JP6889814B1 - 複数の半導体デバイスモジュール内の熱を消散するための装置及び方法 - Google Patents
複数の半導体デバイスモジュール内の熱を消散するための装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6889814B1 JP6889814B1 JP2021030410A JP2021030410A JP6889814B1 JP 6889814 B1 JP6889814 B1 JP 6889814B1 JP 2021030410 A JP2021030410 A JP 2021030410A JP 2021030410 A JP2021030410 A JP 2021030410A JP 6889814 B1 JP6889814 B1 JP 6889814B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cooling unit
- memory
- phase transition
- heat
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/427—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/02—Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
- G11C5/025—Geometric lay-out considerations of storage- and peripheral-blocks in a semiconductor storage device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/44—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements the complete device being wholly immersed in a fluid other than air
- H01L23/445—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements the complete device being wholly immersed in a fluid other than air the fluid being a liquefied gas, e.g. in a cryogenic vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
- H01L23/3672—Foil-like cooling fins or heat sinks
Abstract
Description
Claims (22)
- 複数の半導体メモリモジュールであって、各メモリモジュールは、基板の第1の側の上の第1のメモリデバイスと、前記基板の第2の側の上の第2のメモリデバイスとを含み、前記複数の半導体メモリモジュールは、間隙によって相互から間隔が空けられる、前記複数の半導体メモリモジュールと、
前記メモリデバイスから離して熱を伝達するように構成された熱伝導ベース部分と、
前記ベース部分から伸長し、外面及び空洞を有する壁を有する少なくとも1つの冷却ユニットであって、前記冷却ユニットの第1の側の上の前記外面の一部分は、前記第1のメモリデバイスの内の1つと結合され、前記冷却ユニットの第2の側の上の前記外面の別の部分は、前記間隙を渡って前記第2のメモリデバイスの内の1つに結合される、前記少なくとも1つの冷却ユニットと、
前記空洞内の少なくとも1つの相転移コンポーネントであって、前記相転移コンポーネントは、チャンバを画定し、相転移液体を含む、前記少なくとも1つの相転移コンポーネントと
を有する熱消散アセンブリと
を含む、半導体メモリシステム。 - 前記相転移コンポーネントは、ウィッキングユニットを更に含み、前記チャンバは、前記ウィッキングユニットの内面によって画定され、前記ウィッキングユニットは、毛細管現象を介して前記相転移液体を保持するように構成される、請求項1に記載のシステム。
- 各空洞は取り囲まれ、前記相転移コンポーネントは、前記複数の半導体メモリモジュールを所定の動作温度レンジ内に保つために前記相転移液体が前記チャンバ中に蒸発するように構成される、請求項1に記載のシステム。
- 各壁は、取り囲まれた前記壁を画定するU型を有する、請求項3に記載のシステム。
- 前記冷却ユニットの前記第1の側は、前記第1のメモリデバイスに直接接触し、前記冷却ユニットの前記第2の側は、前記第2のメモリデバイスに直接接触する、請求項1に記載のシステム。
- 前記冷却ユニットの前記第1の側は、サーマルインタフェース材料によって前記第1のメモリデバイスに熱的に結合され、前記冷却ユニットの前記第2の側は、サーマルインタフェース材料によって前記第2のメモリデバイスに熱的に結合される、請求項1に記載のシステム。
- 前記相転移コンポーネントは、真空チャンバヒートスプレッダ又はヒートパイプを含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記熱消散アセンブリは、前記ベース部分から外側に伸長する冷却機構を更に含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記冷却機構は、リッジ、溝、及び/又はフィンを含む、請求項8に記載のシステム。
- 前記熱消散アセンブリは、前記複数のメモリモジュールの内の外側のメモリモジュールの外側のメモリデバイスと接触するように構成された、前記ベース部分から伸長する外部冷却ユニットを更に含み、
前記外部冷却ユニットは、個別の前記外部冷却ユニットの内部から前記ベース部分へ熱を伝達するように構成された第2の相転移コンポーネントを含む、
請求項1に記載のシステム。 - 前記第2の相転移コンポーネントは、真空チャンバヒートスプレッダ又はヒートパイプを含む、請求項10に記載のシステム。
- 前記外部冷却ユニットは、前記外部冷却ユニットの露出した部分を介して前記外側のメモリデバイスから周辺環境へ熱を伝達するように構成される、請求項10に記載のシステム。
- 前記外部冷却ユニットの前記露出した部分は、前記露出した部分から外側に伸長する第2の冷却機構を含む、請求項12に記載のシステム。
- 前記第2の冷却機構は、リッジ、溝、及び/又はフィンである、請求項13に記載のシステム。
- 前記間隙は、250ミクロン〜1mmのレンジ内である、請求項1に記載のシステム。
- 前記間隙は、250ミクロン以下である、請求項1に記載のシステム。
- 前記熱消散アセンブリは、第1の冷却ユニット及び第2の冷却ユニットを含み、
前記第1の冷却ユニットと前記第2の冷却ユニットとの間の間隔は、標準的なメモリモジュールの厚さである、
請求項1に記載のシステム。 - 前記標準的なメモリモジュールはDDR5メモリモジュールである、請求項17に記載のシステム。
- 熱消散アセンブリを、少なくとも1つの第1の半導体デバイスを含む第1のメモリモジュール、及び少なくとも1つの第2の半導体デバイスを含む第2のメモリモジュールに結合することであって、前記第1の半導体デバイスは前記第2の半導体デバイスに対向することを含み、
前記熱消散アセンブリは、ベース部分と、前記ベース部分の一方の領域から伸長する複数の冷却機構と、前記ベース部分の別の領域から伸長する冷却ユニットとを有し、
前記冷却ユニットの第1の側面は、前記第1の半導体デバイスに取りつけられ、
前記冷却ユニットの第2の側面は、前記第2の半導体デバイスに取りつけられ、前記第1の側面は、前記第2の側面に対向し、
前記冷却ユニットは、チャンバを画定し相転移液体を含む相転移コンポーネントを含む、
半導体メモリシステムを製造する方法。 - 前記相転移コンポーネントは、ウィッキングユニットを更に含み、前記チャンバは、前記ウィッキングユニットの内面により画定され、前記ウィッキングユニットは、毛細管現象を介して前記相転移液体を保持するように構成される、請求項19に記載の方法。
- 前記冷却ユニットの厚さは、250ミクロン〜1mmのレンジ内である、請求項19に記載の方法。
- 前記冷却ユニットの厚さは、250ミクロン以下である、請求項19に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/803,637 | 2020-02-27 | ||
US16/803,637 US11011449B1 (en) | 2020-02-27 | 2020-02-27 | Apparatus and method for dissipating heat in multiple semiconductor device modules |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6889814B1 true JP6889814B1 (ja) | 2021-06-18 |
JP2021136452A JP2021136452A (ja) | 2021-09-13 |
Family
ID=75910533
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021030410A Active JP6889814B1 (ja) | 2020-02-27 | 2021-02-26 | 複数の半導体デバイスモジュール内の熱を消散するための装置及び方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11011449B1 (ja) |
JP (1) | JP6889814B1 (ja) |
CN (1) | CN113314483B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021039958A (ja) * | 2017-10-26 | 2021-03-11 | 株式会社村田製作所 | 電子機器の内部構造 |
US11011449B1 (en) * | 2020-02-27 | 2021-05-18 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for dissipating heat in multiple semiconductor device modules |
US11810836B2 (en) * | 2020-06-09 | 2023-11-07 | Arista Networks, Inc. | Systems for providing thermal management to integrated circuits |
US11523542B2 (en) * | 2021-04-07 | 2022-12-06 | Dell Products L.P. | Conformal memory heatsink |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10262012A1 (de) * | 2002-10-09 | 2004-04-22 | Infineon Technologies Ag | Speichermodul mit einer Wärmeableiteinrichtung |
KR100585227B1 (ko) * | 2004-03-12 | 2006-06-01 | 삼성전자주식회사 | 열 방출 특성이 개선된 반도체 적층 패키지 및 이를이용한 메모리 모듈 |
US20060221573A1 (en) * | 2005-04-04 | 2006-10-05 | Ming Li | Heat sink for multiple semiconductor modules |
US7755897B2 (en) * | 2007-12-27 | 2010-07-13 | Fu Zhun Precision Industry (Shen Zhen) Co., Ltd. | Memory module assembly with heat dissipation device |
TWI349848B (en) * | 2008-06-11 | 2011-10-01 | Asustek Comp Inc | Heat-dissipating device for memory module |
CN201609005U (zh) * | 2009-07-31 | 2010-10-13 | 江西蓝天学院 | 翅片状相变电子散热器 |
JP5204355B1 (ja) * | 2010-03-08 | 2013-06-05 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 液体dimm冷却装置 |
JP2012033567A (ja) * | 2010-07-28 | 2012-02-16 | Toshiba Corp | 冷却装置 |
KR102127772B1 (ko) * | 2013-05-16 | 2020-06-29 | 삼성전자주식회사 | 방열 판을 갖는 반도체 패키지 및 그 형성 방법 |
US9443744B2 (en) * | 2014-07-14 | 2016-09-13 | Micron Technology, Inc. | Stacked semiconductor die assemblies with high efficiency thermal paths and associated methods |
US9337119B2 (en) * | 2014-07-14 | 2016-05-10 | Micron Technology, Inc. | Stacked semiconductor die assemblies with high efficiency thermal paths and associated systems |
US9691746B2 (en) | 2014-07-14 | 2017-06-27 | Micron Technology, Inc. | Methods of manufacturing stacked semiconductor die assemblies with high efficiency thermal paths |
US10952352B2 (en) | 2017-10-27 | 2021-03-16 | Micron Technology, Inc. | Assemblies including heat dispersing elements and related systems and methods |
US11011449B1 (en) * | 2020-02-27 | 2021-05-18 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for dissipating heat in multiple semiconductor device modules |
-
2020
- 2020-02-27 US US16/803,637 patent/US11011449B1/en active Active
-
2021
- 2021-02-23 CN CN202110203048.2A patent/CN113314483B/zh active Active
- 2021-02-26 JP JP2021030410A patent/JP6889814B1/ja active Active
- 2021-04-19 US US17/234,079 patent/US11239133B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11011449B1 (en) | 2021-05-18 |
CN113314483A (zh) | 2021-08-27 |
US11239133B2 (en) | 2022-02-01 |
US20210272870A1 (en) | 2021-09-02 |
JP2021136452A (ja) | 2021-09-13 |
CN113314483B (zh) | 2022-07-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
AU2019202222B2 (en) | Thermal management for solid-state drive | |
JP6889814B1 (ja) | 複数の半導体デバイスモジュール内の熱を消散するための装置及び方法 | |
US10551885B2 (en) | Solid state drive apparatus | |
US7233501B1 (en) | Interleaved memory heat sink | |
CN101193545B (zh) | 折叠散热器和存储器模块 | |
US9848512B2 (en) | Heat dissipation for substrate assemblies | |
US20080192428A1 (en) | Thermal management system for computers | |
US20190103290A1 (en) | Thermal vapor chamber arrangement | |
JP2006287080A (ja) | メモリモジュール | |
JP2014528172A (ja) | プリント回路基板に嵌め込まれたチップを接続するための方法および装置 | |
CN111124081B (zh) | 用于计算装置的组件的经增强冷却的成套工具以及相关系统及方法 | |
JP2006339325A (ja) | メモリモジュール用ヒートシンク | |
US20210225733A1 (en) | Heat spreaders for semiconductor devices, and associated systems and methods | |
US20070295488A1 (en) | Thermosyphon for operation in multiple orientations relative to gravity | |
US11270924B2 (en) | Heat spreaders for multiple semiconductor device modules | |
US20230134978A1 (en) | Circuit card assemblies |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210226 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20210226 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20210416 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210427 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210521 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6889814 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |