CN113364325B - 一种3d-svpwm调制策略快速过调制方法及系统 - Google Patents
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Abstract
一种3D‑SVPWM调制策略快速过调制方法及系统，属于逆变器调制技术领域，解决如何计算出3D‑SVPWM调制策略最大线性调制度，在不改变3D‑SVPWM调制策略同时调制差模分量和共模分量的特性的同时，通过过调制技术提升3D‑SVPWM调制策略的调制范围的问题，通过计算得出3D‑SVPWM调制策略最大线性调制度，给出一种空间调制参考矢量所在的空间调制体判断，过调制时联立相应的压缩平面约束方程和快速压缩方案约束方程，在不改变3D‑SVPWM调制策略同时调制差模分量和共模分量的特性的前提下，通过过调制技术提升3D‑SVPWM调制策略的调制范围，降低运算量，减少算法的执行时间，快速实现过调制，提升3D‑SVPWM调制策略的调制范围，有效增强了3D‑SVPWM调制策略的适用性。
Description
技术领域
本发明属于逆变器调制技术领域，涉及一种3D-SVPWM调制策略快速过调制方法及系统。
背景技术
3D-SVPWM调制(三维空间矢量脉宽调制)策略能够同时对参考电压矢量的差模分量和共模分量进行调制，因此被广泛应用于需要调制共模电压的零序环流控制中，如共直流母线及共中线双逆变器开绕组拓扑结构、三相四桥臂逆变器等。相比传统的仅关注差模分量调制的SVPWM调制策略，3D-SVPWM调制策略因同时调制共模分量而导致其差模分量调制输出范围受限，因此亟需相关的线性调制范围计算及相应的过调制方案来拓展其调制范围，提升3D-SVPWM调制策略的适用性。
现有技术中，公开日期为2019年10月的文献《四桥臂三电平逆变器3D-SVPWM调制策略》(任思远等，电力系统及其自动化学报，2019年第31卷第10期125-132页)，公开了使用3D-SVPWM调制策略应用于四桥臂三电平逆变器，但该文献并没有具体给出3D-SVPWM调制策略最大线性调制度及相关的过调制策略。公开日期为2018年11月5日的文献《共直流母线开绕组永磁同步电机的弱磁控制策略》(年珩等，中国电机工程学报，2018年第38卷第21期6461-6469页)公开了使用3D-SVPWM调制策略实现共直流母线双逆变器开绕组系统零序环流闭环控制，但其没有给出3D-SVPWM调制策略线性调制度范围及相关的过调制策略。
综上所述，现有技术存在以下问题：1)对于3D-SVPWM调制策略，现有技术仅给出了基础合成原理及实现过程，没有给出3D-SVPWM调制策略的线性调制范围，即最大线性调制度；2)没有给出3D-SVPWM调制策略过调制时的约束方案，因而无法采用过调制约束方案有效拓展3D-SVPWM调制策略的适用范围。
发明内容
本发明的目的在于如何计算出3D-SVPWM调制策略最大线性调制度，在不改变3D-SVPWM调制策略同时调制差模分量和共模分量的特性的前提下，通过过调制技术，降低运算量，减少算法的执行时间，快速实现过调制，提升3D-SVPWM调制策略的调制范围。
本发明是通过以下技术方案解决上述技术问题的：
一种3D-SVPWM调制策略快速过调制方法，包括以下步骤：
步骤S1，计算参考电压矢量Vref的α-β平面分量的幅值m1、相位
和调制度M1，计算参考电压矢量Vref的γ轴分量Vγ的幅值m3及相位
计算参考电压矢量Vref的特征相位差
步骤S2，根据步骤S1中的幅值m3及特征相位差
计算3D-SVPWM调制策略最大线性调制度Mmax1及最大压缩调制度Mmax2；
步骤S3，根据调制度M1、最大线性调制度Mmax1及最大压缩调制度Mmax2，进行过调制判断：
当计算M1<Mmax1时，为线性调制区域，采用线性调制区域发波控制，方法为：根据Vα、Vβ和Vγ，使用3D-SVPWM调制策略计算基础电压矢量作用时间t0、t1、t2和t7进行发波控制；
当计算Mmax1≤M1≤Mmax2时，为过调制区域，采用过调制区域发波控制，方法为：
当t0≥0且t7≥0时，为过调制区域的圆弧区，根据Vα、Vβ和Vγ，使用3D-SVPWM调制策略计算基础电压矢量作用时间t0、t1、t2和t7进行发波控制；
当t0<0或t7<0时，为过调制区域的边界区，对参考电压矢量Vref的α-β平面分量进行修改：
首先根据Vα、Vβ和Vγ对参考电压矢量Vref所在的调制体进行调制体序号判断，由判断的调制体序号选择对应的压缩平面约束方程；
然后与快速压缩方案约束方程联立计算得出修改后参考电压矢量α轴分量
参考电压矢量β轴分量
所述的快速压缩方案约束方程如下：
最后根据修改后参考电压矢量α轴分量
修改后参考电压矢量β轴分量
和Vγ，使用3D-SVPWM调制策略计算修改后基础电压矢量作用时间
和
进行发波控制。
本发明的技术方案通过计算得出3D-SVPWM调制策略最大线性调制度，给出一种空间调制参考矢量所在的空间调制体判断，过调制时联立相应的压缩平面约束方程和快速压缩方案约束方程，在不改变3D-SVPWM调制策略同时调制差模分量和共模分量的特性的前提下，通过过调制技术提升3D-SVPWM调制策略的调制范围，降低运算量，减少算法的执行时间，快速实现过调制，提升3D-SVPWM调制策略的调制范围，有效增强了3D-SVPWM调制策略的适用性。
作为本发明技术方案的进一步改进，步骤S1中计算参考电压矢量Vref的α-β平面分量的幅值m1、相位
和调制度M1的公式为：
其中，Vα、Vβ分别为参考电压矢量Vref对三维空间坐标系中坐标轴α、β轴的投影分量以直流电压Udc进行标幺化后的值。
作为本发明技术方案的进一步改进，步骤S1中计算参考电压矢量Vref的γ轴分量Vγ的幅值m3及相位
的公式为：
其中，Vγ，1为第一正交分量、Vγ，2为第二正交分量；第一正交分量、第二正交分量是对Vγ进行正交分解，得出两个相差90度的分量。
作为本发明技术方案的进一步改进，步骤S1中计算参考电压矢量Vref的特征相位差
计算式如下：
其中，
为参考电压矢量Vref的γ轴分量Vγ的相位，
为参考电压矢量Vref的α-β平面分量的相位。
作为本发明技术方案的进一步改进，步骤S2中计算3D-SVPWM调制策略最大线性调制度Mmax1及最大压缩调制度Mmax2具体为：
定义函数式W1，
定义函数式W2，
其中，θ1的取值范围为
在θ1的取值范围内计算函数式W1最小值为W1min，计算函数式W2最小值为W2min，当W1min≤W2min时，Mmax1＝W1min，当W1min>W2min时，Mmax1＝W2min，计算函数式曲线W1和函数式W2曲线交点的函数值即为Mmax2。
作为本发明技术方案的进一步改进，所述的调制体序号判断的具体方式为：
定义调制体序号判断的中间变量为第一变量A、第二变量B、第三变量C、第四变量N、第五变量A1、第六变量B1、第七变量C1、第八变量N1，定义函数式F1，
定义函数式F2，F2＝2Vγ-Vα，定义函数式F3，
定义函数式F4，F4＝Vβ，定义函数式F5，
定义函数式F6，
则：
当F1≥0时，A＝1；当F1<0时，A＝0；当F2≥0时，B＝1；当F2<0时，B＝0；当F3≥0时，C＝1；当F3<0时，C＝0；N＝A+2B+4C；
当F4≥0时，A1＝1；当F4<0时，A1＝0；当F5≥0时，B1＝1；当F5<0时，B1＝0；当F6≥0时，C1＝1；当F6<0时，C1＝0；N1＝A1+2B1+4C1；
第四变量N的每一个值对应一个调制体序号，具体如下：N＝5对应调制体1；N＝1对应调制体2；N＝3对应调制体3；N＝2对应调制体4；N＝6对应调制体5；N＝4对应调制体6；N＝0时需要结合第八变量N1值做进一步判断，其中当N1＝1或N1＝3时对应调制体2，当N1＝4或N1＝5时对应调制体4，当N1＝2或N1＝6时对应调制体6；N＝7时需要结合第八变量N1值做进一步判断，其中当N1＝2或N1＝3时对应调制体1，当N1＝1或N1＝5时对应调制体3，当N1＝4或N1＝6时对应调制体5。
作为本发明技术方案的进一步改进，所述的由判断的调制体序号选择对应的压缩平面约束方程的具体方式为：
调制体1的压缩平面约束方程为：
调制体2的压缩平面约束方程为：
调制体3的压缩平面约束方程为：
调制体4的压缩平面约束方程为：
调制体5的压缩平面约束方程为：
调制体6的压缩平面约束方程为：
一种应用于所述的3D-SVPWM调制策略快速过调制方法的系统，包括：第一直流源Udc1、第二直流源Udc2、第一三相两电平逆变器VSI1、第二三相两电平逆变器VSI2、三相定子绕组OEWIM、中线I、电容C1、电容C2、电容C3和电容C4；
所述电容C1和电容C2串联后连接在第一直流源Udc1的直流正母线P与直流负母线N之间，电容C1、电容C2的公共节点记为点O；所述电容C3和电容C4串联后连接在第二直流源Udc2的直流正母线P'与直流负母线N'之间，电容C3、电容C4的公共节点记为点O'，所述中线I连接点O与点O'，第一直流源Udc1和第二直流源Udc2直流电压均为Udc；
所述第一三相两电平逆变器VSI1的三相桥臂中，每相桥臂包括2个带反并联二极管的开关管，即第一三相两电平逆变器VSI1共包括6个带反并联二极管的开关管，6个开关管分别记为Sn1j，其中n表示相序，n＝a,b,c，j表示开关管的序号，j＝1,2；第一三相两电平逆变器VSI1的三相桥臂相互并联在直流正母线P与直流负母线N之间，即开关管Sa11、Sb11、Sc11的集电极并联后连接直流正母线P，开关管Sa12、Sb12、Sc12的发射极并联后连接直流负母线N；在第一三相两电平逆变器VSI1的三相桥臂中，开关管Sa11和开关管Sa12串联，开关管Sb11和开关管Sb12串联，开关管Sc11和开关管Sc12串联，其连接点分别记为第一三相两电平逆变器VSI1的三相桥臂中点a1、b1、c1；
所述第二三相两电平逆变器VSI2的三相桥臂中，每相桥臂包括2个带反并联二极管的开关管，即第二三相两电平逆变器VSI2共包括6个带反并联二极管的开关管，6个开关管分别记为Sn2j；第二三相两电平逆变器VSI2的三相桥臂相互并联在直流正母线P'与直流负母线N'之间，即开关管Sa21、Sb21、Sc21的集电极并联后连接直流正母线P'，开关管Sa22、Sb22、Sc22的发射极并联后连接直流负母线N'；在第二三相两电平逆变器VSI2的三相桥臂中，开关管Sa21和开关管Sa22串联，开关管Sb21和开关管Sb22串联，开关管Sc21和开关管Sc22串联，其连接点分别记为第二三相两电平逆变器VSI2的三相桥臂中点a2、b2、c2；
所述三相定子绕组OEWIM中包括三相绕组，A相绕组、B相绕组和C相绕组的左端口分别接第一三相两电平逆变器VSI1的三相桥臂中点a1、b1、c1，A相绕组、B相绕组和C相绕组的右端口分别接第二三相两电平逆变器VSI2的三相桥臂中点a2、b2、c2。
本发明的优点在于：
本发明的技术方案通过计算得出3D-SVPWM调制策略最大线性调制度，给出一种空间调制参考矢量所在的空间调制体判断，过调制时联立相应的压缩平面约束方程和快速压缩方案约束方程，在不改变3D-SVPWM调制策略同时调制差模分量和共模分量的特性的同时，通过过调制技术提升3D-SVPWM调制策略的调制范围，降低运算量，减少算法的执行时间，快速实现过调制，提升3D-SVPWM调制策略的调制范围，有效增强了3D-SVPWM调制策略的适用性。
附图说明
图1为本发明中涉及的共中线开绕组拓扑结构；
图2为本发明实施例中任意一个调制体内的过调制运行流程图；
图3为本发明实施例中3D-SVPWM调制策略总调制体说明图；
图4为本发明实施例中3D-SVPWM调制策略调制体分开说明图；
图5为实验中各参数准确情况下，通过步骤S1计算得出的参考电压矢量γ轴分量Vγ的幅值m3的变化情况示意图；
图6为实验中各参数准确情况下，通过步骤S1计算得出的参考电压矢量Vref的特征相位差
的变化情况示意图；
图7为实验中各参数准确情况下，通过步骤S2绘制的函数式曲线W1和函数式W2曲线，并计算得出的3D-SVPWM调制策略最大线性调制度Mmax1及最大压缩调制度Mmax2示意图；
图8为实验中各参数准确情况下，从调制度M＝0.6到调制度M＝0.8时使用3D-SVPWM策略调制时共中线开绕组电驱动系统总输出的基波电压幅值变化情况示意图；
图9给出了在使用3D-SVPWM调制策略出现过调制时使用不同过调制方案所测量的DSP芯片程序处理中单次发波运算时间比较图；
图10为实验中测得调制体判断中第四变量N的值变化趋势图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面结合说明书附图以及具体的实施例对本发明的技术方案作进一步描述：
实施例一
图1为本发明中涉及的三相两电平电压型逆变器拓扑结构，由该图可见，本策略涉及的共中线开绕组电驱动系统拓扑结构包括第一直流源Udc1、第二直流源Udc2、第一三相两电平逆变器VSI1、第二三相两电平逆变器VSI2、三相定子绕组OEWIM、中线I、电容C1、电容C2、电容C3和电容C4；
所述电容C1和电容C2串联后连接在第一直流源Udc1的直流正母线P与直流负母线N之间，电容C1、电容C2的公共节点记为点O；所述电容C3和电容C4串联后连接在第二直流源Udc2的直流正母线P'与直流负母线N'之间，电容C3、电容C4的公共节点记为点O'，所述中线I连接点O与点O'，第一直流源Udc1和第二直流源Udc2直流电压均为Udc；
所述第一三相两电平逆变器VSI1的三相桥臂中，每相桥臂包括2个带反并联二极管的开关管，即第一三相两电平逆变器VSI1共包括6个带反并联二极管的开关管，6个开关管分别记为Sn1j，其中n表示相序，n＝a,b,c，j表示开关管的序号，j＝1,2；第一三相两电平逆变器VSI1的三相桥臂相互并联在直流正母线P与直流负母线N之间，即开关管Sa11、Sb11、Sc11的集电极并联后连接直流正母线P，开关管Sa12、Sb12、Sc12的发射极并联后连接直流负母线N；在第一三相两电平逆变器VSI1的三相桥臂中，开关管Sa11和开关管Sa12串联，开关管Sb11和开关管Sb12串联，开关管Sc11和开关管Sc12串联，其连接点分别记为第一三相两电平逆变器VSI1的三相桥臂中点a1、b1、c1；
所述第二三相两电平逆变器VSI2的三相桥臂中，每相桥臂包括2个带反并联二极管的开关管，即第二三相两电平逆变器VSI2共包括6个带反并联二极管的开关管，6个开关管分别记为Sn2j；第二三相两电平逆变器VSI2的三相桥臂相互并联在直流正母线P'与直流负母线N'之间，即开关管Sa21、Sb21、Sc21的集电极并联后连接直流正母线P'，开关管Sa22、Sb22、Sc22的发射极并联后连接直流负母线N'；在第二三相两电平逆变器VSI2的三相桥臂中，开关管Sa21和开关管Sa22串联,开关管Sb21和开关管Sb22串联，开关管Sc21和开关管Sc22串联，其连接点分别记为第二三相两电平逆变器VSI2的三相桥臂中点a2、b2、c2；
所述三相定子绕组OEWIM中包括三相绕组，A相绕组、B相绕组和C相绕组的左端口分别接第一三相两电平逆变器VSI1的三相桥臂中点a1、b1、c1，A相绕组、B相绕组和C相绕组的右端口分别接第二三相两电平逆变器VSI2的三相桥臂中点a2、b2、c2。
本发明包括下述步骤：
图2为本发明实施例中任意一个调制体内的过调制运行流程图，对应步骤1-步骤3。
步骤1，设三相两电平逆变器需要调制的参考电压矢量为Vref，参考电压矢量为Vref对应两个逆变器VSI1和VSI2其中任意一个输出的参考电压矢量，将参考电压矢量Vref对三维空间坐标系中坐标轴α、β、γ轴的投影分量以直流电压Udc进行标幺化，分别记为参考电压矢量α轴分量Vα、参考电压矢量β轴分量Vβ、参考电压矢量γ轴分量Vγ，使用参考电压矢量α轴分量Vα、参考电压矢量β轴分量Vβ计算得出参考电压矢量Vref的α-β平面分量的幅值m1、参考电压矢量Vref的α-β平面分量的相位
和参考电压矢量Vref的α-β平面分量对应的调制度M1，计算式如下：
对参考电压矢量γ轴分量Vγ进行正交分解，得出两个相差90度的分量，分别记为参考电压矢量γ轴分量Vγ的第一正交分量Vγ，1和参考电压矢量γ轴分量Vγ的第二正交分量Vγ，2，计算得出参考电压矢量γ轴分量Vγ的幅值m3及参考电压矢量γ轴分量Vγ的相位
计算式如下：
计算参考电压矢量Vref的特征相位差
计算式如下：
步骤2，根据步骤1所得的参考电压矢量γ轴分量Vγ的幅值m3及参考电压矢量Vref的特征相位差
计算3D-SVPWM调制策略最大线性调制度Mmax1及最大压缩调制度Mmax2：
定义函数式W1如下：
定义函数式W2如下：
其中θ1的取值范围为
在θ1的取值范围内计算函数式W1最小值为W1min，计算函数式W2最小值为W2min，当W1min≤W2min时，Mmax1＝W1min，当W1min>W2min时，Mmax1＝W2min，计算函数式曲线W1和函数式W2曲线交点的函数值即为Mmax2。
步骤3，根据步骤1及步骤2所得参考电压矢量Vref的α-β平面分量对应的调制度M1和3D-SVPWM调制策略最大线性调制度Mmax1及最大压缩调制度Mmax2，进行过调制判断；
当计算M1<Mmax1时，为线性调制区域，进入步骤3.1；
当计算Mmax1≤M1≤Mmax2时，为过调制区域，进入步骤3.2；
步骤3.1，计算M1<Mmax1时的线性调制区域，根据参考电压矢量α轴分量Vα、参考电压矢量β轴分量Vβ和参考电压矢量γ轴分量Vγ，使用3D-SVPWM调制策略计算基础电压矢量作用时间t0、基础电压矢量作用时间t1、基础电压矢量作用时间t2和基础电压矢量作用时间t7进行发波控制；时间t0、t1、t2、t7的具体计算过程参见公开日期为2018年11月5日的文献《共直流母线开绕组永磁同步电机的弱磁控制策略》(年珩等，中国电机工程学报，2018年第38卷第21期)的6461-6469页。
步骤3.2，计算Mmax1≤M1≤Mmax2时的过调制区域；
步骤3.21，根据参考电压矢量α轴分量Vα、参考电压矢量β轴分量Vβ和参考电压矢量γ轴分量Vγ，使用3D-SVPWM调制策略计算基础电压矢量作用时间t0、基础电压矢量作用时间t1、基础电压矢量作用时间t2和基础电压矢量作用时间t7；
当t0≥0且t7≥0时，为过调制区域的圆弧区，进入步骤3.22；
当t0<0或t7<0时，为过调制区域的边界区，进入步骤3.23；
步骤3.22，由计算得出的基础电压矢量作用时间t0、基础电压矢量作用时间t1、基础电压矢量作用时间t2和基础电压矢量作用时间t7进行发波控制；
步骤3.23，对参考电压矢量Vref的α-β平面分量进行修改，首先根据参考电压矢量α轴分量Vα、参考电压矢量β轴分量Vβ和参考电压矢量γ轴分量Vγ对参考电压矢量Vref所在的调制体进行调制体序号判断，由判断的调制体序号选择对应的压缩平面约束方程，然后与快速压缩方案约束方程联立计算得出修改后参考电压矢量α轴分量
参考电压矢量β轴分量
根据修改后参考电压矢量α轴分量
参考电压矢量β轴分量
和参考电压矢量γ轴分量Vγ，使用3D-SVPWM调制策略计算基础电压矢量作用时间
基础电压矢量作用时间
基础电压矢量作用时间
和基础电压矢量作用时间
进行发波控制；时间
的具体计算过程参见参见公开日期为2018年11月5日的文献《共直流母线开绕组永磁同步电机的弱磁控制策略》(年珩等，中国电机工程学报，2018年第38卷第21期)的6461-6469页。
调制体序号判断具体方式为：定义调制体序号判断的中间变量为第一变量A、第二变量B、第三变量C、第四变量N、第五变量A1、第六变量B1、第七变量C1、第八变量N1，定义函数式F1，
定义函数式F2，F2＝2Vγ-Vα，定义函数式F3，
定义函数式F4，F4＝Vβ，定义函数式F5，
定义函数式F6，
则：
当F1≥0时，A＝1,
当F1<0时，A＝0，
当F2≥0时，B＝1,
当F2<0时，B＝0，
当F3≥0时，C＝1,
当F3<0时，C＝0，
N＝A+2B+4C，
当F4≥0时，A1＝1，
当F4<0时，A1＝0，
当F5≥0时，B1＝1，
当F5<0时，B1＝0，
当F6≥0时，C1＝1，
当F6<0时，C1＝0，
N1＝A1+2B1+4C1，
第四变量N的每一个值对应一个调制体序号，具体如下：
N＝5对应调制体1；N＝1对应调制体2；N＝3对应调制体3；N＝2对应调制体4；N＝6对应调制体5；N＝4对应调制体6；N＝0时需要结合第八变量N1值做进一步判断，其中当N1＝1或N1＝3时对应调制体2，当N1＝4或N1＝5时对应调制体4，当N1＝2或N1＝6时对应调制体6；N＝7时需要结合第八变量N1值做进一步判断，其中当N1＝2或N1＝3时对应调制体1，当N1＝1或N1＝5时对应调制体3，当N1＝4或N1＝6时对应调制体5。
第四变量N不同值与调制体序号的对应关系见下表：
图3为本发明实施例中3D-SVPWM调制策略总调制体说明图，为3D-SVPWM调制策略在α-β-γ三维空间上的总调制体。
图4为本发明实施例中3D-SVPWM调制策略调制体分开说明图，对图3中的总调制体分为六个调制体进行标注序号。
由判断的调制体序号选择对应的压缩平面约束方程具体方式为：
调制体1的压缩平面约束方程为：
调制体2的压缩平面约束方程为：
调制体3的压缩平面约束方程为：
调制体4的压缩平面约束方程为：
调制体5的压缩平面约束方程为：
调制体6的压缩平面约束方程为：
快速压缩方案约束方程如下：
即实现含过调制的3D-SVPWM调制策略发波控制。
为了验证本发明的有效性，对本发明进行了实验验证。共中线开绕组电驱动系统拓扑结构第一直流源Udc1和第二直流源Udc2的直流电压Udc均为280V，第一三相两电平逆变器VSI1和第二三相两电平逆变器VSI2主电路由三菱智能IGBT功率模块PM100CLA120构成，开关频率fs＝9600Hz，死区设定3μs。使用三相异步电机作为负载，异步电机参数：额定功率pn＝3kW，额定相电压UN＝220V，定子电阻Rs＝1.93Ω，互感Lm＝0.19H，定子电感Ls＝0.21H，极对数P＝2，运行频率fe＝50Hz。将共中线开绕组电驱动系统需要调制的参考电压矢量180度解耦平均分配给第一三相两电平逆变器VSI1和第二三相两电平逆变器VSI2进行调制，即两个三相两电平逆变器需要调制的参考电压矢量大小相等，方向相反。
图5给出了对应第一三相两电平逆变器VSI1通过步骤1计算得出的参考电压矢量γ轴分量Vγ的幅值m3约为0.212，对应第一三相两电平逆变器VSI1的共模电压需求为59.4V,对应共中线开绕组电驱动系统总的共模电压需求为118.72V。
图6给出了通过步骤1计算得出第一三相两电平逆变器VSI1的参考电压矢量Vref特征相位差
约为2.4。
图7给出了在参考电压矢量γ轴分量Vγ的幅值m3约为0.212，参考电压矢量Vref的特征相位差
约为2.4条件下通过步骤2绘制的函数式曲线W1和函数式W2曲线，计算得出的对应第一三相两电平逆变器VSI1使用3D-SVPWM调制策略最大线性调制度Mmax1为0.6096，即对应第一三相两电平逆变器VSI1使用3D-SVPWM调制策略线性调制最大输出108.4V，计算得出最大压缩调制度Mmax2为1.04。
图8给出了第一三相两电平逆变器VSI1参考电压矢量Vref的α-β平面分量对应的调制度M1从0.6上升到0.8时，使用3D-SVPWM调制策略调制时共中线开绕组电驱动系统总输出的基波电压幅值变化情况示意图。可见使用本过调制策略能够有效地将输出的基波电压幅值突破传统线性调制最大约束216.8V，提升到245.2V左右，有效提升3D-SVPWM调制策略调制范围。
图9给出了在使用3D-SVPWM调制策略出现过调制时使用不同过调制方案所测量的DSP芯片程序处理中单次发波运算时间，所提方案用时最短为7.5μs,其他方案1长达13μs,其他方案2为9.5μs,可见所提方案运算量最小。
在实验中，还采用以下方式对调制体序号判断进行了验证。
由图10可见，在一个基波周期内第四变量N值按顺序变化，对应参考电压矢量Vref从调制体1到调制体6连续旋转一周，可见调制体序号判断准确有效。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (8)
1.一种3D-SVPWM调制策略快速过调制方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1，计算参考电压矢量Vref的α-β平面分量的幅值m1、相位
和调制度M1，计算参考电压矢量Vref的γ轴分量Vγ的幅值m3及相位
计算参考电压矢量Vref的特征相位差
步骤S2，根据步骤S1中的幅值m3及特征相位差
计算3D-SVPWM调制策略最大线性调制度Mmax1及最大压缩调制度Mmax2；
步骤S3，根据调制度M1、最大线性调制度Mmax1及最大压缩调制度Mmax2，进行过调制判断：
当计算M1<Mmax1时，为线性调制区域，采用线性调制区域发波控制，方法为：根据Vα、Vβ和Vγ，使用3D-SVPWM调制策略计算基础电压矢量作用时间t0、t1、t2和t7进行发波控制；
当计算Mmax1≤M1≤Mmax2时，为过调制区域，采用过调制区域发波控制，方法为：
当t0≥0且t7≥0时，为过调制区域的圆弧区，根据Vα、Vβ和Vγ，使用3D-SVPWM调制策略计算基础电压矢量作用时间t0、t1、t2和t7进行发波控制；
当t0<0或t7<0时，为过调制区域的边界区，对参考电压矢量Vref的α-β平面分量进行修改：
首先根据Vα、Vβ和Vγ对参考电压矢量Vref所在的调制体进行调制体序号判断，由判断的调制体序号选择对应的压缩平面约束方程；
然后与快速压缩方案约束方程联立计算得出修改后参考电压矢量α轴分量
参考电压矢量β轴分量
所述的快速压缩方案约束方程如下：
最后根据修改后参考电压矢量α轴分量
修改后参考电压矢量β轴分量
和Vγ，使用3D-SVPWM调制策略计算修改后基础电压矢量作用时间
和
进行发波控制。
2.根据权利要求1所述的一种3D-SVPWM调制策略快速过调制方法，其特征在于，步骤S1中计算参考电压矢量Vref的α-β平面分量的幅值m1、相位
和调制度M1的公式为：
其中，Vα、Vβ分别为参考电压矢量Vref对三维空间坐标系中坐标轴α、β轴的投影分量以直流电压Udc进行标幺化后的值。
3.根据权利要求2所述的一种3D-SVPWM调制策略快速过调制方法，其特征在于，步骤S1中计算参考电压矢量Vref的γ轴分量Vγ的幅值m3及相位
的公式为：
其中，Vγ，1为第一正交分量、Vγ，2为第二正交分量；第一正交分量、第二正交分量是对Vγ进行正交分解，得出两个相差90度的分量。
4.根据权利要求2所述的一种3D-SVPWM调制策略快速过调制方法，其特征在于，步骤S1中计算参考电压矢量Vref的特征相位差
计算式如下：
其中，
为参考电压矢量Vref的γ轴分量Vγ的相位，
为参考电压矢量Vref的α-β平面分量的相位。
5.根据权利要求2所述的一种3D-SVPWM调制策略快速过调制方法，其特征在于，步骤S2中计算3D-SVPWM调制策略最大线性调制度Mmax1及最大压缩调制度Mmax2具体为：
定义函数式W1，
定义函数式W2，
其中，θ1的取值范围为
在θ1的取值范围内计算函数式W1最小值为W1min，计算函数式W2最小值为W2min，当W1min≤W2min时，Mmax1＝W1min，当W1min>W2min时，Mmax1＝W2min，计算函数式曲线W1和函数式W2曲线交点的函数值即为Mmax2。
6.根据权利要求1所述的一种3D-SVPWM调制策略快速过调制方法，其特征在于，所述的调制体序号判断的具体方式为：
定义调制体序号判断的中间变量为第一变量A、第二变量B、第三变量C、第四变量N、第五变量A1、第六变量B1、第七变量C1、第八变量N1，定义函数式F1，
定义函数式F2，F2＝2Vγ-Vα，定义函数式F3，
定义函数式F4，F4＝Vβ，定义函数式F5，
定义函数式F6，
则：
当F1≥0时，A＝1；当F1<0时，A＝0；当F2≥0时，B＝1；当F2<0时，B＝0；当F3≥0时，C＝1；当F3<0时，C＝0；N＝A+2B+4C；
当F4≥0时，A1＝1；当F4<0时，A1＝0；当F5≥0时，B1＝1；当F5<0时，B1＝0；当F6≥0时，C1＝1；当F6<0时，C1＝0；N1＝A1+2B1+4C1；
第四变量N的每一个值对应一个调制体序号，具体如下：N＝5对应调制体1；N＝1对应调制体2；N＝3对应调制体3；N＝2对应调制体4；N＝6对应调制体5；N＝4对应调制体6；N＝0时需要结合第八变量N1值做进一步判断，其中当N1＝1或N1＝3时对应调制体2，当N1＝4或N1＝5时对应调制体4，当N1＝2或N1＝6时对应调制体6；N＝7时需要结合第八变量N1值做进一步判断，其中当N1＝2或N1＝3时对应调制体1，当N1＝1或N1＝5时对应调制体3，当N1＝4或N1＝6时对应调制体5。
7.根据权利要求1所述的一种3D-SVPWM调制策略快速过调制方法，其特征在于，所述的由判断的调制体序号选择对应的压缩平面约束方程的具体方式为：
调制体1的压缩平面约束方程为：
调制体2的压缩平面约束方程为：
调制体3的压缩平面约束方程为：
调制体4的压缩平面约束方程为：
调制体5的压缩平面约束方程为：
调制体6的压缩平面约束方程为：
8.一种应用于权利要求1-7任一项所述的3D-SVPWM调制策略快速过调制方法的系统，其特征在于，包括：第一直流源Udc1、第二直流源Udc2、第一三相两电平逆变器VSI1、第二三相两电平逆变器VSI2、三相定子绕组OEWIM、中线I、电容C1、电容C2、电容C3和电容C4；
所述电容C1和电容C2串联后连接在第一直流源Udc1的直流正母线P与直流负母线N之间，电容C1、电容C2的公共节点记为点O；所述电容C3和电容C4串联后连接在第二直流源Udc2的直流正母线P'与直流负母线N'之间，电容C3、电容C4的公共节点记为点O'，所述中线I连接点O与点O'，第一直流源Udc1和第二直流源Udc2直流电压均为Udc；
所述第一三相两电平逆变器VSI1的三相桥臂中，每相桥臂包括2个带反并联二极管的开关管，即第一三相两电平逆变器VSI1共包括6个带反并联二极管的开关管，6个开关管分别记为Sn1j，其中n表示相序，n＝a,b,c，j表示开关管的序号，j＝1,2；第一三相两电平逆变器VSI1的三相桥臂相互并联在直流正母线P与直流负母线N之间，即开关管Sa11、Sb11、Sc11的集电极并联后连接直流正母线P，开关管Sa12、Sb12、Sc12的发射极并联后连接直流负母线N；在第一三相两电平逆变器VSI1的三相桥臂中，开关管Sa11和开关管Sa12串联，开关管Sb11和开关管Sb12串联，开关管Sc11和开关管Sc12串联，其连接点分别记为第一三相两电平逆变器VSI1的三相桥臂中点a1、b1、c1；
所述第二三相两电平逆变器VSI2的三相桥臂中，每相桥臂包括2个带反并联二极管的开关管，即第二三相两电平逆变器VSI2共包括6个带反并联二极管的开关管，6个开关管分别记为Sn2j；第二三相两电平逆变器VSI2的三相桥臂相互并联在直流正母线P'与直流负母线N'之间，即开关管Sa21、Sb21、Sc21的集电极并联后连接直流正母线P'，开关管Sa22、Sb22、Sc22的发射极并联后连接直流负母线N'；在第二三相两电平逆变器VSI2的三相桥臂中，开关管Sa21和开关管Sa22串联，开关管Sb21和开关管Sb22串联，开关管Sc21和开关管Sc22串联，其连接点分别记为第二三相两电平逆变器VSI2的三相桥臂中点a2、b2、c2；
所述三相定子绕组OEWIM中包括三相绕组，A相绕组、B相绕组和C相绕组的左端口分别接第一三相两电平逆变器VSI1的三相桥臂中点a1、b1、c1，A相绕组、B相绕组和C相绕组的右端口分别接第二三相两电平逆变器VSI2的三相桥臂中点a2、b2、c2。
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