CN113314657A - 提升显示效果的正倒装MiniLED显示面板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种提升显示效果的正倒装MiniLED显示面板及其制备方法,它涉及LED显示屏技术领域。包括驱动IC、驱动电路板、空间结构像素单元、封装胶层、黑色封装配方层和表面光学处理层,所述的驱动IC采用具有精准电压控制的高刷芯片,驱动IC设置在驱动电路板一侧,驱动电路板另一侧设置有空间结构像素单元,空间结构像素单元外侧设置有封装胶层,封装胶层外部设置有黑色封装配方层,黑色封装配方层外侧设置有表面光学处理层。本发明制备工艺简单,成本超低,性能最优,批量生产良率高,可维修,使用寿命长,可随市场一起成长,只需更新软件,硬件无需更改,便可满足市场的任意需求,形成产品的迭代与更新。

Description

提升显示效果的正倒装MiniLED显示面板及其制备方法
技术领域
本发明涉及的是LED显示屏技术领域,具体涉及一种提升显示效果 的正倒装MiniLED显示面板及其制备方法。
背景技术
随着COB封装的小间距技术的发展,COB小间距封装产品逐渐成为热 点,最主要的原因是相比当下主流的表贴技术,COB小间距集成封装可以 做到更小的点间距。COB小间距产品的技术优势主要有两点:其一,COB 小间距产品表面的胶层更有利于保护发光面;其二,采用COB集成小间 距封装为代表的集成封装技术,其技术在更小间距领域有着天然的技术 优势。COB集成小间距封装的技术路线是将芯片直接安放在PCB板上,倒 装产品则通过锡膏与PCB连接,正装产品则通过焊线机使芯片正负极与 PCB连接。为保护芯片,提升发光效果,在PCB上方使用封装胶水将其 封装到固定厚度。但其受限于由于COB封装必须考虑固晶焊盘及打线焊 盘,并且由于打线面积过大,固晶焊盘面积无法做到很小,垂直封装的LED发光芯片亮度不高,以上的几点原因导致了COB封装小间距产品对比 度无法做到更大。而且现有的COB显示面板面临着墨色一致性不好,平 整度不好,成本高,维修难度大等技术瓶颈。综上所述,为了解决上述问 题,本发明设计了一种提升显示效果的正倒装MiniLED显示面板及其制 备方法。
发明内容
针对现有技术上存在的不足,本发明目的是在于提供一种提升显示 效果的正倒装MiniLED显示面板及其制备方法,制备工艺简单,成本超 低,性能最优,批量生产良率高,可维修,使用寿命长,可随市场一起 成长。
为了实现上述目的,本发明是通过如下的技术方案来实现:提升显 示效果的正倒装MiniLED显示面板,包括驱动IC、驱动电路板、空间结 构像素单元、封装胶层、黑色封装配方层和表面光学处理层,所述的驱 动IC采用具有精准电压控制的高刷芯片,驱动IC设置在驱动电路板一 侧,驱动电路板另一侧设置有空间结构像素单元,空间结构像素单元外 侧设置有封装胶层,封装胶层外部设置有黑色封装配方层,黑色封装配 方层外侧设置有表面光学处理层。
作为优选,所述的空间结构像素单元包括三基色LED发光芯片,每 个像素单元内的三基色LED发光芯片都通过金线与驱动电路板相连,倒 装芯片则通过锡膏与电路板相连。
作为优选,所述的封装胶层采用透明高分子聚合物,封装胶层上带 有凹凸镜状的光学布点。光学布点的直径为0.05-0.4mm,点的深度使凹 凸镜的焦点落在放光点的中心。布点方式采用阵列式排布或者是不规则 的排布。
作为优选,所述的黑色封装配方层采用特制的黑色高分子聚合物或 华正H1170(黑色)材料;黑色封装配方层上带有凹槽露出发光点;在凹 槽内填充含匀光粉的透明高分子聚合物,形成雾面发光源。
作为优选,所述的表面光学处理层采用防眩光的高透光学材料。利 用光学镀膜系统技术,实现表面高密度,高折射率,达到增透或高反效 果。
作为优选,所述的空间结构像素单元采用特定的排列,降低成本。 具体为两种排列:横向排列方式,行方向分辨率不变,列方向分辨率减 半;纵向排列方式,行方向分辨率减半,列方向分辨率不变。
本发明包括品牌版高端方案和渠道版低端方案共两种方案。
品牌版高端方案的制备方法步骤如下:
(1)、首先选择材料:选用具有精准电压控制的高刷芯片;驱动电路 板需采用TG≥170℃的板材;封装胶层采用带光学布点的透明高分子聚 合物;黑色封装配方层采用特制的黑色高分子聚合物或华正H1170黑色 材料;表面光学处理层采用防眩光的高透光学材料;
(2)、高刷芯片来厂二次分选与混BIN,然后将三基色发光芯片都通 过金线与电路板相连,倒装芯片则通过锡膏与电路板相连;再采用带光 学布点的透明高分子聚合物,以模压的方式进行封装,将芯片与金线保 护起来,形成封胶层;在封胶层上面采用黑色高分子聚合物,利用模压 的的方式进行压合,形成黑色封装配方层,露出发光点;在发光点位置槽内填充雾面光学高分子聚合物;最后在黑色封装配方层上采用防眩光 的高透光学材料进行粘合,同时利用光学镀膜系统技术,实现表面高密 度,高折射率,达到增透或高反效果;形成表面光学处理层,解决任意 应用环境及显示拍摄效果的需求,同时方便生产与维修,刮伤或损坏后, 只需更换表面光学材料重新粘合即可。
渠道版低端方案的制备方法步骤如下:
(1)、首先选择材料:选用具有精准电压控制的高刷芯片;驱动电 路板需采用TG≥170℃的板材;封装胶层采用特制的带光学布点的透明 高分子聚合物;黑色封装配方层采用特制的黑色高分子聚合物或华正 H1170黑色材料;表面光学处理层采用防眩光的高透光学材料;利用光 学镀膜系统技术,实现表面高密度,高折射率,达到增透或高反效果;
(2)、芯片来厂二次分选与混BIN,然后将三基色发光芯片都通过金 线与电路板相连;再用透明高分子聚合物采用点胶方式进行封装,仅将 芯片保护起来,形成透明封胶层;再用特制的黑色封装胶采用灌胶的方 式填平到晶元的1/2平面处,形成黑色平面底色层;最后在上面采用带 光学布点的透明高分子聚合物,以模压的方式进行封装,将芯片与金线保护起来,形成封胶层;最后在上面采用防眩光的高透光学材料进行粘 合,形成表面光学处理层,解决任意应用环境及显示拍摄效果的需求, 同时方便生产与维修,刮伤或损坏后,只需更换表面光学材料重新粘合 即可。
本发明具有以下有益效果:
以当前市场热点P0.9点间距产品为例:
1、本发明采用空间结构像素单元的特殊结构,利用软件结合降低 硬件的直接材料成本:
(1)节约了1/2的LED芯片成本及驱动IC成本,每平方米节省9000 元/M2左右。
(2)PCB生产厂家P0.4~P0.9的产品也无需外发海外,国内厂家可 直接生产,生产交货周期至少提前一个月左右,除运费节省外,单价可 直接节省15000元/M2左右。
(3)驱动电路板PCB降低了难度,大幅度提高了良品率,可批量化 生产,良品率可达99.9%,节省了人工生产工时,同时生产中可进行维修, 市场中意外损伤产品亦可进行维修。大大节省成本,极具竞争力。同行 客退与返修产品是直接更换单元板,不可维修。
(4)本产品可随市场一起成长,随着市场的变化而变化,只要通过 软件更新即可,硬件无需改变,同款产品可以实现不同点间距与不同分 辨率的需求,轻松实现正倒装COB显示面板的更新与迭代,满足市场需 要;不怕库存,极具诱惑力。
2、本发明在面板封装胶层进行光学布点,改善显示效果,在光学性 能上整体亮度可提升25%-45%;同时凹凸镜的焦点落在放光点的中心,解 决单元板拼接时的一致性,比普通COB发光角度大,亮度高,均匀性好。
3、表面光学处理层可防眩光与摩尔纹,同时利用光学镀膜系统技术, 实现表面高密度,高折射率,达到增透或高反效果。在用户体验上解决 任意场合的显示拍摄效果,同时减少镜面反射,增强对比度,扩大市场 应用领域。同时方便生产与维修,刮伤或损坏后,只需更换表面光学材 料重新粘合即可。
4、黑色封装配方层可完美解决业界墨色不一致性的瓶颈,同时解决 实际应用中高温变色的问题,实现超高平整度与超高均匀性,生产时无 需挑选,任意拼接,减少人工与生产工时,降低成本。采购时可以库存 与不同批进行混拼,降低管理成本。
5、利用黑色封装配方层与光学布点封胶层的完美结合,轻松实现发 光点小,黑区面积大的原理,完美解决了实际应用中对比度的瓶颈。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式来详细说明本发明;
图1为本发明的结构示意图;
图2(a)为本发明的空间结构像素单元正常排列示意图(X代表横 向发同种光的像素点与像素点之间的距离;Y代表纵向发同种光的像素点 与像素点之间的距离);
图2(b)为本发明的空间结构像素单元横向排列示意图;
图2(c)为本发明的空间结构像素单元纵向排列示意图;
具体实施方式
为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白 了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本发明。
参照图1、图2(a)、图2(b)和图2(c),本具体实施方式采用以 下技术方案:提升显示效果的正倒装MiniLED显示面板,包括驱动IC1、 驱动电路板2、空间结构像素单元3、封装胶层4、黑色封装配方层5和 表面光学处理层6,所述的驱动IC1采用具有精准电压控制的高刷芯片, 驱动IC1设置在驱动电路板2一侧,驱动电路板2另一侧设置有空间结 构像素单元(3),空间结构像素单元3外侧设置有封装胶层4,封装胶层 4外部设置有黑色封装配方层5,黑色封装配方层5外侧设置有表面光学 处理层6。
所述的空间结构像素单元(3)包括三基色LED发光芯片,每个像素单 元内的三基色LED发光芯片都通过金线与驱动电路板2相连。
所述的封装胶层4采用透明高分子聚合物,封装胶层4上带有凹凸 镜状的光学布点41。光学布点41的直径为0.05-0.4mm,点的深度使凹 凸镜的焦点落在放光点的中心。布点方式采用阵列式排布或者是不规则 的排布。
所述的黑色封装配方层5采用特制的黑色高分子聚合物或华正H1170 (黑色)材料,在黑色封装配方层5上带有凹槽51露出发光点。
所述的凹槽51内填充雾面光学高分子聚合物。
所述的表面光学处理层6采用防眩光的高透光学材料,同时利用光 学镀膜系统技术,实现表面高密度,高折射率,达到增透或高反效果。
所述的空间结构像素单元3采用特定的排列,降低成本。具体为两 种排列:横向排列方式,行方向分辨率不变,列方向分辨率减半;纵向 排列方式,行方向分辨率减半,列方向分辨率不变。
本具体实施方式的图2(a)为三灯实素排列方式每个格子代表一个 实像素。再如图2(b)和图2(c)所示,通过像素空间排列,调整软件, 效果相同,节约了1/2的LED芯片成本及驱动IC成本。
实施方法与步骤如下:
本专利包括品牌版高端方案和渠道版低端方案共两种方案。
品牌版高端方案的制备方法步骤如下:
(1)、首先选择材料:选用具有精准电压控制的高刷芯片;驱动电路 板需采用TG≥170℃的板材;封装胶层采用带光学布点的透明高分子聚 合物;黑色封装配方层采用特制的黑色高分子聚合物或华正H1170黑色 材料;表面光学处理层采用防眩光的高透光学材料;
(2)、高刷芯片来厂二次分选与混BIN,然后将三基色发光芯片都通 过金线与电路板相连,倒装芯片则通过锡膏与电路板相连;再采用特制 的带光学布点的透明高分子聚合物,以模压的方式进行封装,将芯片与 金线保护起来,形成封胶层;在封胶层上面采用黑色高分子聚合物,利 用模压的的方式进行压合,形成黑色封装配方层,露出发光点;在发光点位置槽内填充雾面光学高分子聚合物;最后在黑色封装配方层上采用 防眩光的高透光学材料进行粘合,利用光学镀膜系统技术,实现表面高 密度,高折射率,达到增透或高反效果,形成表面光学处理层,解决任 意应用环境及显示拍摄效果的需求,同时方便生产与维修,刮伤或损坏 后,只需更换表面光学材料重新粘合即可。
渠道版低端方案的制备方法步骤如下:
(1)、首先选择材料:选用具有精准电压控制的高刷芯片;驱动电路 板需采用TG≥170℃的板材;封装胶层采用特制的带光学布点的透明高 分子聚合物;黑色封装配方层采用特制的黑色高分子聚合物或华正H1170 黑色材料;表面光学处理层采用防眩光的高透光学材料;
(2)、芯片来厂二次分选与混BIN,然后将三基色发光芯片都通过金 线与电路板相连,倒装芯片则通过锡膏与电路板相连;再用透明高分子 聚合物采用点胶方式进行封装,仅将芯片保护起来,形成透明封胶层; 再用特制的黑色封装胶采用灌胶的方式填平到晶元的1/2平面处,形成 黑色平面底色层;最后在上面采用带光学布点的透明高分子聚合物,以模压的方式进行封装,将芯片与金线保护起来,形成封胶层;最后在上 面采用防眩光的高透光学材料进行粘合,同时利用光学镀膜系统技术, 实现表面高密度,高折射率,达到增透或高反效果,形成表面光学处理 层,解决任意应用环境及显示拍摄效果的需求,同时方便生产与维修, 刮伤或损坏后,只需更换表面光学材料重新粘合即可。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。 本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施 例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范 围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要 求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其 等效物界定。

Claims (8)

1.提升显示效果的正倒装MiniLED显示面板,其特征在于,包括驱动IC(1)、驱动电路板(2)、空间结构像素单元(3)、封装胶层(4)、黑色封装配方层(5)和表面光学处理层(6),所述的驱动IC(1)采用具有精准电压控制的高刷芯片,驱动IC(1)设置在驱动电路板(2)一侧,驱动电路板(2)另一侧设置有空间结构像素单元(3),空间结构像素单元(3)外侧设置有封装胶层(4),封装胶层(4)外部设置有黑色封装配方层(5),黑色封装配方层(5)外侧设置有表面光学处理层(6)。
2.根据权利要求1所述的提升显示效果的正倒装MiniLED显示面板,其特征在于,所述的空间结构像素单元(3)包括三基色LED发光芯片,每个像素单元内的三基色LED发光芯片都通过金线与驱动电路板(2)相连,倒装芯片则通过锡膏与电路板(2)相连。
3.根据权利要求1所述的提升显示效果的正倒装MiniLED显示面板,其特征在于,所述的封装胶层(4)采用透明高分子聚合物,封装胶层(4)上带有凹凸镜状的光学布点(41);光学布点(41)的直径为0.05-0.4mm,光学布点的深度使凹凸镜的焦点落在放光点的中心。
4.根据权利要求1所述的提升显示效果的正倒装MiniLED显示面板,其特征在于,所述的黑色封装配方层(5)采用黑色高分子聚合物或华正H1170黑色材料;黑色封装配方层(5)上带有凹槽露出发光点;在凹槽内填充含匀光粉的透明高分子聚合物,形成雾面发光源。
5.根据权利要求1所述的提升显示效果的正倒装MiniLED显示面板,其特征在于,所述的表面光学处理层(6)采用防眩光的高透光学材料,同时利用光学镀膜系统技术,实现表面高密度,高折射率,达到增透或高反效果。
6.根据权利要求1所述的提升显示效果的正倒装MiniLED显示面板,其特征在于,所述的空间结构像素单元(3)两种排列:横向排列方式,行方向分辨率不变,列方向分辨率减半;纵向排列方式,行方向分辨率减半,列方向分辨率不变。
7.提升显示效果的正倒装MiniLED显示面板的制备方法,其特征在于,包括品牌版高端方案和渠道版低端方案共两种方案,所述的品牌版高端方案的制备方法步骤如下:
(1)、首先选择材料:选用具有精准电压控制的高刷芯片;驱动电路板需采用TG≥170℃的板材;封装胶层采用带光学布点的透明高分子聚合物;黑色封装配方层采用特制的黑色高分子聚合物或华正H1170黑色材料;表面光学处理层采用防眩光的高透光学材料;
(2)、高刷芯片来厂二次分选与混BIN,然后将三基色发光芯片都通过金线与电路板相连,倒装芯片则通过锡膏与电路板相连;再采用带光学布点的透明高分子聚合物,以模压的方式进行封装,将芯片与金线保护起来,形成封胶层;在封胶层上面采用黑色高分子聚合物,利用模压的的方式进行压合,形成黑色封装配方层,露出发光点;在发光点位置槽内填充雾面光学高分子聚合物;最后在黑色封装配方层上采用防眩光的高透光学材料进行粘合,同时利用光学镀膜系统技术,实现表面高密度,高折射率,达到增透或高反效果;形成表面光学处理层,解决任意应用环境及显示拍摄效果的需求,同时方便生产与维修,刮伤或损坏后,只需更换表面光学材料重新粘合即可。
8.根据权利要求7所述的提升显示效果的正倒装MiniLED显示面板的制备方法,其特征在于,渠道版低端方案的制备方法步骤如下:
(1)、首先选择材料:选用具有精准电压控制的高刷芯片;驱动电路板需采用TG≥170℃的板材;封装胶层采用特制的带光学布点的透明高分子聚合物;黑色封装配方层采用特制的黑色高分子聚合物或华正H1170黑色材料;表面光学处理层采用防眩光的高透光学材料;利用光学镀膜系统技术,实现表面高密度,高折射率,达到增透或高反效果;
(2)、芯片来厂二次分选与混BIN,然后将三基色发光芯片都通过金线与电路板相连,倒装芯片则通过锡膏与电路板相连;再用透明高分子聚合物采用点胶方式进行封装,仅将芯片保护起来,形成透明封胶层;再用特制的黑色封装胶采用灌胶的方式填平到晶元的1/2平面处,形成黑色平面底色层;最后在上面采用带光学布点的透明高分子聚合物,以模压的方式进行封装,将芯片与金线保护起来,形成封胶层;最后在上面采用防眩光的高透光学材料进行粘合,形成表面光学处理层,解决任意应用环境及显示拍摄效果的需求,同时方便生产与维修,刮伤或损坏后,只需更换表面光学材料重新粘合即可。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116504145A (zh) * 2023-01-13 2023-07-28 湖南蓝晶科技有限公司 一种基于兼容共阴共阳的全倒装microLED显示屏
CN116504145B (zh) * 2023-01-13 2023-11-28 湖南蓝晶科技有限公司 一种基于兼容共阴共阳的全倒装microLED显示屏

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