CN113390555A - 压差感测基座 - Google Patents

压差感测基座 Download PDF

Info

Publication number
CN113390555A
CN113390555A CN202110423142.9A CN202110423142A CN113390555A CN 113390555 A CN113390555 A CN 113390555A CN 202110423142 A CN202110423142 A CN 202110423142A CN 113390555 A CN113390555 A CN 113390555A
Authority
CN
China
Prior art keywords
support structure
membrane
differential pressure
semiconductor
fluid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110423142.9A
Other languages
English (en)
Inventor
D.E.瓦格纳
J.H.霍夫曼
K.L.詹尼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Measurement Specialties Inc
Original Assignee
Measurement Specialties Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Measurement Specialties Inc filed Critical Measurement Specialties Inc
Publication of CN113390555A publication Critical patent/CN113390555A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L13/00—Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values
    • G01L13/02—Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values using elastically-deformable members or pistons as sensing elements
    • G01L13/025—Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values using elastically-deformable members or pistons as sensing elements using diaphragms
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0007—Fluidic connecting means
    • G01L19/0038—Fluidic connecting means being part of the housing
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
    • G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
    • G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
    • G01L9/0054—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements integral with a semiconducting diaphragm
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

一种压差传感器包括压力感测基座，压力感测基座包括半导体基座，半导体基座具有形成膜的减薄部分。膜包括压阻元件，其呈现基于施加在膜上的力的变化的阻抗。第一支撑结构连结到半导体基座的第一表面，具有孔，该孔限定为穿过该支撑结构使得膜的第一表面通过该孔而暴露。第二支撑结构连结到半导体基座的相反侧，并且具有与膜的相反侧对齐的孔。与压阻元件电连通的电气部件布置在由第一和第二支撑元件及半导体基座之间的连结部限定的区域之外。油填充的空间可被限定在半导体基座和恶劣的媒介之间，其将流体压力传递至基座，而恶劣的媒介没有接触基座。

Description

压差感测基座
本申请是中国发明专利申请(申请号：201580010811.2，申请日：2015 年2月27日，发明名称：压差感测基座)的分案申请。
技术领域
本申请涉及传感器。更特别地，本申请涉及用于检测流体和气体的压差 的传感器。
背景技术
压差传感器测量在两个隔离的流体或气体之间的压力的差值。当用于包 括导电的或腐蚀性的气体或流体的环境中时，该传感器必须与这些恶劣的 (harsh)媒介隔离开，以保护传感器本身，以及保护附接到传感器的电子或 电气部件。压差传感器相比于度量(gage)传感器或绝对值传感器来说更难 以从恶劣的媒介隔离开，因为有两个压力源被施加到传感器的相反侧上。因 此，传感器的两侧必须以某些方式隔离，否则电子-压力传感器装置可能被 损坏。
压差传感器(或换能器)将压差转换为电信号，该电信号可被测量以确 定压差值。压力感测装置典型地通过使用微加工或微机电系统(MEMS)类 型的方法而制造。该技术用于与蚀刻和连结技术一起使用以将商用的半导体 制造为非常小、廉价的装置，其能够将压差转换为电信号。用于这些装置中 的材料不能像一些其他已知的耐腐蚀金属(诸如不锈钢、钛、铜和黄铜，其 典型地用于腐蚀性流体和气体管道中)一样好地耐受腐蚀。因此，需要一种 隔离方法，以作用于腐蚀的屏障，但是其允许压力能够传递到压力感测装置， 而基本上没有减弱信号。
压力感测基座由半导体材料(诸如硅)形成。图1是现有技术的MEMS 类型的压力感测基座100的截面图。基座100由硅晶片形成，通过切割的方 式以形成硅结构101。结构101被减薄，以形成腔室105和限定膜103的减 薄部分。半导体结构101可以通过任何合适的方法而被减薄，例如，结构101 可以通过使用如现有技术已知的各向异性的蚀刻而被减薄。耐受元件形成在 膜103的表面上。耐受元件呈现出耐受性，该耐受性与位于形成膜103的减薄的半导体材料上的张力成比例。
图2是现有技术的MEMS压力传感器使用压力感测基座100而设计为 度量或绝对值压力测量装置的图示。压力感测装置100典型地安装至支撑结 构207，该支撑结构接着连结至基板201，基板由非腐蚀的材料形成，例如 不锈钢。感测基座100和支撑结构207可通过粘接剂205连结到基板201， 其也被称为头部。支撑结构207用于将压力感测装置100与和压力无关的张 力源(诸如在压力感测装置100和基板201之间变化的热膨胀)隔离开。开 口203限定在基板201中，其限定与压力感测装置100的膜的下侧流体连通 的孔。开口203允许环境压力与压力感测装置100的一侧接触，提供参考压 力。参考压力可用于测量在测试下的流体的压力，该流体在压力感测基座100 的相反侧上施加压力。压力感测基座100在开口203上方经由支撑结构207 而附接到基板201。支撑结构207可由玻璃或类似的材料形成，其热膨胀系 数相比于形成基板201的不锈钢的热膨胀系数来说，更接近硅压力感测基座 100的热膨胀系数。热膨胀系数的匹配避免了这样的力施加在基座100上， 该力与压力无关、而是由与基座100和基板201之间的膨胀率的差别而导致 的张力而引起。约束件207通过领域中已知的合适的粘接剂205而附接到基 板201。例如，粘接可通过硅树脂粘接剂、环氧树脂、焊料、钎焊或其他普 遍已知的技术而进行。
压力感测装置200包括上壳体223。上壳体223被配置为提供到基板201 的密封附接。封闭的空间限定在上壳体223与基板201之间。柔性波纹膜221 用于将封闭的空间分隔为第一空间219和第二空间227。端口225限定为通 过上壳体223的壁并且与第一空间219连通。端口225可联接到流体源，该 流体源将被测试其压力。压力感测基座100还包括形成并且发送指示施加在 基座100上的压力的电信号。在被测试的流体为恶劣的媒介(诸如燃料或油) 的应用中，这些媒介可能腐蚀基座100的电气部件。因此，必须注意将基座 100与将被测试的流体隔离开。隔离通柔性波纹膜221而实现。充油端口215 设置为通过基板201。充油端口允许基座100和膜221之间的空间被非腐蚀 流体(诸如硅油)填充。当限定空间219的腔室被充满时，充油端口215被 密封，例如，通过跨过充油端口215的开口的焊接球217。空间219中的油 从而被完全地封闭并且与基座100的上表面流体连通。
端口225可被加工有螺纹，以允许压力感测装置200被附接到与被测试 或测量的流体相互流体连通的管路或其他传输装置。被测量的流体进入端口 225并且填充内部空间227。当内部空间227被充满时，被测量的流体与柔 性膜221的上侧接触。由被测量的流体施加的压力通过柔性膜221传递到油 的封闭空间219。通过柔性膜221施加到油的力遍及油传递、并且传递到包 含油的表面，包括压力感测基座100的上表面。
当力施加到压力感测基座100时，形成在压力感测基座100的膜的上表 面中的通过压阻元件的电信号响应于压阻元件的变形而变化。该电信号代表 施加到压力感测基座100的表面的力。电信号经由连结电线209而导通至导 电引脚211，其可电连接到其他的系统电路(诸如控制电路)，或者可转换为 可被存储在电子存储装置(作为非限制性的示例)中的压力数据。
柔性膜221和充油空间219将基座100、连结电线209和导电引脚211 与将经由端口225而被测量的恶劣的媒介或腐蚀性的媒介隔离。此外，包含 油的空间219必须被密封，使得在空间219中的油的泄漏或污染不会发生。 承载来自于压力感测基座100的电信号的导电引脚必须穿过基板201以允许 其他系统部件的外部连接。导电引脚211被封闭在玻璃或陶瓷材料中，其被 烧结为与基板201形成隔绝密封的管或孔洞213。隔绝密封的形成是昂贵的 并且是易碎的，但是对于确保空间219的完整性来说则是必要的。因此，需 要一种压力传感器，其提供感测部件和相关联的电路与被测量的恶劣的媒介 之间的简单且廉价的隔离。
发明内容
在实施例中，用于测量两个流体之间压差的压差感测基座(die)包括具 有上表面和下表面的半导体基座。基座包括具有至少一个压阻元件的一体式 膜(integraldiaphragm)。至少一个压阻元件响应于膜的变形和/或张力呈现 变化的阻抗。第一支撑结构设置在半导体基座的上表面上。支撑结构是实心 本体，其具有限定通过第一支撑结构的孔。该孔被定位为与膜对齐，从而将 膜通过第一支撑结构而暴露。第二支撑结构设置在半导体基座的下表面上。 第二支撑结构也是实心本体，并且具有限定通过其的孔，该孔适于将膜通过 第二支撑结构而暴露。
在实施例中，压差感测基座包括具有上表面和下表面的半导体基座，并 且该半导体基座具有有着第一厚度的第一区域、以及有着薄于第一厚度的第 二厚度、且在第一区域内部的膜，所述膜具有至少一个压阻元件，所述至少 一个压阻元件响应于所述膜的变形而呈现变化的阻抗。该压差感测基座还包 括连结到半导体基座的上表面的第一支撑结构，该第一支撑结构具有限定为 通过其的孔，所述孔与所述膜对齐。该压差感测基座还包括连结到半导体基 座的下表面的第二支撑结构，该第二支撑结构具有限定为通过其、且与所述膜对齐的孔。
在实施例中，压差传感器包括压差感测基座，其具有包括一体式感测膜 的半导体基座，压阻元件被限定在该膜上，第一支撑结构连结至半导体基座 的表面，所述第一支撑结构具有限定为从其通过的第一孔、以通过该第一孔 暴露所述感测膜，并且第二支撑结构连结至半导体基座的相反表面，所述第 二支撑结构具有限定为从其通过的第二孔、以通过该第二孔暴露感测膜；上 壳体，其限定上内部空间，该上内部空间与所述第一孔流体连通，并且具有 限定该上内部空间的壁的上柔性膜；下壳体，限定下内部空间，该下内部空 间与所述第二孔流体连通，并且具有限定该下内部空间的壁的下柔性膜；以 及电子电路，其联接到压阻元件，用于确定施加到感测模的压差。
在实施例中，公开了一种压差传感器，其包括限定内部空间的壳体。压 差基座安装在该内部空间内。压差基座包括半导体压力感测基座，其具有膜， 膜具有形成在膜的表面上的至少一个压阻元件。第一支撑结构连结到半导体 压力感测基座的一个表面。第一支撑结构是具有通过其的通道或孔的实心本 体，该孔与所述膜的一侧对齐。第一支撑结构还连结到壳体。第二支撑结构 连结到所述半导体压力感测基座的第二表面，与第一支撑结构相反。第二支 撑结构是具有穿过其的孔或通道的实心本体。孔与膜的第二侧对齐，并且所述第二支撑结构进一步连结到壳体。包含油或其他流体的两个密封的空间用 于将压力从相应的外部膜传递到单独的流体空间并且传递到基座的膜的相 反侧。接触垫和其他的电气部件可以在两个密封空间之外的区域中限定在基 座上，并且从而与相应的流体隔离开。在基座膜中的压阻元件响应于膜的变 形和张力，并且与电路封装连通以将指示施加在相应的外部膜上的压力的差 值的信号输出。
在实施例中，压力传感器包括压差感测基座，其具有第一半导体基座， 第一半导体基座具有一体式感测膜，第一压阻元件限定在所述感测膜上，第 一支撑结构连结至第一半导体基座的表面，所述第一支撑结构具有限定为从 其通过的第一孔、以通过该第一孔暴露所述感测膜，以及第二支撑结构连结 至第一半导体基座的相反表面，所述第二支撑结构具有限定为从其通过的第 二孔、以通过该第二孔暴露感测膜。压力传感器还包括绝对压力感测基座， 其具有第二半导体基座，其包括一体式绝对压力感测膜，第二压阻元件限定 在该绝对压力感测膜上，第一绝对压力支撑结构连结至第二半导体基座的表 面，所述第一绝对压力支撑结构在绝对压力感测模上形成围绕第二压阻元件 的密封，以及第二绝对压力支撑结构连结至绝对压力感测半导体基座的相反 表面，所述第二绝对压力支撑结构具有限定为从其通过的第三孔、以通过该 第三孔暴露绝对压力感测膜。该压力传感器还包括：上壳体，限定上内部空 间，该上内部空间与所述第一孔流体连通，并且具有限定该上内部空间的壁 的上柔性膜；以及下壳体，限定下内部空间，该下内部空间与所述第二孔和 所述第三孔流体连通，并且具有限定该下内部空间的壁的第二柔性膜。压力 传感器还包括：第一电路，其联接到压差感测基座的压阻元件，用于确定施 加到压差感测基座的膜的压差；以及，第二电路，其联接到绝对压力感测基 座的压阻元件，用于确定施加到绝对压力感测基座的膜的绝对压力。
在实施例中，公开了一种封装，其用于接收压差感测基座，该基座包括 具有一体式膜的半导体基座，其适合于测量施加到该膜的相反侧的压差。该 封装包括：第一壳体构件，被配置为接收压差感测基座；至少一个第二壳体 构件，第一壳体构件和至少一个第二壳体构件被配置为彼此配合以限定壳 体，所述壳体具有于其中的内部空间，用于容纳所述压差感测基座；限定为 通过所述第一壳体构件的壁的第一端口，所述第一端口定位为：当所述压差 感测基座被容纳在所述第一壳体构件中时，所述第一端口与限定在所述压差 感测基座的第一侧中的孔对齐；以及，限定为通过所述第二壳体构件的壁的 第二端口，所述第二端口定位为：当所述第一壳体构件与所述第二壳体构件 配合时，所述第二端口与限定在所述压差感测基座的与所述第一侧相反的第 二侧中的第二孔对齐。
在实施例中，公开了一种封装，用于接收压差感测基座，该基座包括具 有一体式膜的半导体基座，其适合于测量施加到该膜的相反侧的压差。该封 装包括由一个或多个壳体构件限定的壳体，所述壳体具有限定内部空间的 壁，该内部空间被配置为支撑并且容纳该压差感测基座；限定为通过所述壳 体的壁的第一端口，所述第一端口定位为：当所述压差感测基座被容纳在所 述壳体中时，所述第一端口与限定在所述压差感测基座的第一侧中的孔对 齐；限定为通过所述壳体的壁的第二端口，所述第二端口定位为：当所述第 一壳体构件与所述第二壳体构件配合时，当压差感测基座被容纳在壳体中 时，所述第二端口与限定在压差感测基座的与第一侧相反的第二侧中的第二 孔对齐；以及，至少一个电连接引脚，其从壳体向外延伸，并且通过壁电连 通，用于连接至与形成在所述膜的表面上的压阻元件电连通的引线。
附图说明
图1是现有技术的压力感测基座的截面图；
图2是现有技术的隔离的充油的度量压力传感器的截面图；
图3A是根据本公开的实施例的压差基座的截面图；
图3B是根据本公开的压差基座的实施例的部分截面图，示出了半导体 和支撑结构之间的界面的细节；
图4A是根据本公开的实施例的隔离的压差装置的截面图；
图4B是图4A中的压差装置旋转90度的截面图，示出了充油线路。
图5A是根据本公开的压差装置的实施例的压差传感器和壳体的等轴视 图；
图5B是图5A的壳体和压差传感器的重影视图(ghost view)；
图6A是根据本公开的实施例的压差装置的等轴视图；
图6B和6C示出了图6A的压差装置的实施例的截面图；
图7是根据本公开的实施例的、具有O形安装件的压差装置的截面图；
图8A是根据本公开的实施例的未隔离的压差传感器的部分截面透视 图；
图8B是根据本公开的实施例的未隔离的压差传感器和壳体的正视图；
图8C是图8B的未隔离的压差传感器的截面图；
图9是根据本发明的实施例的隔离的充油的压力传感器的重影视图，其 包括两个基座，第一压差感测基座和绝对压力感测基座。
具体实施方式
测量流体的压力对于确定和监测系统内的参数(诸如流体的工作压力) 是有用的。在一些系统中，诸如车辆中，期望的是监测腐蚀性或恶劣的流体 的压力，诸如燃料、油或冷却剂的压力。压力感测装置以及其相关电路必须 被保护而免受这些恶劣媒介的影响。压力传感器包括基座，其通常由一件半 导体材料形成。基座包括限定膜的相对薄的一体的部分。膜被配置为响应于 压力的施加而变形。压阻元件限定在膜上或限定在膜中。压阻元件呈现响应 于该元件上的张力而变化的电阻。膜响应于压力产生的变形对压阻元件施加张力。因此，结合有压阻元件的电路可提供响应于由流体抵靠基座的膜施加 的力而产生的电信号。适当的校准和处理部件提供指示流体压力的输出信 号。由电信号所指示的压力测量值可以提供至其它的处理部件，诸如用于显 示、控制信号的目的、诊断的目的或其他的目的。
多个压阻元件，其间的连接，接触垫、引线等，由导电材料形成，诸如 金属或限定在半导体表面中的掺杂物的扩散区域。用于这些部件的材料易受 到恶劣的媒介的腐蚀的影响。此外，导电的流体会影响在这些导电迹线和金 属连接(诸如电线连结)中的电信号。为了进行压力测量、而同时保护基座， 压力传感器已经发展为限定从基座的膜的表面延伸的封闭的空间。该封闭的 空间填充有媒介，诸如油，其不会损害基座处的金属部件。例如，在硅基的 基座中，可使用硅油。封闭的空间部分地由与被测量的流体接触的外膜限定。 该外膜可由耐腐蚀金属形成，诸如不锈钢或钛，其可以接触恶劣的媒介而不 会被损坏。被测量的流体的压力在外膜上施加力。外膜响应于压力而变形， 并且该变形将力传递至在封闭的空间中的油。油将力传递至膜。以这种方式， 由被测量的流体施加的压力被传送到基座，而被测量的流体没有与基座接触 或与基座上的电气部件接触。
图3A示出了根据本公开的实施例的压差感测基座300的横截面图。压 差感测基座300能够测量第一流体和第二流体之间的压差的压力，并且产生 输出信号，该输出信号代表所测量的第一流体和第二流体之间的压差。半导 体基座310是实心的本体，其具有第一区域和第二区域，第一区域具有大致 均匀的第一厚度，第二区域具有小于第一厚度的、大致均匀的第二厚度。第 二区域限定一体式膜313，其厚度显著小于在半导体基座310的周边区域的 厚度。膜313是半导体基座310的一体的部分。半导体基座310包括第一大 致平坦的上表面310u、以及与第一上表面310u相反的第二下表面310l。第二 下表面310l是大致平坦的，除了限定一体式膜313的第二区域中。在一端由 膜313封闭的腔311在相反端敞开，并且如图所示，由基座300内部的连续 侧壁限定。
第一支撑结构301(也称为“约束件”)设置在半导体基座310的上表面 310u上、并且附接至该上表面。第一支撑结构301可以是具有平坦的、平行 的上表面和下表面的实心本体。凹部308可以限定在支撑结构301的下表面 中。凹部308是矩形或方形形状的凹部，其在上支撑结构301的下表面中限 定空间，该空间的面积大于由膜313限定的面积。第一支撑结构301的下表 面与半导体基座310的上表面310u接触、并且附接至该上表面。孔307限定为通过第一支撑结构301，终止于限定在第一支撑结构301的下表面中的凹 部308处。孔307提供在第一支撑结构301的上表面和第一支撑结构301的 下表面之间的连续的敞开通道。如图所示，孔307可具有圆柱形的横截面。 孔307可与膜313对齐。孔307可被配置为具有对应于或略微超过膜313直 径的直径。孔307的内部从而与膜313的上表面连通。第一支撑结构301和 半导体基座310的上表面之间的连结是不受流体影响的。
第二支撑结构303(也称为“约束件”)附接到半导体基座310的下表面 310l上。第二支撑结构303是具有平坦的、平行的上表面和下表面的实心本 体。第二支撑结构303具有限定为通过该支撑结构303的孔309。孔309提 供在第二支撑结构303的上表面和第二支撑结构303的下表面之间的连续的 敞开通道。如图所示，孔309可以是圆柱形的，并且可以与腔311的敞开的 端部对齐。因此，孔309的内部与膜313的上表面经由腔311而连通。孔309的尺寸可以被设定为使得孔309的内径基本上等于或略大于膜313的直径。 第二支撑结构303连结到半导体基座310的下表面310l，以围绕腔311的敞 开的端部提供不受流体影响的密封。
接触垫305限定在半导体基座310的上表面310u上。接触垫305由金属 制成，并且在上支撑结构301的外部限定在基座301的上表面310u的一部分 上。
图3B示出了类似于图3A的压差感测基座300的压差基座350的部分 截面图。在图3B中，更详细地示出了限定上支撑件351、半导体基座360 和下支撑结构353之间的界面的区域。结构375在半导体膜363的上表面中 由适当扩散的掺杂物限定。该结构延伸超过半导体膜363的边缘直到基座360的上表面的其他部分。结构375包括压阻元件365和导电区域373，该 导电区域用作导电线路以将电信号从压阻元件传送到触头，以有助于到基座 外部的电路的连接。压阻元件365和导电区域373可以通过使用领域中广泛 已知的技术和材料、有差别地将一种或多种掺杂物扩散在半导体材料中来限 定压阻元件和导电电路元件而形成。导电区域373提供压阻元件365和接触 垫355之间的电连接。压阻元件365可以代表多个压阻元件，并且导电区域 373可以代表半导体材料中用于完成电路的导电路径，该电路包括压阻元件 365和多个接触垫355。氧化层362可以设置在基座360的上表面，包括结 构375和半导体膜363的上表面。接触垫355可以设置在氧化层362上。金 属化的过孔可以设置通过氧化层362，以提供接触垫355和导电线路或区域 373之间的电连接。
连结层367示出为处于氧化层362和上支撑构件351中间。连结层367， 例如可以是设置在半导体基座360的上表面上的多晶硅层。上支撑结构351 可以被阳极地结合到连结层367。下支撑结构353可阳极地连结到半导体基 座360的下侧上的暴露的硅的区域。连结层367可以是不受流体影响的任何 合适的材料。
上支撑结构351可以围绕其外边缘被下切，以限定外凹部371。外凹部 371为排布(running)电连接部提供空间，该电连接部诸如是用于压差感测 基座300的电路中的电迹线。
第二支撑结构353的下表面369可以提供外连结表面。外连结表面可以 经由粘接剂而被附接在封装内。该封装可包括电路和连接部，从而从压阻元 件获得阻抗值、并且处理这些值、并且输出代表所检测的压差值的经处理的 数据。
半导体基座360可以是单晶硅或是其他合适的半导体材料。第一和第二 支撑结构351、353的材料的热膨胀系数类似于构成半导体基座360的半导 体材料的热膨胀系数。第一和第二支撑结构351、353还为半导体基座360 提供稳定的支撑结构，其提供了用于将基座350附接到压力传感器的壳体的 区域，而无需将传感器壳体直接附接到半导体材料。例如，第一和第二支撑 结构351、353可以由硅或其他材料形成，诸如玻璃或耐热玻璃(PYREX)， 其是化学惰性的、并且可以被连结到半导体基座360的硅。
将支撑结构351、353的热膨胀系数维持为接近半导体基座360的热膨 胀系数减少或消除了施加到半导体基座360的、与压力无关的力(诸如由基 座和支撑结构之间的不同的热膨胀系数而引起的力)。
再次参考图3A，半导体基座310可以通过将半导体晶片切成矩形片而 制造。根据一个实施例，每个半导体基座310基于具有约2毫米(mm)的 外部尺寸的半导体立方。具有较薄厚度的区域通过将半导体立方的一部分移 除而限定，以限定形成膜313的区域。该部分可以通过蚀刻或领域中已知的 其他工艺而被移除。例如，可以使用各向异性的蚀刻以形成根据示例性实施 例的具有1mm的外部尺寸的大致方形的膜313。当形成支撑结构301、303时，可以通过蚀刻工艺形成孔307和309，并且可以形成具有类似有着圆角 的方形的横截面轮廓。孔307、309形成为具有等于或略大于膜313的直径 尺寸的内部尺寸。上支撑结构301可在其下表面中包括凹部，该凹部在上支 撑结构301的下表面中限定一开口，其确保半导体膜313没有任何部分被上 支撑结构301所遮盖。这允许流体穿过孔307、309并且与膜363的整个表 面流体连通。支撑结构可以使用任何合适的粘接剂而被连结到半导体基座 310。例如，第一支撑结构301可以阳极地连结到半导体基座310的上表面 上的多晶硅层367；第二支撑结构303可阳极地连结到半导体基座310的下 侧上的暴露的半导体材料。取决于基座和支撑结构的相应的材料，其他的连 结工艺，诸如阳极连结、硅熔化连结、玻璃浆料连结或其他的技术可被使用 以将支撑结构连结到半导体基座310。
现在将描述压差感测基座300的操作。压差感测基座300被结合到诸如 压差传感器封装的结构中，该结构提供具有到孔307的密封连结的第一流体 端口和具有到孔309的密封连结的第二流体端口。第一流体端口接收在压力 下的第一流体，并且第二流体端口接收在压力下的第二流体。在支撑结构301 的外部的基座310的上部部分与第一流体和第二流体两者隔离。第一流体和 第二流体充满孔307、309和腔311，并且将压力施加到膜313的相应的上侧 和下侧。膜313挠曲(flexes)并且经受张力，这导致压阻元件315的阻抗 的变化。压差可通过处理指示压阻元件365的阻抗的信号、并且从而是指示 由相应的第一和第二流体施加到膜313的压差的信号来确定。与接触垫305 电连通的处理装置可以基于来自于压阻元件315的数据而确定压差值。氧化 层362提供对膜313的上表面上的金属部件的保护，使其免受第一流体的影 响。第二流体接触在孔和基座的下侧中的硅和玻璃。
在一些应用中，被测量的流体可能本身是腐蚀性的。腐蚀性的流体可能 损害压差感测基座300上的电气部件，或者可能甚至损坏连结。为了保护这 些部件，隔离流体(诸如油)的空间可被置于压差感测基座300和被测量的 流体之间。在该实施例中，第一空间限定为具有与孔307密封连通的第一流 体端口。上柔性膜形成第一空间的壁。上柔性膜可以是金属，诸如不锈钢、 钛或黄铜，其不受被测量的流体的影响。第一空间填充有稍不恶劣的流体， 诸如油。被测量的流体的压力使膜变形，从而将压力传递给在第一空间中的 油，该油经由孔307到达膜。第二、下柔性膜类似地限定填充有油的第二空 间的壁，该油充满孔309并且到达膜313的下侧。下柔性膜可与被测量的第 二流体接触，并且类似地将第二流体的压力经由第二空间中的油而传递至膜 的下侧。因此，具有两个密封的油空间的基座300的这种布置允许了腐蚀性 流体的压差测量。以这种方式，压差感测基座300与将被测量的流体隔离开， 从而保护在基座上的敏感的电气部件。
现在参考图4A，示出了包括结合有图3A的压差感测基座300的封装的 充油的压差传感器400的实施例的横截面图。图4B示出了将图4A的充油 的压差传感器400旋转90度的视图，以更好地图示充油的管417和焊接的 球密封(ball seal)。用于容纳压差感测基座300的封装包括第一上壳体401 和第二下壳体411。两个壳体401、411都包括具有内部充油的空间的实心本 体405、415。上壳体401的实心本体405的下壁在第一支撑结构301处连结到压差感测基座300。该连结在第一支撑结构301和上壳体401之间形成了 流体紧密密封420。第一支撑结构301具有孔(307，示于图3A)，该孔形成 上端口以提供到半导体压力基座310的半导体膜313的顶表面的接取。在图 4A的压差传感器400的实施例中，上壳体401包括柔性膜403。柔性膜403 相反于上壳体401的实心本体405的连结到压差感测基座300的下壁。当传 感器400被使用(deployed)时，柔性膜403与被测量的流体(其可以是恶 劣的媒介)流体接触。柔性膜403可以是耐腐蚀的金属(因为其与恶劣的媒 介接触)。通过非限制性示例的方式，柔性膜403可以是不锈钢或钛，这两 者的任意一种提供对较为恶劣的媒介的耐腐蚀性。
上壳体401包括适合于填充有流体(诸如填充有油)并且被密封的空间。 在本申请中公开的、具有填充有流体且被密封的空间的每个实施例中，该空 间的一个壁是柔性膜；该空间的其他壁是刚性的，并且该空间接合传感器基 座膜。施加到柔性膜的外侧的压力压迫(stresses)传感器基座膜和/或使传 感器基座膜变形。该空间的其他壁是刚性的，诸如由于相对厚度，诸如是支 撑结构的相对厚的钢或者是玻璃或硅的相对厚度。在实施例中，上壳体或下 壳体可以是完全中空的，并且因而适合于完全填充有油。在其他实施例中， 上壳体或下壳体可以是实心本体，诸如不锈钢合金、钛合金或其他金属的实 心本体，其具有中空的中心钻孔，该钻孔在一端敞开至上柔性膜或下柔性膜， 并且在相反端敞开至支撑结构。在其他实施例中，适合于填充有流体的空间 可具有其他形状和形式。
柔性膜403用作充油空间的壁。在该实施例中，管404可从柔性膜403 延伸到支撑结构301中的相对应的孔。在实施例中，柔性膜403可以支撑在 绕实心本体405的上壁的边沿或唇部上，以限定腔室，该腔室是被填充有流 体的空间的一部分。内部空间405可以适合于完全填充有油，以接收由柔性 膜403施加的力。可替代地，可在壳体内限定填充有油的较小的空间。油经 由管404引入到空间406中，该空间406与柔性膜403流体连通。如图4B 最佳所示的填充管407从管404延伸到实心本体405的外壁。该管407可结 合到金属膜403和感测基座300之间的空腔的任意部分，因为其仅用于使用 流体填充该腔室。当该空间被充满时，该填充管可以插塞有球418，该球可 被焊接到该实心本体。在其他实施例中，填充管可通过压接、将边缘焊接到 一起、将销压入填充管中或以其他方式而被封闭。管404大体上是在这样的 管，其在一端处敞开且敞开至邻近柔性膜403的空间，并且在另一端敞开且 限定与压差感测基座300的第一支撑结构301的孔密封接触的端口。油或用 于填充空间的其他流体因为其与半导体压力基座310的兼容性而被选择。在 一个实施例中，使用硅油。在其他实施例中，上壳体401可具有周向壁并且 完全由流体填充。在这样的实施例中，侧壁和底壁必须足够厚从而是刚性的， 使得施加在膜403的外部的压力被传递到半导体基座的膜，并且不会使得上 壳体的壁变形。
下壳体411在第二支撑结构303处连结到压差感测基座300。第二支撑 结构303连结以在第二支撑结构303和下壳体411之间形成流体紧密密封 421。下壳体411包括实心本体415，其接触上壳体401并且通过焊接、钎焊 或粘接剂而附接到上壳体、同时限定了在上壳体和下壳体中间的空间。该空 间包含基座300，并且为与基座300的压阻元件连通的电子电路419提供空 间。该中间的空间从上壳体和下壳体中的可填充有流体的空间被密封地分离 开。支撑结构303与实心本体415的上表面接触并连结至该上表面。实心本 体415具有通道或管416，其与第二支撑结构303的孔对齐，以提供到膜313 的底表面的接取。内部空间415可以完全填充有油，以接收由柔性膜403施 加的力。可替代地，可限定较小的空间408。油经由管416引入到空间408 中，该空间与柔性膜413流体连通。第二支撑结构303的孔因而与管的一端 密封连通。在实施例中，管416的相反端由下膜413封闭，或者与和膜413 接触的空间连通。充油管417与管416、或膜413与基座300之间的任何油 的空间连通，以及与下壳体的外部连通。充油管417可被封闭，例如通过示 于图4B中的球418。膜413形成下壳体411的相反于基座300的下壁和密 封。类似于膜403，膜413可与恶劣的媒介接触，并且是由耐受来自于与恶 劣媒介接触产生的腐蚀的金属制成的。位于下壳体的充油空间中的油因为其 与硅压力基座100的兼容性而被选择。在实施例中，可使用硅油。
现在将描述压差传感器400的操作。压差传感器400安装在接收被测量 压力的两个流体的封装中。第一流体通过封装中的第一端口而被引入到上柔 性膜403。柔性膜403与第一流体流体连通，并且来自于第一流体的压力的 力被施加在柔性膜403的上表面上。施加在柔性膜403的上表面上的力造成 膜变形、并且将压力施加在上壳体中的油上。施加在封闭的油上的压力通过 油而被传递到膜313的下表面。第二端口设置在包含压差传感器400的封装 中，并且接收第二流体，该第二流体以与第一流体类似的方式被引入，与柔 性膜413流体连通，其在下壳体中的油上施加力，而下壳体中的油接着与半 导体压力基座310的半导体膜313的下侧流体连通。第一流体的压力(在示 于图4的取向上)施加向下的压力，而第二流体的压力在硅膜313的下侧上 施加相反的向上的压力。施加在膜上的压力的差值导致膜313的变形和/或张 紧，该变形和/或张紧通过检测压阻元件的阻抗变化和压差感测基座300的相 关联的电路而被测量。电信号设置为从压差感测基座300通过导电接触垫305而被输出，该接触垫进一步地电连接到电路419。电路419可包含专用 集成电路(ASIC)或其他电路，从而为传感器提供校准并且提供通常由传感 器使用的数字或模拟电输出。由于导电接触垫在上支撑结构301的外部，故 其没有被用于将力传递到基座的膜的流体所接触。适当的接触件，诸如电线、 引脚或连接器被连接到电路419以提供数据信号的输出，以及输入功率连接 接触件，可设置在压差传感器400中。
当使用充油类型的压力传感器时，必须注意在封闭的油中的温度波动， 不会引起油的密度的增加或降低。这样的密度变化可能在压力感测基座上施 加与被测量的压力无关的力。在图4A的压差传感器400中，在上壳体和下 壳体中的充油空间的比较空间是基本上相同的。因此，任何温度改变引至的 一个空间的密度变化将在相反方向上由相对空间中的相等的变化所抵消。因 此，半导体压力基座310用于补偿温度变化的校准可以减少或不需要。
图5A和5B示出了封装500，其可被配置为容纳图4的压差传感器400。 封装500包括主壳体505，其限定用于接收压差传感器400的内部空间。封 装500包括第一流体端口501和第二流体端口503，它们分别接收第一和第 二流体。根据示于图5A和5B的实施例，流体端口501、503可包括凸缘端 或凸脊(ridged)端，用于接收承载被测量的第一和第二流体的管或软管， 流体端口501、503具有螺纹以接收管或软管的安装件。
封装500还包括电路区域519，其包括与压差传感器300的电路之间电 连通的电路。为了补偿性(compensated)的应用，其他的芯片和电路典型地 沿着壳体中的压力传感器400的侧面安装。该电路用于校准传感器，并且还 提供通常用于传感器的模拟或数字输出。电路区域519可与导电端子电连通， 诸如汽车类型(style)的连接器电线513，从而允许经由插接件或线束实现 系统电路的电连接。电路区域519位于壳体420内。电路区域519与主壳体 505内被测试的流体隔离开。上壳体和下壳体也可如此配置以实现，从而提 供电路区域因而与被测试的流体以及用于将力传递至半导体膜的油或其他 流体物理地隔离开。
图6A和6B示出了用于容纳压差传感器300的封装。该封装可由塑料 或可承受非腐蚀性或微腐蚀性的流体的其他材料形成。封装可包括凸缘部 607，该凸缘部包括孔洞609，该孔洞允许封装600通过诸如螺栓或螺钉的紧 固件而固定到表面。例如，封装500可适合于被附接到卡车或其他车辆的框 架。壳体602可被配置为具有盖(lid，未示出)，其允许到封装600的内部 空间的接取。内部空间可包括用于将封装600附接到表面的额外的紧固孔洞509，并且这些孔洞可包括从主壳体602延伸的壁，用于将螺钉孔与封装600 所安装到的表面上的安装孔洞对齐。
封装600包括电路区域(未示出)，电路区域包括与压差传感器400的 电路电连通的电路。电路区域可以与导电端子或引脚513电连通，以允许经 由插接件或线束实现系统电路的电连接。封装600可安装到车辆，例如卡车， 用于感测与车辆相关联的发动机部件的压差。通过示例的方式，车辆可具有 可更换的油过滤器，其通过螺柱旋到发动机上。油被泵送通过螺柱、通过可 更换的过滤器中的过滤元件，并且作为经过滤的油返回至发动机。当过滤元 件是新的时、或者相对干净时，通过过滤器的油的流动的限制是最小的。随 着污物和杂质从油被过滤，它们开始阻塞过滤元件并且限制通过过滤器的油 的流动。当流动限制较低时，在可更换的油过滤器入口处的油压和出口处的 油压的压差是较小的。随着流动逐渐被限制，由于油在有限空间中的阻塞， 使得在油过滤器入口处的压力将建立，而在油过滤器的出口处的油压将由于 减少的油的流动而降低，导致入口和出口之间的压差随着流动变得更加被限 制而增大。
封装600可被安装在车辆发动机或其他合适的位置上(诸如底盘)。软 管可被置于油过滤器和入口到封装600的第一流体端口601之间以及在油过 滤器的出口和封装600的第二流体端口603之间。在电连接引脚613处提供 有代表跨越油过滤器的油压差的电信号。电信号可被诊断或控制电路所使 用，以确定可更换的油过滤器的状态。例如，当跨越油过滤器的油压差达到 或超过预定水平时，车辆中的控制系统可适于为操作者提供警报，该警报指 示过滤器需要被更换。随着时间流逝(Over time)，指示跨越油过滤器的油 压差的电信号可用于确定油过滤器的工作状态。从电信号得出的数据可被存 储(例如，存储在计算机存储器中)和用于未来的分析。例如，在发动机失 效的情况下，油过滤器在发动机的寿命过程中的工作状态的历史图可被分析 以确定油过滤器是否是造成发动机失效的因素。油过滤器的工作状态的历史 记录还可用于确定发动机油和/或油过滤器的更换是否已经根据制造商的推 荐服务和维护时间表来进行了。
图6C是结合有图4的压差传感器的压差传感器封装600的横截面图。 传感器封装600包括壳体602，其限定第一流体端口601和第二流体端口603， 以用于接收具有被测量压力的第一流体和第二流体。在实施例中，壳体602 限定为第一和第二壳体构件，该两个壳体构件被配置为互相配合。第一和第 二壳体构件可以在密封部605处结合。在实施例中，壳体602可以是一体式 的，或可包括被配置为彼此配合的两个以上的壳体。当壳体602的壳体构件 彼此配合时，内部空间限定在壳体内。内部空间的被设定尺寸且被配置为接 收和支撑压差传感器。压差传感器，诸如图4所述的压差感测装置，被插入 到壳体602的内部空间中。这两个构件连接并且在密封部605处被密封，从 而以流体密封的方式将压差传感器封闭在壳体602中。
压差基座300和流体端口601、603之间插设(interposed)有上壳体和 下壳体，如上文中参照图4A和4B所描述的。
第一流体进入流体端口601并且使柔性膜403变形，其接着将力经由油 或其他的隔离流体传递至压差感测基座的下侧。类似地，第二流体进入流体 端口603并且使柔性膜413变形，其接着将力经由油或其他的隔离流体传递 至压差感测基座300的顶侧。第一和第二流体都间接地将压力施加到半导体 膜的相反的侧面。如果第一和第二流体的相应的压力不同，则两个流体之间 产生的压差对半导体膜施加张力和/或会使半导体膜变形。设置在半导体膜的 表面上的压阻元件的电阻响应于该张力和/或变形而变化。通过将电流供给经 过压阻元件，该电流经由连结电线而传送至电流，而测量电阻。电信号在电 路中被处理，并且经由电接触引脚或电线513(使用图5A)或注入连接器的 其他连接方式而可用于外部电路。
封装可被配置为具有安装孔洞609，其用于将该封装附接到车辆框架或 底盘。在这样的实施例中，第一和第二流体端口601、603可被附接到流体 软管或线路，所述流体软管或线路连接到用于操作车辆的流体。例如，发动 机油可通过流体端口601、603被引入，从而测量在车辆的油循环系统中的 两个点之间的压差。
图6C是结合有图4的压差传感器的压差传感器封装600的横截面图。 传感器封装600包括壳体602，其限定第一流体端口601和第二流体端口603， 以用于接收具有被测量压力的第一流体和第二流体。壳体602限定为在密封 部605处结合的两个构件。压差传感器(诸如图4所述的压差感测装置)被 插入到壳体602的内部空间中。这两个构件连接并且在密封部605处被密封， 从而以流体密封的方式将压差传感器封闭在壳体602中。
第一流体被设置为与第一流体端口601流体连通；第一流体填充第一流 体端口并且进入与柔性膜403流体连通的第一压力腔604。柔性膜403流体 接触柔性膜403的相反于第一流体的侧面上的充油空间。第二流体端口603 类似于流体端口601而配置，允许第二流体进入第二压力腔606。第二压力 腔606与柔性膜413流体连通。柔性膜413与充油空间流体连通，充油空间 接着与压差感测基座300的膜连通。压力腔604中的第一流体和第二压力腔606中的第二流体之间的压差被实施为抵靠压差感测基座300的膜的净力 (net force)。该力被转换为压阻元件的一个或多个阻抗值，其接着被连通至 电路419并且被处理。电路419的输出包括指示所检测的压差的数据。到电 路419的连接器是可从压差传感器封装600的外部接取的。压力腔604、606 可适合于垂直于它们相应的流体端口601、603，从而在第一和第二流体与压 差感测基座300之间建立流体连通。
图7是具有O形(O-ring)连接安装件的隔离的充油的压力传感器700 的横截面图。压力传感器700提供了压差测量，同时避免将压力感测基座直 接暴露至被测试的流体。压力感测基座通过管713中的第一空间的油以及管 723中的第二空间的油而从测试流体隔离，第一空间的油将被测试的第一流 体与压力感测基座隔离，第二空间的油将被测试的第二流体从压力感测基座 隔离。
压力感测基座包括半导体压力基座310，其包括一体式膜(如图3A和 3B所示的膜313)。该膜具有限定在半导体中的压阻元件，其呈现出基于由 压力施加在半导体压力基座310中的膜上的力而变化的电阻。半导体压力基 座的上表面和下表面由第一支撑结构301和第二支撑结构303支撑。支撑结 构301、303具有限定为从其通过的孔，该孔与膜对齐，从而允许管713、723 和充油空间717、727中的油分别与膜的上表面和下表面流体连通。
管和其他空间可通过充油线路而被填充，充油线路具有端口715、725， 油通过该些端口而被引入。端口715、725可通过将金属球焊接在端口开口 上而被密封，或者举例来说，端口可具有长形的截面，该截面被压接或折叠 以密封端口。
柔性膜403、413限定构成充油空间的壁的表面。在实施例中，壳体可 被填充有油，并且设置有刚性的侧壁和刚性的基壁，支撑结构301、303附 接到该些刚性的壁。例如，刚性的壁可由钢板提供。柔性膜403、413由这 样的金属制成，当其被暴露至被测试的流体时，该流体可能是腐蚀性流体， 例如酸或燃料，其对腐蚀具有耐受性。通过示例的方式，柔性膜403、413 可由不锈钢或钛构成，其在大多数流体的存在情况下提供耐腐蚀性。柔性膜403、413的外侧限定接收被测量压力的第一和第二流体的端口705、707的 壁。端口具有由耐腐蚀材料形成的侧壁709、711。外螺纹703限定在端口 705、707的外壁上，其允许螺纹安装件的附接，用于连接到承载被测量的流 体的管道。第一和第二端口705、707的侧壁709、711进一步限定接收O形 环701的通道。O形环在端口705、707与螺纹装配到端口705、707上的安装件之间形成紧密的流体密封。
第一流体进入端口705，并且抵靠柔性膜403施加由于压力产生的力。 柔性膜403变形，并且将抵靠其施加的力传递至其中的油，诸如在充油空间 717中的油。压力传递遍及充油空间717中的油，包括在由第一支撑结构301 中的孔和半导体压差感测基座310的膜的上表面限定的区域中的油。第二流 体进入端口707，并且抵靠柔性膜413施加由于压力产生的力。柔性膜413 变形，并且将抵靠其施加的力传递至在充油空间727中的油。压力传递遍及 充油空间727中的油，包括在由第二支撑结构303中的孔和半导体压差感测 基座310的膜的下表面限定的区域中的油。
印刷电路板(PCB)419通过连结电线721电连接至半导体压力感测基 座310。PCB电路419进一步地电连接到电接触引脚714，其将代表测量的 压差值的电信号提供至在压差传感器700外侧的外部系统。
端口侧壁709、711，柔性膜403、413，以及充油空间717、727的接触 点可通过焊点719连接以形成压差传感器700。
虽然在图5A、图5B、图6A、图6B、图6C和图7中示出的封装的实 施例用于容纳充油压差传感器，其将被测试的流体与压差传感器基座300隔 离开，但是这仅仅是借助于示例而示出。其他的构造和使用可由本领域技术 人员想到。例如，封装的壳体602可以由塑料形成，该塑料对于来自一些非 腐蚀性或半腐蚀性的流体的腐蚀具有耐受性。在该实施例中，该封装可容纳 压差传感器，其仅包括压差感测基座300，而不具有充油空间。在该实施例中，被测试的流体允许通过第一和第二支撑结构307、309中的孔(示于图 3A，其通过流体端口501、503直接地可接取)而进入压差基座300。下文 中关于图8详细地描述了该配置的示例性实施例。
图8A是根据本公开的实施例的用于压差感测基座的封装800的等轴部 分截面图，压差感测基座300示出为安装在其中。封装800被配置为接收压 差感测基座，用于测量半腐蚀性或非腐蚀性流体的压差。封装800包括壳体802。在示出的实施例中，壳体802具有两个构件。在图示的实施例中，下 壳体构件803包括基部和围绕该基部的竖直周向壁。当上壳体构件801被置 于下构件803上时，并且特别地置于下构件803的周向壁的顶部边沿上时， 上壳体构件用作盖或密封部。衬垫或粘接密封部805设置在上构件801和下 构件803之间。密封部805将壳体的内部密封以免受外部污染的影响。两个 端口807、809通过壳体的相反侧而限定。在图示的实施例中，端口分别限 定为通过上构件801和下构件803的基部，但是也可限定为通过壳体的其他 部分。端口809被定位为使得，其内部开口适合于与压差感测基座的孔(诸 如压差感测基座300的孔309)对齐并与其流体密封。类似地，端口807被 定位为使得，其内部开口适合于与压差感测基座的其他孔(诸如压差感测基 座300的孔307)对齐并与其流体密封。因此，经由端口807、809建立到压 差感测基座300的膜的相反侧的流体连通。由于压差传感器封装800设计为 测量非腐蚀性或半腐蚀性流体的压差，半导体压力基座310和支撑结构301、 303没有从被测试的流体隔离开。然而，由于分别在端口807、809和孔307、 309之间的密封部，壳体802的内部空间与将被测试的流体隔离开。壳体802 进一步将内部空间与外部环境隔离开。
封装800进一步包括从壳体802的外壁延伸的电连接引脚813。电连接 引脚813通过壳体802的壁与壳体802内部的接触件电连通。在实施例中， 接触件可以与ASIC以及可能的具有电路419的PCB电连通。封装800的 PCB电路419和ASIC可被配置为与半导体压力基座的压电元件连通并且输 出压差数据。半导体基座310包括电接触点，在该电接触点处半导体压力基 座310连接至连结电线811。连结电线819将半导体压力基座310电连接至 PCB电路419。PCB电路419可包括微处理器或与微处理器连通的存储器， 用于基于从半导体压力基座310接收的电信号确定压差值。电连接引脚813 延伸通过壳体的壁，并且电连接至PCB电路419。电连接引脚将涉及第一和 第二流体之间的测量的压差的电信号传送至外部系统。如图8A所示，电连 接引脚813可被布置为单列直插式封装(SIP)，其具有单行接触引脚。该配 置仅以示例性方式示出，并且也可以使用其他的配置。例如，可使用双列直 插式封装(DIP)或压差传感器封装800可被配置为表面安装的壳体，其具 有用于接收连接到配线壳体的适配器的端口。外部系统可涉及控制或指示器 系统，其可能使用压差的测量值以确定异常状态并且发送警告信号，或者外 部系统可例如是阀控制器，其基于在阀的上游的点和阀的下游的点之间测量 的压差而操作阀。在使用压差传感器封装800的实施例的示例性应用中，第 一流体是油进入车辆的油过滤器之前的车辆发动机中的油。第二流体是在油 已经经过油过滤器之后的车辆发动机的油。发动机油在进入过滤器之前以及 在离开过滤器之后的压差可以提供对油过滤器的状态的指示。如果确定油过 滤器中的流动变得受限时，可向车辆操作者提供警告，指示需要维护或者指 示需要更换油过滤器。
第一流体经由合适的安装件(未示出)通过端口807被引入。第一流体 进入端口807，该端口与通过第一支撑结构或约束件301的横截面长度的孔 307对齐。第一流体流动通过第一支撑件301，并且与半导体压力基座310 的膜的上表面流体接触。
第二流体经由合适的安装件(未示出)引入到端口809。第二流体经过 端口809，该端口与通过第二支撑结构或约束件303的横截面长度的孔309 对齐。流体流动通过第二支撑件303，并且通过与限定在半导体压力基座310 中的膜的下侧的流动连通而接触。随着第一流体和第二流体将其相应的压力 抵靠膜的相反的表面而施加，在半导体膜的表面上的压阻元件产生与被施加 至压阻元件的压差的量相关的电阻。流动通过压阻元件的电流与由压差产生 的阻抗成比例，并且产生电流测量值，该电流测量值可用于得出(derive) 第一流体和第二流体的压力之间的压差值。
图8A示出了压差传感器，其中第一端口807设置在壳体的上构件801 中，而第二端口809设置在壳体的下构件803的下侧中。该配置仅仅以示例 的方式被提供。还可使用其他的配置。例如，第一端口807可限定在壳体的 下构件803的侧壁中。第二端口809可限定在下构件803的与第一端口80 相反的侧壁中，或者可替代地，第二端口809可被设置在与包含第一端口807 的侧壁邻近的侧壁中。
根据压差传感器封装800的实施例，壳体构件801、803由塑料制成。 塑料可被模制以形成限定端口807、809的孔。选择塑料以提供对来自于经 由端口807、809被测试的流体的腐蚀的耐受性。以这种方式，被测试的流 体可直接被引入到端口807、809。流体进入端口807、809，并且填充由第 一支撑结构301和第二支撑结构303中的开口限定的空间。流体从而与限定 在半导体压力感测基座310的膜313的上侧和下侧流体连通。压差感测基座300(示于图3A)可被安装在由壳体801、803限定的封装中，使得端口807、 809与压差感测基座300中的孔307、309对齐。通过合适的粘接剂，塑料封 装可被附接到压差感测基座，该粘接剂在壳体构件801、803和基座的支撑 结构301、303之间提供流体紧密密封的密封部821。可替代地，塑料封装可 被模制为具有限定的内部空间，诸如通过内壁或肋，该内部空间的轮廓对应 于压差感测基座300的轮廓。例如，内部空间可限定在封装的下壳体构件803 中。基座被放置在内部空间中，并且基座中的孔307、309与封装中的端口 807、809对齐。上壳体构件801配合至下壳体构件803以限定流体密封的封 装。
图8B和图8C分别示出了在模制的封装800中的未充油的压差传感器 实施方式的实施例的正视图和截面图。第一流体端口810和第二流体端口 812进入封装并且与压差感测基座300的相反端部流体接触。壳体具有上构 件801和下构件803，其可通过衬垫或粘接密封部805密封。流体端口810、 812可具有倒钩以允许软管安装在流体端口上，并且被倒钩806、808保持在 位并且密封，或者使用额外的环状夹具以将软管或管固定到流体端口810、812。电信号，包括表示第一流体端口810和第二流体端口812之间的流体 的压差的信号可经由电接触件813而被传递或传送。
图9是单独的充油压力传感器的横截面正视图，其被配置为具有压差传 感器和绝对压力传感器。传感器壳体类似于如图4A和4B所示的压差传感 器的充油的实施例。然而，在图9的压力传感器900中，添加了额外的绝对 压力感测基座350。绝对压力感测基座350被配置为具有半导体压力感测基 座，其类似于压差感测基座300。然而，绝对压力感测基座350的上约束件 901不具有允许流体进入上约束件901并且与半导体基座流体接触的孔。可替代地，上约束件901是可具有维持为真空的内部空间的密封玻璃约束件。 以这种方式，与传感器900的柔性金属膜913流体接触的流体将使其压力通 过充油空间传递至该决定压力感测基座350的下侧。因此，所感测的压力仅 仅是从下膜913施加的压力相比于参考压力(诸如真空)的因数。图9中的 压力传感器900可从而被用作压差传感器或绝对压力传感器，或用作两种。 可通过识别信号从压力感测基座300、350中的哪一个产生，来将压差信号 从绝对压力信号区别开。
虽然前述的发明已经参考上述实施例而进行描述，但是可实现多种修改 和变型，而不偏离本发明的精神。因此，所有这些修改和变型被认为是在附 属权利要求的范围内。因此，说明书和附图应当被认为是描述性的而非限制 性的。形成本文的一部分的附图以图示的方式示出，而非限制，其中主题名 称的具体实施例可被实现。图示的实施例以足够详细的方式被描述，以使得 本领域技术人员能够实践文中公开的教导。其他的实施例可被采用或从其得 出，使得可进行结构和逻辑的替换和改变，而不偏离本发明的范围。从而， 该详细的说明书不能认为是限制的含义，并且多个实施例的范围仅仅由随附 的权利要求以及这些权利要求的等同的全部范围来限定。
该创造性的主体的实施例在文中，可单独地和/或整体地成为术语“发 明”，这仅仅是为了方便，而没有意图主动地限制本申请的范围到任何单个 的发明或创造性概念(如果实际上公开了不止单个发明或创造性概念)。因 此，虽然已经在文中图示和描述了具体的实施例，但是应当理解的是，结合 在一起以实现相同目的的任意的布置方式可以替代示出的具体的实施例。本 发明意于覆盖多种实施例的多个变化例的任意和所有的适应情况。在阅读上 述说明书的情况下，上述实施例的组合以及未被详细描述的其他的实施例对 本领域的技术人员来说将是显而易见的。

Claims (11)

1.一种压差感测基座(300)，用于测量两种隔离的流体之间的压差，所述压差感测基座包括：
半导体感测基座(310)，具有上表面(310u)和下表面(310l)，并且具有有着第一厚度的第一区域、以及有着第二厚度的第二区域，所述第二厚度小于所述第一厚度，所述第二区域限定膜(313、363)，所述膜具有设置于其上的至少一个压阻元件(365)，所述至少一个压阻元件响应于所述膜的变形而呈现变化的阻抗；
连结到所述半导体基座的上表面的第一支撑结构(351)，所述第一支撑结构具有限定为从其通过的孔(307)，所述孔适合于将所述膜通过所述第一支撑结构暴露、并且提供与半导体基座的上表面的密封；以及
连结到所述半导体基座的下表面的第二支撑结构(353)，所述第二支撑结构具有限定为从其通过的孔(309)，所述孔适合于将所述膜通过所述第二支撑结构暴露，
其特征在于，第一支撑结构(351)围绕其外边缘被下切，以限定外凹部(371)，外凹部(371)为排布电连接部提供空间。
2.根据权利要求1所述的压差感测基座，其中，所述半导体基座(310)包括硅。
3.根据权利要求2所述的压差感测基座，其中，所述第一支撑结构(351)包括硅。
4.根据权利要求3所述的压差感测基座，其中，所述第二支撑结构(353)包括硅和玻璃中的一种。
5.根据权利要求4所述的压差感测基座，其中，所述第一支撑结构(351)阳极地连结到在所述半导体基座(310)的表面上的多晶硅层(367)，以及如果所述第二支撑结构包括硅，则所述第二支撑结构(353)阳极地连结到所述半导体基座的暴露的硅，以及如果所述第二支撑结构包括玻璃，则所述第二支撑结构通过玻璃浆料连结部(367)而连结到所述半导体基座。
6.根据权利要求1所述的压差感测基座，还包括：
与所述膜(313、363)电连通的导电接触垫(305、355)，所述导电接触垫在所述半导体基座(301)的表面上设置在由所述膜、所述第一支撑结构(301、351)和所述第二支撑结构(303、353)限定的区域外侧的区域中。
7.一种制造压差基座的方法，所述方法包括以下步骤：
提供半导体材料的半导体基座(301)，所述半导体基座具有有着第一厚度的第一区域、以及有着小于第一厚度的第二厚度的膜(313)，所述膜在所述第一区域内部，所述膜具有至少一个压阻元件(365)，其呈现出响应于所述膜(313)的变形的变化的阻抗；
将第一支撑结构(301)连结到所述半导体基座(310)的第一侧，所述第一支撑结构具有限定为从其通过的孔(307)，所述孔与所述膜(313)对齐；以及
将第二支撑结构(303)连结到所述半导体基座(310)的相反于所述第一支撑结构(301)的第二侧，所述第二支撑结构具有限定为从其通过的孔(309)，所述第二孔与所述膜(313)对齐，
在第一支撑结构(351)中围绕其外边缘形成下切，以限定外凹部(371)，外凹部(371)为排布电连接部提供空间。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述半导体材料是硅。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一支撑结构(301)是玻璃；并且所述第二支撑结构(303)是硅和玻璃中的一种。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，将所述第一支撑结构(301)连结到所述半导体基座(310)通过玻璃浆料连结部(367)实现；以及
其中，如果所述第二支撑结构(303)是由硅制成，则将所述第二支撑结构(303)连结到所述半导体基座(310)通过阳极连结实现，以及如果所述第二支撑结构(303)由玻璃制成，则将所述第二支撑结构连结到所述半导体基座通过玻璃浆料连结部(367)实现。
11.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：
限定电接触垫(305)，所述电接触垫经由限定在所述半导体基座(310)的上表面上的一个或多个导体(375)与所述压阻元件(365)电连通，其中所述电接触垫(305)处于所述半导体膜(310)的所述第一支撑结构(301)之外的上表面上。
CN202110423142.9A 2014-02-28 2015-02-27 压差感测基座 Pending CN113390555A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/193,992 2014-02-28
US14/193,992 US9316552B2 (en) 2014-02-28 2014-02-28 Differential pressure sensing die
CN201580010811.2A CN106461481A (zh) 2014-02-28 2015-02-27 压差感测基座

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580010811.2A Division CN106461481A (zh) 2014-02-28 2015-02-27 压差感测基座

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113390555A true CN113390555A (zh) 2021-09-14

Family

ID=54006640

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110423142.9A Pending CN113390555A (zh) 2014-02-28 2015-02-27 压差感测基座
CN201580010811.2A Pending CN106461481A (zh) 2014-02-28 2015-02-27 压差感测基座

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580010811.2A Pending CN106461481A (zh) 2014-02-28 2015-02-27 压差感测基座

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9316552B2 (zh)
EP (1) EP3111184B1 (zh)
JP (1) JP6590825B2 (zh)
KR (1) KR102257310B1 (zh)
CN (2) CN113390555A (zh)
CA (1) CA2940374A1 (zh)
WO (1) WO2015131085A1 (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9638597B2 (en) * 2014-09-24 2017-05-02 Nxp Usa, Inc. Differential pressure sensor assembly
JP2016095284A (ja) * 2014-11-17 2016-05-26 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体
US9726564B2 (en) * 2015-04-28 2017-08-08 Cummins, Inc. System and method for determining a pressure drop across a filter
US10215655B2 (en) * 2015-12-31 2019-02-26 Honeywell International Inc. Pressure sensor assembly
US10065853B2 (en) * 2016-05-23 2018-09-04 Rosemount Aerospace Inc. Optimized epoxy die attach geometry for MEMS die
US10132705B2 (en) 2016-07-19 2018-11-20 Kulite Semiconductor Products, Inc. Low-stress floating-chip pressure sensors
US10481025B2 (en) 2017-01-26 2019-11-19 Rosemount Aerospace Inc. Piezoresistive sensor with spring flexures for stress isolation
US10036676B1 (en) * 2017-03-15 2018-07-31 Honeywell International Inc. Microelectromechanical systems (MEMS) force die with buried cavity vented to the edges
CN108645560A (zh) * 2018-06-15 2018-10-12 江苏德尔森传感器科技有限公司 精巧型差压传感装置
CN109738107A (zh) * 2019-01-04 2019-05-10 胡靖阳 一种液压油式高稳定的压力传感器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5646072A (en) * 1995-04-03 1997-07-08 Motorola, Inc. Electronic sensor assembly having metal interconnections isolated from adverse media
US20020029639A1 (en) * 2000-01-19 2002-03-14 Measurement Specialities, Inc. Isolation technique for pressure sensing structure
US6450039B1 (en) * 1999-07-16 2002-09-17 Yamatake Corporation Pressure sensor and method of manufacturing the same
US6550337B1 (en) * 2000-01-19 2003-04-22 Measurement Specialties, Inc. Isolation technique for pressure sensing structure
US20050178208A1 (en) * 2004-02-09 2005-08-18 Hubert Benzel Pressure sensor having a silicon chip on a steel diaphragm
US20100122583A1 (en) * 2008-11-19 2010-05-20 Honeywell International Inc. Design of wet/wet differential pressure sensor based on microelectronic packaging process

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5516228A (en) 1978-07-21 1980-02-04 Hitachi Ltd Capacity type sensor
IL82960A0 (en) 1986-06-30 1987-12-20 Rosemount Inc Differential pressure sensor
US4773269A (en) 1986-07-28 1988-09-27 Rosemount Inc. Media isolated differential pressure sensors
US5001934A (en) * 1990-01-02 1991-03-26 Walbro Corporation Solid state pressure sensor
US5465626A (en) * 1994-04-04 1995-11-14 Motorola, Inc. Pressure sensor with stress isolation platform hermetically sealed to protect sensor die
US6311561B1 (en) 1997-12-22 2001-11-06 Rosemount Aerospace Inc. Media compatible pressure sensor
US20010001550A1 (en) * 1998-11-12 2001-05-24 Janusz Bryzek Integral stress isolation apparatus and technique for semiconductor devices
JP4265083B2 (ja) * 2000-05-25 2009-05-20 パナソニック電工株式会社 半導体圧力センサの製造方法
JP2002365152A (ja) * 2001-06-12 2002-12-18 Unisia Jecs Corp 圧力センサ及びその製造方法
JP2003194647A (ja) * 2001-12-28 2003-07-09 Hitachi Unisia Automotive Ltd 外力センサ
JP2004017171A (ja) * 2002-06-12 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 電子部品およびその製造方法
JP2004325220A (ja) * 2003-04-24 2004-11-18 Hitachi Unisia Automotive Ltd 半導体センサ及びその製造方法
US7635077B2 (en) * 2005-09-27 2009-12-22 Honeywell International Inc. Method of flip chip mounting pressure sensor dies to substrates and pressure sensors formed thereby
DE502006009096D1 (de) 2006-02-15 2011-04-28 Grundfos Management As Verfahren zur Herstellung von elektronischen Bauelementen und Drucksensor
JP4249193B2 (ja) * 2006-02-20 2009-04-02 三菱電機株式会社 半導体圧力センサ装置
US7475597B2 (en) * 2006-02-27 2009-01-13 Auxitrol S.A. Stress isolated pressure sensing die
US7661318B2 (en) * 2006-02-27 2010-02-16 Auxitrol S.A. Stress isolated pressure sensing die, sensor assembly inluding said die and methods for manufacturing said die and said assembly
US7713771B2 (en) 2006-09-01 2010-05-11 Grundfos A/S Pressure sensor
US7503221B2 (en) * 2006-11-08 2009-03-17 Honeywell International Inc. Dual span absolute pressure sense die
EP1953516B1 (en) * 2007-01-31 2011-03-09 Infineon Technologies AG Micromechanical pressure sensing device
JP2008256495A (ja) * 2007-04-04 2008-10-23 Denso Corp センサ装置
US7644625B2 (en) * 2007-12-14 2010-01-12 Honeywell International Inc. Differential pressure sense die based on silicon piezoresistive technology
US7578194B1 (en) * 2008-02-11 2009-08-25 Sensata Technologies, Inc. Differential fluid pressure measurement apparatus
US8297125B2 (en) 2008-05-23 2012-10-30 Honeywell International Inc. Media isolated differential pressure sensor with cap
DE102008043382B4 (de) * 2008-11-03 2017-01-19 Robert Bosch Gmbh Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US8164153B2 (en) * 2009-05-27 2012-04-24 Continental Automotive Systems, Inc. Thin semiconductor device having embedded die support and methods of making the same
US8322225B2 (en) * 2009-07-10 2012-12-04 Honeywell International Inc. Sensor package assembly having an unconstrained sense die
US8191423B2 (en) * 2010-03-29 2012-06-05 Continental Automotive Systems, Inc. Grooved structure for die-mount and media sealing
EP2395336B1 (en) * 2010-06-08 2018-08-01 Sensata Technologies, Inc. Hermetically sealed pressure sensing device
US8171800B1 (en) 2011-01-25 2012-05-08 Continental Automotive Systems, Inc. Differential pressure sensor using dual backside absolute pressure sensing
US8466523B2 (en) 2011-10-07 2013-06-18 Continental Automotive Systems, Inc. Differential pressure sensor device
US8701496B1 (en) * 2013-02-27 2014-04-22 Honeywell International Inc. Systems and methods for a pressure sensor having a two layer die structure

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5646072A (en) * 1995-04-03 1997-07-08 Motorola, Inc. Electronic sensor assembly having metal interconnections isolated from adverse media
US6450039B1 (en) * 1999-07-16 2002-09-17 Yamatake Corporation Pressure sensor and method of manufacturing the same
US20020029639A1 (en) * 2000-01-19 2002-03-14 Measurement Specialities, Inc. Isolation technique for pressure sensing structure
US6550337B1 (en) * 2000-01-19 2003-04-22 Measurement Specialties, Inc. Isolation technique for pressure sensing structure
US20050178208A1 (en) * 2004-02-09 2005-08-18 Hubert Benzel Pressure sensor having a silicon chip on a steel diaphragm
US20100122583A1 (en) * 2008-11-19 2010-05-20 Honeywell International Inc. Design of wet/wet differential pressure sensor based on microelectronic packaging process

Also Published As

Publication number Publication date
JP6590825B2 (ja) 2019-10-16
EP3111184A1 (en) 2017-01-04
CA2940374A1 (en) 2015-09-03
US9316552B2 (en) 2016-04-19
WO2015131085A1 (en) 2015-09-03
KR102257310B1 (ko) 2021-05-28
EP3111184B1 (en) 2018-12-26
JP2017512307A (ja) 2017-05-18
CN106461481A (zh) 2017-02-22
KR20160143659A (ko) 2016-12-14
EP3111184A4 (en) 2017-12-06
US20150247773A1 (en) 2015-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102271591B1 (ko) 차압 센서
KR102276887B1 (ko) 차압 감지 다이를 위한 패키지
EP3111184B1 (en) Differential pressure sensing die
US7540196B2 (en) Pressure transducer adapted to measure engine pressure parameters
US7673518B2 (en) Compact absolute and gage pressure transducer having a mounting apparatus for accurately positioning and aligning a leadless semiconductor chip on an associated header
EP1055106A2 (en) Media compatible packages for pressure sensing devices
WO2000045143A1 (en) Media compatible packages for pressure sensing devices
CN107782485B (zh) 集成有共模误差补偿的差压传感器
US10466125B2 (en) Pressure sensor sub assembly and fabrication
CN114295281A (zh) 差压传感器及其使用方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20210914

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication