CN113270432B - 耀斑抑制图像传感器 - Google Patents

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Abstract

一种耀斑抑制图像传感器包括在衬底中形成的第一像素以及位于第一像素上方的折射元件。折射元件具有相对于衬底的顶表面的高度分布，高度分布在第一横截平面和第二横截平面中的每个中具有至少两个一维局部最高点，第二横截平面垂直于第一横截平面。第一横截平面和第二横截平面中的每个垂直于顶表面并且相交第一像素。

Description

耀斑抑制图像传感器
技术领域
本申请涉及成像技术领域，尤其涉及一种耀斑抑制图像传感器。
背景技术
商业产品(诸如独立数字相机、移动设备、汽车组件和医疗设备)中的相机模块包括具有像素阵列的图像传感器。像素阵列包括以像素间距布置为二维周期性阵列的多个像素，像素间距在入射到像素阵列上的光的波长的两倍至三倍之间。许多图像传感器包括由多个微透镜形成的微透镜阵列，每个微透镜与相应像素对准，其在像素阵列上方具有二维周期性表面高度。图像传感器的像素阵列和其上的微透镜阵列的周期性导致图像传感器类似于反射式二维衍射光栅。入射在图像传感器上的光的一部分被朝向相机的成像透镜衍射。相机的不同元件(例如盖玻片、IR截止滤光片、成像透镜的表面)将这种衍射光反射回图像传感器，从而产生已知为瓣状耀斑(petal flare)的图像伪像。
发明内容
本文公开的实施例减少了瓣状耀斑。在第一方面，耀斑抑制图像传感器包括形成在衬底中的第一像素和位于第一像素上方的折射元件。折射元件具有相对于衬底的顶表面的高度分布，高度分布在第一横截平面和垂直于第一横截平面的第二横截平面中的每个中具有至少两个一维局部最高点。第一横截平面和第二横截平面中的每个均垂直于顶表面并且相交第一像素。
附图说明
图1描绘在实施例中的对场景进行成像的相机。
图2和图3是作为图1的图像传感器的实施例的耀斑抑制图像传感器的相应横截面示意图。
图4是在实施例中的图2和图3的耀斑抑制图像传感器的一种实施方式的折射元件阵列的等距视图。
图5是在实施例中的图2和图3的耀斑抑制图像传感器的另一种实施方式的环状透镜阵列的等距视图。
图6和图7是在实施例中的作为图1的图像传感器的示例的耀斑抑制图像传感器的相应横截面示意图。
图8是在实施例中的图6和图7的耀斑抑制图像传感器的一种实施方式的折射元件阵列的等距视图。
图9是在实施例中的图6和图7的耀斑抑制图像传感器的另一种实施方式的环状透镜阵列的等距视图。
图10示出在实施例中的来自角相邻大像素的小像素中的角度相依串扰，大像素上具有图7的折射元件。
图11示出在实施例中的图10的大像素的光谱响应，大像素上具有不同的光谱滤光片。
图12示出在实施例中的来自角相邻大像素的小像素中的角度相依串扰，大像素上具有图9的环状透镜。
图13示出在实施例中的图12的大像素的光谱响应，大像素上具有不同的光谱滤光片。
图14是在实施例中的图5的环状透镜的横截面视图。
图15示出来自角相邻大像素的小像素中的角度相依串扰，大像素上具有图6的不透明延伸和图9的环状透镜中的至少一个。
图16示出在实施例中的图15的大像素的光谱响应。
具体实施方式
图1示出包括像素阵列154的图像传感器100。在图1中描绘的场景中，图像传感器100被合并到对场景成像的相机190中。相机190包括图像传感器100，图像传感器100包括像素阵列154。图像传感器100可以是芯片级封装或板上芯片封装的一部分。
图2是作为图像传感器100的示例的耀斑抑制图像传感器200的横截面示意图。图2所示的横截面平行于由正交方向298X和298Y形成的平面(后文称为x-y平面)，正交方向298X和298Y中的每个正交于方向298Z。在本文中，x-y平面由正交方向298X和298Y形成，并且平行于x-y平面的平面称为横向平面。除非另有说明，否则本文中的对象高度是指对象在方向298Z或与之相反的180°方向上的长度。图2指示方向298D，方向298D与方向298Z形成第一对角面(后文称为d-z平面)。图2还指示方向298D'，方向298D'与方向298Z形成第二对角面(后文称为d′-z平面)。
图2指示横截平面3和3′，它们分别平行于d-z平面和d′-z平面。图3是在横截平面3和3′中的任一个中的耀斑抑制图像传感器200的横截面示意图。图3指示作为图2的横截平面的横截平面259。为了清楚起见，图2示出平面259下方的半导体衬底210的元件；这些元素用虚线示出。在以下描述中，最好一起查看图2和图3。
图2和图3指示半导体衬底210的相邻像素之间的边界213。在实施例中，图像传感器200包括在相邻像素之间的深沟槽隔离层216，使得边界213的至少一部分对应于深沟槽隔离层216和半导体衬底210之间的材料界面。在实施例中，深沟槽隔离层216包括氧化物。深沟槽隔离层216具有可以至少为150nm的宽度217，使得入射在深沟槽隔离层216上的光经历全内反射并且不透射到相邻像素。
图像传感器200包括形成在半导体衬底210中的多个大像素214。半导体衬底210具有平行于x-y平面的顶表面219。多个大像素214形成像素阵列214A，该像素阵列214A在各个正交方向x和y上具有像素间距Px和Py。像素214(1)是多个大像素214中的一个。方向298D和方向298X之间的角度等于arctan(Py/Px)。在实施例中，间距Px和Py中的至少一个小于或等于2.9μm。
图像传感器200包括位于像素214(1)上方的折射元件260(1)。折射元件260(1)可以在x-y平面、x-y平面、d-z平面和d′-z平面中的至少一个中与像素214(1)中心对准。在实施例中，折射元件260(1)邻接顶表面219。在实施例中，图像传感器200包括在顶表面219和折射元件260之间的中间层305。中间层305可以包括一个或多个层，层的示例包括光谱滤光片阵列、钝化层和氧化物层。
在横截平面3和3′中的每个中，折射元件260(1)具有高度分布，高度分布具有至少两个一维局部最高点262。在图2所示的示例中，折射元件260(1)包括四个局部最高点262(1-4)。图2中对局部最高点的标注262(1-4)指示它们在横截平面259上方的位置。在实施例中，折射元件260由诸如玻璃的具有在140℃和180℃之间的转变温度的材料形成，使得其可以承受与图像传感器200相关联的回流焊接工艺(reflow process)的温度。
本实施例的一个方面包括认识到瓣状耀斑的主要来源是入射在相邻像素的微透镜上并由该微透镜聚焦的光。本实施例通过确定每个折射元件260的形状使得其具有超过一个的局部最高点262来减少瓣状耀斑，从而折射元件260有效地包括多个微透镜，每个微透镜透射入射在折射元件260上的光的部分。
在实施例中，每个局部最高点262是一维局部最高点，使得高度分布在至少一个平面(例如x-z平面、y-z平面、d-z平面和d′-z平面中的一个)中的导数为零。在实施例中，每个局部最高点262是多维局部最高点，使得高度分布在至少两个维度(例如x-z平面、y-z平面、d-z平面和d′-z平面中的至少两个)中的导数为零。
在实施例中，折射元件260(1)包括微透镜264的N×N阵列，N是大于1的正整数，并且局部最高点262(1-4)中的每个分别是微透镜264(1-4)的最大高度。在图2的示例中，N＝2。每个微透镜264具有相交其局部最高点262的各自光轴265。光轴265可以垂直于顶表面219。图2和图3包括微透镜264的横截面视图。图4是折射元件460的2×2阵列的等距视图，折射元件中的每个包括微透镜264的2×2阵列。折射元件460是折射元件260的示例。相邻的折射元件在方向298X和298Y中的至少一个上以距离462被间隔开。距离462可以小于或等于隔离层216的宽度217。在实施例中，距离462等于零。
折射元件260具有底表面261。每个微透镜264在其各自局部最高点262下方具有峰高363。在实施例中，确定峰高363，使得每个微透镜264具有等于底表面261和顶衬底表面219之间的距离的后焦距。折射元件260具有宽度368，其在Pmin和之间的范围内。当Px＝Py相等时，Pmin＝Px；否则，Pmin是Px和Py中的较小者。为了实现这样的焦距，微透镜264的峰高363和曲率半径中的每个在Pmin/(2N)和/>之间。
在横截平面3和3′的每个中，折射元件260在局部最高点262之间具有局部最低点366。在实施例中，局部最低点366为(i)与横截平面3中的局部最高点262(1)和262(2)等距，以及(ii)与横截平面3′中的局部最高点262(2)和262(4)等距中的至少一种。
在实施例中，图像传感器200包括多个折射元件260，每个折射元件260在各自大像素214正上方并且对准于各自大像素214。每个折射元件260在本文中具有归结于折射元件260(1)的特性。每个折射元件260可以在各自大像素214的正上方。当垂直于顶表面219并且相交像素214的平面也相交折射元件260时，折射元件260在像素214的正上方。
图5是环状透镜560的2×2周期性阵列的透视图。环状透镜560是折射元件260的示例，并且可以关于垂直于顶表面319的轴线367旋转对称。在实施例中，轴线367相交局部最低点366。
图6和图7是耀斑抑制图像传感器600的相应横截面示意图。图像传感器600是图像传感器200的示例，其中像素614代替像素214，并且添加小像素612(1)和612(2)。像素614形成作为像素阵列214A的示例的像素阵列614A。图6指示横截平面7-7′(其中的每个是图7的横截平面)。图7指示横截平面659(其是图6的横截平面)。在以下描述中最好一起查看图6和图7。
在方向298D上，小像素612(1)和612(2)之间的中心到中心间隔等于横截平面7中的在方向298D和298D′上，像素612(1)和612(2)中的每个具有小于像素间距Px和Py两者的小像素宽度W。像素614(1)在小像素612(1)和612(2)之间并与小像素612(1)和612(2)共线。像素614可以在容纳角相邻于像素214的一个或多个小像素612的特征方面与像素214不同。例如，像素614在横向平面上可以具有八边形或六边形的横截面。
在实施例中，小像素612(1-4)是形成像素阵列612A的多个小像素612的部分。像素阵列612A在各个方向x和y上具有像素间距Px和Py。像素阵列612A在各个方向x和y上从像素阵列614A偏移1/2Px和1/2Py。图6指示半导体衬底610的相邻像素614和612之间的边界613。边界613类似于边界213。
在实施例中，图像传感器600包括分别与小像素612(1)和612(2)对准的微透镜770(1,2)。在实施例中，图像传感器600包括多个微透镜770，每个微透镜对准于相应小像素612，其中多个微透镜770包括微透镜770(1,2)。
图像传感器600包括与像素614(1)对准的折射元件760(1)。折射元件760(1)是微透镜260(1)的示例。由于像素612和/或微透镜770的存在，折射元件760(1)具有小于的宽度668。在实施例中，宽度668小于或等于/>折射元件760(1)具有局部最高点762和局部最低点766，以及在实施例中折射元件760(1)包括微透镜764的阵列，每个微透镜764具有光轴765。局部最高点762、微透镜764、光轴765和局部最低点766是局部最高点262、微透镜264、光轴265和局部最低点366的示例。
在实施例中，图像传感器600包括与微透镜770(1)中心对准并且位于微透镜770(1)和顶表面219之间的第一不透明环652(1)。在这样的实施例中，图像传感器600还包括不透明延伸640。不透明延伸640的技术优势是防止上述由图像传感器600反射的杂散光引起的瓣状耀斑。不透明延伸640在方向298D上从边界213朝向第二小像素612(2)延伸了延伸长度642。延伸长度642小于使得不透明延伸640不延伸到小像素612(1)和612(2)之间的中点215。
在方向298Z上，不透明元件640具有厚度646，厚度646在实施例中超过不透明元件240在自由空间电磁波长λ0处的强度穿透深度δ＝λ0/(πκ)，其中κ是不透明元件640在波长λ0处的折射率的虚部。在实施例中，厚度646在75和125纳米之间。
不透明元件640通过阻挡衍射照明减少瓣状耀斑。然而，不透明元件640也阻挡了从相机190的成像透镜直接传播到大像素614(1)的图像照明。不透明元件640在垂直于长度642的方向上具有宽度644。在实施例中，不透明元件640的宽度644小于或等于小像素宽度W，使得不透明元件640阻挡衍射光(导致瓣状耀斑)，同时减少它阻挡的非杂散光的量。在实施例中，宽度644超过强度穿透深度δ并且小于小像素宽度W。宽度644可以在80纳米和120纳米之间。在实施例中，小像素宽度W超过宽度644八至十二倍。
在实施例中，每个像素614具有与其对准的相应折射元件760，并且每个像素612具有与其对准的相应微透镜770。折射元件760在局部最高点762处具有厚度763。微透镜770具有最大厚度773。在这样的实施例中，厚度763可以等于厚度773，这使得折射元件760和微透镜770能够例如经由一个或多个掩模和光刻步骤并行地形成，并因此降低图像传感器600的制造成本。在实施例中，微透镜764和微透镜770被相同地成形，例如，微透镜764和770具有相同的曲率半径，并且厚度763等于厚度773。
在实施例中，图像传感器600包括光谱滤光片754(1)，光谱滤光片754(1)位于微透镜770和顶表面219之间、与小像素612(1)对准并且被不透明环652(1)围绕。光谱滤光片754(1)可以是吸收滤光片、二向色滤光片、等离激元滤光片或其组合。在实施例中，不透明环652(1)邻接光谱滤光片754(1)。
在实施例中，图像传感器600包括光谱滤光片阵列754A，光谱滤光片阵列754A包括光谱滤光片754的阵列，光谱滤光片754(1)是其中的一个。每个光谱滤光片754在微透镜770和顶表面219之间，类似于光谱滤光片754(1)，并且对准于相应像素612。例如，光谱滤光片754包括对准于小像素612(2)的光谱滤光片754(2)。
在实施例中，图像传感器600还包括多个不透明环652，每个不透明环652与相应像素612对准。不透明环652(1)是不透明环652中的一个。图6指示围绕光谱滤光片754(2)的不透明环652(2)。当图像传感器600包括光谱滤光片阵列754A时，每个不透明环652围绕相应小光谱滤光片754。
在实施例中，图像传感器600还包括多个不透明元件640，其中的每个不透明元件与多个不透明环652中的相应一个整体形成，并在方向298D和方向298D′中的一个上延伸自多个不透明环652中的相应一个。每个不透明延伸640是不透明延伸640(1)的示例，并且类似于不透明延伸640(1)。
每个不透明环652可以包括从其延伸的超过一个的不透明元件640。在实施例中，图像传感器600包括不透明环662，不透明环662是不透明环652的包括四个不透明延伸640的示例。在实施例中，不透明延伸640与不透明环652整体形成。每个不透明环662包括(a)沿方向298D远离不透明环662的中心延伸的两个不透明延伸640，和(b)沿方向298D′远离不透明环652的中心延伸的两个不透明延伸660。
图8是微透镜阵列800的等距视图，微透镜阵列800包括散布有折射元件860的阵列的微透镜770的阵列。每个折射元件860包括各自的微透镜764的2×2阵列。折射元件860是折射元件460的示例。在实施例中，微透镜764在平行于x-y平面的平面中具有如图8所示的六边形或八边形横截面，这使得微透镜764比具有圆形横截面的等效透镜能够收集更多的光。
图9是微透镜阵列900的等距视图，微透镜阵列900包括散布有环状透镜960的阵列的微透镜770的阵列。每个环状透镜960关于垂直于表面219的轴线旋转对称，并且是折射元件460(图4)的示例。微透镜770可以具有圆形横截面，其中圆形横截面的直径超过六边形横截面的相对侧之间的距离。
图10是示出随着入射角变化的从大像素614(1)到角相邻小像素612(1)的串扰的曲线图1000。图11是示出在其上具有不同的光谱滤光片和折射元件的组合的大像素614的光谱响应的曲线图1100。在曲线图1000和1100中的每个中，像素宽度W＝1.1μm，Px＝Py＝2.8μm。
图10包括串扰1032和1064。在图10的示例中，大像素614在中间层305中在其上具有绿色光谱滤光片。串扰1032对应于绿色光谱滤光片在常规平凸微透镜1030与大像素614之间的情况。平凸微透镜具有等于1.2μm的高度。串扰1064来自相同的大像素614，其中折射元件1060用作折射元件260。折射元件1060是折射元件860的示例，并且包括微透镜264的2×2阵列，微透镜264具有峰高363和等于0.6μm的半径。用折射元件1060代替常规微透镜1030将超过五十一度的入射角的情况下的串扰减小至少两倍。瓣状耀斑的潜在来源是由衍射光以超过五十一度的角度入射到大像素614上而产生的串扰。图10示出折射元件1060如何防止这种瓣状耀斑。
曲线图1100包括量子效率1142、1152和1162，它们对应于分别在中间层305中的蓝色滤光片、绿色滤光片和红色滤光片上方其上具有常规平凸微透镜1030的大像素614。曲线图1000还包括量子效率1144、1154和1164，它们对应于其上具有折射元件1060、以及具有分别在中间层305中的蓝色滤光片、绿色滤光片和红色滤光片的大像素614。对曲线图1000和曲线图1100的检查表明折射元件1060明显降低了串扰，同时保持了相当的量子效率。
图12是示出随着入射角变化的从大像素614到角相邻小像素612的串扰的曲线图1200。图13是曲线图1300，示出在其上具有不同的光谱滤光片和折射元件的组合的大像素614的光谱响应。在曲线图1200和曲线1300的每个中，像素宽度W＝1.1μm，以及Px＝Py＝2.8μm。
曲线1200包括图10中引入的串扰1032以及串扰1264。串扰1264来自相同的大像素614，其中环状透镜1260用作折射元件760。环状透镜1260是环状透镜560的示例，并且具有0.6μm的高度和等于0.6μm的凸起(lobe)半径(曲率)。在该示例中，用环状透镜960代替平凸微透镜1030将超过五十一度的入射角的情况下的串扰减小至少两倍。
图13是曲线图1300，示出在其上具有不同的光谱滤光片和折射元件的组合的大像素614的光谱响应。曲线1300包括在图11中引入的量子效率1142、1152和1162。曲线1300还包括量子效率1344、1354和1364，它们对应于大像素614，其中平凸微透镜1030被图12的描述中引入的环状透镜960的示例代替，并且具有分别在中间层305中的蓝色滤光片、绿色滤光片和红色滤光片。对曲线图1200和曲线图1300的检查表明折射元件260明显降低了串扰，同时保持了相当的量子效率。
图14是在x-z平面和y-z平面中的一个或两者中的环状透镜1400的横截面视图。环状透镜1400是环状透镜560和960的示例。在图14的横截面视图中，环状透镜1400具有两个相同的凸起1410，每个凸起具有平坦底表面1411和顶表面1419。每个凸起1410具有宽度1412，并且环状透镜1400具有大于或等于宽度1412的两倍的宽度1468。宽度1468是宽度668的示例。
当宽度1468超过1412的两倍时，相对的顶表面1419被孔直径1464间隔开，孔直径1464是环状透镜1400的孔的直径。在实施例中，孔直径1464除以宽度1468在0与0.2之间。例如，当宽度1468等于2.8μm时，孔直径1464的范围可以从0到500纳米。我们发现，其上具有环状透镜1400的2.8μm像素(Px＝Py＝2.8μm)的光谱响应随着孔直径1464在0到500纳米之间的变化而变化不大。
凸起1410具有高度1414和凸起半径1416。在实施例中，凸起半径1416的最大值是(Px,y-dhole)/4，其中Px,y是像素间距Px和像素间距Px中的一个，以及dhole等于孔直径1464。环状透镜1400关于平行于z轴的轴线旋转对称。
图15是曲线图1500，示出随着入射角变化的从大像素614到角相邻小像素612的数值模拟串扰。在该示例中，大像素614在其上具有红色滤光片，而小像素612在其上具有绿色滤光片，红色滤光片和绿色滤光片中的每个均在中间层305中。在图15的数值模拟生成中，小像素宽度W＝1.1μm，Px＝Py＝2.8μm，模拟环状微透镜960的高度1414和凸起半径1416均等于0.6μm，并且延伸长度642等于250nm。
曲线图1500包括串扰1510、1520和1530。串扰1510来自其上具有常规平凸微透镜和不透明延伸640的大像素614。串扰1520来自其上具有环状微透镜960且没有透明延伸的大像素614。串扰1530来自其上具有不透明延伸640和环状微透镜960两者的大像素614。串扰1510、1520和1530的比较揭露了环状微透镜960和不透明延伸640(串扰1530)的组合最佳地减少了串扰。
图16是示出图15的大像素614的角度响应的曲线图1600。曲线图1600包括角度响应1610、1620和1630，其颜色滤光片和环状透镜配置分别对应于串扰1510、1520和1530。
特征的组合
以上描述的特征以及以下要求保护的特征可以以各种方式组合而不脱离本发明的范围。以下列举的示例说明了一些可能的非限制性组合。
(A1)一种耀斑抑制图像传感器，包括在衬底中形成的第一像素和位于第一像素上方的折射元件。折射元件具有相对于衬底的顶表面的高度分布，高度分布在第一横截平面和第二横截平面的每个中具有至少两个一维局部最高点，第二横截平面垂直于第一横截平面。第一横截平面和第二横截平面中的每个垂直于顶表面并且相交第一像素。
(A2)在图像传感器(A1)中，折射元件可以包括微透镜的N×N阵列，N是大于1的整数。多个微透镜中的每个具有相交第一像素的各自光轴。
(A3)在图像传感器(A1)中，每个相应光轴可以垂直于顶表面。
(A4)在图像传感器(A1)-(A3)中的任一个图像传感器中，N可以等于2。
(A5)在图像传感器(A1)-(A4)中的任一个图像传感器中，折射元件关于垂直于顶表面的轴线旋转对称，高度分布在第一横截平面和第二横截平面中的每个中正好具有两个局部最高点。
(A6)在图像传感器(A5)中的任一个图像传感器中，高度分布可以包括与局部最高点中的每个等距的局部最低点。
(A7)图像传感器(A1)-(A6)中的任一个图像传感器中还可以包括：在半导体衬底中的多个大像素、第一小像素和第二小像素。多个大像素形成像素阵列，像素阵列在分别平行于顶表面的相应正交方向x和y上具有像素间距Px和Py。第一像素是多个大像素中的一个。第一小像素和第二小像素中的每个具有(a)在第一方向上等于的中心到中心间隔以及(b)在第一方向上小于像素间距Px和Py的小像素宽度W。第一像素在第一小像素和第二小像素之间。
(A8)在任一个图像传感器(A7)中，第一方向与方向x之间的角度可以等于arctan(Py/Px)。
(A9)图像传感器(A7)和(A8)中的任一个图像传感器还可以包括对准于第一小像素的第一微透镜和对准于第二小像素的第二微透镜。
(A10)任一个图像传感器(A9)还可以包括第一不透明环和第一不透明元件。第一不透明环与第一微透镜中心对准并且位于第一微透镜和顶表面之间。第一不透明元件在第一方向上从第一不透明环延伸长度L1。L1从第一小像素和第一像素之间的边界且朝向第二小像素小于在垂直于第一方向的第二方向上，第一不透明元件具有小于或等于小像素宽度W的第一宽度。
(A11)任一个图像传感器(A10)还可以包括位于第一微透镜和顶表面之间、对准于第一小像素并且被第一不透明环围绕的光谱滤光片。
(A12)任一个图像传感器(A10)和(A11)还可以包括第二不透明环和第二不透明元件。第二不透明环与第二微透镜中心对准并且位于第二微透镜和顶表面之间。第二不透明元件与第一方向相反地从第一不透明环延伸长度L2。L2从第二小像素和第一像素之间的边界且朝向第一小像素小于第二不透明元件在第二方向上具有小于或等于小像素宽度W的第二宽度。
(A13)任一个图像传感器(A12)还可以包括位于第二微透镜和顶表面之间、对准于第二小像素并且被第二不透明环围绕的第二光谱滤光片。
(A14)图像传感器(A7)-(A13)中的任一个图像传感器还可以包括第三小像素和第四小像素，第三小像素和第四小像素具有在第二方向上等于的中心到中心间隔以及分别在第一方向上具有小像素宽度W。第一像素在第三小像素和第四小像素之间。第一小像素和第三小像素具有等于Px的中心到中心间隔；第二小像素和第四小像素具有等于Py的中心到中心间隔。
(A15)在任一个图像传感器(A1)–(A14)中，折射元件可以由具有在140℃至180℃之间的转变温度的玻璃形成。
在不脱离本实施例的范围的情况下，可以对以上方法和系统进行改变。因此应注意，以上描述中包含的或附图中所示的内容应解释为说明性的而非限制性的。在本文中，除非另外指出，否则短语“在实施例中”等同于短语“在某些实施例中”，并且并不表示所有实施例。所附权利要求书旨在覆盖本文描述的所有一般和特定特征，以及本方法和系统的范围的所有陈述，就语言而言，可以认为其介于两者之间。

Claims (17)

1.一种耀斑抑制图像传感器，包括：
在衬底中形成的第一像素；在第一像素上方的折射元件，折射元件具有相对于衬底的顶表面的高度分布，高度分布在第一横截平面和第二横截平面中的每个中具有至少两个一维局部最高点，第二横截平面垂直于第一横截平面，第一横截平面和第二横截平面中的每个垂直于顶表面并且相交第一像素；
在衬底中并且形成像素阵列的多个大像素，像素阵列在分别平行于顶表面的各个正交方向x和y上具有像素间距Px和Py，第一像素是多个大像素中的一个；
第一小像素和第二小像素，第一小像素和第二小像素在第一方向上具有等于的中心到中心间隔以及分别在第一方向上具有小于像素间距Px和Py两者的小像素宽度W，第一像素在第一小像素和第二小像素之间；
对准于第一小像素的第一微透镜；
第一不透明环，与第一微透镜中心对准并且位于第一微透镜和顶表面之间；以及
第一不透明元件，在第一方向上从第一不透明环延伸距离L1，并且在垂直于第一方向的第二方向上具有小于或等于小像素宽度W的第一宽度，L1从第一小像素和第一像素之间的边界且朝向第二小像素延伸，且L1小于
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，折射元件包括微透镜的N×N阵列，N是大于1的整数，微透镜的N×N阵列中的每个微透镜具有相交第一像素的相应光轴。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，每个相应光轴垂直于顶表面。
4.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，N等于2。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，折射元件关于垂直于顶表面的轴线旋转对称，高度分布在第一横截平面和第二横截平面中的每个中正好具有两个局部最高点。
6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中，高度分布包括与局部最高点中的每个等距的局部最低点。
7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，第一方向与方向x之间的角度等于arctan(Py/Px)。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括对准于第一小像素的第一微透镜和对准于第二小像素的第二微透镜。
9.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括位于第一微透镜和顶表面之间、对准于第一小像素并且被第一不透明环围绕的光谱滤光片。
10.根据权利要求8所述的图像传感器，还包括：
第二不透明环，与第二微透镜中心对准并且位于第二微透镜和顶表面之间；以及
第二不透明元件，与第一方向相反地从第一不透明环延伸距离d2，并且在第二方向上具有小于或等于小像素宽度W的第二宽度，d2从第二小像素和第一像素之间的边界且朝向第一小像素延伸，且d2小于
11.根据权利要求10所述的图像传感器，还包括位于第二微透镜和顶表面之间、对准于第二小像素并且被第二不透明环围绕的第二光谱滤光片。
12.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：
第三小像素和第四小像素，第三小像素和第四小像素在第二方向上具有等于的中心到中心间隔以及分别在第一方向上具有小像素宽度W，第一像素在第三小像素和第四小像素之间，
其中，第一小像素和第三小像素具有等于Px的中心到中心间隔，第二小像素和第四小像素具有等于Py的中心到中心间隔。
13.一种耀斑抑制图像传感器，包括：
在衬底中形成的并且包括第一像素的像素阵列；以及
在第一像素上方的折射元件，折射元件具有包括第一局部最高点、第二局部最高点的高度分布，包括第一局部最高点的第一凸形的凸起，以及包括第二局部最高点的第二凸形的凸起，并且第二凸形的凸起在位于第一局部最高点和第二局部最高点之间的高度分布的局部最低点处邻接第一凸形的凸起；
在所述衬底中并且形成像素阵列的多个大像素，多个大像素的像素阵列在分别平行于顶表面的各个正交方向x和y上具有像素间距Px和Py，第一像素是多个大像素中的一个；
第一小像素和第二小像素，第一小像素和第二小像素在第一方向上具有等于的中心到中心间隔以及分别在第一方向上具有小于像素间距Px和Py两者的小像素宽度W，第一像素在第一小像素和第二小像素之间；
对准于第一小像素的第一微透镜；
第一不透明环，与第一微透镜中心对准并且位于第一微透镜和顶表面之间；以及
第一不透明元件，在第一方向上从第一不透明环延伸距离L1，并且在垂直于第一方向的第二方向上具有小于或等于小像素宽度W的第一宽度，L1从第一小像素和第一像素之间的边界且朝向第二小像素延伸，且L1小于
14.根据权利要求13所述的图像传感器，
像素阵列具有(i)在像素行方向上由第一间距分别隔开的多个像素列，和(ii)在像素列方向上由第二间距分别隔开的多个像素行；
在平行于像素行方向和垂直于衬底的顶表面的行定向横截平面中，折射元件包括两个第一凸起，每个第一凸起具有(i)等于第一局部最高点的第一个高度，和(ii)不超过第一间距的四分之一的第一曲率半径；以及
在平行于像素列方向和垂直于顶表面的列定向横截平面中，折射元件包括两个第二凸起，每个第二凸起具有(i)等于第二局部最高点的第二高度，和(ii)不超过第二间距的四分之一的第二曲率半径。
15.根据权利要求13所述的图像传感器，高度分布没有在第一局部最高点和第二局部最高点之间的第三局部最高点。
16.根据权利要求13所述的图像传感器，折射元件包括微透镜的N×N阵列，N是大于1的整数，微透镜的N×N阵列中的每个微透镜具有相交第一像素的相应光轴。
17.一种耀斑抑制图像传感器，包括：
在衬底中形成的并且包括第一像素的像素阵列；以及
在第一像素上方的折射元件，折射元件(a)关于垂直于衬底的顶表面的轴线旋转对称，(b)具有在分别垂直于顶表面的两个垂直横截平面中正好具有两个局部最高点的高度分布，以及(c)形成具有不超过像素阵列的间距的五分之一的宽度的孔；
在所述衬底中并且形成像素阵列的多个大像素，多个大像素的像素阵列在分别平行于所述顶表面的各个正交方向x和y上具有像素间距Px和Py，第一像素是多个大像素中的一个；
第一小像素和第二小像素，第一小像素和第二小像素在第一方向上具有等于的中心到中心间隔以及分别在第一方向上具有小于像素间距Px和Py两者的小像素宽度W，第一像素在第一小像素和第二小像素之间；
对准于第一小像素的第一微透镜；
第一不透明环，与第一微透镜中心对准并且位于第一微透镜和顶表面之间；以及
第一不透明元件，在第一方向上从第一不透明环延伸距离L1，并且在垂直于第一方向的第二方向上具有小于或等于小像素宽度W的第一宽度，L1从第一小像素和第一像素之间的边界且朝向第二小像素延伸，且L1小于
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11469264B2 (en) * 2020-01-30 2022-10-11 Omnivision Technologies, Inc. Flare-blocking image sensor
US11393861B2 (en) * 2020-01-30 2022-07-19 Omnivision Technologies, Inc. Flare-suppressing image sensor

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106449674A (zh) * 2015-08-05 2017-02-22 豪威科技股份有限公司 具有对称多像素相位差检测器的图像传感器及相关方法
CN107222663A (zh) * 2016-03-22 2017-09-29 豪威科技股份有限公司 减少光斑的成像系统和相关的图像传感器
CN108695348A (zh) * 2017-04-05 2018-10-23 豪威科技股份有限公司 芯片级图像传感器封装及相关制造方法
CN110475082A (zh) * 2018-05-09 2019-11-19 半导体元件工业有限责任公司 具有用于高动态范围成像像素的微透镜的图像传感器

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4348254A (en) 1978-12-27 1982-09-07 Solarex Corporation Method of making solar cell
JPH05129569A (ja) * 1991-10-31 1993-05-25 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像素子
US7742088B2 (en) * 2002-11-19 2010-06-22 Fujifilm Corporation Image sensor and digital camera
US7973380B2 (en) 2005-11-23 2011-07-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for providing metal extension in backside illuminated sensor for wafer level testing
KR100818724B1 (ko) * 2006-07-19 2008-04-01 삼성전자주식회사 Ｃｍｏｓ 이미지 센서와 이를 이용한 이미지 센싱 방법
US8716594B2 (en) 2006-09-26 2014-05-06 Banpil Photonics, Inc. High efficiency photovoltaic cells with self concentrating effect
JP5147226B2 (ja) 2006-12-15 2013-02-20 株式会社日立製作所 固体撮像素子、光検出器及びこれを用いた認証装置
JP2011258728A (ja) * 2010-06-08 2011-12-22 Sharp Corp 固体撮像素子および電子情報機器
JP5640630B2 (ja) * 2010-10-12 2014-12-17 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び電子機器
JP5810551B2 (ja) * 2011-02-25 2015-11-11 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
US9197798B2 (en) 2011-03-25 2015-11-24 Adobe Systems Incorporated Thin plenoptic cameras using microspheres
US8866951B2 (en) 2011-08-24 2014-10-21 Aptina Imaging Corporation Super-resolution imaging systems
US9373732B2 (en) 2012-02-07 2016-06-21 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with reflective optical cavity pixels
JP2014207253A (ja) * 2012-04-17 2014-10-30 キヤノン株式会社 イメージセンサおよび撮像装置
JP6168331B2 (ja) * 2012-05-23 2017-07-26 ソニー株式会社 撮像素子、および撮像装置
US8530266B1 (en) 2012-07-18 2013-09-10 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor having metal grid with a triangular cross-section
US9215430B2 (en) * 2013-03-15 2015-12-15 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with pixels having increased optical crosstalk
CN111430385B (zh) * 2013-03-29 2024-04-23 索尼公司 摄像元件和摄像装置
JP6130221B2 (ja) * 2013-05-24 2017-05-17 ソニー株式会社 固体撮像装置、および電子機器
JP2015012043A (ja) * 2013-06-26 2015-01-19 株式会社東芝 撮像装置およびその製造方法
CN203365711U (zh) 2013-08-15 2013-12-25 东南大学 一种微透镜和微透镜阵列结构
CN103399368B (zh) 2013-08-15 2015-06-17 东南大学 一种微透镜、微透镜阵列结构及其制作工艺
US20150097213A1 (en) * 2013-10-04 2015-04-09 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor and pixels including vertical overflow drain
US9209339B2 (en) * 2013-12-06 2015-12-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Mechanisms for forming backside illuminated image sensor structure
US10680022B2 (en) * 2013-12-12 2020-06-09 Sony Corporation Solid state imaging device, manufacturing method of the same, and electronic equipment
US9373655B2 (en) * 2014-01-21 2016-06-21 Sony Corporation Imaging device and electronic apparatus
JP2015153975A (ja) * 2014-02-18 2015-08-24 ソニー株式会社 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法および電子機器
KR102374109B1 (ko) 2014-08-01 2022-03-14 삼성전자주식회사 크로스토크 특성을 개선하는 이미지 센서 및 그의 제조 방법
KR102306670B1 (ko) * 2014-08-29 2021-09-29 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
JP6721511B2 (ja) * 2015-01-13 2020-07-15 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器
WO2016141376A1 (en) 2015-03-05 2016-09-09 Massachusetts Institute Of Technology Systems, methods, and apparatus for concentrating photovoltaic cells
JP6758747B2 (ja) * 2015-09-18 2020-09-23 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置および電子機器
JP6754157B2 (ja) * 2015-10-26 2020-09-09 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置
JP2017163010A (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 ソニー株式会社 撮像装置、電子機器
KR102605626B1 (ko) 2016-07-28 2023-11-24 에스케이하이닉스 주식회사 그리드패턴을 구비한 이미지 센서
US10015389B2 (en) 2016-09-22 2018-07-03 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with asymmetric-microlens phase-detection auto-focus (PDAF) detectors, associated PDAF imaging system, and associated method
JP7007088B2 (ja) 2016-12-07 2022-01-24 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子、撮像素子および電子機器
US9954020B1 (en) 2016-12-30 2018-04-24 Omnivision Technologies, Inc. High-dynamic-range color image sensors and associated methods
JP2018160486A (ja) * 2017-03-22 2018-10-11 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子、電子機器
US10347675B2 (en) * 2017-03-23 2019-07-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor and image processing method using the same
KR102431210B1 (ko) * 2017-07-28 2022-08-11 에스케이하이닉스 주식회사 위상차 검출 픽셀을 구비한 이미지 센서
US10593712B2 (en) * 2017-08-23 2020-03-17 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with high dynamic range and infrared imaging toroidal pixels
US10475838B2 (en) * 2017-09-25 2019-11-12 Omnivision Technologies, Inc. Multi-pixel detector and associated method for increasing angular sensitivity
KR102494604B1 (ko) * 2017-10-31 2023-02-02 삼성전자주식회사 이미지 센서
KR102473149B1 (ko) * 2017-11-13 2022-12-02 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서
US20200348455A1 (en) * 2019-05-03 2020-11-05 Semiconductor Components Industries, Llc Imaging systems with improved microlenses
US11289523B2 (en) * 2019-09-06 2022-03-29 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with reduced petal flare
US10811453B1 (en) * 2019-11-01 2020-10-20 Omnivision Technologies, Inc. Pillar structures for suppressing optical cross-talk
US11217613B2 (en) * 2019-11-18 2022-01-04 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with split pixel structure and method of manufacturing thereof
US11329086B2 (en) * 2019-12-27 2022-05-10 Omnivision Technologies, Inc. Method and structure to improve image sensor crosstalk
US11469264B2 (en) * 2020-01-30 2022-10-11 Omnivision Technologies, Inc. Flare-blocking image sensor
US11393861B2 (en) * 2020-01-30 2022-07-19 Omnivision Technologies, Inc. Flare-suppressing image sensor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106449674A (zh) * 2015-08-05 2017-02-22 豪威科技股份有限公司 具有对称多像素相位差检测器的图像传感器及相关方法
CN107222663A (zh) * 2016-03-22 2017-09-29 豪威科技股份有限公司 减少光斑的成像系统和相关的图像传感器
CN108695348A (zh) * 2017-04-05 2018-10-23 豪威科技股份有限公司 芯片级图像传感器封装及相关制造方法
CN110475082A (zh) * 2018-05-09 2019-11-19 半导体元件工业有限责任公司 具有用于高动态范围成像像素的微透镜的图像传感器

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