CN113314483A - 用于在多个半导体装置模块中散热的设备和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及用于在多个半导体装置模块中散热的设备及方法。本发明提供一种半导体存储器系统，其具有以一定间隙彼此间隔开的多个半导体存储器模块。所述系统包含具有经配置以远离存储器装置传递热量的导热底座部分的散热组合件。所述散热组合件包含从所述底座部分延伸的至少一个冷却单元。所述至少一个冷却单元具有带有外表面的壁及空腔。所述冷却单元经配置以配合在相邻存储器模块之间的所述间隙中，使得在所述间隙两端在所述冷却单元的第一侧上的所述外表面的一部分耦合到第一存储器装置中的一者且在所述冷却单元的第二侧上的所述外表面的另一部分耦合到第二存储器装置中的一者。

Description

用于在多个半导体装置模块中散热的设备和方法
技术领域
本公开大体上涉及半导体装置，且更确切地说，涉及用于在多个半导体装置模块中散热的设备和方法。
背景技术
存储器封装或模块通常包含安装于衬底上的多个存储器装置。存储器装置广泛地用于存储与例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等等各种电子装置相关的信息。通过将存储器单元的不同状态编程于存储器装置中来存储信息。存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)等。
一般来说，改进存储器封装可包含增加存储器单元密度、减少操作延迟(例如提高读取/写入速度)、提高可靠性、增加数据保持、减少功率消耗、减少制造成本，和减小存储器封装和/或存储器装置的组件的大小或占据面积，以及其它度量。与改进存储器封装相关联的挑战在于增加存储器装置密度且提高存储器装置的速度或处理能力会产生更多热量。在未充分冷却的情况下，额外热量可使得存储器装置超过其最大工作温度(Tmax)。
发明内容
根据本发明的一方面，提供一种半导体存储器系统。所述半导体存储器系统包括：多个半导体存储器模块，每一存储器模块包含在衬底的第一侧上的第一存储器装置及在所述衬底的第二侧上的第二存储器装置，其中所述半导体存储器模块以一定间隙彼此间隔开；及散热组合件，其具有：导热底座部分，其经配置以远离所述存储器装置传递热量，至少一个冷却单元，其从所述底座部分延伸且具有带有外表面的壁及空腔，所述冷却单元安置在相邻存储器模块之间的所述间隙中，使得在所述间隙两端在所述冷却单元的第一侧上的所述外表面的一部分耦合到所述第一存储器装置中的一者且在所述冷却单元的第二侧上的所述外表面的另一部分耦合到所述第二存储器装置中的一者，及在所述空腔中的至少一个相变组件，所述相变组件限定腔室且包括相变流体。
根据本发明的另一方面，提供一种制造半导体存储器系统。所述方法包括：将散热组合件耦合到包含至少一个第一半导体装置的第一存储器模块及包含至少一个第二半导体装置的第二存储器模块，所述第一半导体装置与所述第二半导体装置相对，其中所述散热组合件具有底座部分，从所述底座部分的一个区域延伸的多个冷却特征，及从所述底座部分的另一区域延伸的冷却单元，所述冷却单元的第一侧表面附接到所述第一半导体装置，所述冷却单元的第二侧表面附接到所述第二半导体装置，且所述第一侧表面与所述第二侧表面相对，且所述冷却单元含有限定腔室且包括相变流体的相变组件。
附图说明
图1A、1B和1C说明根据本发明技术的用于具有多个存储器模块的存储器系统的散热组合件。
图2A和2B说明根据本发明技术的用于具有多个存储器模块的存储器系统的散热组合件。
图3是说明根据本公开的配置存储器系统的方法的流程图。
图4说明用于存储器模块的示范性散热片。
具体实施方式
下文参考随附图式描述具有散热组合件的存储器模块和相关联系统及方法的数个实施例的具体细节。在若干所述实施例中，存储器系统可包含多个存储器模块，例如双列直插式存储器模块(DIMM)，其各自具有衬底和电耦合到衬底的多个存储器装置。存储器装置可包含分别在衬底的前侧和后侧上的第一存储器装置及第二存储器装置。散热组合件经配置以增强存储器装置的冷却。散热组合件可包含具有底座部分和多个散热组件的导热主体。底座部分可经配置以经由传导或对流中的至少一者将热量传递到周围环境。导热主体可具有从底座部分延伸的至少一个冷却单元，例如被动冷却单元。冷却单元可包含限定空腔的壁，所述空腔经配置为含有冷却组件。举例来说，每一壁可具有限定封围腔的U形，或壁可具有接收一或多个冷却组件的开放腔。冷却单元可经配置以配合在相邻存储器模块之间的间隙中，使得在冷却单元的一侧上的外表面邻近一个半导体存储器装置，且在冷却单元的另一侧上的外表面邻近另一半导体存储器装置。散热组合件可经配置使得每对存储器模块之间的间隙由冷却单元占据。冷却组件可为安置在冷却单元的空腔中的相变组件，且相变组件可经配置以将热量从冷却单元内部传递到底座部分。
图4说明包含多个存储器模块的存储器系统400。存储器系统400可包含计算装置401(例如，主机板)和通过存储器连接件402连接到计算装置401的存储器模块411。存储器模块411可各自包含在印刷电路板(PCB)441的任一侧上的多个半导体存储器装置(例如，存储器裸片)，例如存储器装置421a、421b。在操作中，存储器装置421a、421b产生热量，热量可不利地影响存储器系统400的操作。相应地，存储器系统400可包含散热片(例如，鳍型散热片)或散热器(例如，真空腔室散热器或散热管)，例如附接到存储器模块411的相对侧的散热片或散热器431a和431b。散热片通常具有增加表面积以用于增强散热的鳍片或其它特征，且通过风扇产生的气流可用于进一步消散来自存储器装置的热量。散热器通常具有大的、平坦的外表面区域且通常并不具有风扇或鳍片。实际上，散热器直接接触存储器装置以消散热量。
在DDR5存储器系统中，存储器模块411可由(例如，约7.62毫米的)预定间距间隔开。相邻存储器模块411之间的可用于散热片或散热器431a、431b的空间约等于此间距减存储器模块中的一个的厚度(例如，约2.8毫米)。因此，对置存储器装置之间的可供用于两个散热片或散热器431a、431b的间隙G为约4.82毫米。在一些系统中，散热片或散热器431a、431b中的每一者可为约0.625毫米厚。相应地，在这类系统中，约3.57毫米的气隙保留在相邻散热片或散热器之间以供空气流动以用于冷却。这是这类散热片或散热器的通常足够用于气流恰当消散来自存储器装置421a、421b的热量的空间。然而，对于许多电子装置，合乎需要的是存储器模块411的PCB 441之间的间距尽可能小同时仍保持存储器装置421a、421b低于最大操作温度(Tmax)。此通常要求相邻存储器模块的对置存储器装置之间的间隙G大于约2毫米，使得存在供气流恰当消散由存储器模块411产生的热量的充足间隙。
为了解决前述问题，本发明技术是针对用于半导体装置模块或其它电子装置的散热组合件，其实现相邻高性能电子组件之间的小间隙宽度。举例来说，预期本发明技术的若干实施例恰当消散通过在存储器模块之间具有减小间距(例如，250微米或更小)的相邻存储器模块产生的热量。为清楚起见，相对于存储器系统中的存储器模块描述本发明技术的示范性实施例，但本发明技术也可通过半导体装置与其它电子组件之间具有受限间距的其它类型的系统实施。
图1A说明根据本发明技术的包含经配置用于一或多个半导体装置模块的散热组合件130的存储器系统100的端视横截面图。存储器系统100包含计算装置105(例如，主机板)及通过存储器连接件112连接到计算装置105的存储器模块110。存储器模块110可各自包含分别在其任一侧上的多个半导体存储器装置121(个别地识别为121a及121b)。举例来说，存储器装置121可为存储器裸片、DRAM、SDRAM、ROM、RAM、电力管理集成电路(powermanagement integrated circuit，PMIC)、寄存器时钟驱动器(register clock driver，RCD)等。散热组合件130经配置以消散来自存储器模块110的热量。举例来说，在图1A的实施例中，散热组合件130附接到存储器模块110以用于消散来自存储器装置121a、121b的热量以将存储器装置121a、121b的温度维持在预定工作温度范围内。
如上文所论述，在常规存储器系统中，相邻存储器模块的存储器装置之间的间隙需要超过2毫米以供充足气流充分地传递来自常规散热片及散热器(例如，散热管或真空腔室散热器)的热量。然而，在若干实施例中，散热组合件130使用相转移技术来有效地传递由存储器装置121a、121b产生的热量。因此，本发明技术的若干实施例可能不需要或甚至期望相邻存储器模块之间的气流。相应地，相邻存储器模块的对置存储器装置之间的间隙可极大地减小(例如，250微米或更小)。举例来说，相邻存储器模块的对置存储器装置之间(例如，内部存储器模块110的对置存储器装置121b及121a之间)的间隙在一些实施例中可在250微米到2毫米范围内，在其他实施例中在250微米到1毫米范围内，或在另外其它实施例中为250微米或更小。相应地，根据本发明技术的存储器系统中的存储器模块的密度可大于常规存储器系统中的存储器模块的密度。
如图1A中所见，散热组合件130包含：具有底座134的主体132、从底座134的一侧延伸的冷却特征136，及从底座134的另一侧延伸的冷却单元140(由附图标记140a及140b识别)。主体132可由导热材料制成，例如铜、铝、其合金、石墨、导热聚合物等，或其任何组合。冷却特征136可为脊部、凹槽、鳍片和/或经由对流和/或传导增强热传递的其它类型的凹痕和/或突起。举例来说，在图1A的实施例中，冷却特征136为从底座134向外突出的鳍片或柱。在图1A中，鳍片从底座134的顶部表面突出，但鳍片和/或其它类型的冷却特征可从主体132的其它部分(例如，主体132的侧表面)延伸。
冷却单元140可包含限定经配置以含有流体或其它冷却介质的空腔144的壁142。壁142可由导热材料(例如，铜、铝、其合金、石墨、导热聚合物等，或其任何组合)制成。每一壁142可具有内表面146及外表面147，且内表面146及底座134可限定每一冷却单元140的空腔144。冷却单元140可经配置以配合在相邻存储器模块110之间的间隙中，使得壁142的一侧上的外表面147邻近半导体存储器装置121中的至少一者。在一些实施例中，一个冷却单元140的外表面147具有邻近一个存储器模块的半导体存储器装置121的第一侧及邻近相邻存储器模块121的半导体存储器装置121的第二侧。
散热组合件130可经配置以使得每对存储器模块110之间的间隙由独立冷却单元140占据。举例来说，散热组合件130可具有内部冷却单元140a，且内部冷却单元140a的数目是基于具有对置存储器装置121的相邻存储器模块对的数目。在图1A的实施例中，存在具有对置存储器装置121的三对相邻存储器模块110，且因此散热组合件130具有至少三个内部冷却单元140a(即，一个冷却单元经配置以定位于具有对置存储器装置121的每对存储器模块110之间)。其它存储器系统可具有比具有对置存储器装置121的三对存储器模块110更多或更少的存储器模块。内部冷却单元140a的外表面147的第一侧可热耦合到冷却单元的一侧上的存储器装置121b，且外表面147的第二侧可热耦合到冷却单元140a的相对侧上的相邻存储器模块110的存储器装置121a。举例来说，在一些实施例中，内部冷却单元140a经配置以使得在散热组合件130放置于存储器模块110上和/或附接到存储器模块110时，壁142的外表面147可直接接触相邻存储器装置121。在其它实施例中，热界面材料(thermalinterface material，TIM)可在壁142的外表面147与相邻存储器装置121之间。内部冷却单元140a经配置以将热量传递到底座134，热量接着可经由冷却特征136去除。
在一些实施例中，如图1A中所示，散热组合件130可包含从底座部分134延伸且接触外存储器模块110的外存储器装置121a、121b的一或多个外部冷却单元140b。外部冷却单元140b的外表面147面向内的部分可直接接触对应存储器装置121a、121b的侧表面或通过热界面材料耦合到存储器装置121a、121b。在一些实施例中，外部冷却单元140b中的一或多者可经配置以经由外表面147的暴露部分将热量从存储器模块110的适当存储器装置传递到(a)周围环境和/或(b)底座部分134。
冷却单元140中的一或多者可包含相变组件150，其可为物质或使用相变来更有效地将热量从对应存储器模块110传递到主体132的单独装置。在一些实施例中，相变组件150可为插入冷却单元140的相应空腔144中的独立装置。在这类情况下，空腔144可通过钻孔、锻造等形成，且经配置以接收相应相变组件150。在一些实施例中，热界面材料(例如，热接触润滑脂、热接触粘合剂等)可安置在这类独立相变组件150与空腔144的内表面146之间以确保存在良好热接触。在一些实施例中，相变组件150可为空腔144内所含有的材料基质或物质。举例来说，隔室140的壁142可为限定相变组件150中的一或多者的外部壳体的材料基质。相变组件150中的一或多者可经配置以将热量从冷却单元140传递到底座134和/或周围环境。
图1B说明具有对应相变组件150的内部冷却单元140a的一部分的放大图。内部冷却单元140a及相变组件150在对置存储器装置121之间。图1B中的水平粗实线箭头展示从存储器装置121到相变组件150的热流动路径。当然，热量中的一些可如由壁142中的竖直粗实线箭头所示经由壁142传送到底座部分134。
相变组件150可包含具有保留工作流体的毛细作用元件162的毛细作用单元160。毛细作用单元160在冷却单元140的空腔144内限定蒸汽室165。视毛细作用单元160的类型需要，毛细作用元件162可为例如粉末、金属丝束、凹槽等。毛细作用元件162例如可为铜、铝和/或某一其它适当材料。工作流体可为适合于毛细作用单元160的液体，例如水、氨水，和/或某一其它液体。在操作中，工作液体经由(例如)毛细作用由毛细作用元件162保留。在工作液体充分加热时，其从液相变为气相，且蒸汽在蒸汽室165中升高(参看展示蒸汽流动路径的虚线箭头)到相变组件150的冷却器部分(例如，在底座部分134附近)。由于底座部分134是冷却器，所以来自蒸汽的热量传到底座部分134，然后经由对流和/或传导(参看冷却特征136上方的空心箭头)到达环境。在一些实施例中，外部风扇(未展示)可迫使空气流经冷却特征136和/或其它散热组件以提高热传递速率。在其它实施例中，热量经由自然对流而传递。一旦由底座部分134冷却，则蒸汽冷凝回液相，且工作液体沿毛细作用单元160向下流动(参看展示液体流动路径的细实线箭头)。因此，通过相邻存储器模块110上的对置存储器装置121产生的热量传递到环境，且不同于一些系统，相邻存储器模块的对置存储器装置之间不需要气流。由于在存储器模块之间不需要气流来消散由存储器装置产生的热量，所以存储器模块可布置在比常规存储器系统中更密集的配置中。
在一些实施例中，在散热组合件130安装于存储器系统100上时，相变组件150可延伸大体上存储器模块110的高度(参看图1A)及大体上存储器模块110的长度。举例来说，如图1C中所示，相变组件150可在存储器模块的侧面上方竖直地且水平地延伸(图1C中仅展示散热组合件130的主体132的虚线轮廓使得相变组件150可见)。替代地，每一壁142中可使用多个相变组件150，而不是一个相变组件150覆盖存储器模块110的整个侧表面。
在一些实施例中，外部冷却单元140b可包含安置于相应空腔144内的相变组件150。相变组件150可经配置以将热量从壁142的内部传递到底座部分134和/或冷却单元140b的外侧。外部冷却单元140b的配置与内部冷却单元140a的不同之处可在于外部冷却单元140b的外侧可将热量传递到周围环境(例如，经由鳍片和/或其它冷却特征)，这是因为外侧外露。
如图1A中所见，在一些实施例中，外部冷却单元140b与内部冷却单元140a之间的间距W1和/或存储器系统100中的内部冷却单元140a之间的间距W2可等于存储器模块的厚度，使得相应壁142的表面接触适当的存储器装置121。存储器模块110可为例如标准存储器模块，例如DDR5存储器模块(例如，约2.8毫米)。在一些实施例中，为了确保接触，壁142中的一或多者的位置可为可调整的和/或一或多个壁142的表面可经偏置以确保与适当的存储器装置121的侧表面接触(例如，经偏置以使用弹簧、螺钉和/或其它类型附接装置进行接触)。内部冷却单元140a的厚度t2可基于相邻存储器模块的对置存储器装置之间的间隙大小。举例来说，厚度t2在一些实施例中可在250微米到2毫米范围内，在其它实施例中在250微米到1毫米范围内，或在其它实施例中不超过250微米。外部冷却单元140b的厚度t1在一些实施例中可等于厚度t2。然而，由于外部冷却单元140b的外侧表面并不接触存储器装置121，所以厚度t1可视需要大于t2或小于t2。
在以上实施例中，相变组件可为真空腔室散热器(vacuum chamber heatspreader，VCHS)，其中空腔144和/或真空腔室165处于真空。然而，其它实施例不限于VCHS的使用，且可使用其它类型的相变组件。举例来说，针对相变组件150中的一个或所有，代替VCHS或除VCHS以外，可使用散热管。
图2A展示其中冷却单元140包含若干空腔202及每一空腔202中的相变组件150的实例。相变组件150可为散热管210。如图2A中所见，散热管210可安置于存储器模块的一侧上方(为了清晰起见，仅标记散热管中的一些，且图2A中仅展示主体132的虚线轮廓以使得散热管210可见)。
图2B说明散热管210的实例的顶视横截面图。类似于上文所描述的VCHS，散热管210包含具有经配置以限定蒸汽室230的毛细作用元件(例如，视毛细作用单元的类型需要，粉末、金属丝束、凹槽等)的毛细作用单元220。毛细作用元件可由铜、铝和/或另一适当材料制成，且工作液体(例如，水、氨水等)可由毛细作用元件保留。散热管210的操作类似于上文所论述的VCHS，且因此，为简洁起见，将不详细论述散热管210的操作。VCHS与散热管210之间的一个差异在于VCHS在两个方向(例如，水平及竖直)上传递热量，而散热管通常在单个方向(例如，竖直)上传递热量。在图2B的实施例中，散热管210为具有包覆毛细作用单元220及蒸汽室230的壳体240的独立装置。在这类情况下，主体132的壁142可具有经配置以接收散热管210的空腔202(例如，钻孔)。在一些实施例中，热界面材料250(例如，热接触润滑脂、热接触粘合剂等)安置在壳体240与壁142之间以提高组件之间的热导率。在一些实施例中，散热管210及壁142可分开地组装且接合(例如，经由粘合剂、钎焊、焊接等)。在其它实施例中，散热管210可与壁142集成。举例来说，主体132的壁142可充当散热管壳体。
图3是说明根据本公开的实施例的配置存储器系统的方法300的流程图。方法包含提供包含至少一个第一半导体装置的第一存储器模块(框310)及提供包含至少一个第二半导体装置的第二存储器模块以使得第一半导体装置与第二半导体装置相对(框320)。方法进一步包含提供具有底座部分及从底座部分延伸的冷却单元的导热主体，所述底座部分具有多个冷却特征(框330)。方法还包含使冷却单元的第一侧表面与第一半导体装置接触(框340)及使冷却单元的第二侧表面与第二半导体装置接触，以使得第一侧表面与第二侧表面相对(框350)。方法进一步包含将相变组件安置在冷却单元内。相变组件经配置以将热量从冷却单元的内部传递到底座部分(框360)。
论述许多具体细节以提供本发明技术的实施例的详尽且有用的描述。然而，相本领域技术人员将理解，本技术可具有额外实施例，并且本技术可在没有下文参考随附图式描述的实施例的细节中的若干个的情况下实践。在其它情况下，未展示或未详细地描述通常与存储器装置相关联的众所周知的结构或操作，以避免混淆技术的其它方面。一般来说，应理解，除了本文公开的那些具体实施例之外的各种其它装置和系统可在本发明技术的范围内。举例来说，在所说明实施例中，存储器装置及系统主要地描述于与DRAM及闪存(例如，NAND和/或NOR)存储媒体兼容的DIMM的上下文中。然而，根据本发明技术的其它实施例配置的存储器装置和系统可包含与其它类型的存储媒体兼容的存储器模块，所述存储器模块包含PCM、RRAM、MRAM、只读存储器(ROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEROM)、铁电、磁阻及其它存储媒体，包含静态随机存取存储器(SRAM)。另外，本文中描述的散热器中的至少一些可适用于除存储器封装以外的半导体封装。
如本文中所使用，术语“竖直”、“橫向”、“上部”、“下部”、“上方”及“下方”可以鉴于图中示出的定向而指代半导体装置中的特征的相对方向或位置。例如，“上部”或“最上部”可指比另一特征更接近页面顶部定位的特征。然而，这些术语应广泛地理解为包含具有其它定向的半导体装置，所述定向例如倒置或倾斜定向，其中顶部/底部、上方/下方、之上/之下、向上/向下以及左方/右方可取决于定向而互换。
如本文中(包含在权利要求书中)所使用，如在项列表(例如后加例如“中的至少一个”或“中的一或多个”的短语的项列表)中所使用的“或”指示包含端点的列表，使得例如A、B或C中的至少一个的列表意指A或B或C或AB或AC或BC或ABC(即，A和B和C)。另外，如本文中所使用，短语“基于”不应理解为提及封闭条件集。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件A”的示范性步骤可基于条件A和条件B两者。换句话说，如本文中所使用，短语“基于”应同样地解释为短语“至少部分地基于”。
从上文中应了解，尽管本文中已经出于说明的目的描述了本技术的特定实施例，但是可以在不偏离本公开的情况下进行各种修改。因此，本发明不受除所附权利要求书之外的限制。此外，在特定实施例的上下文中描述的新技术的某些方面还可在其它实施例中组合或去除。此外，尽管已经在那些实施例的上下文中描述了与新技术的某些实施例相关联的优点，但其它实施例也可以显示此类优点，且并非所有的实施例都要显示此类优点以落入本技术的范围内。因此，本公开及相关联的技术可涵盖未明确地在本文中展示或描述的其它实施例。

Claims (22)

1.一种半导体存储器系统，其包括：
多个半导体存储器模块，每一存储器模块包含在衬底的第一侧上的第一存储器装置及在所述衬底的第二侧上的第二存储器装置，其中所述半导体存储器模块以一定间隙彼此间隔开；及
散热组合件，其具有：
导热底座部分，其经配置以远离所述存储器装置传递热量，
至少一个冷却单元，其从所述底座部分延伸且具有带有外表面的壁及空腔，所述冷却单元安置在相邻存储器模块之间的所述间隙中，使得在所述间隙两端在所述冷却单元的第一侧上的所述外表面的一部分耦合到所述第一存储器装置中的一者且在所述冷却单元的第二侧上的所述外表面的另一部分耦合到所述第二存储器装置中的一者，及
在所述空腔中的至少一个相变组件，所述相变组件限定腔室且包括相变流体。
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述相变组件进一步包括毛细作用单元，且所述腔室由所述毛细作用单元的内部表面限定，且其中所述毛细作用单元经配置以经由毛细管作用保留所述相变流体。
3.根据权利要求1所述的系统，其中每一空腔经封围且所述相变组件经配置以使得所述相变流体汽化到所述腔室中以将所述多个半导体存储器模块保持在预定工作温度范围内。
4.根据权利要求3所述的系统，其中每一壁具有限定经封围空腔的U形。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述冷却单元的所述第一侧直接接触所述第一存储器装置且所述冷却单元的所述第二侧直接接触所述第二存储器装置。
6.根据权利要求1所述的系统，其中所述冷却单元的所述第一侧热通过热界面材料耦合到所述第一存储器装置，且所述冷却单元的所述第二侧通过热界面材料热耦合到所述第二存储器装置。
7.根据权利要求1所述的系统，其中所述相变组件包括真空腔室散热器或散热管。
8.根据权利要求1所述的系统，其中所述散热组合件进一步包含从所述底座部分向外延伸的冷却特征。
9.根据权利要求8所述的系统，其中所述冷却特征包括脊部、凹槽和/或鳍片。
10.根据权利要求1所述的系统，其中所述散热组合件进一步包含从所述底座部分延伸的外部冷却单元，所述外部冷却单元经配置以接触所述多个存储器模块中的外部存储器模块的外部存储器装置，且
其中所述外部冷却单元包含经配置以将热量从所述相应外部冷却单元的内部传递到所述底座部分的第二相变组件。
11.根据权利要求10所述的系统，其中所述第二相变组件包括真空腔室散热器或散热管。
12.根据权利要求10所述的系统，其中所述外部冷却单元经配置以经由所述外部冷却单元的暴露部分将热量从所述外部存储器装置传递到所述周围环境。
13.根据权利要求12所述的系统，其中所述外部冷却单元的所述暴露部分包含从所述暴露部分向外延伸的第二冷却特征。
14.根据权利要求13所述的系统，其中所述第二冷却特征为脊部、凹槽和/或鳍片。
15.根据权利要求1所述的系统，其中所述间隙在250微米到1毫米范围内。
16.根据权利要求1所述的系统，其中所述间隙为250微米或更小。
17.根据权利要求1所述的系统，其中所述散热组合件包含第一冷却单元及第二冷却单元，且
其中所述第一冷却单元与所述第二冷却单元之间的间距为标准存储器模块的厚度。
18.根据权利要求17所述的系统，其中所述标准存储器模块为DDR5存储器模块。
19.一种制造半导体存储器系统的方法，其包括：
将散热组合件耦合到包含至少一个第一半导体装置的第一存储器模块及包含至少一个第二半导体装置的第二存储器模块，所述第一半导体装置与所述第二半导体装置相对，
其中所述散热组合件具有底座部分，从所述底座部分的一个区域延伸的多个冷却特征，及从所述底座部分的另一区域延伸的冷却单元，
所述冷却单元的第一侧表面附接到所述第一半导体装置，
所述冷却单元的第二侧表面附接到所述第二半导体装置，且所述第一侧表面与所述第二侧表面相对，且
所述冷却单元含有限定腔室且包括相变流体的相变组件。
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述相变组件进一步包含毛细作用单元，且所述腔室由所述毛细作用单元的内部表面限定，且其中所述毛细作用单元经配置以经由毛细管作用保留所述相变流体。
21.根据权利要求19所述的方法，其中所述冷却单元的厚度在250微米到1毫米范围内。
22.根据权利要求19所述的方法，其中所述冷却单元的厚度为250微米或更小。
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