CN1134154C - 内置有低噪声高频放大器的接收装置 - Google Patents
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Abstract
一种内置有低噪声高频放大器的接收装置,包括:高通滤波器,用于对高频信号进行高通滤波;抗静电单元,用于防止高频信号中包含的静电;低噪声高频放大器,用于在高频信号电场强度微弱的情况下使用单栅极型场效应晶体管对信号进行放大并输出;高频开关单元,用于在高频信号电场强度高的情况下使高频信号旁通;控制器,用于根据自动增益控制电压判断高频信号电场强度并输出控制信号以选择性地驱动低噪声高频放大器和高频开关单元。
Description
技术领域
本发明涉及用于通过低噪声高频放大器放大微弱高频信号的高频接收机,例如电视机;特别涉及一种内置有低噪声高频放大器的接收装置,其能够保证高增益、优良的低噪声特性和良好的线性度。
背景技术
图1是根据现有技术的内置有低噪声高频放大器的接收装置的示意方框图。
如图所示,该内置有低噪声高频放大器的接收装置包括:由场效应晶体管FET1构成的低噪声高频放大器1,用于接收作为偏压的开关控制电压CTR,并将输入到第一栅极端子G1的高频信号RF以根据输入到第二栅极端子G2的偏压所设置的增益值进行放大并输出;高频旁通单元2,用于当低噪声高频放大器1未放大高频信号RF时使高频信号RF旁通;开关控制单元3,用于在开关控制电压CTR的控制下来控制高频旁通单元2的操作;VHF/UHF分离单元4,用于从被低噪声高频放大器1放大的或从经过高频旁通单元2旁通的高频信号RF中分离甚高频和超高频;放大器5和6,用于分别放大所分离的VHF信号和UHF信号;调谐器7,用于根据从微计算机12(待说明)输出的调谐数据为来自放大器5或放大器6的输出信号选择一个相应的通道,并将该通道的高频信号转换为中频信号;中频放大单元8,用于放大从调谐器7输出的中频信号并输出;中频检测单元9,用于从所放大的中频信号IF中检测原始图象信号;图象信号处理单元10,用于对从中频检测单元9输出的微弱图象信号进行适当处理以便在显示器(CPT)11上显示;以及微计算机12,用于将从中频检测单元9输出的自动增益控制电压VAGC与一预设操作电压进行比较,并输出对应于比较结果的开关控制电压CTR。
下面将参照图2对现有技术的内置有低噪声高频放大器的接收装置的操作进行说明。
在微计算机12输出高电平开关控制电压CTR的情况下,低噪声高频放大器1被启动,而在微计算机12输出低电平开关控制电压CTR的情况下,则是高频旁通单元2被启动。因此,通过天线ANT输入的高频信号RF,根据开关控制电压CTR的不同,通过低噪声高频放大器1或是通过高频旁通单元2被提供给VHF/UHF分离单元4。
VHF/UHF分离单元4从通过上述路径输入的高频信号中分离出VHF信号和UHF信号并输出,然后所输出的这两种信号分别由放大器5和6放大。
调谐器7根据从微计算机12输出的调谐数据执行对放大器5的输出信号或放大器6的输出信号的选择功能,并将相应通道的高频信号转换为中频信号并输出。
通过中频放大单元8将从调谐器7输出的中频信号放大至预定电平,中频检测单元9从所放大的中频信号中检测出原始图象信号。通过图象信号处理单元10将如此检测出的图象信号显示在CPT11上。
同时,当输出高电平开关控制信号CTR因而驱动低噪声高频放大器1时,微计算机12通过输入端口A/D读出从中频检测单元9输出的自动增益控制电压VAGC,并将该电压与此处的一预设电压进行比较,然后根据该比较结果设置开关控制电压CTR的操作范围。
设置开关控制电压CTR的操作范围是为了防止由于高频信号RF的电场强度的变化或由于自动增益控制电压VAGC的变化而使得低噪声高频放大器1频繁地启动或关闭。
为此目的,在制造过程中微计算机12改变用于启动或关闭低噪声高频放大器1的开关控制电压CTR的操作范围,或是在产品投入市场后由电视观众来进行这一工作,其变化范围是Va0Van和Vb0Vbn。例如,在信号变化较为强烈的区域,开关控制电压CTR的操作范围被设置为较宽的范围,即Van和Vbn。
当微计算机12将自动增益控制电压VAGC与其内部设置的最大操作电压Vbn进行比较后,如果识别出自动增益控制电压VAGC比最大操作电压Vbn高,则微计算机12判断出所输入的是一微弱高频信号RF,因此其输出高电平开关控制电压CTR。
另一方面,进行上述比较时,如果判断出自动增益控制电压VAGC比最小操作电压Van低,则微计算机12判断出所输入的是一强高频信号,因此其输出低电平开关控制电压CTR。
在输出高电平开关控制电压CTR的情况下,其由低噪声高频放大器1的电阻R1,R3和R4分压,并被提供至场效应晶体管FET11的第一栅电极G1,其中的噪声由电容器C3除去。
同时,所输出的高电平开关控制电压CTR还由电阻R7和R8分压并被提供至场效应晶体管FET11的第二栅电极G2,从而为场效应晶体管FET11设置了一定大小的增益。
因此,当通过天线ANT和电容器C1将高频信号RF提供至场效应晶体管FET11的第一栅电极G1时,其根据由加载到第二栅电极G2的电压所设置的增益值被放大,然后输出到漏电极D。
由场效应晶体管FET11放大的高频信号RF通过电阻R5和电容器C7被提供至VHF/UHF分离单元4,然后以前述方式处理。此时,开关控制单元3的晶体管Q1被所输出的高电平开关控制电压CTR导通,由此使电源端子电压B1通过晶体管Q1流入接地点,从而使高频旁通单元2关闭。
同时,在微计算机12输出低电平开关控制电压CTR的情况下,场效应晶体管FET11被截止,并且晶体管Q1也被截止。
因此,低噪声高频放大器1被关闭并且高频旁通单元2被切换到“ON”状态,使得通过天线ANT和电容器C1的高频信号RF经由二极管D1和D2和电容器C8传送至VHF/UHF分离单元4。
结果是,如图2所示,微计算机12根据自动增益控制电压VAGC的变化将开关控制电压CTR的ON/OFF操作范围改变为“Va0-Vb0”或“Van-Vbn”,从而能够防止低噪声高频放大器1的场效应晶体管FET11在临界点频繁地导通或截止。
但是,对于根据现有技术的接收器,虽然其在低噪声高频放大器中采用双栅极型场效应晶体管解决了该放大器由于自动增益控制电压而频繁开关的问题并且改善了S/N特性,然而其难于达到高增益,并且具有NF(噪声系数)特性降低的缺点。
发明内容
因此,本发明的一个目的是提供一种内置有低噪声高频放大器的接收装置,其通过使用单栅极型GaAs场效应晶体管保证了高增益、良好的低噪声特性和优良的线性度。
本发明的另一个目的是提供一种内置有低噪声高频放大器的接收装置,在VHF频带和UHF频带之间的电场差过大的情况下,放大一微弱电场信号,在这方面,防止了相对较强的电场信号被放大,从而使其不会干扰该微弱电场信号。
为了实现这些和其它优点并根据本发明的目的,如本文所实施和广义说明的,提供了一种内置有低噪声高频放大器的接收装置,包括:一高通滤波器,用于对通过天线接收的高频信号进行高通滤波;一抗静电单元,用于防止通过高通滤波器的高频信号中所含的静电;中频阻塞单元,与抗静电单元的后端连接,用于阻塞高频信号中包含的中频;一低噪声高频放大器,在所输入的高频信号的电场强度较微弱的情况下,用于通过使用其内部提供的单栅极型场效应晶体管对从抗静电单元输出的高频信号进行放大和输出;一高频开关单元,在所输入的高频信号的电场强度较高的情况下,用于使从抗静电单元输出的高频信号旁通;调谐器,包括一个UHF滤波器和一个VHF滤波器,用于将从低频声和高频放大器或高频开关单元输出的高频信号放大到合适的电平并产生自动增益控制电压;以及一控制器,用于根据从所述调谐器输出的自动增益控制电压判断高频信号的电场强度,并输出一控制信号以选择性地驱动低噪声高频放大器和高频开关单元。
在本发明的内置有低噪声高频放大器的接收装置中,高通滤波器由电容器和线圈组成。
在本发明的内置有低噪声高频放大器的接收装置中,抗静电单元包括两个并联连接且方向相反的二极管,从而同时阻塞正极性静电和负极性静电。
在本发明的内置有低噪声高频放大器的接收装置中,低噪声高频放大器还包括:电阻R31-R33和R38,用于当从开关控制单元输出开关控制电压B+时提供DC偏压,以便导通场效应晶体管;和二极管D33,用于向所述场效应晶体管的栅极提供导通电流。
在本发明的内置有低噪声高频放大器的接收装置中,控制器包括:微计算机,用于通过将从调谐部分输出的自动增益控制电压与内部设置的电压进行比较来判断电场强度,并根据比较结果输出高电平信号或低电平信号;和开关控制单元,用于根据来自微计算机的输出信号向低噪声高频放大器和高频开关单元提供开关控制电压。
为了实现以上目的,提供了一种内置有低噪声高频放大器的接收装置,其包括:高通滤波器,用于对通过天线的输入端子接收的高频信号进行高通滤波;抗静电单元,用于阻塞通过高通滤波器的高频信号中含有的正极性静电和负极性静电;中频阻塞单元,用于阻塞通过抗静电单元的高频信号中含有的中频;连接至中频阻塞单元后端的UHF滤波器,用于仅使高频信号的UHF频带通过;连接至中频阻塞单元后端的VHF滤波器,用于使高频信号的VHF频带通过;分别连接至UHF滤波器和VHF滤波器后端的UHF和VHF低噪声高频放大器,其在所输入的高频信号的电场强度较微弱的情况下,被从开关控制单元输出的开关控制电压驱动,并通过使用内部的单栅极型场效应晶体管对从UHF滤波器和VHF滤波器输出的信号进行放大和输出;分别并联连接至UHF和VHF低噪声高频放大器驱动端的UHF和VHF高频开关单元,其在所输入高频信号的电场强度较高的情况下,被从开关控制单元输出的开关电压驱动,并通过使用内部的单栅极型场效应晶体管使UHF滤波器和VHF滤波器的输出信号旁通;调谐器,用于将从每个低噪声高频放大器或从每个高频开关单元输出的高频信号放大至合适电平;UHF和VHF开关控制单元,用于在微计算机的控制下将开关控制电压提供至每个低噪声高频放大器或每个高频开关控制单元;中频和图象处理单元,用于从调谐器输出的中频信号再生原始图象信号,并将其放大至适于在CPT上显示的电平,从而输出;以及微计算机,用于将从调谐器输出的自动增益控制电压与内部预设的电压进行比较,并根据比较结果控制每个开关控制单元的驱动。
在本发明的内置有低噪声高频放大器的接收装置中,根据所输入的信号频带选择性地驱动每个开关控制单元。
附图说明
所包含用来提供对本发明进一步理解的附图构成了说明书的一部分,显示了本发明的实施例,并与说明书一起用于解释本发明的原理。
其中:
图1是根据现有技术的内置有低噪声高频放大器的接收装置的方框图;
图2是显示根据现有技术的自动增益控制电压和低噪声高频放大器之间操作关系的示意图;
图3是根据本发明一个实施例的内置有低噪声高频放大器的接收装置的方框图;和
图4是根据本发明另一个实施例的内置有低噪声高频放大器的接收装置的方框图。
具体实施方式
下面将对附图中显示的本发明优选实施例进行详细说明。
图3是根据本发明一个实施例的内置有低噪声高频放大器的接收装置的方框图。
如图所示,该内置有低噪声高频放大器的接收装置包括:高通滤波器31,用于对通过天线的输入端子ANT_IN接收的高频信号RF进行高通滤波,和阻塞包含在高频信号RF中的静电;抗静电单元32,用于阻塞通过高通滤波器31的高频信号中包含的正极性静电和负极性静电;中频阻塞单元33,用于阻塞通过抗静电单元32的高频信号中包含的中频;低噪声高频放大器34,其在所输入高频信号的电场强度较微弱的情况下,被从开关控制单元38输出的开关控制电压B+驱动,并通过使用内部提供的单栅极型场效应晶体管FET31对中频阻塞单元33的输出信号进行放大;高频开关单元35,其在所输入高频信号的电场强度较高的情况下,被从开关控制单元38输出的开关控制电压B+驱动,并通过使用内部提供的单栅极型场效应晶体管FET32使中频阻塞单元33的输出信号旁通;调谐器36,用于从低噪声高频放大器34或高频开关单元35所输出的高频信号中分离出UHF信号和VHF信号,并将其放大至合适电平;开关控制单元38,用于在微计算机40(待说明)的控制下将开关控制电压B+提供至调谐部分37;中频和图象处理单元39,用于从调谐部分37输出的中频信号再生原始图象信号,并将其放大至适于在CPT41上显示的电平,从而输出;以及微计算机40,用于将从调谐部分37输出的自动增益控制电压AGC与内部预设电压进行比较,并根据比较结果控制每个开关控制单元38的驱动。
下面将对具有上述结构的内置有低噪声高频放大器的接收装置的操作进行说明。
通过天线的输入端子ANT_IN接收的高频信号RF被输入到高通滤波器31,其中只有高于400MHz的高频分量通过,而DC电压被阻塞。
与一般广播信号不同,在局部电缆广播中,为了放大以预定间隔安装的发射机的信号,所加入的用作开关电压的DC电压可能会使线圈发生短路。在这方面,高通滤波器31的电容器C31的作用就是阻塞该DC电压。此外,该电容器的功能还包括,防止由于静电造成的对高频开关单元34的场效应晶体管FET31和高频开关单元35的场效应晶体管FET32的损伤。
为了防止已通过高通滤波器31的高频信号中包含的静电对场效应晶体管FET31和FET32造成损伤,使所输入的RF信号通过抗静电单元32。抗静电单元32的二极管D31阻塞相对于接地端子GND为正极性(+)的静电分量,二极管D32阻塞负极性(-)的静电分量。
通过抗静电单元32的高频信号RF经由中频阻塞单元33传送至低噪声高频放大器34和高频开关单元35。此时,中频阻塞单元33的作用在于阻塞高频信号分量中包含的中频。
当输出高电平开关控制电压B+时,低噪声高频放大器34被启动,由低噪声高频放大器34的电阻R31-R33和R38加载DC偏压,使得二极管D33和D35导通,由此使输入的高频信号通过场效应晶体管FET31放大,经电容器C43耦合,传送至调谐器36。
此处,线圈L34用于阻抗匹配,电容器C36用于去耦,电容器C34和C35用于除去波纹噪声。电阻R35用于负反馈以扩大频带宽度以及改善低噪声高频放大器34的稳定性。电容器C37-C39用于改善低噪声高频放大器34的高通特性。二极管D33和高频开关单元35的二极管D35的作用是,在低噪声高频放大器34为ON状态时利用DC偏压使信号通过,而在低噪声高频放大器34为OFF状态时使信号阻塞。
在高频开关单元35中,当输出高电平开关控制电压B+时,由于有电阻R36和R37使偏压加载在场效应晶体管FET32的栅极和漏极之间,由此场效应晶体管FET32被截止。
但是,如果输出低电平开关控制电压B+,则场效应晶体管FET32被导通,使得所输入的高频信号未经放大而通过场效应晶体管FET32,并通过电容器C43输入到调谐器36。
作为参考,在强电场的情况下,低噪声高频放大器34被阻塞,高频信号按原样通过场效应晶体管FET32。在这方面,与现有技术的调谐部分相比,会由晶体管FET32产生插入损耗。为此,将图3所示的电路设计为使这种损耗降至最小。
电容器C40和C41用于耦合。电阻R36和R37和二极管D35用于提供DC偏压。电容器C42用于去除噪声。
根据所输出的开关控制电压B+是高电平还是低电平,对低噪声高频放大器34和高频开关单元35的操作进行结合,使得所输入的高频信号通过低噪声高频放大器34或通过高频开关单元35被提供至调谐器36。此后,检测UHF信号并使其通过UHF滤波器36A和放大器AMP31输出,或是检测VHF信号并使其通过VHF滤波器36B和放大器AMP32输出。
此时,微计算机40将从调谐部分37输出的自动增益控制电压AGC与其内部预设电压进行比较,如果自动增益控制电压AGC低于预设电压,则微计算机40判断出所输入的高频信号的电场强度微弱,并因此输出高电平控制信号CS,该信号使开关控制单元38的晶体管Q32被导通,随后,晶体管Q31被导通,从而使得开关控制电压CTR通过晶体管Q31输出而作为开关控制电压B+。
同时,根据比较结果,如果识别出自动增益控制电压AGC高于微计算机40的内部预设电压,则微计算机40判断出所输入的高频信号的电场强度较高,并输出低电平控制信号CS,该信号使开关控制单元38的晶体管Q32和Q31截止,从而输出低电平的开关控制电压B+。
在将从调谐器36的放大器AMP31和AMP32输出的高频UHF信号或高频VHF信号转换为中频后,将其提供至中频和图象处理单元39,从中将原始图象信号放大为适合在CTP41上显示的电平并输出。
作为参考,低噪声高频放大器34的场效应晶体管FET35和高频开关单元35的场效应晶体管FET32被制造为单栅极型GaAs晶体管,以便保证高增益、良好的低噪声特性和优良的线性度。
但是,如此制造的场效应晶体管FET31和FET32存在的问题是抗静电能力较差。鉴于此,本发明通过提高作为高通滤波器31部件的电容器C31的电容量以及通过利用抗静电单元32的二极管D31和D32阻塞静电来解决该问题。
图4是根据本发明另一个实施例的内置有低噪声高频放大器的接收装置的方框图,其用于解决的问题是,在两个频带(UHF频带和VHF频带)之间的电场差过大的情况下,该两个电场中相对较强频带的信号可能被过度放大,其结果是放大的信号会干扰相对微弱频带的信号,使得无法再生所选择通道的信号。
如图所示,该内置有低噪声高频放大器的接收装置包括:高通滤波器31,用于对通过天线的输入端子接收的高频信号进行高通滤波;抗静电单元32,用于阻塞通过高通滤波器31的高频信号中包含的正极性静电和负极性静电;中频阻塞单元33,用于阻塞通过抗静电单元32的高频信号中包含的中频;分别连接至中频阻塞单元33后端的UHF滤波器36A和VHF滤波器36B,用于仅使高频信号的UHF频带或VHF频带通过;分别连接至UHF滤波器和VHF滤波器后端的低噪声高频放大器34A和34B,其在所输入高频信号的电场强度微弱的情况下,被从开关控制单元输出的开关控制电压驱动,并通过使用内部的单栅极型场效应晶体管对从UHF滤波器和VHF滤波器输出的信号进行放大和输出;分别与位于UHF滤波器和VHF滤波器的低噪声高频放大器34A和34B并联连接的高频开关单元35A和35B,其在所输入高频信号的电场强度高的情况下,被从开关控制单元输出的开关电压驱动,并通过使用内部的单栅极型场效应晶体管使UHF滤波器和VHF滤波器的输出信号旁通;调谐器42,用于将从每个低噪声高频放大器34A和34B或从每个高频开关单元35A和35B输出的高频信号放大至合适电平;开关控制单元38A和38B,用于在微计算机的控制下,向每个低噪声高频放大器34A和34B或每个高频开关单元35A和35B提供开关控制电压;中频和图象处理单元39,用于从调谐器输出的中频信号中再生原始图象信号,并将其放大至适于在CPT上显示的电平,从而输出;以及微计算机40,用于将从调谐器输出的自动增益控制电压与内部预设电压进行比较,并根据比较结果控制每个开关控制单元38A和38B的驱动。
下面将对上述结构的根据本发明另一个实施例的内置有低噪声高频放大器的接收装置的操作进行说明。
高通滤波器31,抗静电单元32和中频阻塞单元33的操作与图3中相同,故省去对其的说明。
通过中频阻塞单元33的信号被传送至UHF滤波器36A和VHF滤波器36B。具体地说,一个信号作为UHF频带信号被输入至调谐器,其已经通过了UHF滤波器36A;而另一个信号作为VHF频带信号被输入至调谐器,其已经通过了VHF滤波器36B。
此时,在所输入信号是UHF频带信号的情况下,其被同时传送至UHF低噪声高频放大器34A和UHF高频开关单元35A,而在所输入信号是VHF频带信号的情况下,其被同时传送至VHF低噪声高频放大器34B和VHF高频开关单元35B。
在输入UHF频带信号的情况下,如果从UHF开关控制单元38A输出高电平开关控制电压B1+,则由UHF高频放大器34A的电阻R31-33和R38加载DC偏压,使得二极管D33和D35导通。因此,通过场效应晶体管FET31放大所输入的高频信号,然后借助于电容器C43耦合,传送至UHF放大器AMP31。
此时,在VHF开关控制单元38B中,输出低电平VHF开关控制电压B2+,使得VHF低噪声高频放大器34B被截止。
另一方面,在输入VHF频带信号的情况下,如果从VHF开关控制单元38B输出高电平开关控制电压B2+,则由VHF高频放大器34B的电阻R51-53和R58加载DC偏压,使得二极管D53和D55导通。因此,通过场效应晶体管FET51放大所输入的高频信号,然后借助于电容器C63耦合,传送至VHF放大器AMP32。
此时,输出低电平UHF开关控制电压B1+,使得UHF低噪声高频放大器34A被截止。此处,线圈L34和L35用于阻抗匹配,电容器C36和C56用于去除波纹噪声。
电阻R35和R55用于负反馈,以扩大频带宽度以及改善低噪声高频放大器34的稳定性。电容器C37-C39和C57-C59用于改善低噪声高频放大器34A和34B的高通特性。二极管D33和D53和高频开关单元35A和35B用于当低噪声高频放大器34A和34B为ON状态时借助于DC偏压使信号通过,而当低噪声高频放大器34为OFF状态时将信号阻塞。
在UHF高频开关单元35A中,当输出高电平UHF开关控制电压B1+时,由于电阻R36和R37使得偏压被加载在场效应晶体管FET32的栅极和漏极之间,因而场效应晶体管FET32被截止。此时,输出低电平VHF开关控制电压B2+,VHF场效应晶体管FET52被导通,使得VHF频带信号从场效应晶体管FET52旁通,而不被低噪声高频放大器34B放大。
相反地,在输入VHF信号的情况下,当输出高电平VHF开关控制电压B2+时,由于VHF高频开关单元35B中的电阻R56和R57,使得偏压被加载在场效应晶体管FET52的栅极和漏极之间,因而场效应晶体管FET52被截止。
此时,输出的UHF开关控制电压B1+具有低电平,UHF场效应晶体管FET32被导通,使得UHF频带从场效应晶体管FET32旁通,而不被低噪声高频放大器34A放大。
如果输出的开关控制电压B1+和B2+具有低电平,则场效应晶体管FET32和FET52被导通,使得高频信号按原样通过。
此处,电容器C40,C41,C60和C61用于耦合,电阻R36,R37,R56和R57和二极管D35和D55用于DC偏压,电容器C42和C62用于去除噪声。
为了对低噪声高频放大器34A和34B和高频开关单元35A和35B的操作进行结合,在输入UHF信号的情况下,VHF开关控制电压B2+变为总是“低”,在此状态下,取决于输出的UHF开关控制电压B1+是高电平还是低电平,通过UHF低噪声高频放大器34A或UHF高频开关单元35A将输入的频率信号提供至调谐器放大器42,由此通过UHF放大器AMP31检测UHF信号。
同时,在输入VHF信号的情况下,UHF开关控制电压B1+变为总是“低”,在此状态下,取决于输出的VHF开关控制电压B2+是高电平还是低电平,通过VHF低噪声高频放大器34B或VHF高频开关单元35B将输入的频率信号提供至调谐器放大器42,由此通过VHF放大器AMP32检测VHF信号。
此时,在输入UHF信号的情况下,微计算机40使输出的控制信号CS2变得一直具有低电平,并将从调谐部分37输出的自动增益控制电压AGC与内部预设电压进行比较。根据该比较,如果自动增益控制电压AGC低于内部预设电压,则微计算机40判断出UHF高频信号的电场强度微弱,并使输出的控制信号CS1变为高电平,根据该信号,UHF开关控制单元38A的晶体管Q32被导通,随后,晶体管Q31被导通,使得UHF开关控制电压B1+通过UHF开关控制单元38A的晶体管Q31输出。
另一方面,根据该比较,如果识别出自动增益控制电压AGC高于预设电压,则微计算机40判断出所输入高频信号的电场强度高,并输出具有低电平的UHF信号CS1,根据该信号,开关控制单元38A的晶体管Q32和Q31被截止,使得输出的UHF开关控制电压B1+具有低电平。
同时,在输入VHF信号的情况下,微计算机40使输出的UHF控制信号CS1变为一直具有低电平,并将从调谐部分37输出的自动增益控制电压AGC与内部预设电压进行比较。根据该比较结果,如果自动增益控制电压AGC低于内部预设电压,则微计算机40判断出VHF高频信号的电场强度微弱,并使输出的VHF控制信号CS2变为高电平,根据该信号,VHF开关控制单元38B的晶体管Q52被导通,随后,晶体管Q51被导通,使得VHF开关控制电压B2+通过VHF开关控制单元38B的晶体管Q51输出。
另一方面,根据比较结果,如果识别出自动增益控制电压AGC高于预设电压,则微计算机40判断出所输入高频信号的电场强度高,并输出低电平VHF控制信号CS2,根据该信号,开关控制单元38B的晶体管Q52和Q51被截止,使得输出低电平开关控制电压B2+。
从调谐器放大器AMP31和AMP32输出的高频UHF信号或高频VHF信号被转换为中频,并提供至中频和图象处理单元39,在其中检测出原始图象信号并将其放大至适于在CPT41上显示的电平。
如上所述,根据本发明的内置有低噪声高频放大器的接收装置,在低噪声高频放大器中采用单栅极型GaAs场效应晶体管,通过使用抗静电单元在输入端中阻塞静电,从而获得能够保证高增益、优良低噪声特性和良好线性度的低噪声高频放大器。
此外,由于仅放大了VHF频带和UHF频带中的一个选择频带,可以防止在放大高频过程中由取决于不同频带间电场强度差的串扰所引起的信号干扰,使得即使在微弱电场情况下用户也能欣赏没有噪声或信号干扰的清晰图象。
由于在不偏离本发明精神或基本特征的情况下能够以多种形式实施本发明,所以还应理解除非另有说明,上述实施例不受说明书中的细节所限制,而应在所附权利要求中定义的精神和范围内广义地理解,因此,所有落入权利要求的范围和界限内的变化和修改或其等价物都应被权利要求所涵盖。
Claims (7)
1.一种内置有低噪声高频放大器的接收装置,包括:
高通滤波器,用于对通过天线接收的高频信号进行高通滤波;
抗静电单元,用于防止通过高通滤波器的高频信号中包含的静电;
中频阻塞单元,与抗静电单元的后端连接,用于阻塞高频信号中包含的中频;
低噪声高频放大器,用于在所输入高频信号的电场强度微弱的情况下,通过使用其内部提供的单栅极型场效应晶体管对从抗静电单元输出的高频信号进行放大并输出;
高频开关单元,用于在所输入高频信号的电场强度高的情况下,使从抗静电单元输出的高频信号旁通;
调谐器,包括一个UHF滤波器和一个VHF滤波器,用于将从低噪声高频放大器或高频开关单元输出的高频信号放大到合适的电平;和
控制器,用于根据从所述调谐器输出的自动增益控制电压对高频信号的电场强度进行判断,并输出控制信号以选择性地驱动低噪声高频放大器和高频开关单元。
2.根据权利要求1的装置,其中高通滤波器由电容器和线圈组成。
3.根据权利要求1的装置,其中抗静电单元包括两个并联连接并且方向相反的二极管,从而阻塞正极性静电和负极性静电。
4.根据权利要求1的装置,其中低噪声高频放大器还包括:电阻(R31-R33和R38),用于当开关控制单元输出开关控制电压(B+)时提供DC偏压,以使场效应晶体管导通;和二极管(D33),用于向所述场效应晶体管的栅极提供导通电流。
5.根据权利要求1的装置,其中控制器包括:
微计算机,用于通过对从调谐部分输出的自动增益控制电压与内部设置电压进行比较来判断电场强度,并根据比较结果输出高电平信号或低电平信号;和
开关控制单元,用于根据来自微计算机的输出信号向低噪声高频放大器和高频开关单元提供开关控制电压。
6.一种内置有低噪声高频放大器的接收装置,包括:
高通滤波器,用于对通过天线的输入端子接收的高频信号进行高通滤波;
抗静电单元,用于阻塞通过高通滤波器的高频信号中包含的正极性静电和负极性静电;
中频阻塞单元,用于阻塞通过抗静电单元的高频信号中包含的中频;
连接至中频阻塞单元输出端的UHF滤波器,用于仅使高频信号的UHF频带通过;
连接至中频阻塞单元输出端的VHF滤波器,用于仅使高频信号的VHF频带通过;
分别连接至UHF滤波器和VHF滤波器输出端的UHF和VHF低噪声高频放大器,其在所输入高频信号的电场强度微弱的情况下,被从开关控制单元输出的开关控制电压驱动,并通过使用内部的单栅极型场效应晶体管对从UHF滤波器和VHF滤波器输出的信号进行放大和输出;
分别并联连接至UHF和VHF低噪声高频放大器驱动端的UHF和VHF高频开关单元,用于在所输入高频信号的电场强度高的情况下,被从开关控制单元输出的开关电压驱动,并通过使用内部的单栅极型场效应晶体管使UHF滤波器和VHF滤波器的输出信号旁通;
调谐器,用于将从每个低噪声高频放大器或从每个高频开关单元输出的高频信号放大至合适电平;
UHF和VHF开关控制单元,用于在微计算机的控制下,将开关控制电压提供至每个低噪声高频放大器或每个高频开关单元;
中频和图象处理单元,用于从调谐器输出的中频信号中再生原始图象信号,并将其放大至适于在显示器上显示的电平,从而输出;以及
微计算机,用于将从调谐器输出的自动增益控制电压与内部预设电压进行比较,并根据该比较结果控制每个开关控制单元的驱动。
7.根据权利要求6的装置,其中根据所输入的信号频带选择性地驱动每个开关控制单元。
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