CN113364424A - 一种具有多电极结构的压电石英晶片及其制造工艺 - Google Patents
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- 239000010453 quartz Substances 0.000 title claims abstract description 103
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 103
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 56
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 3
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 33
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
Images
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
- H03H9/132—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials characterized by a particular shape
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/177—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator of the energy-trap type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/19—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
- H03H2003/0414—Resonance frequency
- H03H2003/0421—Modification of the thickness of an element
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
- H03H2003/0414—Resonance frequency
- H03H2003/045—Modification of the area of an element
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
- H03H2003/0414—Resonance frequency
- H03H2003/0471—Resonance frequency of a plurality of resonators at different frequencies
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Abstract
一种具有多电极结构的压电石英晶片，包括石英基片，石英基片上还包括电极和连接部，石英基片背面上有电极和连接部，所述的石英基片、正面电极和背面电极均呈圆形，正面电极和背面电极对称分布于石英基片的正反两面，正面连接部和背面连接部均呈由两段圆弧和两直线段组成的封闭的不规则图形，连接部的两端分别与电极、石英基片边缘连接，每两个连接部对应连接一个电极，正面连接部和背面连接部对称分布于石英基片的正反两面。本发明还提供了一种具有多电极结构的压电石英晶片的制造工艺。
Description
技术领域
本发明涉及压电石英晶片构造的技术领域，具体指一种具有多电极结构的压电石英晶片及其制造工艺。
背景技术
目前，石英晶体谐振器通常由压电石英晶片及封装外壳构成，其中压电石英晶片多为矩形，封装外壳材料多为金属或陶瓷。压电石英晶片上下两面需蒸镀或溅射电极，并与封装外壳中的基座引脚相连。交流电压可通过引脚连通石英晶片的上下电极，使石英晶片产生逆压电效应，从而产生震荡。石英晶体谐振器因其频率的准确性和稳定性广泛应用在移动电子设备及通信装置等电子行业。
随着移动通信电子的迅速发展，器件小型化需求越来越高，石英晶体谐振器的小型化也势在必行。在石英晶体谐振器小型化的进程中，传统设计结构已很难生产，且成本较高。传统的切条、腐蚀等工艺方式难以加工超小型石英晶片，已经不能满足小型化的要求。
通常情况下，当谐振器的谐振频率较低时，为了增强谐振器频率的稳定性，提高能陷效应，削弱石英晶片边缘效应，一般采用倒边的方式改变石英晶片的外形。但因其工艺的稳定性较差、重复性较低，无法完全满足当今市场对谐振器加工制造及性能参数的要求。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中存在的上述问题，提供一种成本低，可用于小型化石英晶片批量生产、能够利用共模抑制原理提升温频特性、并能大幅度提升产品一致性的具有多电极结构的压电石英晶片及其制造工艺。
本发明的目的通过以下技术方案来实现：一种具有多电极结构的压电石英晶片，包括石英基片，其特征在于：所述石英基片上还包括电极和连接部，石英基片背面上有电极和连接部，所述的石英基片、正面电极和背面电极均呈圆形，正面电极和背面电极对称分布于石英基片的正反两面，正面连接部和背面连接部均呈由两段圆弧和两直线段组成的封闭的不规则图形，连接部的两端分别与电极、石英基片边缘连接，每两个连接部对应连接一个电极，正面连接部和背面连接部对称分布于石英基片（1）的正反两面。
所述的压电石英晶片的直径为0.6~3.2mm。
所述的压电石英晶片的厚度为16~209μm。
所述的石英基片材质为石英，正面电极、背面电极、正面连接部和背面连接部材质为金。
本发明还提供了一种具有多电极结构的压电石英晶片的制造工艺
，其特征在于，包括如下步骤：
S1、取出一定规格的石英基板，并对石英基板的上、下表面进行研磨、抛光处理；
S2、通过溅射或蒸镀方式在石英基板两侧表面形成厚度均匀的镀金层；
S3、通过旋涂或喷淋方式在石英基板表面形成厚度均匀的光刻抗刻蚀保护层ER，然后使用光刻曝光在光刻抗刻蚀保护层ER上，在表面形成待刻蚀图形；
S4、通过显影和蚀刻方式在石英基板上形成正面电极、背面电极、正面连接部和背面连接部；
S5、去除光刻抗刻蚀保护层ER并将石英基板表面清洗干净，从而制得具有多电极结构的压电石英晶片；
S6、在石英基板上加工出切割定位孔；
S7、使用激光切割或刀片切割沿着切割定位孔对石英基板进行切割分离，从而实现了石英晶片的加工。
本发明具有以下有益效果：
1、本发明利用能陷理论在同一晶片上设计了多电极谐振器集群，使各个谐振器同时独立工作，互不干扰。
2、本发明利用共模抑制原理将谐振器集群输出频率信号作差频处理，抑制温度等因素的干扰，从而大幅度提高晶片的温频特性。
3、本发明可用于小型化石英晶片的批量型生产、大幅度提升了晶片的制造效率，同时一致性也得到提升。
附图说明
图1为本发明结构示意图；
图2为图1的俯视图；
图3为图2的A-A剖视图；
图4为图1的仰视图；
图5为本发明中基于石英基板经制造加工后产品俯视图；
图中：石英基片1，正面电极2、3、4、5，正面连接部6、7、8、9、10、11、12、13，背面电极14、15、16、17，背面连接部18、19、20、21、22、23、24、25，石英基板26，切割定位孔27。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一种具有多电极结构的压电石英晶片，包括石英基片1，其特征在于：所述石英基片1上还包括正面电极2~5和正面连接部6~13，石英基片1背面上有背面电极14~17和背面连接部18~25，所述的石英基片1、正面电极2~5和背面电极14~17均呈圆形，正面电极2~5和背面电极14~17对称分布于石英基片1的正反两面，正面连接部6~13和背面连接部18~25均呈由两段圆弧和两直线段组成的封闭的不规则图形，连接部的两端分别与电极、石英基片1边缘连接，每两个连接部对应连接一个电极，正面连接部6~13和背面连接部18~25对称分布于石英基片1的正反两面。
所述的压电石英晶片的直径为0.6~3.2mm。
所述的压电石英晶片的厚度为16~209μm。
所述的石英基片1材质为石英，正面电极2~5、背面电极14~17、正面连接部6~13和背面连接部18~25材质为金。
一种具有多电极结构的压电石英晶片的制造工艺，其特征在于，包括如下步骤：
S1、取出一定规格的石英基板26，并对石英基板26的上、下表面进行研磨、抛光处理；
S2、通过溅射或蒸镀方式在石英基板26两侧表面形成厚度均匀的镀金层；
S3、通过旋涂或喷淋方式在石英基板26表面形成厚度均匀的光刻抗刻蚀保护层ER，然后使用光刻曝光在光刻抗刻蚀保护层ER上，在表面形成待刻蚀图形；
S4、通过显影和蚀刻方式在石英基板26上形成正面电极2~5、背面电极14~17、正面连接部6~13和背面连接部18~25；
S5、去除光刻抗刻蚀保护层ER并将石英基板26表面清洗干净，从而制得具有多电极结构的压电石英晶片；
S6、在石英基板26上加工出切割定位孔27；
S7、使用激光切割或刀片切割沿着切割定位孔27对石英基板26进行切割分离，从而实现了石英晶片的加工。
本发明利用能陷理论在同一晶片上设计了多电极谐振器集群，使各个谐振器同时独立工作，互不干扰。本发明利用共模抑制原理将谐振器集群输出频率信号作差频处理，抑制温度等因素的干扰，从而大幅度提高晶片的温频特性。本发明可用于小型化石英晶片的批量型生产、大幅度提升了晶片的制造效率，同时一致性也得到提升。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当理解本发明并非局限千本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用千各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围，则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。
Claims (5)
1.一种具有多电极结构的压电石英晶片，包括石英基片（1），其特征在于：所述石英基片（1）上还包括正面电极（2）~（5）和正面连接部（6）~（13），石英基片（1）背面上有背面电极（14）~（17）和背面连接部（18）~（25），所述的石英基片（1）、正面电极（2）~（5）和背面电极（14）~（17）均呈圆形，正面电极（2）~（5）和背面电极（14）~（17）对称分布于石英基片（1）的正反两面，正面连接部（6）~（13）和背面连接部（18）~（25）均呈由两段圆弧和两直线段组成的封闭的不规则图形，连接部的两端分别与电极、石英基片（1）边缘连接，每两个连接部对应连接一个电极，正面连接部（6）~（13）和背面连接部（18）~（25）对称分布于石英基片（1）的正反两面。
2.根据权利要求1所述的一种具有多电极结构的压电石英晶片，其特征在于：所述的压电石英晶片的直径为0.6~3.2mm。
3.根据权利要求1所述的一种具有多电极结构的压电石英晶片，其特征在于：所述的压电石英晶片的厚度为16~209μm。
4.根据权利要求1所述的一种具有多电极结构的压电石英晶片，其特征在于，所述的石英基片（1）材质为石英，正面电极（2）~（5）、背面电极（14）~（17）、正面连接部（6）~（13）和背面连接部（18）~（25）材质为金。
5.一种如权利要求1~4中任一项所述具有多电极结构的压电石英晶片的制造工艺，其特征在于，包括如下步骤：
S1、取出一定规格的石英基板（26），并对石英基板（26）的上、下表面进行研磨、抛光处理；
S2、通过溅射或蒸镀方式在石英基板（26）两侧表面形成厚度均匀的镀金层；
S3、通过旋涂或喷淋方式在石英基板（26）表面形成厚度均匀的光刻抗刻蚀保护层ER，然后使用光刻曝光在光刻抗刻蚀保护层ER上，在表面形成待刻蚀图形；
S4、通过显影和蚀刻方式在石英基板（26）上形成正面电极（2）~（5）、背面电极（14）~（17）、正面连接部（6）~（13）和背面连接部（18）~（25）；
S5、去除光刻抗刻蚀保护层ER并将石英基板（26）表面清洗干净，从而制得具有多电极结构的压电石英晶片；
S6、在石英基板（26）上加工出切割定位孔（27）；
S7、使用激光切割或刀片切割沿着切割定位孔（27）对石英基板（26）进行切割分离，从而实现了石英晶片的加工。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110688918.XA CN113364424A (zh) | 2021-06-22 | 2021-06-22 | 一种具有多电极结构的压电石英晶片及其制造工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110688918.XA CN113364424A (zh) | 2021-06-22 | 2021-06-22 | 一种具有多电极结构的压电石英晶片及其制造工艺 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113364424A true CN113364424A (zh) | 2021-09-07 |
Family
ID=77535520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110688918.XA Pending CN113364424A (zh) | 2021-06-22 | 2021-06-22 | 一种具有多电极结构的压电石英晶片及其制造工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113364424A (zh) |
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| CN107302347A (zh) * | 2016-04-15 | 2017-10-27 | 北京信息科技大学 | 10MHz石英力敏谐振器集群 |
-
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- 2021-06-22 CN CN202110688918.XA patent/CN113364424A/zh active Pending
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
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