CN113410323A - 柔性双面太阳能电池组件及其制备方法 - Google Patents

柔性双面太阳能电池组件及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113410323A
CN113410323A CN202110458583.2A CN202110458583A CN113410323A CN 113410323 A CN113410323 A CN 113410323A CN 202110458583 A CN202110458583 A CN 202110458583A CN 113410323 A CN113410323 A CN 113410323A
Authority
CN
China
Prior art keywords
flexible
layer
film layer
solar cell
cell module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110458583.2A
Other languages
English (en)
Inventor
赵记
赵剑
张传升
吴华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chongqing Shenhua Thin Film Solar Technology Co ltd
China Energy Conservation And Emission Reduction Co ltd
Original Assignee
Chongqing Shenhua Thin Film Solar Technology Co ltd
China Energy Conservation And Emission Reduction Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chongqing Shenhua Thin Film Solar Technology Co ltd, China Energy Conservation And Emission Reduction Co ltd filed Critical Chongqing Shenhua Thin Film Solar Technology Co ltd
Priority to CN202110458583.2A priority Critical patent/CN113410323A/zh
Publication of CN113410323A publication Critical patent/CN113410323A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H01L31/0481—Encapsulation of modules characterised by the composition of the encapsulation material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H01L31/049—Protective back sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0684—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells double emitter cells, e.g. bifacial solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Abstract

本公开提供一种柔性双面太阳能电池组件及其制备方法，该柔性双面太阳能电池组件包括柔性衬底；位于所述柔性衬底上方的第一发电膜层；位于所述柔性衬底下方的第二发电膜层；位于所述第一发电膜层上方的第一封装膜层；位于所述第一封装膜层上方的柔性前板；位于所述第二发电膜层下方的第二封装膜层；位于所述第二封装膜层下方的柔性背板。该柔性双面太阳能电池组件不仅充分发挥了薄膜电池柔性的特点，而且实现了双面发电，大大增加了发电效率，提升了薄膜太阳能电池的整体竞争力。

Description

柔性双面太阳能电池组件及其制备方法
技术领域
本公开涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种柔性双面太阳能电池组件及其制备方法。
背景技术
铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池作为第二代光伏技术薄膜太阳电池的代表，近年来无论从理论研究到产业化都得到了极大的发展。
而太阳能光伏组件多为玻璃盖板的晶硅组件和薄膜组件，一般难以弯曲。为了发挥薄膜光伏产品轻便、可弯曲的特点，柔性产品一直都是CIGS薄膜太阳电池在基础研究和产业发展上的重要开发方向。但是目前可弯曲的柔性组件仅限于单面电池，相对于双面电池，单面的太阳能电池组件的另外一面不吸收光，限制了铜铟镓硒薄膜太阳能组件的发电效率。
发明内容
针对上述问题，本公开提供了一种柔性双面太阳能电池组件及其制备方法，解决了现有技术柔性太阳能电池组件发电效率低的技术问题。
第一方面，本公开提供一种柔性双面太阳能电池组件，包括：
柔性衬底；
位于所述柔性衬底上方的第一发电膜层；
位于所述柔性衬底下方的第二发电膜层；
位于所述第一发电膜层上方的第一封装膜层；
位于所述第一封装膜层上方的柔性前板；
位于所述第二发电膜层下方的第二封装膜层；
位于所述第二封装膜层下方的柔性背板。
根据本公开的实施例，可选地，上述柔性双面太阳能电池组件中，所述柔性衬底包括聚酰亚胺、不锈钢箔和厚度小于第一预设厚度阈值的玻璃中的至少一种。
根据本公开的实施例，可选地，上述柔性双面太阳能电池组件中，所述第一发电膜层包括从所述柔性衬底往上依次层叠设置的第一背接触层、第一吸收层、第一缓冲层和第一窗口层。
根据本公开的实施例，可选地，上述柔性双面太阳能电池组件中，所述第二发电膜层包括从所述柔性衬底往下依次层叠设置的第二背接触层、第二吸收层、第二缓冲层和第二窗口层。
根据本公开的实施例，可选地，上述柔性双面太阳能电池组件中，所述第一吸收层的材料包括铜铟镓硒。
根据本公开的实施例，可选地，上述柔性双面太阳能电池组件中，所述第二吸收层的材料包括铜铟镓硒。
根据本公开的实施例，可选地，上述柔性双面太阳能电池组件中，所述柔性前板和所述柔性背板包括柔性有机层和厚度小于第二预设厚度阈值的玻璃中的至少一种。
第二方面，本公开提供一种柔性双面太阳能电池组件的制备方法，包括：
提供柔性衬底；
在所述柔性衬底上方形成第一发电膜层；
在所述柔性衬底下方形成第二发电膜层；
在所述第一发电膜层上方设置第一封装膜层；
在所述第二发电膜层下方设置第二封装膜层；
通过压合工艺将柔性前板和柔性背板分别固定于所述第一封装膜层上方和所述第二封装膜层下方。
根据本公开的实施例，可选地，上述柔性双面太阳能电池组件的制备方法中，所述第一发电膜层包括从所述柔性衬底往上依次层叠设置的第一背接触层、第一吸收层、第一缓冲层和第一窗口层；
在所述柔性衬底上方形成第一发电膜层，包括以下步骤：
在所述柔性衬底上方形成第一背接触层；
在所述第一背接触层上方形成第一吸收层；
在所述第一吸收层上方形成第一缓冲层；
在所述第一缓冲层上方形成第一窗口层。
根据本公开的实施例，可选地，上述柔性双面太阳能电池组件的制备方法中，所述第二发电膜层包括从所述柔性衬底往下依次层叠设置的第二背接触层、第二吸收层、第二缓冲层和第二窗口层；
在所述柔性衬底下方形成第二发电膜层，包括以下步骤：
在所述柔性衬底下方形成第二背接触层；
在所述第二背接触层下方形成第二吸收层；
在所述第二吸收层下方形成第二缓冲层；
在所述第二缓冲层下方形成第二窗口层。
根据本公开的实施例，可选地，上述柔性双面太阳能电池组件的制备方法中，通过压合工艺将柔性前板和柔性背板分别固定于所述第一封装膜层上方和所述第二封装膜层下方，包括以下步骤：
将柔性前板和柔性背板分别设置于所述第一封装膜层上方和所述第二封装膜层下方，以形成层压件；
将所述层压件进行压合工艺，以将所述柔性前板和所述柔性背板分别固定于所述第一封装膜层上方和所述第二封装膜层下方。
采用上述技术方案，至少能够达到如下技术效果：
本公开提供一种柔性双面太阳能电池组件及其制备方法，该柔性双面太阳能电池组件包括柔性衬底；位于所述柔性衬底上方的第一发电膜层；位于所述柔性衬底下方的第二发电膜层；位于所述第一发电膜层上方的第一封装膜层；位于所述第一封装膜层上方的柔性前板；位于所述第二发电膜层下方的第二封装膜层；位于所述第二封装膜层下方的柔性背板。该柔性双面太阳能电池组件不仅充分发挥了薄膜电池柔性的特点，而且实现了双面发电，大大增加了发电效率，提升了薄膜太阳能电池的整体竞争力。
附图说明
附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：
图1是本公开一示例性实施例示出的一种柔性双面太阳能电池组件的剖面示意图；
图2是本公开一示例性实施例示出的一种柔性双面太阳能电池组件的另一剖面示意图；
图3是本公开一示例性实施例示出的一种柔性双面太阳能电池组件的弯曲示意图；
图4是本公开一示例性实施例示出一种柔性双面太阳能电池组件的制备方法流程示意图；
图5是本公开一示例性实施例示出一种柔性双面太阳能电池组件的第一中间结构的剖面示意图；
图6是本公开一示例性实施例示出一种柔性双面太阳能电池组件的第二中间结构的剖面示意图；
图7是本公开一示例性实施例示出一种柔性双面太阳能电池组件的第三中间结构的剖面示意图；
在附图中，相同的部件使用相同的附图标记，附图并未按照实际的比例绘制；
11-柔性衬底；12-第一发电膜层；121-第一背接触层；122-第一吸收层；123-第一缓冲层；124-第一窗口层；13-第二发电膜层；131-第二背接触层；132-第二吸收层；133-第二缓冲层；134-第二窗口层；14-第一封装膜层；15-柔性前板；16-第二封装膜层；17-柔性背板。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本公开的实施方式，借此对本公开如何应用技术手段来解决技术问题，并达到相应技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。本公开实施例以及实施例中的各个特征，在不相冲突前提下可以相互结合，所形成的技术方案均在本公开的保护范围之内。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
应理解，尽管可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本公开教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
应理解，空间关系术语例如“在...上方”、位于...上方”、“在...下方”、“位于...下方”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下方”的元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下方”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本公开的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
这里参考作为本公开的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述本公开的实施例。这样，可以预期由于例如制备技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此，本公开的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制备导致的形状偏差。
为了彻底理解本公开，将在下列的描述中提出详细的结构以及步骤，以便阐释本公开提出的技术方案。本公开的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本公开还可以具有其他实施方式。
实施例一
如图1所示，本公开实施例提供一种柔性双面太阳能电池组件，包括柔性衬底11、第一发电膜层12、第二发电膜层13、第一封装膜层14、柔性前板15、第二封装膜层16、柔性背板17。
柔性衬底11包括聚酰亚胺、不锈钢箔和厚度小于第一预设厚度阈值的玻璃(即超薄玻璃)中的至少一种。
该柔性衬底11可长时间耐受300度高温，且无形变和脆裂现象。
第一发电膜层12的总厚度不超过15μm。
如图2所示，第一发电膜层12包括从柔性衬底11往上依次层叠设置的第一背接触层121、第一吸收层122、第一缓冲层123和第一窗口层124。
第一背接触层121位于柔性衬底11上方，其材料包括钼。
第一吸收层122位于第一背接触层121上方，其材料包括铜铟镓硒，其导电类型为P型。
第一缓冲层123位于第一吸收层122上方，第一缓冲层123包括位于第一吸收层122上方的n型硫化镉缓冲层和位于硫化镉缓冲层上方的本征氧化锌缓冲层。
第一窗口层124位于第一缓冲层123上方，其材料包括掺铝氧化锌(AZO)。
第二发电膜层13的总厚度不超过15μm。
第二发电膜层13包括从柔性衬底11往下依次层叠设置的第二背接触层131、第二吸收层132、第二缓冲层133和第二窗口层134。
第二背接触层131位于柔性衬底11下方，其材料包括钼。
第二吸收层132位于第二背接触层131下方，其材料包括铜铟镓硒，其导电类型为P型。
第二缓冲层133位于第二吸收层132下方，第二缓冲层133包括位于第二吸收层132下方的n型硫化镉缓冲层和位于硫化镉缓冲层下方的本征氧化锌缓冲层。
第二窗口层134位于第二缓冲层133下方，其材料包括掺铝氧化锌(AZO)。
第一封装膜层14和第二封装膜层16为封装胶膜，其材料包括聚乙烯-聚醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-辛烯共聚物(POE)、EVB、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)等材料中的至少一种。第一封装膜层14和第二封装膜层16的厚度可以为0.38mm、0.76mm、1.14mm、1.52mm等，根据实际需求进行设定。
柔性前板15和柔性背板17均透明。
柔性前板15和柔性背板17包括柔性有机层和厚度小于第二预设厚度阈值的玻璃(即超薄玻璃)中的至少一种。柔性有机层包括亚克力等其他一切透明、柔性且耐候的材料。柔性前板15和柔性背板17使用超薄玻璃时，可使用化学钢化的方法进行处理以增加其抗冲击强度，其种类可以为硼硅玻璃、钠钙玻璃或高铝玻璃等。
如图3所示，本公开实施例提供的柔性双面太阳能电池组件可实现弯曲。
本公开提供一种柔性双面太阳能电池组件，该柔性双面太阳能电池组件包括柔性衬底11；位于柔性衬底11上方的第一发电膜层12；位于柔性衬底11下方的第二发电膜层13；位于第一发电膜层12上方的第一封装膜层14；位于第一封装膜层14上方的柔性前板15；位于第二发电膜层13下方的第二封装膜层16；位于第二封装膜层16下方的柔性背板17。该柔性双面太阳能电池组件不仅充分发挥了薄膜电池柔性的特点，而且实现了双面发电，大大增加了发电效率，提升了薄膜太阳能电池的整体竞争力。
实施例二
在实施例一的基础上，本实施例提供一种柔性双面太阳能电池组件的制备方法。图4是本公开实施例示出的一种柔性双面太阳能电池组件的制备方法流程示意图。
如图4所示，本实施例的柔性双面太阳能电池组件的制备方法，包括如下步骤：
步骤S101：如图5所示，提供柔性衬底1121。
柔性衬底11包括聚酰亚胺、不锈钢箔和厚度小于第一预设厚度阈值的玻璃(即超薄玻璃)中的至少一种。
该柔性衬底11可长时间耐受300度高温，且无形变和脆裂现象。
步骤S102：如图6所示，在柔性衬底11上方形成第一发电膜层12。
第一发电膜层12的总厚度不超过15μm。
第一发电膜层12包括从柔性衬底11往上依次层叠设置的第一背接触层121、第一吸收层122、第一缓冲层123和第一窗口层124；
步骤S102包括以下步骤：
S102a：在柔性衬底11上方形成第一背接触层121；
S102b：在第一背接触层121上方形成第一吸收层122；
S102c：在第一吸收层122上方形成第一缓冲层123；
S102d：在第一缓冲层123上方形成第一窗口层124。
其中，第一背接触层121的材料包括钼。第一背接触层121可通过物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)工艺形成。
第一吸收层122的材料包括铜铟镓硒，其导电类型为P型。第一吸收层122可通过蒸发法或PVD工艺形成。
第一缓冲层123包括位于第一吸收层122上方的n型硫化镉缓冲层和位于硫化镉缓冲层上方的本征氧化锌缓冲层。硫化镉缓冲层可通过化学水浴沉积工艺形成，本征氧化锌缓冲层通过PVD工艺形成。
第一窗口层124的材料包括掺铝氧化锌(AZO)。第一窗口层124可通过PVD工艺形成。
步骤S103：如图7所示，在柔性衬底11下方形成第二发电膜层13。
第二发电膜层13包括从柔性衬底11往下依次层叠设置的第二背接触层131、第二吸收层132、第二缓冲层133和第二窗口层134；
步骤S103包括以下步骤：
S103a：在柔性衬底11下方形成第二背接触层131；
S103b：在第二背接触层131下方形成第二吸收层132；
S103c：在第二吸收层132下方形成第二缓冲层133；
S103d：在第二缓冲层133下方形成第二窗口层134。
其中，第二背接触层131的材料包括钼。第二背接触层131可通过物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)工艺形成。
第二吸收层132的材料包括铜铟镓硒，其导电类型为P型。第二吸收层132可通过蒸发法或PVD工艺形成。
第二缓冲层133包括位于第二吸收层132上方的n型硫化镉缓冲层和位于硫化镉缓冲层上方的本征氧化锌缓冲层。硫化镉缓冲层可通过化学水浴沉积工艺形成，本征氧化锌缓冲层通过PVD工艺形成。
第二窗口层134的材料包括掺铝氧化锌(AZO)。第二窗口层134可通过PVD工艺形成。
步骤S104：在第一发电膜层12上方设置第一封装膜层14。
步骤S105：在第二发电膜层13下方设置第二封装膜层16。
第一封装膜层14和第二封装膜层16为封装胶膜，其材料包括聚乙烯-聚醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-辛烯共聚物(POE)、EVB、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)等材料中的至少一种。第一封装膜层14和第二封装膜层16的厚度可以为0.38mm、0.76mm、1.14mm、1.52mm等，根据实际需求进行设定。
步骤S106：通过压合工艺将柔性前板15和柔性背板17分别固定于第一封装膜层14上方和第二封装膜层16下方。
步骤S106包括以下步骤：
S106a：将柔性前板15和柔性背板17分别设置于第一封装膜层14上方和第二封装膜层16下方，以形成层压件；
S106b：将层压件进行压合工艺，以将柔性前板15和柔性背板17分别固定于第一封装膜层14上方和第二封装膜层16下方。
也就是说，使用柔性前板15和柔性背板17对柔性衬底11已经完成镀膜的正反面使用封装胶膜进行封装，封装时将柔性背板17、第二封装膜层16、完成双面镀膜的柔性衬底11、第一封装膜层14、柔性前板15依次叠放好，形成层压件，再放入层压机进行压合。
柔性前板15和柔性背板17均透明。
柔性前板15和柔性背板17包括柔性有机层和厚度小于第二预设厚度阈值的玻璃(即超薄玻璃)中的至少一种。柔性有机层包括亚克力等其他一切透明、柔性且耐候的材料。柔性前板15和柔性背板17使用超薄玻璃时，可使用化学钢化的方法进行处理以增加其抗冲击强度，其种类可以为硼硅玻璃、钠钙玻璃或高铝玻璃等。
封装设备可以为层压机，也可以为辊压机和预热预压炉，需明确的是若第一封装膜层14和第二封装膜层16的材料为PVB，则层压件进行预压后，需再经过高压釜处理。
双面镀膜的柔性衬底11可以通过夹具夹持边部进行转运来避免破坏膜层。
压合工艺完成后，可进行边部修边处理不重要，使用美工刀等刀具，将边部溢出的胶进行清理。
本公开提供一种柔性双面太阳能电池组件的制备方法，该方法包括提供柔性衬底11；在柔性衬底11上方形成第一发电膜层12；在柔性衬底11下方形成第二发电膜层13；在第一发电膜层12上方形成第一封装膜层14；在第二发电膜层13下方形成第二封装膜层16；通过压合工艺将柔性前板15和柔性背板17分别固定于第一封装膜层14上方和第二封装膜层16下方。使得制备而成的柔性双面太阳能电池组件不仅充分发挥了薄膜电池柔性的特点，而且实现了双面发电，大大增加了发电效率，提升了薄膜太阳能电池的整体竞争力。
以上仅为本公开的优选实施例而已，并不用于限制本公开，对于本领域的技术人员来说，本公开可以有各种更改和变化。凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。虽然本公开所公开的实施方式如上，但的内容只是为了便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属技术领域内的技术人员，在不脱离本公开所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本公开的保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (11)

1.一种柔性双面太阳能电池组件，其特征在于，包括：
柔性衬底；
位于所述柔性衬底上方的第一发电膜层；
位于所述柔性衬底下方的第二发电膜层；
位于所述第一发电膜层上方的第一封装膜层；
位于所述第一封装膜层上方的柔性前板；
位于所述第二发电膜层下方的第二封装膜层；
位于所述第二封装膜层下方的柔性背板。
2.根据权利要求1所述的柔性双面太阳能电池组件，其特征在于，所述柔性衬底包括聚酰亚胺、不锈钢箔和厚度小于第一预设厚度阈值的玻璃中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的柔性双面太阳能电池组件，其特征在于，所述第一发电膜层包括从所述柔性衬底往上依次层叠设置的第一背接触层、第一吸收层、第一缓冲层和第一窗口层。
4.根据权利要求1所述的柔性双面太阳能电池组件，其特征在于，所述第二发电膜层包括从所述柔性衬底往下依次层叠设置的第二背接触层、第二吸收层、第二缓冲层和第二窗口层。
5.根据权利要求3所述的柔性双面太阳能电池组件，其特征在于，所述第一吸收层的材料包括铜铟镓硒。
6.根据权利要求4所述的柔性双面太阳能电池组件，其特征在于，所述第二吸收层的材料包括铜铟镓硒。
7.根据权利要求1所述的柔性双面太阳能电池组件，其特征在于，所述柔性前板和所述柔性背板包括柔性有机层和厚度小于第二预设厚度阈值的玻璃中的至少一种。
8.一种柔性双面太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，包括：
提供柔性衬底；
在所述柔性衬底上方形成第一发电膜层；
在所述柔性衬底下方形成第二发电膜层；
在所述第一发电膜层上方设置第一封装膜层；
在所述第二发电膜层下方设置第二封装膜层；
通过压合工艺将柔性前板和柔性背板分别固定于所述第一封装膜层上方和所述第二封装膜层下方。
9.根据权利要求8所述的柔性双面太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述第一发电膜层包括从所述柔性衬底往上依次层叠设置的第一背接触层、第一吸收层、第一缓冲层和第一窗口层；
在所述柔性衬底上方形成第一发电膜层，包括以下步骤：
在所述柔性衬底上方形成第一背接触层；
在所述第一背接触层上方形成第一吸收层；
在所述第一吸收层上方形成第一缓冲层；
在所述第一缓冲层上方形成第一窗口层。
10.根据权利要求8所述的柔性双面太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述第二发电膜层包括从所述柔性衬底往下依次层叠设置的第二背接触层、第二吸收层、第二缓冲层和第二窗口层；
在所述柔性衬底下方形成第二发电膜层，包括以下步骤：
在所述柔性衬底下方形成第二背接触层；
在所述第二背接触层下方形成第二吸收层；
在所述第二吸收层下方形成第二缓冲层；
在所述第二缓冲层下方形成第二窗口层。
11.根据权利要求8所述的柔性双面太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，通过压合工艺将柔性前板和柔性背板分别固定于所述第一封装膜层上方和所述第二封装膜层下方，包括以下步骤：
将柔性前板和柔性背板分别设置于所述第一封装膜层上方和所述第二封装膜层下方，以形成层压件；
将所述层压件进行压合工艺，以将所述柔性前板和所述柔性背板分别固定于所述第一封装膜层上方和所述第二封装膜层下方。
CN202110458583.2A 2021-04-27 2021-04-27 柔性双面太阳能电池组件及其制备方法 Pending CN113410323A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110458583.2A CN113410323A (zh) 2021-04-27 2021-04-27 柔性双面太阳能电池组件及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110458583.2A CN113410323A (zh) 2021-04-27 2021-04-27 柔性双面太阳能电池组件及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113410323A true CN113410323A (zh) 2021-09-17

Family

ID=77677955

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110458583.2A Pending CN113410323A (zh) 2021-04-27 2021-04-27 柔性双面太阳能电池组件及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113410323A (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090223554A1 (en) * 2008-03-05 2009-09-10 Emcore Corporation Dual Sided Photovoltaic Package
CN101752453A (zh) * 2008-12-04 2010-06-23 上海空间电源研究所 玻璃衬底双面铜铟镓硒薄膜太阳电池组件的制备方法
CN104600146A (zh) * 2014-12-23 2015-05-06 江西科技学院 一种双面薄膜太阳能电池
CN206194762U (zh) * 2016-11-03 2017-05-24 新奥光伏能源有限公司 一种光伏组件
KR101866298B1 (ko) * 2016-12-30 2018-07-05 (재)한국나노기술원 양면 수광형 태양전지의 제조방법 및 그에 의한 양면 수광형 태양전지
CN210723052U (zh) * 2019-09-09 2020-06-09 南京朗伯尼特新能源有限公司 一种双面双系统薄膜光伏组件
CN111391420A (zh) * 2018-12-28 2020-07-10 汉能移动能源控股集团有限公司 薄膜太阳能组件的层压方法及薄膜太阳能组件
CN112038439A (zh) * 2020-09-11 2020-12-04 福州大学 一种CZTSSe柔性双面太阳电池及其制备方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090223554A1 (en) * 2008-03-05 2009-09-10 Emcore Corporation Dual Sided Photovoltaic Package
CN101752453A (zh) * 2008-12-04 2010-06-23 上海空间电源研究所 玻璃衬底双面铜铟镓硒薄膜太阳电池组件的制备方法
CN104600146A (zh) * 2014-12-23 2015-05-06 江西科技学院 一种双面薄膜太阳能电池
CN206194762U (zh) * 2016-11-03 2017-05-24 新奥光伏能源有限公司 一种光伏组件
KR101866298B1 (ko) * 2016-12-30 2018-07-05 (재)한국나노기술원 양면 수광형 태양전지의 제조방법 및 그에 의한 양면 수광형 태양전지
CN111391420A (zh) * 2018-12-28 2020-07-10 汉能移动能源控股集团有限公司 薄膜太阳能组件的层压方法及薄膜太阳能组件
CN210723052U (zh) * 2019-09-09 2020-06-09 南京朗伯尼特新能源有限公司 一种双面双系统薄膜光伏组件
CN112038439A (zh) * 2020-09-11 2020-12-04 福州大学 一种CZTSSe柔性双面太阳电池及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2996160A1 (en) Thin-film solar cell panel and manufacturing method therefor
JP2915327B2 (ja) 太陽電池モジュール及びその製造方法
US5651837A (en) Solar cell module and manufacturing method thereof
CN102460722B (zh) 光电转换装置及其制造方法
CN102460721B (zh) 光电转换装置及其制造方法
CN103296114B (zh) 太阳能汽车天窗及其制作方法
JPH08139347A (ja) 太陽電池モジュール及びその製造方法
US20110030775A1 (en) Solar cell module and method of manufacturing the same
JPH06318728A (ja) 太陽電池モジュール
CN101752453A (zh) 玻璃衬底双面铜铟镓硒薄膜太阳电池组件的制备方法
CN113178501A (zh) 一种柔性光伏组件及其制备方法
CN111244229B (zh) 一种可挠曲的透明薄膜太阳能电池制作方法
CN108417651A (zh) 薄膜太阳能电池、制作方法及隔热太阳能夹胶玻璃
CN112786723B (zh) 柔性薄膜太阳能电池组件及其制备方法
US9362435B2 (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
JPH09116182A (ja) 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法
US20130306132A1 (en) Solar photoelectrical module and fabrication thereof
CN113410323A (zh) 柔性双面太阳能电池组件及其制备方法
CN101714583B (zh) 一种柔性薄膜太阳能电池及其制备方法
CN108417653A (zh) 一种太阳能汽车天窗产品及制作方法
CN206098421U (zh) 一种异质结太阳能电池及其模组
US20170222077A1 (en) Thin film solar cell panel and manufacturing method thereof
CN212161828U (zh) 一种光伏组件
CN201051505Y (zh) 一种混合型太阳能电池
CN113690339A (zh) 一种太阳能电池组件的制作方法和系统

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination