CN113161384A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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全珠姬
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金建熙
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Abstract

公开了一种显示装置和制造该显示装置的方法。该显示装置包括：基底，包括像素区域和位于像素区域之间的透射区域；像素电路层，包括位于像素区域中的每个中的至少一个晶体管；以及发光元件层，位于像素电路层上，并且包括位于像素区域中的每个处且结合到至少一个晶体管的至少一个发光元件以及位于透射区域处的透明有机层，其中，发光元件层还包括：第一电极，位于像素区域处；第一无机层，位于第一电极处；有机层，覆盖第一无机层和透明有机层；以及第二无机层，位于有机层上。

Description

显示装置及其制造方法
本申请要求于2019年12月27日提交的第10-2019-0176610号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开的一些示例实施例的方面涉及显示装置以及制造该显示装置的方法。
背景技术
显示装置可以具有各种类型的传感器。例如，显示装置可以使用光学传感器识别目标，并且使用相机获取图片和运动图像。可以利用被构造为通过最小化或去除显示装置的前表面的边框且通过重新布置前表面的传感器来在显示装置的整个前表面上显示图像的全显示技术(full display technology)。
显示面板可以包括定位在发光像素之间且被构造为透射光的透射窗(或透射组件)，显示面板下方的传感器可以感测通过透射窗的信号。
传感器的灵敏度可以根据透射窗的透射率改变，并且可以去除透射窗内部的像素的阴极电极等以改善传感器的灵敏度。
可以使用激光去除透射窗内部的像素的阴极电极，但是由于激光裕度(margin，或称为“余量”)(即，用于防止激光损坏相邻的像素电路的裕度)，透射窗不会具有足够的面积。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对背景的理解，因此在本背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。
发明内容
本公开的一些示例实施例的方面涉及包括具有足够的面积的透射窗的显示装置和制造该显示装置的方法。
根据本公开的实施例的特性不限于上述特性，并且本领域普通技术人员从以下描述将更容易地理解未提及的其它技术特性。
根据本公开的一些示例实施例，显示装置可以包括：基底，包括像素区域和位于像素区域之间的透射区域；像素电路层，包括位于像素区域中的每个处的至少一个晶体管；以及发光元件层，位于像素电路层上，并且包括位于像素区域中的每个处且结合到至少一个晶体管的至少一个发光元件以及位于透射区域处的透明有机层。发光元件层还可以包括：第一电极，位于像素区域处；第一无机层，位于第一电极上；有机层，被构造为覆盖第一无机层和透明有机层；以及第二无机层，位于有机层上。
根据一些示例实施例，第一电极和第一无机层可以不与透明有机层叠置，并且第一电极和第一无机层可以在平面图中与透明有机层分隔开。
根据一些示例实施例，第一电极的面对透明有机层的一侧可以包括直线。
根据一些示例实施例，第一电极的第一边缘可以比第一无机层的第二边缘靠近透明有机层，并且第一电极的被第一无机层暴露的部分可以与有机层接触。
根据一些示例实施例，第一电极的第一边缘与第一无机层的第二边缘之间的距离可以等于或近似于第一电极的厚度。
根据一些示例实施例，发光元件层还可以包括：第二电极，位于像素电路层上；像素限定层，位于第二电极上且被构造为暴露第二电极；以及发射层，与被像素限定层暴露的第二电极叠置，并且第一电极、第二电极和发射层可以构造至少一个发光元件。
根据一些示例实施例，相对于基底，透明有机层的上表面的高度可以等于像素限定层的高度。
根据一些示例实施例，相对于基底，透明有机层的上表面的高度可以比像素限定层的高度低。
根据一些示例实施例，相对于基底，透明有机层的上表面的高度可以比像素限定层的高度高。
根据一些示例实施例，基底还可以包括第一区域和第二区域。在第一区域中，基底的像素区域可以布置为网格形状以彼此分隔开，并且透射区域可以定位在彼此分隔开的像素区域之间。在第二区域中，基底的像素区域可以彼此相邻。
根据一些示例实施例，第一电极可以连续地形成在像素区域中，并且第一电极的厚度可以遍及整个像素区域是均匀的。
根据一些示例实施例，第一无机层可以包括彼此分开的无机图案，并且无机图案可以分别位于像素区域处。
根据一些示例实施例，透明有机层的折射率可以在1.5至1.7的范围内。
根据一些示例实施例，第一电极和第一无机层可以不与透明有机层叠置，并且第一电极的第一边缘可以在平面图中与透明有机层的边缘重合。
根据一些示例实施例，第一无机层的第二边缘可以在平面图中与透明有机层分隔开。
根据一些示例实施例，第一电极的面对透明有机层的第一侧面和第一无机层的面对透明有机层的第二侧面可以与透明有机层的侧面定位在同一表面上。
根据一些示例实施例，第一电极可以与透明有机层部分地叠置，并且第一无机层可以不与透明有机层叠置。
根据本公开的一些示例实施例，在制造显示装置的方法中，该方法可以包括以下步骤：制备面板，面板包括位于基底上的多个绝缘层、形成在基底的像素区域中的每个中的多个绝缘层之间的至少一个晶体管以及通过穿透基底的透射区域中的多个绝缘层中的至少一个形成的凹槽，透射区域定位在像素区域之间；沿着透射区域的边缘在多个绝缘层上形成虚设图案；在透射区域的凹槽中形成透明有机层；在透明有机层上形成光致抗蚀剂；消除虚设图案；在基底上形成发光元件；在整个基底上形成第一无机层；以及剥离光致抗蚀剂。
根据一些示例实施例，该方法还可以包括以下步骤：形成被构造为覆盖第一无机层和通过剥离光致抗蚀剂而被暴露的透明有机层的有机层；以及在有机层上形成第二无机层。
根据一些示例实施例，形成发光元件可以包括以下步骤：在像素区域中形成发射层；以及使用化学气相沉积技术在整个基底上形成第一电极。第一电极可以通过光致抗蚀剂在透射区域与像素区域之间是不连续的。
根据一些示例实施例的进一步细节包括在具体实施方式和附图中。
附图说明
图1是示出了根据一些示例实施例的显示装置的视图。
图2是示出了根据一些示例实施例的图1的显示装置的示例的剖视图。
图3是图1的区域Q的放大图。
图4是示出了沿着图3的线I-I’截取的显示装置的示例的剖视图。
图5是示出了包括在图4的显示装置中的第一电极的示例的平面图。
图6A至图6J是用于解释根据一些示例实施例的制造显示装置的方法的视图。
图7A和图7B是示出了沿着图3的线I-I’截取的显示装置的另一示例的剖视图。
图8A是示出了沿着图3的线I-I’截取的显示装置的又一示例的剖视图。
图8B和图8C是用于解释制造图8A的显示装置的方法的视图。
图9A和图9B是示出了沿着图3的线I-I’截取的显示装置的又一示例的剖视图。
图10A是示出了沿着图3的线I-I’截取的显示装置的又一示例的剖视图。
图10B和图10C是用于解释制造图10A的显示装置的方法的视图。
具体实施方式
参照稍后更详细地描述的实施例以及附图，本公开的一些示例实施例的其它特性和特征以及用于实现其的方法将变得更加清楚。然而，根据本公开的实施例以各种形式实现而不限于稍后将描述的实施例，并且提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开的范围。根据本公开的实施例应当由所附权利要求及其等同物的范围限定。
元件或层被指定为定位或布置“在”另一元件或层“上”的情况可以包括附加的层或元件插置在其间的所有情况。在整个说明书中，相同的附图标记用于指示相同的组件。
尽管术语“第一”和“第二”用于描述各种组件，但是明显的是，那些组件不受术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。因此，明显的是，在不脱离本公开的技术精神的情况下，下面将描述的第一组件也可以是第二组件。在本公开中，除非上下文另外清楚地指明，否则单数形式也旨在包括复数形式。
在下文中，将参照附图描述本公开的一些示例实施例的进一步细节和特性。在整个附图中，相同或相似的附图标记用于指示相同的组件。
图1是示出了根据一些示例实施例的显示装置的视图。在图1中，示出了设置在显示装置DD中的显示面板DP。根据一些示例实施例，在图1中示意性地示出了基于显示区域DA的显示面板DP的结构。然而，至少一个驱动器(例如，扫描驱动器和数据驱动器)和/或多条线还可以定位在显示面板DP中。
参照图1，显示装置DD可以包括基底SUB和定位在基底SUB上的像素PXL1和PXL2。
基底SUB可以构造显示面板DP的基体构件。
根据一些示例实施例，基底SUB可以是刚性基底或柔性基底，基底SUB的材料或性质不限于任何特定的材料或性质。例如，基底SUB可以是构造有玻璃或钢化玻璃的刚性基底，或者构造有塑料或由金属制成的薄膜的柔性基底。并且，基底SUB可以是透明基底，但不限于此。
基底SUB上的一个区域可以被定义为显示区域DA，使得像素PXL1和PXL2定位在显示区域DA中，剩余的区域可以被定义为非显示区域NDA。例如，基底SUB可以包括显示区域DA和定位在显示区域DA外部的非显示区域NDA，显示区域DA包括其中形成有像素PXL1和PXL2的像素区域。结合到显示区域DA的像素PXL1和PXL2和/或嵌入式电路的各种类型的线可以定位在非显示区域NDA中。
根据一些示例实施例，显示区域DA可以定位在显示面板DP的中心中，非显示区域NDA可以沿着显示面板DP的边缘定位以围绕显示区域DA。然而，显示区域DA和非显示区域NDA的位置不限于该示例，显示区域DA和非显示区域NDA的位置可以进行各种改变。
根据一些示例实施例，显示区域DA(或基底SUB)可以包括第一区域A1(或第一显示区域)和第二区域A2(或第二显示区域)。第一区域A1和第二区域A2可以根据像素PXL1和PXL2的分辨率(或每单位面积的分辨率和密度)区分，第一区域A1内部的第一像素PXL1的分辨率可以比第二区域A2内部的第二像素PXL2的分辨率低。
如图1中示出的，第一区域A1可以定位在显示面板DP的上侧中，但是这是示例。第一区域A1的位置和大小(或面积)可以根据传感器(例如，图2中的UPS)进行各种改变。
图2是示出了图1的显示装置的一个示例的剖视图。在图2中，示出了设置在显示装置DD中的显示面板DP。
参照图2，显示面板DP可以包括基底SUB(或基体层)、像素电路层PCL和发光元件层LDL。
基底SUB上的像素电路层PCL可以包括多个绝缘层、形成在多个绝缘层之间的晶体管以及结合到晶体管的线。
定位在像素电路层PCL上的发光元件层LDL可以包括发光元件。
传感器UPS可以定位在基底SUB下方。如图2中示出的，传感器UPS可以定位在基底SUB的第一区域A1下方。
根据一些示例实施例，传感器UPS可以是光学传感器。传感器UPS可以包括例如指纹传感器、图像传感器、相机、闪光灯、光学传感器、照度传感器、接近传感器、RGB传感器、红外传感器等。然而，传感器UPS不限于这些示例。例如，传感器UPS可以包括诸如超声波传感器、麦克风、环境传感器(例如，气压计、湿度计、温度计、放射性传感器、热传感器等)、化学传感器(例如，气体传感器、灰尘传感器、气味传感器等)等的各种传感器。
根据一些示例实施例，显示面板DP可以包括贯穿像素电路层PCL和发光元件层LDL形成的光路LTP(或光传输路径)。在光路LTP中，仅设置多个绝缘层，导电元件(例如，线、晶体管的电极、导电图案、发光元件的电极等)可以不定位在光路LTP中。而且，具有高透光率的材料还可以定位在光路LTP中。
根据一些示例实施例，具有与绝缘层的折射率不同的折射率的材料可以定位在光路LTP中。例如，具有比绝缘层高的折射率的透明有机层可以定位在光路LTP中。在这种情况下，从传感器UPS发射且在第三方向DR3上行进的光(或信号)在透明有机层与绝缘层之间(即，在光路LTP的边缘中)被全反射，从传感器UPS发射或由传感器UPS接收的光的量增加，由此可以改善传感器UPS的灵敏度。
根据一些示例实施例，设置在光路LTP中的透明有机层可以由包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的单层形成，并且可以具有例如从1.5到1.7范围内的折射率。
图3是图1的区域Q的放大图。
参照图3，第一区域A1可以包括像素区域PA(或发射区域)和透射区域TA，第二区域A2可以仅包括像素区域PA。在此，子像素SPX可以设置在像素区域PA中，子像素SPX可以不设置在透射区域TA中。各个子像素SPX可以与参照图1描述的像素PXL1和PXL2相同，但是不限于此，两个或更多个子像素SPX可以包括在像素PXL1和PXL2中的每个中。
在第一区域A1中，像素区域PA具有网格形状，并且可以布置为彼此分隔开。例如，在第一方向DR1上延伸的第一参考线L_H1、L_H2和L_H3布置为沿着第二方向DR2彼此分隔开，在第二方向DR2上延伸的第二参考线L_V1、L_V2、L_V3和L_V4布置为沿着第一方向DR1彼此分隔开，像素区域PA和透射区域TA可以交替地定位在由第一参考线L_H1、L_H2和L_H3以及第二参考线L_V1、L_V2、L_V3和L_V4划分的区域中。
在第二区域A2中，像素区域PA可以定位为彼此相邻。因此，第一区域A1中的像素区域PA(或子像素SPX)的密度比第二区域A2中的像素区域PA(或子像素SPX)的密度低，例如，第一区域A1中的像素区域PA的密度可以是第二区域A2中的像素区域PA的密度的1/2。
然而，密度不限于该示例，例如，第一区域A1中的像素区域PA的密度可以是第二区域A2中的像素区域PA的密度的1/4，在这种情况下，第一区域A1中的像素区域PA以岛的形式布置，并且像素区域PA中的每个可以被透射区域TA围绕。
图4是示出了沿着图3的线I-I’截取的显示装置的示例的剖视图。
参照图2至图4，像素电路层PCL可以包括缓冲层BFL、半导体层、第一绝缘层INS1、第一导电层、第二绝缘层INS2、第二导电层和保护层PSV。如图4中示出的，在像素区域PA中，缓冲层BFL、半导体层、第一绝缘层INS1、第一导电层、第二绝缘层INS2、第二导电层和保护层PSV可以顺序地堆叠在基底SUB(或基体层)上。
缓冲层BFL可以形成或布置在基底SUB的整个表面上。缓冲层BFL可以防止杂质离子扩散，防止或减少湿气或外部空气或者污染物渗透的情况，并且执行表面平坦化功能。缓冲层BFL可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。缓冲层BFL可以根据基底SUB的类型、制造条件等而被省略。
半导体层可以定位在缓冲层BFL(或基底SUB)上，并且可以包括半导体图案SCL。半导体层可以是构造晶体管TR的沟道的有源层。半导体层可以包括与将在稍后描述的第一晶体管电极(或源电极)和第二晶体管电极(或漏电极)接触的源区和漏区。源区与漏区之间的区域可以是沟道区。
半导体层可以包括氧化物半导体。半导体图案SCL的沟道区是未掺杂有杂质的半导体图案，并且可以是本征半导体。源区和漏区可以是掺杂有杂质的半导体图案。例如，可以使用n型杂质作为杂质。
第一绝缘层INS1(或栅极绝缘层)可以定位在半导体层和缓冲层BFL(或基底SUB)上。第一绝缘层INS1通常可以形成为遍及基底SUB的整个表面。第一绝缘层INS1可以是具有栅极绝缘功能的栅极绝缘层。
第一绝缘层INS1可以包括诸如硅化合物、金属氧化物等的无机绝缘材料。例如，第一绝缘层INS1可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛或它们的组合。第一绝缘层INS1可以具有单层结构或包括不同材料的堆叠层的多层结构。
第一导电层可以定位在第一绝缘层INS1上。第一导电层可以包括栅电极GE(或第一导电图案)。而且，第一导电层还可以包括结合到晶体管的栅电极GE或构造栅电极GE的线(例如，扫描线和栅极线)、电容器电极等。
栅电极GE布置为与半导体图案SCL叠置，并且可以构造晶体管TR的栅电极。
第一导电层可以包括选自于钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)之中的一种或更多种类型的金属。第一导电层可以具有单层结构或多层结构。
第二绝缘层INS2(或层间绝缘层)可以形成在第一导电层上，并且通常可以定位为遍及基底SUB的整个表面。第二绝缘层INS2起到使第一导电层与第二导电层绝缘的作用，并且可以是层间绝缘层。
第二绝缘层INS2可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铪、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化锌等的无机绝缘材料，或者诸如聚丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯撑醚树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯(BCB)等的有机绝缘材料。第二绝缘层INS2可以具有单层结构或包括不同材料的堆叠层的多层结构。
第二导电层可以定位在第二绝缘层INS2上。第二导电层可以包括第一晶体管电极SE(或第二导电图案)和第二晶体管电极DE(或第三导电图案)。而且，第二导电层还可以包括结合到第一晶体管电极SE和第二晶体管电极DE中的至少一个的线(例如，数据线)或电源线。
第一晶体管电极SE与半导体图案SCL的部分区域(例如，晶体管TR的源区)叠置，并且可以与半导体图案SCL的通过接触孔暴露的部分区域接触。第一晶体管电极SE可以构造晶体管TR的第一电极(例如，源电极)。
类似地，第二晶体管电极DE与半导体图案SCL的部分区域(例如，晶体管TR的漏区)叠置，并且可以与半导体图案SCL的通过接触孔暴露的部分区域接触。第二晶体管电极DE可以构造晶体管TR的第二电极(例如，漏电极)。
与第一导电层类似，第二导电层可以包括选自于钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)之中的一种或更多种类型的金属。第二导电层可以具有单层结构或多层结构。
保护层PSV(或第三绝缘层)可以定位在第二导电层上。保护层PSV提供平坦化表面，并且可以设置包括有机绝缘层、无机绝缘层或定位在无机绝缘层上的有机绝缘层的保护层PSV。
第一晶体管电极SE通过其暴露的接触孔形成在保护层PSV中，第一晶体管电极SE可以通过接触孔结合到发光元件层LDL的第二电极AE。
根据一些示例实施例，在透射区域TA中，像素电路层PCL可以仅包括顺序地布置在基底SUB上的缓冲层BFL、第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2。即，在透射区域TA中，半导体层的半导体图案SCL、第一导电层的导电图案和第二导电层的导电图案可以不包括在像素电路层PCL中。
根据一些示例实施例，在透射区域TA中，像素电路层PCL可以包括通过穿透多个绝缘层中的至少一个而形成的凹槽。如图4中示出的，在透射区域TA中，保护层PSV可以包括被构造为暴露第二绝缘层INS2的凹槽。
发光元件层LDL定位在保护层PSV上，发光元件层LDL可以包括设置在像素区域PA中的像素限定层PDL和发光元件LD。而且，发光元件层LDL还可以包括设置在透射区域TA中的透明有机层TOL。透射区域TA可以由透明有机层TOL限定。例如，透射区域TA是其中设置有透明有机层TOL的区域，透射区域TA的边缘可以与透明有机层TOL的上表面的边缘重合。此外，发光元件层LDL还可以包括设置在像素区域PA中的第一无机层IOL1(或第一无机封装层)、设置在基底SUB的整个表面上的有机层OL(或有机封装层)以及第二无机层IOL2(或第二无机封装层)。在此，第一无机层IOL1、有机层OL和第二无机层IOL2可以构造薄膜封装层TFE，薄膜封装层TFE被构造为保护发光元件LD免受外部湿气、外来物质等的影响。
在下文中，将首先描述像素区域PA中的发光元件层LDL，然后将描述透射区域TA中的发光元件层LDL。
第二电极AE可以定位在保护层PSV上。第二电极AE可以通过穿透保护层PSV的通孔(例如，过孔)结合到第一晶体管电极SE。
像素限定层PDL包括开口，开口可以限定子像素SPX中的每个的发光区域。像素限定层PDL的开口可以暴露第二电极AE的至少一部分。像素限定层PDL可以包括有机材料。
发光元件LD可以包括第二电极AE、定位在第二电极AE上的发射层EL以及定位在发射层EL上的第一电极CE。例如，发光元件LD可以是有机发光二极管。
第二电极AE和第一电极CE中的一个可以是阳极电极，另一个可以是阴极电极。例如，第二电极AE可以是阳极电极，第一电极CE可以是阴极电极。第二电极AE可以是反射电极，第一电极CE可以是透射电极。
第二电极AE可以包括能够反射光的反射层和定位在反射层上方或下方的透明导电层。透明导电层和反射层中的至少一个可以与第一晶体管电极SE接触。
反射层可以包括能够反射光的材料。例如，反射层可以包括铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铂(Pt)、镍(Ni)和它们的合金中的至少一种。
透明导电层可以包括透明导电氧化物。例如，透明导电层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锡(GTO)和氟掺杂氧化锡(FTO)之中的至少一种类型的透明导电氧化物。
发射层EL可以定位在第二电极AE的暴露的表面上。发射层EL可以具有至少包括光产生层的多层薄膜结构。例如，发射层EL可以包括空穴注入层、空穴传输层、光产生层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，空穴注入层被构造为注入空穴，空穴传输层具有优异的空穴传输性且用于通过阻碍在光产生层中未结合的电子的移动来增加空穴和电子的复合的可能性，光产生层被构造为通过注入的电子和空穴的复合来发射光，空穴阻挡层用于阻碍在光产生层中未结合的空穴的移动，电子传输层用于将电子顺利地传输到光产生层，电子注入层用于注入电子。
在光产生层中产生的光的颜色可以是红色、绿色、蓝色和白色中的一种，但不限于此。例如，在发射层EL的光产生层中产生的光的颜色可以是品红色、青色和黄色中的一种。
第一电极CE可以定位在发射层EL上。第一电极CE可以是透反射层。例如，第一电极CE可以是具有足以透射光的厚度的薄金属层。第一电极CE可以透射在光产生层中产生的光的部分且反射在光产生层中产生的光的剩余部分。
与透明导电层相比，第一电极CE可以包括具有低功函数的材料。例如，第一电极CE可以包括钼(Mo)、钨(W)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)和它们的合金中的至少一种。
从发射层EL发射的光的部分可以不透射第一电极CE，从第一电极CE反射的光可以再次从反射层反射。即，从发射层EL发射的光可以在反射层与第一电极CE之间谐振(resonate，或称为共振)。OLED的光提取效率可以通过光的谐振改善。
反射层与第一电极CE之间的距离可以根据在光产生层中产生的光的颜色而不同。即，根据在光产生层中产生的光的颜色，可以调节反射层与第一电极CE之间的距离，以匹配谐振距离。
根据一些示例实施例，第一电极CE不与透射区域TA(或透明有机层TOL)叠置，并且可以在平面图中(或当从俯视图观看时)与透射区域TA(或透明有机层TOL)分隔开。
为了解释从俯视图观看的第一电极CE的布置，可以参照图5。
图5是示出了包括在图4的显示装置中的第一电极的示例的平面图。
参照图5，第一电极CE可以连续地形成在像素区域PA中。
例如，第一电极CE可以定位在第一像素区域PA1中，可以在透射区域TA之间沿着透射区域TA的边缘在第二方向DR2上延伸，并且可以连续地形成在与第一像素区域PA1相邻的像素区域PA中。
如稍后将示出的，因为第一电极CE通过单个工艺(例如，单个化学沉积工艺)形成，所以第一电极CE可以具有遍及整个像素区域PA(以及像素区域PA之间的连接部分)的均匀的厚度。
根据一些示例实施例，第一电极CE与透射区域TA(即，透明有机层TOL)的边缘分隔开的距离可以是恒定的。为了减小第一电极CE的总电阻同时使透射区域TA的面积最大化，第一电极CE可以与透射区域TA的边缘分隔开固定的距离。
根据一些示例实施例，第一电极CE的面对透射区域TA的侧边中的每个可以是直线。例如，第一电极CE的基于第一像素区域PA1定位在第一方向DR1上的一侧可以与第二参考线L_V2平行。例如，第一电极CE的基于第一像素区域PA1定位在第二方向DR2上的另一侧可以与第一参考线L_H1平行。
同时，尽管在图5中透射区域TA被示出为具有平坦的矩形形状且第一电极CE被示出为具有直线的侧边，但是它们不限于此。例如，当透射区域TA具有平坦的圆形形状时，第一电极CE可以与透射区域TA分隔开均匀的距离，并且可以具有与透射区域TA对应的平坦的圆形侧边(或孔)。在另一示例中，当透射区域TA具有平坦的多边形形状时，第一电极CE可以与透射区域TA分隔开均匀的距离，并且可以具有与透射区域TA对应的平坦的多边形形状的侧边(或孔)。
再次参照图4，第一无机层IOL1可以定位在第一电极CE上。
第一无机层IOL1可以由诸如聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘材料制成。
根据一些示例实施例，第一无机层IOL1不与透射区域TA(或透明有机层TOL)叠置，并且可以在平面图中与透射区域TA(或透明有机层TOL)分隔开。
根据一些示例实施例，第一无机层IOL1的第二边缘EG2可以比第一电极CE的第一边缘EG1更远离透射区域TA(或透明有机层TO1)。换句话说，第一电极CE的第一边缘EG1可以比第一无机层IOL1的第二边缘EG2靠近透射区域TA(或透明有机层TOL)。第一电极CE的边缘部分可以被第一无机层IOL1暴露。
根据一些示例实施例，第一电极CE的第一边缘EG1与第一无机层IOL1的第二边缘EG2之间的距离(例如，在第一方向DR1上的距离)可以等于或近似于第一电极CE的厚度(例如，在第三方向DR3上的厚度)。
稍后将参照图6A至图6J描述第一电极CE的第一边缘EG1的布置与第一无机层IOL1的第二边缘EG2的布置之间的关系。
根据一些示例实施例，第一无机层IOL1可以单独地布置在像素区域PA中的每个中。
参照图5，第一无机层IOL1包括彼此分开的无机图案IOL_P，无机图案IOL_P可以布置在相应的像素区域PA中。
根据一些示例实施例，第一无机层IOL1(或无机图案IOL_P)的第二边缘EG2与第一电极CE的第一边缘EG1分隔开的距离可以是恒定的。而且，当第一电极CE的侧边是直线时，第一无机层IOL1的侧边也可以是直线。
再次参照图4，有机层OL和第二无机层IOL2可以顺序地布置在第一无机层IOL1上。因为第一电极CE的边缘部分被第一无机层IOL1暴露，所以第一电极CE的边缘部分可以与有机层OL接触。
有机层OL可以由诸如聚丙烯酸化合物、聚酰亚胺化合物、诸如聚四氟乙烯的碳氟化合物、苯并环丁烯化合物等的有机绝缘材料制成，与第一无机层IOL1类似，第二无机层IOL2可以由诸如聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘材料制成。
同时，在透射区域TA中，像素限定层PDL可以包括暴露第二绝缘层INS2(或保护层PSV)的孔。像素限定层PDL的孔可以与保护层PSV的孔叠置。
在透射区域TA中，保护层PSV的孔和像素限定层PDL的孔可以填充有透明有机层TOL。
如参照图4描述的，透明有机层TOL可以由包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的单层形成，透明有机层TOL可以具有在1.5至1.7范围内的折射率。
根据一些示例实施例，相对于基底SUB，透明有机层TOL的上表面的高度可以等于像素限定层PDL的高度。
如图4中示出的，透明有机层TOL的厚度H1可以等于保护层PSV与像素限定层PDL的总厚度H2。然而，厚度不限于该示例，透明有机层TOL的厚度H1可以小于或大于保护层PSV与像素限定层PDL的总厚度H2。
在透射区域TA中，有机层OL直接定位在透明有机层TOL上，第二无机层IOL2可以定位在有机层OL上。
即，在透射区域TA中，发光元件层LDL仅包括顺序地堆叠的透明有机层TOL、有机层OL和第二无机层IOL2，并且第一电极CE和第一无机层IOL1可以不包括在发光元件层LDL中。与其中第一电极CE和第一无机层IOL1布置在透射区域TA中的情况相比，可以改善透射区域TA的透射率(例如，透光率)。而且，可以通过具有在1.5至1.7范围内的折射率的透明有机层TOL更多地改善透射区域TA的光输出效率(和光接收效率)。
图6A至图6J是用于解释根据一些示例实施例的制造显示装置的方法的视图。在图6A至图6J中，示出了与图4和图5对应的视图。
参照图4和图6A，可以制备其上形成有定位在基底SUB上的多个绝缘层INS1和INS2、保护层PSV和像素限定层PDL的面板。面板可以包括形成在像素区域PA中的晶体管TR和第二电极AE。在面板的透射区域TA中，可以形成穿透多个绝缘层INS1和INS2、保护层PSV和像素限定层PDL中的至少一个的凹槽。如图6A中示出的，在透射区域TA中，保护层PSV可以包括被构造为暴露第二绝缘层INS2的第一孔OP1(或第一开口)，像素限定层PDL可以包括与第一孔OP1叠置的第二孔OP2(或第二开口)。
然后，可以在像素限定层PDL上形成虚设图案MP。
参照图6B和图6C，可以沿着透射区域TA的边缘在像素区域PA内的像素限定层PDL上形成虚设图案MP。虚设图案MP可以包括透明导电氧化物。例如，虚设图案MP可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锡(GTO)和氟掺杂氧化锡(FTO)中的至少一种。例如，可以通过湿蚀刻形成虚设图案MP。
如图6C中示出的，虚设图案MP可以具有网格形状。虚设图案MP通常可以包括沿着第一参考线L_H1和L_H2在第一方向DR1上延伸的第一细线和沿着第二参考线L_V1和L_V2在第二方向DR2上延伸的第二细线。第一细线和第二细线可以具有恒定的宽度。
虚设图案MP的高度可以根据实施例进行各种改变，但是虚设图案MP的高度比参照图4描述的第一电极CE与第一无机层IOL1的总厚度大。例如，虚设图案MP的高度可以比第一电极CE与第一无机层IOL1的总厚度的两倍大。
然后，可以在透射区域TA(和像素区域PA)中形成透明有机层TOL。
参照图6D，透明有机层TOL可以填充透射区域TA内的第一孔(例如，图6A中的OP1)和第二孔(例如，图6A中的OP2)。可以通过使用第一掩模MASK1的曝光工艺消除填充像素限定层PDL(在像素区域PA中)的开口的透明有机层TOL。
如参照图4描述的，透射区域TA内的透明有机层TOL的高度可以等于像素限定层PDL的高度，但不限于此。
然后，可以在透射区域TA中的透明有机层TOL上形成光致抗蚀剂PR。
参照图6E，可以通过使用第二掩模MASK2的曝光工艺在透明有机层TOL上形成光致抗蚀剂PR。
光致抗蚀剂PR可以具有比透射区域TA大的面积(或大的表面积)，并且可以与虚设图案MP部分地叠置。因此，光致抗蚀剂PR的侧表面(即，与虚设图案MP接触的侧表面)可以具有与虚设图案MP的侧表面的形状对应的反锥形(反向锥形)形状的剖面。
而且，光致抗蚀剂PR可以部分地覆盖虚设图案MP的上表面。因此，光致抗蚀剂PR还可以包括在水平方向上从倾斜的侧表面的顶部突出的突起。
然后，如图6F中示出的，可以消除虚设图案MP。例如，可以通过湿蚀刻工艺消除虚设图案MP。
然后，可以顺序地堆叠发射层EL、第一电极CE和第一无机层IOL1。
参照图6G，可以在像素限定层PDL的开口中的每个中形成发射层EL。例如，当像素发射具有不同颜色的光时，可以在像素限定层PDL的相应的开口中顺序地形成发射层EL。根据一些示例实施例，当像素发射具有相同的颜色的光时，可以在像素限定层PDL的开口中同时地形成发射层EL。
参照图6H，可以在基底SUB的整个表面上形成第一电极CE。即，第一电极CE可以形成为覆盖像素区域PA内的发射层EL和透射区域TA内的光致抗蚀剂PR。可以通过沉积工艺形成第一电极CE。通过其剖面具有反锥形形状的光致抗蚀剂PR，可以在透射区域TA与像素区域PA之间的边界处不连续地形成第一电极CE。
参照图6I，可以在基底SUB的整个表面上形成第一无机层IOL1。可以通过沉积工艺(例如，化学气相沉积工艺)形成第一无机层IOL1。与第一电极CE类似，可以通过其剖面具有反锥形形状的光致抗蚀剂PR在透射区域TA与像素区域PA之间的边界处不连续地形成第一无机层IOL1。因为第一电极CE形成在光致抗蚀剂PR上，所以第一无机层IOL1在像素区域PA中的边缘比第一电极CE的与其对应的边缘更远离透射区域TA，第一电极CE的边缘与第一无机层IOL1的边缘之间的距离可以等于或近似于第一电极CE的厚度。因此，第一电极CE的边缘可以被第一无机层IOL1暴露。
然后，如图6J中示出的，可以剥离光致抗蚀剂PR。即，可以消除堆叠在光致抗蚀剂PR上的第一电极CE和第一无机层IOL1中的全部。因此，第一电极CE和第一无机层IOL可以不存在于透射区域TA中。
然后，如图4中示出的，可以在基底SUB的整个表面上顺序地形成有机层OL和第二无机层IOL2。
即，形成被构造为覆盖第一无机层IOL1和通过剥离光致抗蚀剂PR而被暴露的透明有机层TOL的有机层OL，可以在有机层OL上形成第二无机层IOL2。
如参照图6A至图6J描述的，使用虚设图案MP在透明有机层TOL上形成光致抗蚀剂PR，并且可以在形成第一电极CE和第一无机层IOL1之后剥离光致抗蚀剂PR。因此，第一电极CE和第一无机层IOL1不存在于透射区域TA中，由此可以更多地改善透射区域TA的透射率。
同时，因为第一电极CE和第一无机层IOL1由于光致抗蚀剂PR而不连续地形成，所以可以清楚地看见与光致抗蚀剂PR的边缘对应的第一电极CE的边缘(或侧表面)和第一无机层IOL1的边缘。
图7A和图7B是示出了沿着图3的线I-I’截取的显示装置的另一示例的剖视图。在图7A和图7B中，示出了与图4对应的视图。
参照图4、图7A和图7B，除了透明有机层TOL_1和TOL_2之外，图7A的显示装置和图7B的显示装置可以与图4的显示装置相同或相似。因此，将省略重复的描述。
如图7A中示出的，透明有机层TOL_1的厚度H1可以比保护层PSV与像素限定层PDL的总厚度H2小。即，相对于基底SUB，透明有机层TOL_1的上表面的高度可以比像素限定层PDL的高度低。
在这种情况下，参照图6E描述的光致抗蚀剂PR也形成在像素限定层PDL的第二开口OP2(即，形成在透射区域TA中的第二开口OP2)中，光致抗蚀剂PR的侧表面(或下部的侧表面)可以具有与像素限定层PDL的侧表面对应的形状。即，可以更容易地形成其侧表面具有反锥形形状的光致抗蚀剂PR。
如图7B中示出的，透明有机层TOL_2的厚度H1可以比保护层PSV与像素限定层PDL的总厚度H2大。即，相对于基底SUB，透明有机层TOL_2的上表面的高度可以比像素限定层PDL的高度高。
在这种情况下，参照图6E描述的光致抗蚀剂PR(或光致抗蚀剂PR的下表面)形成在第一电极CE和/或第一无机层IOL1的更上方，在剥离光致抗蚀剂PR的工艺中可以更容易地剥离光致抗蚀剂PR。
图8A是示出了沿着图3的线I-I’截取的显示装置的又一示例的剖视图。在图8A中，示出了与图4对应的视图。
参照图4和图8A，除了第一电极CE_1和第一无机层IOL1_1之外，图8A的显示装置与图4的显示装置相同或相似。因此，将省略重复的描述。
如图8A中示出的，第一电极CE_1的第一边缘EG1_1可以与透射区域TA和像素区域PA之间的边界(或透明有机层TOL的边缘)重合。第一无机层IOL1_1的第二边缘EG2_1不与透明有机层TOL叠置，并且可以与透明有机层TOL分隔开。
如参照图4描述的，第一电极CE_1的第一边缘EG1_1与第一无机层IOL1_1的第二边缘EG2_1之间的距离可以等于或近似于第一电极CE_1的厚度。
图8B和图8C是用于解释制造图8A的显示装置的方法的视图。
参照图6E和图8B，在形成光致抗蚀剂PR_1的工艺中，光致抗蚀剂PR_1可以形成为具有比参照图6E描述的光致抗蚀剂PR的厚度薄的厚度。
可选地，通过具有比图6E中示出的第二掩模MASK2相对小的尺寸的第二掩模MASK2_1，光致抗蚀剂PR_1可以形成为具有反锥形形状的剖面而没有突起。
可选地，虚设图案MP_1可以形成为比参照图6E描述的虚设图案MP厚，并且形成为具有相对大的倾斜角(即，相对大的锥角，例如，接近垂直轴的角度)。
参照图6H和图8C，根据光致抗蚀剂PR_1的侧表面的形状，在像素区域PA中全部形成第一电极CE_1，而没有阴影区域(shadow area，或称为盲区)，由此第一电极CE_1可以与光致抗蚀剂PR_1的侧表面接触。
参照图6I和图8C，第一无机层IOL1_1在像素区域PA中的边缘可以形成为通过形成在光致抗蚀剂PR_1上的第一电极CE_1与光致抗蚀剂PR_1分隔开。
如参照图8A至图8C描述的，第一电极CE_1的第一边缘EG1_1可以与透射区域TA和像素区域PA之间的边界(或透明有机层TOL的边缘)重合。
图9A和图9B是示出了沿着图3的线I-I’截取的显示装置的又一示例的剖视图。在图9A和图9B中，示出了与图8A对应的视图。
参照图8A、图9A和图9B，除了透明有机层TOL_2和TOL_3之外，图9A的显示装置和图9B的显示装置可以与图8A的显示装置相同或相似。因此，将省略重复的描述。
如图9A中示出的，透明有机层TOL_2的厚度H1可以比保护层PSV与像素限定层PDL的总厚度H2大。而且，基于基底SUB，透明有机层TOL_2的高度可以等于与透明有机层TOL_2接触的第一电极CE_1的高度。
在这种情况下，参照图6E描述的光致抗蚀剂PR(或光致抗蚀剂PR的下表面)形成在第一电极CE_1的更上方，在剥离光致抗蚀剂PR的工艺中可以更容易地剥离光致抗蚀剂PR。
如图9B中示出的，透明有机层TOL_3的厚度H1可以比保护层PSV与像素限定层PDL的总厚度H2大。而且，相对于基底SUB，透明有机层TOL_3的高度可以等于与透明有机层TOL_3接触的第一无机层IOL1_2的高度。
第一无机层IOL1_2可以通过调节参照图8B描述的光致抗蚀剂PR_1的侧表面的形状(或锥角)或高度以及参照图8B描述的虚设图案MP_1的侧表面的形状或高度中的至少一个来形成为与透明有机层TOL_3接触。在这种情况下，第一电极CE_1被第一无机层IOL1_2(和透明有机层TOL_3)覆盖，并且可以通过第一无机层IOL1_2与有机层OL分隔开，而不是与有机层OL接触。
参照图6E描述的光致抗蚀剂PR(或光致抗蚀剂PR的下表面)形成在第一无机层IOL1_2的更上方，在剥离光致抗蚀剂PR的工艺中可以更容易地剥离光致抗蚀剂PR。
图10A是示出了沿着图3的线I-I’截取的根据一些示例实施例的显示装置的进一步细节的剖视图。在图10A中，示出了与图4对应的视图。
参照图4和图10A，除了第一电极CE_2和第一无机层IOL1_2之外，图10A的显示装置可以与图4的显示装置相同或相似。因此，可以省略其一些重复的描述。
如图10A中示出的，第一电极CE_2延伸到透射区域TA，从而覆盖透明有机层TOL的边缘。例如，第一电极CE_2的第一边缘EG1_2可以与透明有机层TOL的下表面的边缘重合。
第一无机层IOL1_2延伸到透射区域TA与像素区域PA之间的边界，例如，第一无机层IOL1_2的第二边缘EG2_2可以在平面图中与透明有机层TOL的上表面的边缘重合。
如参照图4描述的，第一电极CE_2的第一边缘EG1_2与第一无机层IOL1_2的第二边缘EG2_2之间的距离可以等于或近似于第一电极CE_2的厚度。
图10B和图10C是用于解释制造图10A的显示装置的方法的视图。
参照图6D、图10B和图10C，形成透明有机层TOL，然后可以形成虚设图案(例如，图10C中的MP_2)。
如图10B中示出的，当制备参照图6A描述的面板时，透明有机层TOL可以填充透射区域TA内的第一孔(例如，图6A中的OP1)和第二孔(例如，图6A中的OP2)。
然后，如图10C中示出的，可以沿着透射区域TA的边缘在像素限定层PDL与透明有机层TOL之间的边界区域中形成虚设图案MP_2。
与参照图6B描述的虚设图案MP不同，虚设图案MP_2可以与透明有机层TOL的边缘叠置。
因此，参照图6E描述的光致抗蚀剂PR在平面图中仅形成在透射区域TA内，并且可以制造具有图10A中示出的堆叠结构的显示装置。
如参照图10A至图10C描述的，第一电极CE_2与透明有机层TOL部分地叠置，第一无机层IOL1_2的第二边缘EG2_2可以与透射区域TA和像素区域PA之间的边界(或透明有机层TOL的边缘)重合。
根据本公开的一些示例实施例的显示装置可以被构造为使得仅在透射区域中包括顺序地堆叠的透明有机层、有机封装层和第二无机封装层，发光元件的第一电极(例如，阴极电极)和第一无机封装层可以不包括在透射区域中。因此，与当第一电极和第一无机封装层定位在透射区域中时相比，可以改善透射区域的透射率。
根据本公开的一些示例实施例的制造显示装置的方法被构造为使得使用虚设图案在透明有机层上形成光致抗蚀剂，然后可以在形成第一电极和第一无机封装层之后剥离光致抗蚀剂。因此，第一电极和第一无机封装层不存在于透射区域中，由此可以更多地改善透射区域的透射率。
从实施例可获得的效果不限于上述效果，各种效果包括在本说明书中。
虽然已经参照附图相当详细地描述了本公开的一些示例实施例的方面，但是本领域技术人员将理解的是，在不改变本公开的技术精神或基本特征的情况下，可以以其它具体形式实现本公开。因此，应当注意的是，前述实施例在所有方面仅是说明性的，并且不应被解释为限制本公开。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括像素区域和位于所述像素区域之间的透射区域；
像素电路层，包括位于所述像素区域中的每个中的至少一个晶体管；以及
发光元件层，位于所述像素电路层上，并且包括位于所述像素区域中的每个处且结合到所述至少一个晶体管的至少一个发光元件以及位于所述透射区域处的透明有机层，
其中，所述发光元件层还包括：第一电极，位于所述像素区域处；第一无机层，位于所述第一电极处；有机层，覆盖所述第一无机层和所述透明有机层；以及第二无机层，位于所述有机层上。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极和所述第一无机层不与所述透明有机层叠置，并且所述第一电极和所述第一无机层在平面图中与所述透明有机层分隔开。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一电极的面对所述透明有机层的一侧包括直线。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中：
所述第一电极的第一边缘比所述第一无机层的第二边缘靠近所述透明有机层，并且
所述第一电极的被所述第一无机层暴露的部分与所述有机层接触。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一电极的所述第一边缘与所述第一无机层的所述第二边缘之间的距离等于所述第一电极的厚度。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光元件层还包括：
第二电极，位于所述像素电路层上；
像素限定层，位于所述第二电极上且被构造为暴露所述第二电极；以及
发射层，与被所述像素限定层暴露的所述第二电极叠置，并且
其中，所述至少一个发光元件包括所述第一电极、所述第二电极和所述发射层。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，相对于所述基底，所述透明有机层的上表面的高度等于所述像素限定层的高度。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，相对于所述基底，所述透明有机层的上表面的高度比所述像素限定层的高度低。
9.根据权利要求6所述的显示装置，其中，相对于所述基底，所述透明有机层的上表面的高度比所述像素限定层的高度高。
10.根据权利要求2所述的显示装置，其中：
所述基底还包括第一区域和第二区域，
在所述第一区域中，所述基底的所述像素区域布置为网格形状以彼此分隔开，并且所述透射区域定位在彼此分隔开的所述像素区域之间，并且
在所述第二区域中，所述基底的所述像素区域彼此相邻。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中：
所述第一电极连续地形成在所述像素区域中，并且
所述第一电极的厚度遍及整个所述像素区域是均匀的。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中：
所述第一无机层包括彼此分开的无机图案，并且
所述无机图案分别位于所述像素区域处。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述透明有机层的折射率在1.5至1.7的范围内。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述第一电极和所述第一无机层不与所述透明有机层叠置，并且
所述第一电极的第一边缘在平面图中与所述透明有机层的边缘重合。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第一无机层的第二边缘在平面图中与所述透明有机层分隔开。
16.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第一电极的面对所述透明有机层的第一侧面和所述第一无机层的面对所述透明有机层的第二侧面与所述透明有机层的侧面定位在同一表面上。
17.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极与所述透明有机层部分地叠置，并且所述第一无机层不与所述透明有机层叠置。
18.一种制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
制备面板，所述面板包括位于基底上的多个绝缘层、形成在所述基底的像素区域中的每个中的所述多个绝缘层之间的至少一个晶体管以及通过穿透所述基底的透射区域中的所述多个绝缘层中的至少一个形成的凹槽，所述透射区域定位在所述像素区域之间；
沿着所述透射区域的边缘在所述多个绝缘层上形成虚设图案；
在所述透射区域的所述凹槽中形成透明有机层；
在所述透明有机层上形成光致抗蚀剂；
去除所述虚设图案；
在所述基底上形成发光元件；
在整个所述基底上形成第一无机层；以及
去除所述光致抗蚀剂。
19.根据权利要求18所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
形成覆盖所述第一无机层和通过去除所述光致抗蚀剂而暴露的所述透明有机层的有机层；以及
在所述有机层上形成第二无机层。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，形成所述发光元件包括以下步骤：
在所述像素区域中形成发射层；以及
使用化学气相沉积技术在整个所述基底上形成第一电极，
其中，所述第一电极通过所述光致抗蚀剂在所述透射区域与所述像素区域之间是不连续的。
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