CN113189178A - 金属纳米颗粒复合二维材料异质结构传感器及制备方法 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 104
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 title claims abstract description 20
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 146
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 146
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 87
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- -1 transition metal sulfide Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims abstract description 6
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical group S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N tungsten disulfide Chemical compound S=[W]=S ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 70
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 66
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 64
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 48
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 48
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 30
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 30
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 30
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 28
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 25
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 21
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 claims description 21
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 15
- ZKKLPDLKUGTPME-UHFFFAOYSA-N diazanium;bis(sulfanylidene)molybdenum;sulfanide Chemical group [NH4+].[NH4+].[SH-].[SH-].S=[Mo]=S ZKKLPDLKUGTPME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 10
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 2
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 claims description 2
- 102000053602 DNA Human genes 0.000 abstract description 32
- 108020004414 DNA Proteins 0.000 abstract description 32
- 230000005669 field effect Effects 0.000 abstract description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 98
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 59
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 14
- 229910052961 molybdenite Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 8
- 201000010099 disease Diseases 0.000 description 5
- 208000037265 diseases, disorders, signs and symptoms Diseases 0.000 description 5
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- 101100069231 Caenorhabditis elegans gkow-1 gene Proteins 0.000 description 4
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 4
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 4
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 4
- 206010028980 Neoplasm Diseases 0.000 description 3
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 3
- 238000009396 hybridization Methods 0.000 description 3
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 206010009944 Colon cancer Diseases 0.000 description 1
- 230000007067 DNA methylation Effects 0.000 description 1
- 201000003793 Myelodysplastic syndrome Diseases 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000024245 cell differentiation Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 208000029742 colonic neoplasm Diseases 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001976 enzyme digestion Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000003147 molecular marker Substances 0.000 description 1
- 230000009456 molecular mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002773 nucleotide Substances 0.000 description 1
- 125000003729 nucleotide group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
- G01N27/4145—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS specially adapted for biomolecules, e.g. gate electrode with immobilised receptors
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/28—Electrolytic cell components
- G01N27/30—Electrodes, e.g. test electrodes; Half-cells
- G01N27/327—Biochemical electrodes, e.g. electrical or mechanical details for in vitro measurements
- G01N27/3275—Sensing specific biomolecules, e.g. nucleic acid strands, based on an electrode surface reaction
- G01N27/3278—Sensing specific biomolecules, e.g. nucleic acid strands, based on an electrode surface reaction involving nanosized elements, e.g. nanogaps or nanoparticles
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
- G01N27/4146—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS involving nanosized elements, e.g. nanotubes, nanowires
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- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
本发明公开了一种金属纳米颗粒复合二维材料异质结构传感器及制备方法。一种金属纳米颗粒复合二维材料异质结构DNA传感器,其特征是:由金属纳米结构和二维材料组成,所述金属纳米结构为金纳米颗粒或银纳米颗粒或铜纳米颗粒,所述二维材料为石墨烯和过渡金属硫化物,所述过渡金属硫化物为二硫化钼或二硫化钨。本发明通过将具有纳米场效应的石墨烯和有着天然的能带隙及较强的理化性质的TMDCs进行结合,制备了一种能够高灵敏检测DNA等生物分子的生物传感器。本发明制备金属颗粒复合的二维材料异质结构的方法简单易行,可以实现低成本、大规模地制备。
Description
技术领域
本发明涉及一种可以检测DNA生物分子的异质结构生物传感器,属于生物传感技术领域。本发明还涉及上述传感器的制备方法及应用。
背景技术
利用DNA信息对疾病进行诊断治疗是精准医疗的一把利剑,可以将疾病的诊断治疗带入分子水平,这引起了国内外的广泛关注。
通过对DNA上基因序列的综合分析可形成有价值的医学信息,最终设计出针对个体的最优解决方案,实现对疾病的早期预防、精确诊断和精准治疗。DNA 分子杂交检测被应用于克隆基因的筛选、酶切图谱的制作、基因组中特定基因序列的定性、定量检测和疾病的诊断等方面;DNA杂交的结合动力学及亲和力的测定有助于揭示生物分子过程中涉及的分子机制,并在系统生物学,个性化和精密医学中起着重要作用;单核苷酸多态性是近年来最有发展潜力的第三代分子标记,与个体药物反应差异性密切相关,可以被用于筛选癌症新的敏感位点,筛查药物反应和毒性相关位点;DNA甲基化作为调控基因表达的一种方式,在基因转录、细胞分化、肿瘤的发生中发挥重要作用,被应用于筛查结肠癌等疾病,预测药物敏感性,临床治疗骨髓异型增生综合征及其他肿瘤。
目前医疗机构主要依靠大型分析仪器对DNA进行检测,然而这些仪器昂贵、笨重、操作复杂,难以适应私人定制、精准医疗的发展趋势。近年来,各种用于检测DNA的小型传感装置逐渐成为研究的热点,其中基于场效应管(FET)的便携式生物传感器因具有免标记、成本低、灵敏度高、操作简单等优势被视为重要的下一代DNA检测工具。
FET生物传感器通过检测待测分子吸附到沟道材料表面时引起的电荷或电场的改变获得可供检测的电学信号,在DNA碱基变异、杂交检测等方面具有重要的应用。
《石墨烯的化学气相沉积法制备》中公开了制备了一种单晶单层石墨烯薄膜;申请号为201810537737.5的中国专利,制备得到了单晶单层石墨烯,上述文献中没有记载其他的二维材料及其异质结构。申请号为201510188964.8的中国专利,其制备了包括聚苯胺等和石墨烯的复合纤维,其不是制备金属纳米颗粒复合二维材料异质结构。
发明内容
针对现有技术中存在的问题,本发明的一个目的是提供一种金属纳米颗粒复合二维材料异质结构DNA-FET传感器,其成本低,操作简单,能够高灵敏检测DNA等生物分子。
本发明是通过如下技术方案来实现的:一种金属纳米颗粒复合二维材料异质结构DNA传感器,其特征是:由金属纳米结构和二维材料组成,所述金属纳米结构为金纳米颗粒或银纳米颗粒或铜纳米颗粒,所述二维材料为石墨烯和过渡金属硫化物,所述过渡金属硫化物为二硫化钼或二硫化钨。
本发明中,传感器由金属纳米颗粒复合二维材料异质结构组成,石墨烯具有纳米场效应,TMDCs(过渡金属硫化物)有着天然的能带隙及较强的理化性质, TMDCs能够改变二维褶皱结构石墨烯的能带结构,当DNA分子与导电沟道材料表面的探针结合时,会改变导电沟道的电荷数,进而改变电流。金属颗粒在电场的作用下调节二维材料异质结构的电流强度,通过电流变化程度,达到检测DNA 分子的目的。
本发明的第二个目的是提供一种金属纳米颗粒复合二维材料异质结构DNA 传感器的制备方法,其特征是:包括如下步骤:
(1)清洗铜箔,将铜箔放在石英管式炉中的石英管的中间,封闭真空管式炉并抽真空,升温至100-200℃时通入氢气,再升温至900-1100℃,然后恒温 0.5-1.5h退火,再通入甲烷,一段时间后停止通入甲烷,关闭加热器后降温至小于等于100℃时,停止通入氢气,室温下取出铜箔,铜箔的表面得到单晶单层石墨烯薄膜;
(2)将上述生长有单晶单层石墨烯膜的铜箔放入FeCl3溶液中,对铜箔进行刻蚀,将得到的石墨烯放入去离子水中进行清洗,清洗后的石墨烯放入表面镀有氧化铟锡膜的硅基底上;
(3)将过渡金属硫化物前体溶于二甲基甲酰胺配成溶液A,将溶液A进行超声处理,再将超声处理后的溶液A旋涂到步骤2中的石墨烯上,然后将旋涂有溶液A的石墨烯基底放入石英舟中,将石英舟放到石英管式炉的中心位置;
(4)将石英管式炉升温至180-220℃,然后通入氩气,再升温至450-550℃后通入氢气,一段时间后停止通入氢气,并停止加热,降温至180-220℃时停止通入氩气,温度降到室温,得到石墨烯/TMDCs异质结构材料;
(5)将上述的异质结构材料放入金或银或铜的酸性溶液中还原生长金属颗粒,制备出金属颗粒复合二维石墨烯/TMDCs异质结构材料;
(6)在上述的金属颗粒复合二维石墨烯/TMDCs异质结构材料两边制备电极和DNA溶液槽,完成传感器的制备。
本发明的制备方法中,先在石英管式炉中制备单晶单层石墨烯薄膜,然后在FeCl3溶液中对铜箔进行刻蚀,铜被完全腐蚀,石墨烯浮在溶液上,将石墨烯薄膜清洗后转移至硅基底上,旋涂过渡金属硫化物的溶液后在石英管式炉中作用得到二维材料异质结构,然后放入金或铜或银的酸溶液中,利用TMDCs的还原性生长金属颗粒,最后制备电极和DNA溶液储存槽。制备过程中通过制备条件的控制使制备的石墨烯具有单层单晶和褶皱的结构,采用旋涂的方法使过渡金属硫化物均匀的负载在石墨烯基底上,通过含有金属成分的酸溶液生长金属颗粒,保证了传感器良好的物理和化学性能。其中,氧化铟锡膜的作用是构成器件的两个电极即源极和漏极。
进一步的,所述铜箔的厚度为30um,纯度为99.9%。
进一步的,步骤1中,甲烷和氢气的流速均为20-40sccm,甲烷的通入时间为25-35min;降温过程为自然冷却。
进一步的,步骤2中,FeCl3溶液的浓度为250-280g/L,刻蚀的时间为 30-50min。
进一步的,步骤3中,过渡金属硫化物前体为四硫代钼酸铵或四硫代钨酸铵,溶液A的浓度为0.005-0.015g/mL,对溶液A超声处理的时间为30-150min。
进一步的,步骤4中,通入氩气后炉内气压为3.9-5.2帕;通入氢气后炉内气压为5.8-6.5帕;氩气的流速为70-90sccm,氢气的流速为15-25sccm,氢气的通入时间为80-100min,降温方式为自然降温。
进一步的,步骤5中,所述酸性溶液为氯金酸溶液或硝酸银溶液或硫酸铜溶液。
进一步的,所述酸性溶液为氯金酸溶液,氯金酸溶液的质量分数为0.1-1%,放入时间为20-40分钟,取出静置时间为5-10分钟,重复次数为2-5次。
本发明的第三个目的是提供一种上述的金属纳米颗粒复合二维材料异质结构DNA传感器在检测DNA生物分子中的应用。
本发明的有益效果是:1)本发明通过将具有纳米场效应的石墨烯和有着天然的能带隙及较强的理化性质的TMDCs进行结合,制备了一种能够高灵敏检测 DNA等生物分子的生物传感器;
2)利用热分解法分解四硫代钼酸铵或四硫代钨酸铵,可以实现在褶皱石墨烯表面的原位生长TMDCs避免了转移造成的材料损失;
3)本发明通过控制制备条件制备得到金属颗粒复合的二维材料异质结构,得到具有极高的物理吸附能力和灵敏的电学信号检测能力的生物传感器;
4)本发明制备金属颗粒复合的二维材料异质结构的方法简单易行,可以实现低成本、大规模地制备;
5)本发明的生物传感器制备方法成本低廉,应用价值高。
附图说明
图1为本发明中的金属颗粒复合的二维材料异质结构的SEM图;
图2为本发明中的金属颗粒复合的二维材料异质结构的DNA-FET剖面图;
图3为石墨烯场效应管检测图;
图4为本发明中的金属颗粒复合石墨烯/MoS2场效应管检测图;
图5为本发明的传感器的拉曼检测结果图。
具体实施方式
下面通过非限定性的实施例对本发明作进一步的说明:
实施例1
(1)将铜箔放入丙酮溶液超声,用酒精溶液清洗三次,再用去离子水彻底清洗三次;把干净的铜箔放在石英管式炉中的石英管中间,封闭真空管式炉,检查气密性;利用机械泵和分子泵抽真空至0.013帕以下;温度升到100℃后通入流速为20sccm的氢气;温度升到1000℃后保持该温度0.5h进行铜箔的退火处理;0.5h以后通入流量为40sccm的甲烷气体,在该温度和流速下保持30min,后关闭甲烷气体;关闭加热器,待温度降至100℃时关闭氢气,待自然冷却至室温,取出生长的单晶单层石墨烯,并将材料在真空条件下保存;
(2)将上述生长有单晶单层石墨烯膜的铜箔放在270g/L FeCl3溶液中刻蚀; 50分钟后,铜被完全腐蚀,石墨烯浮在溶液上;将石墨烯膜转移到去离子水中进行清洗,转移三次;清洗后的石墨烯放入表面镀有氧化铟锡膜的硅基底上,然后再滴入一滴乙醇溶液(乙醇与去离子水的体积比为1.5:1)覆盖整个石墨烯表面,石墨烯起皱,形成皱纹;
(3)取0.01g四硫代钼酸铵粉末放到试管中,加入1mL的二甲基甲酰胺,配成溶液A,将溶液A超声100分钟,将四硫代钼酸铵以3000r/s的转速旋涂 30s到步骤2中的石墨烯上;将旋涂有四硫代钼酸铵的石墨烯基底放到石英舟中并放置到石英管式炉的中心;
(4)再次封闭石英管式炉并检查气密性,将石英管式炉升温至200℃后通入氩气,流速设置为80sccm.系统压力保持在3.9帕;温度上升到500℃后通入 20sccm的氢气,持续90分钟,系统压力保持在5.8帕左右;90分钟以后停止通入氢气,并关闭加热器;温度降到200℃,停止通入氩气,等待自然冷却成室温, 取出材料便可制得石墨烯/MoS2异质结构材料;
(5)将制备的石墨烯/MoS2异质结构材料放入质量分数为1%氯金酸溶液, 30分钟后取出静置10分钟,再放入氯金酸溶液30分钟后取出,制备好金纳米颗粒的复合石墨烯/MoS2异质结构材料。
(6)在上述的金属颗粒复合石墨烯/MoS2异质结构材料两边制备电极和DNA 溶液槽,完成传感器的制备。
本实施例中,优选铜箔的厚度为30um,纯度为99.9%。
如附图1所示是本发明中的金属颗粒复合的二维材料异质结构的SEM图。
图2是本发明中的金属颗粒复合的二维材料异质结构的DNA-FET剖面图。
图3是石墨烯场效应管检测图;图4是本发明中的金属颗粒复合石墨烯/ MoS2场效应管检测图。图3和图4中所示是通过对场效应管的源漏极电流(Ids) 与栅极电压(Vg)之间的关系曲线进行测量得到,由图3和图4中的检测曲线可知,本发明中的金属颗粒复合石墨烯/MoS2DNA传感器检测效果更好。
图5为本发明的传感器的拉曼检测结果图。由图5可知,本发明的传感器的拉曼检测具有较高的灵敏度。
实施例2
(1)用丙酮和盐酸溶液清洗铜箔三次,再用去离子水彻底清洗三次;把干净的铜箔放在石英管式炉中的石英管中间,封闭真空管式炉,检查气密性;抽真空至0.67帕;温度升到200℃后通入流速为40sccm的氢气,气压变为5.3帕;温度升到1000℃后保持该温度1h进行铜箔的退火处理;1h以后通入流量为 40sccm的甲烷气体,气压变为7.9帕,在该温度和流速下保持25min,后关闭甲烷气体;关闭加热器,待温度降至100℃时关闭氢气,待自然冷却至室温,取出生长的单晶单层石墨烯,并将材料在真空条件下保存;
(2)将生长有单层单晶石墨烯膜的铜箔放在280g/L FeCl3溶液中刻蚀;40 分钟后,铜被完全腐蚀,石墨烯浮在溶液上;将单层单晶石墨烯膜转移到去离子水中,每隔10min转移一次,总计转移三次;
(3)将石墨烯捞至镀有氧化铟锡膜的二氧化硅基底上,然后再滴入一滴乙醇溶液(乙醇与去离子水的体积比为1.5:1)覆盖整个石墨烯表面,石墨烯起皱,形成皱纹;
(4)取0.015g四硫代钼酸铵粉末放到试管中,加入1mL的二甲基甲酰胺,配成溶液A,将溶液A超声100分钟,将四硫代钼酸铵以3000r/s的转速旋涂 30s到事先制备的褶皱石墨烯基底材料(1X1cm)上;将旋涂有四硫代钼酸铵的起皱石墨烯基底放到石英舟中并放置到炉子的中心;
(5)再次封闭管式炉并检查气密性,炉子在上升到200℃后通入氩气,流速设置为90sccm.系统压力保持在5.2帕;温度上升到500℃后通入25sccm的氢气,持续90分钟,系统压力保持在6.5帕左右;90分钟以后停止通入氢气,并关闭加热器;温度降到200℃,停止通入氩气,等待自然冷却成室温,取出材料便可制备起皱石墨烯/MoS2异质结构的生物传感器材料。
(6)将制备的石墨烯/MoS2异质结构材料放入质量分数为0.1%氯金酸溶液20-40分钟后取出,静置10分钟,再重复放入氯金酸溶液20-40分钟,静置5-10 分钟,重复2-5次。制备好金纳米颗粒的复合石墨烯/MoS2异质结构材料。
(7)在上述的金属颗粒复合石墨烯/MoS2异质结构材料两边制备电极和DNA 溶液槽,完成传感器的制备。
本实施例中,优选铜箔的厚度为30um,纯度为99.9%。
实施例3
(1)将铜箔放入丙酮溶液超声,用酒精溶液清洗三次,再用去离子水彻底清洗三次;把干净的铜箔放在石英管式炉中的石英管中间,封闭真空管式炉,检查气密性;利用机械泵和分子泵抽真空至0.013帕以下;温度升到200℃后通入流速为20sccm的氢气;温度升到900℃后保持该温度1.5h进行铜箔的退火处理;1.5h以后通入流量为40sccm的甲烷气体,在该温度和流速下保持30min,后关闭甲烷气体;关闭加热器,待温度降至100℃时关闭氢气,待自然冷却至室温,取出生长的单晶单层石墨烯,并将材料在真空条件下保存;
(2)将上述生长有单晶单层石墨烯膜的铜箔放在250g/L FeCl3溶液中刻蚀;50分钟后,铜被完全腐蚀,石墨烯浮在溶液上;将石墨烯膜转移到去离子水中进行清洗,转移三次;清洗后的石墨烯放入表面镀有氧化铟锡膜的硅基底上,然后再滴入一滴乙醇溶液(乙醇与去离子水的体积比为1.5:1)覆盖整个石墨烯表面,石墨烯起皱,形成皱纹;
(3)取0.01g四硫代钼酸铵粉末放到试管中,加入1mL的二甲基甲酰胺,配成溶液A,将溶液A超声120分钟,将四硫代钼酸铵以3000r/s的转速旋涂 30s到步骤2中的石墨烯上;将旋涂有四硫代钼酸铵的石墨烯基底放到石英舟中并放置到石英管式炉的中心;
(4)再次封闭石英管式炉并检查气密性,将石英管式炉升温至180℃后通入氩气,流速设置为90sccm.系统压力保持在3.9帕;温度上升到550℃后通入 25sccm的氢气,持续100分钟,系统压力保持在5.8帕左右;100分钟以后停止通入氢气,并关闭加热器;温度降到200℃,停止通入氩气,等待自然冷却成室温,取出材料便可制得石墨烯/MoS2异质结构材料;
(5)将制备的石墨烯/MoS2异质结构材料放入浓度为0.025M的硝酸银溶液,在20伏的直流电压下进行电镀6分钟,再放入去离子水中静置30分钟后取出,制备好银纳米颗粒的复合石墨烯/MoS2异质结构材料。
(6)在上述的金属颗粒复合石墨烯/MoS2异质结构材料两边制备电极和 DNA溶液槽,完成传感器的制备。
本实施例中,优选铜箔的厚度为30um,纯度为99.9%。
实施例4
(1)将铜箔放入丙酮溶液超声,用酒精溶液清洗三次,再用去离子水彻底清洗三次;把干净的铜箔放在石英管式炉中的石英管中间,封闭真空管式炉,检查气密性;利用机械泵和分子泵抽真空至0.013帕以下;温度升到100℃后通入流速为20sccm的氢气;温度升到1000℃后保持该温度0.5h进行铜箔的退火处理;0.5h以后通入流量为40sccm的甲烷气体,在该温度和流速下保持30min,后关闭甲烷气体;关闭加热器,待温度降至100℃时关闭氢气,待自然冷却至室温,取出生长的单晶单层石墨烯,并将材料在真空条件下保存;
(2)将上述生长有单晶单层石墨烯膜的铜箔放在280g/L FeCl3溶液中刻蚀;30分钟后,铜被完全腐蚀,石墨烯浮在溶液上;将石墨烯膜转移到去离子水中进行清洗,转移三次;清洗后的石墨烯放入表面镀有氧化铟锡膜的硅基底上,然后再滴入一滴乙醇溶液(乙醇与去离子水的体积比为1.5:1)覆盖整个石墨烯表面,石墨烯起皱,形成皱纹;
(3)取0.01g四硫代钼酸铵粉末放到试管中,加入1mL的二甲基甲酰胺,配成溶液A,将溶液A超声30分钟,将四硫代钼酸铵以3000r/s的转速旋涂30s 到步骤2中的石墨烯上;将旋涂有四硫代钼酸铵的石墨烯基底放到石英舟中并放置到石英管式炉的中心;
(4)再次封闭石英管式炉并检查气密性,将石英管式炉升温至220℃后通入氩气,流速设置为70sccm.系统压力保持在3.9帕;温度上升到550℃后通入 15sccm的氢气,持续90分钟,系统压力保持在5.8帕左右;90分钟以后停止通入氢气,并关闭加热器;温度降到200℃,停止通入氩气,等待自然冷却成室温, 取出材料便可制得石墨烯/MoS2异质结构材料;
(5)将制备的石墨烯/MoS2异质结构材料放入浓度为0.025M的硫酸铜溶液,在20伏的直流电压下进行电镀6分钟,再放入去离子水中静置30分钟后取出,制备好铜纳米颗粒的复合石墨烯/MoS2异质结构材料。
(6)在上述的金属颗粒复合石墨烯/MoS2异质结构材料两边制备电极和DNA 溶液槽,完成传感器的制备。
本实施例中,优选铜箔的厚度为30um,纯度为99.9%。
实施例5
(1)将铜箔放入丙酮溶液超声,用酒精溶液清洗三次,再用去离子水彻底清洗三次;把干净的铜箔放在石英管式炉中的石英管中间,封闭真空管式炉,检查气密性;利用机械泵和分子泵抽真空至0.013帕以下;温度升到100℃后通入流速为20sccm的氢气;温度升到1000℃后保持该温度0.5h进行铜箔的退火处理;0.5h以后通入流量为40sccm的甲烷气体,在该温度和流速下保持30min,后关闭甲烷气体;关闭加热器,待温度降至100℃时关闭氢气,待自然冷却至室温,取出生长的单晶单层石墨烯,并将材料在真空条件下保存;
(2)将上述生长有单晶单层石墨烯膜的铜箔放在270g/L FeCl3溶液中刻蚀; 50分钟后,铜被完全腐蚀,石墨烯浮在溶液上;将石墨烯膜转移到去离子水中进行清洗,转移三次;清洗后的石墨烯放入表面镀有氧化铟锡膜的硅基底上,然后再滴入一滴乙醇溶液(乙醇与去离子水的体积比为1.5:1)覆盖整个石墨烯表面,石墨烯起皱,形成皱纹;
(3)取0.01g四硫代钨酸铵粉末放到试管中,加入1mL的二甲基甲酰胺,配成溶液A,将溶液A超声150分钟,将四硫代钨酸铵以5000r/s的转速旋涂 30s到步骤2中的石墨烯上;将旋涂有四硫代钨酸铵的石墨烯基底放到石英舟中并放置到石英管式炉的中心;
(4)再次封闭石英管式炉并检查气密性,将石英管式炉升温至200℃后通入氩气,流速设置为80sccm.系统压力保持在3.9帕;温度上升到500℃后通入 20sccm的氢气,持续90分钟,系统压力保持在5.8帕左右;90分钟以后停止通入氢气,并关闭加热器;温度降到200℃,停止通入氩气,等待自然冷却成室温, 取出材料便可制得石墨烯/WS2异质结构材料;
(5)将制备的石墨烯/WS2异质结构材料放入质量分数为0.1%氯金酸溶液20-40分钟后取出,静置10分钟,再重复放入氯金酸溶液20-40分钟,静置5-10 分钟,重复2-5次。制备好金纳米颗粒的复合石墨烯/WS2异质结构材料。
(6)在上述的金属颗粒复合石墨烯/WS2异质结构材料两边制备电极和DNA 溶液槽,完成传感器的制备。
本实施例中,优选铜箔的厚度为30um,纯度为99.9%。
实施例6
(1)将铜箔放入丙酮溶液超声,用酒精溶液清洗三次,再用去离子水彻底清洗三次;把干净的铜箔放在石英管式炉中的石英管中间,封闭真空管式炉,检查气密性;利用机械泵和分子泵抽真空至0.013帕以下;温度升到200℃后通入流速为20sccm的氢气;温度升到900℃后保持该温度1.5h进行铜箔的退火处理;1.5h以后通入流量为40sccm的甲烷气体,在该温度和流速下保持30min,后关闭甲烷气体;关闭加热器,待温度降至100℃时关闭氢气,待自然冷却至室温,取出生长的单晶单层石墨烯,并将材料在真空条件下保存;
(2)将上述生长有单晶单层石墨烯膜的铜箔放在270g/L FeCl3溶液中刻蚀;50分钟后,铜被完全腐蚀,石墨烯浮在溶液上;将石墨烯膜转移到去离子水中进行清洗,转移三次;清洗后的石墨烯放入表面镀有氧化铟锡膜的硅基底上,然后再滴入一滴乙醇溶液(乙醇与去离子水的体积比为1.5:1)覆盖整个石墨烯表面,石墨烯起皱,形成皱纹;
(3)取0.005g四硫代钨酸铵粉末放到试管中,加入1mL的二甲基甲酰胺,配成溶液A,将溶液A超声150分钟,将四硫代钨酸铵以5000r/s的转速旋涂 30s到步骤2中的石墨烯上;将旋涂有四硫代钨酸铵的石墨烯基底放到石英舟中并放置到石英管式炉的中心;
(4)再次封闭石英管式炉并检查气密性,将石英管式炉升温至200℃后通入氩气,流速设置为80sccm.系统压力保持在3.9帕;温度上升到500℃后通入 20sccm的氢气,持续90分钟,系统压力保持在5.8帕左右;90分钟以后停止通入氢气,并关闭加热器;温度降到200℃,停止通入氩气,等待自然冷却成室温, 取出材料便可制得石墨烯/WS2异质结构材料;
(5)将制备的石墨烯/WS2异质结构材料放入浓度为0.025M的硝酸银溶液,在20伏的直流电压下进行电镀6分钟,再放入去离子水中静置30分钟后取出,制备好银纳米颗粒的复合石墨烯/WS2异质结构材料。
(6)在上述的金属颗粒复合石墨烯/WS2异质结构材料两边制备电极和DNA 溶液槽,完成传感器的制备。
本实施例中,优选铜箔的厚度为30um,纯度为99.9%。
实施例7
(1)将铜箔放入丙酮溶液超声,用酒精溶液清洗三次,再用去离子水彻底清洗三次;把干净的铜箔放在石英管式炉中的石英管中间,封闭真空管式炉,检查气密性;利用机械泵和分子泵抽真空至0.013帕以下;温度升到100℃后通入流速为20sccm的氢气;温度升到1050℃后保持该温度0.5h进行铜箔的退火处理;0.5h以后通入流量为40sccm的甲烷气体,在该温度和流速下保持30min,后关闭甲烷气体;关闭加热器,待温度降至100℃时关闭氢气,待自然冷却至室温,取出生长的单晶单层石墨烯,并将材料在真空条件下保存;
(2)将上述生长有单晶单层石墨烯膜的铜箔放在270g/L FeCl3溶液中刻蚀;50分钟后,铜被完全腐蚀,石墨烯浮在溶液上;将石墨烯膜转移到去离子水中进行清洗,转移三次;清洗后的石墨烯放入表面镀有氧化铟锡膜的硅基底上,然后再滴入一滴乙醇溶液(乙醇与去离子水的体积比为1.5:1)覆盖整个石墨烯表面,石墨烯起皱,形成皱纹;
(3)取0.01g四硫代钨酸铵粉末放到试管中,加入1mL的二甲基甲酰胺,配成溶液A,将溶液A超声150分钟,将四硫代钨酸铵以5000r/s的转速旋涂 30s到步骤2中的石墨烯上;将悬涂有四硫代钨酸铵的石墨烯基底放到石英舟中并放置到石英管式炉的中心;
(4)再次封闭石英管式炉并检查气密性,将石英管式炉升温至200℃后通入氩气,流速设置为80sccm.系统压力保持在3.9帕;温度上升到500℃后通入 20sccm的氢气,持续90分钟,系统压力保持在5.8帕左右;90分钟以后停止通入氢气,并关闭加热器;温度降到200℃,停止通入氩气,等待自然冷却成室温, 取出材料便可制得石墨烯/WS2异质结构材料;
(5)将制备的石墨烯/WS2异质结构材料放入浓度为0.025M的硫酸铜溶液,在20伏的直流电压下进行电镀6分钟,再放入去离子水中静置30分钟后取出,制备好铜纳米颗粒的复合石墨烯/WS2异质结构材料。
(6)在上述的金属颗粒复合石墨烯/WS2异质结构材料两边制备电极和DNA 溶液槽,完成传感器的制备。
本实施例中,优选铜箔的厚度为30um,纯度为99.9%。
实施例8
(1)将铜箔放入丙酮溶液超声,用酒精溶液清洗三次,再用去离子水彻底清洗三次;把干净的铜箔放在石英管式炉中的石英管中间,封闭真空管式炉,检查气密性;利用机械泵和分子泵抽真空至0.013帕以下;温度升到100℃后通入流速为20sccm的氢气;温度升到1100℃后保持该温度0.5h进行铜箔的退火处理;0.5h以后通入流量为40sccm的甲烷气体,在该温度和流速下保持30min,后关闭甲烷气体;关闭加热器,待温度降至100℃时关闭氢气,待自然冷却至室温,取出生长的单晶单层石墨烯,并将材料在真空条件下保存;
(2)将上述生长有单晶单层石墨烯膜的铜箔放在270g/L FeCl3溶液中刻蚀;50分钟后,铜被完全腐蚀,石墨烯浮在溶液上;将石墨烯膜转移到去离子水中进行清洗,转移三次;清洗后的石墨烯放入表面镀有氧化铟锡膜的硅基底上,然后再滴入一滴乙醇溶液(乙醇与去离子水的体积比为1.5:1)覆盖整个石墨烯表面,石墨烯起皱,形成皱纹;
(3)取0.01g四硫代钨酸铵粉末放到试管中,加入1mL的二甲基甲酰胺,配成溶液A,将溶液A超声150分钟,将四硫代钨酸铵以5000r/s的转速旋涂 30s到步骤2中的石墨烯上;将旋涂有四硫代钨酸铵的石墨烯基底放到石英舟中并放置到石英管式炉的中心;
(4)再次封闭石英管式炉并检查气密性,将石英管式炉升温至180℃后通入氩气,流速设置为90sccm.系统压力保持在3.9帕;温度上升到550℃后通入 25sccm的氢气,持续100分钟,系统压力保持在5.8帕左右;100分钟以后停止通入氢气,并关闭加热器;温度降到200℃,停止通入氩气,等待自然冷却成室温,取出材料便可制得石墨烯/WS2异质结构材料;
(5)将制备的石墨烯/MoS2异质结构材料放入质量分数为0.1%氯金酸溶液20-40分钟后取出,静置10分钟,再重复放入氯金酸溶液20-40分钟,静置5-10 分钟,重复2-5次。制备好金纳米颗粒的复合石墨烯/MoS2异质结构材料。
(6)在上述的金属颗粒复合石墨烯/MoS2异质结构材料两边制备电极和DNA 溶液槽,完成传感器的制备。
本实施例中,优选铜箔的厚度为30um,纯度为99.9%。
本实施例中的其他部分均为现有技术,在此不再赘述。
Claims (10)
1.一种金属纳米颗粒复合二维材料异质结构DNA传感器,其特征是:由金属纳米结构和二维材料组成,所述金属纳米结构为金纳米颗粒或银纳米颗粒或铜纳米颗粒,所述二维材料为石墨烯和过渡金属硫化物,所述过渡金属硫化物为二硫化钼或二硫化钨。
2.一种如权利要求1所述的金属纳米颗粒复合二维材料异质结构DNA传感器的制备方法,其特征是:包括如下步骤:
(1)清洗铜箔,将铜箔放在石英管式炉中的石英管的中间,封闭真空管式炉并抽真空,升温至100-200℃时通入氢气,再升温至900-1100℃,然后恒温0.5-1.5h退火,再通入甲烷,一段时间后停止通入甲烷,关闭加热器后降温至小于等于100℃时,停止通入氢气,室温下取出铜箔,铜箔的表面得到单晶单层石墨烯薄膜;
(2)将上述生长有单晶单层石墨烯膜的铜箔放入FeCl3溶液中,对铜箔进行刻蚀,将得到的石墨烯放入去离子水中进行清洗,清洗后的石墨烯放入表面镀有氧化铟锡膜的硅基底上;
(3)将过渡金属硫化物前体溶于二甲基甲酰胺配成溶液A,将溶液A进行超声处理,再将超声处理后的溶液A旋涂到步骤2中的石墨烯上,然后将旋涂有溶液A的石墨烯基底放入石英舟中,将石英舟放到石英管式炉的中心位置;
(4)将石英管式炉升温至180-220℃,然后通入氩气,再升温至450-550℃后通入氢气,一段时间后停止通入氢气,并停止加热,降温至180-220℃时停止通入氩气,温度降到室温,得到石墨烯/TMDCs异质结构材料;
(5)将上述的异质结构材料放入金或银或铜的酸性溶液中还原生长金属颗粒,制备出金属颗粒复合二维石墨烯/TMDCs异质结构材料;
(6)在上述的金属颗粒复合二维石墨烯/TMDCs异质结构材料两边制备电极和DNA溶液槽,完成传感器的制备。
3.根据权利要求2所述的金属纳米颗粒复合二维材料异质结构DNA传感器的制备方法,其特征是:所述铜箔的厚度为30um,纯度为99.9%。
4.根据权利要求2所述的金属纳米颗粒复合二维材料异质结构DNA传感器的制备方法,其特征是:步骤1中,甲烷和氢气的流速均为20-40sccm,甲烷的通入时间为25-35min;降温过程为自然冷却。
5.根据权利要求2所述的金属纳米颗粒复合二维材料异质结构DNA传感器的制备方法,其特征是:步骤2中,FeCl3溶液的浓度为250-280g/L,刻蚀的时间为30-50min。
6.根据权利要求2所述的金属纳米颗粒复合二维材料异质结构DNA传感器的制备方法,其特征是:步骤3中,过渡金属硫化物前体为四硫代钼酸铵或四硫代钨酸铵,溶液A的浓度为0.005-0.015g/mL,对溶液A超声处理的时间为30-150min。
7.根据权利要求2所述的金属纳米颗粒复合二维材料异质结构DNA传感器的制备方法,其特征是:步骤4中,通入氩气后炉内气压为3.9-5.2帕;通入氢气后炉内气压为5.8-6.5帕;氩气的流速为70-90sccm,氢气的流速为15-25sccm,氢气的通入时间为80-100min,降温方式为自然降温。
8.根据权利要求2或3或4或5或6或7所述的金属纳米颗粒复合二维材料异质结构DNA传感器的制备方法,其特征是:步骤5中,所述酸性溶液为氯金酸溶液或硝酸银溶液或硫酸铜溶液。
9.根据权利要求8所述的金属纳米颗粒复合二维材料异质结构DNA传感器的制备方法,其特征是:所述酸性溶液为氯金酸溶液,氯金酸溶液的质量分数为0.1-1%,放入时间为20-40分钟,取出静置时间为5-10分钟,重复次数为2-5次。
10.根据权利要求1所述的金属纳米颗粒复合二维材料异质结构DNA传感器在检测DNA生物分子中的应用。
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CN202110260664.1A Pending CN113189178A (zh) | 2021-03-10 | 2021-03-10 | 金属纳米颗粒复合二维材料异质结构传感器及制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113189178A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114252094A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-03-29 | 电子科技大学 | 一种基于法诺共振增强的光电探测结构及其制备方法 |
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2021
- 2021-03-10 CN CN202110260664.1A patent/CN113189178A/zh active Pending
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