CN113314682A - 一种显示面板及其制备方法、电子设备 - Google Patents

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樊宜冰
张慧娟
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Abstract

本申请公开了一种显示面板及其制备方法、电子设备，其中，一种显示面板，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上阵列排布的第一OLED单元和第二OLED单元，所述第一OLED单元包括阳极、阴极以及位于所述阳极背离所述阴极的一侧设置的反射层，所述反射层位于平坦层中，所述阳极为透明电极，所述阴极为半透明电极。本申请实施例提供的显示面板，在第一OLED单元的底部设置反射层，以实现顶发射功能，为设置发射层的第二OLED单元实现底发射功能，在同一显示面板上，排布设置第一OLED单元和第二OLED单元，形成双面显示面板。本申请的显示面板简化双面显示面板中OLED制备流程和工艺，降低生产成本。

Description

一种显示面板及其制备方法、电子设备
技术领域
本申请一般涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法、电子设备。
背景技术
近年来，OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)由于具有主动发光、发光亮度高、分辨率高、宽视角、响应速度快、低能耗以及可柔性化等特点而受到更多的关注。降低OLED制造成本、扩展OLED新应用场景是提升产品竞争力的关键。
适用于中小尺寸的OLED显示面板中的发光元件通常都使用蒸镀工艺制备。如现行蒸镀量产线上的蒸镀设备一般至少会包括8个有机腔室(OC，Organic Chamber)和1个金属腔室(MC，Metal Chamber)，用于蒸镀HTL(Hole Inject Layer；空穴注入层)、R/G/B Prime(电子阻挡层)、R/G/B EML(发光层)、HBL(Hole Blocking Layer；空穴阻挡层)、ETL(Electron Transport Layer；电子传输层)、Cathode(阴极)、CPL(Capping Layer；光提取层)等材料。
现行蒸镀量产线上会使用至少5张精细掩膜版(FMM，Fine Metal Mask)蒸镀R/G/B电子阻挡层与发光层，以满足R/G/蓝色对微腔(Micro Cavity)腔长的不同需求，满足R/G/B发光层对不同能级、迁移率的电子阻挡层材料的需求。昂贵的蒸镀机设备和FMM备件使得OLED面板的生产成本增大，减少蒸镀腔室和Mask的使用势必会降低生产成本。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种显示面板及其制备方法、电子设备，可以实现双面显示，并且能够降低OLED的生产成本。
第一方面，本申请提供了一种显示面板，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上阵列排布的第一OLED单元和第二OLED单元，所述第一OLED单元包括阳极、阴极以及位于所述阳极背离所述阴极的一侧设置的反射层，所述反射层与所述阳极间隔设置，所述阳极为透明电极，所述阴极为半透明电极。
进一步地，所述第一OLED单元和所述第二OLED单元沿第一方向和/或第二方向依次交替设置。
优选地，所述第一OLED单元和所述第二OLED单元均包括发光元件以及设置在所述发光元件下方的阵列基板，所述发光元件包括层叠设置的所述阴极、发光层、所述阳极，所述阵列基板包括平坦层以及设置在所述平坦层上方的像素界定层，所述像素界定层上设置有用于形成所述发光元件的开口。
进一步地，所述反射层上设置有对应所述开口位置的反射图案，所述开口在所述反射层的正投影位于所述反射图案的范围内。
进一步地，所述发光元件包括红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，所述红色发光层到所述反射层之间的距离、所述绿色发光层到所述反射层之间的距离、所述蓝色发光层到所述反射层之间的距离依次递减。
优选地，所述红色发光层到所述反射层之间的距离为185-415nm；所述绿色发光层到所述反射层之间的距离为140-390nm；所述蓝色发光层到所述反射层之间的距离为95-345nm。
优选地，所述反射层到所述阳极的距离大致相等。
进一步地，所述平坦层包括位于所述反射层背离所述阳极一侧的第一平坦层以及位于所述反射层朝向所述阳极一侧的第二平坦层。
进一步地，所述第一平坦层为有机或无机绝缘材料，所述第一平坦层为PI、SiOx、SiNx、SiNO中的一种或多种，所述第一平坦层的厚度为50-300nm；所述第二平坦层为有机或无机绝缘材料，所述第二平坦层为PI、SiOx、SiNx、SiNO中的一种或多种，所述第二平坦层的厚度为0-50nm。
优选地，所述反射层包括第一反射子层、第二反射子层、第三反射子层，所述第一反射子层、第二反射子层、第三反射子层与所述阳极之间的距离依次递减。
进一步地，所述第一反射子层到所述阳极之间的距离为100-490nm；所述第二反射子层到所述阳极之间的距离为50-290nm；所述第二反射子层到所述阳极之间的距离为0-30nm。
优选地，所述阳极为透明导电氧化物，所述阳极的材料为ITO、IZO中的一种或多种，所述阳极的厚度为50-100nm；所述阴极为半透明金属材料，所述阴极的材料为铝、镁、银或其合金中的一种或多种，所述阴极的厚度为50-100nm。
优选地，所述反射层的材料为铝、镁、银或其合金中的一种或多种，所述反射层的厚度为50-200nm。
第二方面，本申请提供了一种显示面板的制备方法，包括：
提供衬底基板，在所述衬底基板上形成TFT阵列基板；
在所述TFT阵列基板上形成第一平坦层；
在所述第一平坦层上形成反射层，图案化所述反射层；
在所述反射层上形成第二平坦层；
在所述第二平坦层上形成像素界定层，图案化所述像素界定层，并在所述像素界定层上形成发光元件。
进一步地，所述发光元件包括红色发光元件、绿色发光元件、蓝色发光元件，各所述发光元件分别包括层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、缓冲层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极；其中，
所述图案化所述反射层包括：图案化所述反射层以形成对应第一OLED单元的各所述发光元件的反射图案；
所述图案化所述像素界定层包括：图案化所述像素界定层以形成对应所述第一OLED单元和第二OLED单元各所述发光元件的开口。
在一个实施例中，在所述绿色发光元件中，绿色电子阻挡层和绿色发光层通过同一掩膜版形成；在所述红色发光元件中，红色电子阻挡层和红色发光层通过同一掩膜版形成。
进一步地，所述绿色电子阻挡层和绿色发光层通过同一掩膜版形成，所述红色电子阻挡层和红色发光层通过同一掩膜版形成，包括：
利用第一掩膜版通过第一蒸镀工艺在所述空穴传输层上形成蓝色电子阻挡层，其中，所述第一掩膜版对应各所述发光元件区域；
利用第二掩膜版通过第一蒸镀工艺在所述蓝色电子阻挡层上形成所述红色电子阻挡层，其中，所述第二掩膜版对应所述绿色发光元件区域；
利用第三掩膜版通过第一蒸镀工艺在所述蓝色电子阻挡层上形成所述红色电子阻挡层，其中，所述第三掩膜版对应所述红色发光元件区域；
利用第四掩膜版通过第二蒸镀工艺在所述蓝色电子阻挡层上形成蓝色发光层，其中，所述第四掩膜版对应所述蓝色发光元件区域；
利用所述第二掩膜版通过第三蒸镀工艺在所述绿色电子阻挡层上形成绿色发光层；
利用所述第三掩膜版通过第四蒸镀工艺在所述红色电子阻挡层上形成绿色发光层。
进一步地，所述绿色电子阻挡层和绿色发光层通过同一有机腔室蒸镀形成，红色电子阻挡层和红色发光层通过同一有机腔室蒸镀形成。
在一个实施例中，在所述第一平坦层上形成反射层，图案化所述反射层，包括：
在所述第一平坦层上形成第一反射子层，图案化所述第一反射子层以形成第一反射图案，所述第一反射图案对应第一OLED单元位置处的红色发光元件区域；
在所述第一平坦层上形成覆盖所述第一反射子层的第一子平坦层；
在所述第一子平坦层上形成第二反射子层，图案化所述第二反射子层以形成第二反射图案，所述第二反射图案对应第一OLED单元位置处的绿色发光元件区域；
在所述第一子平坦层上形成覆盖所述第二反射子层的第二子平坦层；
在所述第二子平坦层上形成第三反射子层，图案化所述第三反射子层以形成第三反射图案，所述第三反射图案对应第一OLED单元位置处的蓝色发光元件区域。
进一步地，在各所述发光元件中，红色电子阻挡层、绿色电子阻挡层和蓝色电子阻挡层利用第一掩膜版通过同一蒸镀工艺形成。
第三方面，本申请提供了一种显示设备，包括如以上任一所述的显示面板。
本申请的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
本申请实施例提供的显示面板，在第一OLED单元的底部设置反射层，以实现顶发射功能，为设置发射层的第二OLED单元实现底发射功能，在同一显示面板上，排布设置第一OLED单元和第二OLED单元，形成双面显示面板。本申请的显示面板简化双面显示面板中OLED制备流程和工艺，降低生产成本。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本申请的实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图2为本申请的实施例提供的一种第一OLED单元的结构示意图；
图3为本申请的实施例提供的一种第一OLED单元的截面图；
图4为本申请的实施例提供的另一种第一OLED单元的结构示意图；
图5为本申请的实施例提供的另一种第一OLED单元的截面图；
图6为本申请的实施例提供的显示面板制备方法的流程图；
图7为本申请的实施例提供的反射层制备方法一种实施例的示意图；
图8为本申请的实施例提供的子像素制备方法一种实施例的流程图；
图9为本申请的实施例提供的反射层制备方法一种实施例的示意图；
图10为本申请的实施例提供的反射层制备方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
请详见图1，本申请提供了一种显示面板，包括衬底基板100以及设置在所述衬底基板100上的第一OLED单元210和第二OLED单元220，所述第一OLED单元210包括阳极500、阴极600以及位于所述阳极背离所述阴极的一侧设置的反射层300，所述反射层与所述阳极间隔设置，所述阳极500为透明电极，所述阴极600为半透明电极。
本申请实施例中第一OLED为顶发射单元，第二OLED为底发射单元，所述第一OLED单元和所述第二OLED单元沿第一方向和/或第二方向依次交替设置。通过在显示面板上同时设置顶发射单元和底发射单元，可以实现双面显示功能，当顶发射单元点亮时，实现正面显示，当底发射单元点亮时，实现背面显示。
需要说明的是，本发明附图1中仅示意性的画出了OLED阵列中包括一个第一OLED单元210和一个第二OLED单元220的情况，但是，本发明实施例中的OLED单元并不限于上述情况，例如，每个OLED单元也可以设计为包括三个顶发射OLED像素(RGB子像素)以及三个底发射OLED像素(RGB子像素)。
每一所述OLED单元均包括三个子像素单元，R子像素单元、G子像素单元、B子像素单元，对应地分别包括红色发光元件、绿色发光元件、蓝色发光元件，各所述子像素单元由下至上至少包括阳极500(Anode)、空穴注入层10(Hole Inject Layer；HIL)、空穴传输层20(Hole Transport Layer；HTL)、电子阻挡层30(Electron Blocking Layer；EBL)、发光层40(Emitting Layer；EML)、空穴阻挡层50(Hole Blocking Layer；HBL)、电子传输层60(Electron Transport Layer；ETL)、电子注入层70(Electron Inject Layer；EIL)、阴极600(Cathode)。
OLED单元的阳极500和阴极600，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极600和阳极500注入到电子注入层70和空穴注入层10，电子和空穴分别经过电子传输层60和空穴传输层20迁移到发光层40，并在发光层40中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。
在本申请实施例中，设置有所述反射层300的OLED单元为第一OLED单元210，未设置所述反射层300的OLED单元为第二OLED单元220，所述第一OLED单元210和所述第二OLED单元220沿第一方向和/或第二方向依次交替设置。所述第一OLED单元210的发光方向朝向显示面板的正面，所述第二OLED单元220的发光方向朝向显示面板的反面，从而实现双面显示。
在本申请实施中，第一OLED单元210和第二OLED单元220采用的基础像素单元(发光元件)均为底发射发光元件，各层采用相同的结构和材料，有利于简化制备流程和工艺。
例如，在一些实施例中，所述OLED阵列的奇数行均为所述第一OLED单元210，所述OLED阵列的偶数行均为所述第二OLED单元220；或者，所述OLED阵列的偶数行均为所述第一OLED单元210，所述OLED阵列的奇数行均为所述底发射像元。
还如，在一些实施例中，具体地，所述OLED阵列的奇数行均为所述第一OLED单元210，所述OLED阵列的偶数行均为所述底发射像素单元；或者，所述OLED阵列的偶数行均为所述第一OLED单元210，所述OLED阵列的奇数行均为所述第二OLED单元220。
其中，所述OLED单元的阳极500为透明电极，其可以采用透明材料制成，具体可以由氧化铟锡(ITO，Indium Tin Oxide)制成。所述OLED单元的阴极600为半透明电极，其可以采用金属材料制成。
在具体设置时，所述OLED单元包括TFT阵列基板230，所述TFT阵列基板包括平坦层700，以及设置在所述平坦层700上方的像素界定层800，所述像素界定层800上设置有用于形成所述发光元件的开口。
所述平坦层700上方设置有所述阳极500及所述发光元件400，所述平坦层700内部对应所述发光元件400的下方设置有所述反射层300。所述反射层300上设置有对应所述开口位置的反射图案，所述开口在所述反射层300的正投影位于所述反射图案的范围内。
其中，所述反射层的材料为铝、镁、银或其合金中的一种或多种，所述反射层的厚度为50-200nm。
在现有技术中，一般采用阳极500和阴极600选用半透明或不透明材料，由于阳极500层和阴极600层对光的透射、反射特性，使得有机发光层40发出的光在阳极500层和阴极600层之间往复反射，形成微腔效应。微腔效应能使谐振波长得到加强，提高了OLED器件的色纯度和发光效率。微腔长度，即是指两个具有光反射功能的层结构之间距离。
本申请实施例中，阳极500选用透明材料，阴极600采用半透明材料，在阳极500下方设置可以用于反射的反射层300，因此，有机发光层40发出的光在阴极600和反射层300之间往复反射，形成微腔效应。并且，半透明阴极600和反射层300之间的距离定义了微腔长度。
在具体设置时，所述阳极为透明导电氧化物，所述阳极的材料为ITO、IZO中的一种或多种，所述阳极的厚度为50-100nm；所述阴极为半透明金属材料，所述阴极的材料为铝、镁、银或其合金中的一种或多种，所述阴极的厚度为50-100nm。
不同色光的本征反射波长不同，不同色光所需的微腔长度也不同。在制作有机发光显示面板(以下简称为OLED显示面板)时，通常需要根据各像素所发光色来调整微腔的腔长。
较长的微腔腔长可以对较长波长的色光进行增强，而较短的微腔腔长则可以对较短波长的色光进行增强。R(red，红)、G(green，绿)、B(blue，蓝)三色的OLED显示面板时，蓝光波长450～480nm、绿光波长500nm～560nm、红光波长605～700nm。因此，在具体应用时，蓝色对应的微腔长度＜绿色对应的微腔长度＜红色对应的微腔长度。
因此，本申请实施例在RGB子像素单元中，对应的所述发光元件包括红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，所述红色发光层到所述反射层300之间的距离、所述绿色发光层到所述反射层300之间的距离、所述蓝色发光层到所述反射层300之间的距离依次递减。
示例性地，所述红色发光层到所述反射层之间的距离为185-415nm；所述绿色发光层到所述反射层之间的距离为140-390nm；所述蓝色发光层到所述反射层之间的距离为95-345nm。
如图2-3所示，在一个实施例中调整的是发光层40的位置，例如，在同一所述OLED单元中，各所述OLED单元的所述反射层300到所述阳极500的距离大致相等。相应地，所述红色发光元件的电子阻挡层30厚度、所述绿色发光元件的电子阻挡层30厚度、所述蓝色发光元件的电子阻挡层30厚度依次递减。需要说明的是，在设置反射层到阳极的距离时，由于工艺等原因无法精确界定反射层到阳极的距离均相等，本申请在允许的工艺误差范围内的相等定义为大致相等。
如图4-5所示，在一个实施例中调整的是反射层300的位置，例如，在同一所述OLED单元中，所述反射层300包括第一反射子层3001、第二反射子层3002、第三反射子层3003，所述第一反射子层3001、第二反射子层3002、第三反射子层3003与所述阳极500之间的距离依次递减，对应的第一反射子层3001上设置有与红色发光元件的对应的第一反射图案310，第二反射子层3002上设置有与绿色发光元件的对应的第二反射图案320，第三反射子层3003上设置有与蓝色发光元件的对应的第三反射图案330。相应地，所述红色发光元件的电子阻挡层30厚度、所述绿色发光元件的电子阻挡层30厚度、所述蓝色发光元件的电子阻挡层30厚度相等。
在本申请实施例中，虽然对每个像素的描述为包括R子像单元、G子像素单元和B子像素单元，但是本发明不限于此。子像素的颜色还可以描述为第一颜色、第二颜色和第三颜色，第一颜色、第二颜色和第三颜色也可以是青色、品红色和黄色。此外，像素可以包括白色子像素。
第二方面，请参考图6，本申请提供了一种显示面板的制备方法，包括：
S1、提供衬底基板100，在所述衬底基板100上形成TFT阵列基板230。
在步骤S1中，第一OLED单元210包括第一薄膜晶体管，第二OLED单元220包括第二薄膜晶体管，其中，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的类型不限，可以采用低温多晶硅技术薄膜晶体管(Low Temperature Poly-silicon-Thin Film Transistor，LTPS-TFT)制作，也可以采用铟镓锌氧化物薄膜晶体管(indium gallium zinc oxide-Thin FilmTransistor，IGZO-TFT)制作，或者为两种相互组合制作。
其中薄膜晶体管TFT包括Buffer层、P-Si层、GI、Gate层、ILD层、SD层等功能层。在具体制备时，可以选用常规工艺进行制备，本申请在此不再赘述。
S2、在所述TFT阵列基板230上形成第一平坦层701；第一平坦层701的材料为透明绝缘材料，可以是有机或无机绝缘材料，如PI、SiOx、SiNx、SiNO等，厚度在50-300nm，起平坦化和绝缘作用。
S3、在所述第一平坦层701上形成反射层300，图案化所述反射层300；具体地，包括：图案化所述反射层300以形成对应第一OLED单元210的各所述发光元件的反射图案，如图7所示。
其中，反射层300材料可以是Ag、Al等金属或其合金，厚度在50-200nm，起全反射作用。经过图案化工艺，得到正面显示区的反射图案，反面显示区无反射图案。
本申请中，在显示技术领域中，图案化工艺，可只包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的图案化工艺。
S4、在所述反射层300上形成第二平坦层702；所述第二平坦层700和所述第一平坦层701的材料相同或者不同，第二平坦层700为透明绝缘材料，可以与第一平坦层701的材料可以相同或者不同，起平坦化和绝缘作用，所述第二平坦层的厚度为0-50nm。
S5、在所述第二平坦层702上形成像素界定层800，图案化所述像素界定层800，具体地，包括：图案化所述像素界定层800以形成对应所述第一OLED单元210和第二OLED单元220各所述发光元件的开口。各个OLED单元均包括红色发光元件、绿色发光元件、蓝色发光元件。
S6、在所述像素界定层800上形成发光元件400。所述OLED单元包括层叠设置的阳极500、空穴注入层10、空穴传输层20、电子阻挡层30、发光层40、空穴阻挡层50、电子传输层60、电子注入层70、阴极600。
由于OLED采用微腔效应，需要根据各像素所发光色来调整微腔的腔长。具体设置时，可以调节发光层40的高度或者调节反射层300的高度。
实施例一
在同一所述OLED单元中，各所述子像素单元的所述反射层300到所述阳极500的距离相等。相应地，所述红色发光元件的电子阻挡层30厚度、所述绿色发光元件的电子阻挡层30厚度、所述蓝色发光元件的电子阻挡层30厚度依次递减。
示例性地，所述红色发光元件的电子阻挡层30厚度为130-150nm、所述绿色发光元件的电子阻挡层30厚度为85-125nm、所述蓝色发光元件的电子阻挡层30厚度为40-80nm。
在一个实施例中，在所述绿色发光元件中，绿色电子阻挡层和绿色发光层通过同一掩膜版形成；在所述红色发光元件中，红色电子阻挡层和红色发光层通过同一掩膜版形成。
在现有技术中，在制作时需要采用三张分别针对R、G、B三种颜色的精细掩膜版来在空穴传输层20之上形成R、G、蓝色的电子阻挡层30。然后，再采用三张分别针对R、G、B三种颜色的精细掩膜版来在相应的电子阻挡层30之上形成有机发光层40。这样一来，便导致制作OLED显示面板所需的精细掩膜版数量较多，使得制作OLED显示面板的工艺复杂、良率下降。
然而，本申请实施例在具体实施时，如图8所示，所述绿色电子阻挡层和绿色发光层通过同一掩膜版形成，所述红色电子阻挡层和R发光层40通过同一掩膜版形成，包括：
ST1、利用第一掩膜版通过第一蒸镀工艺在所述空穴传输层20上形成所述蓝色电子阻挡层，其中，所述第一掩膜版对应各所述OLED单元区域。
ST2、利用第二掩膜版通过第一蒸镀工艺在所述蓝色电子阻挡层上形成所述绿色电子阻挡层，其中，所述第二掩膜版对应所述绿色发光元件区域。
ST3、利用第三掩膜版通过第一蒸镀工艺在所述蓝色电子阻挡层上形成所述红色电子阻挡层，其中，所述第三掩膜版对应所述红色发光元件区域。
ST4、利用第四掩膜版通过第二蒸镀工艺在所述蓝色电子阻挡层上形成蓝色发光层，其中，所述第四掩膜版对应所述蓝色发光元件区域。
ST5、利用所述第二掩膜版通过第三蒸镀工艺在所述绿色电子阻挡层上形成绿色发光层；其中，第二掩膜版上的开口对应绿色发光元件区域。
ST6、利用所述第三掩膜版通过第四蒸镀工艺在所述红色电子阻挡层上形成红色发光层，其中，第三掩膜版上的开口对应红色发光元件区域。
另外，所述绿色电子阻挡层和绿色发光层通过同一有机腔室蒸镀形成，红色电子阻挡层和红色发光层通过同一有机腔室蒸镀形成。
需要说明的是，在本申请实施例中，红色发光元件的电子阻挡层30厚度、所述绿色发光元件的电子阻挡层30厚度、所述蓝色发光元件的电子阻挡层30厚度依次递减，实现红色微腔腔长、绿色微腔腔长、蓝色微腔腔长依次递减，从而分别增强不同波长的光出射。
蒸镀工艺可以配合掩膜版直接制作图案化的膜层，而不需要先整面涂布后再刻蚀形成图案，节省了制程，从而提高了制作OLED显示面板的制作效率。另一方面，蒸镀工艺一般在真空环境下进行，可以避免制作过程中的杂质干扰导致制作良率下降。
在蒸镀的环境条件不变的前提下，蒸镀形成红色电子阻挡层时的蒸镀时长大于蒸镀形成第绿色电子阻挡层时的蒸镀时长大于蒸镀形成第蓝色电子阻挡层时的蒸镀时长，从而得到逐渐递减的电子阻挡层30厚度。
另外需要说明的是，在本申请实施例中，对于蓝色的电子阻挡层30和发光层40的制备过程中，采用的是不同的掩膜版，在一些实施例中，蓝色电子阻挡层和发光层40采用同一掩膜版减少制作OLED显示面板所需的精细掩膜版的数量。
本申请实施例中，红色电子阻挡层和红色发光层公用同一掩膜版和有机腔、绿色电子阻挡层和绿色发光层公用同一掩膜版和有机腔，可以减少制作OLED显示面板所需的精细掩膜版的数量，从而降低了OLED显示面板的制作难度，提高了OLED显示面板的制作良率和制作效率。
实施例二
在同一所述OLED单元中，所述红色发光元件中所述反射层300到所述阳极500的距离、所述绿色发光元件中所述反射层300到所述阳极500的距离、所述蓝色发光元件中所述反射层300到所述阳极500的距离依次递减。
在具体设置时，所述反射层300包括第一反射子层3001、第二反射子层3002、第三反射子层3003，所述第一反射子层3001、第二反射子层3002、第三反射子层3003与所述阳极500之间的距离依次递减。
示例性地，所述第一反射子层到所述阳极之间的距离为100-490nm；所述第二反射子层到所述阳极之间的距离为50-290nm；所述第二反射子层到所述阳极之间的距离为0-30nm。
其中，第一反射子层3001上设置有与红色发光元件的对应的第一反射图案310，第二反射子层3002上设置有与绿色发光元件的对应的第二反射图案320，第三反射子层3003上设置有与蓝色发光元件的对应的第三反射图案330。
相应地，所述红色发光元件的电子阻挡层30厚度、所述绿色发光元件的电子阻挡层30厚度、所述蓝色发光元件的电子阻挡层30厚度相等。
在步骤S3中，在所述第一平坦层701上形成反射层，图案化所述反射层，如图9-10所示，包括：
ST10、在所述第一平坦层701上形成第一反射子层3001，图案化所述第一反射子层3001以形成第一反射图案310，所述第一反射图案310对应第一OLED单元位置处的红色发光元件区域，所述第一反射子层的厚度为50-200nm；
ST20、在所述第一平坦层701上形成覆盖所述第一反射子层3001的第一子平坦层7001，所述第一子平坦层的厚度为0-30nm；
ST30、在所述第一子平坦层7001上形成第二反射子层3002，图案化所述第二反射子层3002以形成第二反射图案320，所述第二反射图案320对应第一OLED单元位置处的绿色发光元件区域，所述第二反射子层的厚度为50-200nm；
ST40、在所述第一子平坦层7001上形成覆盖所述第二反射子层3002的第二子平坦层7002，所述第二子平坦层的厚度为0-30nm；
ST50、在所述第二子平坦层7002上形成第三反射子层3003，图案化所述第三反射子层3003以形成第三反射图案330，所述第三反射图案330对应第一OLED单元位置处的蓝色发光元件区域，所述第三反射子层的厚度为50-200nm。
需要说明的是，本申请中，在显示技术领域中，图案化工艺，可只包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的图案化工艺。
在本申请实施例中，在各所述OLED单元中，红色电子阻挡层、绿色电子阻挡层和蓝色电子阻挡层利用第一掩膜版通过同一蒸镀工艺形成，其中，第一掩膜版的开口对应R/G/B各子像素的位置。
在具体设置时，空穴传输层、发光层、电子传输层及金属阴极通常都是采用真空蒸镀工艺来成膜，真空蒸镀工艺中采用的掩膜板(mask)有精细金属掩膜板(FMM，Fine metalmask)和共同层金属掩膜板(Open mask)，而金属阴极通常是采用Open mask来进行真空蒸镀，采用Open mask形成的金属阴极为整面设置的金属阴极。
第三方面，本申请提供了一种显示设备，包括如以上任一所述的显示面板。
本发明对于显示装置的适用不做具体限制，其可以是电视机、笔记本电脑、平板电脑、可穿戴显示设备、手机、车载显示、导航、电子书、数码相框、广告灯箱等任何具有显示功能的产品或部件。
需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
除非另有定义，本文中所使用的技术和科学术语与本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中使用的术语只是为了描述具体的实施目的，不是旨在限制本发明。本文中出现的诸如“设置”等术语既可以表示一个部件直接附接至另一个部件，也可以表示一个部件通过中间件附接至另一个部件。本文中在一个实施方式中描述的特征可以单独地或与其它特征结合地应用于另一个实施方式，除非该特征在该另一个实施方式中不适用或是另有说明。
本发明已经通过上述实施方式进行了说明，但应当理解的是，上述实施方式只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施方式范围内。本领域技术人员可以理解的是，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。

Claims (21)

1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上阵列排布的第一OLED单元和第二OLED单元，所述第一OLED单元包括阳极、阴极以及位于所述阳极背离所述阴极的一侧设置的反射层，所述反射层与所述阳极间隔设置，所述阳极为透明电极，所述阴极为半透明电极。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一OLED单元和所述第二OLED单元沿第一方向和/或第二方向依次交替设置。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一OLED单元和所述第二OLED单元均包括发光元件以及设置在所述发光元件下方的阵列基板，所述发光元件包括层叠设置的所述阴极、发光层、所述阳极，所述阵列基板包括平坦层以及设置在所述平坦层上方的像素界定层，所述像素界定层上设置有用于形成所述发光元件的开口。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述反射层上设置有对应所述开口位置的反射图案，所述开口在所述反射层的正投影位于所述反射图案的范围内。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述发光元件包括红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，所述红色发光层到所述反射层之间的距离、所述绿色发光层到所述反射层之间的距离、所述蓝色发光层到所述反射层之间的距离依次递减。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述红色发光层到所述反射层之间的距离为185-415nm；所述绿色发光层到所述反射层之间的距离为140-390nm；所述蓝色发光层到所述反射层之间的距离为95-345nm。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述反射层到所述阳极的距离大致相等。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述平坦层包括位于所述反射层背离所述阳极一侧的第一平坦层以及位于所述反射层朝向所述阳极一侧的第二平坦层。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第一平坦层为有机或无机绝缘材料，所述第一平坦层为PI、SiOx、SiNx、SiNO中的一种或多种，所述第一平坦层的厚度为50-300nm；所述第二平坦层为有机或无机绝缘材料，所述第二平坦层为PI、SiOx、SiNx、SiNO中的一种或多种，所述第二平坦层的厚度为0-50nm。
10.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述反射层包括第一反射子层、第二反射子层、第三反射子层，所述第一反射子层、第二反射子层、第三反射子层与所述阳极之间的距离依次递减。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述第一反射子层到所述阳极之间的距离为100-490nm；所述第二反射子层到所述阳极之间的距离为50-290nm；所述第二反射子层到所述阳极之间的距离为0-30nm。
12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阳极为透明导电氧化物，所述阳极的材料为ITO、IZO中的一种或多种，所述阳极的厚度为50-100nm；所述阴极为半透明金属材料，所述阴极的材料为铝、镁、银或其合金中的一种或多种，所述阴极的厚度为50-100nm。
13.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述反射层的材料为铝、镁、银或其合金中的一种或多种，所述反射层的厚度为50-200nm。
14.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底基板，在所述衬底基板上形成TFT阵列基板；
在所述TFT阵列基板上形成第一平坦层；
在所述第一平坦层上形成反射层，图案化所述反射层；
在所述反射层上形成第二平坦层；
在所述第二平坦层上形成像素界定层，图案化所述像素界定层，并在所述像素界定层上形成发光元件。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述发光元件包括红色发光元件、绿色发光元件、蓝色发光元件，各所述发光元件分别包括层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、缓冲层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极；其中，
所述图案化所述反射层包括：图案化所述反射层以形成对应第一OLED单元的各所述发光元件的反射图案；
所述图案化所述像素界定层包括：图案化所述像素界定层以形成对应所述第一OLED单元和第二OLED单元各所述发光元件的开口。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，在所述绿色发光元件中，绿色电子阻挡层和绿色发光层通过同一掩膜版形成；在所述红色发光元件中，红色电子阻挡层和红色发光层通过同一掩膜版形成。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述绿色电子阻挡层和绿色发光层通过同一掩膜版形成，所述红色电子阻挡层和红色发光层通过同一掩膜版形成，包括：
利用第一掩膜版通过第一蒸镀工艺在所述空穴传输层上形成蓝色电子阻挡层，其中，所述第一掩膜版对应各所述发光元件区域；
利用第二掩膜版通过第一蒸镀工艺在所述蓝色电子阻挡层上形成所述红色电子阻挡层，其中，所述第二掩膜版对应所述绿色发光元件区域；
利用第三掩膜版通过第一蒸镀工艺在所述蓝色电子阻挡层上形成所述红色电子阻挡层，其中，所述第三掩膜版对应所述红色发光元件区域；
利用第四掩膜版通过第二蒸镀工艺在所述蓝色电子阻挡层上形成蓝色发光层，其中，所述第四掩膜版对应所述蓝色发光元件区域；
利用所述第二掩膜版通过第三蒸镀工艺在所述绿色电子阻挡层上形成绿色发光层；
利用所述第三掩膜版通过第四蒸镀工艺在所述红色电子阻挡层上形成绿色发光层。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述绿色电子阻挡层和绿色发光层通过同一有机腔室蒸镀形成，红色电子阻挡层和红色发光层通过同一有机腔室蒸镀形成。
19.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，在所述第一平坦层上形成反射层，图案化所述反射层，包括：
在所述第一平坦层上形成第一反射子层，图案化所述第一反射子层以形成第一反射图案，所述第一反射图案对应第一OLED单元位置处的红色发光元件区域；
在所述第一平坦层上形成覆盖所述第一反射子层的第一子平坦层；
在所述第一子平坦层上形成第二反射子层，图案化所述第二反射子层以形成第二反射图案，所述第二反射图案对应第一OLED单元位置处的绿色发光元件区域；
在所述第一子平坦层上形成覆盖所述第二反射子层的第二子平坦层；
在所述第二子平坦层上形成第三反射子层，图案化所述第三反射子层以形成第三反射图案，所述第三反射图案对应第一OLED单元位置处的蓝色发光元件区域。
20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，在各所述发光元件中，红色电子阻挡层、绿色电子阻挡层和蓝色电子阻挡层利用第一掩膜版通过同一蒸镀工艺形成。
21.一种显示设备，其特征在于，包括如权利要求1-13任一所述的显示面板。
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