CN113292938A - 用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明属于掩蔽膜技术领域，具体涉及一种用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜及其制备方法。所述非光敏掩蔽膜，由基膜和分别涂于基膜两侧的粘结涂层和功能涂层构成；所述功能涂层为有机硅树脂或改性有机硅树脂。本发明的掩蔽膜具有极高的表面光滑度和机械强度，疏化学镀活性种子及耐酸碱的特点，掩蔽能力强，制备成激光加工电子线路板性能良好。

Description

用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜及其制备方法

技术领域

本发明属于掩蔽膜技术领域，具体涉及一种用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜及其制备方法。

背景技术

传统的电子线路板加工工艺一般采用光敏干膜作为抗电镀、抗导电化掩蔽膜，材料多为紫外光固化型，所形成的掩蔽膜图案厚度必须在一定范围内，既不能太薄，也不能太厚。这种光敏干膜经紫外光曝光后才交联聚合，形成的掩蔽膜后续还要能比较容易地被去膜化学药水分解，如此的后续工艺技术要求，导致形成的掩蔽膜在某种程度上只能是一种不完美的亚固体。如果太厚，分辨率低，需要的曝光量大，会出现一方面靠近光源的一面过度曝光，另一方面远离光源的一面曝光不完全。如果太薄，本来就脆弱的亚固体材料更达不到掩蔽膜需要的机械强度，导致渗镀。光敏干膜作为掩蔽膜的加工工艺，要经过绘制版、贴干膜、曝光、显影、蚀刻、去干膜、清洗等工序。干膜价格贵，强度不高，且厚度一般在20μm以上，分辨率受限，掩蔽效果差。

与曝光投照出的光的功率相比，激光将光聚集在一起，投照出的激光束的光功率密度很高，与传统的化学去除、机械去除相同，能直接去除掩蔽膜材料，而且，激光束还能按照电脑数据选择性投照到指定的位置，并可以选择性去除指定的某品种材料层，更进一步，可以控制深度去除某指定厚度上的材料。可见，在技术上完全可以实现直接用激光去除指定位置的材料，保留其余位置的材料，制造掩蔽图形。这样，就可以用激光加工电子线路板，其优点将是：线路板上的导电图案或抗导电化的掩蔽膜图案不需要经过上述的复杂工艺形成，而是把设计好的各种图案通过电脑设计由激光直接蚀刻而成，速度快，成本低，省去了许多化学过程，环境友好。这些优点，完全符合当今社会的经济、技术发展趋势，会进一步促进直接激光加工技术在更广泛的范围内进步。

毫无疑问，任何技术的进步都需要相关技术发展的支撑，与直接激光加工相关的一个重要的技术就是适合直接激光加工的材料技术。

发明内容

为了克服现有技术中的问题，本发明提供了一种适合直接激光加工的材料——用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜，即激光加工电子线路板工艺过程中必须要使用的一种功能性膜材料，该掩蔽膜具有疏化学镀活性种子及耐酸碱的特点。

这种膜本身应具有极好的耐热性能，耐酸碱、高锰酸钾等化学药水腐蚀性能，应具有极高的表面光滑度及机械强度，即使1.5微米厚的膜也具有足够的掩蔽能力。即便电镀时间长也不会脱落或被侵蚀溶解，可以经受更长的电镀时间，也可以耐受更严苛的镀液及操作条件。因此可选择具有抗蚀性金属的品种更多。在加工过程中如果需要去掉掩蔽膜，利用加热和激光烧蚀的方式可以移除这种膜，不过采用加热对于面积大的掩蔽膜移除效率会更高。

同时，本发明提供了一种用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜的制备方法。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下：

一种用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜，由基膜和分别涂于基膜两侧的粘结涂层和功能涂层构成；所述功能涂层为有机硅树脂或改性有机硅树脂。

优选的，所述粘结涂层包括树脂或热熔粘合剂，所述树脂为乙烯-醋酸乙烯共聚物（EVA）、聚酯（如PET）、聚氨酯（PU）、环氧树脂、聚甲基丙烯酸酯、有机硅树脂、改性乙烯-醋酸乙烯共聚物、改性聚酯、改性聚氨酯、改性环氧树脂、改性聚甲基丙烯酸酯和改性有机硅树脂中的至少一种。

优选的，所述改性有机硅树脂为聚氨酯改性有机硅树脂、聚丙烯酸改性有机硅树脂、环氧改性有机硅树脂或聚酰亚胺改性有机硅树脂。

优选的，所述粘结涂层的厚度为2-20μm；功能涂层的厚度为0.2-2μm。

优选的，所述基膜的材质为PET、PP、PE、PI、改性PET、改性PP、改性PE或改性PI，基膜的厚度为1.5-20μm。

优选的，所述粘结涂层还包括对激光有吸收功能的添加剂。

进一步优选的，所述添加剂的用量不超过树脂或热熔粘合剂质量的15%。

进一步优选的，所述添加剂为石墨或金属氧化物。

进一步优选的，所述金属氧化物为氧化钛或氧化锆。

上述用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜的制备方法，包括以下步骤：

（1）在基膜的一侧表面涂布功能涂层，烘干，进入下一工序；

（2）在涂有功能涂层后的基膜另一侧表面涂布粘结涂层，然后烘干，即得掩蔽膜。

粘结涂层由热塑性高分子材料组成，在加热复合温度下具有很高的粘性，在覆膜机压辊作用下瞬间能够和PCB板铜箔面紧密粘合。功能涂层是有机硅或有机硅的改性材料，表面张力很小，具有防粘或不粘性能，在线路板孔导电化、金属化过程中导电炭黑、铜镍等导电粒子沉积不到掩蔽膜上。

下面就本发明作进一步说明：

基膜的厚度在1.5-20μm，作为掩蔽膜优先选用3-12μm厚度基膜，这个厚度范围对于起掩蔽作用功能足够用，太厚材料成本会增加，太薄加工基膜的技术难度及成本会增加，并且与BCP板复合时工艺要求更高，不易平整复合，易折皱。基于耐热性能、耐酸碱性能、耐强氧化剂、涂覆性能、覆膜性能、生产成本等多方面考虑，基膜优先选用3-12μm的BOPET薄膜。

粘结涂层中由于掩蔽膜为有机材料，容易被激光烧蚀，吸收激光的添加剂对于高频激光也可以不加。基于环保和综合性能的考虑优先选用水基EVA乳液、PU乳液、聚丙烯酸酯乳液聚酯乳液、PP乳液或热熔粘合剂。这些材料和PCB板附着力好，能满足耐热、耐酸碱、强氧化剂的要求，基于PCB板表面的粗糙度，涂层厚度优选3-15微米。基膜和PCB板的粘结强度（剥离强度）越大越好，应不低于10N/M。吸收激光的添加剂可以选用石墨，金属氧化物，基于后续加工的需要，一般选用浅色的金属氧化物，吸收激光添加剂的使用有利于掩蔽膜用移除时对各种激光的适应。另一面涂布的功能性材料从成本及综合性能考虑优先选用聚氨酯改性有机硅、聚丙烯酸树酯改性有机硅，涂层厚度优选0.5-1微米。涂布在基膜上的功能性涂层及粘结涂层厚度太薄了功能性不足，太厚了成本高。

本发明的粘结涂层可以是乳液型、溶剂型和热熔型。由于溶剂型使用过程中产生大量的VOC，不环保，优选用乳液型，如果选用溶液型材料，烘干过程会产生VOC，必须通过收集处理达标排放。由于PP、PE基材的薄膜耐热差、抗拉强度差，涂布过程中因受热易变型，不适合用热熔涂布方式涂布粘结材料。选用乳液型材料时可以采用凹版、微凹、刮刀方式涂布，必要时基膜涂布前的基膜涂布面要用电晕处理，增加表面张力，以便涂料易浸润基膜表面。如果选用热熔型材料，则可以采用加热凹版或加热模唇涂布方式涂布，热熔涂布后需要冷却，烘干箱不开加热装置，只开冷却装置，冷却至常温条件下收卷后不反粘为止。功能涂层由于比较薄，所以必须是溶液型或乳液型，可以采用微凹方式、凹版方式、丝棒方式涂布。制备时首先涂布功能涂层，这是因为其可以承受在120度下的二次烘干过程，功能涂层烘干后再涂布粘结涂层。

激光加工电子线路板的制备工艺如下：经过除锈、打磨等前处理工序的覆铜板和本发明的非光敏掩蔽膜选用LA400专用覆膜机，采用园压平或园压园复合的方法，复合温度70-150℃，平整均匀地复合在一起，膜与PCB板的粘结强度能确保后续加工过程中经化学药水在50℃左右浸泡不开裂、不被侵蚀，复合后即可进行后续的激光加工电子线路板的全工艺过程。激光加工PCB板部分采用本领域常规技术即可，在此过程中，需要用到各类化学物质，那么本发明的膜材料能耐受酸、碱、氧化剂的侵蚀，与PCB板之间的粘结力也能耐受这些化学药水的侵蚀。由于膜的疏活性粒子性能，在这些化学过程中铜粒子、钯粒子、碳粒子及导电高聚物都无法沉积在膜上，很好地保护了不需要电镀的PCB板部位，提高了铜、钯、碳及导电高聚物的利用率。

在整个PCB加工过程中如果需要去掉掩蔽膜，利用加热的方式可以移除本发明的非光敏掩蔽膜，利用激光烧蚀的方式也可以精准移除，但对于大面积的掩蔽膜移除加热移除效率会更高。

和现有技术相比，本发明的有益效果是：

1. 本发明制备的掩蔽膜具有极高的表面光滑度和机械强度，掩蔽能力强，此外，还具有如下独特的优点：如具有疏孔导电化过程中涉及到的炭黑、石墨、胶体钯、离子钯等化学活性物质，抗电镀、阻焊性能更好，耐酸、碱，耐高锰酸钾等强氧化性药水；能提升加工质量和效率，降低成本，省掉许多化学过程；该膜有疏化学镀及电镀活性种子的性能，掩蔽覆铜板表面在化学镀或电镀过程中不沉积金属粒子，只在孔壁上沉积金属粒子，从而使得电子线路板金属化孔质量更好，可以制造更精细电子线路板产品；

2. 本发明的膜材料能耐受酸、碱、氧化剂的侵蚀，与PCB板结合后，之间的粘结层也能耐受激光加工PCB板制备过程中使用的化学物质的侵蚀；

3. 本发明的非光敏掩蔽膜，由于膜的疏活性粒子性能，在激光加工PCB板过程中铜粒子、钯粒子、碳粒子及导电高聚物都无法沉积在膜上，很好地保护了不需要电镀的PCB板部位，提高了铜、钯、碳及导电高聚物的利用率；

4. 在PCB加工过程中，掩蔽膜的去除可以采用加热或激光烧蚀的方式，操作简单、方便。

附图说明

图1为制备所述非光敏掩蔽膜的工艺流程图；

图2为激光加工电子线路板的结构示意图；

图中：1为基膜母卷放料及纠偏装置，2为电晕装置，3为涂布及张力控制系统装置，4为加热烘干及吹冷风装置，5为二次涂布及张力控制系统装置，6为加热烘干及吹冷风冷却装置，7为半成品母卷料收卷及纠偏装置，8为具有主动驱动力的过渡支撑轴；9为基膜，10为功能涂层，11为粘结涂层，12为覆铜板。

具体实施方式

下面结合实施例和附图对本发明进行进一步说明，但并不是对本发明的限制。

本发明的非光敏掩蔽膜的制备工艺流程可采用本领域常规技术进行，或者也可以参考如下进行：如图1所示，基膜由基膜母卷放料及纠偏装置1经具有主动驱动力的过渡支撑轴8输送到电晕装置对基膜进行电晕，然后经涂布及张力控制系统装置3涂布功能涂层后，通过具有主动驱动力的过渡支撑轴8输送到加热烘干及吹冷风装置4进行涂层的烘干处理，经具有主动驱动力的过渡支撑轴8输送到二次涂布及张力控制系统装置5进行粘结涂层的涂布，再经具有主动驱动力的过渡支撑轴8传送、加热烘干及吹冷风冷却装置6将涂层烘干，经具有主动驱动力的过渡支撑轴8传送、半成品母卷料收卷及纠偏装置7收卷完成。该工艺的特点是小张力及张力控制系统高灵敏度，设备的高精度加工及装配。该工艺流程过程中涉及的装置和设备可采用本领域常规技术。

需要说明的是，掩蔽膜制备工艺不同于一般基膜的涂布，另外对设备各部件的加工精度要求高，整机的装配精度高，机器的各段张力控制精度高，各段张力不高于10N，各个烘干箱风嘴产生的风刀风速均匀，采用低温度高风速烘干参数设置，风速不低于12m/s。

本发明的非光敏掩蔽膜，由基膜和分别涂于基膜两侧的粘结涂层和功能涂层构成，该掩蔽膜用于制备激光加工电子线路板（PCB板），示意图如图2所示，在基膜9的两侧分别涂覆粘结涂层11和功能涂层10，然后粘结涂层11与覆铜板12复合形成。

实施例1

本实施例的用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜，由3μm的BOPET基膜和分别涂于基膜两侧的粘结涂层和功能涂层构成；所述粘结涂层包括树脂和添加剂（激光吸收材料），所述树脂为EVA水乳液，型号DC-1010，浓度30%，激光吸收材料为二氧化钛，其加入量为EVA质量的1%；所述功能涂层为水乳液型有机硅，型号为KM-3951，浓度5%）。

本实施例用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜的制备方法，包括以下步骤：

（1）在基膜的一侧表面涂布功能涂层，烘干，进入下一工序，具体的：以3μm的BOPET为基膜，选择微凹涂布方式（微凹版辊的雕刻参数150线，载墨量15BCM），在基膜一侧表面上涂布水乳液型有机硅，烘干温度为120℃；

（2）在涂有功能涂层后的基膜另一侧表面涂布粘结涂层，然后烘干，即得掩蔽膜，具体的：选择凹板涂布方式（凹板涂布辊雕刻参数100线，载墨量20BCM），在基膜另一侧表面上涂布含有激光吸收材料的EVA水乳液，烘干温度为100℃。

涂布时基膜表面张力不小于44。

粘结涂层的厚度为3μm；功能涂层的厚度为0.2μm。

本实施例制备的掩蔽膜的性能测试结果：

1. 钻孔测试：用双面覆铜板与掩蔽膜双面复合（即在覆铜板的正反两面均通过与掩蔽膜的粘结涂层复合制备而成），用机械的方法对PCB板打孔，打出足够多的大小不同的通孔，PCB板四周及所有孔边缘没有掩蔽膜产生的毛刺。

2. 除油测试：把打孔后的覆膜PCB板浸入温度40-50度、pH值9-10.5的20 %的羟乙基乙二胺水溶液中，浸泡20分钟，PCB板四周及所有孔周围没有膜开裂翘边渗液的瑕疵，掩蔽膜没有龟裂起皱现象。

3. 黑孔测试：把除油后PCB板用水清洗干净，浸入2%的碳酸钾和2%的导电炭黑、pH值9-10.5的水溶液中浸泡15分钟，掩蔽膜没有龟裂起皱现象，所有孔周围没有膜开裂翘边渗液的瑕疵，掩蔽膜没有龟裂起皱现象，掩蔽膜表面没有炭黑残留污染。

4. 电镀测试：把黑孔后的PCB板浸入含有硫酸铜80G/L、硫酸100G/L，室温，浸泡时间2小时，掩蔽膜没有龟裂起皱现象，所有孔周围没有膜开裂翘边渗液的瑕疵，掩蔽膜表面没有铜沉积。

5. 激光去膜测试，选择合适功率的激光设备对掩蔽膜直接烧蚀，可以一遍烧蚀干净。

实施例2

本实施例的用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜，由12μm的BOPET基膜和分别涂于基膜两侧的粘结涂层和功能涂层构成；所述粘结涂层包括树脂和添加剂（激光吸收材料），所述树脂由EVA水乳液（型号DC-1010，浓度30%）和聚氨酯水乳液（型号WF-77-244，浓度25%）组成，聚氨酯水乳液用量占EVA水乳液的40%，激光吸收材料为二氧化钛，其加入量为树脂质量的15%；所述功能涂层为水乳液型有机硅，型号为KM-3951，浓度5%）。

本实施例用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜的制备方法，包括以下步骤：

（1）在基膜的一侧表面涂布功能涂层，烘干，进入下一工序，具体的：以12μm的BOPET为基膜，选择微凹涂布方式（微凹版辊的雕刻参数150线，载墨量15BCM），在基膜一侧表面上涂布水乳液型有机硅，烘干温度为120℃；

（2）在涂有功能涂层的基膜另一侧表面涂布粘结涂层，然后烘干，即得掩蔽膜，具体的：选择凹板涂布方式（凹板涂布辊雕刻参数80线，载墨量25BCM），在基膜另一侧表面涂布EVA水乳液、聚氨酯水乳液和二氧化钛组成的混合物，烘干温度为100℃。

涂布时基膜表面张力不小于44。

粘结涂层的厚度为15μm；功能涂层的厚度为1μm。

本实施例制备的掩蔽膜的性能测试结果：

1. 钻孔测试：用双面覆铜板与掩蔽膜双面复合，用机械的方法对PCB板打孔，打出足够多的大小不同的通孔，PCB板四周及所有孔边缘没有掩蔽膜产生的毛刺。

2. 除油测试：把打孔后的覆膜PCB板浸入温度40-50度、pH值9-10.5的20 %的羟乙基乙二胺水溶液中，浸泡20分钟，PCB板四周及所有孔周围没有膜开裂翘边渗液的瑕疵，掩蔽膜没有龟裂起皱现象。

3. 黑孔测试：把除油后PCB板用水清洗干净，浸入2%的碳酸钾和2%的导电炭黑、pH值9-10.5的水溶液中浸泡15分钟，掩蔽膜没有龟裂起皱现象，所有孔周围没有膜开裂翘边渗液的瑕疵，掩蔽膜没有龟裂起皱现象，掩蔽膜表面没有炭黑残留污染。

4. 电镀测试：把黑孔后的PCB板浸入含有硫酸铜80G/L、硫酸100G/L，室温，浸泡时间2小时，掩蔽膜没有龟裂起皱现象，所有孔周围没有膜开裂翘边渗液的瑕疵，掩蔽膜表面没有铜沉积。

5. 激光去膜测试：选择合适功率的激光设备对掩蔽膜直接烧蚀，可以一遍烧蚀干净。

实施例3

本实施例的用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜，由12μm的BOPET基膜和分别涂于基膜两侧的粘结涂层和功能涂层构成；所述粘结涂层包括热熔粘合剂和添加剂，热熔粘合剂由以下重量份的原料组成：EVA 42份、SEBS 4份、石油树脂 21份、合成FT蜡 30份、防老剂1010 2份；添加剂为氧化锆，用量为热熔粘合剂质量的1%；所述功能涂层为聚丙烯酸改性有机硅（河南卓立公司生产），浓度10%，溶剂为甲苯和丁酮组成的混合溶剂，混合溶剂中甲苯和丁酮的质量比为2:8。

本实施例用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜的制备方法，包括以下步骤：

（1）在基膜的一侧表面涂布功能涂层，烘干，进入下一工序，具体的：以12μm的BOPET为基膜，选择凹板涂布方式（凹板版辊雕刻参数450线，载墨量5BCM），在基膜一侧表面上涂布聚丙烯酸改性有机硅，烘干温度为100℃；

（2）在涂有功能涂层后的基膜另一侧表面涂布粘结涂层，然后冷却，即得掩蔽膜。具体的涂布工艺是选择热熔模唇涂布方式，在基膜另一侧表面涂布含有氧化锆的热熔粘合剂，选择冷却模式，具体为烘干箱只开吹风不开加热装置，薄膜涂布面冷却后温度低于35℃。

涂布时基膜表面静电不小于44。

粘结涂层的厚度为20μm；功能涂层的厚度为0.5μm。

本实施例制备的掩蔽膜的性能测试结果：

1. 钻孔测试：用双面覆铜板与掩蔽膜双面复合，用机械的方法对PCB板打孔，打出足够多的大小不同的通孔，PCB板四周及所有孔边缘没有掩蔽膜产生的毛刺。

2. 除油测试：把打孔后的覆膜PCB板浸入温度40-50度、pH值9-10.5的20 %的羟乙基乙二胺水溶液中，浸泡20分钟，PCB板四周及所有孔周围没有膜开裂翘边渗液的瑕疵，掩蔽膜没有龟裂起皱现象。

3. 黑孔测试：把除油后PCB板用水清洗干净，浸入2%的碳酸钾和2%的导电炭黑、pH值9-10.5的水溶液中浸泡15分钟，掩蔽膜没有龟裂起皱现象，所有孔周围没有膜开裂翘边渗液的瑕疵，掩蔽膜没有龟裂起皱现象，掩蔽膜表面没有炭黑残留污染。

4. 电镀测试：把黑孔后的PCB板浸入含有硫酸铜80G/L、硫酸100G/L，室温，浸泡时间2小时，掩蔽膜没有龟裂起皱现象，所有孔周围没有膜开裂翘边渗液的瑕疵，掩蔽膜表面没有铜沉积。

5. 激光去膜测试：选择合适功率的激光设备对掩蔽膜直接烧蚀，可以一遍烧蚀干净。

实施例4

本实施例的用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜，由18μm的BOPP基膜和分别涂于基膜两侧的粘结涂层和功能涂层构成；所述粘结涂层包括树脂和添加剂（即激光吸收材料），所述树脂为PU水乳液，型号W631，浓度33%），激光吸收材料为二氧化锆，其加入量为树脂质量的5%；所述功能涂层为聚氨酯改性有机硅树脂溶液（河南卓立公司生产），浓度为3%，溶剂为丁酮。

本实施例用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜的制备方法，包括以下步骤：

（1）在基膜的一侧表面涂布功能涂层，烘干，进入下一工序。具体是以18微米BOPP为基膜，选择凹板涂布方式（凹板版辊雕刻参数450线，载墨量5BCM），在基膜一侧表面上涂布聚氨酯改性有机硅，烘干温度为100℃；

（2）在涂有功能涂层的基膜另一侧表面涂布粘结涂层，烘干，即得掩蔽膜。具体是：选择凹板涂布方式（凹板版辊雕刻参数120线载墨量20BCM），在基膜另一侧表面涂布含有二氧化锆的PU水乳液，烘干温度100℃。

涂布时基膜表面张力不小于38。

粘结涂层的厚度为10μm；功能涂层的厚度为1μm。

本实施例制备的掩蔽膜的性能测试结果：

1. 钻孔测试：用双面覆铜板与掩蔽膜双面复合，用机械的方法对PCB板打孔，打出足够多的大小不同的通孔，PCB板四周及所有孔边缘没有掩蔽膜产生的毛刺。

2. 除油测试：把打孔后的覆膜PCB板浸入温度40-50度、pH值9-10.5的20 %的羟乙基乙二胺水溶液中,浸泡20分钟，PCB板四周及所有孔周围没有膜开裂翘边渗液的瑕疵，掩蔽膜没有龟裂起皱现象。

3. 黑孔测试：把除油后PCB板用水清洗干净，浸入2%的碳酸钾和2%的导电炭黑、pH值9-10.5的水溶液中浸泡15分钟，掩蔽膜没有龟裂起皱现象，所有孔周围没有膜开裂翘边渗液的瑕疵，掩蔽膜没有龟裂起皱现象，掩蔽膜表面没有炭黑残留污染。

4. 电镀测试：把黑孔后的PCB板浸入含有硫酸铜80G/L、硫酸100G/L，室温，浸泡时间2小时，掩蔽膜没有龟裂起皱现象，所有孔周围没有膜开裂翘边渗液的瑕疵，掩蔽膜表面没有铜沉积。

5. 激光去膜测试：选择合适功率的激光设备对掩蔽膜直接烧蚀，可以一遍烧蚀干净。

实施例5

本实施例与实施例4的不同之处在于：

本实施例的用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜，由7μm的BOPET基膜和分别涂于基膜两侧的粘结涂层和功能涂层构成；所述粘结涂层包括树脂和激光吸收材料，所述树脂为聚甲基丙烯酸酯水乳液，浓度33%，激光吸收材料为石墨，其加入量为树脂质量的0.5%；所述功能涂层为聚酰亚胺改性有机硅树脂溶液，浓度为3%，溶剂为甲苯和丁酮组成的混合溶剂，混合溶剂中甲苯和丁酮的质量比为3:7。

本实施例用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜的制备方法，包括以下步骤：

（1）在基膜的一侧表面涂布功能涂层，烘干，进入下一工序。具体是以7μm BOPET为基膜，选择凹板涂布方式（凹板版辊雕刻参数450线，载墨量5BCM），在基膜一侧表面上涂布聚酰亚胺改性有机硅，烘干温度为100℃；

（2）在涂有功能涂层的基膜另一侧表面涂布粘结涂层，烘干，即得掩蔽膜。具体是：选择凹板涂布方式（凹板版辊雕刻参数120线载墨量20BCM），在基膜另一侧表面涂布含有石墨的聚甲基丙烯酸酯水乳液，烘干温度100℃。

涂布时基膜表面张力不小于44。

粘结涂层的厚度为10μm；功能涂层的厚度为1μm。

本实施例制备的掩蔽膜的性能测试结果：

1. 钻孔测试：用双面覆铜板与掩蔽膜双面复合，用机械的方法对PCB板打孔，打出足够多的大小不同的通孔，PCB板四周及所有孔边缘没有掩蔽膜产生的毛刺。

2. 除油测试：把打孔后的覆膜PCB板浸入温度40-50度、pH值9-10.5的20 %的羟乙基乙二胺水溶液中，浸泡20分钟，PCB板四周及所有孔周围没有膜开裂翘边渗液的瑕疵，掩蔽膜没有龟裂起皱现象。

3. 黑孔测试：把除油后PCB板用水清洗干净，浸入2%的碳酸钾和2%的导电炭黑、pH值9-10.5的水溶液中浸泡15分钟，掩蔽膜没有龟裂起皱现象，所有孔周围没有膜开裂翘边渗液的瑕疵，掩蔽膜没有龟裂起皱现象，掩蔽膜表面没有炭黑残留污染。

4. 电镀测试：把黑孔后的PCB板浸入含有硫酸铜80G/L、硫酸100G/L，室温，浸泡时间2小时，掩蔽膜没有龟裂起皱现象，所有孔周围没有膜开裂翘边渗液的瑕疵，掩蔽膜表面没有铜沉积。

5. 激光去膜测试：选择合适功率的激光设备对掩蔽膜直接烧蚀，可以一遍烧蚀干净。

现有掩蔽膜为感光膜，也叫干膜，使用工艺复杂，要经过前处理—压膜—曝光—显影等过程，中间还要使用化学药水，产生废水，不环保，而且不耐酸碱氧化剂侵蚀，不能达到和本发明同等条件下的综合测试性能结果。

Claims (10)

1.用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜，其特征在于，由基膜和分别涂于基膜两侧的粘结涂层和功能涂层构成；所述功能涂层为有机硅树脂或改性有机硅树脂。

2.根据权利要求1所述用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜，其特征在于，所述粘结涂层包括树脂或热熔粘合剂，所述树脂为乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚酯、聚氨酯、环氧树脂、聚酰胺、聚甲基丙烯酸酯及上述聚合物的改性物中的至少一种。

3.根据权利要求1所述用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜，其特征在于，所述改性有机硅树脂为聚氨酯改性有机硅树脂、聚丙烯酸改性有机硅树脂、环氧改性有机硅树脂或聚酰亚胺改性有机硅树脂。

4.根据权利要求1所述用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜，其特征在于，所述粘结涂层的厚度为2-20μm；功能涂层的厚度为0.2-2μm。

5.根据权利要求1所述用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜，其特征在于，所述基膜的材质为PET、PP、PE、PI、改性PET、改性PP、改性PE或改性PI，基膜的厚度为1.5-20μm。

6.根据权利要求1或2所述用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜，其特征在于，所述粘结涂层还包括对激光有吸收功能的添加剂。

7.根据权利要求6所述用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜，其特征在于，所述添加剂的用量不超过树脂或热熔粘合剂质量的15%。

8.根据权利要求6所述用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜，其特征在于，所述添加剂为石墨或金属氧化物。

9.根据权利要求8所述用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜，其特征在于，所述金属氧化物为氧化钛或氧化锆。

10.权利要求1-9任一所述用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在基膜的一侧表面涂布功能涂层，烘干，进入下一工序；

（2）在涂有功能涂层后的基膜另一侧表面涂布粘结涂层，然后烘干，即得掩蔽膜。

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