CN113257706A - 一种外延片及其掺杂浓度的监控方法 - Google Patents

一种外延片及其掺杂浓度的监控方法 Download PDF

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CN113257706A CN202110798430.2A CN202110798430A CN113257706A CN 113257706 A CN113257706 A CN 113257706A CN 202110798430 A CN202110798430 A CN 202110798430A CN 113257706 A CN113257706 A CN 113257706A
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Abstract

本申请提供一种外延片及其掺杂浓度的监控方法，涉及半导体技术领域，根据待测外延片使用X射线衍射(XRD)技术测试，获取待测外延片重掺杂层的峰位值和衬底峰位值；根据E=（（Fc‑Fs）/2）×4×0.0036计算待测外延片的晶格失配度；E为待测外延片的晶格失配度，Fc为待测外延片重掺杂层的峰位值，Fs为待测外延片衬底的峰位值；根据E=－2×1023×ln (C)+3×1023计算待测外延片重掺杂层的掺杂浓度；C为待测外延片的重掺杂层的掺杂浓度。建立掺杂浓度与晶格失配峰位的对应关系，待测外延片进行XRD测试并监控峰位值，监控生产中待测外延片重掺杂层的掺杂浓度，使用非破坏性方式获得待测外延片测试结果。

Description

一种外延片及其掺杂浓度的监控方法
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种外延片及其掺杂浓度的监控方法。
背景技术
外延片指的是在一块加热至适当温度的衬底基片上，所生长出来的特定单晶薄膜。在外延片上进行光刻、腐蚀、金属加工等工艺，便于对产品使用。一般外延片通过在衬底上重掺杂形成外延层，可以降低导通电阻，可以有效提高触发电流。
重掺杂的浓度不同时，其外延片的性能不同。现有技术检测重掺杂浓度时一般有两种方式：一种通过Hall浓度测试仪检测，但其只能测试单层浓度，且所制备的样品必须在半绝缘衬底上制备，对厚度也有一定要求，不适合批量生产监控。另一种采用纵向载流子浓度分析仪测试浓度，其设备价格昂贵，且交期久，维护成本高，测试结果波动较大；同时，此测试属于破坏性测试，无法做到正式片上每片测试。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种外延片及其掺杂浓度的监控方法，能够在线测试每个外延片，提高测试精度和可操作性。
本申请实施例的一方面，提供了一种外延片掺杂浓度的监控方法，包括根据待测外延片对X射线的衍射信息，获取所述待测外延片的重掺杂层的峰位值和所述待测外延片的衬底的峰位值；根据E=（（Fc-Fs）/2）×4×0.0036计算所述待测外延片的晶格失配度；其中，E为所述待测外延片的晶格失配度，Fc为所述待测外延片的重掺杂层的峰位值，Fs为所述待测外延片的衬底的峰位值；根据E=－2×1023×ln (C)+3×1023计算所述待测外延片的重掺杂层的掺杂浓度；其中，C为所述待测外延片的重掺杂层的掺杂浓度，E为所述待测外延片的晶格失配度。
可选地，所述根据待测外延片对X射线的衍射信息，获取所述待测外延片的重掺杂层的峰位值和所述待测外延片的衬底的峰位值，并计算二者之间的峰位差之前，所述方法还包括：在所述衬底上至少形成一层所述重掺杂层，形成所述待测外延片。
可选地，所述在所述衬底上至少形成一层所述重掺杂层，形成所述待测外延片包括：向设置有所述衬底的反应室内通入第一反应源和第二反应源，在所述衬底上形成所述重掺杂层；其中，所述第一反应源为三甲基镓有机源和砷化氢气源，所述第二反应源为碳源或锌源或镁源。
可选地，所述在所述衬底上至少形成一层所述重掺杂层，形成所述待测外延片还包括：在N型砷化镓的所述衬底上依次形成N型砷化镓缓冲层、N型铝镓砷过渡层、铝镓砷下限制层、量子阱有源层、铝镓砷上限制层、P型铝镓砷过渡层和所述重掺杂层。
可选地，所述待测外延片的重掺杂层的掺杂浓度大于1×1018cm-3。
可选地，所述根据待测外延片对X射线的衍射信息，获取所述待测外延片的重掺杂层的峰位值和所述待测外延片的衬底的峰位值包括：采用X射线衍射仪扫描所述待测外延片，获取所述待测外延片的衍射信息。
可选地，所述根据E=－2×1023×ln (C)+3×1023计算所述待测外延片的重掺杂层的掺杂浓度之后，所述方法还包括：根据所述待测外延片的重掺杂层的掺杂浓度，分别调节所述第一反应源和所述第二反应源的流量，以在所述衬底上形成符合掺杂浓度的所述重掺杂层。
本申请实施例的另一方面，提供了一种外延片，包括衬底，所述衬底上至少设有一层重掺杂层，所述外延片在制备过程中，所述重掺杂层的掺杂浓度采用上述的外延片掺杂浓度的监控方法监控。
可选地，所述重掺杂层通过向设置有所述衬底的反应室内通入第一反应源和第二反应源，在所述衬底上形成所述重掺杂层；其中，所述第一反应源为三甲基镓有机源和砷化氢气源，所述第二反应源为碳源或锌源或镁源。
可选地，沿所述衬底向所述重掺杂层的方向，所述衬底和所述重掺杂层之间还依次设有N型砷化镓缓冲层、N型铝镓砷过渡层、铝镓砷下限制层、量子阱有源层、铝镓砷上限制层、P型铝镓砷过渡层，所述N型砷化镓缓冲层位于所述衬底上。
本申请实施例提供的外延片及其掺杂浓度的监控方法，在衬底上形成重掺杂层，以形成待测外延片，通过X射线照射待测外延片，根据待测外延片对X射线的衍射信息，获取待测外延片的重掺杂层的峰位值和待测外延片的衬底的峰位值；根据E=（（Fc-Fs）/2）×4×0.0036计算待测外延片的晶格失配度；其中，E为待测外延片的晶格失配度，Fc为待测外延片的重掺杂层的峰位值，Fs为待测外延片的衬底的峰位值；再根据E=－2×1023×ln (C)+3×1023计算待测外延片的重掺杂层的掺杂浓度；其中，C为待测外延片的重掺杂层的掺杂浓度。通过建立掺杂浓度与XRD晶格失配峰位的对应关系，建立待测外延片进行XRD测试并监控峰位值，以监控生产过程中待测外延片的重掺杂层的掺杂浓度，监控其掺杂稳定性，该方法的可操作性强，使用非破坏性测试方式，可以获得每个正式待测外延片测试结果，进而监控生产的稳定性，并及时反馈问题点，以提高待测外延片的性能。
进一步地，采用上述的外延片掺杂浓度的监控方法，可在外延片的生长过程中，在不破坏外延片的前提下，监控重掺杂层的掺杂浓度，并根据监控的掺杂浓度，调整相应参数，得到符合掺杂浓度的重掺杂层，以提高外延片的性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1是本实施例提供的外延片掺杂浓度的监控方法流程图；
图2是本实施例提供的外延片结构示意图；
图3是本实施例提供的外延片掺杂浓度和峰位关系图；
图4是本实施例提供的外延片晶格失配示意图；
图5是本实施例提供的X射线照射外延样品表面示意图。
图标：10-衬底；11-N型砷化镓缓冲层；12- N型铝镓砷过渡层；13-铝镓砷下限制层；14-量子阱有源层；15-铝镓砷上限制层；16-P型铝镓砷过渡层；17-重掺杂层。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
一般地，在衬底上重掺杂可形成外延片，外延片可以降低芯片的导通电阻，有效提高触发电流。外延片因掺杂的浓度不同而具有不同的性能，因此，常需要获知外延片的掺杂浓度。现有技术研发上一般使用Hall浓度测试仪(以下简称Hall)测试，但其只能测试单层浓度，且所制备的样品必须在半绝缘衬底上制备，对厚度也有一定要求，不适合生产监控。生产上一般采用纵向载流子浓度分析仪（以下简称ECV）测试浓度，其设备价格昂贵，且交期久，维护成本高。测试结果波动较大，为保证稳定性，对操作手法及标样要求较高。同时，此测试属于破坏性测试，无法做到正式片每片测试，否则会影响产出良率。
为解决上述问题，本申请实施例提供一种外延片掺杂浓度的监控方法，实现外延片的掺杂，且能够在不破坏外延片的前提下，监控外延片的掺杂浓度，实现在线测试每个外延片，提高测试精度和可操作性。
具体地，请参照图1，本申请实施例提供的外延片掺杂浓度的监控方法，该方法包括：
S10：在衬底10上至少形成一层重掺杂层17，形成待测外延片。
该S10步骤为外延片的生长过程，向设置有衬底10的反应室内通入第一反应源和第二反应源，在衬底10上形成重掺杂层17；其中，第一反应源为三甲基镓有机源和砷化氢气源，第二反应源为碳源或锌源或镁源。
重掺杂层17可为掺杂碳的P型砷化镓接触层，也可掺杂其他元素，例如还可掺杂锌、镁等元素，形成重掺杂的单层结构。
将衬底10放入反应室内，向反应室内通入两种反应源，可在衬底10上形成重掺杂层17，两种反应源的通入流量可根据实际需要设置。
其中，衬底10可为N型砷化镓衬底，重掺杂层17可为P型砷化镓接触层。
衬底10上除了形成一层重掺杂层17外，衬底10和重掺杂层17之间还依次形成N型砷化镓缓冲层11、N型铝镓砷过渡层12、铝镓砷下限制层13、量子阱有源层14、铝镓砷上限制层15、P型铝镓砷过渡层16，其中，N型砷化镓缓冲层11位于靠近衬底10的方向，重掺杂层17位于远离衬底10的方向，各层层叠设置。
在本申请的一个实施例中，外延片的结构示意图如图2所示，先在N型砷化镓的衬底10上，通入TMGa（三甲基镓）有机源和AsH3（砷化氢）气源，以及硅烷，生长一层N型砷化镓缓冲层11；再通入TMGa或TMAl（三甲基铝）有机源，和AsH3气源，以及硅烷，生长N型铝镓砷过渡层12；再通入TMGa或TMAl有机源，和AsH3气源，生长非掺杂的铝镓砷下限制层13；再通入TMIn（三甲基铟）或TMGa或TMAl有机源，和AsH3气源，生长非掺杂的量子阱有源层14；再通入TMGa或TMAl有机源，和AsH3气源，生长非掺杂的铝镓砷上限制层15；再通入TMGa或TMAl有机源，和AsH3气源，以及C源或Zn源或镁源，生长P型铝镓砷过渡层16；最后通入第一反应源TMGa有机源和AsH3气源，以及第二反应源C源或Zn源或镁源，生长一层重掺杂层17，示例地，本申请第二反应源为C源，以使重掺杂层17为掺杂碳的P型砷化镓接触层，生长结束后即获得如图3所示的全结构外延片，上述通入的各物质按实际需要具体确定通入的流量，这种生长方式是化学气相沉积，所有源包括硅烷按比例通入反应室，加热反应就可以生成所需外延层。
S100: 根据待测外延片对X射线的衍射信息，获取待测外延片的重掺杂层17的峰位值和待测外延片的衬底10的峰位值。
将全结构外延片进行XRD测试，采用X射线衍射仪扫描待测外延片，通过进行Omega-2theta扫描或进行2theta-Omega扫描，可以获得外延结构峰和衬底10峰信息，图3为不同掺杂浓度的重掺杂层17的XRD测试的结果对比图，可以说明不同掺杂浓度的待测外延片使用本申请实施例提供的方法是可以区分出来的，图3中纵坐标表示衍射光的光强，横坐标表示两倍的入射光与样品的锐角夹角的角度，其中L0峰为衬底10的峰位，L1-L3分别为不同掺杂浓度下重掺杂层17的掺杂峰位，从图3可看出，L0为衬底10的峰位，L0 右边的曲线峰位即为掺杂峰位，其中，L1为低掺杂外延片曲线的峰位，L2为中掺杂外延片曲线的峰位，L3为高掺杂外延片曲线的峰位。
在砷化镓的峰位里既包含了砷化镓掺硅的衬底10，还包含砷化镓掺硅的N型砷化镓缓冲层11。由于硅是N型掺杂剂，碳是P型掺杂剂，两种元素在砷化镓层里的替代元素方式不同，在砷化镓掺碳的外延层掺杂浓度>1×1018 cm-3的情况下，导致砷化镓的峰出现分裂。L0为衬底10和N型砷化镓缓冲层11的峰位，L1、L2、L3为不同掺杂浓度的重掺杂层17的峰位，衬底10的砷化镓峰和N型砷化镓缓冲层11的砷化镓峰因为接近仍在原位(66.03°)，而砷化镓掺碳的重掺杂接触层，也就是重掺杂层17峰位偏移向右边。这样就出现了峰位之间的偏差。
接收待测外延片的衍射信息，通过读取不同峰位的位置，通过计算可以获知待测外延片的重掺杂层17的峰位值和待测外延片的衬底10的峰位值之间的峰位差。
S110: 根据E=（（Fc-Fs）/2）×4×0.0036计算待测外延片的晶格失配度；其中，E为待测外延片的晶格失配度，Fc为待测外延片的重掺杂层17的峰位值，Fs为待测外延片的衬底10的峰位值。
晶格失配、衍射峰位、掺杂浓度之间具有转换关系。图4解释了为什么掺杂不同会造成晶格失配，通过监控XRD方式可以发现测试问题。其中，1点是大原子替位杂质，2处表示原子逃逸，3点是间隙杂质点，4处是空位杂质，5处表示杂质迁移，6点为小原子替位杂质；由于掺杂元素C(1点)的存在，导致GaAs晶格出现扩展，因此形成了晶格的不匹配，即晶格失配。当掺杂元素的量达到一定程度(>1×1018cm-3)的浓度情况下，晶格失配的情况就可以通过宏观测试获得，也就是XRD衍射识别。
如图5所示，为XRD衍射仪的原理，X射线照射到样品表面，进入样品内部，由于不同的晶格情况，反射情况不同，通过收集反射光线信息，可以获得样品晶格信息。从而计算晶体的信息。
S120: 根据E=－2×1023×ln (C)+3×1023计算待测外延片的重掺杂层17的掺杂浓度；其中，C为待测外延片的重掺杂层17的掺杂浓度，E为待测外延片的晶格失配度。
在监控的待测外延片XRD测试结果中，获知重掺杂层17与衬底10之间的峰位差，通过计算可以获得重掺杂层17的晶格失配度，进而通过公式得出掺杂浓度。一旦实际掺杂浓度与设定值不符，即可根据外延程序进行掺杂浓度的修正。使其恢复常规状态。
S130: 根据待测外延片的重掺杂层17的掺杂浓度，分别调节第一反应源和第二反应源的流量，以在衬底10上形成符合掺杂浓度的重掺杂层17。
测试得到待测外延片的重掺杂层17的掺杂浓度后，在外延片生长过程中，即可通过调节第一反应源和第二反应源的流量，以控制重掺杂层17的掺杂浓度，在衬底10上形成符合掺杂浓度的重掺杂层17。
本申请实施例提供的外延片掺杂浓度的监控方法，其原理是利用半导体材料可以通过掺杂改变外延片导电特性，控制所制备器件的性能和可靠性。掺杂浓度是衡量掺杂水平非常关键的工艺参数。机理上掺杂元素进入晶格后，在晶格内或成为替位原子或成为间隙原子，成为晶体材料的一部分，所以掺杂的半导体材料也被称为准单晶材料。掺杂原子因为替换或间隙原有原子会对晶体的晶格产生一定程度的影响，出现晶格失配情况，本申请实施例利用这种因为掺杂导致的晶格失配现象，提出一种新的掺杂监控的方法。
掺杂浓度随着掺入原子的增加而增加，其在原晶体中的含量也逐渐上升。随着掺杂原子的增加，晶格常数出现变化，本申请实施例利用X射线衍射仪(以下简称XRD)，通过测试外延层晶格失配程度，通过换算出重掺杂层17实际掺杂浓度，作为量产产品的外延生产监控手段，可以达到对每片正式外延片进行测试和监控，建立表格。同时也可以定期进行特定结构的外延掺杂浓度生长并测试，记录晶格失配程度，监控同结构的外延产品掺杂峰位。
通过XRD测试，发现不同掺杂浓度对应峰位不同的结果如图3所示。通过与衬底10峰位的对比，不同掺杂浓度对应的峰位曲线可以换算出晶格失配度，从而对相同掺杂浓度的外延片进行监控。
本申请实施例提供的外延片掺杂浓度的监控方法，衬底10上形成有重掺杂层17，以形成待测外延片，通过X射线照射待测外延片，根据待测外延片对X射线的衍射信息，获取待测外延片的重掺杂层17的峰位值和待测外延片的衬底10的峰位值，并计算二者之间的峰位差；根据E=（（Fc-Fs）/2）×4×0.0036计算待测外延片的晶格失配度；其中，E为待测外延片的晶格失配度，Fc为待测外延片的重掺杂层17的峰位值，Fs为待测外延片的衬底10的峰位值；再根据E=－2×1023×ln (C)+3×1023计算待测外延片的重掺杂层17的掺杂浓度；其中，C为待测外延片的重掺杂层17的掺杂浓度。通过建立掺杂浓度与XRD晶格失配峰位的对应关系，对待测外延片进行XRD测试并监控峰位值，以监控生产过程中待测外延片的重掺杂层17的掺杂浓度，监控其掺杂稳定性，该方法的可操作性强，使用非破坏性测试方式，可以获得每个正式待测外延片的测试结果，进而监控生产的稳定性，并及时反馈问题点，以提高待测外延片的性能。
本申请实施例还公开了一种外延片，包括衬底10，衬底10上至少设有一层重掺杂层17，外延片在制备过程中，重掺杂层17的掺杂浓度采用上述的外延片掺杂浓度的监控方法监控。
采用上述的外延片掺杂浓度的监控方法，可在外延片的生长过程中，在不破坏外延片的前提下，监控重掺杂层17的掺杂浓度，并根据监控的掺杂浓度，调整相应参数，得到符合掺杂浓度的重掺杂层17，以提高外延片的性能。
具体地，重掺杂层17通过向设置有衬底10的反应室内通入第一反应源和第二反应源，在衬底10上形成重掺杂层17；其中，第一反应源为三甲基镓有机源和砷化氢气源，第二反应源为碳源或锌源或镁源。
将衬底10放入反应室，向反应室内通入第一反应源和第二反应源，其中，第一反应源为三甲基镓有机源和砷化氢气源，第二反应源为碳源或锌源或镁源，然后通过沉积的方式可在衬底10上形成重掺杂层17，重掺杂层17可为P型砷化镓接触层。
在衬底10上依次层叠设有N型砷化镓缓冲层11、N型铝镓砷过渡层12、铝镓砷下限制层13、量子阱有源层14、铝镓砷上限制层15、P型铝镓砷过渡层16和重掺杂层17，得到全结构的外延片。
也就是沿衬底10向重掺杂层17的方向，衬底10和重掺杂层17之间还依次设有N型砷化镓缓冲层11、N型铝镓砷过渡层12、铝镓砷下限制层13、量子阱有源层14、铝镓砷上限制层15、P型铝镓砷过渡层16，N型砷化镓缓冲层11位于衬底10上。
综上，形成全结构的外延片时，可在衬底10上依次形成N型砷化镓缓冲层11、N型铝镓砷过渡层12、铝镓砷下限制层13、量子阱有源层14、铝镓砷上限制层15、P型铝镓砷过渡层16和重掺杂层17，其中，重掺杂层17的掺杂浓度可在外延片生长过程中进行监控。采用X射线衍射仪照射待测外延片，通过进行Omega-2theta扫描或进行2theta-Omega扫描，根据待测外延片对X射线的衍射信息，读取不同峰位的位置，计算待测外延片的重掺杂层17的峰位值和待测外延片的衬底10的峰位值之间的峰位差，根据晶格失配、衍射峰位、掺杂浓度之间的转换关系，不同掺杂浓度对应的峰位曲线可以换算出晶格失配度，从而对相同掺杂浓度的待测外延片进行监控。根据监控的结果，调整重掺杂层17的生长参数，可调整重掺杂层17的掺杂浓度。通过使用上述非破坏性的测试方式，可以获得每个待测外延片重掺杂层17的掺杂浓度的测试结果，监控重掺杂层17生长的稳定性。
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种外延片掺杂浓度的监控方法，其特征在于，包括：
根据待测外延片对X射线的衍射信息，获取所述待测外延片的重掺杂层的峰位值和所述待测外延片的衬底的峰位值；
根据E=（（Fc-Fs）/2）×4×0.0036计算所述待测外延片的晶格失配度；其中，E为所述待测外延片的晶格失配度，Fc为所述待测外延片的重掺杂层的峰位值，Fs为所述待测外延片的衬底的峰位值；
根据E=－2×1023×ln (C)+3×1023计算所述待测外延片的重掺杂层的掺杂浓度；其中，C为所述待测外延片的重掺杂层的掺杂浓度，E为所述待测外延片的晶格失配度。
2.根据权利要求1所述的外延片掺杂浓度的监控方法，其特征在于，所述根据待测外延片对X射线的衍射信息，获取所述待测外延片的重掺杂层的峰位值和所述待测外延片的衬底的峰位值之前，所述方法还包括：
在所述衬底上至少形成一层所述重掺杂层，形成所述待测外延片。
3.根据权利要求2所述的外延片掺杂浓度的监控方法，其特征在于，所述在所述衬底上至少形成一层所述重掺杂层，形成所述待测外延片包括：
向设置有所述衬底的反应室内通入第一反应源和第二反应源，在所述衬底上形成所述重掺杂层；其中，所述第一反应源为三甲基镓有机源和砷化氢气源，所述第二反应源为碳源或锌源或镁源。
4.根据权利要求2或3所述的外延片掺杂浓度的监控方法，其特征在于，所述在所述衬底上至少形成一层所述重掺杂层，形成所述待测外延片还包括：
在N型砷化镓的所述衬底上依次形成N型砷化镓缓冲层、N型铝镓砷过渡层、铝镓砷下限制层、量子阱有源层、铝镓砷上限制层、P型铝镓砷过渡层和所述重掺杂层。
5.根据权利要求1所述的外延片掺杂浓度的监控方法，其特征在于，所述待测外延片的重掺杂层的掺杂浓度大于1×1018cm-3。
6.根据权利要求1所述的外延片掺杂浓度的监控方法，其特征在于，所述根据待测外延片对X射线的衍射信息，获取所述待测外延片的重掺杂层的峰位值和所述待测外延片的衬底的峰位值包括：
采用X射线衍射仪扫描所述待测外延片，获取所述待测外延片的衍射信息。
7.根据权利要求3所述的外延片掺杂浓度的监控方法，其特征在于，所述根据E=－2×1023×ln (C)+3×1023计算所述待测外延片的重掺杂层的掺杂浓度之后，所述方法还包括：
根据所述待测外延片的重掺杂层的掺杂浓度，分别调节所述第一反应源和所述第二反应源的流量，以在所述衬底上形成符合掺杂浓度的所述重掺杂层。
8.一种外延片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上至少设有一层重掺杂层，所述外延片在制备过程中，所述重掺杂层的掺杂浓度采用如权利要求1～7任意一项所述的外延片掺杂浓度的监控方法监控。
9.根据权利要求8所述的外延片，其特征在于，所述重掺杂层通过向设置有所述衬底的反应室内通入第一反应源和第二反应源，在所述衬底上形成所述重掺杂层；其中，所述第一反应源为三甲基镓有机源和砷化氢气源，所述第二反应源为碳源或锌源或镁源。
10.根据权利要求8或9所述的外延片，其特征在于，沿所述衬底向所述重掺杂层的方向，所述衬底和所述重掺杂层之间还依次设有N型砷化镓缓冲层、N型铝镓砷过渡层、铝镓砷下限制层、量子阱有源层、铝镓砷上限制层、P型铝镓砷过渡层，所述N型砷化镓缓冲层位于所述衬底上。
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