CN113380730A - 具有改进夹具的半导体封装 - Google Patents
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Abstract
本文提供了一种具有改进的夹具的半导体封装。在一些实施例中,半导体封装可以包括壳体,其具有从主体延伸的壁以及从壁延伸的一组支撑壁。半导体封装还可以包括在该组支撑壁之间延伸的夹具,夹具具有:耦接到该组支撑壁中第一支撑壁的第一平面部分,耦接到该组支撑壁中第二支撑壁的第二平面部分,以及位于第一和第二平面部分之间的第三平面部分。第三平面部分可以包括可操作为接收紧固件的开口,以及多个应力释放开口。
Description
技术领域
本公开总体上涉及半导体器件封装,并且更具体地涉及具有改进夹具(clamp)的半导体封装。
背景技术
半导体器件封装通常包括将封装安装或以其他方式耦接到印刷电路板(PCB)(母板)或其他元件上的元件。这种安装元件有时包括配置成压入配合到PCB/母板或其他元件的销接收器的销。一些封装类型提供有附接机构,诸如夹具,用于将封装机械式附接到下面的载体,诸如印刷电路板或陶瓷载体。这些载体可以包括导热元件,封装可以附接于其上。
在一些现有技术的方式中,附接机构在封装与封装所附接到的载体之间未提供合适的接触。这种不良附接可能减少封装和载体之间的热传递。在其他现有技术方式中,夹具上的应力很高,这可能引起变形和破裂,继而导致夹具和/或半导体器件封装的故障。
因此,期望提供一种包括改进夹具的半导体器件封装,该改进的夹具在降低应力的情况下增强热传递。
发明内容
鉴于上述,在一个方式中,半导体封装可以包括壳体,其具有从主体延伸的壁,以及从所述壁延伸的一组支撑壁。半导体封装还可以包括在该组支撑壁之间延伸的夹具,夹具具有耦接到该组支撑壁中第一支撑壁的第一平面部分,耦接到该组支撑壁中第二支撑壁的第二平面部分,以及第一平面部分和第二平面部分之间的第三平面部分。第三平面部分可以包括可操作为接收(receive)紧固件的开口,以及多个应力释放开口。
在另一方式中,功率半导体封装可以包括壳体,其具有从主体延伸的壁以及从所述壁延伸的第一组支撑壁和第二组支撑壁。功率半导体封装还可以包括在第一组支撑壁之间延伸的第一夹具和在第二组支撑壁之间延伸的第二夹具。第一和第二夹具中的每个可以包括耦接到该组支撑壁中第一支撑壁的第一平面部分,耦接到该组支撑壁中第二支撑壁的第二平面部分,以及在第一平面部分和第二平面部分之间的第三平面部分。第三平面部分可以包括可操作为接收紧固件的开口,以及多个应力释放开口。
在又一方式中,组件可以包括散热器和耦接到散热器的功率半导体模块。功率半导体模块可以包括壳体,其具有从主体延伸的壁和从所述壁延伸的一组支撑壁。功率半导体模块还可以包括在该组支撑壁之间延伸的夹具,夹具包括耦接到该组支撑壁中第一支撑壁的第一平面部分,耦接到该组支撑壁中第二支撑壁的第二平面部分,以及在第一平面部分和第二平面部分之间的第三平面部分,其中第三平面部分包括可操作为接收紧固件的开口,以及多个应力释放开口。
附图说明
图1是根据本公开示例性实施例的在载体上面的半导体封装的透视图。
图2是根据本公开示例性实施例的图1的载体和半导体封装的顶视图。
图3是根据本公开示例性实施例的图1的载体和半导体封装的端视图。
图4是根据本公开示例性实施例的半导体封装的透视图。
图5是根据本公开示例性实施例的图4的半导体封装的顶视图。
图6是根据本公开示例性实施例的半导体封装的夹具的透视图。
图7是根据本公开示例性实施例的图6的夹具的顶视图。
图8是根据本公开示例性实施例的图6的夹具的侧视图。
附图不一定按比例绘制。附图仅仅是代表性的,而不旨在于描绘本公开的具体参数。附图旨在于描绘本公开的典型实施例,并因此不应被视为范围上的限制。附图中相似的编号代表相似的元件。
而且,为了图示清楚起见,某些元件在一些附图中可以省略,或者未按比例示出。而且,为了清楚起见,一些参考编号在某些附图中可以省略。
具体实施方式
现在将在下文参考附图更全面地描述根据本公开的实施例。系统/电路和方法可以通过多种不同形式来体现,并且不应当解释为限制本文所阐述的实施例。相反,提供这些实施例使得本公开将是彻底和完整的,并将向本领域技术人员充分传达系统和方法的范围。
如上所述,本文的实施例有利地提供了一种包括改进夹具的半导体器件封装,该改进夹具能够在安装期间在降低应力的情况下提供更好的热传递和更高的可靠性。相比于现有技术的方式,在将半导体器件封装固定到散热器上时,夹具的长度可以加长以增强稳定性。而且,例如当固定到散热器上时,夹具和半导体器件封装中的应力可以通过穿过夹具的中央部分形成的一个或多个切口而减小。尽管是非限制的,本文所描述的半导体器件封装可以应用于各种设置的功率应用,诸如汽车(电力或燃油)、风力涡轮机、太阳能板、发电厂、工业机器等等。
现在参考图1-图3,将描述根据本公开实施例的组件100。如所示,组件100可以包括耦接到载体106的功率半导体模块/封装(此后称为“封装”)105,载体106可以是衬底和/或散热器。封装105可以包括壳体108,其具有主体110和围绕主体110的周边延伸的壁112。壁112可以包括一对端壁114A、114B和一对侧壁116A、116B。如所示,这对端壁114A、114B和这对侧壁116A、116B从主体110垂直延伸。
主体110还可以包括多个端子开口118,其被配置成接收一个或多个压入配合的销或端子(未示出)。主体110和壁112限定了内部腔室,其容纳耦接到载体106的一个或多个半导体器件。在一些实施例中,半导体器件可以包括一个或多个功率半导体管芯,诸如一个或多个功率金属氧化物-半导体场效应晶体管(功率MOSFET)、一个或多个绝缘栅双极性晶体管(IGBT)等等。
在一些实施例中,载体106可以包括多个层。例如,载体106可以包括耦接到基板的衬底或功率电子衬底,基板继而可以耦接到散热器或类似物。在其他实施例中,可以省略基板,并且衬底可以直接耦接到散热器或类似物。通过非限制性示例,功率电子衬底可以包括直接键合铜(DBC)衬底、活性金属钎焊(AMB)衬底、绝缘金属衬底(IMS)、陶瓷衬底等等。在封装105不是功率模块的实现中,可以使用不同类型的衬底。
延伸穿过端子开口118的每个销可以耦接到载体106。例如,载体106可以包括其上的连接迹线,部分或全部迹线与电触点直接或间接耦接。每个销例如可以焊接到连接迹线之一,或者使用导电粘合剂耦接到连接迹线,和/或可以使用其他连接机制。一些衬底可以包括底部销耦接器,诸如空心元件,每一个都耦接到连接迹线之一并且每一个都被配置成通过摩擦配合、粘合剂、焊接等接收一个销的下端。每个底部销耦接器可以使用焊料、导电粘合剂等附着到连接迹线之一。
封装105还可以包括耦接到壳体110的一组支撑壁122的一个或多个夹具120。如所示,支撑壁122和夹具120可以耦接到一对端壁114A、114B,或从其延伸。每个夹具120可以包括耦接到或嵌入在每个支撑壁122中的平面部分(未示出)。
如进一步示出的,每个夹具120的开口130可以接收紧固件132(图3)。紧固件132可以是螺钉、螺栓、铆钉、粘合剂、焊料等,其将封装105耦接到载体106。在一个非限制性实施例中,开口130和紧固件132可以具有圆形形状。在使用期间,当紧固件132穿过开口130插入并向下拧紧(例如,用螺钉拧紧)到载体106时,每个夹具120的中央部分135可以向载体106移动。因此,中央部分135向下移动,与载体106的顶表面136紧密配合或邻接。夹具120的中央部分135与载体106之间的接触可以增加热传递,从而致使封装105的组件温度降低。
现在转到图4-图5,将描述根据本公开实施例的可替换封装205。封装205在很多方面可以与上面描述的封装105相同或类似。因而,出于简洁起见,下面将只讨论封装205的某些方面。如所示,封装205可以包括壳体208,其具有主体210和围绕主体210的周边延伸的壁212。壁212可以包括一对端壁214A、214B和一对侧壁216A、216B。如所示,这对端壁214A、214B和这对侧壁216A、216B从主体210垂直延伸。主体210和壁212一起限定了内部腔室(未示出),用于遮盖一个或多个半导体器件。
封装205还可以包括耦接到壳体210的一组支撑壁222的一个或多个夹具220。如所示,支撑壁222和夹具220可以耦接到一对侧壁216A、216B,或从其延伸。每个夹具220可以包括耦接到或嵌入在每个支撑壁222中的平面部分(未示出)。
现在转到图6-图8,将描述根据本公开实施例的示例性夹具320。夹具320可以与上面描述的夹具120和夹具220相同或类似。如所示,夹具320可以包括第一平面部分350、第二平面部分352和在第一和第二平面部分350、352之间的中央/第三部分335。在一些实施例中,第一和第二平面部分350、352的每个可以包括一个或多个附接开口358以增大夹具320与封装的支撑壁之间的耦接。例如,在封装形成期间,注塑成型材料(例如聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)或聚苯硫醚(PPS))可以进入附接开口358,以便随着注塑成型材料的固化,在夹具320和封装之间提供增大的附接。虽然一般显示为圆形,但将理解,附接开口358可以采取任何不同的形状、配置、数量等。
中央部分335可以通过一对成角度区部(angled portion)连接到第一和第二平面部分350、352。例如,第一成角度区部360可以将第一平面部分350连接到中央部分335,并且第二成角度区部362可以将第二平面部分352连接到中央部分335。在一些实施例中,第一弯曲件370可以将第一成角度区部360连接到第一平面部分350、第二弯曲件371可以将第一成角度区部360连接到中央部分335,第三弯曲件372可以将第二成角度区部362连接到第二平面部分352,以及第四弯曲件373可以将第二成角度区部362连接到中央部分335。
如图8中最佳示出的,第一和第二平面部分350、352沿着第一平面延伸,并且中央部分335沿着不同于第一平面的第二平面延伸。第一和第二平面大体上彼此平行延伸,如平面高度(“H”)差所示出的。如图7中最佳示出的,中央部分335与第一和第二成角度区部360、362的宽度“W1”大于第一和第二平面部分350、352的宽度“W2”。这样,由于中央部分335与第一和第二平面部分350、352之间在宽度和平面位置/高度二者上的差异,可以增大灵活性并减小应力。
夹具320中的应力可以进一步通过提供一组穿过中央部分335的应力释放开口380来管理。如所示,应力释放开口380可以形成在中央开口330和相应的第一和第二成角度区部360、362之间。每个应力释放开口可以部分地由具有曲线轮廓的第一边缘或表面381以及具有直线轮廓的第二边缘或表面382来限定。第一边缘381可以对应于可操作为在其中接收紧固件的中央环385的外边缘。如所示,中央环385的内边缘或表面386限定了中央开口330。在使用期间,随着紧固件被拧紧到载体(未示出),应力释放开口380允许中央环385一定程度的弯曲和旋转。
如本文所使用的,单数形式记载的以及其前有词语“一”或“一个”的元件或步骤被理解成不排除多个元件或步骤,除非明确记载了这种排除。而且,引用本公开的“一个实施例”不旨在于解释为排除存在也包括所记载特征的附加实施例。
本文中“包括”、“包含”或“具有”及其变体的使用是指涵盖其后列出的项及其等同物以及附加项。相应地,术语“包括”、“包含”或“具有”及其变体是开放式表述,并且可以在本文中可互换使用。
本文中使用的短语“至少一个”、“一个或多个”以及“和/或”是开放式表述,并且在操作中既是连接词又是转折连词。例如,表述“A、B和C中至少一个”、“A、B或C中至少一个”、“A、B和C中的一个或多个”、“A、B或C中的一个或多个”以及“A、B和/或C”是指单独的A、单独的B、单独的C、A和B一起、A和C一起、B和C一起、或A、B和C一起。
所有方向性参考(例如,近端,远端,上部,下部,向上,向下,左,右,横向,纵向,前面,后面,顶部,底部,上面,下面,垂直,水平,径向,轴向,顺时针以及逆时针)仅仅用于标识目的以辅助读者理解本公开。方向性参考不产生限制,特别是对位置、朝向或本公开的用法的限制。连接参考(例如,附接、耦接、连接和联合)应进行宽泛解释并且可以包括元件集合之间的中间构件以及元件之间的相对移动,除非另有指示。因而,连接参考不是必然推断出两个元件是直接连接的并且彼此关系固的。
而且,标识参考(例如,主要、次要、第一、第二、第三、第四等等)不旨在于暗示重要性或优先级,而是用来将特征彼此区分开。附图是为了说明目的,并且所附附图中所反映的维度、位置、顺序和相对大小可以变化。
而且,术语“基本上”或“大约”以及术语“接近”或“近似”在一些实施例中可以互换使用,并且可以使用本领域普通技术人员所能接受的任何相关度量来描述。例如,这些术语可以用作与参考参数的比较,以指示能够提供预期功能的偏差。虽然不是限制性的,与参考参数的偏差例如可以是不超过1%、不超过3%、不超过5%、不超过10%、不超过15%、不超过20%等等的量。
出于说明和描述目的已经提供了对示例实施例的前述描述。其并不旨在于穷尽性的或将本公开限制于所公开的精确形式。鉴于本公开,许多修改和变形是可能的。其旨在于本公开的范围不受本详细说明的限制,而受所附权利要求的限制。未来提交的要求本申请优先权的申请可以以不同的方式要求保护所公开的主题,并且通常可以包括如本文各种方式公开或以其他方式展示的一个或多个限制的任何集合。
Claims (22)
1.一种半导体封装,包括:
壳体,包括:
从主体延伸的壁;以及
从所述壁延伸的一组支撑壁;以及
在所述一组支撑壁之间延伸的夹具,所述夹具包括:
被耦接到所述一组支撑壁中第一支撑壁的第一平面部分;
被耦接到所述一组支撑壁中第二支撑壁的第二平面部分;以及
位于所述第一平面部分和第二平面部分之间的第三平面部分,所述第三平面部分包括能操作为接收紧固件的开口,以及多个应力释放开口。
2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述第一平面部分和第二平面部分沿着第一平面延伸,并且其中所述第三平面部分沿着不同于所述第一平面的第二平面延伸。
3.根据权利要求1所述的半导体封装,所述夹具还包括:
第一成角度区部,将所述第三平面部分连接到所述第一平面部分;以及
第二成角度区部,将所述第三平面部分连接到所述第二平面部分。
4.根据权利要求1所述的半导体封装,所述夹具还包括穿过所述第一平面部分或所述第二平面部分形成的至少一个附接开口。
5.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述多个应力释放开口中的每个由具有曲线轮廓的第一边缘和具有直线轮廓的第二边缘来限定。
6.根据权利要求1所述的半导体封装,所述第三平面部分包括中央环,其中所述中央环的内边缘限定所述开口。
7.根据权利要求1所述的半导体封装,所述壁包括一对端壁和一对侧壁,其中所述一对端壁和一对侧壁从所述主体垂直延伸。
8.根据权利要求7所述的半导体封装,其中所述一组支撑壁从所述一对端壁或所述一对侧壁垂直延伸。
9.根据权利要求1所述的半导体封装,所述壳体还包括穿过所述主体形成的多个端子开口。
10.一种功率半导体封装,包括:
壳体,包括:
从主体延伸的壁;以及
从所述壁延伸的第一组支撑壁和第二组支撑壁;以及
在所述第一组支撑壁之间延伸的第一夹具和在所述第二组支撑壁之间延伸的第二夹具,所述第一夹具和第二夹具中的每个包括:
被耦接到该组支撑壁中第一支撑壁的第一平面部分;
被耦接到该组支撑壁中第二支撑壁的第二平面部分;以及
位于所述第一平面部分和第二平面部分之间的第三平面部分,所述第三平面部分包括能操作为接收紧固件的开口,以及多个应力释放开口。
11.根据权利要求10所述的功率半导体封装,其中所述第一平面部分和所述第二平面部分沿着第一平面延伸,并且其中所述第三平面部分沿着不同于所述第一平面的第二平面延伸。
12.根据权利要求10所述的功率半导体封装,所述第一夹具和所述第二夹具中每个还包括:
第一成角度区部,将所述第三平面部分连接到所述第一平面部分;以及
第二成角度区部,将所述第三平面部分连接到所述第二平面部分。
13.根据权利要求10所述的功率半导体封装,所述第一夹具和所述第二夹具中的每个还包括穿过所述第一平面部分或所述第二平面部分形成的至少一个附接开口。
14.根据权利要求10所述的半导体封装,其中所述多个应力释放开口中的每个由具有曲线轮廓的第一边缘和具有直线轮廓的第二边缘来限定。
15.根据权利要求10所述的半导体封装,所述第三平面部分包括中央环,其中所述中央环的内边缘限定所述开口。
16.根据权利要求10所述的半导体封装,所述壁包括一对端壁和一对侧壁,其中所述一对端壁和一对侧壁从所述主体垂直延伸。
17.一种组件,包括:
散热器;
被耦接到所述散热器的功率半导体模块,所述功率半导体模块包括:
壳体,包括从主体延伸的壁和从所述壁延伸的一组支撑壁;以及
在所述一组支撑壁之间延伸的夹具,所述夹具包括:
被耦接到所述一组支撑壁中第一支撑壁的第一平面部分;
被耦接到所述一组支撑壁中第二支撑壁的第二平面部分;以及
位于所述第一平面部分和第二平面部分之间的第三平面部分,所述第三平面部分包括能操作为接收紧固件的开口,以及多个应力释放开口。
18.根据权利要求17所述的组件,其中所述第一平面部分和第二平面部分沿着第一平面延伸,并且其中所述第三平面部分沿着不同于所述第一平面的第二平面延伸。
19.根据权利要求17所述的组件,所述夹具还包括:
第一成角度区部,将所述第三平面部分连接到所述第一平面部分;以及
第二成角度区部,将所述第三平面部分连接到所述第二平面部分。
20.根据权利要求17所述的组件,所述夹具还包括穿过所述第一平面部分和所述第二平面部分形成的至少一个附接开口。
21.根据权利要求17所述的组件,其中所述多个应力释放开口中的每个由具有曲线轮廓的第一边缘和具有直线轮廓的第二边缘来限定,其中穿过所述第三平面部分的所述开口由中央环的内边缘来限定。
22.根据权利要求17所述的组件,所述壁包括一对端壁和一对侧壁,其中所述一对端壁和一对侧壁从所述主体垂直延伸,并且其中所述一组支撑壁从所述一对端壁或所述一对侧壁垂直延伸。
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JP2004186366A (ja) * | 2002-12-03 | 2004-07-02 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 伝熱フィンおよびヒートシンク |
CN104882425A (zh) * | 2014-01-02 | 2015-09-02 | 半导体元件工业有限责任公司 | 半导体封装及其方法 |
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US9431311B1 (en) * | 2015-02-19 | 2016-08-30 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor package with elastic coupler and related methods |
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---|---|---|---|---|
JP2004186366A (ja) * | 2002-12-03 | 2004-07-02 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 伝熱フィンおよびヒートシンク |
CN104882425A (zh) * | 2014-01-02 | 2015-09-02 | 半导体元件工业有限责任公司 | 半导体封装及其方法 |
CN208592549U (zh) * | 2018-07-24 | 2019-03-12 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于车辆尾气后处理系统的固定夹具 |
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