CN114122086A - 显示面板及其制备方法与移动终端 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种显示面板及其制备方法与移动终端,所述显示面板包括阵列基板,包括衬底与薄膜晶体管层;以及阳极层,设置于所述薄膜晶体管层阵列基板上,包括一反射层,所述反射层包括对应设置于各个子像素区域的阳极反射部,其中,相邻的所述阳极反射部与所述衬底阵列基板的间距不同。在所提供的显示面板中,通过将相邻子像素区域对应的反射部设置在不同的高度,即在纵向维度上交错排布,使得相邻子像素的反射部距离增大,一反射部向相邻的反射部发生迁移的路径也随之增长,从而大大降低相邻的反射部之间由于反射部材料发生迁移而造成短路的风险,即提升了显示面板的显示良率与可靠性。

Description

显示面板及其制备方法与移动终端
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法与移动终端。
背景技术
有机电致发光(Organic Light-Emitting Diode)显示面板相较传统的液晶显示面板,具有更轻薄、亮度高、功耗低、响应快、清晰度高、柔性好、发光效率高,能满足消费者对显示技术的新需求等优点,已成为目前显示领域的
按照发光方向,OLED显示面板可分为底发光型OLED显示面板与顶发光型。OLED显示面板,由于底发光型OLED显示面板的开口率较低,目前主要开发方向为顶发射型OLED显示面板。在顶发光OLED型显示面板中,阳极需要一层反射金属,目前通常应用具有较高反射率的银形成该反射金属层。但是金属银其自身性质不稳定,也不能形成钝化的氧化膜,因此相邻子像素的阳极在工作时,由于水汽及电势差的影响易出现银迁移的现象,原理是银遇水水解成银离子,而水汽本身会电离形成氢离子与氢氧根粒子,银离子会从电势高的区域向低电势移动,并结合氢氧根粒子形成氢氧化银,最终再分解以氧化银的形式积累,呈分散胶状,极易引起近邻子像素间的OLED器件发生短路,从而导致显示不良。
目前,主要是通过增大相邻子像素的阳极间距来尽量减少这种短路的概率,但随着产品的分辨率越来越高,这种单一维度的距离变大非常有限,亟需设计其他方案来避免因银迁移导致相邻子像素断路的不良出现。
发明内容
本发明提供一种显示面板及其制备方法与移动终端。
为解决上述问题,第一方面,本发明提供了一种显示面板,所述显示面板包括:
阵列基板;
阳极层,设置于所述阵列基板上,包括对应设置于各个子像素区域的阳极部,其中,相邻的所述阳极部与所述阵列基板的间距不同。
在本发明实施例提供的一显示面板中,所述显示面板还包括设置于所述阵列基板与所述阳极层之间的平坦化层,所述平坦化层包括对应设置于所述子像素区域的平坦化部,相邻的所述平坦化部的厚度不同。
在本发明实施例提供的一显示面板中,相邻的所述阳极部与所述阵列基板的间距之差大于所述阳极层的厚度。
在本发明实施例提供的一显示面板中,所述相邻的所述阳极部与所述阵列基板的间距之差大于等于0.3微米。
在本发明实施例提供的一显示面板中,所述阳极部包括距所述阵列基板第一间距的第一阳极部,以及距所述阵列基板第二间距的第二阳极部,所述第一阳极部与所述第二阳极部交错排布。
在本发明实施例提供的一显示面板中,所述阳极部包括距所述阵列基板第一间距的第一阳极部,距所述阵列基板第二间距的第二阳极部,以及距所述阵列基板第三间距的第三阳极部,所述第一阳极部、所述第二阳极部与所述第三阳极部依次交错排布。
在本发明实施例提供的一显示面板中,所述第一间距、所述第二间距以及所述第三间距呈等差排布。
第二方面,本发明提供一种了显示面板的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:
S10:提供一阵列基板,在所述阵列基板上形成平坦化层,所述平坦化层包括设置于各个子像素区域的平坦化部,相邻的所述平坦化部的厚度不同;以及
S20:在所述平坦化层上形成阳极层,所述阳极层包括对应形成于所述平坦化部上的阳极部,使得相邻的所述阳极部与所述阵列基板的间距不同。
在本发明实施例提供的一显示面板的制备方法中,在所述步骤S10中,形成所述平坦化层的步骤包括:在所述阵列基板上涂布一有机膜层,使用半色调掩膜板对所述有机膜层曝光,再显影得到所述平坦化层。
第三方面,本发明提供了一种移动终端,包括前述的显示面板以及终端主体,所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
有益效果:本发明提供了一种显示面板及其制备方法与移动终端,所述显示面板包括阵列基板,包括衬底与薄膜晶体管层;以及阳极层,设置于所述薄膜晶体管层阵列基板上,包括一反射层,所述反射层包括对应设置于各个子像素区域的阳极反射部,其中,相邻的所述阳极反射部与所述衬底阵列基板的间距不同。在所提供的显示面板中,通过将相邻子像素区域对应的反射部设置在不同的高度,即在纵向维度上交错排布,使得相邻子像素的反射部距离增大,一反射部向相邻的反射部发生迁移的路径也随之增长,从而大大降低相邻的反射部之间由于反射部材料发生迁移而造成短路的风险,即提升了显示面板的显示良率与可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明现有技术提供的一种显示面板的截面结构示意图;
图2是本发明实施例提供的一种显示面板的截面结构示意图;
图3是本发明实施例提供的一种显示面板的像素排布示意图;
图4是本发明实施例提供的另一种显示面板的截面结构示意图;
图5是本发明实施例提供的另一种显示面板的像素排布示意图;
图6是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的文字流程示意图;
图7a-7d是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的结构流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请中,“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本发明,给出了以下描述。在以下描述中,为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是,本领域普通技术人员可以认识到,在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本发明。在其它实例中,不会对公知的结构和过程进行详细阐述,以避免不必要的细节使本发明的描述变得晦涩。因此,本发明并非旨在限于所示的实施例,而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。
请参阅图1提供的一种显示面板的结构示意图,所述显示面板的包括阵列基板110、平坦化层120、阳极层130、像素定义层140、发光层150以及阴极层160。
目前在所述阳极层130中,通常包含应用具有较高反射率的金属银形成的一反射层。但是金属银其自身性质不稳定,也不能形成钝化的氧化膜,因此相邻子像素的阳极在工作时,由于水汽及电势差的影响易出现银迁移的现象,原理是银遇水水解成银离子,而水汽本身会电离形成氢离子与氢氧根粒子,银离子会从电势高的区域向低电势移动,并结合氢氧根粒子形成氢氧化银,最终再分解以氧化银的形式积累,呈分散胶状,即如图中虚线圈标示处,此分散胶状的氧化银极易引起相邻子像素间的OLED器件发生短路,从而导致显示不良。
为了避免上述的不良发生,本发明实施例提供了一种改进后的显示面板,如下结合图2提供的该显示面板的截面结构示意图进行详述。
具体地,所述显示面板至少包括阵列基板210与阳极层230,所述阵列基板210包括衬底211及设置于所述衬底211上的薄膜晶体管层212,所述阳极层230设置于所述薄膜晶体管层212上,包括一反射层231以及设置于所述反射层231上的阳极功能层232,所述反射层231包括对应设置于各个子像素区域的反射部2310,其中,相邻的所述反射部2310与所述衬底211的间距不同。
其中,通过将相邻子像素区域对应的反射部2310设置在不同的高度,即在纵向维度上交错排布,使得相邻子像素的反射部2310距离增大,一反射部2310向相邻的反射部2310发生迁移的路径也随之增长,从而大大降低相邻的反射部2310之间由于反射部材料发生迁移而造成短路的风险,即提升了显示面板的显示良率与可靠性。于此同时,由于在纵向维度上扩大了相邻反射部2310,那么在横向维度上,相邻反射部2310的间距可设计得更小一些,从而满足目前对显示面板高解析度的需求。
补充说明的是,在本发明实施例所提供的显示面板中,所述薄膜晶体管层212通常包括基板以及多个设置在所述基板上呈阵列排布的薄膜晶体管,根据实际的工艺需求,所述薄膜晶体管可以选择非晶硅型薄膜晶体管、低温多晶硅型薄膜晶体管、氧化物型薄膜晶体管以及低温多晶硅-氧化物型薄膜晶体管,另外,根据薄膜晶体管中栅极的位置,可选择底栅型薄膜晶体管或顶栅型薄膜晶体管,本发明实施例对此不作特殊限定。
当然,为了实现显示面板的显示功能,所述显示面板还包括其他必要结构,如依次设置于所述阳极层之上的像素定义层240、发光层250以及阴极层260,以及未在图中具体示出的薄膜封装层等结构层。
在一些实施例中,所述反射层231通常采用具有较高反射率的银材料构成,进而,即可大大降低相邻的反射部2310之间由于银迁移而造成短路的风险。
在一些实施例中,为了实现相邻的所述反射部2310与所述衬底211的间距不同这一效果,通常在所述薄膜晶体管层212与所述阳极层230之间设置一特殊结构的平坦化层220,与所述多个反射部2310相对应的,所述平坦化层220包括多个对应设置于所述子像素区域的平坦化部,相邻的所述平坦化部的厚度不同,即使得设置于所述平坦化部之上的反射部2310具有不同的高度。
可以理解的是,本实施例显示面板中的平坦化层220为常规显示面板中的必要结构层,仅仅是将其结构进行改进,不会增加新的结构层,即也不会增加新的制备工序,对于显示面板整体的制备成本以及制备效率不会造成影响,适合应用于大规模量产。
在一些实施例中,相邻子像素的反射部2310与所述衬底211的间距之差越大越有利于降低相邻的反射部2310之间短路的风险,经验证,相邻的所述反射部2310与所述衬底211的间距之差大于所述反射层231的厚度,进一步优选地,相邻的所述反射部2310与所述衬底211的间距之差大于所述反射层231厚度的两倍。
在一些具体的实施方式中,所述反射层的厚度通常设置为0.15微米,那么可将相邻的所述反射部2310与所述衬底211的间距之差设置为0.3微米,甚至更大,具体根据实际工艺需求设定。
在本发明实施例所提供的显示面板中,相邻的所述阳极部与所述阵列基板的间距不同,意味着不同阳极部距所述阵列基板至少存在两种间距,具体的设置方式取决于该显示面板的像素排布方式,如下进行具体说明。
在一些实施例中,所述显示面板的像素排布方式请参阅图3,子像素在行方向与列方向上均对齐排布,在这种排布方式中,只需设置两种间距,即可满足相邻的所述反射部与所述衬底的间距不同,具体地,将子像素划分为第一子像素P11与第二子像素P12,所述第一子像素P11与第二子像素P12呈棋盘格状交错排布,位于所述第一子像素P11区域的反射部2310为距所述衬底211第一间距的第一反射部2311,位于所述第二子像素P12区域的反射部2310为距所述衬底211第二间距的第二反射部2312,图3中沿A1-A2位置的剖面结构请参阅2。
在一些实施例中,所述显示面板的像素排布方式请参阅图5,子像素在行方向上均对齐排布,在列方向上交错排布,在这种排布方式中,需设置三种间距,以满足相邻的所述反射部与所述衬底的间距不同,具体地,将子像素划分为第一子像素P21、第二子像素P22以及第三子像素P23,所述第一子像素P11、第二子像素P12以及第三子像素P23按照图中所示的方式交错排布,位于所述第一子像素P21区域的反射部2310为距所述衬底211第一间距的第一反射部2311,位于所述第二子像素P22区域的反射部2310为距所述衬底211第二间距的第二反射部2312,位于所述第三子像素P23区域的反射部2310为距所述衬底211第三间距的第三反射部2313,图5中沿B1-B2位置的剖面结构请参阅4。
进一步地,在本实施例中所述第一间距、所述第二间距以及所述第三间距呈等差排布。
可以理解的是,上述仅以两种像素排布方式进行说明,本发明实施例所提供的显示面板可根据实际工艺需求,采用其他任意的像素排布方式,本领域技术人员根据具体的像素排布方式,以相邻的所述阳极部与所述阵列基板的间距不同为原则,可相应地将子像素划分为对应不同间距的区域,本发明对此不作特殊限定。
本发明的另一实施例提供了一种显示面板的制备方法,如下结合图6示出的该制备方法的文字流程示意图以及图7a-7d示出的结构流程示意图进行详细描述。
具体地,所述制备方法包括如下步骤:
S10:提供一阵列基板310,所述阵列基板310包括衬底311及设置于所述衬底上的薄膜晶体管层312;
S20:在所述薄膜晶体管层312上形成平坦化层320,所述平坦化层320包括设置于各个子像素区域的平坦化部,相邻的所述平坦化部的厚度不同,示例性地,所述平坦化层320包括具有第一厚度的第一平坦化部321、具有第二厚度的第二平坦化部322以及具有第三厚度的第三平坦化部323,即形成如图7b所示的结构;以及
S30:在所述平坦化层320上形成阳极层330,所述阳极层330包括一反射层331与形成于所述反射层331上的阳极功能层332,所述反射层331包括对应形成于所述平坦化部上的反射部3310,示例性地,包括对应形成的第一反射部3311、第二反射部3312以及第三反射部3313,从而使得相邻的所述反射部3310与所述衬底311的间距不同,即形成如图7c所示的结构。
在一些实施例中,请参阅图7a,在所述步骤S10中,形成所述平坦化层320的步骤包括:
在所述薄膜晶体管层312上涂布一有机膜层324,使用半色调掩膜板400对所述有机膜层324曝光,再显影得到所述平坦化层320;
其中,所述半色调掩膜板400包括多个不同的光线透过区域,示例性地,所述半色调掩膜板400包括具有第一光线透过率的第一曝光区410、具有第二光线透过率的第二曝光区420以及具有第三光线透过率的第三曝光区430,使得对应形成的第一平坦化部321、第二平坦化部322以及第三平坦化部323具有不同的厚度。
当然,为了实现显示面板的显示功能,所述制备方法还包括形成其他必要结构,如依次形成于所述阳极层330之上的像素定义层340、发光层350以及阴极层360,即形成如图7d所示的结构。
本发明的另一实施例提供了一种移动终端,包括前述实施例所述的显示面板及终端主体,所述终端主体与所述显示面板组合为一体,所述终端主体可以包括中框、框胶等,所述移动终端可以为手机、平板等移动显示终端,本发明实施例对此不作限定。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见上文针对其他实施例的详细描述,此处不再赘述。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及其制备方法与移动终端进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
阵列基板,包括衬底及设置于所述衬底上的薄膜晶体管层;
阳极层,设置于所述薄膜晶体管层上,包括一反射层,所述反射层包括对应设置于各个子像素区域的反射部,其中,相邻的所述反射部与所述衬底的间距不同。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括设置于所述薄膜晶体管层与所述阳极层之间的平坦化层,所述平坦化层包括对应设置于所述子像素区域的平坦化部,相邻的所述平坦化部的厚度不同。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,相邻的所述反射部与所述衬底的间距之差大于所述反射层的厚度。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,相邻的两所述反射部与所述衬底的间距之差大于等于0.3微米。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述反射部包括距所述衬底第一间距的第一反射部,以及距所述衬底第二间距的第二反射部,所述第一反射部与所述第二反射部交错排布。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述反射部包括距所述衬底第一间距的第一反射部,距所述衬底第二间距的第二反射部,以及距所述衬底第三间距的第三反射部,所述第一反射部、所述第二反射部与所述第三反射部依次交错排布。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第一间距、所述第二间距以及所述第三间距呈等差排布。
8.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:
S10:提供一阵列基板,包括衬底及设置于所述衬底上的薄膜晶体管层;
S20:在所述薄膜晶体管层上形成平坦化层,所述平坦化层包括设置于各个子像素区域的平坦化部,相邻的所述平坦化部的厚度不同;以及
S30:在所述平坦化层上形成阳极层,所述阳极层包括一反射层,所述反射层包括对应形成于所述平坦化部上的反射部,使得相邻的所述反射部与所述衬底的间距不同。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述步骤S10中,形成所述平坦化层的步骤包括:在所述薄膜晶体管层上涂布一有机膜层,使用半色调掩膜板对所述有机膜层曝光,即得到所述平坦化层。
10.一种移动终端,其特征在于,包括如权利要求1至7中任一项所述的显示面板及终端主体,所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
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Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140061595A1 (en) * 2012-08-28 2014-03-06 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same
CN103915468A (zh) * 2012-12-31 2014-07-09 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示器及其制造方法
CN107799563A (zh) * 2016-08-31 2018-03-13 乐金显示有限公司 具有微腔结构的显示装置及用于形成显示装置的方法
CN109616500A (zh) * 2018-12-06 2019-04-12 合肥鑫晟光电科技有限公司 有机发光二极管面板及其制备方法、显示装置
CN109686768A (zh) * 2018-12-25 2019-04-26 武汉天马微电子有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
CN110459699A (zh) * 2019-08-30 2019-11-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
US20200194713A1 (en) * 2018-12-17 2020-06-18 Lg Display Co., Ltd. Display panel
CN111987136A (zh) * 2020-09-09 2020-11-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法
CN112310324A (zh) * 2020-10-30 2021-02-02 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示用基板及其制备方法
US20210066411A1 (en) * 2019-08-30 2021-03-04 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device, display apparatus, imaging apparatus, electronic apparatus, illumination apparatus, moving object, and photoelectric conversion apparatus
US20210091152A1 (en) * 2019-09-23 2021-03-25 Boe Technology Group Co., Ltd. Display Substrate and Preparation Method Thereof, and Display Apparatus
CN113314682A (zh) * 2021-05-27 2021-08-27 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、电子设备

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140061595A1 (en) * 2012-08-28 2014-03-06 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same
CN103915468A (zh) * 2012-12-31 2014-07-09 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示器及其制造方法
CN107799563A (zh) * 2016-08-31 2018-03-13 乐金显示有限公司 具有微腔结构的显示装置及用于形成显示装置的方法
CN109616500A (zh) * 2018-12-06 2019-04-12 合肥鑫晟光电科技有限公司 有机发光二极管面板及其制备方法、显示装置
US20200194713A1 (en) * 2018-12-17 2020-06-18 Lg Display Co., Ltd. Display panel
CN109686768A (zh) * 2018-12-25 2019-04-26 武汉天马微电子有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
CN110459699A (zh) * 2019-08-30 2019-11-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
US20210066411A1 (en) * 2019-08-30 2021-03-04 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device, display apparatus, imaging apparatus, electronic apparatus, illumination apparatus, moving object, and photoelectric conversion apparatus
US20210091152A1 (en) * 2019-09-23 2021-03-25 Boe Technology Group Co., Ltd. Display Substrate and Preparation Method Thereof, and Display Apparatus
CN111987136A (zh) * 2020-09-09 2020-11-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法
CN112310324A (zh) * 2020-10-30 2021-02-02 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示用基板及其制备方法
CN113314682A (zh) * 2021-05-27 2021-08-27 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、电子设备

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