CN113176303B - 基于面曝光增材的石墨烯基场效应管气体传感器制造方法 - Google Patents

基于面曝光增材的石墨烯基场效应管气体传感器制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113176303B
CN113176303B CN202110267534.0A CN202110267534A CN113176303B CN 113176303 B CN113176303 B CN 113176303B CN 202110267534 A CN202110267534 A CN 202110267534A CN 113176303 B CN113176303 B CN 113176303B
Authority
CN
China
Prior art keywords
graphene
field effect
gas sensor
manufacturing
surface exposure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110267534.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113176303A (zh
Inventor
沈理达
柏德智
刘富玺
谢德巧
吕非
邱明波
田宗军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanjing University of Aeronautics and Astronautics
Original Assignee
Nanjing University of Aeronautics and Astronautics
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanjing University of Aeronautics and Astronautics filed Critical Nanjing University of Aeronautics and Astronautics
Priority to CN202110267534.0A priority Critical patent/CN113176303B/zh
Publication of CN113176303A publication Critical patent/CN113176303A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113176303B publication Critical patent/CN113176303B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y15/00Nanotechnology for interacting, sensing or actuating, e.g. quantum dots as markers in protein assays or molecular motors
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基于面曝光增材的石墨烯基场效应管气体传感器制造方法,采用面曝光光固化技术进行传感器整体成形并结合了激光活化技术和电化学镀对传感器的源极和漏极进行激光活化和化学镀,利用多工位系统进行不同成形材料的切换。在切换材料之前,需要对已成形部分进行清洗、干燥,避免不同材料之间的相互影响。如此,最终完成对石墨烯基场效应管气体传感器的制造。本发明简化了石墨烯基场效应管气体传感器的制造工艺和成本,有利于小批量制造和产品研发。

Description

基于面曝光增材的石墨烯基场效应管气体传感器制造方法
技术领域
本发明涉及3D打印技术,尤其涉及一种基于面曝光增材的石墨烯基场效应管气体传感器制造方法。
背景技术
石墨烯具有很多优良的性能,包括高的杨氏模量、大的比表面积、优良的热传导性、室温下具有超高的电子迁移率等。相较于传统的材料,石墨烯在力学、热学、电学、光学等特性上有着极大的优势,这使得石墨烯在相关传感器领域的应用中有着很大的潜力。近年来,随着科学技术的不断进步,特别是微纳加工技术的蓬勃发展以及石墨烯制备加工技术的进步,极大地推动了传感器的基础研究以及应用推广,也为新型传感器的研发带来了灵感。目前,石墨烯基气体传感器的制造工艺主要是化学沉积,工艺复杂,成本高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对背景技术中所涉及到的缺陷,提供一种基于面曝光增材的石墨烯基场效应管气体传感器制造方法。
本发明为解决上述技术问题采用以下技术方案:
基于面曝光增材的石墨烯基场效应管气体传感器制造方法,包括以下步骤:
步骤1),运用计算机三维建模软件建立所要加工的场效应管气体传感器三维模型,保存为STL格式;
步骤2),将工作平台依次置于添加SiO2、N-Si、石墨烯、铜粉的光敏树脂液槽中,根据三维模型分别对应完成对场效应管气体传感器中背栅电极、栅氧层、石墨烯感应层、源极和漏极这四个部位的面曝光光固化成形;然后用YAG激光器对源极和漏极进行激光活化;
在切换光敏树脂液槽时,需要将工作平台先后转移至清洗槽、热风干燥槽中对已成形部分进行清洗干燥,防止不同的光敏树脂液之间相互污染;
步骤3),取出成形完成实体,用酒精擦拭并使其干燥,然后将其置于CuSO4电镀液中对源极和漏极进行电镀,直至镀层厚度达到1mm;
步骤4),将加工完成的石墨烯基场效应管气体传感器取出,进行表面处理。
作为本发明基于面曝光增材的石墨烯基场效应管气体传感器制造方法进一步的优化方案,步骤2)中采用半导体激光器进行激光活化,功率为800mW,外投射激光采用三倍频Nd:YAG激光器,功率2~7W,波长355nm。
作为本发明基于面曝光增材的石墨烯基场效应管气体传感器制造方法进一步的优化方案,步骤2)中清洗槽采用超声清洗,清洗时间10-15s;热风干燥槽采用热风烘干,温度为20-30℃。
本发明采用以上技术方案与现有技术相比,具有以下技术效果:
1. 本发明利用面曝光光固化技术,结合激光活化和电镀技术,完成了石墨烯基场效应管气体传感器的增材制造;
2. 本发明工序少,工艺简单,设备成本低廉,生产周期短,适合小批量生产和产品研发。
附图说明
图1为本发明制造流程示意图;
图2为本发明激光活化示意图;
图3为本发明的石墨烯基场效应管气体传感器的结构示意图。
图中,1-升降平台,2-光固化成形机床缸体,3-工作平台,4-光敏树脂液体材料,5-待打印工件,6-刮刀,7-YAG激光器及其振镜系统。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的技术方案做进一步的详细说明:
本发明可以以许多不同的形式实现,而不应当认为限于这里所述的实施例。相反,提供这些实施例以便使本公开透彻且完整,并且将向本领域技术人员充分表达本发明的范围。在附图中,为了清楚起见放大了组件。
如图1、图2所示,本发明公开了一种基于面曝光增材的石墨烯基场效应管气体传感器制造方法,包括以下步骤:
步骤1),运用计算机三维建模软件建立所要加工的场效应管气体传感器三维模型,保存为STL格式;
步骤2),将工作平台依次置于添加SiO2、N-Si、石墨烯、铜粉的光敏树脂液槽中,根据三维模型分别对应完成对场效应管气体传感器中背栅电极、栅氧层、石墨烯感应层、源极和漏极这四个部位的面曝光光固化成形,如图3所示;然后用YAG激光器对源极和漏极进行激光活化;
在切换光敏树脂液槽时,需要将工作平台先后转移至清洗槽、热风干燥槽中对已成形部分进行清洗干燥,防止不同的光敏树脂液之间相互污染;
步骤3),取出成形完成实体,用酒精擦拭并使其干燥,然后将其置于CuSO4电镀液中对源极和漏极进行电镀,直至镀层厚度达到1mm;
步骤4),将加工完成的石墨烯基场效应管气体传感器取出,进行表面处理。
步骤2)中采用半导体激光器进行激光活化,功率为800mW,外投射激光采用三倍频Nd:YAG激光器,功率2~7W,波长355nm;清洗槽采用超声清洗,清洗时间10-15s;热风干燥槽采用热风烘干,温度为20-30℃。
用于面曝光光固化成形的机床中,多工位层位于光源下方,包括多个材料液槽,多个材料液槽内分别盛放掺杂硅、SiO2、石墨烯和铜粉的液态光固化材料,通过工位的选装切换液槽从而完成传感器不同部分的光固化成形;多个材料液槽配备加热、散热装置,保证材料液槽内温度满足要求;同时采用当前DLP紫外数字投影技术,利用405nm光源,选择性的将面光源投射到液槽中在下置层固化成形。
本发明针对目前石墨烯基场效应管气体传感器制造工艺复杂,利用面曝光光固化技术,结合激光活化和电化学镀技术,利用多工位系统,为石墨烯基场效应管型气体传感器的制造提供一种工艺简单,设备成本低廉的方法。
本技术领域技术人员可以理解的是,除非另外定义,这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是,诸如通用字典中定义的那些术语应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义,并且除非像这里一样定义,不会用理想化或过于正式的含义来解释。
以上所述的具体实施方式,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施方式而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.基于面曝光增材的石墨烯基场效应管气体传感器制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1),运用计算机三维建模软件建立所要加工的场效应管气体传感器三维模型,保存为STL格式;
步骤2),将工作平台依次置于添加SiO2、N-Si、石墨烯、铜粉的光敏树脂液槽中,根据三维模型分别对应完成对场效应管气体传感器中背栅电极、栅氧层、石墨烯感应层、源极和漏极这四个部位的面曝光光固化成形;然后用YAG激光器对源极和漏极进行激光活化;
在切换光敏树脂液槽时,需要将工作平台先后转移至清洗槽、热风干燥槽中对已成形部分进行清洗干燥,防止不同的光敏树脂液之间相互污染;
步骤3),取出成形完成实体,用酒精擦拭并使其干燥,然后将其置于CuSO4电镀液中对源极和漏极进行电镀,直至镀层厚度达到1mm;
步骤4),将加工完成的石墨烯基场效应管气体传感器取出,进行表面处理。
2.根据权利 要求1所述的基于面曝光增材的石墨烯基场效应管气体传感器制造方法,其特征在于,步骤2)中采用半导体激光器进行激光活化,功率为800mW,外投射激光采用三倍频Nd:YAG激光器,功率2~7W,波长355nm。
3.根据权利 要求1所述的基于面曝光增材的石墨烯基场效应管气体传感器制造方法,其特征在于,步骤2)中清洗槽采用超声清洗,清洗时间10-15s;热风干燥槽采用热风烘干,温度为20-30℃。
CN202110267534.0A 2021-03-11 2021-03-11 基于面曝光增材的石墨烯基场效应管气体传感器制造方法 Active CN113176303B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110267534.0A CN113176303B (zh) 2021-03-11 2021-03-11 基于面曝光增材的石墨烯基场效应管气体传感器制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110267534.0A CN113176303B (zh) 2021-03-11 2021-03-11 基于面曝光增材的石墨烯基场效应管气体传感器制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113176303A CN113176303A (zh) 2021-07-27
CN113176303B true CN113176303B (zh) 2022-07-12

Family

ID=76922888

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110267534.0A Active CN113176303B (zh) 2021-03-11 2021-03-11 基于面曝光增材的石墨烯基场效应管气体传感器制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113176303B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN205310829U (zh) * 2015-10-14 2016-06-15 北京工业大学 3d立体投影式光固化3d打印机
CN106903310A (zh) * 2017-01-12 2017-06-30 南京航空航天大学 基于立体光固化成形技术的结构电路一体化部件的制作方法
CN107187027A (zh) * 2017-06-29 2017-09-22 张辉开 一种石墨烯光固化3d打印方法及其应用
CN109564927A (zh) * 2016-07-29 2019-04-02 特里纳米克斯股份有限公司 光学传感器和用于光学检测的检测器
CN111471140A (zh) * 2020-05-19 2020-07-31 深圳永昌和科技有限公司 一种磁控3d打印紫外光固化导电材料及其制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9851328B2 (en) * 2014-08-18 2017-12-26 Stmicroelectronics Pte Ltd Compact microelectronic integrated gas sensor

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN205310829U (zh) * 2015-10-14 2016-06-15 北京工业大学 3d立体投影式光固化3d打印机
CN109564927A (zh) * 2016-07-29 2019-04-02 特里纳米克斯股份有限公司 光学传感器和用于光学检测的检测器
CN106903310A (zh) * 2017-01-12 2017-06-30 南京航空航天大学 基于立体光固化成形技术的结构电路一体化部件的制作方法
CN107187027A (zh) * 2017-06-29 2017-09-22 张辉开 一种石墨烯光固化3d打印方法及其应用
CN111471140A (zh) * 2020-05-19 2020-07-31 深圳永昌和科技有限公司 一种磁控3d打印紫外光固化导电材料及其制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
UV固化快速成型原理及在塑料加工中的应用;陈绪煌等;《塑胶工业》;20070415(第02期);全文 *
基于DLP技术的3D打印机在产品创意设计中的应用;郑月婵;《科技创新与应用》;20190508(第14期);全文 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN113176303A (zh) 2021-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Song et al. Graphene transfer: Paving the road for applications of chemical vapor deposition graphene
CN109532067B (zh) 一种高性能柔性电加热膜的制造方法
CN103633024B (zh) 一种大规模h-BN介质石墨烯集成电路制备方法
CN103046088A (zh) 一种微纳米复合多孔铜表面结构及其制备方法与装置
CN107910249B (zh) 制备二维面内异质结的方法
CN104112819B (zh) 一种有机单晶场效应电路及其制备方法
US11926524B1 (en) Methods, apparatus, and systems for fabricating solution-based conductive 2D and 3D electronic circuits
CN113176303B (zh) 基于面曝光增材的石墨烯基场效应管气体传感器制造方法
CN103956320A (zh) 一种将电极图形转移在任意基底上并构建电子器件的方法
CN101837951B (zh) 图型化电极诱导和微波固化制作纳米结构的装置和方法
CN105931971B (zh) 一种场效应晶体管的制备方法
CN105666848B (zh) 一种压印电极微栅薄膜的模具辊制作方法
Chen et al. Electrochemical Replication and Transfer for Low‐Cost, Sub‐100 nm Patterning of Materials on Flexible Substrates
CN102243436B (zh) 一种几何约束下的电场诱导微复型方法
JP6838246B2 (ja) アレイ基板、表示基板の製造方法及びディスプレイパネル
CN110335943B (zh) 一种双栅有机薄膜晶体管及其制备方法
KR20150069788A (ko) 미세구리배선의 제조 방법 및 이를 이용한 트랜지스터제조방법
CN115821337A (zh) 基于多层结构硅橡胶芯模的压印金属模板微电铸成形方法
CN112590201B (zh) 一种基于面曝光复合多材料能场约束件增材制造装置及方法
CN113744929B (zh) 一种银纳米线柔性导电透明薄膜的制备方法
CN105448695A (zh) 一种快速无模板的图形化电极制作方法
CN103882495A (zh) 一种电解等离子体制备铝合金抗粘附表面的方法
CN109264664A (zh) 一种Al2O3空心球壳阵列的制备方法
CN107910129A (zh) 一种石墨烯/碳纳米管复合透明导电薄膜的制备方法
CN110774791B (zh) 一种凹版移印法制作纳米银线透明导电膜导线图案的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant