CN113140687A - 显示面板、显示面板的制造方法及发光器件 - Google Patents

显示面板、显示面板的制造方法及发光器件 Download PDF

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CN113140687A CN202110424486.1A CN202110424486A CN113140687A CN 113140687 A CN113140687 A CN 113140687A CN 202110424486 A CN202110424486 A CN 202110424486A CN 113140687 A CN113140687 A CN 113140687A
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Abstract

本发明实施例提供一种的显示面板、显示面板的制造方法及发光器件，包括基板、第一电极层、发光层和第二电极层，第一电极层位于基板的一侧，发光层位于第一电极层远离基板的一侧，发光层位于第一电极层远离基板的一侧，第二电极层位于发光层远离第一电极层的一侧。其中，第一电极层所包括的钛氟氧化物金属层相较于常规的阳极反射层具有更高的光反射率，能够对发光层发出的光进行有效地反射，从而提高显示面板的发光亮度，提升显示面板的器件效率，以实现对显示面板的高性能、低功耗的需求优化。

Description

显示面板、显示面板的制造方法及发光器件
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种显示面板、显示面板的制造方法及发光器件。
背景技术
随着显示技术的不断发展，OLED显示器件在显示设备产品中得到了广泛的使用。OLED显示器件一般包括阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的发光材料，其中阳极可以采用ITO、金属等材料形成，而阳极对光线的反射性能对显示产品的显示性能会产生影响。
发明内容
鉴于以上问题，本发明提供了一种显示面板、显示面板的制造方法及发光器件，钛氟氧化物金属层相较于常规的阳极反射层具有更高的光反射率，这样能够提高显示面板的发光亮度，从而提升显示面板的器件效率，从而实现对显示面板的高性能、低功耗的需求优化。
本发明实施例的第一方面，提供一种显示面板，包括：
基板10；
发光器件层，所述发光器件层包括第一电极层20，所述第一电极层20位于所述基板10的一侧，所述第一电极层20包括钛氟氧化物金属层24。
在第一方面的一个可替换的实施例中，所述第一电极层20还包括第一金属层21和第二金属层22；
所述第二金属层22位于所述基板10的一侧；
所述第一金属层21位于所述第二金属层22远离所述基板10的一侧；
所述钛氟氧化物金属层24位于所述第一金属层21远离所述第二金属层22的一侧。
在第一方面的一个可替换的实施例中，所述发光器件层还包括：
发光层30，所述发光层30位于所述钛氟氧化物金属层24远离所述第一金属层21的一侧。
在第一方面的一个可替换的实施例中，所述第一金属层21的厚度与所述钛氟氧化物金属层24的厚度之和为45nm～55nm；所述第二金属层22的厚度为350nm～450nm。
在第一方面的一个可替换的实施例中，所述第一金属层21的厚度与所述钛氟氧化物金属层24的厚度之和为50nm，所述第二金属层22的厚度为400nm。
在第一方面的一个可替换的实施例中，所述第一电极层20还包括第三金属层23；
所述第三金属层23位于所述第二金属层22和所述基板10之间；
优选的，所述第一金属层21和所述第三金属层23为钛金属层，所述第二金属层22为铝金属层。
在第一方面的一个可替换的实施例中，所述钛氟氧化物金属层24在所述基板10上的正投影位于所述第一金属层21在所述基板10上的正投影内，所述第一金属层21在所述基板10上的正投影位于所述第二金属层22在所述基板10上的正投影内，所述第二金属层22在所述基板10上的正投影位于所述第三金属层23在所述基板10上的正投影内；
其中，所述第三金属层23、所述第二金属层22、所述第一金属层21和所述钛氟氧化物金属层24沿远离所述基板10的方向依次层叠形成一截面为梯形的梯台结构。
本发明实施例的第二方面，提供一种显示面板的制作方法，所述方法包括：
提供一基板10；
在所述基板10的一侧形成包括钛氟氧化物金属层24的第一电极层20。
在第二方面的一个可替换的实施例中，在所述基板10的一侧形成包括钛氟氧化物金属层24的第一电极层20，包括：
在所述基板10的一侧形成第二金属层22；
在所述第二金属层22远离所述基板10的一侧形成第一金属层21；
对所述第一金属层21和所述第二金属层22进行刻蚀形成第一电极图案；
采用CF4和O2从所述第一电极图案中的第一金属层21远离所述第二金属层22的一侧对所述第一金属层21进行等离子扩散以形成所述钛氟氧化物金属层24；
优选的，在所述基板10的一侧形成包括钛氟氧化物金属层24的第一电极层20，包括：
在所述基板10的一侧形成第三金属层23；
在所述第三金属层23远离所述基板10的一侧形成第二金属层22；
在所述第二金属层22远离所述基板10的一侧形成第一金属层21；
对所述第一金属层21和所述第二金属层22进行刻蚀形成第一电极图案；
采用CF4和O2从所述第一电极图案中的第一金属层21远离所述第二金属层22的一侧对所述第一金属层21进行等离子扩散以形成所述钛氟氧化物金属层24。
本发明实施例的第三方面，提供一种发光器件，包括：第一电极单元、发光单元以及第二电极单元；
所述第一电极单元包括钛氟氧化物金属层；
所述发光单元位于所述第一电极单元的钛氟氧化物金属层的一侧；
所述第二电极单元位于所述发光单元远离所述第一电极单元的一侧。
综上所述，相较于现有技术，本发明实施例所提供的显示面板、显示面板的制造方法及发光器件，包括基板、第一电极层、发光层和第二电极层。其中，第一电极层包括钛氟氧化物金属层，相较于常规的阳极反射层具有更高的光反射率，能够对发光层发出的光进行有效地反射，从而提高显示面板的发光亮度，提升显示面板的器件效率，以实现对显示面板的高性能、低功耗的需求优化。
附图说明
图1为常见的显示面板的显示区的局部剖面图。
图2为本发明实施例所提供的一种显示面板的结构示意图。
图3为钛氟氧化物金属层的反光示意图。
图4为第一电极层的其中一种结构示意图。
图5为第一电极层的另一种结构示意图。
图6为本发明实施例所提供的一种显示面板的制作方法的流程图。
图7-图11为图6所示的显示面板的制作方法的各步骤下显示面板的结构示意图。
图标：10-基板；11-衬底玻璃；12-氮化硅缓冲层；13-氧化硅缓冲层；14-副屏阳极连接走线层；15-平坦层；16-阳极走线层；17-像素界定层；
20-第一电极层；21-第一金属层；22-第二金属层；23-第三金属层；24-钛氟氧化物金属层；
30-发光层；
40-第二电极层。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”以及“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，需要说明的是，当元件被称为“形成在另一元件上”时，它可以直接连接到另一元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以直接连接到另一元件或者同时存在居中元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。
对于一些显示面板而言，通常需要采用CF4和O2对显示面板的开孔区的无机膜层(比如层间绝缘层ILD、电容绝缘层CI、栅极绝缘层GI、缓冲层Buffer等)进行刻蚀成型以提高开孔区的透光率，从而优化位于开孔区的屏下摄像头的拍摄效果。在对开孔区的无机膜层进行刻蚀时，显示面板的显示区需要采用光刻胶(photoresist，PR)进行覆盖以避免显示区的相关膜层被CF4和O2过刻蚀。
在实际应用中，显示区内的相关膜层结构存在叠层，比如图1中的源漏金属层M3(一般为钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)三层叠层结构)，这样会导致覆盖在这些膜层结构上的光刻胶PR较薄。在对开孔区的无机膜层进行刻蚀时，显示区内较薄的光刻胶PR会被去除，从而使得被光刻胶PR覆盖的源漏金属层M3被CF4和O2刻蚀。
为避免上述问题，相关技术通过对显示区内的膜层结构进行改进或者改变刻蚀条件以避免显示区的源漏金属层M3被CF4和O2刻蚀。由此可以理解，常规设计下是不希望显示区的源漏金属层M3被CF4和O2刻蚀的。
然而，发明人意外地发现，当源漏金属层M3的表面被CF4和O2刻蚀之后，源漏金属层M3的表面形成的产物相较于常规的反射金属材料具有更高的光反射率，可以作OLED发光阳极层的材料，因此，发明人在避免显示区的源漏金属层M3被刻蚀的常规技术思路下创新性、针对性地对源漏金属层M3的表面进行刻蚀以将形成的产物作为发光阳极层的材料，这样可以提高显示面板的反射效率，增加显示面板的发光亮度，实现对显示面板的高性能、低功耗的需求优化。下面将结合附图对本申请的可替代实施例进行详细的描述。
请结合参阅图2，本申请实施例所提供的显示面板可以包括基板10和发光器件层，而发光器件层可以包括第一电极层20、发光层30和第二电极层40。其中，第一电极层20位于基板10的一侧，发光层30位于第一电极层20远离基板10的一侧，第二电极层40位于发光层30远离第一电极层20的一侧。进一步地，第一电极层20包括钛氟氧化物金属层24。在本实施例中，显示面板可以是LTPS-AMOLED产品，第一电极层20可以是发光阳极层，第二电极层40可以是发光阴极层。
如此，相较于常规的ITO/Ag/ATO的发光阳极层结构，本申请实施例的第一电极层20所包括的钛氟氧化物金属层24相较于常规的反射阳极层Ag具有更高的光反射率，如图3所示，即使钛氟氧化物金属层所在区域Z被有机胶覆盖，其对可见光的反射率可以与表面无遮挡的反射阳极层Ag相当，这样一来，钛氟氧化物金属层24能够对发光层40发出的光进行有效地反射，从而提高显示面板的发光亮度，提升显示面板的器件效率。
此外，常规的ITO/Ag/ATO第一电极层采用湿法刻蚀形成，难以满足较高像素密度(Pixels Per Inch，PPI)条件下的阳极图案精度要求，而本申请实施例中的第一电极层20可以采用BCl3+Cl2进行干法刻蚀形成，相较于传统的湿法刻蚀工艺，干法刻蚀能够形成尺寸较小的阳极图案，从而满足较高PPI条件下的阳极图案精度和分辨率要求。
由此可见，采用包括钛氟氧化物金属层24的第一电极层20制作形成的显示面板具有较高的光反射率和显示精度，可以实现对显示面板的高性能、低功耗的需求优化。
本发明实施例中的第一电极层20的整体结构可以是Al/Ti/TiFxOy，也可以是Ti/Al/Ti/TiFxOy，下面针对第一电极层20的两种整体结构分别进行说明。
请参阅图4，第一电极层20还可以包括第一金属层21和第二金属层22，第二金属层22位于基板10的一侧，第一金属层21位于第二金属层22远离基板10的一侧，钛氟氧化物金属层24位于第一金属层21远离第二金属层22的一侧，发光层30位于钛氟氧化物金属层24远离第一金属层21的一侧。
在一些可能的实施例中，第一金属层21的厚度与钛氟氧化物金属层24的厚度之和为45nm～55nm，比如，第一金属层21的厚度与钛氟氧化物金属层24的厚度之和可以为45nm、46nm、47nm、48nm、49nm、50nm、51nm、52nm、53nm、54nm或55nm。在另一些可能的实施例中，第二金属层22的厚度为350nm～450nm，比如，第二金属层22的厚度为350nm、360nm、370nm、380nm、390nm、400nm、410nm、420nm、430nm、440nm或450nm。在实际实施过程中可以根据实际需求对上述膜层的厚度进行适应性选择。如此，可以在提升显示面板的器件效率的前提下实现显示面板的轻薄化设计。
在本实施例中，第一金属层21可以为钛(Ti)金属层，第二金属层22可以为铝(Al)金属层，图4所示的第一电极层20的整体结构可以是Al/Ti/TiFxOy。
在另外的一些实施例中，请结合参阅图5，第一电极层20还可以包括第三金属层23，第三金属层23位于第二金属层22和基板10之间，如此，第一电极层20的膜层结构可以是第三金属层23、第二金属层22、第一金属层21以及钛氟氧化物金属层24，而第三金属层23可以是钛(Ti)金属层，因此图5所示的第一电极层20的整体结构可以是Ti/Al/Ti/TiFxOy。
在一些可能的示例中，需要将第一电极层20和基板10上的P型硅材料层进行搭接，此时第一电极层20的整体结构可以为Ti/Al/Ti/TiFxOy。如此，第三金属层23(底钛)可以防止第二金属层22(铝)与基板10上的P型硅材料之间发生扩散现象。
在另一些可能的示例中，若无需将第一电极层20和基板10上的P型硅材料层进行搭接，此时第一电极层20的整体结构可以为Al/Ti/TiFxOy。
可以理解，图4和图5中的钛氟氧化物金属层24可以是对第一金属层21的表面进行干法刻蚀之后形成的，通俗而言，位于表面的第一金属层21在经过等离子体(CF4和O2)扩散之后形成具有较高光反射率的钛氟氧化物金属层24。
在一些示例中，为了确保后续封装的可靠性，当第一电极层20的整体结构为Ti/Al/Ti/TiFxOy时，可以对第一金属层21、第二金属层22、第三金属层23以及钛氟氧化物金属层24的边缘进行优化设计。请继续参阅图5，钛氟氧化物金属层24在基板10上的正投影位于第一金属层21在基板10上的正投影内，第一金属层21在基板10上的正投影位于第二金属层22在基板10上的正投影内，第二金属层22在基板10上的正投影位于第三金属层23在基板10上的正投影内。
进一步地，第三金属层23、第二金属层22、第一金属层21和钛氟氧化物金属层24沿远离基板10的方向依次层叠形成一截面为梯形的梯台结构。如此设计，第一电极层20的截面所形成的梯形结构有利于封装材料的附着，进而能够确保后续的封装可靠性。
在上述内容的基础上，本申请实施例还提供了一种显示面板的制作方法，用于制作上述的显示面板，请结合参阅图6，该方法可以包括以下步骤S100-步骤S400所描述的内容。
S100：提供一基板10。
请结合参阅图7，基板10可以包括：衬底玻璃11、设置于衬底玻璃11一侧的氮化硅缓冲层12、设置于氮化硅缓冲层12远离衬底玻璃11一侧的氧化硅缓冲层13以及其他功能膜层。示例性地，为了提高显示面板的屏占比，实现全面显示，显示面板包括用于设置感光器件(如摄像头)的透明显示区(副屏)和非透明显示区(主屏)。进一步，为了提高显示面板副屏的透光率，把副屏的像素电路设置在主屏或主屏与副屏之间的过渡区，即副屏的子像素与驱动其发光的像素电路之间需要通过阳极连接走线电连接。可选的，基板10还可以包括副屏阳极连接走线层14、阳极走线层16以及位于副屏阳极走线层14和阳极走线层16之间的平坦层15，副屏阳极连接走线层14通过平坦层15过孔与阳极走线层16电连接。进一步地，基板10还可以包括设置于氧化硅缓冲层13和平坦层15之间的有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏极层以及钝化层等。可以理解，基板10的相关结构设计可以参阅现有技术，在此不作赘述。
S200：在基板10的一侧形成包括钛氟氧化物金属层24的第一电极层20。
在本申请实施例中，发光器件层可以包括第一电极层20、发光层30和第二电极层40，进一步地，第一电极层20包括钛氟氧化物金属层24。
在一个可能的实施方式中，请结合参阅图8和图9，在基板10的一侧形成包括钛氟氧化物金属层24的第一电极层20的方法可以是：在阳极走线层16远离平坦层15的一侧形成第二金属层22，在第二金属层22远离基板10的一侧形成第一金属层21，对第一金属层21和第二金属层22进行干法刻蚀形成第一电极图案，例如，可以采用CF4和O2从第一电极图案中的第一金属层21远离第二金属层22的一侧对第一金属层21进行等离子扩散以形成钛氟氧化物金属层24。
在实际实施时，可以在阳极走线层16上溅射蒸镀(Sputtering)第二金属层22和第一金属层21，比如，可以溅射蒸镀厚度为400nm的第二金属层22以及厚度为50nm的第一金属层21。然后采用BCl3+Cl2混合气体对第一金属层21和第二金属层22进行干法刻蚀以形成第一电极图案。在本实施例中，第一电极图案可以理解为发光阳极图案(Anode Pattern)。
由于BCl3+Cl2混合气体较重，BCl3+Cl2混合气体形成的等离子体对第一金属层21和第二金属层22的轰击更强，进而可以确保对第一金属层21和第二金属层22的刻蚀精度。如此，相较于传统的ITO/Ag/ATO的发光阳极层结构的湿法刻蚀技术，本申请实施例创新性地采用干法刻蚀对第一金属层21和第二金属层22进行图案化处理，能够有效提高刻蚀精度，从而提高第一电极图案的图案精度，以满足高PPI显示需求，从而突破传统湿法刻蚀的阳极图案分辨率的瓶颈。
在采用CF4和O2从第一电极图案中的第一金属层21远离第二金属层22的一侧对第一金属层21进行等离子扩散(Plasma)形成钛氟氧化物金属层24的过程中，CF4和O2的浓度比例可以为5:1，扩散压力可以为1～10mTorr。如此设计，能够在第一金属层21远离第二金属层22的表面形成具有较高的可见光反射率的钛氟氧化物金属层24并将其作为第一电极层20的反射材料，从而提高显示面板的反射效率，增加显示面板的发光亮度，实现对显示面板的高性能、低功耗的需求优化。
在另一些可能的实施方式中，在基板10的一侧形成包括钛氟氧化物金属层24的第一电极层20的方法可以是：在阳极走线层16远离平坦层15的一侧形成第三金属层23，在第三金属层23远离基板10的一侧形成第二金属层22，在第二金属层22远离基板10的一侧形成第一金属层21，对第一金属层21和第二金属层22进行干法刻蚀形成第一电极图案，例如，可以采用CF4和O2从第一电极图案中的第一金属层21远离第二金属层22的一侧对第一金属层21进行等离子扩散以形成钛氟氧化物金属层24。
S300：在第一电极层20远离基板10的一侧形成发光层30。
请结合参阅图10，可以在第一电极层20远离阳极走线层16的一侧形成发光层30。
S400：在所发光层30远离第一电极层20的一侧形成第二电极层40。
请结合参阅图11，可以在第一电极层20上形成像素界定层17，像素界定层17包括像素开口，像素开口暴露第一电极层20远离基板10的一侧表面，在第一电极层20上形成发光层30，在发光层30上形成第二电极层40。在一些示例中，CF4和O2等离子扩散可以可以理解为：在高真空度、高射频放电条件下形成CF4和O2等离子体，CF4和O2等离子体具有较高的活性，CF4和O2等离子体通过与第一金属层21进行反应以形成钛氟氧化物金属层24。
在一些示例中，采用CF4和O2对第一金属层21进行等离子扩散也可以理解为采用采用CF4和O2对第一金属层21进行刻蚀，但由于CF4和O2混合气体的重量较轻，通常会与第一金属层21的表面进行反应(因此采用CF4和O2对第一金属层21进行等离子扩散也可以理解为采用CF4和O2对第一金属层21进行等离子表面处理)，不会完全刻蚀掉第一金属层21，这样一来可以形成上述的钛氟氧化物金属层24。
在一些实例中，采用CF4和O2对第一金属层21进行等离子扩散也可以理解为采用CF4和O2对第一金属层21进行等离子处理。
可以理解，通过上述步骤S100-步骤S400制作形成的显示面板不仅具有较高的光反射率和发光效率，还能够满足较高PPI条件下的阳极图案精度要求。
基于上述同样的发明构思，还提供了一种发光器件，包括：第一电极单元、发光单元以及第二电极单元。其中，第一电极单元包括钛氟氧化物金属层，发光单元位于第一电极单元的钛氟氧化物金属层的一侧，第二电极单元位于发光单元远离第一电极单元的一侧。关于发光器件的结构描述可以参阅图4和图5的相关结构，在此不作赘述。可以理解，该发光器件具有较高的光反射率和器件效率，采用该发光器件制作形成的显示面板或者显示设备具有较低的产品功耗。
综上，本发明实施例所提供的显示面板、显示面板的制造方法及发光器件，包括基板、第一电极层、发光层和第二电极层，第一电极层位于基板的一侧，发光层位于第一电极层远离基板的一侧，发光层位于第一电极层远离基板的一侧，第二电极层位于发光层远离第一电极层的一侧。其中，第一电极层所包括的钛氟氧化物金属层相较于常规的阳极反射层具有更高的光反射率，能够对发光层发出的光进行有效地反射，从而提高显示面板的发光亮度，提升显示面板的器件效率，以实现对显示面板的高性能、低功耗的需求优化。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板(10)；
发光器件层，所述发光器件层包括第一电极层(20)，所述第一电极层(20)位于所述基板(10)的一侧，所述第一电极层(20)包括钛氟氧化物金属层(24)。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极层(20)还包括第一金属层(21)和第二金属层(22)；
所述第二金属层(22)位于所述基板(10)的一侧；
所述第一金属层(21)位于所述第二金属层(22)远离所述基板(10)的一侧；
所述钛氟氧化物金属层(24)位于所述第一金属层(21)远离所述第二金属层(22)的一侧。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件层还包括：
发光层(30)，所述发光层(30)位于所述钛氟氧化物金属层(24)远离所述第一金属层(21)的一侧。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属层(21)的厚度与所述钛氟氧化物金属层(24)的厚度之和为45nm～55nm；所述第二金属层(22)的厚度为350nm～450nm。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属层(21)的厚度与所述钛氟氧化物金属层(24)的厚度之和为50nm，所述第二金属层(22)的厚度为400nm。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极层(20)还包括第三金属层(23)；
所述第三金属层(23)位于所述第二金属层(22)和所述基板(10)之间；
优选的，所述第一金属层(21)和所述第三金属层(23)为钛金属层，所述第二金属层(22)为铝金属层。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述钛氟氧化物金属层(24)在所述基板(10)上的正投影位于所述第一金属层(21)在所述基板(10)上的正投影内，所述第一金属层(21)在所述基板(10)上的正投影位于所述第二金属层(22)在所述基板(10)上的正投影内，所述第二金属层(22)在所述基板(10)上的正投影位于所述第三金属层(23)在所述基板(10)上的正投影内；
其中，所述第三金属层(23)、所述第二金属层(22)、所述第一金属层(21)和所述钛氟氧化物金属层(24)沿远离所述基板(10)的方向依次层叠形成一截面为梯形的梯台结构。
8.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一基板(10)；
在所述基板(10)的一侧形成包括钛氟氧化物金属层(24)的第一电极层(20)。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述基板(10)的一侧形成包括钛氟氧化物金属层(24)的第一电极层(20)，包括：
在所述基板(10)的一侧形成第二金属层(22)；
在所述第二金属层(22)远离所述基板(10)的一侧形成第一金属层(21)；
对所述第一金属层(21)和所述第二金属层(22)进行刻蚀形成第一电极图案；
采用CF4和O2从所述第一电极图案中的第一金属层(21)远离所述第二金属层(22)的一侧对所述第一金属层(21)进行等离子扩散以形成所述钛氟氧化物金属层(24)；
优选的，在所述基板(10)的一侧形成包括钛氟氧化物金属层(24)的第一电极层(20)，包括：
在所述基板(10)的一侧形成第三金属层(23)；
在所述第三金属层(23)远离所述基板(10)的一侧形成第二金属层(22)；
在所述第二金属层(22)远离所述基板(10)的一侧形成第一金属层(21)；
对所述第一金属层(21)和所述第二金属层(22)进行刻蚀形成第一电极图案；
采用CF4和O2从所述第一电极图案中的第一金属层(21)远离所述第二金属层(22)的一侧对所述第一金属层(21)进行等离子扩散以形成所述钛氟氧化物金属层(24)。
10.一种发光器件，其特征在于，包括：第一电极单元、发光单元以及第二电极单元；
所述第一电极单元包括钛氟氧化物金属层；
所述发光单元位于所述第一电极单元的钛氟氧化物金属层的一侧；
所述第二电极单元位于所述发光单元远离所述第一电极单元的一侧。
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