CN113185146A - 不等厚基板的强化方法及不等厚基板 - Google Patents

不等厚基板的强化方法及不等厚基板 Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种不等厚基板的强化方法及不等厚基板，其中，不等厚基板的强化方法，包括以下步骤：提供不等厚基板；在所述不等厚基板厚度薄的区域的正反面均形成强化阻挡层；对形成所述强化阻挡层后的所述不等厚基板进行化学强化。上述方案，由于在不等厚基板厚度薄的区域的正反面均形成了强化阻挡层，强化阻挡层可以减轻对厚度薄的区域的强化作用，即在同一强化工艺(也可称为强化参数)，在厚度厚的区域形成较厚的应力层，在厚度薄的区域形成较薄的应力层，因此，实现了各厚度区域与强化工艺相匹配，提高了强化后的不等厚基板抗冲击性。

Description

不等厚基板的强化方法及不等厚基板
技术领域
本发明一般涉及显示技术领域，具体涉及一种不等厚基板的强化方法及不等厚基板。
背景技术
在对玻璃进行强化时，一般需要根据其厚度匹配对应的强化工艺。例如，在强化温度相同的情况下，较厚的玻璃要强化更长的时间以获得对应较深的应力层深度，而较薄的玻璃要强化较短的时间以获得对应较浅的应力层深度。
目前，随着显示技术的发展，电子产品上逐渐开始使用可折叠显示屏，为了满足折叠的需要，可折叠显示屏的盖板玻璃采用不等厚玻璃，例如，对应于折叠位置的厚度较其它部位薄，对应于这种不等厚玻璃，采用现有的强化工艺，若以较厚的部位对应的强化工艺进行强化，则较薄的部分的应力层深度会过大；若以较薄的部位对应的强化工艺进行强化，则较厚的部分的应力层深度会过小；若以折中于较厚与较薄对应的强化工艺进行强化，则较薄的部分的应力层深度会略大，同时较厚的部分的应力层深度会不足。上述三种强化工艺均存在不等厚基板的各厚度区域不能匹配强化工艺，造成强化后的不等厚基板抗冲击性能受限的问题
发明内容
本申请期望提供一种不等厚基板的强化方法及不等厚基板，用以解决现有技术中不等厚基板的各厚度区域不能匹配强化工艺，造成强化后的不等厚基板抗冲击性能受限的问题。
第一方面，本发明提供一种不等厚基板的强化方法，包括以下步骤：
提供不等厚基板；
在所述不等厚基板厚度薄的区域的正反面均形成强化阻挡层；
对形成所述强化阻挡层后的所述不等厚基板进行化学强化。
作为可实现方式，所述在所述不等厚基板厚度薄的区域的正反面均形成强化阻挡层，包括以下步骤：
在所述不等厚基板的正反面均形成保护层，各所述保护层均暴露所述不等厚基板厚度薄的区域；
在所述厚度薄的区域形成所述强化阻挡层；
在形成所述强化阻挡层后，去除所述保护层。
作为可实现方式，所述对形成所述强化阻挡层后的所述不等厚基板进行化学强化之后，还包括：
去除所述强化阻挡层。
作为可实现方式，所述对形成所述强化阻挡层后的所述不等厚基板进行化学强化，包括：
将形成所述强化阻挡层后的所述不等厚基板浸入预定温度的化学强化液预定时长。
作为可实现方式，所述不等厚基板为玻璃基板，所述化学强化液为硝酸钾熔融液。
作为可实现方式，所述预定温度为350℃-380℃。
作为可实现方式，所述预定时长为20min-60min。
作为可实现方式，所述强化阻挡层的厚度为5nm-30nm。
作为可实现方式，所述强化阻挡层的材料为ITO、IZO、IGO、GZO、 ZnO、AZO、ZnO、In2O3、Mo、Al、Cu、Ag、Au和Ti中的至少任一种。
第二方面，本发明提供一种不等厚基板，由上述的强化方法制备。
上述方案，由于在不等厚基板厚度薄的区域的正反面均形成了强化阻挡层，强化阻挡层可以减轻对厚度薄的区域的强化作用，即在同一强化工艺(也可称为强化参数)，在厚度厚的区域形成较厚的应力层，在厚度薄的区域形成较薄的应力层，因此，实现了各厚度区域与强化工艺相匹配，提高了强化后的不等厚基板抗冲击性。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本发明实施例提供的不等厚基板的强化方法的流程图；
图2为本发明实施例提供的不等厚基板形成强化阻挡层的剖视图；
图3为本发明实施例提供的形成强化阻挡层的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
如图1、图2所述，本发明实施例示出的一种不等厚基板的强化方法，包括以下步骤：
S10：提供不等厚基板1；
例如但不限于，该不等厚基板1有两个厚度不同的区域H、B，如其中一区域H的厚度D1为100μm，另一区域B的厚度D2为50 μm；这里的厚度值仅是为了示例性说明，并非是对本申请的限定，可以根据实际需要确定其它厚度值。此外，该示例中的不等厚基板1 仅示例了两个厚度不同的区域H、B，当然在其它示例中，根据具体需要，不等厚基板1还可以具有其它数量的厚度不同的区域。
S20：在所述不等厚基板1厚度薄的区域的正反面均形成强化阻挡层2；
例如但不限于，可以采用沉积的方式在不等厚基板1厚度薄的区域的正反面均形成强化阻挡层2，沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺。
S30：对形成所述强化阻挡层2后的所述不等厚基板1进行化学强化。
上述方案，由于在不等厚基板1厚度薄的区域的正反面均形成了强化阻挡层2，强化阻挡层2可以减轻对厚度薄的区域的强化作用，即在同一强化工艺(也可称为强化参数)，在厚度厚的区域形成较厚的应力层，在厚度薄的区域形成较薄的应力层，因此，实现了各厚度区域与强化工艺相匹配，提高了强化后的不等厚基板1抗冲击性。
作为可实现方式，另参见图3所示，所述在所述不等厚基板1厚度薄的区域的正反面均形成强化阻挡层2，包括以下步骤：
S21：在所述不等厚基板1的正反面均形成保护层，各所述保护层均暴露所述不等厚基板1厚度薄的区域；
为了在不等厚基板1厚度薄的区域形成强化阻挡层2，首先在不等厚基板1厚的区域的正反面均形成保护层，该保护层作为形成强化阻挡层2的掩膜。
该保护层可以是粘贴在不等厚基板1厚的区域的高分子材料膜层，也可以是图案化的光刻胶层等。只要其覆盖在不等厚基板1厚的区域的正反面，在沉积形成位于厚度薄的区域内的所述强化阻挡层2 时，起到掩膜作用，防止沉积的膜层覆盖厚度厚的区域即可。
S22：在所述厚度薄的区域形成所述强化阻挡层2；
例如，通过化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition；CVD)、原子层沉积(Atomic layer deposition；ALD)、分子层沉积(Molecular layer deposition；MLD)、等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition；PECVD)等方式形成强化阻挡层2。
S23：在形成所述强化阻挡层2后，去除所述保护层。
去除保护层后，以使不等厚基板1厚度后的区域直接与化学强化液进行化学强化处理。
作为可实现方式，所述对形成所述强化阻挡层2后的所述不等厚基板1进行化学强化之后，还包括：
去除所述强化阻挡层2。
另外，需要说明的是，若强化阻挡层2在不影响不等厚基板1光学性能的情况下，可以不用去除。
作为可实现方式，所述对形成所述强化阻挡层2后的所述不等厚基板1进行化学强化，包括：
将形成所述强化阻挡层2后的所述不等厚基板1浸入预定温度的化学强化液预定时长。
不等厚基板1厚的区域直接与化学强化液接触，其与化学强化液的离子交换速率不受影响，而由于不等厚基板1薄的区域覆盖有强化阻挡层2，强化阻挡层2减弱了不等厚基板1薄的区域与化学强化液的离子交换速率，因此，在相同的强化工艺下，达到了减小不等厚基板1薄的区域应力层深度的目的，实现了各厚度区域与强化工艺相匹配，提高了强化后的不等厚基板1抗冲击性。
作为可实现方式，所述不等厚基板1为玻璃基板，所述化学强化液为硝酸钾熔融液。
作为可实现方式，所述预定温度为350℃-380℃。例如，将硝酸钾加热至350℃-380℃，形成硝酸钾熔融液以对不等厚基板1进行化学强化。
作为可实现方式，所述预定时长为20min-60min。
作为可实现方式，所述强化阻挡层2的厚度为5nm-30nm。
作为可实现方式，所述强化阻挡层2的材料为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化镓锌(GZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)和钛(Ti)中的至少任一种。
第二方面，本发明提供一种不等厚基板，由上述的强化方法制备。
该不等厚基板1由上述强化方法制备而成，其具体工艺及效果参见上述实施例，这里不再赘述。
下面通过对比示例，对通过上述强化方法形成的不等厚基板1的冲击性予以说明。
例如，该不等厚基板1可以为150mm×150mm见方的玻璃基板，其具有两个不同的厚度区，如其中一区域H的厚度D1为100μm，另一区域B的厚度D2为50μm。对于不等厚基板1表面应力(CS)、应力层深度(DOL)、中心应力(CT)的推荐应力参数，也即玻璃基板强化后的理想的应力参数，详见以下表1。
表1
Figure BDA0003044782130000061
分别对在薄的区域的正反两面形成5nm、10nm、15nm、20nm、 25nm、30nm的强化阻挡层2厚的不等厚基板1，在380℃的硝酸钾熔融液中强化20min，并以三块不设置强化阻挡层2厚的不等厚基板1，在380℃的硝酸钾熔融液中强化20min作为对比，使用FSM应力仪对强化后的各块不等厚基板1进行应力测试，并将强化后的各块不等厚基板1置于平台上，如大理石平台上，以质量为12g(笔尖直径0.5mm) 的笔，竖直落到不等厚基板1，测试高度从0.5cm开始，以0.5cm为单位递增，至各不等厚基板1破碎，记录数据如下表2所示。
表2
Figure BDA0003044782130000071
Figure BDA0003044782130000081
由上表可以看出，采用本方案强化后的不等厚基板1，均能达到表1的要求。
需要理解的是，上文如有涉及术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (10)

1.一种不等厚基板的强化方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供不等厚基板；
在所述不等厚基板厚度薄的区域的正反面均形成强化阻挡层；
对形成所述强化阻挡层后的所述不等厚基板进行化学强化。
2.根据权利要求1所述的不等厚基板的强化方法，其特征在于，所述在所述不等厚基板厚度薄的区域的正反面均形成强化阻挡层，包括以下步骤：
在所述不等厚基板的正反面均形成保护层，各所述保护层均暴露所述不等厚基板厚度薄的区域；
在所述厚度薄的区域形成所述强化阻挡层；
在形成所述强化阻挡层后，去除所述保护层。
3.根据权利要求1所述的不等厚基板的强化方法，其特征在于，所述对形成所述强化阻挡层后的所述不等厚基板进行化学强化之后，还包括：
去除所述强化阻挡层。
4.根据权利要求1-3任一项所述的不等厚基板的强化方法，其特征在于，所述对形成所述强化阻挡层后的所述不等厚基板进行化学强化，包括：
将形成所述强化阻挡层后的所述不等厚基板浸入预定温度的化学强化液预定时长。
5.根据权利要求4所述的不等厚基板的强化方法，其特征在于，所述不等厚基板为玻璃基板，所述化学强化液为硝酸钾熔融液。
6.根据权利要求4所述的不等厚基板的强化方法，其特征在于，所述预定温度为350℃-380℃。
7.根据权利要求4所述的不等厚基板的强化方法，其特征在于，所述预定时长为20min-60min。
8.根据权利要求1-3任一项所述的不等厚基板的强化方法，其特征在于，所述强化阻挡层的厚度为5nm-30nm。
9.根据权利要求1-3任一项所述的不等厚基板的强化方法，其特征在于，所述强化阻挡层的材料为ITO、IZO、IGO、GZO、ZnO、AZO、ZnO、In2O3、Mo、Al、Cu、Ag、Au和Ti中的至少任一种。
10.一种不等厚基板，其特征在于，由权利要求1-9任一项所述的强化方法制备。
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