CN113284782A - Caz-2物理黑子簇族增强基材耐用性技术 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims abstract description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 27
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 claims description 3
- 230000004992 fission Effects 0.000 claims description 3
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 3
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 claims description 3
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 claims description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 3
- 229910001410 inorganic ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 claims description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims description 3
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000007943 implant Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 240000001890 Ribes hudsonianum Species 0.000 description 1
- 235000016954 Ribes hudsonianum Nutrition 0.000 description 1
- 235000001466 Ribes nigrum Nutrition 0.000 description 1
- 230000031018 biological processes and functions Effects 0.000 description 1
- 239000004566 building material Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 231100000956 nontoxicity Toxicity 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 230000008364 tissue synthesis Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3178—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for applying thin layers on objects
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31732—Depositing thin layers on selected microareas
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Abstract
CAZ‑2物理黑子簇族增强基材耐用性技术,预处理:选定原基材并对其进行专业清洗,而后将清洗后的原基材放入到真空无尘室内的置架中;而后采用涡轮分子泵把腔室抽至高真空(<10‑4Pa),而后进行焙干沉淀处理;在CAZ‑2非晶物质中加入3ox(30at.%)或三数离子元(40at.%)后,由于产生新的键合(CAZ∑3),形成新型排列组合数列3号物理物质CAZ.03,增强物质本身韧性以及外表强度能力。此外,4OX2元素还可通过内部增长形式组织新的结构,有利于增强医疗设备,医疗器械,和人体植入体等在临床应用上的可靠性。
Description
技术领域
涉及CAZ-2物理黑子簇族增强基材耐用性技术。
背景技术
目前的金属以及陶瓷等制品广泛的出现在我们生活中。但是产品的耐用程度以及产品的可靠度上是很多制造业面临的重要问题。为了减少社会不必要的资源浪费以及增强材料的使用时效性。我们研发了一整套针对增强产品基材的耐用性问的CAZ-2号技术。
发明内容
为了实现上述目的,本发明采用了以下技术方案:
CAZ-2物理黑子簇族增强基材耐用性技术,预处理:选定原基材并对其进行专业清洗,而后将清洗后的原基材放入到真空无尘室内的置架中;而后采用涡轮分子泵把腔室抽至高真空(<10-4Pa),而后进行焙干沉淀处理;
选用高密度物理物质(3ox)在离子反应过程中用作媒介搭桥,选用纯度极高物质(4O2)作为反应桥基离子进行反应综合;
采用离子反应堆,离子反应堆工作过程中,用量子波数传递桥基工作技能来控制分离的稳定性,使无机物理物质方向始终保持恒定值;
对桥基离子元进行击破分离,去除原基材表面的污染物质,保证孔径的一致性以及均匀性统一,通过控制每个采样组来调节渗透物理成分的链条密度;
将4ox离子元与3ox物理簇族嫁接到原位CAZ四组或CAZ7组簇族中,形成复合渗透精度可达(120%.oo),增强硬度效果,扩大渗透密度范围;
所有游离范围均在离子元反应堆2舱中进行(舱压值:<3×10-4Pa);在游离分子过程中,3号舱工作压力通常为~0.2Pa,另外,采用高频脉冲波模式在4号舱或5号舱内注入微量CAZ3oo簇族(3ox)来实现等离子体剥离高低层,而不中断2号舱分离进程;由于4号和5号舱微量3ox簇族的注入(瞬间生成新的组合排列CAZ0.2x)引起的分层效率上升导致3ox原子簇族与4ox的4号舱或5号舱原子之间产生多次碰撞爆破,然后游离的CAZ1号或CAZ3号原子将迅速凝聚,生长成最终CAZ-2物理簇族最初形态;
根据排列条件,一部分小的CAZ-2簇族自组装形成渗透元1号或底面1号的原子粒,镶嵌在物理物质的内部;
通过7号舱快速移除底层不需要的杂类无机物质,并在原2号舱与4号舱内正常条件下继续进行CAZ1号与CAZ2号的剥离重组;从而,在基体上合成含有3ox和4ox离子粒的CAZ1号与CAZ2号物理簇族;CAZ0.2x的加入密度值及分布均为可控;基体内部无机物排列重组起到承载并保护CAZ-2物理簇族原子粒的作用,并控制这些无机离子的裂变速率,最终生成CAZ-2物理黑子簇族。
本发明的有益效果:在本发明中,采用物理离子反应堆技术,在多种无机物理物质上制备无机物理物质渗透。过渡有机原物质如三数量子元(6<x<8)颗粒表现出高密度非晶物质基体。然而我们利用物理离子反应堆装置的方法分离出稀有量子3x元素和三数量子元4OX渗透技术却从没有人尝试过。通过控制剥离条件(例如堆体离心率、气分压、偏压和分离温度等)可改变渗透的组织合成、显微结构和形貌,从而调节渗透率与强度的力学、摩擦学和电化学性能以及对基材深度的孔径排他解决方案。此外,利用多物理无机物质共同参与离心率反应的方式可在物理物内渗透一定数量的三数量子元(CAZ-2),形成超精密物质结合体,大大增强原有基材结合密度,可增强本体230倍以上硬度。而物理物质的深层强度可达30GPa以上以及耐用性可增强120倍以上。CAZ-2物理物质簇族具有强耐磨性、强耐腐蚀性能等多重基能于一体。CAZ-2物质浓度与密度一般在离子元的范围内,取决于使用方向的要求。CAZ-2物理黑子簇族对生命体细胞没有毒性,不会对生物体组织造成任何伤害。在CAZ-2非晶物质中加入3ox(30at.%)或三数离子元(40at.%)后,由于产生新的键合(CAZ∑3),形成新型排列组合数列3号物理物质CAZ.03,增强物质本身韧性以及外表强度能力。此外,4OK2元素还可通过内部增长形式组织新的结构,有利于增强医疗设备,医疗器械,和人体植入体等在临床应用上的可靠性。本发明未来在专业医疗领域、民用产品、建材领域等方面将有着广阔的应用前景。
具体实施方式
对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例,应理解,本申请不受这里公开描述的示例实施例的限制。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
本发明实施例中,CAZ-2物理黑子簇族增强基材耐用性技术,预处理:选定原基材并对其进行专业清洗,而后将清洗后的原基材放入到真空无尘室内的置架中;而后采用涡轮分子泵把腔室抽至高真空(<10-4Pa),而后进行焙干沉淀处理;
选用高密度物理物质(3ox)在离子反应过程中用作媒介搭桥,选用纯度极高物质(4O2)作为反应桥基离子进行反应综合;
采用离子反应堆,离子反应堆工作过程中,用量子波数传递桥基工作技能来控制分离的稳定性,使无机物理物质方向始终保持恒定值;
对桥基离子元进行击破分离,去除原基材表面的污染物质,保证孔径的一致性以及均匀性统一,通过控制每个采样组来调节渗透物理成分的链条密度;
将4ox离子元与3ox物理簇族嫁接到原位CAZ四组或CAZ7组簇族中,形成复合渗透精度可达(120%.oo),增强硬度效果,扩大渗透密度范围;
所有游离范围均在离子元反应堆2舱中进行(舱压值:<3×10-4Pa);在游离分子过程中,3号舱工作压力通常为~0.2Pa,由恒定数值方程式显示质量流量控制器(CFW)来输出。另外,采用高频脉冲波模式在4号舱或5号舱内注入微量CAZ3oo簇族(3ox)来实现等离子体剥离高低层,而不中断2号舱分离进程;由于4号和5号舱微量3ox簇族的注入(瞬间生成新的组合排列CAZ0.2x)引起的分层效率上升导致3ox原子簇族与4ox的4号舱或5号舱原子之间产生多次碰撞爆破,然后游离的CAZ1号或CAZ3号原子将迅速凝聚,生长成最终CAZ-2物理簇族最初形态;
根据排列条件,一部分小的CAZ-2簇族自组装形成渗透元1号或底面1号的原子粒,镶嵌在物理物质的内部;小簇族生成组合时间非常短(在脉冲波模式下)。之后,
通过7号舱快速移除底层不需要的杂类无机物质,并在原2号舱与4号舱内正常条件下继续进行CAZ1号与CAZ2号的剥离重组;从而,在基体上合成含有3ox和4ox离子粒的CAZ1号与CAZ2号物理簇族;CAZ0.2x的加入密度值及分布均为可控;基体内部无机物排列重组起到承载并保护CAZ-2物理簇族原子粒的作用,并控制这些无机离子的裂变速率,最终生成CAZ-2物理黑子簇族。以维持长远的高强度使用率,并大大增强耐用性及可靠性。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (1)
1.CAZ-2物理黑子簇族增强基材耐用性技术,其特征在于,
预处理:选定原基材并对其进行专业清洗,而后将清洗后的原基材放入到真空无尘室内的置架中;而后采用涡轮分子泵把腔室抽至高真空(<10-4Pa),而后进行焙干沉淀处理;
选用高密度物理物质(3ox)在离子反应过程中用作媒介搭桥,选用纯度极高物质(4O2)作为反应桥基离子进行反应综合;
采用离子反应堆,离子反应堆工作过程中,用量子波数传递桥基工作技能来控制分离的稳定性,使无机物理物质方向始终保持恒定值;
对桥基离子元进行击破分离,去除原基材表面的污染物质,保证孔径的一致性以及均匀性统一,通过控制每个采样组来调节渗透物理成分的链条密度;
将4ox离子元与3ox物理簇族嫁接到原位CAZ四组或CAZ7组簇族中,形成复合渗透精度可达(120%.oo),增强硬度效果,扩大渗透密度范围;
所有游离范围均在离子元反应堆2舱中进行(舱压值:<3×10-4Pa);在游离分子过程中,3号舱工作压力通常为~0.2Pa,另外,采用高频脉冲波模式在4号舱或5号舱内注入微量CAZ3oo簇族(3ox)来实现等离子体剥离高低层,而不中断2号舱分离进程;由于4号和5号舱微量3ox簇族的注入(瞬间生成新的组合排列CAZ0.2x)引起的分层效率上升导致3ox原子簇族与4ox的4号舱或5号舱原子之间产生多次碰撞爆破,然后游离的CAZ1号或CAZ3号原子将迅速凝聚,生长成最终CAZ-2物理簇族最初形态;
根据排列条件,一部分小的CAZ-2簇族自组装形成渗透元1号或底面1号的原子粒,镶嵌在物理物质的内部;
通过7号舱快速移除底层不需要的杂类无机物质,并在原2号舱与4号舱内正常条件下继续进行CAZ1号与CAZ2号的剥离重组;从而,在基体上合成含有3ox和4ox离子粒的CAZ1号与CAZ2号物理簇族;CAZ0.2x的加入密度值及分布均为可控;基体内部无机物排列重组起到承载并保护CAZ-2物理簇族原子粒的作用,并控制这些无机离子的裂变速率,最终生成CAZ-2物理黑子簇族。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110366700.2A CN113284782A (zh) | 2021-04-06 | 2021-04-06 | Caz-2物理黑子簇族增强基材耐用性技术 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
CN202110366700.2A CN113284782A (zh) | 2021-04-06 | 2021-04-06 | Caz-2物理黑子簇族增强基材耐用性技术 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113284782A true CN113284782A (zh) | 2021-08-20 |
Family
ID=77276506
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110366700.2A Pending CN113284782A (zh) | 2021-04-06 | 2021-04-06 | Caz-2物理黑子簇族增强基材耐用性技术 |
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Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113284782A (zh) |
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