2022-03-17 WO PCT/CN2022/081379 patent/WO2022262340A1/zh unknown
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106676636A (zh) * | 2017-01-10 | 2017-05-17 | 何秀英 | 一种用于硅晶体表面织构化腐蚀的化学助剂 |
| CN110257072A (zh) * | 2019-06-13 | 2019-09-20 | 常州时创能源科技有限公司 | 硅片单面制绒与边缘刻蚀用添加剂及其应用 |
| CN110416359A (zh) * | 2019-07-19 | 2019-11-05 | 常州时创能源科技有限公司 | 一种TOPCon结构电池的制备方法 |
| CN112812776A (zh) * | 2019-11-15 | 2021-05-18 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种腐蚀液及其制备方法和应用 |
| CN111524999A (zh) * | 2020-04-03 | 2020-08-11 | 常州大学 | 一种遂穿氧化钝化电池的制备方法 |
| CN111834493A (zh) * | 2020-07-22 | 2020-10-27 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种TOPCon太阳能电池的制备方法 |
| CN111900214A (zh) * | 2020-08-13 | 2020-11-06 | 晶科能源有限公司 | 去除多晶硅绕镀的方法、太阳能电池及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 张婷等: "多晶硅绕镀层的去除工艺研究", 《人工晶体学报》 * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022262340A1 (zh) * | 2021-06-18 | 2022-12-22 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种清洗绕镀多晶硅的碱腐蚀辅助剂及其应用 |
| CN114133876A (zh) * | 2021-11-04 | 2022-03-04 | 西安蓝桥新能源科技有限公司 | 一种小塔基硅片碱抛光辅助剂及其应用 |
| CN114133876B (zh) * | 2021-11-04 | 2022-12-20 | 西安蓝桥新能源科技有限公司 | 一种小塔基硅片碱抛光辅助剂及其应用 |
| CN114361290A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-04-15 | 嘉兴市小辰光伏科技有限公司 | 一种去除TOPCon电池制作的poly-Si绕镀的添加剂及其清洗工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2022262340A1 (zh) | 2022-12-22 |
| CN113416547B (zh) | 2022-05-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN113416547B (zh) | 一种清洗绕镀多晶硅的碱腐蚀辅助剂及其应用 | |
| CN109888061B (zh) | 一种碱抛光高效perc电池及其制备工艺 | |
| CN110518088B (zh) | 一种se太阳能电池的制备方法 | |
| CN111900214B (zh) | 去除多晶硅绕镀的方法、太阳能电池及其制备方法 | |
| CN107955974B (zh) | 倒金字塔绒面单晶硅片的制绒添加剂及其应用 | |
| CN101777603B (zh) | 背接触太阳能电池的制造方法 | |
| CN104037257B (zh) | 太阳能电池及其制造方法、单面抛光设备 | |
| CN101777606B (zh) | 一种晶体硅太阳电池选择性扩散工艺 | |
| ES2703791T3 (es) | Tratamiento superficial de silicio | |
| CN103178159A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池刻蚀方法 | |
| CN108922941A (zh) | 一种太阳能perc电池的制备方法 | |
| EP4365961A1 (en) | Solar cell and manufacturing method therefor | |
| CN112599616A (zh) | 一种太阳能电池及其制作方法 | |
| CN111834492A (zh) | TOPCon电池的制备方法 | |
| CN114447142B (zh) | 一种N型TOPCon太阳能电池及其制作方法 | |
| CN102487106A (zh) | 晶体硅太阳能电池及其制造方法 | |
| CN111446331A (zh) | 一种去绕镀方法及钝化接触太阳能电池制备方法 | |
| CN110518075B (zh) | 一种黑硅钝化膜、其制备方法及应用 | |
| CN104659156B (zh) | 一种单晶硅太阳能电池的刻蚀方法 | |
| CN106133922B (zh) | 太阳能电池的制造方法以及太阳能电池 | |
| CN113035978A (zh) | 异面结构硅片及其制备方法、太阳电池及其制备方法 | |
| WO2012162901A1 (zh) | 背接触晶体硅太阳能电池片制造方法 | |
| CN114784140B (zh) | Topcon电池制备方法、Topcon电池及去绕镀槽式清洗机 | |
| CN111180544B (zh) | 一种钝化接触晶体硅太阳能电池及其制作方法 | |
| CN107394008A (zh) | 一种n型双面太阳能电池片及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |