CN113132586B - 感光芯片组件、摄像模组及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供感光芯片组件、摄像模组及电子设备。所述感光芯片组件包括感光芯片和补偿膜，所述感光芯片包括微透镜阵列；所述补偿膜设置于所述感光芯片的背面，所述补偿膜的热膨胀系数大于或等于所述微透镜阵列的热膨胀系数。

Description

感光芯片组件、摄像模组及电子设备

技术领域

本申请涉及摄像技术领域，具体涉及感光芯片组件、摄像模组及电子设备。

背景技术

目前摄像头的像素越来越大，要求其内部的感光芯片的面积也越来越大。

由于感光芯片面积的增大，导致了感光芯片面积与厚度的比例较大，感光芯片在制造中尤其是在温度升高的环境中，容易发生形变，形变如图1所示。

由于感光芯片中心区域向上突起，感光区形成一曲面，导致感光芯片场曲的增加，场曲增加的方向与镜头的像面弯曲方向(即镜头场曲)相反，如图2所示。

感光芯片发生形变方向与镜头的像面相反，导致摄像头拍照时，中间清晰四周模糊，拍照质量不佳。

发明内容

本申请实施例提供感光芯片组件，包括感光芯片和补偿膜，能够控制感光芯片的弯曲程度，以控制感光芯片的场曲，改善感光芯片组件的拍照质量。

根据本申请的第一方面，提供一种感光芯片组件，包括感光芯片和补偿膜，所述感光芯片包括微透镜阵列；所述补偿膜设置于所述感光芯片的背面，所述补偿膜的热膨胀系数大于或等于所述微透镜阵列的热膨胀系数。

根据一些实施例，所述补偿膜的厚度为0.1um～10um。

根据一些实施例，所述补偿膜的厚度大于或者等于所述微透镜阵列的厚度。

根据一些实施例，所述感光芯片被从背面研磨使得所述感光芯片的厚度为100um～200um。

根据一些实施例，所述补偿膜的材料包括氧化硅、氟化镁、氧化铝、氧化钛的至少一种。

根据一些实施例，所述补偿膜包括PVD膜和/或CVD膜。

根据一些实施例，所述PVD膜包括真空蒸镀膜、磁控溅射膜、原子层沉积膜的至少一种。

根据一些实施例，所述感光芯片组件还包括承载板和电子元件，所述感光芯片设置在所述承载板上，所述补偿膜位于所述感光芯片和所述承载板之间；所述电子元件设置在所述承载板上。

根据一些实施例，所述感光芯片组件还包括封装部件，所述封装部件设置在所述承载板上，所述封装部件与所述承载板包围一容置所述感光芯片和所述电子元件的空腔，且所述封装部件具有一露出所述感光芯片的所述微透镜阵列的窗口。

根据一些实施例，所述感光芯片组件还包括封装部件，所述封装部件包覆所述感光芯片和所述电子元件，且所述封装部件具有一露出所述感光芯片的微透镜阵列的窗口。

根据一些实施例，所述封装部件通过传递模塑、注塑、或模压一体成型在所述承载板上。

根据一些实施例，所述感光芯片组件还包括封装部件，所述封装部件包括模塑部和支承部，所述模塑部设置于所述承载板，包覆所述电子元件；所述支承部设置于所述模塑部上，所述模塑部和所述支承部包围一容置所述感光芯片和所述电子元件的空腔，且所述支承部具有一露出所述感光芯片的微透镜阵列的窗口。

根据一些实施例，所述感光芯片组件还包括滤光元件，所述滤光元件设置在所述封装部件上且覆盖所述窗口。

根据一些实施例，所述承载板为电路板，所述电子元件和所述感光芯片与所述承载板电连接。

根据一些实施例，所述承载板包括柔性电路板和补强板，所述电子元件和所述感光芯片设置于所述柔性电路板上且与所述柔性电路板电连接；所述补强板设置在所述柔性电路板下方以支撑所述柔性电路板。

根据一些实施例，所述承载板包括电路板和补强板，所述电路板具有开口，所述电子元件设置在所述电路板上；所述补强板设置在所述电路板下方，所述感光芯片设置在所述补强板上且位于所述开口中，所述电子元件和所述感光芯片与所述电路板电连接。

根据本申请的第二方面，提供一种摄像模组，包括镜头组件和上述所述的感光芯片组件，所述镜头组件包括镜头；所述感光芯片组件的场曲与所述镜头的场曲同向且差值控制在±10um以内。。

根据本申请的第三方面，提供一种电子设备，包括如上所述的摄像模组。

本申请实施例提供的技术方案，在感光芯片的背面设置补偿膜，使得补偿膜的膨胀速度大于或等于感光芯片的微透镜阵列的膨胀速度，从而控制感光芯片的弯曲程度，以控制感光芯片的场曲，能够改善感光芯片组件的拍照质量。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术提供的一种感光芯片发生形变的示意图。

图2是现有技术提供的一种感光芯片发生形变方向与镜头的像面相反的示意图。

图3是现有技术提供的一种感光芯片的结构示意图。

图4是一种摄像模组的示意图。

图5是本申请实施例提供的一种感光芯片组件的结构示意图之一。

图6A是本申请实施例提供的感光芯片平整不变形的示意图。

图6B是本申请实施例提供的感光芯片的中心区域向下凹陷的示意图；

图7是本申请实施例提供的一种感光芯片组件的结构示意图之二。

图8是本申请实施例提供的一种感光芯片的微透镜阵列的弯曲方向与镜头的像面的弯曲方向相同的示意图。

图9是本申请实施例提供的一种承载板的结构示意图。

图10是本申请实施例提供的另一种承载板的结构示意图。

图11是本申请实施例提供的一种感光芯片组件的结构示意图之三。

图12是本申请实施例提供的一种感光芯片组件的封装方式示意图。

图13是本申请实施例提供的另一种感光芯片组件的封装方式示意图。

图14是本申请实施例提供的一种摄像模组的结构示意图。

图15是本申请实施例提供的一种感应芯片组件的制造方法流程示意图。

图16是本申请实施例提供的一种涂敷粘接剂的示意图。

图17是本申请实施例提供的一种感光元件组件与承载板粘接的示意图。

图18是本申请实施例提供的一种加热固化粘接剂的示意图。

图19是本申请实施例提供的另一种感应芯片组件的制造方法流程示意图；

图20是本申请实施例提供的一种摄像模组的制造方法流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请的发明人通过大量的实验发现，摄像头的摄像模组中存在感光芯片，感光芯片在模组组装过程中常常会发生弯曲，弯曲的原因包括受外力的影响和感光芯片内部的影响。其中，感光芯片内部因素会对感光芯片发生弯曲产生较大影响。

另外，感光芯片也会由于外部的影响，例如粘接剂固化收缩产生的应力、承载板的热膨胀系数与感光芯片的热膨胀系数不匹配产生的应力等等，进一步产生弯曲。

综上，感光芯片产生弯曲是内部和外部共同作用的结果。

图3是现有技术提供的一种感光芯片的结构示意图。

参见图3，感光芯片1包括微透镜阵列11、拜耳滤色器阵列12、感光区13、电路层等非感光区14、硅基底15等几个部分。微透镜阵列11一般是由有机膜制成的，该有机膜的材料包括但不限于丙烯系热硬化树脂、丙烯系热塑性树脂的至少一种。微透镜阵列还可以是其他合适的无机膜制成，这里不作限制。而感光区13、电路层等非感光区14、硅基底15这些以无机材料为主，无机材料主要是硅以及其他半导体材料和金属材料，下面简称硅层。

一般地，微透镜阵列11的热膨胀系数(CTE1)比较大，在30ppm/℃左右，而硅层的热膨胀系数(CTE2)比较小，在3ppm/℃左右。因此，由于芯片内部微透镜阵列11和硅层之间热膨胀系数差异，本身就容易产生弯曲效应。

发明人发现，在承载板上涂覆粘接剂，然后将感光芯片1通过粘接剂贴附于承载板20上，提升温度至100～120摄氏度，使得胶水固化。在此过程中感光芯片1的微透镜阵列11的热膨胀系数与硅层的热膨胀系数相差过大，微透镜阵列11膨胀速度大于硅层的膨胀速度，导致感光芯片1受热四周向下弯曲，即感光芯片1的中心区域向上突起。胶水也在此过程中逐渐固化，那么感光芯片1弯曲到一定程度后就被胶水固定而无法恢复平整，即感光芯片1在这个过程中产生了场曲，如图4所示，图4是一种感光芯片受热膨胀产生弯曲的示意图。

进一步的，感光芯片产生的场曲方向与镜头像面弯曲方向相反，这使得感光芯片场曲与镜头场曲难以匹配，使得后续镜头组件的组装也有较大的难度。另一方面，由该感光芯片组装得到的摄像模组，摄像头拍照时，中间清晰四周模糊，拍照质量不佳。

为了改善、控制感光芯片1的场曲，使得感光芯片场曲与镜头场曲尽可能匹配，本申请实施例提供了一种感光芯片组件、摄像模组及电子设备。为了便于表示，以下附图中，省略了感光芯片1的部分部件。

图5是本申请实施例提供的一种感光芯片组件的结构示意图之一。

如图5所示，感光芯片组件10包括感光芯片1、补偿膜2。感光芯片1用于把感应到的光学影像转化为数字信号。补偿膜2设置于感光芯片1的背面，补偿膜2的热膨胀系数大于或等于感光芯片1的微透镜阵列11的热膨胀系数。

根据一些实施例，补偿膜2的材料包括但不限于氧化硅、氧化铝、氧化钛的至少一种。

根据另一些实施例，补偿膜2的材料包括但不限于氟化镁。

根据一些实施例，补偿膜2包括但不限于PVD膜和/或CVD膜。PVD膜包括但不限于真空蒸镀膜、磁控溅射膜、原子层沉积膜的至少一种。

可选地，补偿膜2的厚度为0.1um～10um。感光芯片1的厚度一般为100um～200um。感光芯片1的微透镜阵列11的厚度，一般与补偿膜2的厚度相当，或者小于补偿膜2的厚度。

在升温受热的时候，由于补偿膜2的热膨胀系数(CTE3)大于或等于感光芯片1的微透镜阵列11(CTE1)的热膨胀系数，补偿膜2的膨胀速度是大于或等于微透镜阵列11的膨胀速度。补偿膜2位于感光芯片1的下面，感光芯片1的微透镜阵列11位于感光芯片1的上部。

当补偿膜2的热膨胀系数(CTE3)等于微透镜阵列11的热膨胀系数(CTE1)时，如果补偿膜2的厚度等于或略微大于微透镜阵列11的厚度，补偿膜2的膨胀速度基本等于微透镜阵列11的膨胀速度，感光芯片1基本不发生弯曲，感光芯片是平整的，如图6A所示。

当补偿膜2的热膨胀系数(CTE3)等于微透镜阵列11的热膨胀系数(CTE1)时，如果补偿膜2的厚度大于微透镜阵列11的厚度，补偿膜2的膨胀量会大于微透镜阵列11的膨胀量，感光芯片1的四周会略微向上弯曲，感光芯片1的中心区域向下凹陷，如图6B所示。

当补偿膜2的热膨胀系数(CTE3)大于微透镜阵列11的热膨胀系数(CTE1)时，补偿膜2的膨胀量大于微透镜阵列11的膨胀量，感光芯片1的四周会略微向上弯曲，感光芯片1的中心区域向下凹陷，如图6B所示。

如上可知，当感光芯片1背面设置补偿膜2后形成感光芯片组件10，升温受热的时候，感光芯片1的中心区域保持平整或者向下凹陷，比现有技术中的感光芯片1的中心区域向上突起，能够改善感光芯片1的场曲。尤其，在应用感光芯片1的摄像模组中，由于摄像模组的镜头的像面也是向下弯曲，感光芯片1的中心区域向下凹陷时，与像面的弯曲方向相同。这可以降低后续镜头组件与感光组件的组装难度，提升摄像模组的生产良率。并且摄像模组就能在拍照中心清晰的情况下，拍照四周也能更加清晰。如图8所示，图8是本申请实施例提供的一种感光芯片的微透镜阵列的弯曲方向与镜头的像面的弯曲方向相同的示意图。

例如，镜头组件的实际场曲为A，通过调节补偿膜的热膨胀系数、加热温度、加热时间等参数，将感光芯片的场曲控制为B，使得B接近A而且同向，控制B与A的差值在±10um以内，进一步的可以控制B与A的差值在±5um。这样感光芯片场曲可以和镜头场曲匹配，使得摄像模组的整体场曲得以减小，改善摄像模组拍照质量。

本实施例提供的感光芯片组件，在感光芯片的背面设置补偿膜，使得补偿膜的膨胀速度大于或等于感光芯片的微透镜阵列的膨胀速度，从而控制感光芯片的弯曲程度，以控制感光芯片的场曲，能够改善感光芯片组件的拍照质量。

相较于传统的芯片下部贴附补强部再贴附于线路板的方案，本申请补偿膜2的厚度为0.1um～10um，节省一道涂胶工艺，从而可以减少多层不同介质之间的CTE带来的场曲，同时也会减少因为胶水涂布不均导致的芯片凸起风险，同时不至于显著增加芯片厚度。

此外，相较于传统的设置补偿层方案，一般补偿层采用金属材料，金属材料CTE一般在10～20ppm/℃，与芯片、线路板等材质容易引发热失配，引发与芯片/线路板之间的机械断裂等问题。而本申请补偿膜材料采用材料趋近于或接近微透镜阵列的CTE大于或等于微透镜阵列的CTE，能够补偿芯片内部CTE差异引发的场曲，同时，也能够在后续芯片贴附于线路板的COB板上工艺中有效缓解芯片翘曲和场曲问题。

图7是本申请实施例提供的一种感光芯片组件的结构示意图之二。

如图7所示，感光芯片组件20包括感光芯片1、补偿膜2、承载板3、电子元件4。

感光芯片1用于把感应到的光学影像转化为数字信号。补偿膜2设置于感光芯片1的背面，补偿膜2的热膨胀系数大于或等于感光芯片1的微透镜阵列11的热膨胀系数。将感光芯片1和补偿膜2通过粘接剂9粘附于承载板3上，补偿膜2位于感光芯片1和承载板3之间。电子元件4设置在承载板3上。承载板3可为电路板，电子元件4和感光芯片1与承载板3电连接。

根据一些实施例，补偿膜2的材料包括但不限于氧化硅、氧化铝、氧化钛的至少一种。

根据另一些实施例，补偿膜2的材料包括但不限于氟化镁。

根据另一些实施例，补偿膜2包括但不限于PVD膜和/或CVD膜。PVD膜包括但不限于真空蒸镀膜、磁控溅射膜、原子层沉积膜的至少一种。

可选地，补偿膜2的厚度为0.1um～10um。感光芯片1的厚度一般为100um～200um。感光芯片1的微透镜阵列11的厚度，一般与补偿膜2的厚度相当。

在升温受热的时候，由于补偿膜2的热膨胀系数(CTE3)大于或等于感光芯片1的微透镜阵列11(CTE1)的热膨胀系数，补偿膜的膨胀速度大于或等于微透镜阵列的膨胀速度。感光芯片1的中心区域保持平整或者向下凹陷，比现有技术中的感光芯片1的中心区域向上突起，能够改善感光芯片1的场曲。

感光芯片1的中心区域保持平整或者向下凹陷时，粘接剂9也在此过程中逐渐固化。感光芯片1弯曲到一定程度后就被粘接剂9固定而无法恢复平整，此时感光芯片1的微透镜阵列11的弯曲方向与镜头的像面的弯曲方向是相同的，如图8所示。

在组装镜头的时候，要求拍照中心清晰度较高，就需要使得镜头的像面中心基本落在感光芯片1的中心。如图8所示，补偿膜的存在补偿了感光芯片1的受热弯曲，使得感光芯片1弯曲方向与镜头像面弯曲方向相同，使得镜头的像面中心基本落在感光芯片1的中心。这样摄像模组就能在拍照中心清晰的情况下，拍照四周也能更加清晰。

可选地，如图9所示，承载板3包括柔性电路板31和补强板32。电子元件4和感光芯片组件1设置于柔性电路板31上且与柔性电路板31电连接，补偿膜2位于感应芯片1和柔性电路板31之间。补强板32设置在柔性电路板31下方以支撑柔性电路板31。

可选地，如图10所示，承载板3包括电路板33和补强板32，电路板33具有开口331，电子元件4设置在电路板33上。补强板32设置在电路板33下方，感光芯片1设置在补强板32上且位于开口331中。电子元件4和感光芯片1与电路板33电连接，补偿膜2位于感应芯片1和电路板33之间。在本实施例中，电路板33具有开口331，感光芯片1设置在补强板32上且位于开口331中，这样的设置，能够降低整个摄像模组的厚度。

本实施例提供的技术方案，在感光芯片的背面设置补偿膜，使得补偿膜的膨胀速度大于或等于感光芯片的微透镜阵列的膨胀速度，控制感光芯片的弯曲程度，以控制感光芯片的场曲，改善感光芯片组件的拍照质量，从而能够改善摄像模组的拍照质量。

图11是本申请实施例提供的一种感光芯片组件的结构示意图之三。

如图11所示，感光芯片组件30包括感光芯片1、补偿膜2、承载板3、电子元件4、封装部件5、滤光元件6。

感光芯片1用于把感应到的光学影像转化为数字信号。补偿膜2设置于感光芯片1的背面，补偿膜2的热膨胀系数大于或等于感光芯片1的微透镜阵列11的热膨胀系数。感光芯片1和补偿膜2通过粘接剂9粘附于承载板3上，承载板3还与感光芯片1电连接，将数字信号进行传递、处理。电子元件4配置于承载板3上，与承载板3电连接，为数字信号的传递、处理提供辅助电路。

封装部件5设置在承载板3上，封装部件5与承载板3包围一容置感光芯片1、补偿膜2和电子元件4的空腔51，且封装部件5具有一露出感光芯片1的微透镜阵列11的窗口52。滤光元件6设置在封装部件5上且覆盖窗口52上，用于滤除掉红外光线，以提高摄像效果。

当感光芯片1和补偿膜2通过粘接剂9贴附在承载板3上，需要加热使得粘接剂9固化时，感光芯片1的中心区域保持平整或者向下凹陷，比现有技术中的感光芯片1的中心区域向上突起，能够改善感光芯片1的场曲。这样摄像模组就能在拍照中心清晰的情况下，拍照四周也能更加清晰。这种封装的摄像模组组装简单，封装工艺简单。

本实施例提供的技术方案，对摄像模组进行了封装，能够防止污染感光芯片、电子元件和承载板等等。

可选地，封装部件5通过传递模塑、注塑、或模压一体成型在承载板3上。封装部件5包覆感光芯片1、补偿膜2和电子元件4，且封装部件5具有一露出感光芯片1的微透镜阵列11的窗口52。如图12所示，图12是本申请实施例提供的一种感应芯片组件的封装方式示意图。这种封装的摄像模组从长宽高各个方向尺寸都有缩小，防止粘接剂析出，并且封装部件40进一步保护了电子元件和连接线。

可选地，封装部件5包括模塑部53、支承部54。模塑部53设置于承载板54，包覆电子元件4。支承部54设置于模塑部53上，模塑部53和支承部54包围一容置感光芯片1、补偿膜2和电子元件4的空腔，且支承部54具有一露出感光芯片1的微透镜阵列11的窗口52。如图13所示，图13是本申请实施例提供的另一种摄像模组的封装方式示意图。这种封装的摄像模组封装工艺简单，封装过程中产生的翘曲小、脏污少，摄像模组在长宽方向尺寸都有缩小。

图14是本申请实施例提供的一种摄像模组的结构示意图。

如图14所示，摄像模组100包括镜头组件7和上述的感光芯片组件，例如10、20、30的任一种。镜头组件7用于捕捉并聚焦待拍摄的影像以传递给摄像模组20的感光芯片1。镜头组件7包括镜头71、镜头载体或者马达72。感光芯片组件的场曲与镜头71的场曲同向且差值控制在±10um以内。

由于摄像模组的制造是分批次进行或者分产线进行的，每个批次或者每个产线之间生产情况是很难保证一样的。具体生产情况包括：粘接剂9的用量、有效性、粘接剂9固化情况、线路板的翘曲程度、环境温度、镜头像面弯曲程度，所以不同批次或者不同产线生产出的摄像模组场曲都是不一样的。本申请可以调节补偿膜的热膨胀系数，根据每个批次或者每个产生的具体生产情况来调节感光芯片的实际场曲，使得感光芯片组件与镜头组件组装后的摄像模组的场曲得以控制在一定数值，这使得不同批次或者不同产线生产出的摄像模组是场曲能够接近一致。

例如，镜头组件的实际场曲为A，通过调节补偿膜的热膨胀系数、加热温度、加热时间等参数，将感光芯片的场曲控制为B，使得B接近A，例如B与A的差值在±10um以内，进一步的可以控制B与A的差值在±5um。这样感光芯片场曲可以和镜头场曲匹配，使得摄像模组的整体场曲得以减小，改善摄像模组拍照质量。

本申请实施例还提供一种电子设备，例如手机。电子设备包括如上所述的摄像模组100。

图15是本申请实施例提供的一种感应芯片组件的制造方法流程示意图。

如图15所示，在S110中，研磨感光芯片1，缩小感光芯片1的厚度在预设值范围内。感光芯片1的厚度一般为100um～200um。

在S120中，在感光芯片1的背面设置一补偿膜2。补偿膜2的热膨胀系数大于或等于感光芯片1的热膨胀系数。

补偿膜2的材料包括但不限于氧化硅、氟化镁、氧化铝、氧化钛的至少一种。补偿膜2一般通过镀膜的方式设置在感光芯片1的背面，补偿膜2包括但不限于PVD膜和/或CVD膜。PVD膜包括但不限于真空蒸镀膜、磁控溅射膜、原子层沉积膜的至少一种。

可选地，补偿膜2的厚度为0.1um～10um。感光芯片1的厚度一般为100um～200um，此时，感光芯片1的微透镜阵列11的厚度，一般与补偿膜2的厚度相当。

在S130中，在感光芯片1、补偿膜2与承载板3之间涂敷粘接剂9，补偿膜2贴近粘接剂9，如图16所示，图16是本申请实施例提供的一种涂敷粘接剂的示意图。

承载板3上提前焊接有电容电阻等电子元件4。承载板3上涂敷粘接剂9，粘接剂9可以是胶水等。将感光芯片1、补偿膜2通过粘接剂9安装于承载板3，补偿膜2的部分与粘接剂9贴近。承载板3可以是PCB板，也可以是陶瓷基板、软硬结合板等等合适的承载板，并不以此为限。如图17所示，图17是本申请实施例提供的一种感光元件与承载板粘接的示意图。

在S140中，加热使得感光芯片1、补偿膜2通过粘接剂9粘附于承载板3上。

提升温度至100～120摄氏度，使得粘接剂9固化，在此过程中感光芯片1受热，由于补偿膜2的作用，感光芯片1的中心区域保持平整或者向下凹陷，比现有技术中的感光芯片1的中心区域向上突起，能够改善感光芯片1的场曲。如图18所示，图18是本申请实施例提供的一种加热固化粘接剂的示意图。

在S150中，连接感光芯片1与承载板3的电连接线。

通过电连接线，承载板3对感光芯片1产生的数字信号进行传递及处理。

可选地，如图9所示，承载板3包括柔性电路板31和补强板32。电子元件4和感光芯片1、补偿膜2设置于柔性电路板31上且与柔性电路板31电连接。补强板32设置在柔性电路板31下方以支撑柔性电路板31。

可选地，如图10所示，承载板3包括电路板33和补强板32，电路板33具有开口331，电子元件4设置在电路板33上。补强板32设置在电路板33下方，感光芯片1、补偿膜2设置在补强板32上且位于开口331中。电子元件4和感光芯片1与电路板33电连接。

本申请适用于应用晶圆级制造方式制得，即在芯片晶圆制作过程中，先在感光芯片背面研磨去底部的硅层后，具体的部分方案中，可不进行研磨，再在晶圆背面设置补偿膜，而后再将整晶圆芯片切割成小片，而后再进行感光芯片贴附于线路板的COB工艺。上述工艺可以将补偿膜设置工艺一次性大批量完成，产品工艺稳定可靠，成本低。

图19是本申请实施例提供的另一种感应芯片组件的制造方法流程示意图。如图19所示，在图15实施例的基础上，摄像模组的制造方法还包括以下流程。

在S160中，用封装部件5将感光芯片1、补偿膜2、承载板3、电子元件4进行封装，封装部件5上设置有窗口52，窗口52露出感光芯片1的感光区。

封装部件5设置在承载板3上，封装部件5与承载板3包围一容置感光芯片1、补偿膜2和电子元件4的空腔51。将感光芯片1、补偿膜2、电子元件4、连接线封装于空腔51内部，且封装部件5具有一露出感光芯片1的微透镜阵列11的窗口52。滤光元件6设置在封装部件5上且覆盖窗口52上，用于滤除掉红外光线，以提高摄像效果。这种封装的摄像模组组装简单，封装工艺简单。

可选地，封装部件5通过传递模塑、注塑、或模压一体成型在承载板3上。封装部件5包覆部分感光芯片1、电子元件4和连接线，且封装部件5具有一露出感光芯片1的微透镜阵列11的窗口52。如图12所示，图12是本申请实施例提供的一种感应芯片组件的封装方式示意图。这种封装的摄像模组从长宽高各个方向尺寸都有缩小，并且封装部件5进一步保护了电子元件和连接线。

可选地，封装部件5包括模塑部53、支承部54。模塑部53通过传递模塑、注塑、或模压一体成型设置于支承部54上，包覆电子元件4。支承部54设置于模塑部53上，模塑部53和支承部54包围一容置感光芯片1和电子元件4的空腔，将感光芯片1、连接线封装于空腔内部，且支承部54具有一露出感光芯片1的微透镜阵列11的窗口52。如图13所示，图13是本申请实施例提供的另一种感应芯片组件的封装方式示意图。这种封装的摄像模组封装工艺简单，封装过程中产生的翘曲小、脏污少，感应芯片组件在长宽方向尺寸都有缩小。

在S170中，在封装部件5的窗口52上安装滤光元件6。

图20是本申请实施例提供的一种摄像模组的制造方法流程示意图，如图20所示，在前述感应芯片组件的制造方法实施例基础上，制造方法还包括S180。

在S180中，将镜头组件7配置安装在封装部件5上，用于捕捉并聚焦待拍摄的影像以传递给摄像模组40的感光芯片1。镜头组件7包括镜头71、镜头载体或者马达72。

以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明仅用于帮助理解本申请的方法及其核心思想。同时，本领域技术人员依据本申请的思想，基于本申请的具体实施方式及应用范围上做出的改变或变形之处，都属于本申请保护的范围。综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (18)

1.一种感光芯片组件，包括：

感光芯片，包括位于所述感光芯片的上部的微透镜阵列；

补偿膜，设置于所述感光芯片的背面，所述补偿膜的热膨胀系数大于或等于所述微透镜阵列的热膨胀系数，使得所述补偿膜的膨胀速度大于或等于所述感光芯片的所述微透镜阵列的膨胀速度，从而控制所述感光芯片的中心保持平整或者下凹。

2.根据权利要求1所述的感光芯片组件，其中，所述补偿膜的厚度为0.1um～10um。

3.根据权利要求1所述的感光芯片组件，其中，所述补偿膜的厚度大于或者等于所述微透镜阵列的厚度。

4.根据权利要求1所述的感光芯片组件，其中，所述感光芯片被从背面研磨使得所述感光芯片的厚度为100um～200um。

5.根据权利要求1所述的感光芯片组件，其中，所述补偿膜的材料包括氧化硅、氟化镁、氧化铝、氧化钛的至少一种。

6.根据权利要求1所述的感光芯片组件，其中，所述补偿膜包括PVD膜和/或CVD膜。

7.根据权利要求6所述的感光芯片组件，其中，所述PVD膜包括真空蒸镀膜、磁控溅射膜、原子层沉积膜的至少一种。

8.根据权利要求1所述的感光芯片组件，还包括：

承载板，所述感光芯片设置在所述承载板上，所述补偿膜位于所述感光芯片和所述承载板之间；

电子元件，设置在所述承载板上。

9.根据权利要求8所述的感光芯片组件，还包括：

封装部件，设置在所述承载板上，所述封装部件与所述承载板包围一容置所述感光芯片和所述电子元件的空腔，且所述封装部件具有一露出所述感光芯片的所述微透镜阵列的窗口。

10.根据权利要求8所述的感光芯片组件，还包括：

封装部件，包覆所述感光芯片和所述电子元件，且所述封装部件具有一露出所述感光芯片的微透镜阵列的窗口。

11.根据权利要求10所述的感光芯片组件，其中，所述封装部件通过传递模塑、注塑、或模压一体成型在所述承载板上。

12.根据权利要求8所述的感光芯片组件，还包括：

封装部件，包括：

模塑部，设置于所述承载板，包覆所述电子元件；

支承部，设置于所述模塑部上，所述模塑部和所述支承部包围一容置所述感光芯片和所述电子元件的空腔，且所述支承部具有一露出所述感光芯片的微透镜阵列的窗口。

13.根据权利要求9至12之任一项所述的感光芯片组件，还包括：

滤光元件，设置在所述封装部件上且覆盖所述窗口。

14.根据权利要求8所述的感光芯片组件，其中，所述承载板为电路板，所述电子元件和所述感光芯片与所述承载板电连接。

15.根据权利要求8所述的感光芯片组件，其中，所述承载板包括：

柔性电路板，所述电子元件和所述感光芯片设置于所述柔性电路板上且与所述柔性电路板电连接；

补强板，设置在所述柔性电路板下方以支撑所述柔性电路板。

16.根据权利要求8所述的感光芯片组件，其中，所述承载板包括：

电路板，具有开口，所述电子元件设置在所述电路板上；

补强板，设置在所述电路板下方，所述感光芯片设置在所述补强板上且位于所述开口中，所述电子元件和所述感光芯片与所述电路板电连接。

17.一种摄像模组，包括：

镜头组件，所述镜头组件包括镜头；

如权利要求1至16中任一项所述的感光芯片组件，所述感光芯片组件的场曲与所述镜头的场曲同向且差值控制在±10um以内。

18.一种电子设备，包括：

如权利要求17所述的摄像模组。

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