CN113387695A - 一种5g通信用低介高品质微波介质陶瓷及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了5G通信用低介高品质微波介质陶瓷及其制备方法，方法包括：(1)将纯度为99.99％的原料Co2O3和Al2O3按摩尔比1：2进行配料；(2)将配料、球磨锆球、无水乙醇进行湿法球磨，得到泥浆状原料；(3)将泥浆状原料烘干至恒重，得到干燥的混合料；(4)将混合料过筛分散，后预烧，制得CoAl2O4粉体；(5)将的CoAl2O4粉体加入无水乙醇，研磨分散，形成CoAl2O4浆料；(6)将CoAl2O4浆料烘干至恒重，得到CoAl2O4化合物粉末；(7)将CoAl2O4化合物粉末过筛，取筛下料加入聚乙烯醇溶液，混合均匀后将粉料颗粒过筛，取筛下料压制成圆柱体生坯；(8)将圆柱体生坯置于高温炉中升温，以进行排胶处理；(9)将排胶处理后的圆柱体生坯进行烧结处理，得到CoAl2O4微波介质陶瓷。
Description
技术领域
本发明属于5G通讯用微波介质陶瓷材料制造技术领域，具体涉及一种具有低介电常数(εr)和高品质因数(Qf)微波介质陶瓷及其制备方法。
背景技术
5G通信作为下一代移动通信、WIFI、蓝牙、物联网等通信技术的主要发展方向，是各国政府和高科技企业大力发展和激烈争夺的明星产业，在军用和民用的科技发展上具有重要意义和战略制高点。5G通讯技术优势在于其数据传输速率(20Gbit/s)远远高于以前的蜂窝网络，比当前4G LTE网络快100倍。其另一个优点是具有较低的网络延迟(低于1毫秒)，而4G为30–70毫秒。
2019年是我国5G元年，工信部已经规划2020-2025年5G系统将使用3GHz-5GHz厘米波频段(sub6GHz频段)，2025-2030年实现5G的24GHz-28GHz亚毫米波频段覆盖。不同于工作在分米波和厘米波段的2G/3G/4G移动通信，在亚毫米波段，金属材料损耗太大，聚四氟FR4板损耗大和热稳定性差，Roges板价格昂贵，高介电常数陶瓷材料信号传输延迟时间太长，均不适合作为未来5G元器件的介质材料使用。结合我国5G技术在亚毫米波频段的产业布局，开发介质材料新体系成为我国社会经济发展和国家安全战略的重要课题。
微波介质陶瓷是应用于微波频段电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷材料。作为一种新型电子材料，微波介质陶瓷在现代通信中广泛用作移动通信基站与终端元器件的关键材料。随着通信频段逐渐朝毫米波方向发展，亟需探索新型微波介质陶瓷以满足5G通讯技术的性能需求。
根据电磁传播公式，
tpd＝延迟时间，l＝传输距离，εr＝介质陶瓷介电常数，c＝光速，无线电波在介质中延迟时间取决该载波介质的介电常数大小。5G系统要求信号响应与传输时间延迟低于1毫秒，这便要求整体系统中各元器件对信号响应的延迟时间要远低于1毫秒。因此，5G基站和终端器件如天线、谐振器、滤波器、双工器和基板等要求使用低介电常数(εr＜10)材料作为信号响应与传输介质，从而降低信号响应与传输的延迟时间。另一方面，超低损耗(高品质因数Qf＞20000GHz)可以减少5G信号在传输过程衰减并增加选频精度。近零谐振频率温度系数(τf～0ppm/℃)可以保证器件中心工作频率的温度稳定性，减少频率漂移。
目前，在24GHz-28GHz频段下实现商业化应用的低介电常数介质陶瓷主要是美国Ferro公司的A6M和DuPont公司的9K7产品。三星公司使用A6M进行5G陶瓷天线研究，其中心频率在28GHz，3dB带宽在60MHz，但是介电损耗在10-2数量级，仍有待提高。关于应用于24GHz频段以上的5G微波陶瓷，国际上处于紧张上马的起步阶段，发展前景和市场巨大。
发明内容
针对5G技术的广泛应用前景和巨大的经济利益，结合目前5G陶瓷材料研究的薄弱环节，本发明提出一种5G通信用低介高品质微波介质陶瓷及其制备方法。本发明聚焦铝酸盐基低介电常数材料，通过调控制备工艺，获得了高性能低介陶瓷体系。
为了达到上述发明目的，本发明采用以下技术方案：
一种5G通信用低介高品质微波介质陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
(1)配料：根据CoAl2O4的化学式，将纯度为99.99％的原料Co2O3、Al2O3按1：2摩尔比进行配料；
(2)混料：将步骤(1)的配料、球磨锆球、无水乙醇按照预设的质量比置于球磨机中进行湿法球磨，得到泥浆状原料；
(3)烘干：将步骤(2)的泥浆状原料置入烘箱中烘干至恒重，得到干燥的混合料；
(4)预烧：将步骤(3)的混合料过筛分散，然后置入高温炉中预烧，制得CoAl2O4粉体；
(5)球磨：将步骤(4)的CoAl2O4粉体加入两倍粉体质量的无水乙醇，置于球磨机中研磨分散，形成CoAl2O4浆料；
(6)烘干：将步骤(5)的CoAl2O4浆料置于烘箱中烘干至恒重，得到CoAl2O4化合物粉末；
(7)造粒：将步骤(6)的CoAl2O4化合物粉末过120目筛，取筛下料加入聚乙烯醇溶液，混合均匀后将粉料颗粒过60目筛，取筛下料压制成圆柱体生坯；
(8)排胶：将步骤(7)的圆柱体生坯置于高温炉中升温，以进行排胶处理；
(9)烧结：将步骤(8)排胶处理后的圆柱体生坯进行烧结处理，得到CoAl2O4微波介质陶瓷。
作为优选方案，步骤(2)，将步骤(1)的配料倒入球磨机中，加入球磨介质和无水乙醇，连续球磨6h以上。
作为优选方案，步骤(2)中，原料、氧化锆球磨介质、无水乙醇的质量比为1：5∶3。
作为优选方案，球磨机为行星式球磨机，转速控制为180r/min。
作为优选方案，所述步骤(4)中的预烧温度为1200℃。
作为优选方案，所述步骤(7)中，聚乙烯醇溶液的添加量为过筛后的CoAl2O4化合物粉末质量的4～6wt％。
作为优选方案，所述步骤(8)中，排胶处理的工艺包括：以5℃/min的速度升温至600℃，保温2h后降温至室温。
作为优选方案，所述步骤(9)中，烧结处理的工艺包括：以5℃/min的速度升温至1450～1550℃，烧结3h；然后以1℃/min的速度降温至1100℃，最后自然降温。
作为优选方案，所述步骤(4)中，预烧的工艺包括：预烧温度为1200～1300℃，预烧时间3h。
作为优选方案，所述步骤(1)之前，还包括：将原料Co2O3、Al2O3分别放入球磨机连续球磨6h以上。在步骤(2)中，原料、氧化锆球磨介质、无水乙醇的质量比为1：5：3。
作为优选方案，所述步骤(9)之后还包括以下步骤：
(10)后期机械加工：将烧结后的微波介质陶瓷CoAl2O4进行研磨抛光。
作为优选方案，所述Co2O3的纯度为99.99％，所述Al2O3的纯度为99.99％。
作为优选方案，步骤(7)中，所述圆柱体生坯的直径为12mm，高度为5mm。
本发明还提供如上任一方案所述的制备方法制得的具有优异性能的低介微波介质陶瓷，介电常数εr为8.5～9.4，品质因数Qf为22000～30450GHz，谐振频率温度系数τf为–42～–44ppm/℃。
本发明制得的微波介质陶瓷的化学表达式为：CoAl2O4，其主要原料为Co2O3、Al2O3高纯粉末，其具体的制备方法主要包括：配料、球磨、预烧、二次球磨、压片、烧结，通过调控制备工艺条件合成的CoAl2O4陶瓷性能稳定，微波介电性能优异，在新一代5G无线通讯器件如天线基板、滤波器等元器件中有极大的应用价值。
附图说明
图1为本发明实施例1～5的5G通信用低介高品质微波介质陶瓷的XRD图谱；
图2为本发明实施例1、3、5的5G通信用低介高品质微波介质陶瓷的扫描电子显微照片(SEM)。
具体实施方式
下面通过具体实施例对本发明的技术方案作进一步描述说明。实施例1：
本实施例的5G通信用低介高品质微波介质陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
(1)配料：Co2O3(纯度99.99％)、Al2O3(纯度99.99％)按照CoAl2O4的化学计量1：2摩尔比进行配比。
(2)混料：将上述混合料倒入球磨机中，按1：5：3的质量比分别加入球磨介质和无水乙醇，置于行星式球磨机中，以180r/min的转速球磨6h，得到浆料；
(3)烘干：将球磨后的浆料倒出，置入烘箱中于70℃下干燥至恒重，得到干燥的混合料；
(4)预烧：将上一步得到的干燥混合料在研钵中研磨然后过100目标准筛，分散混合料后，置入高温炉中预烧3h，预烧温度为1200℃，升温速度为5℃/min，使混合料初步反应合成CoAl2O4化合物；
(5)球磨：将初步合成的CoAl2O4化合物加入50g无水乙醇置于球磨机中以180r/min的转速研磨6h，形成粒径细化的CoAl2O4化合物；
(6)烘干：将CoAl2O4化合物浆料取出，置于烘箱中70℃下干燥至恒重，得到初步合成的CoAl2O4化合物；
(7)造粒：将上一步得到的恒重CoAl2O4化合物过40目标准筛使颗粒分散均匀，之后按照过筛后的CoAl2O4化合物的6wt％质量百分比加入聚乙烯醇溶液(PVA)作为粘合剂，混合均匀后，将粉料置于模具中于200Mpa压力下压制成直径为12mm、厚度约为5mm的圆柱体生坯；
(8)排胶：将压成的圆柱体置于高温炉中以5℃/min的速度升温至600℃，保温2h以排除圆柱体中的PVA；
(9)烧结：排胶后以5℃/min的速度将温度升至1450℃烧结3h，然后以1℃/min的速度降温至1100℃，最后设置为自然降温；
(10)后期机械加工：将烧结好的CoAl2O4陶瓷进行研磨抛光，得到表面平整光滑的陶瓷成品。
如图1所示，为本实施例的制备得到的CoAl2O4微波介质陶瓷的XRD图谱，XRD结果表明明微波介质陶瓷材料成分为CoAl2O4。
以下实施例的CoAl2O4微波介质陶瓷的XRD图谱同本实施例，之后不赘述。
附图2(a)为本实施例制备得到CoAl2O4微波介质陶瓷的SEM图，由图可知，晶粒尺寸较小，平均晶粒尺寸为0.88μm，晶粒间堆垛不紧密。
实施例2：
本实施例的5G通信用低介高品质微波介质陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
(1)配料：Co2O3(纯度99.99％)、Al2O3(纯度99.99％)按照CoAl2O4的化学计量1：2摩尔比进行配比。
(2)混料：将上述混合料倒入球磨机中，按1：5：3的质量比分别加入球磨介质和无水乙醇，置于行星式球磨机中，以180r/min的转速球磨6h，得到浆料；
(3)烘干：将球磨后的浆料倒出，置入烘箱中于70℃下干燥至恒重，得到干燥的混合料；
(4)预烧：将上一步得到的干燥混合料在研钵中研磨然后过100目标准筛，分散混合料后，置入高温炉中预烧3h，预烧温度为1200℃，升温速度为5℃/min，使混合料初步反应合成CoAl2O4化合物；
(5)球磨：将初步合成的CoAl2O4化合物加入50g无水乙醇置于球磨机中以180r/min的转速研磨6h，形成粒径细化的CoAl2O4化合物；
(6)烘干：将CoAl2O4化合物浆料取出，置于烘箱中70℃下干燥至恒重，得到初步合成的CoAl2O4化合物；
(7)造粒：将上一步得到的恒重CoAl2O4化合物过40目标准筛使颗粒分散均匀，之后按照过筛后的CoAl2O4化合物的6wt％质量百分比加入聚乙烯醇溶液(PVA)作为粘合剂，混合均匀后，将粉料置于模具中于200Mpa压力下压制成直径为12mm、厚度约为5mm的圆柱体生坯；
(8)排胶：将压成的圆柱体置于高温炉中以5℃/min的速度升温至600℃，保温2h以排除圆柱体中的PVA；
(9)烧结：排胶后以5℃/min的速度将温度升至1475℃烧结3h，然后以1℃/min的速度降温至1100℃，最后设置为自然降温；
(10)后期机械加工：将烧结好的CoAl2O4陶瓷进行研磨抛光，得到表面平整光滑的陶瓷成品。
实施例3：
本实施例的5G通信用低介高品质微波介质陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
(1)配料：Co2O3(纯度99.99％)、Al2O3(纯度99.99％)按照CoAl2O4的化学计量1：2摩尔比进行配比。
(2)混料：将上述混合料倒入球磨机中，按1：5：3的质量比分别加入球磨介质和无水乙醇，置于行星式球磨机中，以180r/min的转速球磨6h，得到浆料；
(3)烘干：将球磨后的浆料倒出，置入烘箱中于70℃下干燥至恒重，得到干燥的混合料；
(4)预烧：将上一步得到的干燥混合料在研钵中研磨然后过100目标准筛，分散混合料后，置入高温炉中预烧3h，预烧温度为1200℃，升温速度为5℃/min，使混合料初步反应合成CoAl2O4化合物；
(5)球磨：将初步合成的CoAl2O4化合物加入50g无水乙醇置于球磨机中以180r/min的转速研磨6h，形成粒径细化的CoAl2O4化合物；
(6)烘干：将CoAl2O4化合物浆料取出，置于烘箱中70℃下干燥至恒重，得到初步合成的CoAl2O4化合物；
(7)造粒：将上一步得到的恒重CoAl2O4化合物过40目标准筛使颗粒分散均匀，之后按照过筛后的CoAl2O4化合物的6wt％质量百分比加入聚乙烯醇溶液(PVA)作为粘合剂，混合均匀后，将粉料置于模具中于200Mpa压力下压制成直径为12mm、厚度约为5mm的圆柱体生坯；
(8)排胶：将压成的圆柱体置于高温炉中以5℃/min的速度升温至600℃，保温2h以排除圆柱体中的PVA；
(9)烧结：排胶后以5℃/min的速度将温度升至1500℃烧结3h，然后以1℃/min的速度降温至1100℃，最后设置为自然降温；
(10)后期机械加工：将烧结好的CoAl2O4陶瓷进行研磨抛光，得到表面平整光滑的陶瓷成品。
附图2(b)为本实施例陶瓷的微观结构图，相比于实施例1，晶粒尺寸(3.79μm)有一定程度的增大且晶粒间堆垛更为紧密。
实施例4：
本实施例的5G通信用低介高品质微波介质陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
(1)配料：Co2O3(纯度99.99％)、Al2O3(纯度99.99％)按照CoAl2O4的化学计量1∶2摩尔比进行配比。
(2)混料：将上述混合料倒入球磨机中，按1：5：3的质量比分别加入球磨介质和无水乙醇，置于行星式球磨机中，以180r/min的转速球磨6h，得到浆料；
(3)烘干：将球磨后的浆料倒出，置入烘箱中于70℃下干燥至恒重，得到干燥的混合料；
(4)预烧：将上一步得到的干燥混合料在研钵中研磨然后过100目标准筛，分散混合料后，置入高温炉中预烧3h，预烧温度为1200℃，升温速度为5℃/min，使混合料初步反应合成CoAl2O4化合物；
(5)球磨：将初步合成的CoAl2O4化合物加入50g无水乙醇置于球磨机中以180r/min的转速研磨6h，形成粒径细化的CoAl2O4化合物；
(6)烘干：将CoAl2O4化合物浆料取出，置于烘箱中70℃下干燥至恒重，得到初步合成的CoAl2O4化合物；
(7)造粒：将上一步得到的恒重CoAl2O4化合物过40目标准筛使颗粒分散均匀，之后按照过筛后的CoAl2O4化合物的6wt％质量百分比加入聚乙烯醇溶液(PVA)作为粘合剂，混合均匀后，将粉料置于模具中于200Mpa压力下压制成直径为12mm、厚度约为5mm的圆柱体生坯；
(8)排胶：将压成的圆柱体置于高温炉中以5℃/min的速度升温至600℃，保温2h以排除圆柱体中的PVA；
(9)烧结：排胶后以5℃/min的速度将温度升至1525℃烧结3h，然后以1℃/min的速度降温至1100℃，最后设置为自然降温；
(10)后期机械加工：将烧结好的CoAl2O4陶瓷进行研磨抛光，得到表面平整光滑的陶瓷成品。
实施例5：
本实施例的5G通信用低介高品质微波介质陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
(1)配料：Co2O3(纯度99.99％)、Al2O3(纯度99.99％)按照CoAl2O4的化学计量1：2摩尔比进行配比。
(2)混料：将上述混合料倒入球磨机中，按1：5：3的质量比分别加入球磨介质和无水乙醇，置于行星式球磨机中，以180r/min的转速球磨6h，得到浆料；
(3)烘干：将球磨后的浆料倒出，置入烘箱中于70℃下干燥至恒重，得到干燥的混合料；
(4)预烧：将上一步得到的干燥混合料在研钵中研磨然后过100目标准筛，分散混合料后，置入高温炉中预烧3h，预烧温度为1200℃，升温速度为5℃/min，使混合料初步反应合成CoAl2O4化合物；
(5)球磨：将初步合成的CoAl2O4化合物加入50g无水乙醇置于球磨机中以180r/min的转速研磨6h，形成粒径细化的CoAl2O4化合物；
(6)烘干：将CoAl2O4化合物浆料取出，置于烘箱中70℃下干燥至恒重，得到初步合成的CoAl2O4化合物；
(7)造粒：将上一步得到的恒重CoAl2O4化合物过40目标准筛使颗粒分散均匀，之后按照过筛后的CoAl2O4化合物的6wt％质量百分比加入聚乙烯醇溶液(PVA)作为粘合剂，混合均匀后，将粉料置于模具中于200Mpa压力下压制成直径为12mm、厚度约为5mm的圆柱体生坯；
(8)排胶：将压成的圆柱体置于高温炉中以5℃/min的速度升温至600℃，保温2h以排除圆柱体中的PVA；
(9)烧结：排胶后以5℃/min的速度将温度升至1550℃烧结3h，然后以1℃/min的速度降温至1100℃，最后设置为自然降温；
(10)后期机械加工：将烧结好的CoAl2O4陶瓷进行研磨抛光，得到表面平整光滑的陶瓷成品。
附图2(c)为本实施例陶瓷的微观结构图，相比于实施例1和3，晶粒尺寸(5.10μm)进一步增大，且晶粒间堆垛紧密。
采用Hakki-Coleman提出的介质谐振腔法测试圆柱体陶瓷谐振频率下的微波介电性能，上述实施例具体的性能对比如下表1所示。上述五个实施例中，实施例5陶瓷的品质因数最高，其值为30450GHz；实施例5陶瓷的介电常数相对较大，其值为9.4；各实施例陶瓷的谐振频率温度系数相差不大，其值在–42ppm/℃附近。
表1各实施例CoAl2O4陶瓷的烧结温度与微波介电性能
| 烧结温度(℃) | ε<sub>r</sub> | Qf(GHz) | τ<sub>f</sub>(ppm/℃) | |
| 实施例1 | 1450 | 8.5 | 22000 | –42 |
| 实施例2 | 1475 | 8.7 | 25680 | –42.5 |
| 实施例3 | 1500 | 9.05 | 28700 | –43 |
| 实施例4 | 1525 | 9.2 | 30218 | –43.8 |
| 实施例5 | 1550 | 9.4 | 30450 | –44 |
本发明实施例中制备的5G通信用低介高品质微波介质陶瓷，其介电常数均小于10，能够满足未来高频通信领域中对介质材料的应用需求。同时，各实施例中CoAl2O4陶瓷表现出优异的品质因数，能保证通讯器件良好的频率选择性。最后，本实施例中CoAl2O4陶瓷谐振频率温度系数在–42ppm/℃附近，在器件正常工作中不会引起工作频率的剧烈变化。
在上述实施例及其替代方案中，步骤(4)中，预烧温度还可以为1220℃、1240℃、1260℃、1280℃等。
在上述实施例及其替代方案中，步骤(3)中烘干的温度还可以为60℃、65℃、75℃、80℃等。
在上述实施例及其替代方案中，步骤(6)中烘干的温度还可以为60℃、65℃、75℃、80℃等。
在上述实施例及其替代方案中，步骤(7)中的聚乙烯醇溶液(PVA)的添加量占CoAl2O4化合物的质量百分比还可以为4wt％、4.5wt％、5wt％、5.5wt％等。
在上述实施例及其替代方案中，步骤(7)中，压制的压力还可以为100Mpa、120Mpa、150Mpa、160Mpa、180Mpa等。
在上述实施例及其替代方案中，在步骤(1)配料前，原料分别放入球磨机连续球磨6h以上；在步骤(2)中，原料、氧化锆球磨介质、无水乙醇的质量比为1：5：3，保证原料颗粒的均匀性。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求保护范围内。
Claims (10)
1.一种5G通信用低介高品质微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将纯度为99.99％的原料Co2O3和Al2O3按摩尔比1：2进行配料；
(2)将步骤(1)的粉料、球磨锆球、无水乙醇按照预设的质量比置于球磨机中进行湿法球磨，得到泥浆状原料；
(3)将步骤(2)的泥浆状原料置入烘箱中烘干至恒重，得到干燥的混合料；
(4)将步骤(3)的混合料过筛分散，后置入高温炉中预烧，制得CoAl2O4粉体；
(5)将步骤(4)的CoAl2O4粉体加入两倍粉体质量的无水乙醇溶液，置于球磨机中研磨分散，形成CoAl2O4浆料；
(6)将步骤(5)的CoAl2O4浆料置于烘箱中烘干至恒重，得到CoAl2O4化合物粉末；
(7)将步骤(6)的CoAl2O4化合物粉末过120目筛，取筛下料加入聚乙烯醇溶液，混合均匀后将粉料颗粒过60目筛，取筛下料压制成圆柱体生坯；
(8)将步骤(7)的圆柱体生坯置于高温炉中升温，以进行排胶处理；
(9)将步骤(8)排胶处理后的圆柱体生坯进行烧结处理，得到CoAl2O4微波介质陶瓷。
2.根据权利要求1所述的一种5G通信用低介高品质微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(2)，将步骤(1)的配料倒入球磨机中，加入球磨介质和无水乙醇，连续球磨6h以上。
3.根据权利要求1所述的一种5G通信用低介高品质微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，原料、氧化锆球磨介质、无水乙醇的质量比为1：5：3。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种5G通信用低介高品质微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述球磨机为行星式球磨机，转速控制为180r/min。
5.根据权利要求1所述的一种5G通信用低介高品质微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中，预烧的工艺包括：预烧温度为1200～1300℃，预烧时间3h。
6.根据权利要求1所述的一种5G通信用低介高品质微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤(7)中，聚乙烯醇溶液的添加量为过筛后的CoAl2O4化合物粉末质量的4～6wt％。
7.根据权利要求1所述的一种5G通信用低介高品质微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤(8)中，排胶处理包括：以5℃/min的速度升温至600℃，保温2h后降至室温。
8.根据权利要求1所述的一种5G通信用低介高品质微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤(9)中，烧结处理包括：以5℃/min的速度升温至1450～1550℃，烧结3h；以1℃/min的速度降温至1100℃，后自然冷却至室温。
9.根据权利要求1-3、5-8任一项所述的一种5G通信用低介高品质微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤(9)之后还包括以下步骤：
(10)将烧结后的CoAl2O4微波介质陶瓷进行研磨抛光。
10.如权利要求1-9任一项所述的制备方法制得的5G通信用低介高品质微波介质陶瓷，其特征在于，介电常数εr为8.5～9.4，品质因数Qf为22000～30450GHz，谐振频率温度系数τf为–42～–44ppm/℃。
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