CN113162636A - 用于处理无线电信号的电子装置及其操作方法 - Google Patents

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Abstract

各个实施例涉及用于处理电子装置中的无线电信号的设备和方法。该电子装置可以包括：通信处理器；以及电连接到通信处理器的功率放大器，该功率放大器包括第一开关、输入端口、第一输出端口和第二输出端口，该功率放大器进一步包括安置在输入端口和第一开关之间的第一电子路径上的第一放大电路、安置在第一开关和第一输出端口之间的第二电子路径上的第二放大电路、以及安置在第一开关和第二输出端口之间的第三电子路径上的第三放大电路。

Description

用于处理无线电信号的电子装置及其操作方法
技术领域
本公开涉及用于处理电子装置中的无线电信号的设备和方法。
背景技术
随着信息通信技术和半导体技术的发展，电子装置能够提供各种功能。例如，电子装置不仅仅能够提供语音通信功能，而且也提供短程无线通信功能(例如，蓝牙、无线LAN或近场通信(NFC))和/或移动通信功能(长期演进(LTE)、高级LTE(A)或第5代新的无线电(5GNR))。
电子装置能够生成和/或修复用于无线通信的射频(RF)信号。用于处理RF信号的电路(例如，射频前端(RFFE))可能在电子装置中需要一定物理区域。
随着结构变得相对复杂，用于处理RF信号的电路(例如，RFFE)可能需要相对更大的物理区域。随着由用于处理RF信号的电路占用的物理区域在电子装置中变得更大，其可能引起电子装置的尺寸的增加并且可能引起成本的增加。
发明内容
本公开的实施例公开用于使用具有其中放大模块(例如，功率放大器或低噪声放大器)的多个放大电路与电子装置分开的结构的无线通信电路(例如，射频集成电路(RFIC))来处理无线电信号的设备和方法。
根据各个示例实施例，一种电子装置可以包括：通信处理器；以及电连接到通信处理器的功率放大器，该功率放大器包括第一开关、输入端口、第一输出端口和第二输出端口，该功率放大器进一步包括安置在输入端口和第一开关之间的第一电子路径上的第一放大电路、安置在第一开关和第一输出端口之间的第二电子路径上的第二放大电路、以及安置在第一开关和第二输出端口之间的第三电子路径上的第三放大电路。
根据各个示例实施例，一种电子装置可以包括：通信处理器；以及电连接到通信处理器的至少一个天线模块，该至少一个天线模块包括：包括至少一个第一天线的第一天线阵列、包括至少一个第二天线的第二天线阵列、以及无线通信电路，其中，无线通信电路包括功率放大器，该功率放大器包括第一开关、输入端口、第一输出端口以及第二输出端口，该功率放大器进一步包括安置在输入端口和第一开关之间的第一电子路径上的第一放大电路、安置在通过第一输出端口连接的至少一个第一天线和第一开关之间的第二电子路径上的第二放大电路、以及安置在通过第二输出端口连接的至少一个第二天线和第一开关之间的第三电子路径上的第三放大电路。
附图说明
根据结合附图所采取的以下描述，本公开的某些实施例的上述及其他方面、特征和优点将变得更明显，在附图中：
图1是图示出根据各个实施例的网络环境中的示例电子装置的框图；
图2是图示出根据各个实施例的、支持遗留网络通信和5G网络通信的示例电子装置的框图；
图3A是根据各个实施例的电子装置的前透视图；
图3B是根据各个实施例的电子装置的后透视图；
图4A是图示出根据各个实施例的示例第三天线模块结构的图；
图4B是根据各个实施例的、沿图4A中图示出的第三天线模块的线Y-Y’所取的截面图；
图5是根据各个实施例的电子装置的截面图；
图6是根据各个实施例的图5的天线模块的透视图；
图7是图示出根据各个实施例的RFIC的示例配置的图；
图8是图示出根据各个实施例的RFFE的示例配置的图；
图9A是图示出根据各个实施例的RFFE的第一开关电路的示例配置的图；
图9B是图示出根据各个实施例的RFFE的第一开关电路的示例配置的图；
图9C是图示出根据各个实施例的RFFE的第一开关电路的示例配置的图；
图9D是图示出根据各个实施例的RFFE的第一开关电路的示例配置的图；
图10A是图示出根据各个实施例的、用于连接到一个天线端口的RFFE的第二开关电路的示例配置的图；
图10B是图示出根据各个实施例的、用于连接到一个天线端口的RFFE的第二开关电路的示例配置的图；
图10C是图示出根据各个实施例的、用于连接到一个天线端口的RFFE的第二开关电路的示例配置的图；
图11A是图示出根据各个实施例的、用于连接到两个天线端口的RFFE的第二开关电路的示例配置的图；
图11B是图示出根据各个实施例的、用于连接到两个天线端口的RFFE的第二开关电路的示例配置的图；
图11C是图示出根据各个实施例的、用于连接到两个天线端口的RFFE的第二开关电路的示例配置的图；
图11D是图示出根据各个实施例的、用于连接到两个天线端口的RFFE的第二开关电路的示例配置的图；
图12A是图示出根据各个实施例的、用于连接到两个天线端口的RFFE的示例配置的图；
图12B是图示出根据各个实施例的、用于连接到两个天线端口的RFFE的示例配置的图；
图12C是图示出根据各个实施例的、用于连接到两个天线端口的RFFE的示例配置的图；
图12D是图示出根据各个实施例的、用于连接到两个天线端口的RFFE的示例配置的图；
图13A是图示出根据各个实施例的、在参考图12A所解释的RFFE的配置中使用外部芯片的示例配置的图；
图13B是图示出根据各个实施例的、在参考图12A所解释的RFFE的配置中使用外部芯片的示例配置的图；
图13C是图示出根据各个实施例的、在参考图12A所解释的RFFE的配置中使用外部芯片的示例配置的图；
图14A是图示出根据各个实施例的、在参考图12B所解释的RFFE的配置中使用外部芯片的示例配置的图；
图14B是图示出根据各个实施例的、在参考图12B所解释的RFFE的配置中使用外部芯片的示例配置的图；
图14C是图示出根据各个实施例的、在参考图12B所解释的RFFE的配置中使用外部芯片的示例配置的图；
图15A是图示出根据各个实施例的、在参考图12C所解释的RFFE的配置中使用外部芯片的示例配置的图；
图15B是图示出根据各个实施例的、在参考图12C所解释的RFFE的配置中使用外部芯片的示例配置的图；
图15C是图示出根据各个实施例的、在参考图12C所解释的RFFE的配置中使用外部芯片的示例配置的图；
图15D是图示出根据各个实施例的、在参考图12C所解释的RFFE的配置中使用外部芯片的示例配置的图；
图16A是图示出根据各个实施例的、与外部芯片有关的匹配电路的示例配置的图；
图16B是图示出根据各个实施例的、与外部芯片有关的匹配电路的示例配置的图；以及
图16C是图示出根据各个实施例的、与外部芯片有关的匹配电路的示例配置的图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图更详细地描述各个示例实施例。
图1是示出根据各种实施例的网络环境100中的电子装置101的框图。参照图1，网络环境100中的电子装置101可经由第一网络198(例如，短距离无线通信网络)与电子装置102进行通信或者经由第二网络199(例如，长距离无线通信网络)与电子装置104或服务器108进行通信。根据实施例，电子装置101可经由服务器108与电子装置104进行通信。根据实施例，电子装置101可包括处理器120、存储器130、输入装置150、声音输出装置155、显示装置160、音频模块170、传感器模块176、接口177、触觉模块179、相机模块180、电力管理模块188、电池189、通信模块190、用户识别模块(SIM)196或天线模块197。在一些实施例中，可从电子装置101中省略所述部件中的至少一个(例如，显示装置160或相机模块180)，或者可将一个或更多个其它部件添加到电子装置101中。在一些实施例中，可将所述部件中的一些部件实现为单个集成电路。例如，可将传感器模块176(例如，指纹传感器、虹膜传感器、或照度传感器)实现为嵌入在显示装置160(例如，显示器)中。
处理器120可运行例如软件(例如，程序140)来控制电子装置101的与处理器120连接的至少一个其它部件(例如，硬件部件或软件部件)，并可执行各种数据处理或计算。根据一个实施例，作为所述数据处理或计算的至少部分，处理器120可将从另一部件(例如，传感器模块176或通信模块190)接收到的命令或数据加载到易失性存储器132中，对存储在易失性存储器132中的命令或数据进行处理，并将结果数据存储在非易失性存储器134中。根据实施例，处理器120可包括主处理器121(例如，中央处理器(CPU)或应用处理器(AP))以及与主处理器121在操作上独立的或者相结合的辅助处理器123(例如，图形处理单元(GPU)、图像信号处理器(ISP)、传感器中枢处理器或通信处理器(CP))。另外地或者可选择地，辅助处理器123可被适配为比主处理器121耗电更少或者被适配为具体用于指定的功能。可将辅助处理器123实现为与主处理器121分离或者实现为主处理器121的部分。
在主处理器121处于未激活(例如，睡眠)状态时，辅助处理器123可控制与电子装置101(而非主处理器121)的部件之中的至少一个部件(例如，显示装置160、传感器模块176或通信模块190)相关的功能或状态中的至少一些或者在主处理器121处于激活状态(例如，运行应用)时，辅助处理器123可与主处理器121一起来控制与电子装置101的部件之中的至少一个部件(例如，显示装置160、传感器模块176或通信模块190)相关的功能或状态中的至少一些。根据实施例，可将辅助处理器123(例如，图像信号处理器或通信处理器)实现为在功能上与辅助处理器123相关的另一部件(例如，相机模块180或通信模块190)的部分。
存储器130可存储由电子装置101的至少一个部件(例如，处理器120或传感器模块176)使用的各种数据。所述各种数据可包括例如软件(例如，程序140)以及针对与其相关的命令的输入数据或输出数据。存储器130可包括易失性存储器132或非易失性存储器134。
可将程序140作为软件存储在存储器130中，并且程序140可包括例如操作系统(OS)142、中间件144或应用146。
输入装置150可从电子装置101的外部(例如，用户)接收将由电子装置101的其它部件(例如，处理器120)使用的命令或数据。输入装置150可包括例如麦克风、鼠标或键盘。
声音输出装置155可将声音信号输出到电子装置101的外部。声音输出装置155可包括例如扬声器或接收器。扬声器可用于诸如播放多媒体或播放唱片的通用目的，接收器可用于呼入呼叫。根据实施例，可将接收器实现为与扬声器分离或实现为扬声器的部分。
显示装置160可向电子装置101的外部(例如，用户)视觉地提供信息。显示装置160可包括例如显示器、全息装置或投影仪以及用于控制显示器、全息装置和投影仪中的相应一个的控制电路。根据实施例，显示装置160可包括被适配为检测触摸的触摸电路或被适配为测量由触摸引起的力的强度的传感器电路(例如，压力传感器)。
音频模块170可将声音转换为电信号，反之亦可。根据实施例，音频模块170可经由输入装置150获得声音或者经由声音输出装置155或与电子装置101直接(例如，有线地)连接或无线连接的外部电子装置(例如，电子装置102)的耳机输出声音。
传感器模块176可检测电子装置101的操作状态(例如，功率或温度)或电子装置101外部的环境状态(例如，用户的状态)，然后产生与检测到的状态相应的电信号或数据值。根据实施例，传感器模块176可包括例如手势传感器、陀螺仪传感器、大气压力传感器、磁性传感器、加速度传感器、握持传感器、接近传感器、颜色传感器、红外(IR)传感器、生物特征传感器、温度传感器、湿度传感器或照度传感器。
接口177可支持将用来使电子装置101与外部电子装置(例如，电子装置102)直接(例如，有线地)或无线连接的一个或更多个特定协议。根据实施例，接口177可包括例如高清晰度多媒体接口(HDMI)、通用串行总线(USB)接口、安全数字(SD)卡接口或音频接口。
连接端178可包括连接器，其中，电子装置101可经由所述连接器与外部电子装置(例如，电子装置102)物理连接。根据实施例，连接端178可包括例如HDMI连接器、USB连接器、SD卡连接器或音频连接器(例如，耳机连接器)。
触觉模块179可将电信号转换为可被用户经由他的触觉或动觉识别的机械刺激(例如，振动或运动)或电刺激。根据实施例，触觉模块179可包括例如电机、压电元件或电刺激器。
相机模块180可捕获静止图像或运动图像。根据实施例，相机模块180可包括一个或更多个透镜、图像传感器、图像信号处理器或闪光灯。
电力管理模块188可管理对电子装置101的供电。根据实施例，可将电力管理模块188实现为例如电力管理集成电路(PMIC)的至少部分。
电池189可对电子装置101的至少一个部件供电。根据实施例，电池189可包括例如不可再充电的原电池、可再充电的蓄电池、或燃料电池。
通信模块190可支持在电子装置101与外部电子装置(例如，电子装置102、电子装置104或服务器108)之间建立直接(例如，有线)通信信道或无线通信信道，并经由建立的通信信道执行通信。通信模块190可包括能够与处理器120(例如，应用处理器(AP))独立操作的一个或更多个通信处理器，并支持直接(例如，有线)通信或无线通信。根据实施例，通信模块190可包括无线通信模块192(例如，蜂窝通信模块、短距离无线通信模块或全球导航卫星系统(GNSS)通信模块)或有线通信模块194(例如，局域网(LAN)通信模块或电力线通信(PLC)模块)。这些通信模块中的相应一个可经由第一网络198(例如，短距离通信网络，诸如蓝牙、无线保真(Wi-Fi)直连或红外数据协会(IrDA))或第二网络199(例如，长距离通信网络，诸如蜂窝网络、互联网、或计算机网络(例如，LAN或广域网(WAN)))与外部电子装置进行通信。可将这些各种类型的通信模块实现为单个部件(例如，单个芯片)或可将这些各种类型的通信模块实现为彼此分离的多个部件(例如，多个芯片)。无线通信模块192可使用存储在用户识别模块196中的用户信息(例如，国际移动用户识别码(IMSI))识别并验证通信网络(诸如第一网络198或第二网络199)中的电子装置101。
天线模块197可将信号或电力发送到电子装置101的外部(例如，外部电子装置)或者从电子装置101的外部(例如，外部电子装置)接收信号或电力。根据实施例，天线模块197可包括一个或更多个天线，并且因此，可由例如通信模块190(例如，无线通信模块192)选择适合于在通信网络(诸如第一网络198或第二网络199)中使用的通信方案的至少一个天线。随后可经由所选择的至少一个天线在通信模块190和外部电子装置之间发送或接收信号或电力。
上述部件中的至少一些可经由外设间通信方案(例如，总线、通用输入输出(GPIO)、串行外设接口(SPI)或移动工业处理器接口(MIPI))相互连接并在它们之间通信地传送信号(例如，命令或数据)。
根据实施例，可经由与第二网络199连接的服务器108在电子装置101和外部电子装置104之间发送或接收命令或数据。电子装置102和电子装置104中的每一个可以是与电子装置101相同类型的装置或者是与电子装置101不同类型的装置。根据实施例，将在电子装置101运行的全部操作或一些操作可在外部电子装置102、外部电子装置104或服务器108中的一个或更多个运行。例如，如果电子装置101应该自动执行功能或服务或者应该响应于来自用户或另一装置的请求执行功能或服务，则电子装置101可请求所述一个或更多个外部电子装置执行所述功能或服务中的至少部分，而不是运行所述功能或服务，或者电子装置101除了运行所述功能或服务以外，还可请求所述一个或更多个外部电子装置执行所述功能或服务中的至少部分。接收到所述请求的所述一个或更多个外部电子装置可执行所述功能或服务中的所请求的所述至少部分，或者执行与所述请求相关的另外功能或另外服务，并将执行的结果传送到电子装置101。电子装置101可在对所述结果进行进一步处理的情况下或者在不对所述结果进行进一步处理的情况下将所述结果提供作为对所述请求的至少部分答复。为此，可使用例如云计算技术、分布式计算技术或客户机-服务器计算技术。
根据各种实施例的电子装置可以是各种类型的电子装置之一。电子装置可包括例如便携式通信装置(例如，智能电话)、计算机装置、便携式多媒体装置、便携式医疗装置、相机、可穿戴装置或家用电器。根据本公开的实施例，电子装置不限于以上所述的那些电子装置。
应该理解的是，本公开的各种实施例以及其中使用的术语并不意图将在此阐述的技术特征限制于具体实施例，而是包括针对相应实施例的各种改变、等同形式或替换形式。对于附图的描述，相似的参考标号可用来指代相似或相关的元件。将理解的是，与术语相应的单数形式的名词可包括一个或更多个事物，除非相关上下文另有明确指示。如这里所使用的，诸如“A或B”、“A和B中的至少一个”、“A或B中的至少一个”、“A、B或C”、“A、B和C中的至少一个”以及“A、B或C中的至少一个”的短语中的每一个短语可包括在与所述多个短语中的相应一个短语中一起列举出的项的所有可能组合。如这里所使用的，诸如“第1”和“第2”或者“第一”和“第二”的术语可用于将相应部件与另一部件进行简单区分，并且不在其它方面(例如，重要性或顺序)限制所述部件。将理解的是，在使用了术语“可操作地”或“通信地”的情况下或者在不使用术语“可操作地”或“通信地”的情况下，如果一元件(例如，第一元件)被称为“与另一元件(例如，第二元件)结合”、“结合到另一元件(例如，第二元件)”、“与另一元件(例如，第二元件)连接”或“连接到另一元件(例如，第二元件)”，则意味着所述一元件可与所述另一元件直接(例如，有线地)连接、与所述另一元件无线连接、或经由第三元件与所述另一元件连接。
如这里所使用的，术语“模块”可包括以硬件、软件或固件实现的单元，并可与其他术语(例如，“逻辑”、“逻辑块”、“部分”或“电路”)可互换地使用。模块可以是被适配为执行一个或更多个功能的单个集成部件或者是该单个集成部件的最小单元或部分。例如，根据实施例，可以以专用集成电路(ASIC)的形式来实现模块。
可将在此阐述的各种实施例实现为包括存储在存储介质(例如，内部存储器136或外部存储器138)中的可由机器(例如，电子装置101)读取的一个或更多个指令的软件(例如，程序140)。例如，在处理器的控制下，所述机器(例如，电子装置101)的处理器(例如，处理器120)可在使用或无需使用一个或更多个其它部件的情况下调用存储在存储介质中的所述一个或更多个指令中的至少一个指令并运行所述至少一个指令。这使得所述机器能够操作用于根据所调用的至少一个指令执行至少一个功能。所述一个或更多个指令可包括由编译器产生的代码或能够由解释器运行的代码。可以以非暂时性存储介质的形式来提供机器可读存储介质。其中，术语“非暂时性”仅意味着所述存储介质是有形装置，并且不包括信号(例如，电磁波)，但是该术语并不在数据被半永久性地存储在存储介质中与数据被临时存储在存储介质中之间进行区分。
根据实施例，可在计算机程序产品中包括和提供根据本公开的各种实施例的方法。计算机程序产品可作为产品在销售者和购买者之间进行交易。可以以机器可读存储介质(例如，紧凑盘只读存储器(CD-ROM))的形式来发布计算机程序产品，或者可经由应用商店(例如，Play StoreTM)在线发布(例如，下载或上传)计算机程序产品，或者可直接在两个用户装置(例如，智能电话)之间分发(例如，下载或上传)计算机程序产品。如果是在线发布的，则计算机程序产品中的至少部分可以是临时产生的，或者可将计算机程序产品中的至少部分至少临时存储在机器可读存储介质(诸如制造商的服务器、应用商店的服务器或转发服务器的存储器)中。
根据各种实施例，上述部件中的每个部件(例如，模块或程序)可包括单个实体或多个实体。根据各种实施例，可省略上述部件中的一个或更多个部件，或者可添加一个或更多个其它部件。可选择地或者另外地，可将多个部件(例如，模块或程序)集成为单个部件。在这种情况下，根据各种实施例，该集成部件可仍旧按照与所述多个部件中的相应一个部件在集成之前执行一个或更多个功能相同或相似的方式，执行所述多个部件中的每一个部件的所述一个或更多个功能。根据各种实施例，由模块、程序或另一部件所执行的操作可顺序地、并行地、重复地或以启发式方式来执行，或者所述操作中的一个或更多个操作可按照不同的顺序来运行或被省略，或者可添加一个或更多个其它操作。
图2是图示出根据各个实施例的、支持遗留网络通信和5G网络通信的示例电子装置101的框图200。
参考图2，电子装置101可以包括第一通信处理器212、第二通信处理器214、第一射频集成电路(RFIC)222、第二RFIC 224、第三RFIC 226、第四RFIC 228、第一射频前端(RFFE)232、第二RFFE 234、第一天线模块242、第二天线模块244以及天线248。电子装置101可以另外包括处理器120和存储器130。网络199可以包括第一网络292和第二网络294。根据另一个实施例，电子装置101可以另外包括图1中描述的组件中的至少一个，并且网络199可以另外包括至少一个其他网络。根据实施例，第一通信处理器212、第二通信处理器230 214、第一RFIC 222、第二RFIC 224、第四RFIC 228、第一RFFE 232和第二RFFE 234可以形成无线通信模块192的至少一部分。根据另一个实施例，可以省略第四RFIC 228，或可以将其作为第三RFIC 226的一部分来包括。
第一通信处理器212可以建立频带的通信信道以用于与第一网络292的无线通信，并且可以通过建立的通信信道支持遗留网络通信。根据实施例，第一网络可以是遗留网络，包括第二代(2G)、3G、4G或长期演进(LTE)网络。第二通信处理器214可以建立对应于频带当中的指定频带(例如，大约6至60GHz)的通信信道以用于与第二网络294的无线通信，并且可以通过建立的通信信道支持5G网络通信。根据实施例，第二网络294可以是在3GPP中定义的5G网络(例如，新的无线电(NR))。此外，根据实施例，第一通信处理器212或第二通信处理器214可以建立对应于频带当中的另一个指定的频带(例如，大约6GHz或更少)的通信信道以用于与第二网络294的无线通信，并且可以通过建立的通信信道支持5G网络通信。根据实施例，可以在单个芯片或者单个封装中实施第一通信处理器212和第二通信处理器214。根据实施例，第一通信处理器212或第二通信处理器214可以与处理器120、辅助处理器123或者通信模块190一起形成在单个芯片或者单个封装中。
在发送期间，第一RFIC 222可以将由第一通信处理器212生成的基带信号转换为在第一网络292(例如，遗留网络)中使用的大约700MHz至大约3GHz的射频(RF)信号。在接收期间，可以通过天线(例如，第一天线模块242)从第一网络292(例如，遗留网络)获得RF信号，并且可以通过RFFE(例如，第一RFFE 232)对RF信号进行预先处理。第一RFIC 222可以将预先处理的RF信号转换为基带信号，使得其能够被第一通信处理器212处理。
在发送期间，第二RFIC 224可以将由第一通信处理器212或第二通信处理器214生成的基带信号转换为在第二网络294(例如，5G网络)中使用的Sub6频带(例如，大约6GHz或更少)的RF信号(在下文，5G Sub6 RF信号)。在接收期间，可以通过天线(例如，第二天线模块244)从第二网络294(例如，5G网络)获得5G Sub6 RF信号，并且可以通过RFFE(例如，第二RFFE 234)对5G Sub6 RF信号进行预先处理。第二RFIC 224可以将预先处理的5G Sub6 RF信号转换为基带信号，使得其能够被第一通信处理器212和第二通信处理器214之间的对应的通信处理器处理。
第三RFIC 226可以将由第二通信处理器214生成的基带信号转换为将要在第二网络294(例如，5G网络)中使用的5GAbove6频带(例如，大约6至60GHz)的RF信号(在下文，5GAbove6 RF信号)。在接收期间，可以通过天线(例如，天线248)从第二网络294(例如，5G网络)获得5G Above6RF信号，并且可以通过第三RFFE 236对5G Above6 RF信号进行预先处理。第三RFIC 226可以将预先处理的5G Above6 RF信号转换为基带信号，使得其能够被第二通信处理器214处理。根据实施例，第三RFFE 236可以被形成为第三RFIC 226的一部分。
根据实施例，与第三RFIC 226分开的或作为至少其一部分的电子装置101可以包括第四RFIC 228。在该情况下，第四RFIC 228可以将由第二通信处理器214生成的基带信号转换为中间频带(例如，大约9至11GHz)的RF信号(在下文，IF信号)，并且可以向第三RFIC226传递IF信号。第三RFIC 226可以将IF信号转换为5G Above6 RF信号。在接收期间，可以通过天线(例如，天线248)从第二网络294(例如，5G网络)接收5G Above6 RF信号，并且可以通过第三RFIC 226将5G Above6 RF信号转换为IF信号。第四RFIC 228可以将IF信号转换为基带信号，使得其能够被第二通信处理器214处理。
根据实施例，第一RFIC 222和第二RFIC 224可以被实施为单个芯片或者单个封装的至少部分。根据实施例，第一RFFE 232和第二RFFE 234可以被实施为单个芯片或单个封装的至少部分。根据实施例，可以省略第一天线模块242或第二天线模块244中的至少一个，或第一天线模块242或第二天线模块244中的至少一个可以耦合到另一个天线模块以对对应的多个频带的RF信号进行处理。
根据实施例，第三RFIC 226和天线248可以被安置在相同的基板上，并且可以形成第三天线模块246。例如，无线通信模块192或处理器120可以被安置在第一基板(例如，主PCB)上。在该情况下，可以以第三RFIC 226被安置在与第一基板分开的第二基板(例如，子PCB)的一个部分区域(例如，下表面)上并且天线248被安置在其的其他部分区域(例如，上表面)上的方式来形成第三天线模块246。通过将第三RFIC 226和天线248安置在相同的基板上，有可能减少它们之间的传输线的长度。也就是说，例如，可能减少由传输线所引起的用于5G网络通信的高频带(例如，大约6至60GHz)的信号的损失(例如，衰减)。因此，电子装置101能够提高与第二网络294(例如，5G网络)的通信的质量或速度。
根据实施例，天线248可以由包括能够用于波束形成的多个天线元件的天线阵列形成。在这种情况下，第三RFIC 226可以包括对应于多个天线元件的多个移相器238例如作为第三RFFE 236的一部分。在发送期间，多个移相器238中的每一个可以改变5G Above6 RF信号的相位以便通过对应的天线元件被传送到电子装置101的外部(例如，5G网络的基站)。在接收期间，多个移相器238中的每一个可以将通过对应的天线元件从外部接收的5GAbove6 RF信号的相位改变为相同的或基本上相同的相位。这使得能够通过电子装置101和外部之间的波束形成进行发送或接收。
第二网络294(例如，5G网络)可以独立于第一网络292(例如，遗留网络)(例如，独立(SA))进行操作，或可以通过连接到第一网络292(例如，非独立(NSA))进行操作。例如，在5G网络中，仅仅接入网络(例如，5G无线电接入网络(RAN)或下一代RAN(NG RAN))可以存在，但是核心网络(例如，下一代核心(NGC))可以不存在。在这种情况下，电子装置101可以在接入5G网络的接入网络之后在遗留网络的核心网络(例如，演进分组核心(EPC))的控制下接入外部网络(例如，因特网)。用于与遗留网络进行通信的协议信息(例如，LTE协议信息)或用于与5G网络进行通信的协议信息(例如，新的无线电(NR)协议信息)可以被存储在存储器130中，并且，并且可以被另一个元件(例如，处理器120、第一通信处理器212，或第二通信处理器214)访问。
图3A是根据各个实施例的电子装置300的前透视图。图3B是根据各个实施例的电子装置300的后透视图。例如，图3A和3B的电子装置300可以至少部分地类似于图1的电子装置101或可以包括电子装置的另一个实施例。
参考图3A和3B，根据各个实施例，电子装置300可以包括：外壳310，该外壳310包括第一表面(或前表面)310A、第二表面(或后表面)310B；以及围绕第一表面310A和第二表面310B之间的空间的侧表面310C。在另一个实施例(未图示)中，外壳310可以指形成图3A的第一表面310A、第二表面310B和侧表面310C的各部分的结构。根据实施例，可以通过至少部分是基本上透明的前板302(例如，包括各个涂层的玻璃板或聚合板)来形成第一表面310A。可以通过基本上不透明的后板311来形成第二表面310B。例如，可以通过涂层或有色玻璃、陶瓷、聚合物、金属(例如，铝、不锈钢(STS)或镁)，或者至少两个材料的组合来形成后板311。侧表面310C与前板302和后板311相结合，并且可以通过包括金属和/或聚合物的侧面边框结构(或“侧面构件”)318来形成。根据实施例，后板311和侧面边框结构318可以被整体地形成并且可以包括相同的材料(例如，诸如铝等等的金属材料)。
在所图示出的实施例中，前板302可以包括在前板302的长边的两端从第一表面310A朝着后板311弯曲并且无缝地延伸的第一区域310D。在所图示出的实施例(参考图3B)中，后板311可以包括在后板311的长边的两端从第二表面310B朝着前板302弯曲并且无缝地延伸的第二区域310E。根据实施例，前板302或后板311可以仅仅包括第一区域310D或第二区域310E之一。根据实施例，前板302可以不包括第一区域310D和第二区域310E，但是可以仅仅包括被安置为与第二表面310B平行的平面。根据实施例，如从电子装置300的侧面看出，从不包括如上所述的第一区域310D或第二区域310E的侧面，侧面边框结构318可以具有第一厚度(或宽度)，并且从包括第一区域310D或第二区域310E的侧面，其可以具有与第一厚度相比更薄的第二厚度。
根据各个实施例，电子装置300可以包括显示器301、输入装置303、声音输出装置307和314、传感器模块304和319、相机模块305、312和313、键输入装置317、指示器(未图示)以及连接器308和309中的至少一个。根据实施例，电子装置300可以省略元件中的至少一个(例如，键输入装置317、指示器或连接器309)，或可以另外包括其他元件。
根据实施例，可以通过前板302的显著部分来暴露显示器301。例如，可以通过形成第一表面310A的前板302和侧表面310C的第一区域310D来暴露显示器301的至少一部分。根据实施例，显示器301可以被安置为耦合到触摸感测电路、能够测量触摸的强度(压力)的压力传感器和/或检测磁场类型铁笔的数字化器或者与其相邻。根据实施例，传感器模块304和319的至少一部分和/或键输入装置317的至少一部分可以被安置在第一区域310D和/或第二区域310E上。
根据实施例，输入装置303可以包括麦克风303。例如，输入装置303可以包括被安置为感测声音的方向的多个麦克风303。根据实施例，声音输出装置307和314可以包括扬声器307和314。例如，扬声器307和314可以包括外部扬声器307和呼叫接收机314。根据实施例，麦克风303、扬声器307和314以及连接器308和309可以被安置在电子装置300的空间中，并且可以通过形成在外壳310上的至少一个孔而曝露于外部环境。根据实施例，形成在外壳310上的孔可以共同用于麦克风303以及扬声器307和314。根据实施例，声音输出设备307和314可以包括在形成在外壳310上的孔被排除的状态中操作的扬声器(例如，压电扬声器)。
根据实施例，传感器模块304和319可以生成与电子装置300的内部操作状态或外部环境状态相对应的电信号或者数据值。例如，传感器模块304和319可以包括安置在外壳310的第一表面310A上的第一传感器模块304(例如，接近传感器)和/或第二传感器模块(未图示)(例如，指纹传感器)，和/或安置在外壳310的第二表面310B上的第三传感器模块319(例如，HRM传感器)。指纹传感器可以被安置在外壳310的第一表面310A上。指纹传感器(例如，超声波或光学指纹传感器)可以被安置在第一表面310A上的显示器301下面。例如，电子装置300可以另外包括手势传感器、陀螺仪传感器、气压传感器、磁性传感器、加速度传感器、手握传感器、色彩传感器、红外(IR)传感器、生物度量传感器、温度传感器、湿度传感器或照度传感器中的至少一个，其是未图示的传感器模块。
根据实施例，相机模块305、312和313可以包括安置在电子装置300的第一表面310A上的第一相机装置305、安置在第二表面310B上的第二相机装置312和/或闪光灯313。例如，照相机模块305和312可以包括镜头、图像传感器和/或图像信号处理器中的一个或多个。例如，闪光灯313可以包括发光二极管或者氙气灯。例如，两个或更多镜头(大角度和远摄镜头)和图像传感器可以被安置在电子装置300的一个表面上。
根据实施例，键输入装置317可以被安置在外壳310的侧表面310C上。在另一个实施例中，电子装置300可以不包括键输入装置317的部分或整体，并且可以在显示器301上以诸如软键之类的另一种形式来实施没有被包括的键输入装置317。作为另一个实施例，可以使用显示器301中所包括的压力传感器来实施键输入装置317。
根据实施例，指示器可以被安置在外壳310的第一表面310A上。例如，指示器可以以光形式来提供电子装置300的状态信息。在另一个实施例中，发光元件可以提供与照相机模块305的操作互锁的光源。例如，指示器可以包括LED、IR LED以及氙气灯。
根据实施例，连接器308和/或309可以包括能够容纳用于向外部电子装置发送电力和/或数据和从外部电子装置接收电力和/或数据的连接器(例如，USB连接器和/或接口连接器端口(IF)模块)的第一连接器308和/或能够容纳用于向外部电子装置发送音频信号以及从外部电子装置接收音频信号的连接器的第二连接孔(或耳机塞孔)309。
根据实施例，照相机模块305和312中的照相机模块305、传感器模块304和319中的传感器模块304或者指示器可以被安置为通过显示器101被暴露。例如，相机模块305、传感器模块304或者指示器可以被安置为通过在电子装置300的内部空间中被穿孔向上至显示器301的前板302的开口与外部环境接触。作为另一个实施例，传感器模块304可以不通过前板302在电子装置的内部空间中被可视地暴露，而是可以被安置为执行其功能。例如，在这种情况下，面向传感器模块的显示器301的区域可以不需要穿孔的开口。
根据各个实施例，电子装置300可以包括被安置在内部空间的各个位置的多个天线模块330、332或334。根据实施例，多个天线模块330、332或334可以基本上全部具有相同配置，并且可以被安置为至少部分地具有不同波束图形成方向，或者在电子装置300的内部空间中至少部分地重叠。
根据各个实施例，第一天线模块330可以被安置为接近电子装置300的内部空间中的第一侧表面321。根据实施例，第一天线模块330可以在电子装置300的后板(例如，图3B的后板311)被定向到的方向(例如，图3B的方向-z)上和/或在第一侧表面321被定向到的方向(例如，方向①)上形成波束图。
根据各个实施例，第二天线模块332可以被安置为接近电子装置300的内部空间中的第二侧表面323。根据实施例，第二天线模块332可以在电子装置300的后板(例如，图3B的后板311)被定向到的方向(例如，图3B的方向-z)上和/或在第二侧表面323被定向到的方向(例如，方向②)上形成波束图。
根据各个实施例，第三天线模块334可以被安置为接近电子装置300的内部空间中的第三侧表面325。根据实施例，第三天线模块334可以在电子装置300的后板(例如，图3B的后板311)被定向到的方向(例如，图3B的方向-z)上和/或在第三侧表面325被定向到的方向(例如，方向③)上形成波束图。
图4A是图示出根据各个实施例的、参考图2所解释的第三天线模块246的示例结构的图。在图4A中，(a)是从第三天线模块246的一侧看见的透视图、(b)是从第三天线模块246的另一侧看见的透视图，并且(c)是沿第三天线模块246的线X-X’所取的截面图。
参考图4A，根据各个实施例，第三天线模块246可以包括印制电路板410、天线阵列430、射频集成电路(RFIC)452或者电力管理集成电路(PMIC)454。有选择地，第三天线模块246可以另外包括屏蔽构件490。在其他实施例中，可以省略以上描述的元件中的至少一个，或可以整体地形成以上描述的元件中的至少两个。
印制电路板410可以包括多个导电层以及与导电层交替地成层的多个非导电层。印制电路板410可以印制电路板410和/或使用形成在导电层上的接线和导电过孔安置在外部的各个电子元件之间提供电气连接。
天线阵列430(例如，图2的248)可以包括被安置以形成定向波束的多个天线元件432、434、436或438。如所图示出的，天线元件432、434、436或438可以被形成在印制电路板410的第一表面上。根据各个实施例，天线阵列430可以形成在印制电路板410内部。根据实施例，天线阵列430可以包括相同的或不同的形状或种类的多个天线阵列(例如，偶极天线阵列和/或贴片天线阵列)。
与天线阵列间隔开，RFIC 452(例如，图2的226)可以被安置在印制电路板410的另一个区域(例如，与第一表面相对的第二表面)上。RFIC 452被配置为处理通过天线阵列430发送/接收的选择频带的信号。根据实施例，在发送期间，RFIC 452可以将从通信处理器(未图示)获得的基带信号转换为指定频带的RF信号。在接收期间，RFIC 452可以将通过天线阵列430接收的RF信号转换为基带信号，并且可以向通信处理器传递基带信号。
根据另一个实施例，在发送期间，RFIC 452可以将从中频集成电路(IFIC)(例如，图2的228)获得的IF信号(例如，大约9至11GHz)增频转换为所选择的频带的RF信号。在接收期间，RFIC 452可以通过降频转换将通过天线阵列430获得的RF信号转换为IF信号，并且可以向IFIC传递IF信号。
与天线阵列430间隔开，PMIC 454可以被安置在印制电路板410的另一部分区域(例如，第二表面)上。可以从主PCB(未图示)向PMIC供应电压，并且PMIC可以向天线模块上的各个元件(例如，RFIC 452)提供必要的电力。
屏蔽构件490可以被安置在印制电路板410的一部分(例如，第二表面)上以将RFIC452或PMIC 454中的至少一个电磁屏蔽。根据实施例，屏蔽构件490可以包括屏蔽罩。
尽管未图示，根据各个实施例，第三天线模块246可以通过模块接口电连接到另一个印制电路板(例如，主电路板)。模块接口可以包括连接构件，例如同轴电缆连接器、板至板连接器、插入器或者柔性印制电路板(FPCB)。天线模块的RFIC 452和/或PMIC 454可以通过连接构件电连接到印制电路板。
图4B是根据各个实施例的、沿图4A的(a)中图示出的第三天线模块246的线Y-Y’所取的截面图。在所图示出的实施例中，印制电路板410可以包括天线层411和网络层413。
参考图4B，天线层411可以包括至少一个介质层437-1、形成在介质层437-1的外部表面或内部上的天线元件436和/或馈送部425。馈送部425可以包括馈送点427和/或馈送线429。
网络层413可以包括至少一个介质层437-2、形成在介质层437-1的外部表面或内部上的至少一个地层433、至少一个导电通孔435、传输线423和/或信号线429。
此外，在所图示出的实施例中，图4A的(c)中图示出的RFIC 452(例如，图2的第三RFIC 226)可以通过例如第一和第二连接部分(焊接凸点)440-1和440-2而电连接到网络层413。在其他实施例中，可以使用各种连接结构(例如，焊接或BGA)来代替连接部分。RFIC452可以通过第一连接部分440-1、传输线423和馈送部425电连接到天线元件436。而且，RFIC 452可以通过第二连接部分440-2和导电通孔435电连接到地层433。尽管未图示，RFIC452也可以通过信号线429电连接到以上描述的模块接口。
图5是根据各个实施例的电子装置500的截面图。作为示例，图5的电子装置500可以至少部分地类似于图1的电子装置101或图3A的电子装置300，或可以包括电子装置的其他实施例。
参考图5，电子装置500可以包括外壳510，该外壳510包括定向为第一方向(方向④)(例如，图3A的方向z)的第一板511、定向为与第一板511相反的第二方向(方向⑤)(例如，图3A的方向-z)的第二板512，以及围绕第一板511和第二板512之间的空间514的侧构件513。根据实施例，第一板511可以包括平面部分5111和从平面部分5111弯曲并且向上延伸到侧构件513的弯曲部分5112。根据实施例，尽管未图示出，第二板512也可以包括平面部分和从平面部分弯曲并且向上延伸到侧构件513的弯曲部分。根据实施例，电子装置500可以包括安置在内部空间514中的显示器530。例如，显示器530可以包括触摸屏显示器。例如，可以安置显示器530，使得能够通过第一板511的至少部分区域从外部看见显示器530。
根据各个实施例，电子装置500可以包括安置在内部空间514中的天线模块550。根据实施例，天线模块550可以包括安置在电子装置500的内部空间514中的天线结构551。根据实施例，天线结构551可以包括第一基板(例如，基板)552、被安置为与第一基板552间隔开的第二基板(例如，印制电路板)554以及被安置为将第一基板552和第二基板554电连接到彼此的导电线缆555(例如，柔性印制电路板(FPCB))。根据实施例，第一基板552可以包括稍后将被描述的多个天线元件(例如，图6的天线元件6001、6002、6003或6004)。根据实施例，第二基板554可以包括稍后将被描述的多个天线元件(例如，图6的天线元件6101、6102、6103或6104)。根据实施例，第二基板554可以包括安置在其至少一个表面上的无线通信电路5541(例如，RFIC和/或PMIC)。根据实施例，无线通信电路5541可以被配置为通过天线结构551来发送和/或接收在大约3至100GHz范围内的射频信号。
根据各个实施例，可以通过安置在电子装置500的内部空间514中的支承构件560来支承天线模块550。根据实施例，支承构件560可以由介电材料(例如，聚碳酸酯(PC))或者导电材料(例如，金属)形成，并且可以根据天线结构551的布置结构以各种类型被形成。根据实施例，天线结构551可以通过经由该介电材料提供与安置在附近的导电电子元件570(例如，扬声器装置或麦克风装置)的间隙距离来帮助提高辐射性能。根据实施例，支承构件560可以包括支承第一基板552的第一支承部分561和支承第二基板554的第二支承部分562。根据实施例，可以整体地形成第一支承部分561和第二支承部分562。
根据各个实施例，无线通信电路5541可以通过导电线缆555电连接到第一基板552的天线元件或第二基板554的天线元件，并且因此可以至少部分地形成定向波束。
图6是根据各个实施例的图5的天线模块550的透视图。举例来说，图6的天线模块550可以至少部分地类似于图2的第三天线模块246，或可以包括天线模块的其他实施例。
参考图6，天线模块550可以包括天线结构551。根据实施例，天线结构551可以包括第一基板552、与第一基板552间隔开安置的第二基板554，以及被安置为将第一基板552和第二基板554电连接到彼此的导电线缆555(例如，FPCB)。根据实施例，第二基板554可以包括安置在至少一个表面上的无线通信电路5541。
根据各个实施例，第一基板552可以包括第一天线阵列600。根据实施例，第一天线阵列600可以包括被安置以形成定向波束的第一天线元件6001、第二天线元件6002、第三天线元件6003或者第四天线元件6004。多个天线元件6001、6002、6003或6004可以被形成在第一基板552的第一表面552a上。根据另一个实施例，第一天线阵列600可以被形成在第一基板552的第一表面552a上或其内部。根据实施例，第一天线元件6001、第二天线元件6002、第三天线元件6003或者第四天线元件6004可以包括贴片天线或者偶极天线。
根据各个实施例，第二基板554可以包括第二天线阵列610。根据实施例，第二天线阵列610可以包括被安置以形成定向波束的第五天线元件6101、第六天线元件6102、第七天线元件6103或第八天线元件6104。根据实施例，第二基板554可以包括第二表面554a和被定向为与第二表面554a相对的方向的第三表面554b。根据实施例，第五天线元件6101、第六天线元件6102、第七天线元件6103或者第八天线元件6104可以被形成在第二基板554的第二表面554a上或其内部。根据实施例，无线通信电路5541可以被安置在第二基板554的第三表面554b上。根据实施例，无线通信电路5541可以被配置为通过第一天线阵列600或第二天线阵列610来发送和/或接收在大约3至100GHz范围内的射频。在实施例中，第五天线元件6101、第六天线元件6102、第七天线元件6103或者第八天线元件6104可以包括贴片天线或者偶极天线。
根据各个实施例，天线模块550通过具有柔性的导电线缆555将第一基板552和第二基板554电连接到彼此，并且因此能够保证布置自由度。根据实施例，可以安置天线模块550，使得经由导电线缆555通过第一基板552的第一天线阵列600和第二基板554的第二天线阵列610所形成的波束图具有不同的方向。例如，第一基板552的第一天线阵列600可以被安置为在电子装置(例如，图5的电子装置500)的内部空间(例如，图5的内部空间514)中在第二方向(例如，图5的方向⑤)上形成波束图。例如，第二基板554的第二天线阵列610可以被安置为在电子装置(例如，图5的电子装置500)的内部空间(例如，图5的内部空间514)中在第三方向(例如，图5的方向②)上形成波束图。
图7是图示出根据各个实施例的RFIC的示例配置的图。举例来说，图7的RFIC 700可以至少部分地类似于图2的第三RFIC 226或可以包括RFIC的其他实施例。
参考图7，根据各个实施例，RFIC 700可以包括频率转换模块(例如，包括频率转换电路)702、划分器(例如，包括划分电路)704和/或RFFE 710。
根据各个实施例，在发送期间，频率转换模块702可以包括各种转换电路并且将从处理器(例如，图1的处理器120或图2的第二通信处理器214)提供的中频(IF)的信号(例如，IF信号)增频转换为射频(RF)的信号(例如，RF信号)。
根据各个实施例，在发送期间，划分器704可以包括各种电路并且将从频率转换模块702提供的RF信号划分为多个信号，并且可以向RFFE 710提供划分的信号。例如，划分器704可以提供RF信号，该RF信号被划分为RFFE 710的第一RF链710a、第二RF链710b和/或第三RF链710c，其对应于用于信号发送的天线阵列(例如，图6的第二天线阵列610)中所包括的多个天线元件(例如，第五天线元件6101、第六天线元件6102、第七天线元件6103或第八天线元件6104)。
根据各个实施例，RFFE 710可以处理射频频带的信号。根据实施例，RFFE 710可以对应于图2的第三RFFE 236。根据实施例，RFFE 710可以包括多个RF链(例如，第一RF链710a、第二RF链710b和/或第三RF链710c)，用于处理通过天线阵列(例如，图6的第二天线阵列610)中所包括的天线元件(例如，第五天线元件6101、第六天线元件6102、第七天线元件6103或第八天线元件6104)所发送和/或接收的信号。作为示例，第一RF链710a、第二RF链710b和第三RF链710c可以基本上相同。因此，在下文，将作为非限制性示例来描述第一RF链710a的配置，并且可以不重复关于第二RF链710b和第三RF链710c的配置的相同的或相似的描述。
根据各个实施例，第一RF链710a可以包括移相器720和/或功率放大器730。根据实施例，移相器720可以调整和输出被输入到第一RF链710a的RF信号的相位。根据实施例，由移相器720调整的相位值是通过天线阵列(例如，图6的第二天线阵列610)的天线元件(例如，图6的第五天线元件6101、第六天线元件6102、第七天线元件6103或第八天线元件6104)所发送的信号的相位值，并且可以通过控制信号来确定。举例来说，可以从另一个元件(例如，处理器120)输入控制信号。
根据各个实施例，功率放大器730可以包括第一放大电路730-1、第二放大电路730-2、第三放大电路730-3和/或开关740。根据实施例，第一放大电路730-1可以位于功率放大器730的输入端口764(例如，移相器720的输出端口)与开关740之间的第一电路径771上。作为示例，第一放大电路730-1可以至少包括包含有功率放大器730中所包括的多个级当中的第一级的部分来放大信号的功率。作为示例，包括第一级的功率放大器730的至少一部分可以执行放大以增加增益而非信号的功率。作为示例，第一放大电路730-1可以被叫作驱动放大器。
根据实施例，第二放大电路730-2可以位于开关740与第一RF链710a的第一输出端口760之间的第二电路径772上。作为示例，第二放大电路730-2可以包括其余部分(例如，未被包括在第一功率放大电路730-1中的其余部分)(该其余部分包括功率放大器730中所包括的多个级当中的末级)来放大信号的功率。举例来说，包括末级的功率放大器730的其余部分可以执行放大以增加功率而非信号的增益。
根据实施例，第三放大电路730-3可以位于开关740与第一RF链710a的第二输出端口762之间的第三电子路径773上。作为示例，第三放大电路730-3可以包括其余部分(例如，未被包括在第一功率放大电路730-1中的其余部分)(该其余部分包括功率放大器730中所包括的多个级当中的末级)来放大信号的功率。作为示例，第二放大电路730-2和第三放大电路730-3可以支持不同的放大因子或不同的频带。作为示例，第二放大电路730-2和/或第三放大电路730-3可以被安置在其中安置第一放大电路730-1的第一芯片(例如，互补金属氧化物半导体(CMOS))中，或者可以被安置在不同于第一芯片的第二芯片(例如，化合物半导体)中。
根据各个实施例，开关740可以有选择地将第一放大电路730-1连接到第二放大电路730-2或第三放大电路730-3。根据实施例，在通过第二电子路径772发送信号的情况下，在处理器(例如，图1的处理器120或者图2的通信处理器212或214)的控制下，开关740可以将第一放大电路730-1连接到第二放大电路730-2。根据实施例，在通过第三电子路径773发送信号的情况下，在处理器(例如，图1的处理器120或者图2的通信处理器212或214)的控制下，开关740可以将第一放大电路730-1连接到第三放大电路730-3。
根据各个实施例，电子装置(例如，图1的电子装置101或图3A的电子装置300)可以减小RFFE的物理区域的尺寸，这是因为第二放大电路730-2和第三放大电路730-3共用如图7中所示的第一放大电路730-1(例如，RFFE驱动区域或驱动放大器)和/或移相器720。
根据各个实施例，电子装置(例如，图1的电子装置101或图3A的电子装置300)可以包括具有其中第一功率放大器和第二功率放大器共用移相器720的结构的RFFE。
图8是图示出根据各个实施例的RFFE 800的示例配置的图。举例来说，图8的RFFE800可以至少部分地类似于图2的第三RFFE 236，或可以包括RFFE的其他实施例。
参考图8，根据各个实施例，RFFE 800(例如，图7的RFFE 710的第一RF链710a)可以包括第一开关电路810、第二开关电路820、功率放大器(PA)804、低噪声放大器(LNA)806、第一移相器870和/或第二移相器872。
根据各个实施例，功率放大器804(例如，图7的功率放大器730)可以包括第一放大电路850(例如，图7的第一放大电路730-1)、第二放大电路830(例如，图7的第二放大电路730-2)和/或第n放大电路832(例如，图7的第三放大电路730-3)。根据实施例，第一放大电路850可以包括m个级(其包括功率放大器830中所包括的多个级当中的第一级)以放大信号的功率。作为示例，m可以是第一放大电路850中所包括的级的数量，并且可以包括等于或大于1的正整数。作为示例，第一放大电路850可以包括主要地用于RF信号的增益放大的至少一个级(例如，驱动级)。作为示例，第一放大电路850可以位于功率放大器804的输入端口764(例如，第一移相器870的输出端口)与第一开关电路810之间的电子路径上。作为示例，n是包括功率放大器804中的末级的放大电路(例如，第二放大电路830和/或第n放大电路832)的数量，并且可以包括等于或大于1的正整数。
根据实施例，第二放大电路830和/或第n放大电路832可以包括k个级(其包括功率放大器804中所包括的多个级当中的末级)以放大信号的功率。举例来说，包括末级的k个级可以包括其余级，该其余级排除功率放大器804的多个级当中的第一放大电路850中所包括的m个级。作为示例，k可以是第二放大电路830和/或第n放大电路832中所包括的级的数量，并且可以包括等于或大于1的正整数。作为示例，第二放大电路830和/或第n放大电路832可以包括主要地用于放大RF信号的功率的至少一个级。作为示例，第二放大电路830和/或第n放大电路832可以位于第一开关电路810和第二开关电路820之间的不同的电子路径上。
根据各个实施例，低噪声放大器806可以包括第四放大电路860、第五放大电路840和/或第j放大电路842。根据实施例，第四放大电路860可以包括t个级，其包括低噪声放大器806中所包括的多个级当中的末级。作为示例，t可以是第四放大电路860中所包括的级的数量，并且可以包括等于或大于1的正整数。举例来说，第四放大电路860可以包括主要地用于增益增加的至少一个级。根据实施例，第四放大电路860可以位于低噪声放大器806的输出端口(例如，第二移相器872的输入端口)和第一开关电路810之间的电子路径上。
根据实施例，第五放大电路840和/或第j放大电路842可以包括p个级(其包括多个级当中的第一级)，该p个级被包括以减小信号中所包括的噪声并且增加低噪声放大器806中的增益。举例来说，包括第一级的p个级可以包括其余级，该该其余级排除低噪声放大器806中所包括的多个级当中的第四放大电路860中所包括的t个级。作为示例，p可以是第五放大电路840和/或第j放大电路842中所包括的级的数量，并且可以包括等于或大于1的正整数。作为示例，第五放大电路840和/或第j放大电路842可以包括主要地用于减小信号的噪声指数(noise figure，NF)的至少一个级。作为示例，第五放大电路840和/或第j放大电路842可以位于第一开关电路810和第二开关电路820之间的不同的电子路径上。作为示例，j可以是包括低噪声放大器806中的第一级的放大电路的数量，并且可以包括等于或大于1的正整数。
根据各个实施例，在发送期间，第一开关电路810(例如，图7的开关740)可以有选择地将功率放大器804的第一放大电路850连接到第二放大电路830或第n放大电路832。根据实施例，在处理器(例如，图1的处理器120或者图2的通信处理器212或214)的控制下，第一开关电路810可以配置在其上传送由第一放大电路850放大的信号的传输路径(例如，第二放大电路830或者第n放大电路832)。根据各个实施例，在接收期间，第一开关电路810可以将低噪声放大器806的第四放大电路860有选择地连接到第五放大电路840或第j放大电路842。根据实施例，第一开关电路810可以将在处理器(例如，图1的处理器120或者图2的通信处理器212或214)的控制下选择的接收路径(例如，第五放大电路840或者第j放大电路842)连接到第四放大电路860。
根据各个实施例，第二开关电路820可以将第一天线端口801或者第L天线端口802连接到功率放大器804或者低噪声放大器806。根据实施例，在发送期间，第二开关电路820可以将第一天线端口801或者第L天线端口802连接到功率放大器804(例如，第二放大电路830或者第n放大电路832)。例如，在发送期间，第二开关电路820可以将第一天线端口801或者第L天线端口802之一连接到功率放大器804的第二放大电路830或者第n放大电路832之一。根据实施例，在接收期间，第二开关电路820可以将第一天线端口801或者第L天线端口802连接到低噪声放大器806(例如，第五放大电路840或者第j放大电路842)。例如，在接收期间，第二开关电路820可以将第一天线端口801或者第L天线端口802之一连接到低噪声放大器806的第五放大电路840或者第j放大电路842之一。作为示例，L是RFFE 800中所包括的天线端口的数量，并且可以包括等于或大于2的正整数。
根据各个实施例，第一移相器870(例如，图7的移相器720)可以调整被输入到功率放大器804的第一放大电路850的RF信号的相位。根据各个实施例，第二移相器872可以调整从低噪声放大器804的第四放大电路860提供的RF信号的相位。
图9A、图9B、图9C和图9D是图示出根据各个实施例的RFFE 800的第一开关电路810的示例配置的图。在下文中，将在如下的假设下进行解释：RFFE 800的功率放大器804包括两个放大电路(例如，n＝2)(包括末级)并且RFFE 800的低噪声放大器806包括一个或两个放大电路(例如，j＝1或2)(包括第一级)。然而，包括有功率放大器804中所包括的末级的放大电路的数量和包括有低噪声放大器806中所包括的第一级的放大电路的数量不限于此，并且甚至可以基本上同样地形成包括不同数量的放大电路的情况。
参考图9A、图9B、图9C和图9D，根据各个实施例，RFFE 800(例如，图7的RFFE 710的第一RF链710a)可以包括第一开关电路810、第二开关电路820、第一放大电路850、第二放大电路830、第三放大电路932(例如，图8的第n放大电路832)、第四放大电路860、第五放大电路840、第六放大电路942(例如，图8的第j放大电路842)、第一移相器870和/或第二移相器872。在以下描述中，除了第一开关电路810之外的RFFE 800的其余内部配置可以以与图8的RFFE 800的内部配置类似的方式操作。例如，图9A、9B、9C和9D中的第二开关电路820、第一放大电路850、第二放大电路830、第三放大电路932、第四放大电路860、第五放大电路840、第六放大电路942、第一移相器870和/或第二移相器872可以以类似于图8中的第二开关电路820、第一放大电路850、第二放大电路830、第三放大电路932、第四放大电路860、第五放大电路840、第六放大电路942、第一移相器870和/或第二移相器872的方式操作。因此，为了避免关于图8的重复解释，可以不对除了第一开关电路810的RFFE 800的其余内部配置的详细解释进行重复。
根据各个实施例，如图9A、图9B和图9C中所图示的RFFE 800的功率放大器804可以包括第二放大电路830或第三放大电路932(其包括末级)。RFFE 800的下面的功率放大器806可以包括第五放大电路840或第六放大电路942(其包括第一级)。
根据各个实施例，参考图9A，第一开关电路810可以包括第一开关900和/或第二开关902。根据实施例，第一开关900和/或第二开关902可以包括单刀双掷(SPDT)类型的开关。例如，第一开关900可以有选择地将功率放大器804的第一放大电路850的输出端子连接到第二放大电路830或第三放大电路932的输入端子。例如，第二开关902可以有选择地将低噪声放大器804的第五放大电路840或第六放大电路942的输出端子连接到第四放大电路860的输入端子。
根据各个实施例，参考图9B，第一开关电路810可以包括第三开关910、第四开关912和/或第五开关914。根据实施例，第三开关910可以包括双刀双掷(DPDT)类型的开关。根据实施例，第四开关912和/或第五开关914可以包括SPDT类型开关。例如，在通过第一发送/接收路径952(例如，第二放大电路830)发送信号的情况下，第三开关910可以将第四开关912连接到功率放大器804的第一放大电路850的输出端子。第四开关912可以将第三开关910连接到功率放大器804的第二放大电路830的输入端子。作为示例，功率放大器804的第一放大电路850可以通过第三开关910和第四开关912连接到第二放大电路830。例如，在通过第一发送/接收路径952(例如，第五放大电路840)接收信号的情况下，第三开关910可以将第四开关912连接到低噪声放大器806的第四放大电路860的输入端子。第四开关912可以将第三开关910连接到低噪声放大器806的第五放大电路840的输出端子。举例来说，低噪声放大器806的第四放大电路860可以通过第三开关910和第四开关912连接到第五放大电路840。例如，在通过第二发送/接收路径954(例如，第三放大电路932)发送信号的情况下，第三开关910可以将第五开关914连接到功率放大器804的第一放大电路850的输出端子。第五开关914可以将第三开关910连接到功率放大器804的第三放大电路932的输入端子。作为示例，功率放大器804的第一放大电路850可以通过第三开关910和第五开关914连接到第三放大电路932。例如，在通过第二发送/接收路径954(例如，第六放大电路942)接收信号的情况下，第三开关910可以将第五开关914连接到低噪声放大器806的第四放大电路860的输入端子。第五开关914可以将第三开关910连接到低噪声放大器806的第六放大电路942的输出端子。举例来说，低噪声放大器806的第四放大电路860可以通过第三开关910和第五开关914连接到第六放大电路942。例如，第一发送/接收路径952可以包括功率放大器804的第二放大电路830和/或低噪声放大器806的第五放大电路840。例如，第二发送/接收路径954可以包括功率放大器804的第三放大电路932和/或低噪声放大器806的第六放大电路942。
根据各个实施例，参考图9C，第一开关电路810可以包括用于信号的发送和/或接收的天线端口的发送路径或者接收路径的连接的第六开关920。根据实施例，第六开关920可以包括双刀四掷(DP4T)类型的开关。例如，在发送信号的情况下，第六开关920可以有选择地将功率放大器804的第一放大电路850的输出端子连接到第二放大电路830或第三放大电路932的输入端子。例如，在接收信号的情况下，第六开关920可以有选择地将低率放大器806的第四放大电路860的输入端子连接到第五放大电路840或第六放大电路942的输出端子。
根据各个实施例，参考图9D，RFFE 800的功率放大器804可以包括第二放大电路830或第三放大电路932(其包括末级)。RFFE 800的低噪声放大器806可以包括第五放大电路840(其包括第一级)。
根据各个实施例，参考图9D，第一开关电路810可以包括将第一放大电路850的输出端子连接到第二放大电路830或第三放大电路932(例如，图8的第n放大电路832)的输入端子的第一开关900。例如，在发送信号的情况下，第一开关900可以有选择地将功率放大器804的第一放大电路850的输出端子连接到第二放大电路830或第三放大电路932的输入端子。举例来说，第一开关900可以包括SPDT类型开关。
图10A、图10B和图10C是图示出根据各个实施例的、用于连接到一个天线端口1030的RFFE 800的第二开关电路820的示例配置的图。在下文中，将在如下的假设下进行解释：RFFE 800的功率放大器804包括两个放大电路(例如，n＝2)(包括末级)并且RFFE 800的低噪声放大器806包括一个或两个放大电路(例如，j＝1或2)(包括第一级)。然而，包括有功率放大器804中所包括的末级的放大电路的数量和包括有低噪声放大器806中所包括的第一级的放大电路的数量不限于此，并且甚至可以基本上同样地形成包括不同数量的放大电路的情况。
参考图10A、图10B和图10C，根据各个实施例，RFFE 800(例如，图7的RFFE 710的第一RF链710a)可以包括第一开关电路810、第二开关电路820、第一放大电路850、第二放大电路830、第三放大电路1052(例如，第n放大电路832或第三放大电路932)、第四放大电路860、第五放大电路840、第六放大电路1062(例如，第j放大电路842或第六放大电路942)、第一移相器870和/或第二移相器872。在以下描述中，除了第二开关电路820之外的RFFE 800的其余内部配置可以以与图8的RFFE 800的内部配置类似的方式操作。例如，图10A、图10B和图10C中的第一开关电路810、第一放大电路850、第二放大电路830、第三放大电路1052、第四放大电路860、第五放大电路840、第六放大电路1062、第一移相器870和/或第二移相器872可以以类似于图8中的第一开关电路810、第一放大电路850、第二放大电路830、第三放大电路1052、第四放大电路860、第五放大电路840、第六放大电路1062、第一移相器870和/或第二移相器872的方式操作。因此，为了避免关于图8的重复解释，可以不对除了第二开关电路820的RFFE 800的其余内部配置的详细解释进行重复。
根据各个实施例，如图10A和图10B中所图示的RFFE 800的功率放大器804可以包括第二放大电路830或第三放大电路1052(其包括末级)。RFFE800的下面的功率放大器806可以包括第五放大电路840或第六放大电路1062(其包括第一级)。
根据各个实施例，参考图10A，第二开关电路820可以包括第七开关1000、第八开关1002和/或第九开关1004，用于将RFFE 800的多个发送路径中的至少一个或多个接收路径中的至少一个连接到第一天线端口1030(例如，图8的第一天线端口801或第L天线端口802)。根据实施例，第九开关1004可以有选择地将第一天线端口1030连接到第七开关1000或第八开关1002。根据实施例，第七开关1000可以有选择地将第九开关1004连接到功率放大器804的第二放大电路830或低噪声放大器806的第五放大电路840。根据实施例，第八开关1002可以有选择地将第九开关1004连接到功率放大器804的第三放大电路1052或低噪声放大器806的第六放大电路1062。例如，在功率放大器804的第二放大电路830用于发送信号的情况下，第二开关电路820可以通过第七开关1000和第九开关1004将第二放大电路830的输出端子连接到第一天线端口1030。例如，在功率放大器804的第三放大电路1052用于发送信号的情况下，第二开关电路820可以通过第八开关1002和第九开关1004将第三放大电路1052的输出端子连接到第一天线端口1030。例如，在低噪声放大器806的第五放大电路840用于接收信号的情况下，第二开关电路820可以通过第七开关1000和第九开关1004将第五放大电路840的输入端子连接到第一天线端口1030。例如，在低噪声放大器806的第六放大电路1062用于接收信号的情况下，第二开关电路820可以通过第八开关1002和第九开关1004将第六放大电路1062的输入端子连接到第一天线端口1030。举例来说，第七开关1000、第八开关1002和/或第九开关1004可以包括SPDT类型开关。
根据各个实施例，参考图10B，第二开关电路820可以包括第十开关1010，用于将RFFE 800的多个发送路径中的至少一个或多个接收路径中的至少一个连接到第一天线端口1030。根据实施例，第十开关1010可以包括单刀四掷(SP4T)类型的开关。例如，在功率放大器804的第二放大电路830用于发送信号的情况下，第十开关1010可以将第二放大电路830的输出端子连接到第一天线端口1030。例如，在功率放大器804的第三放大电路1052用于发送信号的情况下，第十开关1010可以将第三放大电路1052的输出端子连接到第一天线端口1030。例如，在低噪声放大器806的第五放大电路840用于接收信号的情况下，第十开关1010可以将第五放大电路840的输入端子连接到第一天线端口1030。例如，在低噪声放大器806的第六放大电路1062用于接收信号的情况下，第十开关1010可以将第六放大电路1062的输入端子连接到第一天线端口1030。
根据各个实施例，参考图10C，RFFE 800的功率放大器804可以包括第二放大电路830或第三放大电路1052(其包括末级)。RFFE 800的低噪声放大器806可以包括第五放大电路840(其包括第一级)。
根据各个实施例，参考图10C，第二开关电路820可以包括第十一开关1020，用于将RFFE 800的多个发送路径中的至少一个或接收路径连接到第一天线端口1030。根据实施例，第十一开关1020可以包括单刀三掷(SP3T)类型的开关。例如，在发送期间，第十一开关1020可以有选择地将功率放大器804的第二放大电路830或第三放大电路1052的输出端子连接到第一天线端口1030。例如，在接收期间，第十一开关1020可以将低噪声放大器806的第五放大电路840的输入端子连接到第一天线端口1030。
图11A、图11B图11C和图11D是图示出根据各个实施例的、用于连接到两个天线端口1140和/或1142的RFFE 800的第二开关电路820的示例配置的图。在下文中，将在如下的假设下进行解释：RFFE 800的功率放大器804包括两个放大电路(例如，n＝2)(包括末级)并且RFFE 800的低噪声放大器806包括一个或两个放大电路(例如，j＝1或2)(包括第一级)。然而，包括有功率放大器804中所包括的末级的放大电路的数量和包括有低噪声放大器806中所包括的第一级的放大电路的数量不限于此，并且甚至可以基本上同样地形成包括不同数量的放大电路的情况。
参考图11A、图11B、图11C和图11D，根据各个实施例，RFFE 800(例如，图7的RFFE710的第一RF链710a)可以包括第一开关电路810、第二开关电路820、第一放大电路850、第二放大电路830、第三放大电路1152(例如，第n放大电路832或第三放大电路932或1052)、第四放大电路860、第五放大电路840、第六放大电路1162(例如，第j放大电路842或第六放大电路942或1062)、第一移相器870和/或第二移相器872。在以下描述中，除了第二开关电路820之外的RFFE 800的其余内部配置可以以与图8的RFFE 800的内部配置类似的方式操作。例如，图11A、图11B、图11C和图11D中的第一开关电路810、第一放大电路850、第二放大电路830、第三放大电路1152、第四放大电路860、第五放大电路840、第六放大电路1162、第一移相器870和/或第二移相器872可以以类似于图8中的第一开关电路810、第一放大电路850、第二放大电路830、第三放大电路1152、第四放大电路860、第五放大电路840、第六放大电路1162、第一移相器870和/或第二移相器872的方式操作。因此，为了避免关于图8的重复解释，可以不对除了第二开关电路820的RFFE 800的其余内部配置的详细解释进行重复。
根据各个实施例，如图11A和图11B中所图示的RFFE 800的功率放大器804可以包括第二放大电路830或第三放大电路1152(其包括末级)。RFFE800的下面的功率放大器806可以包括第五放大电路840或第六放大电路1162(其包括第一级)。
根据各个实施例，参考图11A，第二开关电路820可以包括第十二开关1100和/或第十三开关1102，用于将发送路径或者接收路径连接到第一天线端口1140(例如，图8的第一天线端口801)和/或第二天线端口1142(例如，图8的第L天线端口802)。根据实施例，第十二开关1100和/或第十三开关1102可以包括SPDT类型开关。例如，在通过第一天线端口1140发送信号的情况下，第十二开关1100可以将功率放大器804的第二放大电路830的输出端子连接到第一天线端口1140。例如，在通过第一天线端口1140接收信号的情况下，第十二开关1100可以将低放大器806的第五放大电路840的输入端子连接到第一天线端口1140。例如，在通过第二天线端口1142发送信号的情况下，第十三开关1102可以将功率放大器804的第三放大电路1152的输出端子连接到第二天线端口1142。例如，在通过第二天线端口1142接收信号的情况下，第十三开关1102可以将低噪声放大器806的第六放大电路1162的输入端子连接到第二天线端口1142。
根据各个实施例，参考图11B，第二开关电路820可以包括第十四开关1110，用于将发送路径或接收路径连接到第一天线端口1140或第二天线端口1142。根据实施例，第十四开关1110可以包括DP4T类型开关。例如，在通过第一天线端口1140发送信号的情况下，第十四开关1110可以将功率放大器804的第二放大电路830的输出端子连接到第一天线端口1140。例如，在通过第一天线端口1140接收信号的情况下，第十四开关1110可以将低放大器806的第五放大电路840的输入端子连接到第一天线端口1140。例如，在通过第二天线端口1142发送信号的情况下，第十四开关1110可以将功率放大器804的第三放大电路1152的输出端子连接到第二天线端口1142。例如，在通过第二天线端口1142接收信号的情况下，第十四开关1110可以将低噪声放大器806的第六放大电路1162的输入端子连接到第二天线端口1142。
根据各个实施例，参考图11C和图11D，RFFE 800的功率放大器804可以包括第二放大电路830或第三放大电路1152(其包括末级)。RFFE 800的低噪声放大器806可以包括第五放大电路840(其包括第一级)。
根据各个实施例，参考图11C，第二开关电路820可以包括第十五开关1120、第十六开关1122和/或第十七开关1124，用于将发送路径或接收路径连接到第一天线端口1140或第二天线端口1142。根据实施例，第十七开关1124可以将低噪声放大器806的第五放大电路840连接到第十五开关1120或第十六开关1122。根据实施例，第十五开关1120可以有选择地将第一天线端口1140连接到第十七开关1124或功率放大器804的第二放大电路830。根据实施例，第十六开关1122可以有选择地将第二天线端口1142连接到第十七开关1124或功率放大器804的第三放大电路1152。例如，在通过第一天线端口1140发送信号的情况下，第二开关电路820可以通过第十五开关1120将第二放大电路830的输出端子连接到第一天线端口1140。例如，在通过第二天线端口1142发送信号的情况下，第二开关电路820可以通过第十六开关1122将第三放大电路1152的输出端子连接到第二天线端口1142。例如，在通过第一天线端口1140接收信号的情况下，第二开关电路820可以通过第十五开关1120和第十七开关1124将第五放大电路840的输入端子连接到第一天线端口1140。例如，在通过第二天线端口1142接收信号的情况下，第二开关电路820可以通过第十六开关1122和第十七开关1124将第五放大电路840的输入端子连接到第二天线端口1142。举例来说，第十五开关1120、第十六开关1122和/或第十七开关1124可以包括SPDT类型开关。
根据各个实施例，参考图11D，第二开关电路820可以包括第十八开关1130，用于将发送路径或接收路径连接到第一天线端口1140或第二天线端口1142。根据实施例，第十八开关1130可以包括双刀三掷(DP3T)类型的开关。例如，在通过第一天线端口1140发送信号的情况下，第十八开关1130可以有选择地将第一天线端口1140连接到功率放大器804的第二放大电路830或第三放大电路1152的输出端子。例如，在通过第二天线端口1142发送信号的情况下，第十八开关1130可以有选择地将第二天线端口1142连接到功率放大器804的第二放大电路830或第三放大电路1152的输出端子。例如，在通过第一天线端口1140或第二天线端口1142接收信号的情况下，第十八开关1130可以将低噪声放大器806的第五放大电路840的输入端子有选择地连接到第一天线端口1140或第二天线端口1142。
图12A、图12B、图12C和图12D是图示出根据各个实施例的、用于连接到两个天线端口1250和/或1252的RFFE 800的示例配置的图。举例来说，可以通过图9A、图9B、图9C或图9D的第一开关电路810的配置与图11A、图11B、图11C或图11D的第二开关电路820的配置的组合来形成图12A、图12B、图12C和图12D的RFFE 800。
参考图12A，根据各个实施例，RFFE 800可以包括图9D的第一开关电路810和图11C的第二开关电路820。根据实施例，在通过连接到第一天线端口1250(例如，第一天线端口801或1140)的天线阵列(例如，图6的第一天线阵列600)的天线元件(例如，图6的第一天线元件6001)(或天线)发送信号的情况下，RFFE 800可以通过第一开关电路810的第一开关900将功率放大器804的第一放大电路850的输出端子连接到第二放大电路830的输入端子。RFFE 800可以通过第二开关电路820的第十五开关1120将第二放大电路830的输出端子连接到第一天线端口1250。
根据实施例，在通过连接到第二天线端口1252(例如，第二天线端口802或1142)的天线阵列(例如，图6的第二天线阵列610)的天线元件(例如，图6的第五天线元件6101)(或天线)发送信号的情况下，RFFE 800可以通过第一开关电路810的第一开关900将功率放大器804的第一放大电路850的输出端子连接到第三放大电路1262(例如，第n放大电路832或者第三放大电路932、1052或1152)的输入端子。RFFE 800可以通过第二开关电路820的第十六开关1122将第三放大电路1262的输出端子连接到第二天线端口1252。
根据实施例，在通过连接到第一天线端口1250的天线阵列(例如，图6的第一天线阵列600)的天线元件(或天线)(例如，图6的第一天线元件6001)接收信号的情况下，RFFE800可以通过第二开关电路820的第十五开关1120和第十七开关1124将第一天线端口1250连接到低噪声放大器806的输入端子。
根据实施例，在通过连接到第二天线端口1252的天线阵列(例如，图6的第二天线阵列610)的天线元件(或天线)(例如，图6的第五天线元件6101)接收信号的情况下，RFFE800可以通过第二开关电路820的第十六开关1122和第十七开关1124将第二天线端口1252连接到低噪声放大器806的输入端子。
参考图12B，根据各个实施例，RFFE 800可以包括图9A的第一开关电路810和图11A的第二开关电路820。根据实施例，在通过连接到第一天线端口1250(例如，第一天线端口801或1140)的天线阵列(例如，图6的第一天线阵列600)的天线元件(例如，图6的第一天线元件6001)(或天线)发送信号的情况下，RFFE 800可以通过第一开关电路810的第一开关900将功率放大器804的第一放大电路850的输出端子连接到第二放大电路830的输入端子。RFFE 800可以通过第二开关电路820的第十二开关1100将第二放大电路830的输出端子连接到第一天线端口1250。
根据实施例，在通过连接到第二天线端口1252(例如，第二天线端口802或1142)的天线阵列(例如，图6的第二天线阵列610)的天线元件(例如，图6的第五天线元件6101)(或天线)发送信号的情况下，RFFE 800可以通过第一开关电路810的第一开关900将功率放大器804的第一放大电路850的输出端子连接到第三放大电路1262(例如，第n放大电路832或者第三放大电路932、1052或1152)的输入端子。RFFE 800可以通过第二开关电路820的第十三开关1102将第三放大电路1262的输出端子连接到第二天线端口1252。
根据实施例，在通过连接到第一天线端口1250的天线阵列(例如，图6的第一天线阵列600)的天线元件(例如，图6的第一天线元件6001)(或天线)接收信号的情况下，RFFE800可以通过第二开关电路820的第十二开关1100将第一天线端口1250连接到低噪声放大器806的第五放大电路840的输入端子。RFFE 800可以通过第一开关电路810的第二开关902将低噪声放大器806的第五放大电路840的输出端子连接到第四放大电路860的输入端子。
根据实施例，在通过连接到第二天线端口1252的天线阵列(例如，图6的第二天线阵列610)的天线元件(例如，图6的第五天线元件6101)(或天线)接收信号的情况下，RFFE800可以通过第二开关电路820的第十三开关1102将第二天线端口1252连接到低噪声放大器806的第六放大电路1272(例如，第j放大电路842或者第六放大电路942、1062或1162)的输入端子。RFFE 800可以通过第一开关电路810的第二开关902将低噪声放大器806的第六放大电路1272的输出端子连接到第四放大电路860的输入端子。
参考图12C，根据各个实施例，RFFE 800可以包括图9B的第一开关电路810和图11A的第二开关电路820。根据实施例，在通过连接到第一天线端口1250(例如，第一天线端口801或1140)的天线阵列(例如，图6的第一天线阵列600)的天线元件(或天线)(例如，图6的第一天线元件6001)发送信号的情况下，RFFE 800可以通过第一开关电路810的第三开关910和第四开关912将功率放大器804的第一放大电路850的输出端子连接到第二放大电路830的输入端子。RFFE 800可以通过第二开关电路820的第十二开关1100将第二放大电路830的输出端子连接到第一天线端口1250。
根据实施例，在通过连接到第二天线端口1252(例如，第二天线端口802或1142)的天线阵列(例如，图6的第二天线阵列610)的天线元件(例如，图6的第二天线元件6101)(或天线)发送信号的情况下，RFFE 800可以通过第一开关电路810的第三开关910和第五开关914将功率放大器804的第一放大电路850的输出端子连接到第三放大电路1262(例如，第n放大电路832或者第三放大电路932、1052或1152)的输入端子。RFFE 800可以通过第二开关电路820的第十三开关1102将第三放大电路1262的输出端子连接到第二天线端口1252。
根据实施例，在通过连接到第一天线端口1250的天线阵列(例如，图6的第一天线阵列600)的天线元件(例如，图6的第一天线元件6001)(或天线)接收信号的情况下，RFFE800可以通过第二开关电路820的第十二开关1100将第一天线端口1250连接到低噪声放大器806的第五放大电路840的输入端子。RFFE 800可以通过第一开关电路810的第四开关912和第三开关910将低噪声放大器806的第五放大电路840的输出端子连接到第四放大电路860的输入端子。
根据实施例，在通过连接到第二天线端口1252的天线阵列(例如，图6的第二天线阵列610)的天线元件(例如，图6的第五天线元件6101)(或天线)接收信号的情况下，RFFE800可以通过第二开关电路820的第十三开关1102将第二天线端口1252连接到低噪声放大器806的第六放大电路1272(例如，第j放大电路842或者第六放大电路942、1062或1162)的输入端子。RFFE 800可以通过第一开关电路810的第五开关914和第三开关910将低噪声放大器806的第六放大电路1272的输出端子连接到第四放大电路860的输入端子。
参考图12D，根据各个实施例，RFFE 800可以包括图9C的第一开关电路810和图11A的第二开关电路820。根据实施例，在通过连接到第一天线端口1250(例如，第一天线端口801或1140)的天线阵列(例如，图6的第一天线阵列600)的天线元件(或天线)(例如，图6的第一天线元件6001)发送信号的情况下，RFFE 800可以通过第一开关电路810的第六开关920将功率放大器804的第一放大电路850的输出端子连接到第二放大电路830的输入端子。RFFE 800可以通过第二开关电路820的第十二开关1100将第二放大电路830的输出端子连接到第一天线端口1250。
根据实施例，在通过连接到第二天线端口1252(例如，第二天线端口802或1142)的天线阵列(例如，图6的第二天线阵列610)的天线元件(例如，图6的第五天线元件6101)(或天线)发送信号的情况下，RFFE 800可以通过第一开关电路810的第六开关920将功率放大器804的第一放大电路850的输出端子连接到第三放大电路1262(例如，第n放大电路832或者第三放大电路932、1052或1152)的输入端子。RFFE 800可以通过第二开关电路820的第十三开关1102将第三放大电路1262的输出端子连接到第二天线端口1252。
根据实施例，在通过连接到第一天线端口1250的天线阵列(例如，图6的第一天线阵列600)的天线元件(例如，图6的第一天线元件6001)(或天线)接收信号的情况下，RFFE800可以通过第二开关电路820的第十二开关1100将第一天线端口1250连接到低噪声放大器806的第五放大电路840的输入端子。RFFE 800可以通过第一开关电路810的第六开关920将低噪声放大器806的第五放大电路840的输出端子连接到第四放大电路860的输入端子。
根据实施例，在通过连接到第二天线端口1252的天线阵列(例如，图6的第二天线阵列610)的天线元件(例如，图6的第五天线元件6101)(或天线)接收信号的情况下，RFFE800可以通过第二开关电路820的第十三开关1102将第二天线端口1252连接到低噪声放大器806的第六放大电路1272(例如，第j放大电路842或者第六放大电路942、1062或1162)的输入端子。RFFE 800可以通过第一开关电路810的第六开关920将低噪声放大器806的第六放大电路1272的输出端子连接到第四放大电路860的输入端子。
图13A、图13B和图13C示出根据各个实施例的、在参考图12A所解释的RFFE 800的配置中使用外部芯片的示例配置的图。
根据各个实施例，图13A、图13B和图13C的RFFE 800可以包括图9D的第一开关电路810和图11C的第二开关电路820，如图12A中所示。
根据实施例，如图6中所示，RFFE 800可以被安置在包括第二天线阵列610的第二基板554的第三表面554b上。根据实施例，RFFE 800可以处理通过连接到第一天线端口1250的第一天线阵列600的天线元件(例如，第一天线元件6001)或连接到第二天线端口1252的第二天线阵列610的天线元件(例如，第五天线元件6101)所发送和接收的信号。举例来说，第一天线阵列600和第二天线阵列610可以在不同的方向上形成波束。举例来说，连接到第一天线端口1250的第一天线阵列600和连接到第二天线端口1252的第二天线阵列610可以支持不同的频带。
根据各个实施例，参考图13A，RFFE 800中所包括的所有配置都可以被安置在第一芯片1300中。作为示例，第一芯片1300可以包括以单元素工艺生产的半导体(例如，互补金属氧化物半导体(CMOS))。举例来说，单元素工艺可以包括硅(Si)或锗(Ge)工艺之一。
根据各个实施例，参考图13B或图13C的RFFE 800，RFFE 800中所包括的至少一部分可以被安置在与其余部分的芯片不同的芯片中。根据实施例，参考图13B的RFFE 800，功率放大器804的第二放大电路830可以被形成为单独的芯片。例如，RFFE 800的内部配置当中的、除了功率放大器804的第二放大电路830之外的其余配置可以被安置在第一芯片1300中。功率放大器804的第二放大电路830可以被安置在与第一芯片1300不同的第二芯片1310中。作为示例，第二芯片1310可以包括以复合工艺生产的半导体(例如，复合半导体)。举例来说，复合半导体可以包括由两种或多种元素复合物形成的半导体。作为示例，形成复合半导体的基本复合物可以包括硅锗(SiGe)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)、硫化镉(CdS)、碲化锌(ZnTe)或硫化铅(PbS)。作为示例，第一芯片1300和/或第二芯片1310可以被形成为一个封装。举例来说，封装可以被形成为系统级封装(SIP)或者层叠式封装(POP)。
根据实施例，参考图13C的RFFE 800，第二放大电路830和第三放大电路1262可以被形成为单独的芯片。例如，RFFE 800的内部配置当中的、除了功率放大器804的第二放大电路830和第三放大电路1262之外的其余配置可以被安置在第一芯片1300中。在实施例中，功率放大器804的第二放大电路830可以被安置在与第一芯片1300不同的第二芯片1310中。在示例中，功率放大器804的第三放大电路1262可以被安置在与第一芯片1300不同的第三芯片1320中。作为示例，第二芯片1310和/或第三芯片1320可以包括复合半导体。作为示例，第二芯片1310和/或第三芯片1320可以被形成为一个芯片或不同的芯片。作为示例，第一芯片1300、第二芯片1310和/或第三芯片1320可以被形成为一个封装。举例来说，封装可以被形成为SIP或POP。
根据各个实施例，与由CMOS形成的图13B的第三放大电路832相比较，由复合半导体形成的图13B的第二放大电路830可以提高放大效率。例如，RFFE 800中所包括的第一芯片1300可以被安置在第二基板554上，并且第二芯片1310可以被安置在通过导电线缆(例如，图6的导电线缆555)连接到第二基板554的第一基板552上。RFFE 800可以通过借助于安置在由复合半导体形成的第二芯片1310上的第二放大电路830放大通过安置在第一基板552上的第一天线阵列600的天线元件6001、6002、6003或6004之一输出的信号来补偿由导电线缆引起的损耗。作为另一个示例，RFFE 800中所包括的第一芯片1300和第二芯片1310可以被安置在第二基板554上。安置在第一基板552上的第一天线阵列600的天线元件6001、6002、6003或6004之一可以连接到安置在由复合半导体形成的第二芯片1310上的第二放大电路830。RFFE 800可以通过借助于第二放大电路830放大通过连接到第二放大电路830的天线元件输出的信号来补偿由导电线缆引起的损耗。
图14A、图14B和图14C是图示出根据各个实施例的、在参考图12B所解释的RFFE的配置中使用外部芯片的示例配置的图。
根据各个实施例，图14A、图14B和图14C的RFFE 800可以包括图9A的第一开关电路810和图11A的第二开关电路820，如图12B中所示。根据实施例，RFFE 800可以被安置在基板(例如，图6的第二基板554)的一个表面(例如，图6的第三表面554b)上，该基板包括连接到第一天线端口1250的天线阵列(例如，图6的第二天线阵列610)。根据实施例，RFFE 800可以处理通过连接到第一天线端口1250的天线元件(例如，图6的第一天线元件6001)或者连接到第二天线端口1252的天线元件(例如，图6的第五天线元件6101)所发送和接收的信号。
根据各个实施例，参考图14A的RFFE 800，RFFE 800中所包括的所有配置都可以被安置在第一芯片1400中。作为示例，第一芯片1400可以包括互补金属氧化物半导体(CMOS)。
根据各个实施例，参考图14B或图14C的RFFE 800，RFFE 800中所包括的至少一部分可以被安置在与其余部分的芯片不同的芯片中。根据实施例，参考图14B的RFFE 800，功率放大器804的第二放大电路830可以被形成为第二芯片1410。例如，RFFE 800的内部配置当中的、除了功率放大器804的第二放大电路830之外的其余配置可以被包括在与第二芯片1410不同的第一芯片1400中。作为示例，第二芯片1410可以包括复合半导体。作为示例，第一芯片1400和/或第二芯片1410可以被形成为一个封装。
根据实施例，参考图14C的RFFE 800，功率放大器804的第二放大电路830可以被形成为第二芯片1410，并且第三放大电路1262可以被形成为第三芯片1420。例如，RFFE 800的内部配置当中的、除了功率放大器804的第二放大电路830和第三放大电路1262之外的其余配置可以被包括在与第二芯片1410和第三芯片1420不同的第一芯片1400中。作为示例，第二芯片1410和/或第三芯片1420可以包括复合半导体。作为示例，第二芯片1410和第三芯片1420可以被形成为一个芯片或不同的芯片。作为示例，第一芯片1400、第二芯片1410和/或第三芯片1420可以被形成为一个封装。
图15A、图15B、图15C和图15D是图示出根据各个实施例的、在参考图12C所解释的RFFE的配置中使用外部芯片的示例配置的图。
根据各个实施例，图15A、图15B、图15C和图15D的RFFE 800可以包括图9B的第一开关电路810和图11A的第二开关电路820，如图12C中所示。根据实施例，RFFE 800可以被包括在安置在图6的第二基板554的第三表面554b上的无线通信电路5541中。根据实施例，RFFE800可以处理通过图6的第二基板554中所包括的第二天线阵列610和第一基板552中所包括的第一天线阵列600所发送和接收的信号。
根据各个实施例，参考图15A的RFFE 800，RFFE 800中所包括的所有配置可以被安置在第一芯片1500中。作为示例，第一芯片1500可以包括互补金属氧化物半导体(CMOS)。
根据各个实施例，参考图15B或图15C的RFFE 800，RFFE 800中所包括的至少一部分可以被安置在与其余部分的芯片不同的芯片中。根据实施例，参考图15B的RFFE 800，第四开关912、第十二开关1100以及通过第四开关912和第十二开关1100有选择地连接到不同的元件的功率放大器804的第二放大电路830或者低噪声放大器806的第五放大电路840可以被形成为第二芯片1510。例如，RFFE 800的内部配置当中的、除了第二芯片1510中所包括的至少一部分之外的其余配置可以被包括在与第二芯片1510不同的第一芯片500中。作为示例，第二芯片1510可以包括复合半导体。作为示例，第一芯片1500和/或第二芯片1510可以被形成为一个封装。
根据实施例，参考图15C的RFFE 800，第五开关914、第十三开关1102，以及通过第五开关914或第十三开关1102有选择地连接到不同的元件的功率放大器804的第三放大电路1262和低噪声放大器806的第六放大电路1272可以被包括在第二芯片1510中。
根据实施例，在如图15B和/或图15C中所示形成RFFE 800的情况下，其第二芯片1510可以被安置在基板(例如，图6的第一基板552)的一个表面上，在该基板上安置有包括连接到第一天线端口1250的天线元件(例如，图6的第一天线元件6001)的天线阵列(例如，图6的第一天线阵列600)。作为示例，RFFE 800的第一芯片1500可以被安置在基板(例如，图6的第二基板554)一个表面(例如，图6的第三表面554b)上，在该基板上安置有包括连接到第二天线端口1252的天线元件(例如，图6的第五天线元件6101)的天线阵列(例如，图6的第二天线阵列610)。
根据实施例，参考图15D的RFFE 800，图15C的第二芯片1510的配置当中的第五开关914、第十三开关1102、第三放大电路1262和/或第六放大电路1272可以被形成为与第二芯片1510不同的第三芯片1520。例如，在RFFE800的内部配置当中，第四开关912、第十二开关1100、功率放大器804的第二放大电路830和/或低噪声放大器806的第五放大电路840可以被包括在第二芯片1510中。例如，在RFFE 800的内部配置当中，第五开关914、第十三开关1102、功率放大器804的第三放大电路1262和/或低噪声放大器806的第六放大电路1272可以被包括在第三芯片1520中。例如，在RFFE 800的内部配置当中，没有被包括在第二芯片1510和第三芯片1520中的其余配置可以被包括在不同于第二芯片1510和第三芯片1520的第一芯片1500中。作为示例，第二芯片1510和/或第三芯片1320可以包括复合半导体。作为示例，第二芯片1510和/或第三芯片1520可以被形成为一个芯片或不同的芯片。作为示例，第一芯片1500、第二芯片1510和/或第三芯片1520可以被形成为一个封装。
根据实施例，在如图15D中所示形成RFFE 800的情况下，第二芯片1510和/或第三芯片1520可以被安置在基板(例如，图6的第一基板552)的一个表面上，在该基板上安置有包括连接到第一天线端口1250的天线元件(例如，图6的第一天线元件6001)的天线阵列(例如，图6的第一天线阵列600)。作为示例，RFFE 800的第一芯片1500可以被安置在基板(例如，图6的第二基板554)一个表面(例如，图6的第三表面554b)上，在该基板上安置有包括连接到第二天线端口1252的天线元件(例如，图6的第五天线元件6101)的天线阵列(例如，图6的第二天线阵列610)。
图16A、图16B和图16C是图示出根据各个实施例的、与外部芯片有关的匹配电路的示例配置的图。作为示例，参考图16A、图16B和图16C，将借助如图14B中所示形成的RFFE800的配置作为非限制性示例来描述第二芯片1610的配置。
根据各个实施例，如图16A、图16B和图16C中所示，RFFE 800的内部配置的至少一部分可以包括第一芯片1600和与第一芯片1600不同的第二芯片1610。根据实施例，功率放大器804的第二放大电路830可以被包括在第二芯片1610中。根据实施例，RFFE 800中所包括的元件当中的、除了功率放大器804的第二放大电路830之外的其余配置可以被包括在与第二芯片1610不同的第一芯片1600中。作为示例，第一芯片1600可以包括CMOS，并且第二芯片1610可以包括复合半导体。
根据各个实施例，在如图16A中所示的功率放大器804的第二放大电路830中，用于功率放大的晶体管1612可以被包括在第二芯片1610中。根据实施例，用于第二放大电路830的阻抗匹配的第一匹配电路1614(例如，输入匹配电路)和第二匹配电路1616(例如，输出匹配电路)可以被包括在第一芯片1600中。
根据各个实施例，参考图16B的功率放大器的第二放大电路830，用于功率放大的晶体管1612和第二匹配电路1616(例如，输出匹配电路)可以被包括在第二芯片1610中。根据实施例，用于第二放大电路830的阻抗匹配的第一匹配电路1614(例如，输入匹配电路)可以被包括在第一芯片1600中。
根据各个实施例，参考图16C的功率放大器804的第二放大电路830，用于功率放大的晶体管1612以及用于第二放大电路830的阻抗匹配的第一匹配电路1614(例如，输入匹配电路)和第二匹配电路1616(例如，输出匹配电路)可以被包括在第二芯片1610中。
根据各个实施例，参考图16B或图16C的RFFE 800，在与第二放大电路830有关的匹配电路(例如，第一匹配电路1614和/或第二匹配电路1616)被包括在第二芯片1610中的情况下，能够灵活地形成系统结构。例如，在RFFE 800中，第一芯片1600中所包括的第三放大电路832可以被配置为支持宽带或双频带，并且第二芯片1610中所包括的第二放大电路830可以被配置为支持第一频带(例如，大约28GHz或大约39GHz)。
根据各个示例实施例，电子装置(例如，图1的电子装置101、图3A或3B的电子装置300或图5的电子装置500)可以包括：通信处理器(例如，图2的第一通信处理器212或第二通信处理器214)，以及电连接到通信处理器的功率放大器(例如，图7的功率放大器730)，该功率放大器包括第一开关(例如，图7的开关740)、输入端口(例如，图7的输入端口764)、第一输出端口(例如，图7的第一输出端口760)，以及第二输出端口(例如，图7的第二输出端口762)，该功率放大器进一步包括安置在输入端口和第一开关之间的第一电子路径上的第一放大电路(例如，图7的第一放大电路730-1)、安置在第一开关和第一输出端口之间的第二电子路径上的第二放大电路(例如，图7的第二放大电路730-2)，以及安置在第一开关和第二输出端口之间的第三电子路径上的第三放大电路(例如，图7的第三放大电路730-3)。
根据各个示例实施例，第一放大电路、第二放大电路和第三放大电路可以被安置在相同的芯片中。
根据各个示例实施例，第一放大电路和第三放大电路可以被安置在第一芯片(例如，图13的第一芯片1300)中，并且第二放大电路可以被安置在与第一芯片不同的第二芯片(例如，图13的第二芯片1310)中。
根据各个示例实施例，与第二放大电路有关的输入匹配电路和输出匹配电路可以被安置在第一芯片或第二芯片中。
根据各个示例实施例，与第二放大电路有关的输入匹配电路可以被安置在第一芯片中，并且与第二放大电路有关的输出匹配电路可以被安置在第二芯片中。
根据各个示例实施例，第一芯片可以包括以单元素工艺生产的半导体，并且第二芯片可以包括以复合工艺生成的半导体。
根据各个示例实施例，单元素工艺可以包括硅(Si)和锗(Ge)之一，并且复合物工艺可以包括硅锗(SiGe)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)、硫化镉(CdS)、碲化锌(ZnTe)或硫化铅(PbS)之一。
根据各个示例实施例，第一芯片和第二芯片可以被提供为一个封装。
根据各个示例实施例，第二放大电路和第三放大电路可以被配置为支持不同的频带或不同的放大因子。
根据各个示例实施例，电子装置可以另外包括多个天线，其中，第一输出端口可以连接到多个天线当中的第一天线，并且第二输出端口可以连接到多个天线当中的与第一天线不同的第二天线。
根据各个示例实施例，电子装置可以另外包括至少一个天线模块(其包括至少一个天线)，其中，功率放大器可以被安装在至少一个天线模块上。
根据各个示例实施例，至少一个天线模块可以包括第一印制电路板和电连接到第一印制电路板(例如，图6的第一基板552)的第二印制电路板(例如，图6的第二基板554)，并且第一印制电路板可以包括第一天线阵列(其包括至少一个第一天线)，第二印制电路板可以包括第二天线阵列(其包括至少一个第二天线)，第一放大电路和第二放大电路可以被安置在第一印制电路板上，第二放大电路可以通过第一输出端口电连接到至少一个第一天线，并且第三放大电路可以被安置在第二印制电路板上，并且可以通过第二输出端口电连接到至少一个第二天线。
根据各个示例实施例，电子装置可以另外包括：电连接到通信处理器的低噪声放大器，该低噪声放大器包括第二开关、输出端口、第一输入端口，以及第二输入端口，其中，该低噪声放大器可以包括安置在第二开关和输出端口之间的第四电子路径上的第四放大电路、安置在第一输入端口和第二开关之间的第五电子路径上的第五放大电路，以及安置在第二输入端口和第二开关之间的第六电子路径上的第六放大电路。
根据各个示例实施例，电子装置可以另外包括：多个天线、将多个天线当中的第一天线连接到第一输出端口或第一输入端口的第三开关、以及将多个天线当中的第二天线连接到第二输出端口或第二输入端口的第四开关。
根据各个示例实施例，通信处理器可以被配置为控制第一开关基于连接到被配置为发送信号的天线的第一输出端口或第二输出端口将第一放大电路连接到第二放大电路或第三放大电路。
根据各个示例实施例，电子装置(例如，图1的电子装置101、图3A或3B的电子装置300或图5的电子装置500)可以包括：通信处理器(例如，图2的第一通信处理器212或第二通信处理器214)；以及电连接到通信处理器的至少一个天线模块，该至少一个天线模块包括第一天线阵列(例如，图6的第一阵列天线600)(其包括至少一个第一天线)、第二天线阵列(例如，图6的第二阵列天线610)(其包括至少一个第二天线)，以及无线通信电路(例如，图2的第三RFIC 226或图7的RFIC 700)，其中，无线通信电路可以包括功率放大器(例如，图7的功率放大器730)，该功率放大器包括第一开关(例如，图7的开关740)、输入端口(例如，图7的输入端口764)、第一输出端口(例如，图7的第一输出端口760)以及第二输出端口(例如，图7的第二输出端口762)，该功率放大器包括安置在输入端口和第一开关之间的第一电子路径上的第一放大电路(例如，图7的第一放大电路730-1)、安置在通过第一输出端口连接的至少一个第一天线与第一开关之间的第二电子路径上的第二放大电路(例如，图7的第二放大电路730-2)、以及安置在通过第二输出端口连接的至少一个第二天线与第一开关之间的第三电子路径上的第三放大电路(例如，图7的第三放大电路730-3)。
根据各个示例实施例，至少一个天线模块可以包括：第一印制电路板(例如，图6的第一基板552)和电连接到第一印制电路板的第二印制电路板(例如，图6的第二基板554)，并且第一印制电路板可以包括第一天线阵列和无线通信电路，并且第二印制电路板可以包括第二天线阵列。
根据各个示例实施例，第一放大电路和第三放大电路可以被安置在第一芯片(例如，图13的第一芯片1300)中，并且第二放大电路可以被安置在与第一芯片不同的第二芯片(例如，图13的第二芯片1310)中。
根据各个示例实施例，与第二放大电路有关的输入匹配电路和/或输出匹配电路可以被安置在第一芯片或第二芯片中。
根据各个示例实施例，第一芯片可以包括以单元素工艺生产的半导体，并且第二芯片可以包括以复合工艺生产的半导体。
根据各个示例实施例，电子装置可以被配置为使用无线通信电路来处理无线电信号，在该无线通信电路中，包括多个放大电路的功率放大器的至少一部分与其的其余部分分开，并且因此可以防止和/或减小功率放大器的输出功率和/或功率效率劣化。
根据各个示例实施例，电子装置可以使用数量小于天线模块的数量的RF链，所述天线模块使用具有如下结构的无线通信电路，在该结构中，包括多个放大电路的功率放大器的至少一部分与其的其余部分分开，并且因此可以减小用于处理RF信号的电路的尺寸。
尽管已经参考各个示例实施例说明和描述了本公开，但将理解的是，各个示例实施例意图是说明性的、而非限制。本领域普通技术人员将进一步理解，在不背离本公开的真实精神和全部范围(包括所附权利要求和它们的等同物)的情况下，可以作出形式和细节方面的各种改变。

Claims (20)

1.一种电子装置，包括：
通信处理器；以及
功率放大器，其电连接到所述通信处理器并且包括第一开关、输入端口、第一输出端口以及第二输出端口，所述功率放大器进一步包括：
安置在所述输入端口和所述第一开关之间的第一电子路径上的第一放大电路，
安置在所述第一开关和所述第一输出端口之间的第二电子路径上的第二放大电路，和
安置在所述第一开关和所述第二输出端口之间的第三电子路径上的第三放大电路。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一放大电路、所述第二放大电路和所述第三放大电路被安置在相同的芯片中。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一放大电路和所述第三放大电路被安置在第一芯片中，并且
所述第二放大电路被安置在与所述第一芯片不同的第二芯片中。
4.根据权利要求3所述的电子装置，其中，与所述第二放大电路有关的输入匹配电路和输出匹配电路被安置在所述第一芯片或所述第二芯片中。
5.根据权利要求3所述的电子装置，其中，与所述第二放大电路有关的所述输入匹配电路被安置在所述第一芯片中，并且
与所述第二放大电路有关的所述输出匹配电路被安置在所述第二芯片中。
6.根据权利要求3所述的电子装置，其中，所述第一芯片包括以单元素工艺生产的半导体，并且
所述第二芯片包括以复合工艺生产的半导体。
7.根据权利要求6所述的电子装置，其中，所述单元素工艺包括硅(Si)和锗(Ge)之一，并且
其中，所述复合工艺包括硅锗(SiGe)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)、硫化镉(CdS)、碲化锌(ZnTe)或硫化铅(PbS)之一。
8.根据权利要求3所述的电子装置，其中，所述第一芯片和所述第二芯片被提供为一个封装。
9.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第二放大电路和所述第三放大电路被配置为支持不同的频带和/或不同的放大因子。
10.根据权利要求1所述的电子装置，进一步包括多个天线，
其中，所述第一输出端口连接到所述多个天线的第一天线，并且
所述第二输出端口连接到所述多个天线当中的与所述第一天线不同的第二天线。
11.根据权利要求1所述的电子装置，进一步包括至少一个天线模块，所述至少一个天线模块包括至少一个天线，
其中，所述功率放大器被安装在所述至少一个天线模块上。
12.根据权利要求11所述的电子装置，其中，所述至少一个天线模块包括第一印制电路板和电连接到所述第一印制电路板的第二印制电路板，并且
其中，第一印制电路板包括第一天线阵列，所述第一天线阵列包括至少一个第一天线，
所述第二印制电路板包括第二天线阵列，所述第一天线阵列包括至少一个第二天线，
所述第一放大电路和所述第二放大电路被安置在所述第一印制电路板上，
所述第二放大电路通过所述第一输出端口被电连接到所述至少一个第一天线，并且
所述第三放大电路被安置在所述第二印制电路板上，并且通过所述第二输出端口被电连接到至少一个第二天线。
13.根据权利要求1所述的电子装置，进一步包括电连接到所述通信处理器的低噪声放大器，所述低噪声放大器包括第二开关、输出端口、第一输入端口以及第二输入端口，所述低噪声放大器包括：
安置在所述第二开关所述输出端口之间的第四电子路径上的第四放大电路，
安置在所述第一输入端口和所述第二开关之间的第五电子路径上的第五放大电路，以及
安置在所述第二输入端口和所述第二开关之间的第六电子路径上的第六放大电路。
14.根据权利要求13所述的电子装置，进一步包括：
多个天线，
第三开关，其将所述多个天线的第一天线连接到所述第一输出端口或所述第一输入端口，以及
第四开关，其将所述多个天线的第二天线连接到所述第二输出端口或所述第二输入端口。
15.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述通信处理器被配置为控制所述第一开关基于连接到被配置为发送信号的天线的所述第一输出端口或所述第二输出端口将所述第一放大电路连接到所述第二放大电路或所述第三放大电路。
16.一种电子装置，包括：
通信处理器；以及
电连接到所述通信处理器的至少一个天线模块，所述至少一个天线模块包括：包括至少一个第一天线的第一天线阵列、包括至少一个第二天线的第二天线阵列、以及无线通信电路，
其中，所述无线通信电路包括功率放大器，所述功率放大器包括第一开关、输入端口、第一输出端口以及第二输出端口，所述功率放大器包括：
安置在所述输入端口和所述第一开关之间的第一电子路径上的第一放大电路，
安置在通过所述第一输出端口连接的所述至少一个第一天线和所述第一开关之间的第二电子路径上的第二放大电路，以及
安置在通过所述第二输出端口连接的所述至少一个第二天线和所述第一开关之间的第三电子路径上的第三放大电路。
17.根据权利要求16所述的电子装置，其中，所述至少一个天线模块进一步包括第一印制电路板和电连接到所述第一印制电路板的第二印制电路板，并且
其中，所述第一印制电路板包括所述第一天线阵列和所述无线通信电路，并且
所述第二印制电路板包括所述第二天线阵列。
18.根据权利要求16所述的电子装置，其中，所述第一放大电路和所述第三放大电路被安置在第一芯片中，并且
所述第二放大电路被安置在与所述第一芯片不同的第二芯片中。
19.根据权利要求18所述的电子装置，其中，与所述第二放大电路有关的输入匹配电路和/或输出匹配电路被安置在所述第一芯片或所述第二芯片中。
20.根据权利要求18所述的电子装置，其中，所述第一芯片包括以单元素工艺生产的半导体，并且
所述第二芯片包括以复合工艺生产的半导体。
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