CN113228150A - 包括光学指纹感测电路的像素电路、驱动像素电路的方法和有机发光显示装置 - Google Patents

包括光学指纹感测电路的像素电路、驱动像素电路的方法和有机发光显示装置 Download PDF

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Abstract

公开了一种包括光学指纹感测电路的像素电路、驱动包括该光学指纹感测电路的像素电路的方法、以及具有包括该光学指纹感测电路的像素电路的显示装置。根据本公开内容，包括光学指纹感测电路的像素电路包括像素控制电路，像素控制电路包括：接收光并产生第一信号的第一光接收元件；接收光并产生第二信号的第二光接收元件；和自发光元件，自发光元件接收第一信号和所述第二信号的差分信号并输出一输出信号，自发光元件包括至少一个晶体管部件和至少一个电容器部件并且基于数据信号输出光。

Description

包括光学指纹感测电路的像素电路、驱动像素电路的方法和 有机发光显示装置
技术领域
本公开内容涉及一种包括光学指纹感测电路的像素电路、驱动包括该光学指纹感测电路的像素电路的方法、以及具有包括该光学指纹感测电路的像素电路的显示装置(Pixel circuit including optical fingerprint sensing circuit,Method fordriving the pixel circuit and Display device)。
本申请要求于2018年12月31日提交的韩国专利申请第10-2018-0173480号的优先权，通过引用将该专利申请的整个内容并入本文。
背景技术
图像显示装置目前被用于基于计算机的系统(computer based system)，诸如笔记本电脑、平板电脑(tablet PC)、智能电话(smart phone)、个人数字助理(PersonalDigital Assistant)、自动柜员机(Automated Teller Machine)和搜索导航系统中。这些系统通常不仅存储涉及个人隐私的个人信息，而且还存储大量机密数据，诸如商业信息或商业秘密。为了保护这些数据，需要加强安全性。
指纹可用作加强安全性的方式。随着手指的指纹用在基于计算机的系统中，正对包括指纹识别器件的图像显示装置进行积极研究，指纹识别器件有望广泛用在智能电话中。
通常，包括指纹感测电路的图像显示装置以光学感测方式或电容方式识别指纹。
以光学感测方式识别指纹的图像显示装置在显示面板上设置有包括诸如指纹传感器之类的光接收元件的指纹识别电路。光接收元件感测从显示面板发射并被指纹反射的光并且产生光电流。在此，从光接收元件产生的光电流的量根据反射光的物体是指纹的脊(ridge)还是谷(valley)而变化。指纹识别电路通过光电流的变化量识别指纹的形式。
发明内容
技术问题
为了以光学感测方式识别指纹，需要例如具有500PPI以上的高分辨率的指纹识别电路。
为了开发具有高分辨率的指纹识别电路的目的，本发明的发明人认识到需要去除指纹识别电路与像素电路之间的重复元件并且将指纹识别电路和像素电路集成。
当像素电路和指纹识别电路集成时，由于像素电路与指纹识别电路之间的距离较小，所以从自发光元件发射的大量的光不会到达指纹，并且可从玻璃或电极(electrode)反射，然后返回像素电路的光接收元件。此外，光接收元件可接收从显示装置的外部入射的光，例如，太阳光或室内照明设备的光。当这种直射光入射到指纹识别电路上时，光接收元件可能无法正确地识别被指纹反射的光，因为直射光的量可能大于指纹光的量。最终，发生了指纹识别电路的指纹识别率降低的问题。本发明的发明人进行了研究来克服上述问题。
在此，设计本公开内容来解决上述问题，提供了一种在不受未被指纹反射的直射光影响的情况下识别指纹的集成像素电路。
技术方案
一个实施方式是一种包括光学指纹感测电路的像素电路。所述像素电路包括：显示图像的自发光元件；光接收元件，所述光接收元件接收从所述自发光元件发射并从用户的指纹反射的光并且将所述光转换为光电流；和像素控制电路。所述光接收元件包括产生第一信号的第一光接收元件和产生第二信号的第二光接收元件。所述像素控制电路通过计算所述第一信号和所述第二信号来产生输出信号，并且所述像素控制电路包括至少一个晶体管部件和至少一个电容器部件。
所述像素控制电路将所述第一信号和所述第二信号差分并因而产生被去除了噪声信号的所述输出信号。
所述像素控制电路进一步包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第一电容器和第二电容器。所述第一晶体管的第一端子连接至数据线，所述第一晶体管的第二端子连接至第一节点，并且所述第一晶体管的栅极端子连接至第n扫描线。所述第二晶体管的第一端子连接至第二节点，所述第二晶体管的第二端子连接至第三节点，并且所述第二晶体管的栅极端子连接至第四节点。所述第三晶体管的第一端子连接至所述第四节点，所述第三晶体管的第二端子连接至所述第三节点，并且所述第三晶体管的栅极端子连接至第(n-1)扫描线。所述第四晶体管的第一端子连接至所述第一节点，所述第四晶体管的第二端子连接至所述第二光接收元件的阴极(Cathode)端子，并且所述第四晶体管的栅极端子连接至第一感测(sensing)线。所述第五晶体管的第一端子连接至所述第一光接收元件的阳极端子，所述第五晶体管的第二端子连接至所述第一节点，并且所述第五晶体管的栅极端子连接至所述第一感测线。所述第六晶体管的第一端子连接至所述第三节点，所述第六晶体管的第二端子接地，并且所述第六晶体管的栅极端子连接至所述第一感测线。所述第七晶体管的第一端子连接至所述第二节点，所述第七晶体管的第二端子连接至输出线，并且所述第七晶体管的栅极端子连接至第二感测线。所述第一电容器的第一端子连接至所述第一节点，并且所述第一电容器的第二端子连接至所述第四节点。所述第二电容器的第一端子连接至所述第一节点，并且所述第二电容器的第二端子接地。所述第一光接收元件的阴极端子连接至电源VDD，并且所述第二光接收元件接地。
所述像素控制电路进一步包括第八晶体管、第九晶体管和第十晶体管。所述第八晶体管的第一端子连接至所述电源VDD，所述第八晶体管的第二端子连接至所述第一节点，并且所述第八晶体管的栅极端子连接至所述第(n-1)扫描线。所述第九晶体管的第一端子连接至所述电源，所述第九晶体管的第二端子连接至所述第二节点，并且所述第九晶体管的栅极端子连接至第一发光(emission)线。所述第十晶体管的第一端子连接至所述第三节点，所述第十晶体管的第二端子连接至所述自发光元件的阳极端子，并且所述第十晶体管的栅极端子连接至第二发光线。所述自发光元件的阴极端子接地。
所述像素控制电路进一步包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管。所述第一晶体管的第一端子连接至数据线，所述第一晶体管的第二端子连接至第一节点，并且所述第一晶体管的栅极端子连接至第n扫描线。所述第二晶体管的第一端子连接至所述第一节点，所述第二晶体管的第二端子连接至第二节点，并且所述第二晶体管的栅极端子连接至第三节点。所述第三晶体管的第一端子连接至所述第三节点，所述第三晶体管的第二端子连接至所述第二节点，并且所述第三晶体管的栅极端子连接至所述第n扫描线。所述第四晶体管的第一端子连接至所述第三节点，所述第四晶体管的第二端子连接至所述第二光接收元件的阴极(Cathode)端子，并且所述第四晶体管的栅极端子连接至第一感测(sensing)线。所述第五晶体管的第一端子连接至所述第一光接收元件的阳极(Anode)端子，所述第五晶体管的第二端子连接至所述第三节点，并且所述第五晶体管的栅极端子连接至所述第一感测线。所述第六晶体管的第一端子连接至所述第二节点，所述第六晶体管的第二端子接地，并且所述第六晶体管的栅极端子连接至所述第一感测线。所述第七晶体管的第一端子连接至所述第一节点，所述第七晶体管的第二端子连接至输出线，并且所述第七晶体管的栅极端子连接至第二感测线。所述第一光接收元件的阴极端子连接至电源VDD，并且所述第二光接收元件的阳极端子接地。
所述像素控制电路进一步包括第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管和第十一晶体管。所述第八晶体管的第一端子连接至初始化线，所述第八晶体管的第二端子连接至所述第三节点，并且所述第八晶体管的栅极端子连接至第(n-1)扫描线。所述第九晶体管的第一端子连接至所述初始化线，所述第九晶体管的第二端子连接至所述自发光元件的阳极(anode)端子，并且所述第九晶体管的栅极端子连接至所述第(n-1)扫描线。所述第十晶体管的第一端子连接至所述电源，所述第十晶体管的第二端子连接至所述第一节点，并且所述第十晶体管的栅极端子连接至发光(emission)线。所述第十一晶体管的第一端子连接至所述第二节点，所述第十一晶体管的第二端子连接至所述自发光元件的所述阳极端子，并且所述第十一晶体管的栅极端子连接至所述发光线。所述电容器的第一端子连接至所述电源，并且所述电容器的第二端子连接至所述第三节点。所述自发光元件的阴极端子接地。
所述像素控制电路进一步包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管。所述第一晶体管的第一端子连接至数据线，所述第一晶体管的第二端子连接至第一节点，并且所述第一晶体管的栅极端子连接至第n扫描线。所述第二晶体管的第一端子连接至第二节点，所述第二晶体管的第二端子连接至第三节点，并且所述第二晶体管的栅极端子连接至所述第一节点。所述第三晶体管的第一端子连接至所述第一节点，所述第三晶体管的第二端子连接至所述第二光接收元件的阴极(Cathode)端子，并且所述第三晶体管的栅极端子连接至第一感测(sensing)线。所述第四晶体管的第一端子连接至所述第一光接收元件的阳极端子，所述第四晶体管的第二端子连接至所述第一节点，并且所述第四晶体管的栅极端子连接至所述第一感测线。所述第五晶体管的第一端子连接至所述第三节点，所述第五晶体管的第二端子接地，并且所述第五晶体管的栅极端子连接至所述第一感测线。所述第六晶体管的第一端子连接至所述第二节点，所述第六晶体管的第二端子连接至输出线，并且所述第六晶体管的栅极端子连接至第二感测线。所述第一光接收元件的阴极端子连接至电源VDD，并且所述第二光接收元件的阳极端子接地。
所述像素控制电路进一步包括第七晶体管。所述第七晶体管的第一端子连接至所述电源，所述第七晶体管的第二端子连接至所述第二节点，并且所述第七晶体管的栅极端子连接至发光(emission)线。所述电容器的第一端子连接至所述电源，并且所述电容器的第二端子连接至所述第一节点。所述自发光元件的阳极端子连接至所述第三节点，并且所述自发光元件的阴极端子接地。
有益效果
根据本公开内容，由于基于用于充电的第一光接收元件或用于放电的第二光接收元件，输出电压可保持在VREF/2附近，所以可防止像素电路的输出电压被削波。
此外，根据本公开内容，通过使用差分信号，即，共同流过第一光接收元件和第二光接收元件的电流之间的差来感测指纹，使得可减小自发光元件的光或来自外部的光产生的信号，即，噪声的影响，并且可防止削波现象。
附图说明
图1示出了包括自发光元件和光接收元件的电路的剖面；
图2示出了根据现有技术的像素电路；
图3示出了根据本公开内容实施方式的像素电路；
图4是示出流过根据现有技术的像素电路的光接收元件的电流的曲线图；
图5是示出流过根据本公开内容实施方式的光接收元件的电流的曲线图；
图6是示出根据本公开内容实施方式的输出电压的曲线图；
图7示出了根据本公开内容实施方式的像素电路；
图8示出了根据本公开内容实施方式的像素电路；
图9示出了根据本公开内容实施方式的像素电路；
图10是示出根据本公开内容实施方式的第一节点的电压的曲线图；
图11是示出根据本公开内容实施方式的第一节点的电压的曲线图。
具体实施方式
公开的实施方式的特征和优点及实现方法将从以下描述的实施方式以及附图变得更加显然。本公开内容不限于以下公开的实施方式，而是可以以各种不同的形式实现。这些实施方式是使本发明公开完整，提供这些实施方式仅用来使本领域技术人员充分理解本发明的范围。
根据本公开内容的实施方式，“部分”可实现为处理器和/或存储器。术语“处理器”可广义地解释为包括通用处理器、中央处理单元(CPU)、微处理器、数字信号处理器(DSP)、控制器，微控制器、状态机等。在一些情况下，“处理器”可指专用集成电路(ASIC)、可编程逻辑器件(PLD)、现场可编程门阵列(FPGA)等。术语“处理器”是指处理器件的组合，例如，DSP和微处理器的组合、多个微处理器的组合、一个或多个微处理器与DSP内核的组合、或者任意其他这种配置的组合。
术语“存储器”应当广义地解释为包括能够存储电信息的任何电子部件。术语存储器是指各种类型的处理器可读介质，诸如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、非易失性随机存取存储器(NVRAM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、带电可擦除PROM(EEPROM)、闪存、磁性或光学数据存储、寄存器等。如果处理器能够从存储器读取信息和/或向存储器写入信息，则就说该存储器与处理器进行电子通信。集成在处理器中的存储器与处理器进行电子通信。
术语“信号”是指电压或电流的电信号。
下文中，将参照附图详细描述实施方式，以使得本领域普通技术人员能够容易实现这些实施方式。此外，在附图中，为了清楚地描述本公开内容，可能省略与描述无关的部分。
图1示出了包括自发光元件和光接收元件的电路的剖面。
自发光元件可包括电致发光元件(electroluminescence element)、OLED、QD-LED(量子点LED)、Micro-LED等。光接收元件PD例如可以是光电二极管。
如图1中所示，当像素电路和指纹识别电路集成时，像素电路与指纹识别电路之间的距离会较小。由于显示面板的这种结构，光接收元件PD不仅会接收被指纹(Fingerprint)反射的光120，还会接收从自发光元件发射并且从玻璃或电极(electrode)反射而未到达指纹的光。此外，光接收元件PD会接收来自显示装置外部的光(图中未示出)。
在以下描述中，从玻璃或电极反射的光和来自显示装置外部的光被称为“直射光”。此外，被指纹反射的光被称为“指纹光”。
当这种直射光130入射到指纹识别电路上时，由于直射光130的量可大于指纹光120的量，所以光接收元件无法正确地识别被指纹反射的光，最终发生指纹识别电路的指纹识别率降低的问题。
图2示出了根据现有技术的像素电路。
像素电路210示出了其中像素电路和指纹识别电路集成的情况。像素电路210可包括一个光接收元件、至少一个晶体管部件T1、和至少一个电容器部件CINT。像素电路210可设置在显示面板上。例如，像素电路210的光接收元件可设置在第一位置221。此外，像素电路210的其余部分可设置在第二位置222。一个像素电路210包括一个光接收元件，并且光接收元件接收自发光元件的光、来自外部的光、和从指纹反射的光。
来自外部的光可表示太阳光或从显示装置的外部，诸如荧光灯产生的光。此外，自发光元件的光可表示由自发光元件产生的光或从显示面板的玻璃、电极等反射而不是被指纹反射的自发光元件的光。从指纹反射的光可表示被指纹反射而从指纹发射的自发光元件的光或来自外部的光。
自发光元件的光和来自外部的光可比从指纹反射的光强。因此，像素电路210通过使用从指纹反射的光可能难以识别指纹。特别是，在相同区域内集成的像素电路210越多，自发光元件的光的影响越大，因而像素电路210的指纹识别率会降低。
图3示出了根据本公开内容实施方式的像素电路。
包括光学指纹感测电路的像素电路310可包括第一光接收元件311、第二光接收元件312、和像素控制电路313。
光接收元件将从自发光元件发射并从用户的手指反射的光以反方向转换为光电流。在此，从光接收元件产生的光电流的量根据反射光的物体是指纹的脊(Ridge)还是谷(Valley)而变化。在此，由从谷反射的光导致的光电流可大于由从脊反射的光导致的光电流。然而，本发明不限于此，由从谷反射的光导致的光电流可小于或等于由从脊反射的光导致的光电流。
第一光接收元件可接收光并且产生第一信号。第二光接收元件可接收光并且产生第二信号。第一光接收元件311可将像素控制电路313的电容器部件CINT充电。第二光接收元件312可将像素控制电路313的电容器部件CINT放电。电容器部件CINT可由第一信号充电并且由第二信号放电。当第一信号大于第二信号时，差分信号可流动到像素控制电路313。当第一信号小于第二信号时，差分信号可从像素控制电路313朝向光电二极管流动。当第一信号大于第二信号时，电容器部件CINT可被充电。当第一信号小于第二信号时，电容器部件CINT可被放电。
像素控制电路313可接收第一信号与第二信号之间的差分信号。像素控制电路313可基于差分信号将输出信号输出至输出线OUT。
为便于描述，示意性地示出了图3的像素控制电路313。像素控制电路313可包括至少一个晶体管部件T1和至少一个电容器部件CINT。晶体管部件T1表示根据预定信号S1导通(ON)/截止(OFF)的部件。像素控制电路313可通过晶体管部件T1的开关操作将像素电路310的输出电压OUT复位(reset)。当晶体管部件T1导通(ON)时，输出电压OUT被复位至VREF/2。电容器部件CINT表示当电压变化时产生电流的部件。像素控制电路313的晶体管部件T1和电容器部件CINT可通过使用晶体管和电容器中的至少一个来实现。
像素控制电路313可包括自发光元件(未示出)。自发光元件可基于数据信号输出光。自发光元件根据基于数据信号的输入电流而发光。以有机发光二极管(OLED)为例，自发光元件包括形成在阳极电极与阴极电极之间的有机发光单元。在此，有机发光单元可形成为具有：空穴传输层/有机发光层/电子传输层的结构、或者空穴注入层/空穴传输层/有机发光层/电子传输层/电子注入层的结构。此外，可在有机发光单元中额外形成用于提高有机发光层的发光效率和/或寿命的功能层。
像素电路310可设置在显示面板上。显示面板可包括多个像素电路。例如，像素电路310的第一光接收元件311可包括在第一区域321中。像素电路310的第二光接收元件312可包括在第二区域322中。像素电路310的像素控制电路313或像素控制电路313的一部分可包括在第三区域323中。例如，自发光元件可包括在第三区域323中。
包括第一光接收元件311的第一区域321和包括第二光接收元件312的第二区域322可以是靠近的。因此，自发光元件的光或来自外部的光可对第一光接收元件311和第二光接收元件312具有相同的影响。因此，第一光接收元件311和第二光接收元件312可基于自发光元件的光或来自外部的光产生相同的电流。
通过光接收元件感测从指纹的谷和脊反射的光来执行指纹识别。因此，第一光接收元件311接收的从指纹反射的光可与第二光接收元件312接收的从指纹反射的光不同。此外，第一光接收元件311和第二光接收元件312可基于从指纹反射的光产生具有不同大小的电流。
如上所述，自发光元件的光或来自外部的光对第一光接收元件311和第二光接收元件312具有相同的影响。另一方面，从指纹反射的光对第一光接收元件311和第二光接收元件312具有不同的影响。因此，包括光学指纹感测电路的像素电路310可通过使用第一光接收元件311的电流与第二光接收元件312的电流之间的差异精确地识别指纹。
例如，第一光接收元件311的电流与第二光接收元件312的电流之间的电流差(Current difference)可被输出至像素控制电路313。像素控制电路313可将基于该电流差的电流或电压输出至输出线OUT。包括像素电路310的系统可基于输出至输出线OUT的输出信号来精确地识别指纹。
根据图2的常规的像素电路210，输出电压可被削波(clipping)到VREF或VSS(T1的源极电压)。
削波是指，大于基准的输入信号通过电路并且在输入/输出特性的饱和部分中工作，使得输出信号的波形被切断并且输出信号失真。
如上所述，因为直射光的量非常大，所以未被指纹反射的直射光可在光接收元件PD中产生过多的光电流。当光接收元件PD用于充电时，该过多的光电流可在短时间段内给电容器部件CINT充入高电压，使得输出电压可被削波到VREF。由于输出电压被削波到VREF，所以输出信号失真，结果，常规的像素电路210不能精确地识别指纹。
然而，根据图3的实施方式的像素电路310包括两个光接收元件，即，用于充电的第一光接收元件311和用于放电的第二光接收元件312。因此，输出电压可保持在VREF/2附近。就是说，具有防止像素电路310的输出电压被削波的效果。
将参照图5详细描述流过第一光接收元件311和第二光接收元件312的电流以及防止削波现象的原理。
首先，为了更好的理解，在描述图5之前，将描述示出流过根据现有技术的光接收元件的电流的图4。
图4是示出流过根据现有技术的像素电路的光接收元件的电流的曲线图。
在图4中，横轴表示时间，纵轴表示流过光接收元件的电流。指纹光电流410表示基于从指纹反射的光由光接收元件产生的电流。直射光电流420表示由于自发光元件的光或来自外部的光而从光接收元件产生的电流。由于自发光元件的光或来自外部的光比从指纹反射的光强，所以直射光电流420可大于指纹光电流410。直射光电流420由于噪声而波动。合成电流430表示指纹光电流410和直射光电流420之和。
由于直射光电流420大于指纹光电流410，所以与指纹光电流410相比，直射光电流420对合成电流430具有更大影响。此外，直射光电流420可极大受噪声影响。此外，由于直射光电流420的大小较大，所以可发生削波(clipping)。
图5是示出流过根据本公开内容实施方式的光接收元件的电流的曲线图。
曲线图510的横轴表示时间。曲线图510的纵轴表示流过第一光接收元件311和第二光接收元件312的电流。第二指纹光电流511表示基于从指纹反射的光由第二光接收元件312产生的电流。第一指纹光电流512表示基于从指纹反射的光由第一光接收元件311产生的电流。尽管第一光接收元件311与第二光接收元件312之间的距离很小，但指纹的谷和脊也很细小。因此，由第一光接收元件311产生的第一指纹光电流512可与由第二光接收元件312产生的第二指纹光电流511不同。
直射光电流513表示由于自发光元件的光或来自外部的光而从第一光接收元件311和第二光接收元件312产生的电流。由于自发光元件的光或来自外部的光而从第一光接收元件311和第二光接收元件312产生的电流可相同。自发光元件的光或来自外部的光比从指纹反射的光强。因此，直射光电流513可大于第二指纹光电流511或第一指纹光电流512。直射光电流513由于噪声而波动。
流过第一光接收元件311的总电流可以是第一指纹光电流512和直射光电流513之和。流过第二光接收元件312的总电流可以是第二指纹光电流511和直射光电流513之和。
曲线图520的横轴表示时间。曲线图520的纵轴表示流过第一光接收元件311的电流与流过第二光接收元件312的电流之间的差。直射光电流513相同地流过第一光接收元件311和第二光接收元件312，因而可彼此抵消。因此，差分信号521可不受直射光电流513影响。此外，差分信号521的大小可小于合成电流430。差分信号521可将图3的电容器部件CINT充电或放电。
如参照图5描述的，像素电路310可减小自发光元件的光或来自外部的光产生的信号，即，噪声的影响。此外，像素电路310可基于从指纹反射的光产生的信号识别指纹。此外，像素电路310可减小由于自发光元件的光或来自外部的光导致的噪声并且可防止削波。因此，像素电路310可提高指纹识别的精度。
图6是示出根据本公开内容实施方式的输出电压的曲线图。
曲线图600的横轴表示时间。曲线图600的纵轴表示输出电压。
首先，将参照图2描述现有技术的输出电压620。输出电压620表示现有技术的输出线OUT处的电压。在预充电(Pre-charge)步骤中，晶体管部件T1基于基极端子的信号而处于导通状态，并且光接收元件不接收光。电容器部件CINT基于VREF被充电。在预充电(Pre-charge)步骤中，输出线OUT的输出电压620保持为VREF。
积分(Integration)步骤是光接收元件接收光的步骤。光接收元件接收光并产生电流，并且将充在电容器部件CINT中的电荷放电。此外，晶体管部件T1可截止。在积分步骤中，输出电压620可迅速降低。这是因为，如图4中描述的，由于自发光元件的光或来自外部的光而从光接收元件产生的直射光电流420较大，所以电容器部件CINT可被完全放电。自发光元件的光或来自外部的光相对较强。因此，从指纹反射的光几乎不会影响输出电压620。
感测输出(Sense-out)步骤是包括像素电路210的系统读取像素电路210的输出线OUT的信号的步骤。在输出电压620保持较低的情况下，包括像素电路210的系统接收信号。由于从指纹反射的光几乎不会影响输出电压620，所以系统难以从输出线OUT感测基于指纹的光产生的信号。
将参照图3描述根据本公开内容实施方式的输出电压610。输出电压610表示输出线OUT处的电压。在预充电步骤中，晶体管部件T1基于来自基极端子的信号而处于导通状态，并且光接收元件不接收光。电容器部件CINT基于VREF/2被充电。在预充电步骤中，输出线OUT的输出电压660保持为VREF/2。
积分步骤是光接收元件接收光的步骤。第一光接收元件311和第二光接收元件312接收光并产生电流。此外，晶体管部件T1可截止。
如上所述，第一光接收元件311和第二光接收元件312可利用从指纹的谷或脊反射的光产生具有不同大小的电流。第一光接收元件311可将电容器部件CINT充电。第二接收元件312可将电容器部件CINT放电。
流过电容器部件CINT的电流可以是由第一光接收元件311产生的第一信号与由第二光接收元件312产生的第二信号之间的差分信号。如上面图5中所述，第一信号和第二信号共同受自发光元件的光或来自外部的光的影响。因此，基于第一信号和第二信号的差分信号可不受自发光元件的光或来自外部的光影响。差分信号的大小可小于基于自发光元件的光或来自外部的光而由光接收元件产生的电流的大小。因此，基于电容器部件CINT的输出电压610由于差分信号而逐渐增加或减小。
当由第一光接收元件311产生的第一信号大于由第二光接收元件312产生的第二信号时，电容器部件CINT可被充电，因为电流将流过电容器部件CINT。因此，输出电压610可逐渐增加。反之，当由第一光接收元件311产生的第一信号小于由第二光接收元件312产生的第二信号时，电容器部件CINT可被放电，因为将从电容器部件CINT提供电流。因此，输出电压610可逐渐减小。
感测输出步骤是包括像素电路310的系统读取像素电路310的输出线OUT的信号的步骤。当输出电压610高于VREF/2时，系统可确定第一光接收元件311比第二光接收元件312接收更多的光。此外，当输出电压610小于VREF/2时，系统可确定第一光接收元件311比第二光接收元件312接收更少的光。系统可基于输出电压610精确识别指纹。
实施方式1
图7示出了根据本公开内容实施方式的像素电路。
像素电路700可包括第一光接收元件711和第二光接收元件712。此外，像素电路700可包括像素控制电路。像素控制电路可进一步包括第一晶体管T1、第二晶体管T4、第三晶体管T5、第四晶体管T7、第五晶体管T10、第六晶体管T9、第七晶体管T8、第一电容器C1和第二电容器C2。
晶体管的第一端子或第二端子可以是源极端子或漏极端子。晶体管可根据栅极端子的信号导通或截止。
第一晶体管T1的第一端子可连接至数据线，第一晶体管T1的第二端子可连接至第一节点731，并且第一晶体管T1的栅极端子可连接至第n扫描线Scan(n)。
第二晶体管T4的第一端子可连接至第二节点732，第二晶体管T4的第二端子可连接至第三节点733，并且第二晶体管T4的栅极端子可连接至第四节点734。
第三晶体管T5的第一端子可连接至第四节点734，第三晶体管T5的第二端子可连接至第三节点733，并且第三晶体管T5的栅极端子可连接至第(n-1)扫描线Scan(n-1)。
第四晶体管T7的第一端子可连接至第一节点731，第四晶体管T7的第二端子可连接至第二光接收元件712的阴极(Cathode)端子，并且第四晶体管T7的栅极端子可连接至第一感测(sensing)线Sen。
第五晶体管T10的第一端子可连接至第一光接收元件711的阳极端子，第五晶体管T10的第二端子可连接至第一节点731，并且第五晶体管T10的栅极端子可连接至第一感测线Sen。
第六晶体管T9的第一端子可连接至第三节点733，第六晶体管T9的第二端子可接地，并且第六晶体管T9的栅极端子可连接至第一感测线Sen。
第七晶体管T8的第一端子可连接至第二节点732，第七晶体管T8的第二端子可连接至输出线OUT，并且第七晶体管T8的栅极端子可连接至第二感测线Sen2。
第一电容器C1的第一端子可连接至第一节点731，并且第一电容器C1的第二端子可连接至第四节点734。
第二电容器C2的第一端子可连接至第一节点731，并且第二电容器C2的第二端子可接地。
第一光接收元件711的阴极端子可连接至电源VDD，并且第二光接收元件712可接地。
像素控制电路可进一步包括第八晶体管T2、第九晶体管T3、第十晶体管T6和自发光元件OLED。
第八晶体管T2的第一端子可连接至电源VDD，第八晶体管T2的第二端子可连接至第一节点731，并且第八晶体管T2的栅极端子可连接至第(n-1)扫描线Scan(n-1)。
第九晶体管T3的第一端子可连接至电源，第九晶体管T3的第二端子可连接至第二节点732，并且第九晶体管T3的栅极端子可连接至第一发光(emission)线EM1。
第十晶体管T6的第一端子可连接至第三节点733，第十晶体管T6的第二端子可连接至自发光元件OLED的阳极端子，并且第十晶体管T6的栅极端子可连接至第二发光线EM2。
自发光元件OLED的阴极端子可接地。
实施方式2
图8示出了根据本公开内容实施方式的像素电路。
图8的像素电路800具有通过使用内部补偿给光学指纹感测像素电路添加晶体管和光学传感器而能够进行差分光学指纹感测的结构。
像素电路800可包括第一光接收元件811和第二光接收元件812。此外，像素电路800可包括像素控制电路。像素控制电路可进一步包括第一晶体管M1、第二晶体管M4、第三晶体管M2、第四晶体管M8、第五晶体管M11、第六晶体管M9和第七晶体管M10。
第一晶体管M3的第一端子可连接至数据线，第一晶体管M3的第二端子可连接至第一节点831，并且第一晶体管M3的栅极端子可连接至第n扫描线Scan(n)。
第二晶体管M4的第一端子可连接至第一节点831，第二晶体管M4的第二端子可连接至第二节点832，并且第二晶体管M4的栅极端子可连接至第三节点833。
第三晶体管M2的第一端子可连接至第三节点833，第三晶体管M2的第二端子可连接至第二节点832，并且第三晶体管M2的栅极端子可连接至第n扫描线Scan(n)。
第四晶体管M8的第一端子可连接至第三节点833，第四晶体管M8的第二端子可连接至第二光接收元件812的阴极(Cathode)端子，并且第四晶体管M8的栅极端子可连接至第一感测(sensing)线Sen。
第五晶体管M11的第一端子可连接至第一光接收元件811的阳极端子，第五晶体管M11的第二端子可连接至第三节点833，并且第五晶体管M11的栅极端子可连接至第一感测线Sen。
第六晶体管M9的第一端子可连接至第二节点832，第六晶体管M9的第二端子可接地，并且第六晶体管M9的栅极端子可连接至第一感测线Sen。
第七晶体管M10的第一端子可连接至第一节点831，第七晶体管M10的第二端子可连接至输出线OUT，并且第七晶体管M10的栅极端子可连接至第二感测线Sen2。
第一光接收元件811的阴极端子可连接至电源VDD，并且第二光接收元件812的阳极端子可接地。
像素控制电路可进一步包括第八晶体管M1、第九晶体管M7、第十晶体管M5、第十一晶体管M6、电容器CST和自发光元件OLED。
第八晶体管M1的第一端子可连接至初始化线Initial，第八晶体管M1的第二端子可连接至第三节点833，并且第八晶体管M1的栅极端子可连接至第(n-1)扫描线Scan(n-1)。
第九晶体管M7的第一端子可连接至初始化线Initial，第九晶体管M7的第二端子可连接至自发光元件OLED的阳极(anode)端子，并且第九晶体管M7的栅极端子可连接至第(n-1)扫描线Scan(n-1)。
第十晶体管M5的第一端子可连接至电源，第十晶体管M5的第二端子可连接至第一节点831，并且第十晶体管M5的栅极端子可连接至发光(emission)线EM。
第十一晶体管M6的第一端子可连接至第二节点832，第十一晶体管M6的第二端子可连接至自发光元件OLED的阳极端子，并且第十一晶体管M6的栅极端子可连接至发光线EM。
电容器CST的第一端子可连接至电源，并且电容器CST的第二端子可连接至第三节点833。
自发光元件OLED的阴极端子可接地。
像素电路800可从初始化线Initial接收初始化信号。像素电路可从数据线Data获得数据信号。像素电路800可从发光线EM接收发光信号。像素电路800可从第n扫描线Scan(n)接收第n扫描信号。像素电路可从第(n-1)扫描线Scan(n-1)接收第(n-1)扫描信号。“n”可以是正整数。“n”可表示要在像素电路上显示的图像的帧。例如，第n扫描信号可以是第n帧的扫描信号。
包括像素电路800的系统可通过控制第n扫描信号、第(n-1)扫描信号、初始化信号、数据信号和发光信号中的至少一个使自发光元件OLED发光。该系统可包括处理器或存储器。处理器可根据包括在存储器中的指令或数据控制第n扫描信号、第(n-1)扫描信号、初始化信号、数据信号和发光信号中的至少一个。
包括像素电路800的系统可执行基于初始化信号将先前帧数据复位的步骤。包括像素电路800的系统可基于数据信号和第n扫描信号中的至少一个补偿第二晶体管M4的阈值电压Vth，并且可执行施加数据信号的步骤。包括像素电路800的系统可执行基于由第一光接收元件811和第二光接收元件812产生的电流改变第三节点833的电压的步骤。包括像素电路800的系统可执行通过源极跟随器操作将第三节点833的电压，即，第二晶体管M4的栅极端子电压传送至第一节点831，即，第二晶体管M4的第一端子的步骤。包括像素电路800的系统可执行将第一节点831的电压输出到输出线OUT的步骤。
包括像素电路800的系统可执行将先前帧数据复位的步骤。第八晶体管M1和第九晶体管M7可操作。该系统可将第(n-1)扫描信号和初始化信号中的至少一个传送至像素电路800。像素电路800可从第(n-1)扫描线Scan(n-1)接收第(n-1)扫描信号。像素电路800可从初始化线Initial接收初始化信号。基于第(n-1)扫描信号和初始化信号，第八晶体管M1和第九晶体管M7可将先前帧数据复位。
包括像素电路800的系统可执行补偿第二晶体管M4的阈值电压Vth并且施加数据信号的步骤。在施加数据信号的步骤中，第一晶体管M3和第三晶体管M2可操作。该系统可将第n扫描信号和数据信号中的至少一个传送至像素电路800。像素电路800可从第n扫描线Scan(n)接收第n扫描信号。像素电路800可从数据线Data接收数据信号。基于第n扫描信号，第一晶体管M1可将数据信号施加至第一节点。基于第n扫描信号，第三晶体管M2可补偿第二晶体管M4的阈值电压Vth。
包括像素电路800的系统可执行积分阶段(integration phase)。积分阶段可包括：基于由第一光接收元件811和第二光接收元件812产生的电流，改变第三节点833，即，第二晶体管M4的栅极端子的电压。积分阶段可包括：通过源极跟随器操作将第二晶体管M4的栅极端子电压传送至第一节点831，即，第二晶体管M4的第一端子。
包括像素电路800的系统可将第一感测信号传送至像素电路800。像素电路800可从第一感测线Sen接收第一感测信号。第一光接收元件811和第二光接收元件812可根据接收的光的量产生电流。基于第一感测信号、由第一光接收元件811产生的电流和由第二光接收元件812产生的电流，第四晶体管M8和第五晶体管M11可向第三节点833施加电压。
通过第二晶体管M4的源极跟随器(Source Follower)操作，施加至第三节点833的电压可被传送至第一节点831。
包括像素电路800的系统可执行将第一节点831的电压输出到输出线OUT的步骤。该系统可将第二感测信号传送至像素电路800。像素电路800从第二感测线Sen2接收第二感测信号。基于第二感测信号，第七晶体管M10可将第一节点831的电压输出到输出线OUT。系统可接收像素电路800的输出作为数据。此外，系统可基于从多个像素电路接收的数据识别指纹。
实施方式3
图9示出了根据本公开内容实施方式的像素电路。
图9的像素电路900具有通过使用外部补偿给光学指纹感测像素电路添加晶体管和光学传感器而能够进行差分光学指纹感测的结构。
像素电路900可包括第一光接收元件911和第二光接收元件912。此外，像素电路900可包括像素控制电路。像素控制电路可进一步包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M4、第四晶体管M7、第五晶体管M5和第六晶体管M6。
第一晶体管M1的第一端子可连接至数据线Data，第一晶体管M1的第二端子可连接至第一节点931，并且第一晶体管M1的栅极端子可连接至第n扫描线Scan(n)。
第二晶体管M2的第一端子可连接至第二节点932，第二晶体管M2的第二端子可连接至第三节点933，并且第二晶体管M2的栅极端子可连接至第一节点931。
第三晶体管M4的第一端子可连接至第一节点931，第三晶体管M4的第二端子可连接至第二光接收元件912的阴极(Cathode)端子，并且第三晶体管M4的栅极端子可连接至第一感测(sensing)线Sen。
第四晶体管M7的第一端子可连接至第一光接收元件911的阳极端子，第四晶体管M7的第二端子可连接至第一节点931，并且第四晶体管M7的栅极端子可连接至第一感测线Sen。
第五晶体管M5的第一端子可连接至第三节点933，第五晶体管M5的第二端子可接地，并且第五晶体管M5的栅极端子可连接至第一感测线Sen。
第六晶体管M6的第一端子可连接至第二节点932，第六晶体管M6的第二端子可连接至输出线OUT，并且第六晶体管M6的栅极端子可连接至第二感测线Sen2。
第一光接收元件911的阴极端子可连接至电源VDD，并且第二光接收元件912的阳极端子可接地。
像素控制电路可进一步包括第七晶体管M3、电容器CST和自发光元件OLED。
第七晶体管M3的第一端子可连接至电源VDD，第七晶体管M3的第二端子可连接至第二节点932，并且第七晶体管M3的栅极端子可连接至发光(emission)线EM。
电容器CST的第一端子可连接至电源VDD，并且电容器CST的第二端子可连接至第一节点931。
自发光元件OLED的阳极端子可连接至第三节点933，并且自发光元件OLED的阴极端子可接地。
图10是示出根据本公开内容实施方式输出电压的曲线图。
下文中，将参照图8描述图10。曲线图1000的横轴表示时间。此外，曲线图的横轴可表示积分阶段的一帧时间。曲线图1000的纵轴表示第一节点831的电压。曲线图1000可表示其中低温多晶硅(Low Temperature Poly Silicon，LTPS)薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)泄露(leakage)、直射光和从指纹反射的光之比为1:100:0.1的情况。直射光可包括偏移和噪声。
根据仅使用一个光接收元件的现有技术，自发光元件的光和来自外部的光很强，使得不管是否有来自指纹的光，电压都是如线1061所示。因此，包括像素电路的系统可具有较低的指纹感测精度。然而，根据本公开内容实施方式的像素电路800可如下所述提高指纹感测的精度。
线1011表示其中在积分阶段中仅在第一光接收元件811中接收从指纹反射的光的情况。就是说，第二光接收元件812具有太少的从指纹反射的光，使得光量几乎趋向于零。
第一光接收元件811可基于从指纹反射的光(指纹光)、自发光元件的光和来自外部的光(直射光)产生第一信号。由于第二光接收元件812未接收到从指纹反射的光(指纹光)，所以第二光接收元件812可基于自发光元件的光和来自外部的光(直射光)产生第二信号。由于第二信号不包括指纹光，所以第一信号可具有比第二信号大的值。第一信号与第二信号之间的差分信号可将电容器CST充电。第三节点833的电压可逐渐增加。由于第二晶体管M4的源极跟随器操作，第一节点831的电压也可逐渐增加。因此，第一节点831的电压可如线1011所示。
线1012表示其中第一光接收元件811和第二光接收元件812具有太少的从指纹反射的光，使得在积分阶段中光量几乎趋向于零的情况。例如，由于指纹太暗的谷，指纹可不反射光，第一光接收元件811和第二光接收元件812不能从指纹接收到光。
由于不存在来自指纹的光，所以第一光接收元件811可基于自发光元件的光和来自外部的光(直射光)产生第一信号。同样，第二光接收元件812可基于自发光元件的光和来自外部的光(直射光)产生第二信号。第一信号与第二信号之间的差分信号可几乎等于零。因此，第三节点833的电压可几乎不变。通过第二晶体管M4的源极跟随器操作，第一节点831的电压也可不变。因此，第一节点831的电压可如线1012所示。
线1013表示其中在积分阶段中仅在第二光接收元件812中接收从指纹反射的光的情况。就是说，第一光接收元件811具有太少的从指纹反射的光，使得光量几乎趋向于零。例如，由于指纹较亮的脊，指纹反射光，第二光接收元件812可接收从指纹反射的光。此外，由于指纹太暗的谷，指纹可不反射光，结果，第一光接收元件812不能从指纹接收到光。
第二光接收元件812可基于从指纹反射的光(指纹光)、自发光元件的光和来自外部的光(直射光)产生第二信号。由于第一光接收元件811未接收到从指纹反射的光(指纹光)，所以第一光接收元件811可基于自发光元件的光和来自外部的光(直射光)产生第一信号。由于来自指纹的光，第二信号可具有比第一信号大的值。第一信号与第二信号之间的差分信号可将电容器CST放电。第三节点833的电压可逐渐减小。由于第二晶体管M4的源极跟随器操作，第一节点831的电压也可逐渐减小。因此，第一节点831的电压可如线1013所示。
可通过第七晶体管M10的操作将第一节点831的电压传送至输出线OUT。系统可基于从输出线OUT传送的输出信号执行指纹识别。由于第一节点831的电压根据第一光接收元件811和第二光接收元件812是否接收到来自指纹的光而变化，所以包括像素电路800的系统可精确地识别指纹。
此外，像素电路800可减小自发光元件的光和来自外部的光的影响以及噪声的影响。此外，像素电路800可防止由于自发光元件的光和来自外部的光导致的削波(clipping)。此外，由于像素电路800可通过仅使用被指纹反射的光(指纹光)来执行指纹识别，所以可提高信噪比(signal noise ratio，SNR)。
图11是示出根据本公开内容实施方式输出电压的曲线图。
下文中，将参照图8描述图11。曲线图1100的横轴表示时间。此外，曲线图的横轴可表示积分阶段的一帧时间。曲线图1100的纵轴表示第一节点831的电压。曲线图1100可表示其中低温多晶硅(Low Temperature Poly Silicon，LTPS)薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)泄露(leakage)、直射光和从指纹反射的光之比为1:100:0.1的情况。直射光可包括偏移和噪声。
根据仅使用一个光接收元件的现有技术，自发光元件的光和来自外部的光很强，使得不管是否有从指纹反射的光，电压都是如线1161所示。因此，包括像素电路的系统可具有较低的指纹感测精度。然而，根据本公开内容实施方式的像素电路800可如下所述提高指纹感测的精度。
线1111表示其中在积分阶段中，与第二光接收元件812相比，第一光接收元件811接收更多从指纹反射的光。例如，线1111可表示其中第一光接收元件811接收被指纹的亮部反射的光并且第二光接收元件812接收被指纹的暗部反射的光的情况。
第一光接收元件811可基于从指纹反射的光(指纹光)、自发光元件的光和来自外部的光(直射光)产生第一信号。同样，第二光接收元件812可基于从指纹反射的光(指纹光)、自发光元件的光和来自外部的光(直射光)产生第二信号。由于与第二光接收元件812相比，第一光接收元件811接收更多从指纹反射的光，所以第一信号可具有比第二信号大的值。第一信号与第二信号之间的差分信号可将电容器CST充电。第三节点833的电压可逐渐增加。由于第二晶体管M4的源极跟随器操作，第一节点831的电压也可逐渐增加。因此，第一节点831的电压可如线1111所示。
线1112可表示其中在积分阶段中第一光接收元件811和第二光接收元件812接收的指纹光(从指纹反射的光)的大小相同的情况。
第一光接收元件811可基于从指纹反射的光(指纹光)、自发光元件的光和来自外部的光(直射光)产生第一信号。同样，第二光接收元件812可基于从指纹反射的光(指纹光)、自发光元件的光和来自外部的光(直射光)产生第二信号。第一信号与第二信号之间的差分信号可几乎等于零。因此，第三节点833的电压可几乎不变。通过第二晶体管M4的源极跟随器操作，第一节点831的电压也可不变。因此，第一节点831的电压可如线1112所示。
线1113表示其中在积分阶段中，与第二光接收元件812相比，第一光接收元件811接收更少从指纹反射的光。例如，线1113可表示其中第一光接收元件811接收被指纹的暗部反射的光并且第二光接收元件812接收被指纹的亮部反射的光的情况。
第一光接收元件811可基于从指纹反射的光(指纹光)、自发光元件的光和来自外部的光(直射光)产生第一信号。同样，第二光接收元件812可基于从指纹反射的光(指纹光)、自发光元件的光和来自外部的光(直射光)产生第二信号。由于与第二光接收元件812相比，第一光接收元件811接收更少从指纹反射的光，所以第一信号可具有比第二信号小的值。第一信号与第二信号之间的差分信号可将电容器CST放电。第三节点833的电压可逐渐减小。由于第二晶体管M4的源极跟随器操作，第一节点831的电压也可逐渐减小。因此，第一节点831的电压可如线1113所示。
可通过第七晶体管M10的操作将第一节点831的电压传送至输出线OUT。系统可基于从输出线OUT传送的输出信号执行指纹识别。由于第一节点831的电压根据第一光接收元件811和第二光接收元件812是否接收到来自指纹的光而变化，所以包括像素电路800的系统可精确地识别指纹。
此外，像素电路800可减小自发光元件的光和来自外部的光的影响以及噪声的影响。此外，像素电路800可防止由于自发光元件的光和来自外部的光导致的削波(clipping)。此外，由于像素电路800可通过仅使用被指纹反射的光来执行指纹识别，所以可提高信噪比(signal noise ratio，SNR)。
到目前为止，已描述了本发明的各实施方式。本领域技术人员能够理解，在不背离本公开内容的必要特征的情况下，可进行本公开内容的一些替换、修改和变化。因此，公开的实施方式仅仅是示例性的，不应解释为限制本发明。本公开内容的范围在所附权利要求中示出，而不是在前面的描述中示出。与权利要求的范围等同的范围内的所有区别应当解释为包括在本公开内容中。
另外，本公开内容的上述实施方式可编写为能够在计算机中执行的程序，并且可在使用计算机可读记录介质来运行该程序的通用数字计算机中实现。计算机可读记录介质包括诸如磁存储介质(例如，ROM、软盘、硬盘等)、和光学读取介质(例如，CD-ROM、DVD等)之类的存储介质。

Claims (8)

1.一种包括光学指纹感测电路的像素电路，所述像素电路包括：
显示图像的自发光元件；
光接收元件，所述光接收元件接收从所述自发光元件发射并从用户的指纹反射的光并且将所述光转换为光电流；和
像素控制电路，
其中所述光接收元件包括产生第一信号的第一光接收元件和产生第二信号的第二光接收元件，并且
其中所述像素控制电路通过计算所述第一信号和所述第二信号来产生输出信号，并且所述像素控制电路包括至少一个晶体管部件和至少一个电容器部件。
2.根据权利要求1所述的像素电路，其中所述像素控制电路将所述第一信号和所述第二信号差分并因而产生被去除了噪声信号的所述输出信号。
3.根据权利要求1所述的像素电路，其中所述像素控制电路进一步包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第一电容器和第二电容器，
其中所述第一晶体管的第一端子连接至数据线，所述第一晶体管的第二端子连接至第一节点，并且所述第一晶体管的栅极端子连接至第n扫描线，
其中所述第二晶体管的第一端子连接至第二节点，所述第二晶体管的第二端子连接至第三节点，并且所述第二晶体管的栅极端子连接至第四节点，
其中所述第三晶体管的第一端子连接至所述第四节点，所述第三晶体管的第二端子连接至所述第三节点，并且所述第三晶体管的栅极端子连接至第(n-1)扫描线，
其中所述第四晶体管的第一端子连接至所述第一节点，所述第四晶体管的第二端子连接至所述第二光接收元件的阴极(Cathode)端子，并且所述第四晶体管的栅极端子连接至第一感测(sensing)线，
其中所述第五晶体管的第一端子连接至所述第一光接收元件的阳极端子，所述第五晶体管的第二端子连接至所述第一节点，并且所述第五晶体管的栅极端子连接至所述第一感测线，
其中所述第六晶体管的第一端子连接至所述第三节点，所述第六晶体管的第二端子接地，并且所述第六晶体管的栅极端子连接至所述第一感测线，
其中所述第七晶体管的第一端子连接至所述第二节点，所述第七晶体管的第二端子连接至输出线，并且所述第七晶体管的栅极端子连接至第二感测线，
其中所述第一电容器的第一端子连接至所述第一节点，并且所述第一电容器的第二端子连接至所述第四节点，
其中所述第二电容器的第一端子连接至所述第一节点，并且所述第二电容器的第二端子接地，并且
其中所述第一光接收元件的阴极端子连接至电源(VDD)，并且所述第二光接收元件接地。
4.根据权利要求3所述的像素电路，
其中所述像素控制电路进一步包括第八晶体管、第九晶体管和第十晶体管，
其中所述第八晶体管的第一端子连接至所述电源(VDD)，所述第八晶体管的第二端子连接至所述第一节点，并且所述第八晶体管的栅极端子连接至所述第(n-1)扫描线，
其中所述第九晶体管的第一端子连接至所述电源，所述第九晶体管的第二端子连接至所述第二节点，并且所述第九晶体管的栅极端子连接至第一发光(emission)线，
其中所述第十晶体管的第一端子连接至所述第三节点，所述第十晶体管的第二端子连接至所述自发光元件的阳极端子，并且所述第十晶体管的栅极端子连接至第二发光线，并且
其中所述自发光元件的阴极端子接地。
5.根据权利要求1所述的像素电路，
其中所述像素控制电路进一步包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管，
其中所述第一晶体管的第一端子连接至数据线，所述第一晶体管的第二端子连接至第一节点，并且所述第一晶体管的栅极端子连接至第n扫描线，
其中所述第二晶体管的第一端子连接至所述第一节点，所述第二晶体管的第二端子连接至第二节点，并且所述第二晶体管的栅极端子连接至第三节点，
其中所述第三晶体管的第一端子连接至所述第三节点，所述第三晶体管的第二端子连接至所述第二节点，并且所述第三晶体管的栅极端子连接至所述第n扫描线，
其中所述第四晶体管的第一端子连接至所述第三节点，所述第四晶体管的第二端子连接至所述第二光接收元件的阴极(Cathode)端子，并且所述第四晶体管的栅极端子连接至第一感测(sensing)线，
其中所述第五晶体管的第一端子连接至所述第一光接收元件的阳极(Anode)端子，所述第五晶体管的第二端子连接至所述第三节点，并且所述第五晶体管的栅极端子连接至所述第一感测线，
其中所述第六晶体管的第一端子连接至所述第二节点，所述第六晶体管的第二端子接地，并且所述第六晶体管的栅极端子连接至所述第一感测线，
其中所述第七晶体管的第一端子连接至所述第一节点，所述第七晶体管的第二端子连接至输出线，并且所述第七晶体管的栅极端子连接至第二感测线，并且
其中所述第一光接收元件的阴极端子连接至电源(VDD)，并且所述第二光接收元件的阳极端子接地。
6.根据权利要求5所述的像素电路，
其中所述像素控制电路进一步包括第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管和第十一晶体管，
其中所述第八晶体管的第一端子连接至初始化线，所述第八晶体管的第二端子连接至所述第三节点，并且所述第八晶体管的栅极端子连接至第(n-1)扫描线，
其中所述第九晶体管的第一端子连接至所述初始化线，所述第九晶体管的第二端子连接至所述自发光元件的阳极(anode)端子，并且所述第九晶体管的栅极端子连接至所述第(n-1)扫描线，
其中所述第十晶体管的第一端子连接至所述电源，所述第十晶体管的第二端子连接至所述第一节点，并且所述第十晶体管的栅极端子连接至发光(emission)线，
其中所述第十一晶体管的第一端子连接至所述第二节点，所述第十一晶体管的第二端子连接至所述自发光元件的所述阳极端子，并且所述第十一晶体管的栅极端子连接至所述发光线，
其中所述电容器的第一端子连接至所述电源，并且所述电容器的第二端子连接至所述第三节点，并且
其中所述自发光元件的阴极端子接地。
7.根据权利要求1所述的像素电路，
其中所述像素控制电路进一步包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管，
其中所述第一晶体管的第一端子连接至数据线，所述第一晶体管的第二端子连接至第一节点，并且所述第一晶体管的栅极端子连接至第n扫描线，
其中所述第二晶体管的第一端子连接至第二节点，所述第二晶体管的第二端子连接至第三节点，并且所述第二晶体管的栅极端子连接至所述第一节点，
其中所述第三晶体管的第一端子连接至所述第一节点，所述第三晶体管的第二端子连接至所述第二光接收元件的阴极(Cathode)端子，并且所述第三晶体管的栅极端子连接至第一感测(sensing)线，
其中所述第四晶体管的第一端子连接至所述第一光接收元件的阳极端子，所述第四晶体管的第二端子连接至所述第一节点，并且所述第四晶体管的栅极端子连接至所述第一感测线，
其中所述第五晶体管的第一端子连接至所述第三节点，所述第五晶体管的第二端子接地，并且所述第五晶体管的栅极端子连接至所述第一感测线，
其中所述第六晶体管的第一端子连接至所述第二节点，所述第六晶体管的第二端子连接至输出线，并且所述第六晶体管的栅极端子连接至第二感测线，并且
其中所述第一光接收元件的阴极端子连接至电源(VDD)，并且所述第二光接收元件的阳极端子接地。
8.根据权利要求7所述的像素电路，
其中所述像素控制电路进一步包括第七晶体管，
其中所述第七晶体管的第一端子连接至所述电源，所述第七晶体管的第二端子连接至所述第二节点，并且所述第七晶体管的栅极端子连接至发光(emission)线，
其中所述电容器的第一端子连接至所述电源，并且所述电容器的第二端子连接至所述第一节点，并且
其中所述自发光元件的阳极端子连接至所述第三节点，并且所述自发光元件的阴极端子接地。
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