CN113219233A - 高边电流采样的电压扩展电路 - Google Patents

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Abstract

本发明提出了一种高边电流采样的电压扩展电路，包括：采样电阻、高边电流检测芯片、降压电阻、MOS管、稳压二极管和限流电阻，其中，所述采样电阻的两端与所述高边电流检测芯片的输入端连接，所述采样电阻在输出回路的高边即正极，电流经过所述采样电阻输出至负载；所述高边电流检测芯片的输出端连接至所述降压电阻的一端，所述降压电阻的另一端与所述MOS管的源极连接；所述MOS管的栅极与所述限流电阻的一端连接，所述限流电阻的一端进一步连接所述稳压二极管的阳极，所述稳压二极管的阴极接电路正极；所述限流电阻的另一端接地；所述的漏极作为电流输出端。

Description

高边电流采样的电压扩展电路
技术领域
本发明涉及电子电路技术领域，特别涉及一种高边电流采样的电压扩展电路。
背景技术
高边电流采样电路可以实现供地输出，是一种应用非常广泛的电路。要想实现高精度采样，一般要使用专用高边电流检测IC。高边电流检测IC的耐压一般在20V-25V,所以高于25V的场合就不能使用了。图1是现有技术的典型电路，电路的电压不能超过电流检测IC的工作电压，所以应用很受限制。
发明内容
本发明的目的旨在至少解决所述技术缺陷之一。
为此，本发明的目的在于提出一种高边电流采样的电压扩展电路。
为了实现上述目的，本发明的实施例提供一种高边电流采样的电压扩展电路，包括：采样电阻、高边电流检测芯片、降压电阻、MOS管、稳压二极管和限流电阻，其中，
所述采样电阻的两端与所述高边电流检测芯片的输入端连接，所述采样电阻在输出回路的高边即正极，电流经过所述采样电阻输出至负载；所述高边电流检测芯片的输出端连接至所述降压电阻的一端，所述降压电阻的另一端与所述MOS管的源极连接；所述MOS管的栅极与所述限流电阻的一端连接，所述限流电阻的一端进一步连接所述稳压二极管的阳极，所述稳压二极管的阴极接电路正极；所述限流电阻的另一端接地；所述MOS管的漏极作为电流输出端。
进一步，所述MOS管采用P沟道MOS管。
根据本发明实施例的高边电流采样的电压扩展电路，可以扩展高边电流检测IC的应用电压范围，而且不影响其检测精度。本发明可以实现更高电压的高边电流采样，而且功耗还能维持在超低功耗的水平。
本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为现有技术的高边电流采样的电压扩展电路的电路图；
图2为根据本发明实施例的高边电流采样的电压扩展电路的电路图。
附图标记：
采样电阻R1、高边电流检测芯片U1、降压电阻R2、MOS管Q1、稳压二极管Z1、限流电阻R3。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
本发明提出一种高边电流采样的电压扩展电路，具体来说是一种可以不受高边电流检测IC的耐压限制的高边电流采样电路。
如图2所示，本发明实施例的高边电流采样的电压扩展电路，包括：采样电阻R1、高边电流检测芯片U1、降压电阻R2、MOS管Q1、稳压二极管Z1和限流电阻R3。
具体的，采样电阻R1的两端与高边电流检测芯片U1的输入端连接，采样电阻R1在输出回路的高边即正极，电流经过采样电阻R1输出至负载；高边电流检测芯片U1的输出端连接至降压电阻R2的一端，降压电阻R2的另一端与MOS管Q1的源极连接；MOS管Q1的栅极与限流电阻R3的一端连接，限流电阻R3的一端进一步连接稳压二极管Z1的阳极，稳压二极管Z1的阴极接电路正极；限流电阻R3的另一端接地；MOS管Q1的漏极作为电流输出端。采样电路的输出是P沟道MOS管Q1的漏极，输出为电流型。
在本发明的实施例中，MOS管Q1采用P沟道MOS管Q1。
本发明以扩展工作电压，不受电流检测IC的工作电压限制，而且采样精度和功耗与典型电路是同一量级。
根据本发明实施例的高边电流采样的电压扩展电路，可以扩展高边电流检测IC的应用电压范围，而且不影响其检测精度。本发明可以实现更高电压的高边电流采样，而且功耗还能维持在超低功耗的水平。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。本发明的范围由所附权利要求及其等同限定。

Claims (2)

1.一种高边电流采样的电压扩展电路，其特征在于，包括：采样电阻、高边电流检测芯片、降压电阻、MOS管、稳压二极管和限流电阻，其中，
所述采样电阻的两端与所述高边电流检测芯片的输入端连接，所述采样电阻在输出回路的高边即正极，电流经过所述采样电阻输出至负载；所述高边电流检测芯片的输出端连接至所述降压电阻的一端，所述降压电阻的另一端与所述MOS管的源极连接；所述MOS管的栅极与所述限流电阻的一端连接，所述限流电阻的一端进一步连接所述稳压二极管的阳极，所述稳压二极管的阴极接电路正极；所述限流电阻的另一端接地；所述MOS管的漏极作为电流输出端。
2.如权利要求1所述的高边电流采样的电压扩展电路，其特征在于，所述MOS管采用P沟道MOS管。
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