CN113345475A - 磁盘装置 - Google Patents

Abstract

实施方式提供能够在抑制用于辅助功能的元件的劣化的发展并且维持读写特性的同时继续使用的磁盘装置。根据实施方式，磁盘装置具备：磁盘；磁头，其包括辅助向所述磁盘记录数据的辅助部；控制部，其基于记录条件来控制所述磁头的数据记录；以及存储器，其存储第1阈值，该第1阈值是规定所述辅助部所包含的辅助元件处于劣化状态的阈值。另外，所述控制部检测所述辅助元件的状态，基于该检测的状态和存储于所述存储器的所述第1阈值，判定是否变更所述记录条件，并根据其判定结果，变更所述记录条件。

Description

磁盘装置

本申请享受以日本专利申请2020-34865号(申请日：2020年3月2日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及磁盘装置。

背景技术

已知组装了具有辅助(assist)功能的磁头的磁盘装置。辅助功能是在写入(write，写)数据时用使用高频振荡元件产生的高频和/或使用近场光元件产生的近场光来提高写性能的功能。在这种磁盘装置中，若不断使用这些元件进行写入数据的动作，则高频振荡元件或者近场光元件会不断劣化(劣化发展)。如此，当高频振荡元件或者近场光元件产生经年劣化(随时间的劣化)时，读写特性会恶化，因而会导致磁盘装置的数据读写性能的降低。

在磁盘装置中，在能看出高频振荡元件或者近场光元件趋于劣化的情况下，通过停止辅助功能或者限制辅助量，能够抑制这些元件的劣化发展。

然而，在如上所述那样停止辅助功能或者限制辅助量的情况下，由于该影响而无法维持读写特性，磁盘装置的数据读写性能会降低。另外，在虽然未见到上述的元件的劣化的倾向但是能看出误比特率(bit error ratio，误码率)趋于恶化的情况下，若仍然继续进行写动作，也容易发生读写故障，磁盘装置的数据读写性能会降低。

发明内容

本发明的实施方式提供能够在抑制用于辅助功能的元件的劣化的发展并且维持读写特性的同时继续使用的磁盘装置。

一个实施方式涉及的磁盘装置具备：磁盘；磁头，其包括辅助向所述磁盘记录数据的辅助部；控制部，其基于记录条件来控制所述磁头的数据记录；以及存储器(memory)，其存储第1阈值，该第1阈值是规定所述辅助部所包含的辅助元件处于劣化状态的阈值。另外，所述控制部检测所述辅助元件的状态，基于该检测的状态和存储于所述存储器的所述第1阈值，判定是否变更所述记录条件，并根据其判定结果，变更所述记录条件。

附图说明

图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置的构成的一例的图。

图2是表示该实施方式涉及的磁头的构造的一例的剖视图。

图3的(a)和(b)是用于对该实施方式涉及的磁头的悬浮量(上浮量)的调整进行说明的图。

图4是表示该实施方式涉及的电阻值的时间轴数据的一例的图。

图5是表示该实施方式涉及的误比特率的测定结果的一例的图。

图6是用于对该实施方式涉及的电阻值的变化的一例进行说明的图。

图7是表示该实施方式涉及的相对于间隔(spacing，间距)的误比特率的关系映射(map)的一例的图。

图8是表示该实施方式涉及的相对于热致动器施加量的头-介质间间隔的关系映射的一例的图。

图9是表示第2实施方式涉及的相对于间隔的误比特率的关系映射的一例的图。

图10是表示该实施方式涉及的相对于头-介质间间隔的磁头寿命(使用寿命)的关系映射的一例的图。

图11是用于对第3实施方式涉及的两个阶段(等级)的阈值进行说明的图。

图12是表示该实施方式涉及的相对于偏置(bias)电压的增量(Delta)误比特率的关系映射的一例的图。

图13是表示第4实施方式涉及的相对于偏置电压的增量误比特率的关系映射的一例的图。

图14是表示该实施方式涉及的相对于偏置电压施加量的头寿命的关系映射的一例的图。

图15是表示该实施方式涉及的控制的定时(timing)的一例的时间图(timingchart)。

图16是表示第5实施方式涉及的控制的定时的一例的时间图。

图17是表示第6实施方式涉及的控制的定时的一例的时间图。

图18是表示第7实施方式涉及的相对于偏置电压累计施加时间(小时(h))的头故障率的关系映射的一例的图。

图19是表示第8实施方式涉及的相对于头-介质间间隔变化的增量误比特率的关系映射的一例的图。

图20是表示第9实施方式涉及的相对于偏置电压的增量误比特率的关系映射的一例的图。

图21是表示第10实施方式涉及的磁盘装置的构成的一例的图。

图22是表示该实施方式涉及的磁头的构造的一例的剖视图。

图23是表示该实施方式涉及的相对于近场光元件温度的近场光元件的电阻值的关系映射的一例的图。

图24是表示该实施方式涉及的相对于激光二极管增益(gain)的近场光元件温度的关系映射的一例的图。

图25是表示该实施方式涉及的相对于激光二极管增益的近场光强度的关系映射的一例的图。

图26是表示该实施方式涉及的相对于记录累计时间的近场光元件温度的关系映射的一例的图。

图27是表示该实施方式涉及的近场光元件劣化时的相对于激光二极管增益的近场光强度的关系映射的一例的图。

图28是表示该实施方式涉及的近场光元件劣化时的相对于激光二极管增益的近场光元件温度的关系映射的一例的图。

图29是表示该实施方式涉及的相对于记录累计时间的激光二极管增益的关系映射的一例的图。

图30是表示该实施方式涉及的相对于记录累计时间的激光二极管增益变化的关系映射的一例的图。

图31是表示该实施方式涉及的控制的定时的一例的时间图。

图32是表示该实施方式涉及的控制的定时的一例的时间图。

图33是表示第11实施方式涉及的控制的定时的一例的时间图。

图34是表示第12实施方式涉及的控制的定时的一例的时间图。

图35是表示第13实施方式涉及的控制的定时的一例的时间图。

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式进行说明。此外，公开只不过是一个例子，发明并非由以下的实施方式中记载的内容所限定。本领域技术人员能够容易地想到的变形当然包括在公开的范围内。为了更加明确地进行说明，在附图中有时也相对于实际的实施形态变更各部分的尺寸、形状等来将其示意性地示出。在多个附图中，对对应的要素标注相同的参照数字，有时也省略详细的说明。

(第1实施方式)

图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置的构成的一例的图。

如图1所示，磁盘装置1例如构成为硬盘驱动器(HDD：hard disk drive)，具备磁盘2、主轴马达(SPM：spindle motor)3、致动器4、音圈马达(VCM：voice coil motor)5、磁头10、头放大器IC(head amplifier IC)11、R/W(读/写)通道12、硬盘控制器(HDC)13、微处理器(MPU)14、驱动器IC15和存储器16。另外，磁盘装置1能够与主计算机(主机)17连接。详情如后所述，磁头10具备写头(记录头：writer)10W、读头(再现头：reader)10R以及作为高频振荡元件的自旋转矩振荡元件(Spin-Torque-Oscillator：STO)100。此外，R/W通道12、HDC13以及MPU14也可以组装于1芯片的集成电路。

磁盘2例如具有形成为圆板状的由非磁性体形成的基板。在基板的各表面，作为基底层的由表现为软磁特性的材料形成的软磁性层、在其上层部的在相对于盘面垂直的方向上具有磁各向异性的磁记录层、以及在其上层部的保护膜层按所记载的顺序层叠。在此，将磁头10的方向作为上层。

磁盘2固定于主轴马达(SPM)3，通过该SPM3而以预定的速度旋转。此外，不限于一片磁盘2，也可以将多片磁盘2设置于SPM3。SPM3通过从驱动器IC15供给的驱动电流(或驱动电压)驱动。磁盘2由磁头10记录并再现数据模式(data pattern)。磁盘2具有监视用区域200。监视用区域200是存储与数据的读写有关的信息的区域。监视用区域200例如设置在磁盘2的径向的最外周或最内周的一部分。

致动器4转动自如地设置，并且在其前端部支承有磁头10。通过音圈马达(VCM)5使致动器4转动，由此磁头10移动到磁盘2的所期望的磁道(track)上并定位。VCM5通过从驱动器IC15供给的驱动电流(或驱动电压)驱动。

磁头10具有滑块8以及形成于滑块8的写磁头10W和读磁头10R(参照图2)。根据磁盘2的片数而设置多个磁头10。

头放大器IC11包括与STO100的驱动、振荡特性的检测等有关的电路。例如，头放大器IC11包括STO控制部111。头放大器IC11执行STO100的驱动、驱动信号检测等。再者，头放大器IC11将从R/W通道12供给的与写数据(write data)相应的写信号(写电流)供给到写磁头10W。另外，头放大器IC11将从读磁头10R输出的读信号放大而传输到R/W通道12。

STO控制部111控制向写磁头10W的STO100通电的电流。此外，头放大器IC11还包括：根据写入信号来控制向写磁头10W的线圈供给的记录电流的记录线圈控制部、检测通过读磁头10R所再现的信号(读数据(read data))的再现信号检测部、和控制向后述的加热器(heater)的电力供给的加热器控制部。

R/W通道12是处理与读取(读)/写入(写)关联的信号的信号处理电路。R/W通道12包括执行读数据的信号处理的读通道和执行写数据的信号处理的写通道。R/W通道12将读信号转换为数字数据，从数字数据解码读数据。R/W通道12对从HDC13传输的写数据进行编码，并将编码后的写数据传输到头放大器IC11。

HDC13经由磁头10、头放大器IC11、R/W通道12以及MPU14，控制向磁盘2的数据的写入和从磁盘2的数据的读取。HDC13构成磁盘装置1与主机17的接口，执行读数据和写数据的传输控制。即，HDC13作为接收从主机17传输的信号并且向主机17传输信号的主机接口控制器而发挥作用。在向主机17传输信号的情况下，HDC13对遵从MPU14而由磁头10读取、解码出的再现信号的数据执行纠错处理。另外，HDC13接收从主机17传输的指令(写指令、读指令等)，将接收到的指令发送给MPU14。

MPU14是磁盘装置1的主控制器(控制部)，执行读写动作的控制以及磁头10的定位所需的伺服控制。再者，MPU14包括检测部141、判定部142以及调整部143。检测部141检测STO100的状态。在本实施方式中，检测部141检测STO100的电阻值。判定部142基于由检测部141得到的STO100的状态的监视结果、以及存储于后述的存储器16的阈值，判定是否变更磁头10的数据记录的记录条件。调整部143基于判定部142的结果，变更磁头10的磁盘2的数据记录的记录条件。关于由该检测部141、判定部142以及调整部143执行的处理的详情，将会在后面说明。

驱动器IC15按照MPU14的控制来控制SPM3和VCM5的驱动。通过VCM5驱动，使磁头10定位到磁盘2上的目标磁道。

存储器16包括易失性存储器以及非易失性存储器。例如，存储器16包括由DRAM形成的缓冲存储器以及闪速存储器。存储器16保存MPU14的处理中所需的程序以及参数(判定值等)。另外，在存储器16中，存储变更磁头10的记录条件所使用的各种阈值和/或关系映射。

接着，对磁头10的构成进行详细说明。

图2是表示磁头10的构造的一例的剖视图。首先，如图2所示，磁头10具有在滑块8的端部通过薄膜工艺形成的写磁头10W和读磁头10R，形成为分离型的头。滑块8为了从磁盘2的记录面上浮而具有作为与磁盘2的记录面相对的面的ABS(Air Bearing Surface，气垫面)9。写磁头10W在磁盘2上写入数据。读磁头10R读取磁盘2上所记录有的数据。

写磁头10W具备主磁极20、返回(return)磁极21、非导电体22、前导(leading)磁极23、连接部(后间隙)23B、第1记录线圈24、第2记录线圈25、第1端子26、第2端子27和STO100。主磁极20、返回磁极21以及前导磁极23由高透磁材料形成。主磁极20和返回磁极21构成形成闭合磁路的第1磁芯，第1记录线圈24卷绕于该第1磁芯。另外，主磁极20和前导磁极23构成形成闭合磁路的第2磁芯，第2记录线圈25卷绕于该第2磁芯。

主磁极20在与磁盘2的记录面(记录层)垂直的方向上产生记录磁场。主磁极20与磁盘2的记录面大致垂直地延伸而形成。主磁极20的磁盘2侧的前端部朝向盘面以头部变细的方式收缩。主磁极20的前端部的一部分向滑块8的ABS9露出。主磁极20与用于流通电流的第1端子26连接。例如，向第1端子26通电有直流电流。

返回磁极21形成为磁盘2侧的前端部朝向主磁极20弯曲的大致L形状。返回磁极21的前端部隔开写间隙WG地与主磁极20的前端部相向。返回磁极21在远离磁盘2的位置具有突出部，该突出部经由非导电体22与主磁极20连接。第1记录线圈24卷绕在突出部的周围。返回磁极21与用于流通电流的第2端子27连接。例如，与第1端子26同样地，向第2端子27通电有直流电流。

STO100在写间隙WG内设置在主磁极20的前端部与返回磁极21的前端部之间。STO100通过对磁阻膜进行精细加工而形成为磁性体膜与非磁性体膜的层叠结构的大致长方体状。主磁极20的前端面、返回磁极21的前端面以及STO100所形成的面在ABS9露出，并与磁盘2的记录面相向地配置。STO100经由非磁性导电层，与主磁极20以及返回磁极21电连接。由此，形成通过主磁极20、STO100以及返回磁极21而通电的通电电路。STO100在层叠方向被施加电流、例如直流电流时，由于电子所具有的磁体的性质，元件所包含的强磁性体中的自旋进行进动(旋进)。STO100通过该进动，以微波波段的交流信号(高频磁场)振荡。STO100按照MPU14的控制，由STO控制部111以及上述的记录线圈控制部控制振荡的ON/OFF(启动/停止)。

前导磁极23包含软磁性体而形成。前导磁极23相对于主磁极20而配置在与返回磁极21相反侧、即主磁极20的前导侧。前导磁极23形成为大致L字状，其前端部隔开间隙地与主磁极20的前端部相向。远离磁盘2的前导磁极23的上端部通过由磁性体形成的连接部23B而与主磁极20连接。第2记录线圈25卷绕在连接部23B的周围。

第1记录线圈24与第2记录线圈25彼此朝相反方向卷绕。第1记录线圈24和第2记录线圈25经由头放大器IC11串联连接。由记录线圈控制部112进行向第1记录线圈24和第2记录线圈25供给电流的控制。此外，第1记录线圈24和第2记录线圈25也可以分别进行电流供给控制。通过使第1记录线圈24和第2记录线圈25流通交流电流，使主磁极20励磁。

读磁头10R具有磁性膜30和屏蔽膜31、32，磁性膜30具有磁阻效应，屏蔽膜31、32夹着磁性膜30地配置在该磁性膜30的尾随(trailing)侧和前导侧。这些磁性膜30、屏蔽膜31、32的下端在滑块8的ABS9露出。

如图2所示，磁头10具备作为发热元件发挥作用的第1加热器28以及第2加热器29。第1加热器28以及第2加热器29内置在滑块8内。第1加热器28例如在主磁极20的上方设置在第1记录线圈24与第2记录线圈25之间。第2加热器29例如配置在屏蔽膜31的侧方。

第1加热器28以及第2加热器29与头放大器IC11的上述的加热器控制部连接。而且，在从加热器控制部向第1加热器28以及第2加热器29通电时，第1加热器28以及第2加热器29发热，将周围的滑块8部分加热。由此，滑块8、写磁头10W、读磁头10R发生热膨胀，ABS9向磁盘2的表面侧突出。如此，能够通过第1加热器28以及第2加热器29调整磁头10的悬浮量(磁头10的ABS9与磁盘2的表面的距离)。根据向第1加热器28以及第2加热器29通电的电流(施加的电压)的值，调整滑块8、写磁头10W、读磁头10R膨胀的大小。即，根据向第1加热器28以及第2加热器29通电的电流(施加的电压)的值，调整磁头10的悬浮量。此外，加热器不限于为两个，也可以设置一个或者三个以上。

以下，参照图3的(a)以及图3的(b)，对第1加热器28以及第2加热器29的悬浮量的调整进行详细说明。图3的(a)是表示第1加热器28以及第2加热器29为ON(开启)状态的头的悬浮量的示意图。图3的(b)是表示第1加热器28以及第2加热器29为OFF(关断)状态(或者为与通常的记录再现动作时相比通电的电流较小的状态)的头的悬浮量的示意图。

如图3的(a)所示，在磁头10悬浮的状态下，若向第1加热器28以及第2加热器29通电(ON状态)，则磁头10被加热，ABS9向磁盘2的表面侧突出。由此，磁头10的悬浮量变小(减少)，即磁盘2的表面与ABS9的间隔变小，例如变为1nm左右。通过减小悬浮量，能够由磁头10对磁盘2良好地进行信息的记录、再现。同时，能够将来自STO100的高频磁场充分地施加于磁盘2，发挥高频辅助效果。

如图3的(b)所示，在不向第1加热器28以及第2加热器29通电(OFF状态)的情况下，磁头10的ABS9不会向磁盘2侧膨胀，而维持大致平坦的状态。因此，磁头10的悬浮量大，磁盘2的表面与ABS9的间隔例如成为10nm左右。在这种高悬浮状态下，由于上述的STO与磁盘2的间隔大，因而从STO100振荡的高频磁场几乎不作用于磁盘2，不提供辅助效果。

图4、图5是表示在磁盘装置1中检测部141检测出的结果的一例的图。具体而言是，检测部141每小时一次地对头放大器IC11施加检查用低电压从而检测STO100的电阻值所得到的结果。另外，检测部141在检测STO100的电阻值时，也进行误比特率的检测。

图4是表示检测部141检测出的电阻值的时间轴数据的一例的图。在图4中，横轴为记录累计时间，纵轴为STO100的电阻值。图4中示出了从初始值起监视STO100的电阻值的变动所得到的结果。另外，图5是表示误比特率的测定结果的一例的图。在图5中，横轴为记录累计时间，纵轴为误比特率。该记录累计时间是与图4的记录累计时间对应的时间。由两图，能够比较记录累计时间从初始值起经过时的、STO100的电阻值的变化与误比特率的变化。如图4、图5所示，在时间上先检测出STO100的电阻变化后，经过了图示的预定时间后误比特率出现变化。具体而言，电阻值在1400小时过后产生了变化，误比特率在1600小时之前产生了变化。在STO100的电阻值和误比特率均分别产生变化时，随着时间推移，STO100的电阻值加速地增大，误比特率以出错率加速的方式增大。

在此，假设对电阻值设置阈值RT1(第1阈值)。在此，阈值RT1是规定在STO100的电阻值增大、STO100的性能大幅劣化之前的劣化状态的电阻值。此外，阈值RT1存储于存储器16。如此，若在超过阈值RT1后还继续对STO100施加偏置电压Vb，则如图4所示那样，电阻值的变化、即STO100的劣化会加速。然而，通过降低偏置电压Vb，能够减小其斜率(即，劣化的发展程度)，进而，通过停止施加偏置电压Vb，能够阻止STO100的电阻值的恶化。

图6是用于对使向STO100施加的偏置电压Vb在阈值RT1处发生变化的情况下的电阻值的变化的一例进行说明的图。在图6中，横轴为时间，纵轴为电阻值。另外，示出了在累计时间H(h)的定时改变了向STO100施加的偏置电压Vb的情况。若将偏置电压Vb维持不变，则检测部141所检测的STO100的电阻值会加速地增大，而若减小偏置电压Vb，则电阻值加速增大的斜率变小，若使偏置电压Vb关断(OFF)，则能够阻止电阻值的变化。而且，仅停止对于为了防止STO100的劣化而成为对象的磁头10施加偏置电压Vb，继续进行磁盘装置1的记录动作。

如上，在对STO100减少偏置电压Vb的施加量的情况下，由于STO100的振荡功能降低或者停止，因而记录数据时的误比特率会恶化。因此，在本实施方式的磁盘装置1中，基于上述的阈值RT1，MPU14变更磁头10的记录条件。具体而言，MPU14通过使该磁头10的悬浮量减少的处理、也就是说通过减少磁头10的悬浮面与磁盘2的记录面之间的间隔来补偿。以下，对该处理进行说明。

图7是表示相对于间隔的误比特率的关系映射的一例的图。该映射存储于存储器16。在图7中，横轴为间隔，纵轴为误比特率。另外，在图7中，方块是在施加了偏置电压的情况下(STO-On)的误比特率，黑圆点是在将阈值设定为STO100的电阻值并且不施加偏置电压的情况下(STO-Off)的误比特率，白圆圈是在将阈值设定为误比特率并且不施加偏置电压的情况下(STO-Off)的误比特率。如图7所示，STO100的偏置电压的施加的On/Off差越小，则能够以更小的间隔减少量弥补误比特率的恶化量。

另外，在对STO100的电阻值的变化设置了阈值的情况下，通过将间隔从0.8nm变更为0.2nm，误比特率改善到初始的误比特率。另一方面，在对同时监视的误比特率的变化设置了阈值的情况下，即使将间隔从0.8nm变更为0.0nm，也无法到达初始的误比特率。因此，在STO100的劣化判定中优选对STO100的电阻值设置阈值。另外，能够根据误比特率与间隔的关系估计为了维持读写品质所需的间隔减少量。

图8是表示在将STO100的偏置电压Vb停止后、相对于第1加热器28以及第2加热器29(热致动器)的施加量的磁头10与磁盘2的记录面(头-介质)之间的间隔的关系映射的一例的图。该映射存储于存储器16。

使用图8所示的关系映射，调整部143能够在将STO100的偏置电压Vb停止后，重新调整第1加热器28以及第2加热器29(热致动器)的施加量、即将磁头10的悬浮量调整为0.2nm。在此，调整部143能够在悬浮量的调整中使用三次谐波法(Third harmonicmethod)，该方法检测三次高次谐波分量的振幅，根据一次分量与三次分量之比的变化来求取间隔。另外，调整部143也能根据一次分量的振幅变化来求取间隔。如此，在将磁头10的悬浮量进行再调整后实施了长期运转试验的结果为，经过3000个小时也未见产生磁盘装置1的读写特性恶化的故障。

根据以上结果，磁盘装置1的判定部142针对STO100的电阻值，将上述的阈值RT1设置于存储器16。而且，磁盘装置1由检测部141检测STO100的电阻值，并在由判定部142判定为该检测出的电阻值超过了阈值RT1的情况下，由调整部143变更记录条件以使得减少磁头10的相对于磁盘2的记录面的悬浮量。由此，磁盘装置1能够在抑制用于辅助功能的STO100的劣化的发展并且维持读写特性的同时继续使用。因此，能够延长磁盘装置1的寿命。

(第2实施方式)

第2实施方式与第1实施方式的不同之处在于，在STO100的辅助效果比第1实施方式大的情况下不同。因此，对STO100的辅助效果大的情况下的处理进行详细说明。此外，对与第1实施方式相同的构成赋予相同的标号，并省略对它们的详细说明。

将STO100的偏置电压Vb的施加电压设定为上述第1实施方式的1.3倍。由此，STO100的辅助效果增大，而STO100的负荷也增大。

图9是表示在将STO100的偏置电压Vb的施加电压设定为上述第1实施方式的1.3倍的情况下的相对于间隔的误比特率的关系映射的一例的图。该关系映射存储于存储器16。在图9中，横轴为间隔，纵轴为误比特率。另外，在图9中，方块是施加了偏置电压的情况下(STO-On)的误比特率，黑圆点是将阈值设定为STO100的电阻值并且不施加偏置电压的情况下(STO-Off)的误比特率。另外，NG线(no good line)是必须防止误比特率进一步恶化的线。

这是进行了如下处理的结果：检测部141检测STO100的电阻值，在由判定部142判定为所检测的电阻值超过了阈值RT1时，调整部143仅对对象的磁头10，停止偏置电压Vb的施加，并继续进行磁盘装置1的记录动作。如图9所示，与上述第1实施方式的图7的情况相比，STO100的偏置电压Vb的施加On/Off差较大，即使将间隔变更为0.0nm也无法到达初始的误比特率(-2.2)。

在此，调整部143根据间隔与磁头10的寿命的关系来计算满足所期望的寿命目标的间隔。图10是表示相对于头-介质间间隔的磁头10的寿命的关系映射(第1关系映射)的一例的图。该关系映射存储于存储器16。

在图10中，横轴为磁头10与磁盘2的记录面之间(头-介质间)的间隔，纵轴为磁头10的寿命(头寿命)。当在由判定部142判定为STO100的电阻值超过了阈值RT1时，即使调整部143将间隔设定为0.0nm，误比特率也无法到达初始的误比特率的情况下，调整部143参照图10，根据所期望的头寿命算出间隔。所期望的头寿命可以预先任意设定，其期间存储于存储器16。调整部143算出间隔后，参照图9，算出满足该算出的间隔的并且误比特率低于NG线的间隔。调整部143通过将磁头10的悬浮量调整为这样算出的间隔，能够延长磁头10的寿命，进而延长磁盘装置1的寿命，抑制系统的停机时间(downtime)。

(第3实施方式)

第3实施方式与第1实施方式的不同之处在于，判定部142的判定分为两个阶段。因此，对判定部142的判定分为两个阶段的处理进行详细说明。此外，对与第1实施方式相同的构成赋予相同的标号，并省略对它们的详细说明。

图11是用于对两个阶段的阈值进行说明的图。此外，除了设定有两个阈值RT11、RT12以外，与上述的图4的说明相同。在记录累计时间超过1400h、原本稳定的STO100的电阻值开始上升后，设定阈值RT11，并将阈值RT12设定为与阈值RT11相比电阻值较大的值。也就是说，与阈值RT11相比，阈值RT12是规定STO100的电阻值进一步增大、STO100更加劣化的状态的阈值。阈值RT11、阈值RT12分别存储于存储器16。此外，阈值RT11也可以设定为与上述的阈值RT1相同的值。

在由判定部142判定为由检测部141所检测的STO100的电阻值超过了阈值RT11的情况下，调整部143仅对对象的磁头10，降低偏置电压Vb。调整部143基于相对于偏置电压的误比特率的关系映射来调整偏置电压Vb的施加量的减少。此外，该关系映射存储于存储器16。

图12是表示相对于偏置电压的增量误比特率的关系映射的一例的图。横轴为偏置电压，纵轴为增量误比特率。如图12所示，判定部142将对STO100施加的偏置电压从90mV降低为60mV，由此，增量误比特率从-0.3恶化为-0.2。调整部143通过变更记录条件、也就是说降低间隔来弥补这样恶化的误比特率。

与上述第1实施方式同样地，调整部143根据在图7中说明的误比特率与间隔的关系来算出为了维持读写品质所需的间隔减少量。在本实施方式中，调整部143算出要减少的悬浮量为0.45nm，将悬浮量从0.8nm调整为0.45nm。如此，由调整部143进行在超过了阈值RT11的情况下的记录条件的变更。MPU14在将偏置电压Vb开启(On)的状态下，进行数据的记录动作。

之后，在由判定部142判定为超过了阈值RT12的情况下，与上述的第1实施方式以及第2实施方式同样地，停止向成为对象的磁头10的STO100施加偏置电压Vb，进而，调整部143再次算出磁头10的悬浮量，调整向加热器28、29施加的电压以使磁头10位于算出的悬浮量。由此，磁盘装置1能够分阶段地进行STO100的劣化防止以及误比特率的调整。

(第4实施方式)

第4实施方式的不同之处在于，检测部141除了监视STO100的电阻值之外，还监视误比特率的变化。因此，对追加了检测部141监视误比特率的变化后的处理进行详细说明。此外，对与第1实施方式相同的构成赋予相同的标号，并省略对它们的详细说明。

判定部142基于上述的阈值RT1或者RT11及RT12来判定由检测部141所检测的STO100的电阻值，并且基于阈值BT1和与该阈值BT1不同的阈值BT2来判定误比特率的变化。阈值BT1是用于规定误比特率变差了的第1状态的阈值，与阈值BT1相比，阈值BT2是规定误比特率进一步变差了的状态的阈值。如此，判定部142构成为针对误比特率的变化进行两个阶段的判定。

图13至图15是表示本实施方式的处理的图。图13是表示相对于偏置电压Vb的误比特率的关系映射(第2关系映射)的一例的图。图14是表示偏置电压Vb的施加量与头寿命的关系映射的一例的图。图15是表示电阻值、误比特率、将偏置电压Vb及悬浮量进行调整的控制的定时的一例的时间图。此外，图13以及图14所示的关系映射存储于存储器16。

在本实施方式中，对STO100的电阻值没有变化的情况进行说明。在该情况下，在由判定部142判定为误比特率的恶化超过了阈值BT1的情况下，调整部143仅对成为对象的磁头10，减少悬浮量。与上述第1实施方式同样地，调整部143根据在图7中说明的误比特率与间隔的关系来算出为了维持读写品质所需的间隔减少量。

在本实施方式中，由于STO100的电阻值没有变化，因此由使STO100的偏置电压Vb继续所带给磁头10的寿命的影响不大。因此，偏置电压Vb的施加量维持不变，由调整部143进行磁头10的悬浮量的再调整后，磁盘装置1继续记录动作。

在这样继续记录动作的期间，在由检测部141所检测的误比特率进一步恶化且由判定部142判定为误比特率的恶化超过了阈值BT2的情况下，调整部143将成为对象的磁头10的偏置电压Vb升高(up)。通过该偏置电压Vb的升高，能够提高STO100的振荡功能。由此，能够弥补误比特率的恶化量，能够维持磁盘装置1的读写特性。

调整部143能够根据图13所示的相对于偏置电压的误比特率的关系映射来算出将成为对象的磁头10的偏置电压Vb升高的施加量。在本实施方式中，调整部143为了弥补误比特率的恶化，将偏置电压Vb从75mV调整为120mV。这样调整偏置电压Vb后，悬浮量保持为再调整后的悬浮量不变，磁盘装置1继续记录动作。

在这样继续记录动作时，由于增加了偏置电压Vb的施加量，因而STO100易于劣化。因此，调整部143进一步在预定的定时根据图14所示的偏置电压施加量与头寿命的关系映射，调整为满足所期望的寿命目标并且误比特率低于NG线(参照图9)的施加量。在此，预定的定时例如是在进行了基于图13所示的关系映射的调整后经过了预定时间之后。

此外，在本实施方式中，说明了磁盘装置1在误比特率的恶化超过阈值BT1时首先进行磁头10的悬浮量的调整、接着在误比特率的恶化超过阈值BT2时进行STO100的偏置电压施加量的调整的情况。然而，在STO100的振荡功能强的情况和/或无法优先调整磁头10的悬浮量这样的情况下，磁盘装置1也可以先进行STO100的偏置电压Vb的施加量的调整、接着再进行磁头10的悬浮量的调整，或者也可以将二者并行地进行调整。不论哪个方法，磁盘装置1通过进行悬浮量的调整以及偏置电压Vb的施加量的调整，并且修正误比特率的恶化，都能够维持读写特性，能够将故障等防患于未然。

(第5实施方式)

第5实施方式与上述第4实施方式相比，相同之处在于检测部141除了监视STO100的电阻值之外还监视误比特率的变化，不同之处在于进行悬浮量的调整以及偏置电压Vb的施加量的调整的定时不同。因此，详细说明调整部143进行悬浮量的调整以及偏置电压Vb的施加量的调整的处理。此外，对与第1实施方式相同的构成赋予相同的标号，并省略对它们的详细说明。

图16是表示电阻值、误比特率、将偏置电压Vb及悬浮量进行调整的控制的定时的一例的时间图。阈值RT3是规定电阻值的劣化状态的阈值，阈值BT3是规定误比特率的恶化的阈值。这些阈值RT3、BT3存储于存储器16。

如图16所示，首先，当在误比特率没有恶化的状态下由判定部142判定为由检测部141所检测的STO100的电阻值超过了阈值RT3的情况下，与上述第3实施方式同样地，调整部143对成为对象的磁头10的偏置电压Vb的施加量以及磁头10的悬浮量进行调整。由此，抑制STO100的电阻值的恶化。而且，磁盘装置1继续记录动作。

当在该状态下由判定部142判定为误比特率超过了阈值BT3的情况下，将偏置电压Vb的施加量维持不变，调整部143使磁头10的悬浮量进一步减少。由此，抑制误比特率的恶化。而且，磁盘装置1继续记录动作。

通过这样处理，磁盘装置1能够维持读写特性，能够将故障等防患于未然。此外，在调整部143的偏置电压Vb的施加量的再调整、磁头10的悬浮量的再调整中，与上述第1至第4实施方式同样地，参照与误比特率的关系映射，根据相对于磁头10的寿命的关系映射来在满足所期望的寿命目标的范围内进行再调整。

(第6实施方式)

第6实施方式与上述第4、第5实施方式相比，相同之处在于检测部141除了监视STO100的电阻值之外还监视误比特率的变化，不同之处在于进行悬浮量的调整以及偏置电压Vb的施加量的调整的定时不同。因此，详细说明调整部143进行悬浮量的调整以及偏置电压Vb的施加量的调整的处理。此外，对与第1实施方式相同的构成赋予相同的标号，并省略对它们的详细说明。

图17是表示电阻值、误比特率、将偏置电压Vb及悬浮量进行调整的控制的定时的一例的时间图。阈值RT4是规定电阻值的劣化状态的阈值，阈值BT4是规定误比特率的恶化的阈值。这些阈值RT4、BT4存储于存储器16。

如图17所示，首先，当在STO100的电阻值没有恶化的状态下由判定部142判定为误比特率超过了阈值BT4的情况下，与上述第4实施方式同样地，调整部143使成为对象的磁头10的悬浮量减少，使偏置电压Vb的施加量维持不变。由此，抑制误比特率的恶化。而且，磁盘装置1继续记录动作。

当在该状态下由判定部142判定为电阻值超过了阈值RT4的情况下，调整部143使成为对象的磁头10的偏置电压Vb的施加量减少并且使磁头10的悬浮量进一步减少。由此，抑制STO100的电阻值的恶化。而且，磁盘装置1继续记录动作。

通过这样处理，磁盘装置1能够维持读写特性，能够将故障等防患于未然。此外，在调整部143的偏置电压Vb的施加量的再调整、磁头10的悬浮量的再调整中，与上述第1至第5实施方式同样地，参照与误比特率的关系映射，根据相对于磁头10的寿命的关系映射来在满足所期望的寿命目标的范围内进行再调整。

(第7实施方式)

第7实施方式的不同之处在于，检测部141除了监视STO100的电阻值、误比特率的变化之外，还监视各磁头10的偏置电压Vb的施加时间、也就是说在偏置电压Vb为ON状态下进行写入的累计时间。因此，详细说明使用了在偏置电压Vb为ON状态下进行写入的累计时间的处理。此外，对与第1实施方式相同的构成赋予相同的标号，并省略对它们的详细说明。

图18是表示相对于偏置电压累计施加时间(h)的磁头10的故障率(头故障率)的关系映射的一例的图。该关系映射存储于存储器16。如图18所示，检测部141监视磁头10的偏置电压累计施加时间，在由判定部142基于图18所示的关系映射判定为头故障率超过了5年保证目标时间的情况下，对于该所判定的磁头10，不管STO100的电阻值是否恶化，调整部143都使偏置电压Vb的施加量以及磁头悬浮量减少。而且，磁盘装置1继续记录动作。

之后，在由判定部142判定为检测部141所检测的电阻值或误比特率的变化超过了上述的阈值的情况下，与上述第1至第6实施方式同样地，调整部143变更记录条件。即，调整部143调整偏置电压Vb的施加量、磁头10的悬浮量来变更记录条件。而且，磁盘装置1继续记录动作。此外，在调整部143的偏置电压Vb的施加量的再调整、磁头10的悬浮量的再调整中，与上述第1至第6实施方式同样地，参照与误比特率的关系映射，根据相对于磁头10的寿命的关系映射来在满足所期望的寿命目标的范围内进行再调整。由此，磁盘装置1能够在满足所期望的寿命目标的范围内进行磁头10的悬浮量的再调整。

(第8实施方式)

第8实施方式的不同之处在于，追加了与磁头10的读磁头10R、写磁头10W的元件宽度(以下也称为RW元件宽度)有关的处理。因此，对与RW元件宽度有关的处理进行详细说明。此外，对与第1实施方式相同的构成赋予相同的标号，并省略对它们的详细说明。

相对于磁头10(头)-磁盘2(介质)间的间隔变化的增量误比特率的灵敏度依赖于磁头10的读磁头10R、写磁头10W的元件宽度。因此，对于磁头10，存在由头特性引起的波动(偏差)。图19是表示相对于头-介质间间隔变化的增量误比特率的关系映射的一例的图。如图19所示，RW元件宽度窄的情况下的曲线图(graph)相比于RW元件宽度宽的情况下的曲线图，斜率较大。也就是说，根据RW元件宽度，头特性存在波动。

在本实施方式中，预先在施加了STO100的偏置电压Vb的状态下，对各磁头10测定相对于两点间的间隔变化的增量误比特率的变化，将表示该测定结果的数据存储于磁盘2上的监视用区域(系统域)200。而且，如上述第1、第2实施方式那样，在由判定部142判定为检测部141所检测的STO100的电阻值超过了阈值RT1(或RT11、RT12)且STO100劣化了的情况下，在将该磁头10的悬浮量进行再调整时，调整部143参照存储于监视用区域200的相对于头-介质间间隔变化的误比特率的灵敏度的关系映射，基于该关系映射来调整该磁头10的悬浮量从而变更记录条件。由此，磁盘装置1能够在考虑到磁头10的头特性的波动后算出成为对象的磁头10的最佳的减少量。

(第9实施方式)

第9实施方式与第8实施方式同样在追加了与磁头10的读磁头10R、写磁头10W的元件宽度有关的处理之处不同。因此，对与RW元件宽度有关的处理进行详细说明。此外，对与第1实施方式相同的构成赋予相同的标号，并省略对它们的详细说明。

如在第8实施方式中说明的那样，对于磁头10，存在依赖于RW元件宽度的头特性的波动。图20是表示相对于偏置电压的增量误比特率的关系的一例的图。如图20所示，RW元件宽度窄的情况下的曲线图相比于RW元件宽度宽的情况下的曲线图，斜率较大。也就是说，根据RW元件宽度，头特性存在波动。

在本实施方式中，预先在施加了STO100的偏置电压Vb的状态下，对各磁头10测定相对于两点间的偏置电压Vb的施加量变化的误比特率的变化，将表示该测定结果的数据存储于磁盘2上的监视用区域(系统域)200。而且，如上述第3、第4、第5实施方式那样，在由判定部142判定为由检测部141所检测的STO100的电阻值超过了上述的阈值而劣化了的情况下、或者判定为误比特率超过了上述的阈值而恶化了的情况下，在将该磁头10的悬浮量进行再调整时，调整部143参照存储于监视用区域200的偏置电压-误比特率的灵敏度的关系映射，基于该关系映射来调整该磁头10的悬浮量从而变更记录条件。由此，磁盘装置1能够在考虑到磁头10的头特性的波动后算出成为对象的磁头10的最佳的减少量。

(第10实施方式)

在上述第1至第9实施方式中，在使用由利用STO100的高频辅助方式的磁头(高频辅助记录部)10实现的辅助功能的情况下进行了说明，但辅助功能并非限于此，也有使用搭载近场光(Near Field Transducer：NFT)元件以及激光二极管的热辅助方式的磁头(热辅助记录部)的情况。以下，对搭载热辅助方式的磁头10的磁盘装置1进行说明。此外，对与第1实施方式相同的构成赋予相同的标号，并省略对它们的详细说明。

图21是表示本实施方式涉及的磁盘装置1的构成的一例的图。

如图21所示，与图1相比，在头放大器IC11内，取代STO控制部111而设置有激光二极管(LD)控制部111a。另外，MPU14中设置有检测部141a、判定部142a以及调整部143a。再者，追加有记录控制电路18。

检测部141a检测后述的近场光元件156a的状态。在本实施方式中，检测部141a检测近场光元件156a的电阻值作为近场光元件156a的状态。判定部142a基于由检测部141a得到的近场光元件156a的状态的监视结果、以及后述的存储于存储器16的阈值，判定是否变更磁头10的数据记录的记录条件。调整部143a基于判定部142a的结果，变更磁头10向磁盘2记录数据的记录条件。关于由该检测部141a、判定部142a以及调整部143a执行的处理的详情，将会在后面说明。

记录控制电路18与头放大器IC11内的LD控制部111a以及MPU14连接，控制后述的激光二极管155的增益(输出输入比)以使得近场光强度成为一定。

接着，对热辅助方式的磁头10的构成的一例进行说明。

图22是表示磁头10的构造的一例的剖视图。如图22所示，磁头10大致具备：构成为可读取磁盘2中所写入的信号和/或数据的再现部15a、和构成为可对磁盘2写入信号和/或数据的记录部15b。

再现部15a具备再现元件151和两个屏蔽件152、153。再现元件151在X轴方向上配置于两个屏蔽件152、153之间。另外，再现元件151的至少一部分经由未图示的保护膜而露出于悬浮面F。再现元件151例如为TMR(tunnel magneto-resistance，隧道磁电阻)元件，通过感应电流来读取磁盘2中所写入的信号和/或数据。两个屏蔽件152、153作为磁屏蔽件发挥作用，并且作为向再现元件151供给感应电流的电极发挥作用。在各屏蔽件152、153连接有未图示的布线，从头放大器IC11施加用于对再现元件151供给感应电流的电压。此外，在本实施方式中，作为再现元件151以TMR元件为例进行说明，但本实施方式不限于此，例如可以是GMR(giant magneto-resistance，巨磁电阻)元件等，只要是能够读取磁盘2中所写入的数据的元件即可，可以采用任意构成。

记录部15b具备磁芯部154、激光二极管(光产生部)155、压电(piezo)元件部156、磁极位置控制部157、散热部158和硬性构件159。

磁芯部154具备磁轭154a、线圈154b和主磁极154c。磁轭154a由分别由高饱和密度材料形成的前导磁轭(leading yoke)154a1及尾随磁轭(trailing yoke)154a2而形成为一体。前导磁轭154a1在图22所示的磁头10的截面具有大致倒F字形状。尾随磁轭154a2在图22所示的磁头10的截面具有使前导磁轭154a1的大致倒F字形状绕Y轴旋转180°而成的形状。前导磁轭154a1和尾随磁轭154a2彼此相对配置，在Y轴方向的中央部分(接近线圈154b的缠绕中心的部分)彼此连接。前导磁轭154a1的位于悬浮面F侧的前端部经由保护膜露出于悬浮面F。尾随磁轭154a2的位于悬浮面F侧的前端部被后述的压电元件部156覆盖。此外，本实施方式的前导磁轭154a1及尾随磁轭154a2可以彼此使用相同的材料形成，也可以使用不同材料形成。

线圈154b绕尾随磁轭154a2的Y轴方向的中央部分缠绕。该线圈154b经由未图示的布线而连接于头放大器IC11，借助从头放大器IC11输出的电流而由磁轭154a产生磁场。由线圈154b产生的磁场从主磁极154c以与磁盘2的记录面大致垂直的方式施加于磁盘2。

主磁极154c在尾随磁轭154a2的位于悬浮面F侧的前端部的头行进方向前方，与尾随磁轭154a2相邻配置。主磁极154c经由保护膜露出于悬浮面F。主磁极154c与尾随磁轭154a2不同，由高Bs材料形成。

激光二极管(光产生部)155具备导光路155a和光照射部155b。导光路155a在悬浮面F的近旁在X轴方向上配置于光照射部155b与硬性构件159之间。另外，导光路155a从悬浮面F的近旁向图22中的+Y方向延伸而与光源连接，将从光源供给的光(例如激光)向光照射部155b引导。此外，导光路155a的悬浮面侧的端部配置成在+Y方向从悬浮面F离开。

光照射部155b在悬浮面F的近旁，相对于主磁极154c而配置在头行进方向的前方。更具体而言，光照射部155b在X轴方向上配置于后述的散热部158与导光路155a之间。该光照射部155b具有长度为从光源供给的光的波长以下的开口部，通过从导光路155a导入的光而在开口部周边形成近场光。而且，光照射部155b将所形成的近场光局部照射于磁盘2。即，光照射部155b产生近场光。由此，对于被局部照射了近场光的部位，对利用由主磁极154c产生的磁场进行的对磁盘2的信号和/或数据的写入进行辅助。此外，导光路155a被配置成相对于悬浮面F向离开磁盘2的方向上从悬浮面F离开(相对于悬浮面F凹陷)。

压电元件部156具备近场光元件(压电元件)156a、两个压电电极156b、156c和两个压电端子156d、156e。两个压电电极156b、156c相对于近场光元件156a分别配置在X轴方向的两端部，作为用于对近场光元件156a施加电压的电极发挥作用。

两个压电端子156d、156e分别与电极156b、156c连接，经由未图示的布线连接于头放大器IC11内的电极垫。由于这样构成，因此检测部141a能够通过头放大器IC11的电极垫检测近场光元件156a的电阻值。

近场光元件156a以其长度方向沿着X轴方向的方式配置在悬浮面F上。另外，近场光元件156a相对于主磁极154c而配置在头行进方向的后方。此外，在本实施方式中，近场光元件156a是压电元件。近场光元件156a按照来自头放大器IC11的指示，经由压电电极156b、156c施加电压，从而在其长度方向伸长。其结果，近场光元件156a向头行进方向推压主磁极154c。换言之，近场光元件156a能够使主磁极154c向+X方向移动。也就是说，压电元件部156在头行进方向上调整主磁极154c与光照射部155b之间的距离。

磁极位置控制部157在悬浮面F的近旁，在X轴方向上配置于主磁极154c与散热部158之间。磁极位置控制部157例如由SiO2和/或LiAlSiO4等形成，具有负的热膨胀率。此外，在本实施方式中，说明了磁极位置控制部157因在向磁盘2进行数据写入时的主磁极154c周边的发热而收缩的例子，但本实施方式不限于此。

散热部158在悬浮面F的近旁，在X轴方向上配置于磁极位置控制部157与光照射部155b之间。散热部158例如由金(Au)和/或铜(Cu)等高导热体形成，例如将由在光照射部155b产生的近场光所致的多余热量向外部散热。

硬性构件159在悬浮面F的近旁，相对于光照射部155b而配置在头行进方向的前方。另外，硬性构件159从悬浮面F的近旁向图22中的+Y方向延伸。硬性构件159例如由低热膨胀材料形成，这是为了在通过近场光元件156a的伸长使主磁极154c的位置向头行进方向变动时，利用硬性构件159防止光照射部155b的位置被向头行进方向推压而变动。

接着，对悬浮面F处的磁头10的主要构成的配置进行说明。磁头10在其悬浮面F，从磁头10的头行进方向的后方朝向前方，依次配置有压电端子156d、压电电极156b、近场光元件156a、压电电极156c、主磁极154c、磁极位置控制部157、散热部158、光照射部155b、硬性构件159和前导磁轭154a1。在此，在光照射部155b与硬性构件159之间配置有导光路155a，但由于导光路155a从悬浮面F凹陷，因此在悬浮面F上未显现出导光路155a。

接着，对如上这样构成了磁头10的磁盘装置1的处理进行说明。图23是表示相对于近场光元件(NFT元件)156a温度的近场光元件(NFT元件)的电阻值的关系映射的一例的图。该关系映射存储于存储器16。如图23所示，两者具有如下比例关系：当近场光元件(NFT元件)156a温度上升时，与之成正比地，近场光元件(NFT元件)的电阻值也上升。检测部141a能够检测近场光元件156a的电阻值，因此能够根据该检测的电阻值和图23所示的关系映射来监视近场光元件156a的温度。

图24是表示相对于激光二极管155的增益的近场光元件(NFT元件)温度的关系映射的一例的图。该关系映射存储于存储器16。激光二极管155的增益与近场光元件温度具有如下比例关系：当激光二极管155的增益上升时，与之成正比地，近场光元件(NFT元件)温度也上升。因此，检测部141a能够使用近场光元件温度和图24所示的关系映射来算出激光二极管155的增益。

图25是表示相对于激光二极管155的增益的近场光强度的关系映射的一例的图。该关系映射存储于存储器16。激光二极管155的增益与近场光强度具有如下比例关系：当激光二极管155的增益上升时，与之成正比地，近场光强度也上升。

记录控制电路18基于MPU14检测出的近场光元件温度，在近场光元件156a的输出不够的情况下控制LD控制部111a以使得输出增大，在输出过剩的情况下控制LD控制部111a以使得输出减小。通过这样执行反馈控制，磁盘装置1能够控制为使近场光元件156a的温度、即数据记录时的辅助效果成为一定。图26是表示进行了该控制的磁盘装置1的相对于记录累计时间的近场光元件温度的关系映射的一例的图。如图26所示，近场光元件温度成为了大致一定的温度。由此，磁盘装置1通过具有记录控制电路18，能够继续进行稳定的数据的记录动作。

图27是表示近场光元件(NFT元件)156a产生了劣化时的相对于激光二极管155的增益的近场光强度的关系映射的一例的图。实线表示了初始的关系映射，虚线表示了近场光元件(NFT元件)劣化时的关系映射。近场光元件(NFT元件)劣化时，同一激光二极管155的增益中的近场光强度变小。

图28是表示近场光元件(NFT元件)156a产生了劣化时的相对于激光二极管155增益的近场光元件(NFT元件)温度的关系映射的一例的图。

实线表示了初始的关系映射，虚线表示了近场光元件(NFT元件)劣化时的关系映射。近场光元件(NFT元件)劣化时，相对于激光二极管155的增益的近场光元件(NFT元件)温度的斜率减小。为了使近场光元件(NFT元件)温度、即数据记录时的辅助效果一定，通过执行LD控制部111a的反馈控制，在近场光元件(NFT元件)产生了劣化时激光二极管155的增益从初始值上升。

图29是表示相对于记录累计时间的激光二极管155的增益的关系映射的一例的图。在本实施方式中，头放大器IC11每小时检测一次激光二极管155的增益的平均值，检测部141a通过取得该检测出的检测值来制作。如图29所示，激光二极管155的增益在经过约1600小时后以加速的方式上升。像这样增益上升是因为，由于近场光元件156a的劣化，在一定增益下，变得无法维持近场光强度。

检测部141a除了监视误比特率的变化之外，还对激光二极管155的增益的变动从初始值起按照记录累计时间(时间轴)进行监视。另外，对于激光二极管155的增益，设置有阈值DT1。该阈值DT1是规定近场光元件156a的劣化状态的阈值，存储于存储器16。而且，若在由判定部142a判定为检测部141a所检测的激光二极管155的增益超过了阈值DT1的情况下继续维持数据记录时的辅助功能，则如图29所示，近场光元件156a的劣化会加速地发展。

图30是表示相对于记录累计时间的激光二极管155的增益变化的关系映射的一例的图。如使用图29所述的那样，在累计时间约为1600小时处，激光二极管155的增益加速地上升。然而，如图30所示，在激光二极管155的增益超过阈值DT1的定时，通过调整部143a停止对记录控制电路18的控制，如图示的虚线所示，能够抑制激光二极管155的增益的上升。通过这样控制，磁盘装置1能够抑制近场光元件156a的劣化。而且，磁盘装置1在使成为对象的磁头10的记录控制电路18的控制功能停止后，继续记录动作。

图31是表示相对于累计时间的激光二极管的增益、误比特率以及将悬浮量进行调整的控制的定时的一例的时间图。如图31所示，当激光二极管155的增益上升到阈值DT1时，如前所述，由于使记录控制电路18的控制功能停止，因此之后激光二极管155的增益成为一定。由此，能够防止近场光元件156a的劣化。然而，虽然激光二极管155的增益成为一定，但是由于记录控制电路18的控制功能停止、也就是说辅助功能停止，因此误比特率会恶化。在由判定部142a判定为检测部141a所检测的误比特率超过了预先设定的阈值BT5的情况下，调整部143a将磁头10的悬浮量进行再调整(减少)。由此，能够用间隔弥补误比特率的恶化。此外，调整部143a在对磁头10的悬浮量进行再调整时，根据间隔与误比特率的关系映射(图略)来算出适当的减少量。该关系映射被预先求取，并与阈值DT1、BT5一起存储于存储器16。由此，磁盘装置1能够在抑制用于辅助功能的近场光元件156a的劣化的发展并且维持读写特性的同时继续使用。因此，能够延长磁盘装置1的寿命。

此外，图32是表示在由判定部142a判定为误比特率超过了阈值BT5时调整部143a进行使激光二极管155的增益回到初始值的处理的情况下的控制的定时的一例的时间图。如图32所示，在误比特率超过阈值BT5的定时，激光二极管155的增益回到初始值。调整部143a也可以进行这种控制。

(第11实施方式)

第11实施方式是在激光二极管的增益超过阈值后误比特率超过阈值的情况下的处理。因此，对该处理进行详细说明。此外，对与第10实施方式相同的构成赋予相同的标号，并省略对它们的详细说明。

图33是表示与累计时间对应的激光二极管、误比特率以及将悬浮量进行调整的控制的定时的一例的时间图。与图32的情况相比，控制的定时不同。此外，阈值DT2是表示激光二极管的增益恶化了的状态的阈值，阈值BT6是表示误比特率恶化了的状态的阈值，它们预先存储于存储器16。

如图33所示，检测部141a监视激光二极管155的增益以及误比特率的变化，在由判定部142a判定为激光二极管155的增益超过了阈值DT2的情况下，调整部143a使成为对象的磁头10的激光二极管155的增益回到初始值，并且使成为对象的磁头10的记录控制电路18的控制功能停止，也就是说使辅助功能停止。误比特率会由于使辅助功能停止而恶化，因而与第11实施方式同样地，调整部143进行磁头10的悬浮量的再调整(减少)。而且，磁盘装置1继续记录动作。

之后，在由判定部142a判定为误比特率超过了阈值BT6的情况下，调整部143a将激光二极管155的增益维持不变，并进行磁头10的悬浮量的再调整(减少)。此外，调整部143a在对磁头10的悬浮量进行再调整时，根据间隔与误比特率的关系映射(图略)来算出适当的减少量，这与第10实施方式是同样的。由此，磁盘装置1能够在抑制用于辅助功能的近场光元件156a的劣化的发展并且维持读写特性的同时继续使用。因此，能够延长磁盘装置1的寿命。

(第12实施方式)

第12实施方式是在激光二极管155的增益保持为一定的状态下误比特率超过阈值的情况下的处理。因此，对该处理进行详细说明。此外，对与第10实施方式相同的构成赋予相同的标号，并省略对它们的详细说明。

图34是表示相对于累计时间的激光二极管、误比特率以及将悬浮量进行调整的控制的定时的一例的时间图。与图33的情况相比，控制的定时不同。此外，阈值BT7是表示误比特率恶化了的状态的阈值，预先存储于存储器16。

如图34所示，检测部141a监视激光二极管155的增益以及误比特率的变化，并检测到激光二极管的增益为一定。此时，在由判定部142a判定为误比特率超过了阈值BT7的情况下，调整部143使对象的磁头10的悬浮量减少。此外，调整部143a在对磁头10的悬浮量进行再调整时，根据间隔与误比特率的关系映射(图略)来算出适当的减少量，这与第10、第11实施方式是同样的。

在本实施方式中，由于激光二极管155的增益没有变化，因此由使成为对象的磁头10的辅助功能继续所带给磁头10的寿命的影响不大。因此，如图34所示，维持辅助功能不变，调整部143进行磁头10的悬浮量的调整。由此，磁盘装置1能够在抑制用于辅助功能的近场光元件156a的劣化的发展并且维持读写特性的同时继续使用。因此，能够延长磁盘装置1的寿命。

(第13实施方式)

第13实施方式是在误比特率超过阈值后激光二极管的增益超过阈值的情况下的处理。因此，对该处理进行详细说明。此外，对与第10实施方式相同的构成赋予相同的标号，并省略对它们的详细说明。

图35是表示相对于累计时间的激光二极管、误比特率以及将悬浮量进行调整的控制的定时的一例的时间图。与图33的情况相比，控制的定时不同。此外，阈值DT3是表示激光二极管的增益恶化了的状态的阈值，阈值BT8是表示误比特率恶化了的状态的阈值，它们预先存储于存储器16。

如图35所示，检测部141a监视激光二极管155的增益以及误比特率的变化，并检测到激光二极管155的增益为一定。此时，在由判定部142a判定为误比特率超过了阈值BT8的情况下，调整部143使成为对象的磁头10的悬浮量减少。

如此，在进行了将磁头10的悬浮量减少的调整后，进而在由判定部142a判定为激光二极管155的增益超过了阈值DT3的情况下，调整部143a进一步使磁头10的悬浮量减少，并且使记录控制电路18的功能停止，也就是说使辅助功能停止。此外，调整部143a在对磁头10的悬浮量进行再调整时，根据间隔与误比特率的关系映射(图略)来算出适当的减少量，这与第10、第11、第12实施方式是同样的。另外，与上述第11实施方式同样地，调整部143a也可以在使激光二极管155的增益回到初始值后，再进而使磁头10的悬浮量减少。由此，磁盘装置1能够在抑制用于辅助功能的近场光元件156a的劣化的发展并且维持读写特性的同时继续使用。因此，能够延长磁盘装置1的寿命。

(第14实施方式)

在本实施方式中，不同之处在于，检测部141a除了监视激光二极管155的增益、误比特率的变化之外，还监视在开启了热辅助功能的状态下的记录累计时间。因此，对追加了该处理后的处理进行详细说明。此外，对与第10实施方式相同的构成赋予相同的标号，并省略对它们的详细说明。

检测部141a除了监视激光二极管155的增益、误比特率的变化之外，还监视各磁头10的激光二极管155的输入时间、即在开启了热辅助功能的状态下的记录累计时间。而且，判定部142a针对根据相对于累计时间的头故障的关系映射(图略)而超过了5年保证目标时间的磁头10，不管激光二极管155的增益是否恶化，都使辅助功能(记录控制电路18的控制功能)停止。其他磁头10维持辅助功能不变，磁盘装置1进行记录动作。而且，在由判定部142a判定为误比特率的恶化超过了阈值的情况下，调整部143a将成为对象的磁头10的辅助功能维持不变，使该磁头10的悬浮量减少。此外，调整部143a在对磁头10的悬浮量进行再调整时，根据间隔与误比特率的关系映射(图略)来算出适当的减少量，这与第10、第11、第12、第13实施方式是同样的。由此，磁盘装置1能够在满足所期望的寿命目标的范围内进行磁头10的悬浮量的再调整。

(第15实施方式)

在本实施方式中，不同之处在于，追加了与RW元件宽度有关的处理。因此，对追加了该处理后的处理进行详细说明。此外，对与第10实施方式相同的构成赋予相同的标号，并省略对它们的详细说明。

在本实施方式中，在输入了激光二极管155的状态下，对各磁头10测定相对于两点间的间隔变化的误比特率的变化，将表示该测定结果的数据存储于磁盘2上的监视用区域(系统域)200。而且，如上述第10、第11、第13、第14实施方式那样，在由判定部142a判定为近场光元件156a处于劣化状态的情况下，调整部143a在将该磁头10的悬浮量进行再调整时，从监视用区域200参照相对于头-介质间间隔变化的误比特率的灵敏度的关系映射(图略)，基于该关系映射来调整该磁头10的悬浮量。由此，磁盘装置1能够在考虑到磁头10的头特性的波动后算出成为对象的磁头10的最佳的减少量。

此外，虽然说明了本发明的几个实施方式，但是这些实施方式是作为例子而提示的，并非意图限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种各样的方式来实施，在不脱离发明要旨的范围内能够进行各种省略、替换、变更。这些实施方式和/或其变形包含于发明的范围和/或要旨内，并且包含于技术方案中记载的发明及与其等同的范围内。

Claims (9)

1.一种磁盘装置，具备：

磁盘；

磁头，其包括辅助向所述磁盘记录数据的辅助部；

控制部，其基于记录条件来控制所述磁头的数据记录；以及

存储器，其存储第1阈值，该第1阈值是规定所述辅助部所包含的辅助元件处于劣化状态的阈值，

所述控制部检测所述辅助元件的状态，基于该检测的状态和存储于所述存储器的所述第1阈值，判定是否变更所述记录条件，并根据其判定结果，变更所述记录条件。

2.根据权利要求1所述的磁盘装置，

所述辅助元件是高频振荡元件，

所述辅助部是使用所述高频振荡元件的高频辅助记录部。

3.根据权利要求2所述的磁盘装置，

所述控制部所检测的所述高频振荡元件的状态是所述高频振荡元件的电阻值，

所述控制部在判定为所检测的所述电阻值超过了所述第1阈值的情况下，以降低对所述高频振荡元件施加的电压值并且使相对于所述磁盘的记录面的所述磁头的悬浮量减少的方式变更所述记录条件。

4.根据权利要求3所述的磁盘装置，

所述存储器存储第1关系映射，该第1关系映射是表示所述磁头的寿命与所述悬浮量的关系的映射，

所述控制部根据所述第1关系映射，在能够维持预定期间的所述磁头的寿命的范围内，调整所述悬浮量的减少。

5.根据权利要求3所述的磁盘装置，

所述存储器除了所述第1阈值之外还存储第2阈值，与所述第1阈值相比，该第2阈值是规定所述高频振荡元件处于更加劣化的状态的阈值，

所述控制部在判定为所述电阻值超过了所述第1阈值的情况下，以降低对所述高频振荡元件施加的电压并且使相对于所述磁盘的记录面的所述磁头的悬浮量减少的方式变更所述记录条件，进而，在判定为所述电阻值超过了所述第2阈值的情况下，以停止对所述高频振荡元件施加的电压并且使所述悬浮量进一步减少的方式变更所述记录条件。

6.根据权利要求3所述的磁盘装置，

所述存储器存储第3阈值，该第3阈值是规定误比特率处于恶化状态的阈值，

所述控制部除了检测所述高频振荡元件的电阻值之外，还检测由所述磁头进行数据记录时的所述误比特率，基于该所检测的误比特率的状态和存储于所述存储器的所述第3阈值，判定是否变更所述记录条件，并根据其判定结果，变更所述记录条件。

7.根据权利要求6所述的磁盘装置，

所述控制部在判定为所述误比特率超过了所述第3阈值的情况下，以使相对于所述磁盘的记录面的所述磁头的悬浮量减少的方式变更所述记录条件。

8.根据权利要求3所述的磁盘装置，

所述存储器存储第2关系映射，该第2关系映射是表示相对于对所述高频振荡元件施加电压的累计时间的、包括所述高频振荡元件的所述磁头的寿命的关系的映射，

所述控制部除了检测所述高频振荡元件的电阻值之外，还检测所述累计时间，根据所述第2关系映射，在该检测出的累计时间是表示寿命的时间的情况下，停止对所述高频振荡元件施加的电压。

9.根据权利要求1所述的磁盘装置，

所述辅助元件是近场光元件，

所述辅助部是使用所述近场光元件的热辅助记录部。

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