CN113345815B - 一种钝化层的测量方法和太阳电池的制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种钝化层的测量方法和太阳电池的制备方法，属于太阳电池领域。测量方法包括：提供具有钝化层的测试样片；确定钝化层的期望获得的目标参数；根据钝化层的简化测试模型，确定测量所需的第一条件参数；利用第一条件参数，通过椭圆偏光法在椭圆偏振光谱仪上对测试样片中的钝化层进行检测，以获得对应于目标参数的第一测量结果参数。该测量方法简单易于实施，且能够获得合理精度的测量数据。
Description
技术领域
本申请涉及太阳电池领域，具体而言，涉及一种钝化层的测量方法和太阳电池的制备方法。
背景技术
在光伏产业中，管式等离子增强化学气相沉积镀膜设备已被广泛地使用。该设备的特点在于可以制备多层氮化硅、氮氧化硅以及氧化硅镀膜层。为了对镀膜结构进行质量检测、对镀膜工艺进行改进，需要对其进行测试表征——例如，椭圆偏振光谱仪。椭圆偏振光谱仪基于椭圆偏振光法，可以实现非接触式、非破坏性的薄膜厚度和光学特性检测。
二氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化硅(SiNx)是常见的太阳电池镀膜材料。氮氧化硅介质薄膜会随着氧含量的增加，而转向二氧化硅成分较多的结构；同时，氮氧化硅介质薄膜也会随着氮含量的增多，而转向氮化硅成分较多的结构。由于多层镀膜膜层结构越来越复杂，目前越来越多的厂家采用多层渐变式方案。因此，氮化硅镀膜层叠加氮氧化硅及氧化硅镀膜层的复合介质膜结构，为光学薄膜的量产监控测试方法带来了一定难度，特别是不同介质的多层镀膜测试模型，测试计算时间一般偏长。
发明内容
本申请提出了一种钝化层的测量方法和太阳电池的制备方法，其有助于多层镀膜层的快速简易测试，从而也可以达到缩短膜层的测试时间。
本申请是这样实现的：
在第一方面，本申请的示例提供了一种能够被用于应用于制备太阳电池的钝化层的测量方法。其中的钝化层包括叠置的多个钝化膜。
该测量方法包括：
提供测试样片，测试样片具有：作为第一基底的硅基底、形成于第一基底上的作为钝化层且厚度小于200纳米的钝化结构，钝化结构包括依次叠置于基底的氮氧化硅钝化膜、氧化硅钝化膜以及氮化硅钝化膜，且氮化硅钝化膜的表面为空气层；
确定钝化层的期望获得的目标参数；
根据钝化层的简化测试模型，确定测量所需的第一条件参数，其中简化测试模型包括：第二基底和形成于第二基底上的氮化硅膜，且该氮化硅膜的表面为空气层；
利用第一条件参数，通过椭圆偏光法在椭圆偏振光谱仪上对测试样片中的钝化层进行检测，以获得对应于目标参数的第一测量结果参数。
根据本申请的一些示例，测量方法包括：验证步骤；
验证步骤包括：
根据钝化层的实际测试模型结构，确定测量所需的第二条件参数；
利用第二条件参数，通过椭圆偏振光法在椭圆偏振光谱仪上对测试样品中的钝化层进行检测，以获得对应于目标参数的第二测量结果参数；
将第一测量结果参数，与第二测量结果参数进行比对，以修正第一条件参数。
根据本申请的一些示例，钝化结构来自于晶硅太阳电池；
当晶硅太阳电池为PERC电池时，第二基底为：硅基底或者，由硅层及其表面的氧化铝层所构成的硅氧化铝基底。
根据本申请的一些示例，当晶硅太阳能电池为单面PERC电池且钝化层位于其背面时，第二基底为：硅和氧化铝构成的复合基底，期望获得的目标参数包括膜厚和折射率，第一条件参数如下表1；
| 测试参数 | 测试下限 | 控制下限 | 目标值 | 控制上限 | 测试上限 |
| 膜厚 | 40.0～110.0 | 80.0～150.0 | 84.4～154.4 | 110.0～180.0 | 110.0～180.0 |
| 折射率 | 1.60～2.00 | 1.90～2.00 | 1.90～2.30 | 2.20～2.30 | 2.20～2.30 |
；
或者，当晶硅太阳能电池为单面PERC电池且钝化层位于其背面时，第二基底为：硅基底，期望获得的目标参数包括膜厚和折射率，第一条件参数如下表2；
| 测试参数 | 测试下限 | 控制下限 | 目标值 | 控制上限 | 测试上限 |
| 膜厚 | 70.0～90.0 | 110.0～150.0 | 115.0～155.0 | 120.0～160.0 | 120.0～180.0 |
| 折射率 | 1.95～2.05 | 2.05～2.20 | 2.07～2.22 | 2.09～2.24 | 2.11～2.26 |
；
或者，当晶硅太阳电池为单面PERC电池且钝化层位于其背面时，第二基底为：硅基底，期望获得的目标参数包括膜厚，第一条件参数如下表3；
| 测试参数 | 测试下限 | 控制下限 | 目标值 | 控制上限 | 测试上限 |
| 膜厚 | 70.0～90.0 | 110.0～150.0 | 115.0～155.0 | 120.0～160.0 | 120.0～180.0 |
| 折射率 | X | X | X | X | X |
其中，X的取值为2.0至2.1；
或者，当晶硅太阳电池为双面PERC电池且钝化层位于其背面时，第二基底为：硅基底，期望获得的目标参数包括膜厚和折射率，第一条件参数如下表4；
| 测试参数 | 测试下限 | 控制下限 | 目标值 | 控制上限 | 测试上限 |
| 膜厚 | 10.0～20.0 | 60.0～120.0 | 65.0～125.0 | 70.0～130.0 | 90.0～150.0 |
| 折射率 | 1.95～2.05 | 2.03～2.13 | 2.08～2.18 | 2.10～2.20 | 2.20～2.30 |
。
根据本申请的一些示例，测量方法包括：验证步骤；
验证步骤包括：
根据钝化层，确定测量所需的第二条件参数；
利用第二条件参数，通过椭圆偏振光法在椭圆偏振光谱仪上对钝化层进行检测，以获得对应于目标参数的第二测量结果参数；
目标参数包括膜厚和折射率，并且第二条件参数如以下表5所示；
根据本申请的一些示例，在提供测试样片的步骤中：测试样片有同批次的多个；
利用第一条件参数，通过椭圆偏振光法在椭圆偏振光谱仪上对测试样片的钝化层进行检测的步骤中：分别将每个测试样片的钝化层的不同部位进行检测。
根据本申请的一些示例，同批次的测试样片来自于钝化层的制造设备的不同工位，且制造设备为PECVD镀膜设备，不同工位包括PECVD镀膜设备中的石墨舟的第一炉口、第二炉口、炉中、第一炉尾、第二炉尾。
根据本申请的一些示例，目标参数包括：
钝化层的厚度；
和/或，钝化层的折射率；
和/或，多个钝化膜中任意一个或多个钝化膜的厚度；
和/或，多个钝化膜中任意一个或多个钝化膜的折射率。
在第二方面，本申请的示例提供了一种太阳电池的制备方法。其中的太阳电池包括形成PN结的硅片层和形成于其表面的钝化层制备。该方法包括：
制备PN结层和钝化层的制备步骤；
实施前述钝化层的测量方法的测量步骤。
根据本申请的一些示例，当根据测量方法获得的第一测量结果参数，不符合期望值时，制备方法还包括：
执行一次或多次修正操作，直至测量方法获得的第一测量结果参数满足期望值；
其中，修正操作包括：
通过经过修正的工艺参数，实施制备步骤；
实施测量步骤。
在以上实现过程中，本申请实施例提供的钝化层的测量方法，是一种简单易于实施的测试方案。该方案将有助于统一镀膜的光学厚度(光程)测试标准、简化测试模型。此外，通过在测试过程中，固定薄膜折射率，可以减少薄膜光学厚度的计算时间，从而节约测试时间，进而有利于镀膜量产制程的控制。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1本申请示例中的镀膜的测试样片的制备流程示意图；
图2本申请示例中的镀膜测试样片在PECVD设备的石墨舟中的位置示意图；
图3是本申请的氮化硅膜叠加氧化硅膜和氮氧化硅膜测试模型(硅基底)示意图；
图4为本申请中测试样片在测试时的放置位置示意图；
图5是本申请的单/双面电池氮化硅测试模型(硅基底/硅+氧化铝基底)示意图。
图标：6-测试样片；5-衬底；4-氮氧化硅膜；3-氧化硅膜；2-多层渐变式氮化硅膜；1-空气层；7-第一位置；8-第二位置；9-第三位置；10-第四位置；11-第五位置；12-测试片固定卡点；13-测试用电磁光波入射及反射点位。
具体实施方式
目前，在利用椭圆偏振光谱仪对镀膜层结构—尤其是复杂的多层膜—测试时，随着测试次数的增多，测试偏差会不断增大，测试镀膜样片过程中需要多次校准才能达到相对精准测量，因此会导致制程监控所需的时间延长，从而不利于产线监控。另外，由于多层膜模型具有多个光学厚度(光程)，计算公示较复杂，无法实现膜厚和折射率都同时满足精准的测量。并且，多次重复测量不同材质成分的多层膜模型的膜厚和折射率时，由于随着多层膜的膜厚折射率测量次数增加，测试精度不断下降，需要不断校准测试精度。
有鉴于该现状，本申请提出了一种简易的测试方法，其可以简化多层镀膜结构的测试模型及测试计算。作为一种实际的应用，在示例中，发明人提供了一种针对氮氧化硅、叠加氮化硅的多层镀膜的简易测试方法。
在阐述本申请提出的测试方法之前，以下将就多层镀膜结构的制备和测试进行说明。
以叠层复合钝化膜结构晶硅PERC太阳电池为例。
该晶硅PERC太阳电池的叠层复合钝化膜结构是：氮氧化硅叠加氮化硅的多层镀膜结构。其制备过程如图1所示，其中的设备为管式PECVD镀膜设备，电池片镀膜的载体为石墨舟。电池片在石墨舟中的位置如图2所示；测试时，按照炉口、第二炉口、炉中、第二炉尾、炉尾取5个位置的电池测试样片。
制备方法如下：
步骤1、首先设计镀膜的膜层结构。步骤2、备好的P型硅片，经过去损伤层和制绒。步骤3、在硅基底正面依次制备N型发射结。步骤4、在硅基底正面制作N++SE重掺区(选择性发射极)。步骤5、刻蚀及背面抛光。步骤6、退火沉积氧化硅膜。步骤7、在背面沉积氧化铝膜。步骤8、在正/背面依次沉积氮化硅膜、氮氧化硅膜、及氧化硅膜等。
制备流程详述如下：
利用P型单晶/多晶硅片，采用槽式或链式制绒设备，单晶硅片用碱制绒工艺制备正面绒面结构；P型多晶硅片采用链式制绒设备，用酸制绒工艺制备正面绒面结构；
扩散一般采用管式扩散炉，在制绒面采用磷扩散工艺，扩散方阻为100-200Ω/□；
优选的，正面可以叠加SE工艺形成选择性发射极，局部形成N++SE重掺区，N++SE重掺区方阻为60-120Ω/□；
刻蚀可采用链式湿法刻蚀设备或等离子体刻蚀设备，采用湿法刻蚀设备可采用酸抛光或碱抛光工艺，刻蚀后抛光面反射率为25％～48％；
退火工艺可采用干氧热氧化或臭氧氧化，氧化后在硅基底表面生产一层氧化硅膜，厚度在2nm～5nm左右；
背面氧化铝钝化膜采用ALD或PECVD设备制备，一般采用单面氧化铝工艺，如制备双面氧化铝膜，需要在刻蚀工序将正面氧化铝膜清洗掉；
正面复合钝化减反射膜，使用PECVD设备制备氮化硅膜、氮氧化硅膜及氧化硅膜，单一介质膜折射率在1.45～2.3之间；正面多层复合钝化膜总厚度在60nm～95nm之间；
背面复合钝化减反射膜，使用PECVD设备制备，单一介质膜折射率在1.45～2.3之间；背面多层复合钝化膜总厚度在80nm～210nm之间；
通过上述工序流程制之后，从石墨舟取出测试样片，在椭圆偏振光谱仪等仪器上测试样片。由此即可制备晶硅电池的多层复合钝化膜结构并测试所需数据。例如，为了测试膜厚和折射率，在椭圆偏振光谱仪的计算机操作界面上设置建模参数。
其实际测试模型为：单面电池背面镀膜——氮化硅膜叠加氧化硅膜和氮氧化硅膜测试模型(硅基底)。即，其实际测试模型结构是衬底5(硅衬底)之上的氮氧化硅膜4、氧化硅膜3以及多层渐变式氮化硅膜2，氮化硅之上的是空气层1；且如图3所示。
测试参数设置如下表T1：
表T1
该实际的测试模型可根据测试需求选择如下测试选项中的一种或几种：包括空气介质的Index of refraction、Absorption；氮化硅镀膜层的Thickness[nm]、e1(inf)、Eg(0)、A(0)、E0(0)、C(0)；氮氧化硅镀膜层的Thickness、N0、N1、N2、K0、K1、K2；氧化硅镀膜层的Thickness、N0、N1、N2、K0、K1、K2。
测试方法：将硅片按照本申请的工艺流程制备成5张镀膜后标准样片。每次测试取5张样片测试，每片测试5个不同位置的测试点，测试片放置位置如图4所示。在图4中镀膜后的电池测试样片6为正方形。椭偏仪的测试台共5个放置测试样片的位置，每个放置位置是与测试样片相同大小的正方形—图4中的第一位置7、第二位置8、第三位置9、第四位置10以及第五位置11。由于每张测试样片在测试台面上都是5个固定位置测试，可以保证测试结果有对比性。每片按照上述测试方法测试5个点的膜厚与折射率，更换测试模型后，重复上述操作。
测试用电磁光波入射及反射点位13在测试位置为图4中的对称中心。第一个测试片放置位置是第一位置7，用于测试样片的下边缘位置的膜厚和折射率。第二位置8是该测试片第二个放置位置，用于测试样片的右边缘位置的膜厚和折射率；第三位置9是该测试片第三个放置位置，用于测试样片的上边缘位置的膜厚和折射率；第四位置10是该测试片第四个放置位置，用于测试样片的左边缘位置的膜厚和折射率；第五位置11是该测试片第五个放置位置，用于测试样片的中心点位置的膜厚和折射率。图4中的测试片的测试片固定卡点12，可以保证测试样片在对应测试台面上不滑动。
该实际测试模型的测试结果如下表T2：
表T2
测试结果：
氮化硅层膜厚65.17nm，氮化硅层折射率2.1012；
氧化硅层膜厚为0nm，氧化硅层折射率1.4375；
氮氧化硅层膜厚64.50nm，氮氧化硅层折射率1.9141。
镀膜层总厚度为129.67nm，镀膜层总折射率为2.0543，氮化硅膜叠加氧化硅膜和氮氧化硅膜的测试时间是10.426s。重复测试15次，氮化硅层厚度逐渐增厚到75nm，氮氧化硅层厚度逐渐减薄54nm，第16次测试出现异常错误，之后无法测试，需重新建模导入。
根据上述描述可知，按照前述方式进行测试，存在多种问题。因此，在本申请中对上述实际测试模型进行简化。采用简化的单层镀膜模型测试复杂的多层镀膜膜层结构，通过固定薄膜折射率简化镀膜膜层测试时间。因此，结合该测试方法，通过特殊气体(特气)流量、不同材质镀膜膜层沉积速率和沉积时间辅助制程监控。
作为示例，针对上述实际测试模型的简化测试模型(如图5所示)的测试方法如下。
示例1
单面电池背面镀膜—氮化硅测试模型(硅+氧化铝基底)
测试参数设置：
该简化测试模型将原始测试模型中的氮氧化硅层、氧化硅层及氮化硅层合并为一层氮化硅膜层，保留氧化铝层，可根据测试需求选择如下测试选项中的一种或几种，包括空气介质的Index of refraction、Absorption；氮化硅镀膜层的Thickness[nm]、N0、N1、N2、K0、K1、K2；
采用与实际测试模型相同的测试样片测试，测试结果如下：
镀膜层总厚度为129.63nm，镀膜层总折射率2.0537；镀膜层总的测试时间是10.194s。再重复测试30次，膜厚测试数据波动小于1nm。
再次用原始测试模型比对测试，结果如下：
用上述的简化测试模型测试镀膜测试片的膜厚与折射率，镀膜层总厚度为129.63nm，镀膜层总折射率2.0537；用实际模型验证测试结果，镀膜层总厚度为129.49nm，镀膜层总折射率2.0588；测试结果在允许误差范围内，测试结果可信。
示例2
单面电池背面镀膜—氮化硅测试模型(硅基底)
测试参数设置：
将实际测试模型中的氮氧化硅层、氧化硅层及氮化硅层合并为一层氮化硅膜层，不保留氧化铝膜层，可根据测试需求选择如下测试选项中的一种或几种，包括空气介质的Index of refraction、Absorption；氮化硅镀膜层的Thickness[nm]、e1(inf)、Eg(0)、A(0)、E0(0)、C(0)；
采用与具体实施方案相同的测试样片测试，测试结果如下：
测试结果：镀膜层总厚度为130.18nm，镀膜层总折射率2.0541；镀膜层总的测试时间是8.864s。重复测试30次，膜厚测试数据波动小于1nm。
再次用原始测试模型比对测试，结果如下：
通过上述的简化测试模型，测试镀膜测试片的膜厚与折射率，镀膜层总厚度为130.18nm，镀膜层总折射率2.0541；用原始模型验证测试结果，镀膜层总厚度为129.76nm，镀膜层总折射率2.0564；测试结果在允许误差范围内，测试结果可信。
示例3
单面电池背面镀膜—氮化硅测试模型(硅基底)
在本示例中按照示例2进行参数设置，不进行折射率的模拟计算，即锁定折射率测试值为2.0～2.1之间。
采用与实际测试模型相同的测试样片测试，测试结果如下：
测试结果：镀膜层总厚度为129.74nm，镀膜层总折射率固定为2.054；镀膜层总的测试时间是7.914s。重复测试30次，膜厚测试数据波动小于1nm。
再次用实际测试模型比对测试，结果如下：
用上述简化测试模型测试镀膜测试片的膜厚与折射率，镀膜层总厚度为129.74nm，镀膜层总折射率2.054；用原始模型验证测试结果，镀膜层总厚度为130.08nm，镀膜层总折射率2.0539；测试结果在允许误差范围内，测试结果可信。
示例4
双面电池背面镀膜—氮化硅测试模型(硅基底)
测试参数设置：
该测试模型可根据测试需求选择如下测试选项中的一种或几种，包括空气介质的Index of refraction、Absorption；氮化硅镀膜层的Thickness[nm]、N0、N1、N2、K0、K1、K2；不进行折射率的模拟计算，即锁定折射率测试值为2.1～2.2之间。
采用双面电池的测试样片测试，测试结果如下：
测试结果：镀膜层总厚度为94.98nm，镀膜层总折射率2.1325；镀膜层总的测试时间是7.788s。重复测试30次，膜厚测试数据波动小于1nm。
采用与本示例相同的双面电池的测试样片，再次用实际测试模型比对测试，结果如下：
用本实例的简化测试模型，测试镀膜测试片的膜厚与折射率，镀膜层总厚度为94.98nm，镀膜层总折射率2.1325；用原始模型验证测试结果，镀膜层总厚度为94.60nm，镀膜层总折射率2.1367；测试结果在允许误差范围内，测试结果可信。
通过上述示例可以证实，本申请方案可以取得至少如下一些效果：
通过简化多层薄膜的实际测试模型为简化测试模型，并基于其进行测试。单片电池背镀膜工序单点测试可节约时间2.28～2.638秒，每个石墨舟5张镀膜抛光片25点测试可节约时间57～65.95秒，一个班次抽测10个镀膜机台可节约时间570～659.5秒；多层薄膜结构模型的测试数据波动大，平均每测试3张样片(共15点)需要重新校准测试模型；简化镀膜模型测试方法测试数据波动小，节约了校准测试模型的时间。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种钝化层的测量方法，应用于制备太阳电池，所述钝化层包括叠置的多个钝化膜，其特征在于，所述测量方法包括：
提供测试样片，所述测试样片具有：作为第一基底的硅基底、形成于所述第一基底上的作为钝化层且厚度小于200纳米的来自于晶硅太阳能电池的钝化结构，所述钝化结构包括依次叠置于所述基底的氮氧化硅钝化膜、氧化硅钝化膜以及氮化硅钝化膜，且所述氮化硅钝化膜的表面为空气层；
确定所述钝化层的期望获得的目标参数；所述期望获得的目标参数包括膜厚和折射率；
根据所述钝化层的简化测试模型，确定测量所需的第一条件参数，其中所述简化测试模型包括：第二基底和形成于所述第二基底上的氮化硅膜，且该氮化硅膜的表面为空气层；
利用所述第一条件参数，通过椭圆偏光法在椭圆偏振光谱仪上对所述测试样片中的钝化层进行检测，以获得对应于所述目标参数的第一测量结果参数；其中，所述第一条件参数为所述膜厚的测试下限、所述膜厚的控制下限、所述膜厚的目标值、所述膜厚的控制上限、所述膜厚的测试上限、所述折射率的测试下限、所述折射率的控制下限、所述折射率的目标值、所述折射率的控制上限和所述折射率的测试上限。
2.根据权利要求1所述的钝化层的测量方法，其特征在于，所述测量方法包括：验证步骤；
所述验证步骤包括：
根据所述钝化层的实际测试模型结构，确定测量所需的第二条件参数；
利用所述第二条件参数，通过椭圆偏光法在椭圆偏振光谱仪上对所述测试样片中的钝化层进行检测，以获得对应于所述目标参数的第二测量结果参数；
将所述第一测量结果参数，与所述第二测量结果参数进行比对，以修正所述第一条件参数。
3.根据权利要求1所述的钝化层的测量方法，其特征在于，
当所述晶硅太阳电池为PERC电池时，所述第二基底为：硅基底或者，由硅层及其表面的氧化铝层所构成的硅氧化铝基底。
4.根据权利要求3所述的钝化层的测量方法，其特征在于，当所述晶硅太阳电池为单面PERC电池且所述钝化层位于其背面时，所述第二基底为：硅和氧化铝构成的复合基底，所述第一条件参数如下表1；
；
或者，当所述晶硅太阳电池为单面PERC电池且所述钝化层位于其背面时，所述第二基底为：硅基底，所述第一条件参数如下表2；
；
或者，当所述晶硅太阳电池为单面PERC电池且所述钝化层位于其背面时，所述第二基底为：硅基底，所述第一条件参数如下表3；
其中，X的取值为2.0至2.1；
或者，当所述晶硅太阳电池为双面PERC电池且所述钝化层位于其背面时，所述第二基底为：硅基底，所述第一条件参数如下表4；
。
5.根据权利要求4所述的钝化层的测量方法，其特征在于，所述测量方法包括：验证步骤；
所述验证步骤包括：
根据所述钝化层，确定测量所需的第二条件参数；
利用所述第二条件参数，通过椭圆偏振光法在椭圆偏振光谱仪上对所述钝化层进行检测，以获得对应于所述目标参数的第二测量结果参数；
所述目标参数包括膜厚和折射率，并且所述第二条件参数如以下表5所示；
6.根据权利要求1所述的钝化层的测量方法，其特征在于，在所述提供测试样片的步骤中：测试样片有同批次的多个；
利用所述第一条件参数，通过椭圆偏光法在椭圆偏振光谱仪上对所述测试样片的钝化层进行检测的步骤中：分别将每个测试样片的钝化层的不同部位进行检测。
7.根据权利要求1或6所述的钝化层的测量方法，其特征在于，同批次的测试样片来自于所述钝化层的制造设备的不同工位，且所述制造设备为PECVD镀膜设备，所述不同工位包括所述PECVD镀膜设备中的石墨舟的第一炉口、第二炉口、炉中、第一炉尾、第二炉尾。
8.根据权利要求1所述的钝化层的测量方法，其特征在于，所述目标参数包括：
所述钝化层的厚度；
和/或，所述钝化层的折射率；
和/或，所述多个钝化膜中任意一个或多个钝化膜的厚度；
和/或，所述多个钝化膜中任意一个或多个钝化膜的折射率。
9.一种太阳电池的制备方法，所述太阳电池包括形成PN结的硅片层和形成于其表面的钝化层，其特征在于，所述制备方法包括：
制备PN结层和钝化层的制备步骤；
实施根据权利要求1至8中任意一项所述的钝化层的测量方法的测量步骤。
10.根据权利要求9所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，当根据所述测量方法获得的第一测量结果参数，不符合期望值时，所述制备方法还包括：
执行一次或多次修正操作，直至所述测量方法获得的第一测量结果参数满足所述期望值；
其中，所述修正操作包括：
通过经过修正的工艺参数，实施所述制备步骤；
实施所述测量步骤。
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