CN113231906A - 晶片生成方法和晶片生成装置 - Google Patents

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CN113231906A CN202110052917.6A CN202110052917A CN113231906A CN 113231906 A CN113231906 A CN 113231906A CN 202110052917 A CN202110052917 A CN 202110052917A CN 113231906 A CN113231906 A CN 113231906A
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Abstract

本发明提供晶片生成方法和晶片生成装置，能够在不一一检测锭的上表面的高度的情况下生成应生成的厚度的晶片。晶片生成方法从半导体锭生成晶片，该晶片生成方法包含如下的工序：热应力波生成工序，向卡盘工作台所保持的半导体锭的上表面照射对于锭具有吸收性的波长的脉冲激光光线而生成热应力波，并使该热应力波在锭的内部传播；以及破碎层形成工序，按照在该热应力波生成工序中生成的热应力波以与锭的材质对应的音速在内部传播而到达相当于应生成的晶片的厚度的位置的时间，从锭的上表面照射对于锭具有透过性的波长的脉冲激光光线，在由于该热应力波的拉伸应力而使带隙变窄的区域中产生具有透过性的波长的脉冲激光光线的吸收，从而形成破碎层。

Description

晶片生成方法和晶片生成装置
技术领域
本发明涉及从半导体锭生成晶片的晶片生成方法以及从半导体锭生成晶片的晶片生成装置。
背景技术
IC、LSI、LED等器件在以硅、蓝宝石等为原材料的半导体晶片的正面上层叠有功能层并由与该功能层交叉的多条分割预定线划分而形成。
而且，通过切削装置、激光加工装置沿半导体晶片的分割预定线实施加工而将半导体晶片分割成各个器件芯片，从而用于移动电话、个人计算机等电子设备。
另外，功率器件、LED等例如在以单晶SiC为原材料的晶片的正面上层叠有功能层并由与该功能层交叉的多条分割预定线划分而形成。这样，形成有器件的晶片通常是利用线锯对半导体锭进行切片而生成的，对切片而得的晶片的正面和背面进行研磨而精加工成镜面(例如参照专利文献1)。
但是，在利用线锯切断锭并对正面和背面进行研磨而生成晶片的情况下，锭的70％～80％被舍弃，由此存在不经济的问题。特别是，在半导体锭是SiC锭的情况下，单晶SiC的硬度较高，难以利用线锯进行切断，生产率较差，并且由于SiC锭的单价较高，因此要求更高效地生产晶片。因此，本申请人提出了如下的技术：将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于SiC锭的内部并进行照射，在切断预定面上形成分离层，从而对晶片进行分离。(参照专利文献2)。
专利文献1：日本特开2000-094221号公报
专利文献2：日本特开2016-111143号公报
但是，在将激光光线的聚光点准确地定位于锭的内部并进行照射来形成分离层而对晶片进行分离的情况下，必须准确地检测锭的上表面的高度，另外，由于每次生成晶片时锭的上表面的高度发生变化，因此需要在每次生成1张晶片时检测锭的上表面的高度，存在生产率较差的问题。
发明内容
因此，本发明的目的在于，提供能够在不一一检测锭的上表面的高度的情况下生成应生成的厚度的晶片的晶片生成方法和晶片生成装置。
根据本发明的一个方面，提供一种晶片生成方法，从半导体锭生成晶片，其中，该晶片生成方法具有如下的工序：保持工序，将半导体锭保持于卡盘工作台；热应力波生成工序，向该卡盘工作台所保持的该半导体锭的上表面照射对于该半导体锭具有吸收性的波长的脉冲激光光线而生成热应力波，并使该热应力波在该半导体锭的内部传播；破碎层形成工序，按照在该热应力波生成工序中生成的热应力波以与该半导体锭的材质对应的音速在内部传播而到达相当于应生成的晶片的厚度的位置的时间，从该半导体锭的上表面照射对于该半导体锭具有透过性的波长的脉冲激光光线，在由于该热应力波的拉伸应力而使带隙变窄的区域中产生具有透过性的波长的该脉冲激光光线的吸收，从而形成破碎层；以及剥离工序，以该破碎层为起点将应生成的晶片从该半导体锭剥离。
优选的是，晶片生成方法还包含如下的平坦化工序：在该剥离工序之后，将锭的剥离面平坦化。
根据本发明的另一方面，提供一种晶片生成装置，其从半导体锭生成晶片，其中，该晶片生成装置具有：卡盘工作台，其对半导体锭进行保持；热应力波生成单元，其向该卡盘工作台所保持的半导体锭的上表面照射对于半导体锭具有吸收性的波长的脉冲激光光线而生成热应力波，并使该热应力波在半导体锭的内部传播；以及破碎层形成单元，其按照由该热应力波生成单元生成的热应力波以与半导体锭的材质对应的音速在内部传播而到达相当于应生成的晶片的厚度的位置的时间，从半导体锭的上表面照射对于半导体锭具有透过性的波长的脉冲激光光线，在由于该热应力波的拉伸应力而使带隙变窄的区域中产生具有透过性的波长的脉冲激光光线的吸收，从而形成破碎层。
优选的是，晶片生成装置还具有剥离单元，该剥离单元从由该破碎层形成单元形成的破碎层将晶片剥离。
根据本发明的晶片生成方法，能够不检测锭的上表面的高度而仅通过传播时间来控制所生成的晶片的厚度，该传播时间基于与构成锭的材质对应的音速，从而提高生产率。
另外，根据本发明的晶片生成装置，与晶片的生成方法同样地，能够不检测锭的上表面的高度而仅通过传播时间来控制所生成的晶片的厚度，该传播时间基于与构成锭的材质对应的音速，从而提高生产率。
附图说明
图1是本发明实施方式的晶片生成装置的整体立体图。
图2的(a)是示出配设于图1所示的晶片生成装置的激光光线照射单元的光学系统的框图，图2的(b)是将实施热应力波生成工序和破碎层形成工序时的锭的一部分放大示出的剖视图。
图3是示出剥离工序的实施方式的立体图。
图4是示出平坦化工序的实施方式的立体图。
标号说明
2：晶片生成装置；3：基台；4：保持单元；18：X轴方向可动板；20：Y轴方向可动板；22：卡盘工作台；5：移动机构；24：X轴方向移动机构；26：Y轴方向移动机构；6：激光光线照射单元；6A：第一激光光线生成部；61：第一激光光线振荡单元；611：第一激光振荡器；612：第一衰减器；62：反射镜；6B：第二激光光线生成部；63：第二激光光线振荡单元；631：第二激光振荡器；632：第二衰减器；64：延迟单元；6C：激光光线导入部；65：分色镜；66：反射镜；67：分度扫描器；68：掠描扫描器；69：聚光器；691：fθ透镜；7：磨削单元；7c：磨削磨轮；7d：磨削磨具；12：拍摄单元；14：显示单元；16：剥离单元；16a：外壳；16b：臂；16c：电动机；16d：吸附片；50：锭；52：上表面；54：下表面；H1：热应力波生成单元；H2：破碎层形成单元。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明实施方式的晶片生成方法和适于实施该晶片生成方法的晶片生成装置进行详细说明。
图1示出本实施方式的晶片生成装置2的整体立体图。晶片生成装置2具有：基台3；保持单元4，其对被加工物进行保持；移动机构5，其使保持单元4移动；激光光线照射单元6，其包含后述的热应力波生成单元和破碎层形成单元；拍摄单元12；显示单元14；剥离单元16；以及控制单元(省略图示)。
保持单元4包含：矩形状的X轴方向可动板18，其在X轴方向上移动自如地搭载于基台3；矩形状的Y轴方向可动板20，其在Y轴方向上沿着导轨18a、18a移动自如地搭载于X轴方向可动板18；以及圆筒形状的卡盘工作台22，其旋转自如地设置于Y轴方向可动板20的上表面上。另外，X轴方向是图1中箭头X所示的方向，Y轴方向是图1中箭头Y所示的方向且与X轴方向垂直的方向，XY平面实质上水平。
移动机构5包含X轴方向移动机构24和Y轴方向移动机构26。X轴方向移动机构24具有：滚珠丝杠28，其在基台3上沿X轴方向延伸；以及电动机30，其与滚珠丝杠28的一端部连结。滚珠丝杠28的螺母部(省略图示)固定于X轴方向可动板18的下表面上。而且，X轴方向移动机构24通过滚珠丝杠28将电动机30的旋转运动转换为直线运动并传递给X轴方向可动板18，使X轴方向可动板18沿着基台3上的导轨3a、3a在X轴方向上进退。Y轴方向移动机构26具有：滚珠丝杠32，其在X轴方向可动板18上沿Y轴方向延伸；以及电动机34，其与滚珠丝杠32的一端部连结。滚珠丝杠32的螺母部形成于Y轴方向可动板20的下表面侧。而且，Y轴方向移动机构26通过滚珠丝杠32将电动机34的旋转运动转换为直线运动并传递给Y轴方向可动板20，使Y轴方向可动板20沿着X轴方向可动板18上的导轨18a在Y轴方向上进退。在移动机构5中还包含有旋转机构(省略图示)，该旋转机构具有内置于卡盘工作台22的电动机，使卡盘工作台22相对于Y轴方向可动板20进行旋转。
在保持单元4的里侧竖立设置有框体36，该框体36具有从基台3的上表面向上方延伸的垂直壁部36a和实质上水平延伸的水平壁部36b。在水平壁部36b中内置有激光光线照射单元6的光学系统，该激光光线照射单元6包含本实施方式的热应力波生成单元和破碎层形成单元(随后进行详细叙述)。在框体36的水平壁部36b的前端下表面上配设有构成激光光线照射单元6的聚光器69。
拍摄单元12配设于水平壁部36b的前端下表面上且在X轴方向上与激光光线照射单元6的聚光器69隔开间隔的位置。拍摄单元12根据需要而包含：通常的拍摄元件(CCD)，其通过可见光线来进行拍摄；红外线照射单元，其向被加工物照射红外线；光学系统，其捕捉由红外线照射单元照射的红外线；以及拍摄元件(红外线CCD)等，其输出与该光学系所捕捉的红外线对应的电信号。显示拍摄单元12所拍摄的图像的显示单元14搭载于框体36的水平壁部36b的上表面上。
剥离单元16包含：长方体状的外壳16a，其从基台3上的导轨3a、3a的终端部向上方延伸；以及臂16b，其从被外壳16a支承为升降自如的基端沿X轴方向延伸。在外壳16a中内置有使臂16b升降的升降单元(省略图示)。在臂16b的前端配设有电动机16c。在电动机16c的下表面上连结有以沿上下方向延伸的轴线为中心旋转自如的圆盘状的吸附片16d。在吸附片16d的下表面上形成有多个吸引孔(省略图示)，吸附片16d经由流路而与吸引单元(省略图示)连接。另外，在吸附片16d中内置有对吸附片16d的下表面赋予超声波振动的超声波振动赋予单元(省略图示)。
该控制单元由计算机构成，其包含：中央处理装置(CPU)，其根据控制程序进行运算处理；只读存储器(ROM)，其存储控制程序等；以及能够读写的随机存取存储器(RAM)，其存储运算结果等。而且，该控制单元与移动机构5、激光光线照射单元6、拍摄单元12、显示单元14以及剥离单元16电连接，对各单元的动作进行控制。
在本实施方式中，成为被加工物的是图1所示的圆柱形状的Si锭(以下简称为锭)50，锭50具有圆形状的上表面52和位于上表面52的相反侧的圆形状的下表面54。
参照图2的(a)对内置于晶片生成装置2的水平壁部36b的激光光线照射单元6的光学系统进行说明。
图2的(a)所示的激光光线照射单元6的光学系统具有：第一激光光线生成部6A，其生成对于作为被加工物的锭50具有吸收性的波长的第一脉冲激光光线PL1；第二激光光线生成部6B，其生成对于锭50具有透过性的波长的第二脉冲激光光线PL2；以及激光光线导入部6C，其将由第一激光光线生成部6A生成的第一脉冲激光光线PL1和由第二激光光线生成部6B生成的第二脉冲激光光线PL2照射到保持单元4所保持的锭50的上表面52。
本实施方式的第一激光光线生成部6A具有：第一激光光线生成单元61；以及反射镜62，其变更从第一激光光线生成单元61射出的第一脉冲激光光线PL1的光路。第一激光光线生成单元61具有：第一激光振荡器611，其射出例如波长为355nm的第一脉冲激光光线PL1；以及第一衰减器612，其将从第一激光振荡器611射出的第一脉冲激光光线PL1的输出调整为期望的输出并朝向该反射镜62射出。
第二激光光线生成部6B具有：第二激光光线生成单元63；以及延迟单元64，其使从第二激光光线生成单元63射出的第二脉冲激光光线PL2延迟期望的时间。第二激光光线生成单元63具有：第二激光振荡器631，其射出例如波长为1064nm的第二脉冲激光光线PL2；以及第二衰减器632，其对从第二激光振荡器631射出的第二脉冲激光光线PL2的输出进行调整并射出。第二激光振荡器631被设定为以与上述第一激光振荡器611相同的重复频率进行动作，并按照与第一脉冲激光光线PL1同步的时机射出第二脉冲激光光线PL2。使从第二激光振荡器631射出的第二脉冲激光光线PL2延迟的延迟单元64例如通过经由长度与所延迟的时间对应的光纤(省略图示)而输出第二脉冲激光光线PL2来实现。
激光光线导入部6C具有：分色镜65，其对被第一激光光线生成部6A的反射镜62反射的第一脉冲激光光线PL1进行反射，使从第二激光光线生成部6B引导的第二脉冲激光光线PL2透过；反射镜66，其变更从分色镜65射出的光的光路；分度扫描器67，其例如由电扫描器构成，将被反射镜66反射的光沿着卡盘工作台22上的Y轴方向进行分度；掠描扫描器68，其例如由共振扫描器构成，沿着卡盘工作台22上的X轴方向扫描被反射镜66反射的光；以及聚光器69，其包含fθ透镜691，该fθ透镜691将从掠描扫描器68射出的光聚光于卡盘工作台22所保持的锭50的上表面52的由X轴坐标和Y轴坐标确定的规定的位置来进行照射。被引导至上述分色镜65的第一脉冲激光光线PL1和第二脉冲激光光线PL2照射到卡盘工作台22上的同一区域。
通过上述第一激光光线生成部6A和激光光线导入部6C形成本发明的热应力波生成单元H1。热应力波生成单元H1是如下的单元：其向保持单元4所保持的锭50的上表面52照射对于锭50具有吸收性的波长的脉冲激光光线PL1而生成热应力波，并使该热应力波在锭50的内部传播。
另外，通过上述第二激光光线生成部6B和激光光线导入部6C形成本发明的破碎层形成单元H2。破碎层形成单元H2是如下的单元：按照通过热应力波生成单元H1在锭50的上表面52生成的热应力波以与锭50的材质对应的音速在锭50的内部传播而到达距离锭50的上表面52相当于应生成的晶片W的厚度的深度位置(例如距锭50的上表面(52)为1mm的深度)的规定的时间，从锭50的上表面52照射对于锭50具有透过性的波长的第二脉冲激光光线PL2，在由于该热应力波的拉伸应力而使带隙变窄的区域中产生第二脉冲激光光线PL2的吸收，从而形成破碎层。
参照图2的(a)和图2的(b)对能够使用上述晶片生成装置2实施的从锭50生成晶片W的晶片生成方法的实施方式进行更具体的说明。
在从锭50生成期望的厚度(1mm)的晶片W时，首先，将锭50保持于保持单元4的卡盘工作台22上(保持工序)。更具体而言，使粘接剂(例如环氧树脂系粘接剂)介于卡盘工作台22的上表面与锭50的底面54之间，将锭50固定于卡盘工作台22上。
接着，在实施热应力波生成工序和破碎层形成工序时，首先，使移动机构5进行动作，使卡盘工作台22移动到拍摄单元12的正下方，利用拍摄单元12拍摄锭50，检测应开始加工的位置(对准工序)。接着，通过未图示的控制单元对移动机构5进行控制，将锭50的上表面52的规定的加工开始位置定位于聚光器69的下方。
接着，使热应力波生成单元H1进行动作，生成对于锭50的材质(Si：硅)具有吸收性的波长为355nm的第一脉冲激光光线PL1，并经由激光光线导入部6C照射到锭50的上表面52的规定的位置(热应力波生成工序)。
在上述热应力波生成工序中实施的激光光线照射条件例如如下所示。另外，在热应力波生成工序中，由热应力波生成单元H1的第一衰减器612调整的第一脉冲激光光线PL1的平均输出被调整为以下程度的较低的输出：虽然第一脉冲激光光线PL1是对于锭50具有吸收性的激光光线，但在锭50的上表面52不产生烧蚀。
波长：355nm
重复频率：50kHz
平均输出：1W
脉冲宽度：100ps以下
当通过上述热应力波生成工序向锭50的上表面52照射第一脉冲激光光线PL1时，锭50的上表面52被热激励，如图2的(b)所示，因该热激励而产生的热应力波如图中N1→N2→N3所示的那样在锭50的内部传播。该热应力波N1～N3传播的速度是与构成锭50的材质(Si)对应的音速(9620m/s)。在硅等半导体中传播的热应力波N1～N3是短脉冲的拉伸应力波，在施加了拉伸应力的位置，带隙比通常窄。即，带隙较窄的区域从上表面52朝向下表面54传播。而且，与上述热应力波生成工序一起实施的破碎层形成工序如下所述实施。
在实施破碎层形成工序时，使破碎层形成单元H2进行动作，通过第二激光振荡器631与第一激光振荡器611同步地以相同的重复频率(50kHz)射出对于构成锭50的材质(Si：硅)具有透过性的波长(1064nm)的第二脉冲激光光线PL2。接着，通过第二衰减器632将第二脉冲激光光线PL2调整为规定的输出，并通过延迟单元64使第二脉冲激光光线PL2相对于第一脉冲激光光线PL1延迟规定的时间而输出。由第二激光光线生成部6B的延迟单元64延迟的该规定的时间是指：在上述热应力波生成工序中生成于锭50的上表面52的热应力波以在锭50的内部传播的音速(9620m/s)到达相当于应生成的晶片W的厚度的深度位置(1mm)的时间，该规定的时间在本实施方式中为103.9ns。该第二脉冲激光光线PL2经由激光光线导入部6C照射到锭50的上表面52的被照射第一脉冲激光光线PL1的区域。
在上述破碎层形成工序中实施的激光光线照射条件例如如下所示。
波长：1064nm
重复频率：50kHz
平均输出：10W
脉冲宽度：10ns
在实施上述热应力波生成工序和破碎层形成工序时，使由破碎层形成单元H2照射的第二脉冲激光光线PL2相对于第一脉冲激光光线PL1延迟规定的时间(103.9ns)。由此，如图2的(b)所示，第一脉冲激光光线PL1照射到锭50的上表面52而形成热应力波(N1～N3)，并以与构成锭50的材质对应的音速(传播速度)传播，在距上表面52成为应生成的晶片W的厚度的1mm的深度位置P处形成带隙变窄的区域，在该区域中第二脉冲激光光线PL2被吸收，对锭50施加破坏性应力而使锭50局部破碎。
如上所述，本实施方式的晶片生成装置2具有掠描扫描器68和分度扫描器67，使图2的(a)所示的掠描扫描器68和分度扫描器67进行动作，经由fθ透镜691而在由X轴坐标、Y轴坐标规定的规定区域内依次照射第一脉冲激光光线PL1和第二脉冲激光光线PL2，在规定区域内，在距上表面(52)为1mm的深度处形成破碎层S。进而，使移动机构5进行动作，使卡盘工作台22在X轴方向和Y轴方向上移动，将在锭50中未照射第一脉冲激光光线PL1和第二脉冲激光光线PL2的各区域依次定位于能够从聚光器69照射第一脉冲激光光线PL1和第二脉冲激光光线PL2的区域，实施上述热应力波生成工序和破碎层形成工序，在锭50的整个区域中，在距锭50的上表面(52)为1mm的深度处形成破碎层S。
接着，实施以破碎层S为起点将晶片W从锭50剥离的剥离工序。以下，参照图1和图3对该剥离工序的步骤进行说明。
在实施剥离工序时，首先，通过移动机构5使卡盘工作台22移动到构成剥离单元16的吸附片16a的下方。接着，使内置于外壳16a的升降单元(省略图示)进行动作，使臂16b下降，如图3所示，使锭50与吸附片16d的下表面紧贴。接着，使未图示的吸引单元进行动作，使吸附片16d的下表面吸附于锭50的上表面，使省略图示的超声波振动赋予单元进行动作，对吸附片16d的下表面赋予超声波振动，并且使电动机16c进行动作而使吸附片16d进行旋转。由此，能够以形成于锭50的内部的破碎层S为界面而将锭50的上表面侧的区域剥离，从而能够生成期望的厚度(1mm)的晶片W。由此，完成剥离工序。在实施了该剥离工序之后，通过再次对锭50实施上述热应力波生成工序、破碎层形成工序以及剥离工序，能够从锭50反复生成晶片W。
根据上述实施方式，向锭50的上表面52照射对于锭50具有吸收性的波长的第一脉冲激光光线PL1，生成热应力波并使热应力波传播，并照射按照该热应力波传播到与应生成的晶片W的厚度对应的位置的时间(103.9ns)延迟的第二脉冲激光光线PL2，由此能够在应生成的晶片W的厚度(1mm)的位置生成破碎层S，从而能够在不检测锭50的上表面的高度的情况下控制晶片W的厚度，提高生产率。
如上所述，在实施了剥离工序的情况下，晶片W被剥离后的锭50的剥离面即新的上表面52由于剥离层S的影响而成为粗糙面。由此，在从锭50反复生成晶片W的情况下，优选实施使晶片W被剥离后的锭50的新的上表面52平坦化的平坦化工序。
为了实施使锭50的上表面52平坦化的平坦化工序，将上表面52成为剥离面的锭50搬送到另外准备的磨削装置，对上表面52进行磨削而平坦化，或者，在上述晶片生成装置2中设置磨削单元，对锭50的上表面52进行磨削。在本实施方式中，在晶片生成装置2的基台3上设置图4所示的磨削单元7(仅示出一部分)，实施使锭50的上表面52平坦化的平坦化加工。
磨削单元7具有：主轴7a，其具有省略图示的伺服电动机，由该伺服电动机驱动；轮安装座7b，其配设于主轴7a的下端；磨削磨轮7c，其固定于轮安装座7b；以及多个磨削磨具7d，它们呈环状配设于磨削磨轮7c的下表面上，通过未图示的升降单元来精密地控制磨削单元7在磨削进给方向(上下方向)上的位置。
在实施平坦化工序时，如图4所示，将保持着锭50的卡盘工作台22定位于上述磨削单元7的下方。接着，通过使未图示的旋转驱动单元进行动作，使卡盘工作台22以例如300rpm的旋转速度向箭头所示的方向进行旋转，并且通过使该伺服电动机进行动作，使磨削磨轮7c以例如6000rpm的旋转速度进行旋转。接着，通过使该升降单元进行动作，使磨削单元7下降，使磨削磨具7d与作为剥离面的锭50的上表面52接触。在使磨削磨具7d与锭50的上表面52接触之后，使磨削单元7以规定的磨削进给速度(例如0.1μm/秒)下降。由此，通过磨削磨具7d使锭50的上表面52平坦化。在这样使锭50的上表面52平坦化之后，再次实施上述热应力波生成工序、破碎层形成工序、剥离工序以及平坦化工序。通过重复进行这样的晶片生成方法，高效地从锭50生成多个晶片W。另外，在上述实施方式中，对使用磨削单元7来实施平坦化工序的例子进行了说明，但本发明并不限定于此，也可以通过使用了研磨垫的研磨单元来实施平坦化工序。
本发明并不限定于上述实施方式。例如，在上述实施方式中，在热应力波生成单元H1和破碎层形成单元H2中共用激光光线导入部6C，从同一方向照射第一脉冲激光光线PL1和第二脉冲激光光线PL2，但不需要一定从同一方向照射，也可以在热应力波生成单元H1和破碎层形成单元H2中配设各自的激光光线导入部，从不同的角度照射第一脉冲激光光线PL1和第二脉冲激光光线PL2。

Claims (4)

1.一种晶片生成方法，从半导体锭生成晶片，其中，
该晶片生成方法具有如下的工序：
保持工序，将半导体锭保持于卡盘工作台；
热应力波生成工序，向该卡盘工作台所保持的该半导体锭的上表面照射对于该半导体锭具有吸收性的波长的脉冲激光光线而生成热应力波，并使该热应力波在该半导体锭的内部传播；
破碎层形成工序，按照在该热应力波生成工序中生成的热应力波以与该半导体锭的材质对应的音速在内部传播而到达相当于应生成的晶片的厚度的位置的时间，从该半导体锭的上表面照射对于该半导体锭具有透过性的波长的脉冲激光光线，在由于该热应力波的拉伸应力而使带隙变窄的区域中产生具有透过性的波长的该脉冲激光光线的吸收，从而形成破碎层；以及
剥离工序，以该破碎层为起点将应生成的晶片从该半导体锭剥离。
2.根据权利要求1所述的晶片生成方法，其中，
该晶片生成方法还具有如下的平坦化工序：在该剥离工序之后，将该半导体锭的剥离面平坦化。
3.一种晶片生成装置，其从半导体锭生成晶片，其中，
该晶片生成装置具有：
卡盘工作台，其对半导体锭进行保持；
热应力波生成单元，其向该卡盘工作台所保持的该半导体锭的上表面照射对于该半导体锭具有吸收性的波长的脉冲激光光线而生成热应力波，并使该热应力波在该半导体锭的内部传播；以及
破碎层形成单元，其按照由该热应力波生成单元生成的热应力波以与该半导体锭的材质对应的音速在内部传播而到达相当于应生成的晶片的厚度的位置的时间，从该半导体锭的上表面照射对于该半导体锭具有透过性的波长的脉冲激光光线，在由于该热应力波的拉伸应力而使带隙变窄的区域中产生具有透过性的波长的该脉冲激光光线的吸收，从而形成破碎层。
4.根据权利要求3所述的晶片生成装置，其中，
该晶片生成装置还具有剥离单元，该剥离单元从由该破碎层形成单元形成的破碎层将晶片剥离。
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