CN113395122B - 产测电路板、射频参数校准系统、方法和计算机设备 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种产测电路板、射频参数校准系统、方法和计算机设备，该产测电路板上集成有：SMA接口、程控衰减芯片和处理芯片；其中，SMA接口用于连接待测模组，并将待测模组发射的射频信号发射至程控衰减芯片；程控衰减芯片用于接收待测模组发射的射频信号，根据射频信号的射频参数和金板射频参数的差值调整衰减值，以对接收到的射频信号进行衰减处理，并通过射频线将衰减处理后的射频信号发射至处理芯片；处理芯片用于接收程控衰减芯片发射的射频信号，分析射频信号是否符合预设参数范围，并将分析结果发送至上位机，以使上位机根据分析结果调整待测模组的射频参数，直至待测模组的射频参数符合预设参数范围。通过产测电路板取代原有的综测仪，解决了联网模组产测成本较高的问题。
Description
技术领域
本申请涉及测试技术领域，特别是涉及一种产测电路板、射频参数校准系统、方法和计算机设备。
背景技术
目前WiFi产品普遍已植入智能电视、手机、平板电脑以及一体机等电子设备，加之无线网络的全面覆盖，使得随时随地使用WiFi上网已成为人们生活中必不可少的部分，给人们的生活带来了极大的便利。但是在WiFi产品的生产制造过程中，都需要对WiFi芯片进行校准和测试。随着物联网行业发展越来越快，市场的需求量也越来越大。物联网最常用的就是WiFi协议的模组，大量模组校准需要大量的综测仪才可以实现产线产能的需求，这样就会有极高的仪器购买资金以及产线空间需求。
目前针对相关技术中测试仪器成本较高的问题，尚未提出有效的解决方案。
发明内容
本申请实施例提供了一种产测电路板、射频参数校准系统、方法和计算机设备，以至少解决相关技术中联网模组产测成本较高的问题。
第一方面，本申请实施例提供了一种产测电路板，所述产测电路板上集成有：SMA接口、程控衰减芯片和处理芯片；其中，
所述SMA接口与所述程控衰减芯片连接，用于连接待测模组，并将所述待测模组发射的射频信号发射至所述程控衰减芯片；
所述程控衰减芯片通过射频线与所述处理芯片连接，用于接收所述待测模组发射的射频信号，根据所述射频信号的射频参数和金板射频参数的差值调整衰减值，以对接收到的所述射频信号进行衰减处理，并通过所述射频线将衰减处理后的所述射频信号发射至所述处理芯片；
所述处理芯片分别与所述程控衰减芯片和所述上位机连接，用于接收所述程控衰减芯片发射的射频信号，分析所述射频信号是否符合预设参数范围，并将分析结果发送至上位机，以使上位机根据所述分析结果调整所述待测模组的射频参数，直至所述待测模组的射频参数符合预设参数范围。
在其中一些实施例中，所述处理芯片还用于存储所述产测电路板的射频参数，所述产测电路板的射频参数包括产测电路板的标识信息和对应的衰减值。
在其中一些实施例中，所述产测电路板还包括：CPU和IIC芯片；其中，所述CPU通过串口与所述上位机连接，用于向所述上位机传输所述产测电路板的射频参数；所述CPU与所述IIC芯片与连接，用于将所述产测电路板的射频参数保存在所述IIC芯片中。
第二方面，本申请实施例提供了一种射频参数校准系统，所述系统包括：
待测模组，用于发射射频信号；
产测电路板，所述产测电路板通过射频线缆与所述待测模组连接，用于接收所述待测模组发射的射频信号，并对所述射频信号进行射频分析，得到所述射频信号是否符合预设参数范围的分析结果；
所述产测电路板上集成有：SMA接口、程控衰减芯片和处理芯片；其中，所述SMA接口与所述程控衰减芯片连接，用于连接待测模组，并将所述待测模组发射的射频信号发射至所述程控衰减芯片；所述程控衰减芯片通过射频线与所述处理芯片连接，用于接收所述待测模组发射的射频信号，根据所述射频信号的射频参数和金板射频参数的差值调整衰减值，以对接收到的所述射频信号进行衰减处理，并通过所述射频线将衰减处理后的所述射频信号发射至所述处理芯片；所述处理芯片分别与所述程控衰减芯片和所述上位机连接，用于接收所述程控衰减芯片发射的射频信号，分析所述射频信号是否符合预设参数范围，并将分析结果发送至上位机，以使上位机根据所述分析结果调整所述待测模组的射频参数，直至所述待测模组的射频参数符合预设参数范围；
上位机，包括第一串口和第二串口，所述第一串口与所述待测模组连接，用于控制所述待测模组发射射频信号；所述第二串口与所述产测电路板连接，用于接收所述产测电路板发送的分析结果，并根据所述分析结果调整所述待测模组的射频参数；
所述上位机还用于在所述待测模组发射的射频信号符合预设参数范围时，将所述待测模组的射频参数写入所述待测模组的寄存器中。
在其中一些实施例中，所述待测模组的射频参数包括但不限于：待测模组的发射功率、频偏和误差向量幅度。
第三方面，本申请实施例提供了一种物联网模组射频参数校准方法，包括：
上位机通过第一串口下发第一控制指令，指示待测模组在设定WiFi模式、信道、功率大小进行发射WiFi射频信号；
上位机通过第二串口下发第二控制指令，指示产测电路板在对应相同模式、相同信道下接收所述WiFi射频信号；
产测电路板根据射频链路的损耗值计算出所述WiFi射频信号的射频参数，并计算当前射频参数与产测目标值的差值，将计算结果发送至所述上位机；其中，所述SMA接口与所述程控衰减芯片连接，用于连接待测模组，并将所述待测模组发射的射频信号发射至所述程控衰减芯片；所述程控衰减芯片通过射频线与所述处理芯片连接，用于接收所述待测模组发射的射频信号，根据所述射频信号的射频参数和金板射频参数的差值调整衰减值，以对接收到的所述射频信号进行衰减处理，并通过所述射频线将衰减处理后的所述射频信号发射至所述处理芯片；所述处理芯片分别与所述程控衰减芯片和所述上位机连接，用于接收所述程控衰减芯片发射的射频信号，分析所述射频信号是否符合预设参数范围，并将分析结果发送至上位机，以使上位机根据所述分析结果调整所述待测模组的发射功率，直至所述待测模组的射频参数符合预设参数范围；
上位机根据所述差值调整所述待测模组的射频参数，直至所述待测模组达到所述产测目标值，并把所述产测目标值的寄存器值写入到所述待测模组的值空间。
在其中一些实施例中，所述方法还包括：
在已经校准过的产测电路板上读取多个射频模式下每个信道的功率值和实际值的差值，将所述差值作为误差值；
根据所述误差值，通过调整程控衰减芯片的衰减值进行误差补偿，得到所述产测板的校准参数；
上位机获取所述产测电路板的校准参数，并根据所述校准参数调整所述待测模组的射频参数。
在其中一些实施例中，所述方法还包括：将所述产测电路板的校准参数写入WiFiSOC芯片中；上位机通过第二串口获取产测电路板的射频参数，并根据所述校准参数调整所述待测模组的射频参数。
第四方面，本申请实施例提供了一种计算机设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上述第三方面所述的物联网模组射频参数校准方法。
第五方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现如上述第三方面所述的物联网模组射频参数校准方法。
相比于相关技术，本申请实施例提供的产测电路板、射频参数校准系统和校准方法，通过产测电路板对物联网模组进行产测，所述产测电路板上集成有：SMA接口、程控衰减芯片和处理芯片；其中，所述SMA接口与所述程控衰减芯片连接，用于连接待测模组，并将所述待测模组发射的射频信号发射至所述程控衰减芯片；所述程控衰减芯片通过射频线与所述处理芯片连接，用于接收所述待测模组发射的射频信号，根据所述射频信号的射频参数和金板射频参数的差值调整衰减值，以对接收到的所述射频信号进行衰减处理，并通过所述射频线将衰减处理后的所述射频信号发射至所述处理芯片；所述处理芯片分别与所述程控衰减芯片和所述上位机连接，用于接收所述程控衰减芯片发射的射频信号，分析所述射频信号是否符合预设参数范围，并将分析结果发送至上位机，以使上位机根据所述分析结果调整所述待测模组的射频参数，直至所述待测模组的射频参数符合预设参数范围，可以通过低成本的产测电路板代替价格昂贵的综测仪对物联网模组进行产测，且可以保证产测的准确度，解决了相关技术中联网模组产测成本较高的问题。
本申请的一个或多个实施例的细节在以下附图和描述中提出，以使本申请的其他特征、目的和优点更加简明易懂。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1是本申请实施例提供的产测电路板的结构示意图；
图2是本申请另一实施例提供的产测电路板的结构示意图；
图3是本申请实施例提供的射频参数校准系统的架构图；
图4是本申请实施例提供的射频参数校准方法的流程图；
图5是本申请具体实施例提供的射频参数校准方法的流程图；
图6是本申请提供的射频参数校准方法软件实现方案以及形式的示意图；
图7是本申请实施例提供的计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行描述和说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。基于本申请提供的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域普通技术人员显式地和隐式地理解的是，本申请所描述的实施例在不冲突的情况下，可以与其它实施例相结合。
除非另作定义，本申请所涉及的技术术语或者科学术语应当为本申请所属技术领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请所涉及的“一”、“一个”、“一种”、“该”等类似词语并不表示数量限制，可表示单数或复数。本申请所涉及的术语“包括”、“包含”、“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含；例如包含了一系列步骤或模块(单元)的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可以还包括没有列出的步骤或单元，或可以还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。本本申请所涉及的“多个”是指两个或两个以上。本申请所涉及的术语“第一”、“第二”、“第三”等仅仅是区别类似的对象，不代表针对对象的特定排序。
本实施例提供了一种产测电路板，如图1和图2所示，所述产测电路板上集成有：SMA接口、程控衰减芯片和处理芯片；其中，
所述SMA接口与所述程控衰减芯片连接，用于连接待测模组，并将所述待测模组发射的射频信号发射至所述程控衰减芯片；
所述程控衰减芯片通过射频线与所述处理芯片连接，用于接收所述待测模组发射的射频信号，根据所述射频信号的射频参数和金板射频参数的差值调整衰减值，以对接收到的所述射频信号进行衰减处理，并通过射频线将衰减处理后的所述射频信号发射至处理芯片；
所述处理芯片分别与所述程控衰减芯片和上位机连接，用于接收程控衰减芯片发射的射频信号，分析射频信号是否符合预设参数范围，并将分析结果发送至上位机，以使上位机根据分析结果调整所述待测模组的射频参数，直至所述待测模组的射频参数符合预设参数范围。
本申请中的待测模组包括物联网模组，物联网模组可以包括WiFi模组、zigbee模组、BLE模组等。本申请均以WiFi模组为例进行说明，但并不对物联网模组的类型造成限制。本申请中待测模组也称为被测器件DUT。
SMA接口的名称全称是SubMiniature version A，SMA接口有两种形式，标准的SMA是一端“外螺纹+孔”，另一端“内螺纹+针”；反极性RP-SMA是一端“外螺纹+针”，另一端为“内螺纹+孔”，SMA接口对接的是SMA插头，用于连接物联网模组。
程控衰减芯片其本质可以理解为用以引入一预定衰减的电路。例如衰减芯片的信号输入端的功率为P1，而输出端的功率为P2，则衰减芯片的功率衰减量为A(dB)。若P1、P2以分贝毫瓦(dBm)表示，则两端功率间的关系为：P2(dBm)＝P1(dBm)-A(dB)。可以看出，衰减量可以描述功率通过衰减芯片后功率的变小程度。衰减量的大小由构成衰减器的材料和结构确定，衰减量用分贝作单位，便于整机指标计算。本申请采用的程控衰减芯片可以理解为：其增益即衰减量可控制，且可以通过软件程序控制，以便满足不同的产测需求。具体地，上位机控制待测模组发射WiFi射频信号给到产测电路板，先通过程控衰减芯片调整合适的衰减值再到处理芯片。例如模组发射WiFi信号的强度在10dBm，经过目标设定的衰减值30dB，到处理芯片的理论值应该在-20dBm。但往往处理芯片的一致性和仪器存在误差，此误差值可通过程控衰减芯片来微调，使的信道达到-20dBm的目标值。由于产测电路板上集成了程控衰减芯片，因此该产测电路板的校准精度也更高。通过程控衰减芯片对每个产测电路板的参数进行校准，弥补和综测仪的误差值，从而提高产测校准精度，在校准性能上有一定提升。
处理芯片接收程控衰减芯片发射的射频信号，并根据链路的损耗值和实际读出值计算出待测模组发射出来的信号功率、频偏和/或EVM等指标，将计算出的指标值发送至上位机，上位机根据当前待测模组的发射值和目标值的差值不停的调整待测模组的输出以达到产测目标值。待测模组的发射值和目标值的差值可以是在预设参数范围，以提高校准效率。预设参数范围用户可以根据需求自行设置。
本申请中，处理芯片可以为WiFi SOC芯片，也可以是其他类型的芯片。
上述产测电路板可以实现WiFi模组产线校准的以下需求：
a.WiFi模组802.11B模式下信道1～14的功率校准。
b.WiFi模组802.11G模式下信道1～14的功率校准以及频偏校准。
c.WiFi模组802.11N-HT20模式下信道1～14的功率校准。
d.WiFi模组当前温度值校准。
e.802.11B/G/N模式目标功率要求下的频偏和EVM指标验证。
f.WiFi芯片802.11B/G/M模式下各信道的目标值写入。
本申请中通过处理芯片实现基础的射频信号分析功能，程控衰减芯片来实现精度的校准，来弥补与综测仪的产测误差，从而在对WiFi_模组进行产测时不需要购买大量的综测仪实现产线产能的需求，降低了产测成本。另外，由于综测仪的体积较大，需要产线提供足够大的空间放置大量的综测仪，而本提案中通过产测电路板实现了替代综测仪的功能，还可以减小测试仪器的存储空间。
所述处理芯片还用于存储所述产测电路板的射频参数，所述产测电路板的射频参数包括产测电路板的标识信息和对应的衰减值。等到工厂产测用产测电路板来产测模组的时候上位机就可以通过处理芯片里面的信息来了解此产测底板的信息，来实现高精度的模组校准。
本申请还提供了一种射频参数校准系统，如图3所示，所述系统包括：
待测模组，用于发射射频信号；
产测电路板，所述产测电路板通过射频线缆与所述待测模组连接，用于接收所述待测模组发射的射频信号，并对所述射频信号进行射频分析，得到所述射频信号是否符合预设参数范围的分析结果；
产测电路板上集成有：SMA接口、程控衰减芯片和处理芯片；其中，所述SMA接口与所述程控衰减芯片连接，用于连接待测模组，并将所述待测模组发射的射频信号发射至所述程控衰减芯片；所述程控衰减芯片通过射频线与所述处理芯片连接，用于接收所述待测模组发射的射频信号，根据所述射频信号的射频参数和金板射频参数的差值调整衰减值，以对接收到的所述射频信号进行衰减处理，并通过所述射频线将衰减处理后的所述射频信号发射至所述处理芯片；所述处理芯片分别与所述程控衰减芯片和所述上位机连接，用于接收所述程控衰减芯片发射的射频信号，分析所述射频信号是否符合预设参数范围，并将分析结果发送至上位机；
上位机，包括第一串口和第二串口，所述第一串口与所述待测模组连接，用于控制待测模组发射射频信号；所述第二串口与所述产测电路板连接，用于接收所述产测电路板发送的分析结果，并根据分析结果调整待测模组的射频参数；
所述上位机还用于在所述待测模组发射的射频信号符合预设参数范围时，将所述待测模组的射频参数写入所述待测模组的寄存器中。
射频参数校准系统利用上位机通过不同的串口分别控制待测模组和产测电路板来实现射频数据的发送和检测。一方面，上位机通过第一串口下发指令来控制待测模组在设定WiFi的模式，信道，速率，功率，信道带宽等参数后发射WiFi射频信号；另一方面上位机通过第二串口下发指令控制该方案产测电路板在对应相同模式、相同信道下接收DUT发出来的WiFi射频信号。产测电路板会根据链路的损耗值和实际读出值计算出待测模组发射出来的信号功率、频偏和EVM等指标。上位机会根据当前待测模组的发射值和目标值的差值不停的调整待测模组的输出以达到产测目标值，并把该目标值的寄存器值写入到待测模组的Efuse值空间去。
分析结果可以是当前待测模组的发射值和目标值的差值，产测电路板将差值上传至上位机；也可以是当前待测模组的发射值，产测电路板将发射值上传至上位机，由上位机计算前待测模组的发射值和目标值的差值。
上述射频参数校准系统，通过上位机、待测模组和产测电路板之间的配合，实现对待测模组射频参数的校准，有效降低了产测成本。
在其中一些实施例中，所述待测模组的射频参数包括但不限于：待测模组的发射功率、频偏和误差向量幅度(EVM)。
本实施例还提供了一种射频参数校准方法。如图4所示，该方法包括如下步骤：
步骤410，上位机通过第一串口下发第一控制指令，指示待测模组在设定WiFi模式、信道和功率下进行发射WiFi射频信号；
步骤420，上位机通过第二串口下发第二控制指令，指示产测电路板在对应相同模式、相同信道下接收WiFi射频信号；
步骤430，产测电路板根据射频链路的损耗值计算出所述WiFi射频信号的射频参数，并分析所述射频参数是否符合预设参数范围，将分析结果发送至所述上位机；所述产测电路板上集成有：SMA接口、程控衰减芯片和处理芯片；其中，SMA接口与所述程控衰减芯片连接，用于连接待测模组，并将所述待测模组发射的射频信号发射至所述程控衰减芯片；所述程控衰减芯片通过射频线与所述处理芯片连接，用于接收所述待测模组发射的射频信号，根据所述射频信号调整所述衰减值以对接收到的所述射频信号进行衰减处理，并通过所述射频线将衰减处理后的所述射频信号发射至所述处理芯片；所述处理芯片分别与所述程控衰减芯片和所述上位机连接，用于接收所述程控衰减芯片发射的射频信号，分析所述射频信号是否符合预设参数范围，并将分析结果发送至上位机；
步骤440，上位机根据所述分析结果调整所述待测模组的射频参数，直至所述待测模组达到所述产测目标值，并把所述产测目标值的寄存器值写入到所述待测模组的值空间。
通过上述步骤，可以实现对WiFi模组产线校准的需求。
在其中一些实施例中，所述方法还包括对产测电路板进行高精度的校准功能，具体包括：
参考图2，在校准过的产测电路板(DUT金板)上读取多个射频模式下每个信道的功率值和实际值的差值，将所述差值作为误差值；
根据所述误差值，通过调整程控衰减芯片的衰减值进行误差补偿，得到所述产测板的校准参数；
上位机获取所述产测电路板的校准参数，并根据所述校准参数调整所述待测模组的射频参数。
为了提高校准的精度，该方案通过产测板上读出DUT金板在各个模式下每个信道的功率值和实际值的差值，将该差值作为误差值，并通过控制芯片CPU对程控衰减片进行误差补偿，将产测电路板的校准参数写入WiFi SOC芯片中，或IIC芯片中。可以实现对每个产测板的参数校准，这样产测板的精度就会提高到综测仪器的水平，弥补了性能与综测仪的误差。
DUT金板是通过综测仪校准过的模组，该模组在每个模式下不同信道的功率值以及其他射频参数都是知道的，此时通过该产测电路板读取DUT金板每个模式下每个信道的射频值，此时会存在误差，该误差就通过程控衰减芯片来人为补偿。程控衰减芯片可以是通过CPU(STM32)的GPIO来控制，此时产测电路板的误差值对应的GPIO控制信息会以特殊的十进制数值保存到IIC芯片里面，即使掉电，此产测电路板的身份信息也是时刻保存的。等到工厂产测用产测电路板来产测模组的时候上位机就可以通过读取IIC芯片里面的信息来了解此产测底板的信息，来实现高精度的模组校准。
使用此产测电路板进行产线校准时，上位机可通过串口获取产测板的射频参数，然后再导入到校准流程中，最终完成模组的射频性能校准以及校准参数值写入efuse保存的产测流程。
整个校准方案的硬件的实现方法，低成本且高精度。此方案的成本仅在几百块钱以内，且可以实现一般IOT模组产线校准需求的几个参数，比如功率，频偏，EVM，相比几十万的综测仪来说成本是极少的。
该射频校准方法还具有产线环境校准功能。由于产线环境各异就需要可定量评估环境的射频损耗指标，方案通过金板在已经校准过的产测板上的读出每个信道的功率值和实际值的功率值的差值来计算出差值，此差值就是产线环境造成的LOSS，以此差值实现测试架对产测模组环境的定量评估。
参考图5，该产测方案可以是对802.11G模式下channel1 54Mbps的频偏校准；802.11B和802.11N-HT20模式下信道1,7,13速率分别是11Mbps和MCS7的功率校准，最后通过校验各个信道WiFi信号的EVM，频偏等指标来把对应的功率index值来填入模组的Efuse寄存器中。
为了更好地说明本申请提供的产测电路板的产测精度，申请人做了对比试验。分别采用综测仪和本申请提供的产测电路板对同一待测模组进行测试，分别测试功率、频偏和EVM，下表是产测电路板和ITEST综测仪的误差差值比较。
由上述表格可以看出，实测数据和综测仪的误差很小，比如功率值仅在1dB以内，频偏误差在2PPM以内，完全可以替代高昂的仪器设备达到产线模组校准的作用。另外此精度远超过目前有些厂家使用的dongle辐射测试验证的方案，实现了成本既低性能又好的效果。
另外，在软件实现上，参考图6。测试人员仅需要在上位机选择DUT串口和Dongle串口后实现对产测电路板和待测模组的控制。点击金机校线，实现对产测电路板的校准，完成产测电路板的校准后，点击启动，即可执行对待测模组的精确校准。
需要说明的是，在上述流程中或者附图的流程图中示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
另外，结合图1描述的本申请实施例射频参数校准方法可以由计算机设备来实现。图7为根据本申请实施例的计算机设备的硬件结构示意图。
计算机设备可以包括处理器71以及存储有计算机程序指令的存储器72。
具体地，上述处理器71可以包括中央处理器(CPU)，或者特定集成电路(Application Specific Integrated Circuit，简称为ASIC)，或者可以被配置成实施本申请实施例的一个或多个集成电路。
其中，存储器72可以包括用于数据或指令的大容量存储器。举例来说而非限制，存储器72可包括硬盘驱动器(Hard Disk Drive，简称为HDD)、软盘驱动器、固态驱动器(SolidState Drive，简称为SSD)、闪存、光盘、磁光盘、磁带或通用串行总线(Universal SerialBus，简称为USB)驱动器或者两个或更多个以上这些的组合。在合适的情况下，存储器72可包括可移除或不可移除(或固定)的介质。在合适的情况下，存储器72可在数据处理装置的内部或外部。在特定实施例中，存储器72是非易失性(Non-Volatile)存储器。在特定实施例中，存储器72包括只读存储器(Read-Only Memory，简称为ROM)和随机存取存储器(RandomAccess Memory，简称为RAM)。在合适的情况下，该ROM可以是掩模编程的ROM、可编程ROM(ProgrammableRead-Only Memory，简称为PROM)、可擦除PROM(Erasable ProgrammableRead-Only Memory，简称为EPROM)、电可擦除PROM(Electrically Erasable ProgrammableRead-Only Memory，简称为EEPROM)、电可改写ROM(Electrically Alterable Read-OnlyMemory，简称为EAROM)或闪存(FLASH)或者两个或更多个以上这些的组合。在合适的情况下，该RAM可以是静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory，简称为SRAM)或动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，简称为DRAM)，其中，DRAM可以是快速页模式动态随机存取存储器(Fast Page Mode Dynamic Random Access Memory，简称为FPMDRAM)、扩展数据输出动态随机存取存储器(Extended Date Out Dynamic RandomAccess Memory，简称为EDODRAM)、同步动态随机存取内存(Synchronous Dynamic Random-Access Memory，简称SDRAM)等。
存储器72可以用来存储或者缓存需要处理和/或通信使用的各种数据文件，以及处理器72所执行的可能的计算机程序指令。
处理器71通过读取并执行存储器72中存储的计算机程序指令，以实现上述实施例中的任意一种射频参数校准方法。
在其中一些实施例中，计算机设备还可包括通信接口73和总线70。其中，如图7所示，处理器71、存储器72、通信接口73通过总线70连接并完成相互间的通信。
通信接口73用于实现本申请实施例中各模块、装置、单元和/或设备之间的通信。通信接口73还可以实现与其他部件例如：外接设备、图像/数据采集设备、数据库、外部存储以及图像/数据处理工作站等之间进行数据通信。
总线70包括硬件、软件或两者，将计算机设备的部件彼此耦接在一起。总线70包括但不限于以下至少之一：数据总线(Data Bus)、地址总线(Address Bus)、控制总线(Control Bus)、扩展总线(Expansion Bus)、局部总线(Local Bus)。举例来说而非限制，总线70可包括图形加速接口(Accelerated Graphics Port，简称为AGP)或其他图形总线、增强工业标准架构(Extended Industry Standard Architecture，简称为EISA)总线、前端总线(Front Side Bus，简称为FSB)、超传输(Hyper Transport，简称为HT)互连、工业标准架构(Industry Standard Architecture，简称为ISA)总线、无线带宽(InfiniBand)互连、低引脚数(Low Pin Count，简称为LPC)总线、存储器总线、微信道架构(Micro ChannelArchitecture，简称为MCA)总线、外围组件互连(Peripheral Component Interconnect，简称为PCI)总线、PCI-Express(PCI-X)总线、串行高级技术附件(Serial AdvancedTechnology Attachment，简称为SATA)总线、视频电子标准协会局部(Video ElectronicsStandards Association Local Bus，简称为VLB)总线或其他合适的总线或者两个或更多个以上这些的组合。在合适的情况下，总线70可包括一个或多个总线。尽管本申请实施例描述和示出了特定的总线，但本申请考虑任何合适的总线或互连。
该计算机设备可以基于获取到的程序指令，执行本申请实施例中的射频参数校准方法，从而实现结合图4描述的射频参数校准方法。
另外，结合上述实施例中的射频参数校准方法，本申请实施例可提供一种计算机可读存储介质来实现。该计算机可读存储介质上存储有计算机程序指令；该计算机程序指令被处理器执行时实现上述实施例中的任意一种射频参数校准方法。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种产测电路板，其特征在于，所述产测电路板上集成有：SMA接口、程控衰减芯片和处理芯片；其中，
所述SMA接口与所述程控衰减芯片连接，用于连接待测模组，并将所述待测模组发射的射频信号发射至所述程控衰减芯片；
所述程控衰减芯片通过射频线与所述处理芯片连接，用于接收所述待测模组发射的射频信号，根据所述射频信号的射频参数与金板射频参数的差值调整衰减值，以对接收到的所述射频信号进行衰减处理，并通过所述射频线将衰减处理后的所述射频信号发射至所述处理芯片；
所述处理芯片分别与所述程控衰减芯片和上位机连接，用于接收所述程控衰减芯片发射的射频信号，并根据链路的损耗值和实际读出值计算出待测模组发射出来的信号功率、频偏和/或EVM指标，将计算出的指标值发送至上位机，上位机根据当前待测模组的发射值和目标值的差值调整所述待测模组的射频参数，直至所述待测模组的射频参数符合预设参数范围。
2.根据权利要求1所述的产测电路板，其特征在于，所述产测电路板还包括：CPU和IIC芯片；其中，所述CPU通过串口与所述上位机连接，用于向所述上位机传输所述产测电路板的射频参数；所述CPU与所述IIC芯片与连接，用于将所述产测电路板的射频参数保存在所述IIC芯片中。
3.根据权利要求1所述的产测电路板，其特征在于，所述处理芯片还用于存储所述产测电路板的射频参数，所述产测电路板的射频参数包括产测电路板的标识信息和对应的衰减值。
4.一种射频参数校准系统，其特征在于，所述系统包括：
待测模组，用于发射射频信号；
权利要求1-3任一项所述的产测电路板，所述产测电路板通过射频线缆与所述待测模组连接，用于接收所述待测模组发射的射频信号，并对所述射频信号进行射频分析，得到所述射频信号是否符合预设参数范围的产测分析结果；
上位机，包括第一串口和第二串口，所述第一串口与所述待测模组连接，用于控制所述待测模组发射射频信号；所述第二串口与所述产测电路板连接，用于接收所述产测电路板发送的产测分析结果，并根据所述产测分析结果调整所述待测模组的射频参数；
所述上位机还用于在所述待测模组发射的射频信号符合预设参数范围时，将所述待测模组的射频参数写入所述待测模组的寄存器中。
5.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，所述待测模组的射频参数包括但不限于：待测模组的发射功率、频偏和误差向量幅度。
6.一种射频参数校准方法，其特征在于，包括：
上位机通过第一串口下发第一控制指令，指示待测模组在设定WiFi模式、信道和功率下进行发射WiFi射频信号；
上位机通过第二串口下发第二控制指令，指示产测电路板在对应相同模式、相同信道下接收所述WiFi射频信号；
产测电路板根据射频链路的损耗值计算出所述WiFi射频信号的射频参数，并分析所述射频参数是否符合预设参数范围，将分析结果发送至所述上位机；所述产测电路板上集成有：SMA接口、程控衰减芯片和处理芯片；其中，所述SMA接口与所述程控衰减芯片连接，用于连接待测模组，并将所述待测模组发射的射频信号发射至所述程控衰减芯片；所述程控衰减芯片通过射频线与所述处理芯片连接，用于接收所述待测模组发射的射频信号，根据所述射频信号的射频参数和金板射频参数的差值调整衰减值，以对接收到的所述射频信号进行衰减处理，并通过所述射频线将衰减处理后的所述射频信号发射至所述处理芯片；所述处理芯片分别与所述程控衰减芯片和所述上位机连接，用于接收所述程控衰减芯片发射的射频信号，并根据链路的损耗值和实际读出值计算出待测模组发射出来的信号功率、频偏和/或EVM指标，将计算出的指标值发送至上位机，上位机根据当前待测模组的发射值和目标值的差值调整所述待测模组的射频参数，直至所述待测模组达到产测目标值，并把所述产测目标值的寄存器值写入到所述待测模组的值空间。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在校准过的产测电路板上读取多个射频模式下每个信道的功率值和实际值的差值，将所述差值作为误差值；
根据所述误差值，调整程控衰减芯片的衰减值进行误差补偿，得到所述产测板的校准参数；
上位机获取所述产测电路板的校准参数，并根据所述校准参数调整所述待测模组的射频参数。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
将所述产测电路板的校准参数写入WiFiSOC芯片中；
上位机通过第二串口获取产测电路板的射频参数，并根据所述校准参数调整所述待测模组的射频参数。
9.一种计算机设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求6至8中任一项所述的方法。
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现如权利要求6至8中任一项所述的方法。
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