CN113130799A - 有机电子元件、包括其的显示面板和包括其的显示装置 - Google Patents

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崔贤哲
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Abstract

提供了有机电子元件、包括其的显示面板和包括其的显示装置，其通过包括具有优异的空穴传输能力和载流子电阻的层而具有高效率或长寿命。

Description

有机电子元件、包括其的显示面板和包括其的显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年12月31日提交的韩国专利申请第10-2019-0180027号的优先权，其在此出于所有目的通过引用并入，如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
实施方案涉及有机电子元件、包括有机电子元件的显示面板和显示装置。
背景技术
通常，有机发光现象是指通过有机材料将电能转换为光能的现象。有机电子元件是指利用有机发光现象的电子元件。
利用有机发光现象的有机电子元件可以应用于显示装置。由于便携式显示装置通过作为有限电源的电池驱动，因此用于便携式显示装置的有机电子元件需要优异的发光效率。此外，由于在电子装置的使用期间应正常显示图像，因此也可能需要有机电子元件的长寿命。
为了改善有机电子元件中的效率、寿命和驱动电压，已对有机电子元件中包含的有机材料进行了研究。
发明内容
实施方案可以提供通过包括具有优异的空穴传输能力和载流子电阻的层而具有高效率或长寿命的有机电子元件。
实施方案可以提供通过包括上述有机电子元件而具有高效率或长寿命的显示面板。
此外，实施方案可以提供通过包括上述显示面板而具有高效率或长寿命的显示装置。
根据一个方面，实施方案可以提供有机电子元件，其包括第一电极、第二电极和有机层。
有机层定位在第一电极与第二电极之间。
有机层包括发光层、第一层和第二层。
第一层包含由以下化学式1表示的化合物。
[化学式1]
Figure BDA0002831663760000021
第二层包含由以下化学式2表示的化合物。
[化学式2]
Figure BDA0002831663760000022
根据另一个方面，实施方案可以提供包括子像素的显示面板，所述子像素包括有机电子元件。
根据另一个方面，实施方案可以提供显示装置，其包括显示面板和用于驱动显示面板的驱动电路。
根据实施方案，可以提供通过包括具有优异的空穴传输能力和载流子电阻的层而具有高发光效率和长寿命的有机电子元件。
根据实施方案，可以提供包括具有高发光效率和长寿命的有机电子元件的显示面板和包括该显示面板的显示装置。
附图说明
结合附图，从以下详细描述中将更清楚地理解本公开的以上和其他目的、特征和优点，在附图中：
图1是根据实施方案的显示装置的系统配置图；
图2和图3是示出根据实施方案的显示面板的子像素电路的图；以及
图4至图6是根据实施方案的有机电子元件的示意性截面图。
具体实施方式
在本发明的实例或实施方案的以下描述中，将参照附图，其中通过图示的方式示出了可以实施的具体实例或实施方案，并且其中即使当相同的附图标记在彼此不同的附图中示出时，相同的附图标记也可以用于指示相同或相似的组件。此外，在本发明的实例或实施方案的以下描述中，当确定本文并入的公知功能和组件的详细描述可能使本发明的一些实施方案中的主题反而不清楚时，将省略该详细描述。本文使用的诸如“包括”、“具有”、“包含”、“构成”、“由……构成”和“由……形成”的术语通常旨在允许添加其他组件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。如本文所用，除非上下文另外明确指出，否则单数形式旨在包括复数形式。
在本文中可以使用诸如“第一”、“第二”、“A”、“B”、“(A)”或“(B)”的术语来描述本发明的要素。这些术语中的每一者并不用于限定要素的本质、次序、顺序或数量等，而是仅用于将相应的要素与其他要素区分开。
当提及第一要素“连接或耦接至”第二要素、与第二要素“接触或交叠”等时，应解释为不仅第一要素可以“直接连接或耦接至”第二要素或者与第二要素“直接接触或交叠”，而且第三要素也可以“介于”第一要素与第二要素之间，或者第一要素和第二要素可以经由第四要素彼此“连接或耦接”、“接触或交叠”等。在此，第二要素可以包括在彼此“连接或耦接”、“接触或交叠”等的两个或更多个要素中的至少一者中。
当使用时间相对术语例如“在……之后”、“继……之后”、“接下来”、“在……之前”等来描述要素或配置的过程或操作、或者操作、处理、制造方法中的流程或步骤时，这些术语可以用于描述非连续或非顺序的过程或操作，除非同时使用术语“立刻”或“立即”。
此外，当提及任何尺寸、相对尺寸等时，应考虑要素或特征或相应信息(例如，水平、范围等)的数值包括可能由各种因素(例如，过程因素、内部或外部影响、噪音等)引起的公差或误差范围，即使当未具体说明相关描述时。此外，术语“可以”完全涵盖术语“可/可以”的所有含义。
除非另有说明，否则如本文所用的术语“卤”或“卤素”是指氟(F)、溴(Br)、氯(Cl)或碘(I)。
如本文所用，除非另有说明，否则术语“烷基”是指其中具有单键的1至60个碳原子的饱和脂族官能团，包括直链烷基、支链烷基、环烷基(脂环族)基团、经烷基取代的环烷基和经环烷基取代的烷基。
除非另有说明，否则如本文所用，术语“卤代烷基”或“卤素烷基”意指经卤素取代的烷基。
如本文所用，术语“杂烷基”意指构成烷基的碳原子中的至少一者已被杂原子替代。
如本文所用，除非另有说明，否则术语“烯基”和“炔基”分别是指其中具有双键和三键的2至60个碳原子的直链或支链，但不限于此。
除非另有说明，否则如本文所用的术语“环烷基”是指形成具有3至60个碳原子的环的烷基，但不限于此。
除非另有说明，否则如本文所使用的术语“烷氧基”意指具有与其连接的氧基团的1至60个碳原子的烷基，但不限于此。
如本文所使用的，除非另有说明，否则术语“烯氧基”意指具有与其连接的氧基团的2至60个碳原子的烯基，但不限于此。
如本文所使用的，除非另有说明，否则术语“芳氧基”意指具有与其连接的氧基团的6至60个碳原子的芳基，但不限于此。
如本文所用，除非另有说明，否则术语“芳基”和“亚芳基”各自是指具有6至60个碳原子的芳基和亚芳基，但不限于此。在本公开中，芳基或亚芳基意指单个芳族环或多个芳族环，包括当相邻的取代基参与键合或反应时形成的芳族环。例如，芳基可以为苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、芴基、螺芴基或螺二芴基。
前缀“芳基”或“芳(ar)”意指经芳基取代的基团。例如，芳基烷基为经芳基取代的烷基，芳基烯基为经芳基取代的烯基。在这方面，经芳基取代的基团具有本文描述的碳原子数。
此外，当前缀连续命名时，这意指取代基以首先描述的次序列出。举例来说，芳基烷氧基意指经芳基取代的烷氧基，烷氧基羰基意指经烷氧基取代的羰基，以及芳基羰基烯基意指经芳基羰基取代的烯基，其中芳基羰基为经芳基取代的羰基。
如本文所用，除非另有说明，否则术语“杂烷基”意指带有一个或更多个杂原子的烷基。如本文所用，除非另有说明，否则术语“杂芳基”和“亚杂芳基”分别是指其中带有一个或更多个杂原子的2至60个碳原子的芳基和亚芳基，但不限于此。其可以包括单环和多环中的至少一者，并且可以通过使相邻的官能团结合而形成。
除非另有说明，否则如本文所用的术语“杂环基”是指带有一个或更多个杂原子作为其环成员的2至60个碳原子的杂脂族环和杂芳族环中的至少一者，其可以为单环或多环的，并且可以在相邻的官能团彼此结合时形成。
除非另有说明，否则如本文所用的术语“杂原子”是指N、O、S、P或Si。
“杂环基”还可以包括包含SO2代替碳原子作为环成员的环。例如，“杂环基”包括以下化合物。
Figure BDA0002831663760000051
除非另有说明，否则如本文所用的术语“脂族”意指1至60个碳原子的脂族烃，“脂族环”意指3至60个碳原子的脂族烃环。
除非另有说明，否则如本文所用的术语“环”是指3至60个碳原子的脂族环、6至60个碳原子的芳族环、2至60个碳原子的杂环、或由其组合组成的稠环，无论其是饱和的还是不饱和的。
除前述杂化合物之外的其他杂化合物或杂基团包含但不限于一个或更多个杂原子。
除非另有说明，否则如本文所用的术语“羰基”由-COR’表示，其中R’为氢、1至20个碳原子的烷基、6至30个碳原子的芳基、3至30个碳原子的环烷基、2至20个碳原子的烯基、2至20个碳原子的炔基、或其组合。
除非另有说明，否则如本文所用的术语“醚”由-R-O-R’表示，其中R和R’各自独立地为氢、1至20个碳原子的烷基、6至30个碳原子的芳基、3至30个碳原子的环烷基、2至20个碳原子的烯基、2至20个碳原子的炔基、或其组合。
此外，除非另有明确说明，否则表述“经取代或未经取代的”中的术语“经取代的”意指具有选自以下但不限于以下的至少一个取代基：氘、卤素、氨基、腈基、硝基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20烷基胺基、C1-C20烷基噻吩基、C6-C20芳基噻吩基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、C3-C20环烷基、C6-C20芳基、经氘取代的C6-C20芳基、C8-C20芳基烯基、硅烷基、硼基、锗基和C2-C20杂环。
此外，除非另有说明，否则本发明中使用的化学式如以下化学式中对于取代基的下标部分所限定：
Figure BDA0002831663760000061
其中，
当a为0的整数时，取代基R1不存在，
当a为1的整数时，一个取代基R1与苯环的构成碳原子中的任一者键合，
当a为2或3的整数时，取代基R1可以相同或不同，各自如以下表示的键合，以及
当a为4至6的整数时，取代基R1以相同的方式与苯环的构成碳原子键合，
而与苯环的构成碳原子键合的氢未示出：
Figure BDA0002831663760000062
在本说明书中，通过使取代基彼此结合而形成环意指相邻基团彼此结合以形成单环或单个环、聚集的环或共轭的多环，并且单环、聚集的环和形成的共轭多环可以包括包含至少一个杂原子的杂环，并且可以包括芳族环和非芳族环。
在本说明书中，有机电子元件可以意指在阳极与阴极之间的组件，或者包括阳极、阴极和定位在其间的组件的有机发光二极管。
在本说明书中，有机电子元件可以意指有机电子装置、有机发光二极管和包括其的面板以及包括面板和电路的电子装置中的一者。例如，电子装置包括显示装置、照明装置、太阳能电池、便携式终端或移动终端(例如，智能电话、平板电脑、PDA、电子词典、PMP等)、导航终端、游戏机、各种TV和各种计算机监视器等，但不限于此，并且可以为任何类型的装置，只要包括所述组件即可。
在下文中，将参照附图详细地描述本公开的示例性实施方案。
图1是根据实施方案的显示装置的系统配置图。
参照图1，根据本公开的实施方案的显示装置100包括：显示面板110，其中布置有复数条数据线DL和复数条栅极线GL，并且布置有由复数条数据线DL和复数条栅极线GL限定的复数个子像素111；用于驱动复数条数据线DL的数据驱动电路DDC(或数据驱动器)；用于驱动复数条栅极线GL的栅极驱动电路GDC(或栅极驱动器)；控制数据驱动电路DDC和栅极驱动电路GDC的显示控制器D-CTR等。
显示控制器D-CTR通过向数据驱动电路DDC和栅极驱动电路GDC供应各自的控制信号(DCS、GCS)来控制数据驱动电路DDC和栅极驱动电路GDC的操作。
显示控制器D-CTR根据在每一帧中处理的时机开始像素扫描，转换从其他装置或其他图像提供源输入的图像数据，以适应数据驱动电路DDC中使用的数据信号形式，然后输出由转换得到的图像数据DATA，并根据扫描在预配置的时间使数据加载到像素中。
显示控制器D-CTR可以实施为相对于数据驱动电路DDC的单独组件，或者可以与数据驱动电路DDC集成，因此显示控制器D-CTR可以实施为集成电路。
数据驱动电路DDC通过向数据线DL提供对应于从显示控制器D-CTR接收的图像数据DATA的数据电压来驱动复数条数据线DL。在此，数据驱动电路DDC有时被称为源极驱动电路或源极驱动器。
数据驱动电路DDC可以包括待实施的至少一个源极驱动器集成电路SDIC。
各源极驱动器集成电路SDIC可以包括移位寄存器、锁存电路、数模转换器DAC、输出缓冲器等。
在一些情况下，各源极驱动器集成电路SDIC还可以包括一个或更多个模数转换器ADC。
栅极驱动电路GDC通过向复数条栅极线GL顺序地提供扫描信号来顺序地驱动复数条栅极线GL。在此，栅极驱动电路GDC有时被称为扫描驱动电路或扫描驱动器。
栅极驱动电路GDC可以包括待实施的至少一个栅极驱动器集成电路GDIC。
各栅极驱动器集成电路GDIC可以包括移位寄存器、电平移位器等。
各栅极驱动器集成电路GDIC可以以带载自动封装(TAB)型或玻上芯片(COG)型连接至显示面板110的焊接焊盘，或者可以直接设置在显示面板110上，如以面板内栅极(GIP)型实施的。在一些情况下，栅极驱动器集成电路GDIC可以设置成与显示面板110集成。此外，各栅极驱动器集成电路GDIC可以以膜上芯片(COF)型实施，在所述膜上芯片(COF)型中栅极驱动器集成电路GDIC安装在与显示面板110连接的膜上。
根据显示控制器D-CTR的控制，栅极驱动电路GDC顺序地向复数条栅极线GL提供导通电压或截止电压的扫描信号。
当特定的栅极线由来自栅极驱动电路GDC的扫描信号确定时，数据驱动电路DDC将从显示控制器D-CTR接收的图像数据DATA转换为模拟数据电压，并向复数条数据线DL提供获得的模拟数据电压。
根据驱动方案、面板设计方案等，数据驱动电路DDC可以位于但不限于显示面板110的仅一侧(例如，上侧或下侧)上，或者在一些情况下，可以位于但不限于显示面板110的两侧(例如，上侧和下侧)上。
根据驱动方案、面板设计方案等，栅极驱动电路GDC可以位于但不限于显示面板110的仅一侧(例如，左侧或右侧)上，或者在一些情况下，可以位于但不限于显示面板110的两侧(例如，左侧和右侧)上。
根据本公开的实施方案的显示装置100可以为各种类型的显示装置例如液晶显示装置、有机发光显示装置、等离子体显示装置等中的一者。
在根据本公开的实施方案的显示装置100为有机发光显示装置的情况下，布置在显示面板110中的各子像素111可以包括电路组件，例如作为自发光元件的有机发光二极管(OLED)、用于驱动有机发光二极管OLED的驱动晶体管等。
各子像素111中包括的电路元件的类型和电路元件的数量可以根据面板的类型(例如，LCD面板、OLED面板等)、提供的功能、设计方案/特征等而不同。
图2和图3是示出根据实施方案的显示面板的子像素电路的图。
参照图2和图3，各子像素111可以包括有机发光二极管OLED和用于驱动有机发光二极管OLED的驱动晶体管DRT作为基本电路组件。
参照图2，各子像素111还可以包括：第一晶体管T1，所述第一晶体管T1允许将数据电压VDATA施加至对应于驱动晶体管DRT的栅极节点的第一节点N1；以及存储电容器C1，所述存储电容器C1用于在一帧时间期间保持对应于图像信号电压的数据电压VDATA或对应于其的电压。
有机发光二极管OLED可以包括第一电极221(阳极电极或阴极电极)、有机层222、第二电极223(阴极电极或阳极电极)等。
在一个实施方案中，可以将低电平电压EVSS施加至有机发光二极管OLED的第二电极223。
驱动晶体管DRT通过向有机发光二极管OLED提供驱动电流来使有机发光二极管OLED被驱动。
驱动晶体管DRT包括第一节点N1、第二节点N2和第三节点N3。
驱动晶体管DRT的第一节点N1可以为对应于其栅极节点的节点，并且可以电连接至第一晶体管T1的源极节点或漏极节点。
驱动晶体管DRT的第二节点N2可以电连接至有机发光二极管OLED的第一电极221，并且可以为源极节点或漏极节点。
驱动晶体管DRT的第三节点N3可以为作为向其施加驱动电压EVDD的节点的漏极节点或源极节点，并且可以电连接至用于供应驱动电压EVDD的驱动电压线DVL。
第一晶体管T1可以电连接在数据线DL与驱动晶体管DRT的第一节点N1之间，并且可以由扫描信号SCAN控制，所述扫描信号SCAN通过栅极线提供并施加至第一晶体管T1的栅极节点。
存储电容器C1可以电连接在驱动晶体管DRT的第一节点N1与第二节点N2之间。
存储电容器C1是有意设计成位于驱动晶体管DRT外部的外部电容器，而不是内部晶体管，例如存在于驱动晶体管DRT的第一节点N1与第二节点N2之间的寄生电容器(例如，Cgs、Cgd)。
参照图3，设置在根据本实施方案的显示面板上的各子像素111不仅包括有机发光二极管OLED、驱动晶体管DRT、第一晶体管T1和存储电容器C1，而且还包括第二晶体管T2。
第二晶体管T2电连接在驱动晶体管DRT的第二节点N2与供应基准电压VREF的基准电压线RVL之间，并且可以通过接收感测信号SENSE来控制，所述感测信号SENSE是一种到其栅极节点的扫描信号。
通过进一步包括上述第二晶体管T2，可以有效地控制子像素111中的驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压状态。
第二晶体管T2被感测信号SENSE导通以将通过基准电压线RVL供应的基准电压VREF施加至驱动晶体管DRT的第二节点N2。
同时，扫描信号SCAN和感测信号SENSE可以为分开的栅极信号。在这种情况下，可以通过不同的栅极线将扫描信号SCAN和感测信号SENSE分别施加至第一晶体管T1的栅极节点和第二晶体管T2的栅极节点。
在一些情况下，扫描信号SCAN和感测信号SENSE可以为相同的栅极信号。在这种情况下，可以通过相同的栅极线将扫描信号SCAN和感测信号SENSE共同施加至第一晶体管T1的栅极节点和第二晶体管T2的栅极节点。
图4是根据实施方案的有机电子元件的截面图。
参照图4，根据实施方案的有机电子元件220包括第一电极221和第二电极223、定位在其间的有机层222。
第一电极221可以为阳极，第二电极223可以为阴极。在倒置型的情况下，第一电极221可以为阴极，第二电极223可以为阳极。
例如，第一电极221可以为透明电极，第二电极223可以为反射电极。在另一个实例中，第一电极221可以为反射电极，第二电极223可以为透明电极。
有机层222可以包括复数个层，其位于第一电极221与第二电极223之间并且包含有机材料。
有机层包括发光层222b、第一层222a和第二层222c。
有机电子元件220可以为包括复数个堆叠体的串联有机电子元件，所述堆叠体各自包括发光层。复数个发光层可以由彼此相同的材料制成，或者可以由彼此不同的材料制成。
发光层222b是这样的层：其中通过电子和空穴的复合产生的能量作为光发射，并且可以包含例如主体材料和掺杂剂。
第一层222a可以定位在发光层222b与第一电极221之间。在该实例中，第一电极221可以为阳极电极，第一层222a可以为空穴传输层。当第一层222a定位在发光层222b与第一电极221之间时，有机电子元件可以具有高效率或长寿命。
第二层222c可以定位在发光层222b与第二电极223之间。在该实例中，第二电极223为阴极电极，第二层222c可以为电子传输层。当第二层222c定位在发光层222b与第二电极223之间时，有机电子元件可以具有高效率或长寿命。
第一层222a可以包含由以下化学式1表示的化合物。由于第一层222a包含由化学式1表示的化合物，因此有机电子元件可以具有高效率或长寿命。稍后将详细描述由化学式1表示的化合物。
第二层222c可以包含由以下化学式2表示的化合物。由于第二层222c包含由化学式2表示的化合物，因此有机电子元件可以具有高效率或长寿命。稍后将详细描述由以下化学式2表示的化合物。
根据本发明的实施方案的有机电子元件的有机层可以包括两个或更多个发光层。
图5是根据实施方案的有机电子元件的截面图。
参照图5，根据实施方案的有机电子元件320包括第一电极321和第二电极323、定位在其间的有机层322。
有机层322包括发光层322b、第一层322a和第二层322c。
有机电子元件320可以为包括两个或更多个发光层322b的串联有机电子元件。在图5中，作为一个实例，有机层322可以包括两个发光层322b。发光层可以由彼此相同的材料制成，或者可以由彼此不同的材料制成。
第一层322a可以定位在第一电极321与邻近第一电极321的发光层322b之间。邻近第一电极321的发光层322b意指复数个发光层322b中的最靠近第一电极321的发光层322b。在该实例中，第一电极321可以为阳极电极，第一层322a可以为空穴传输层。由于第一层322a如上所述定位，因此有机电子元件320可以具有高效率或长寿命。
第二层322c可以定位在第二电极323与邻近第二电极323的发光层322b之间。邻近第二电极323的发光层322b意指复数个发光层322b中的最靠近第二电极323的发光层322b。在该实例中，第二电极323为阴极电极，第二层322c可以为电子传输层。由于第二层322c如上所述定位，因此有机电子元件320可以具有高效率或长寿命。
电荷生成层322d形成在第一层322a与第二层322c之间以顺利地分配电荷，使得其可以提高发光层322b的电流效率。在图5中，电荷生成层322d被示出为一层，但是电荷生成层322d包括复数个层，所述复数个层包括p型电荷生成层(p-CGL)和n型电荷生成层(n-CGL)。
第一层322a可以定位在复数个发光层322b之间。第二层322c也可以定位在复数个发光层322b之间。
因此，有机电子元件320的有机层322可以包括至少一个第一层322a和至少一个第二层322c。当存在多个第一层322a时，各第一层322a可以由相同材料制成，或者可以由不同材料制成。当存在多个第二层322c时，各第二层322c可以由相同材料制成，或者可以由不同材料制成。
在图5中，第一层322a定位在第一电极321与发光层322b之间，并且也定位在发光层322b之间，但是实施方案不限于此。本发明的实施方案可以仅包括一个第一层322a。
在图5中，第二层322c定位在第二电极323与发光层322b之间，并且也定位在发光层322b之间，但是实施方案不限于此。实施方案可以仅包括一个第二层322c。
图6是根据实施方案的有机电子元件的截面图。
参照图6，根据实施方案的有机电子元件420包括第一电极421和第二电极423、定位在其间的有机层422。
有机层422包括发光层422b、第一层422a和第二层422c。
有机电子元件420可以为包括两个或更多个发光层422b的串联有机电子元件。在图6中，作为一个实例，有机层422可以包括三个发光层422b。发光层422b可以由彼此相同的材料制成，或者可以由彼此不同的材料制成。
即使包括三个发光层422b，第一层422a、第二层422c和电荷生成层422d的位置也参照图5与第一层322a、第二层322c和电荷生成层322d的位置相似。
在图6中，第一层422a定位在第一电极421与发光层422b之间，并且也定位在发光层422b之间，但是实施方案不限于此。本发明的实施方案可以仅包括一个第一层422a。
在图6中，第二层422c定位在第二电极423与发光层422b之间，并且也定位在发光层422b之间，但是实施方案不限于此。实施方案可以仅包括一个第二层422c。
在本发明的实施方案中，还包括这样的有机电子元件：其包括四个或更多个发光层，并且本领域技术人员可以参照图4至图6理解在这种情况下的第一电极、有机层和第二电极的结构和位置。
根据使用的材料，根据实施方案的有机电子元件220、320和420可以为前发射型、后发射型或双侧发射型。
此外，虽然未在图4至图6中示出，但除第一层、发光层和第二层之外，有机层222、322和422还可以包括另外的层。
第一层222a、322a和422a包含由以下化学式1表示的化合物。
[化学式1]
Figure BDA0002831663760000131
在下文中，将描述化学式1。
X为O、S、CR’R”或NR。
R、R’和R”各自独立地为选自以下中的一者：氢；氘；C6-C60芳基；芴基；含有来自O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基，R’和R”可以彼此键合而形成环。
在另一些实例中，X可以为O、S或NR。
R1至R4相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氢；氘；氚；卤素；氰基；硝基；C6-C60芳基；芴基；含有来自O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基；C1-C50烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C1-C30烷氧基；C6-C30芳氧基；和-L2-N(Ar1)(Ar2)。
在另一些实例中，R1至R4相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氢；氘；氚；和-L2-N(Ar1)(Ar2)。
R1和R2可以彼此键合而形成环，R2和R3可以彼此键合而形成环，以及R3和R4可以彼此键合而形成环。在R1至R4中，不彼此键合而形成环的那些可以选自上述组。
L2可以独立地为选自以下中的一者：单键；C6-C60亚芳基；亚芴基；含有来自O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的二价C2-C60杂环基；以及C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的二价稠环基。
在另一个实例中，L2可以为C6-C60亚芳基。
当L2为亚芳基时，亚芳基可以为C6至C60亚芳基、C6至C40亚芳基或C6至C20亚芳基。
Ar1和Ar2相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：C6-C60芳基；芴基；含有来自O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；以及C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基。
当Ar1或Ar2为芳基时，芳基可以为C6至C60芳基、C6至C40芳基或C6至C20芳基。
当Ar1或Ar2为杂环基时，杂环基可以为C2至C60杂环基、C2至C40杂环基或C2至C20杂环基。
在化学式1中，芳基、芴基、杂环基、稠环基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、芳氧基、亚芳基和亚芴基可以各自进一步经选自以下中的至少一个取代基取代：氘；硝基；腈基；氰基；卤素；氨基；C1-C20烷基硫基；C1-C20烷氧基；C1-C20烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C6-C20芳基；经氘取代的C6-C20芳基；芴基；C2-C20杂环基；C3-C20环烷基；C7-C20芳基烷基和C8-C20芳基烯基。
此外，另外地取代的取代基可以彼此键合而形成环，以及另外地取代的取代基可以各自进一步经选自以下中的至少一个取代基取代：氘；硝基；腈基；氰基；卤素；氨基；C1-C20烷基硫基；C1-C20烷氧基；C1-C20烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C6-C20芳基；经氘取代的C6-C20芳基；芴基；C2-C20杂环基；C3-C20环烷基；C7-C20芳基烷基和C8-C20芳基烯基；以及这些取代基可以彼此键合而形成环。
第一层222a、322a和422a可以包含由上述化学式1表示的多种类型的化合物中的一种或更多种化合物。由于第一层222a、322a和422a包含由化学式1表示的化合物，因此有机电子元件可以具有高效率或长寿命。
由化学式1表示的化合物可以为由以下化学式1-1至1-4中的任一者表示的化合物。
[化学式1-1]
Figure BDA0002831663760000151
[化学式1-2]
Figure BDA0002831663760000152
[化学式1-3]
Figure BDA0002831663760000161
[化学式1-4]
Figure BDA0002831663760000162
在化学式1-1至1-4中，X、R1至R4、L2、Ar1和Ar2与对于化学式1描述的那些基本相同。
当第一层222a、322a和422a包含由化学式1-1至1-4中的任一者表示的化合物时，有机电子元件可以具有高发光效率或长寿命。
由化学式1表示的化合物可以为以下化合物中的一者或更多者，但是在本发明的实施方案中由化学式1表示的化合物不限于以下化合物。
Figure BDA0002831663760000163
Figure BDA0002831663760000171
Figure BDA0002831663760000181
Figure BDA0002831663760000191
当第一层222a、322a和422a包含以上化合物中的一者或更多者时，有机电子元件可以具有高发光效率或长寿命。
第二层222c、322c和422c包含由以下化学式2表示的化合物。
[化学式2]
Figure BDA0002831663760000192
在下文中，将描述化学式2。
R5和R6相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氢；氘；氚；卤素；氰基；硝基；C6-C60芳基；芴基；含有来自O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基；和-L3-N(Ar3)(Ar4)。
在另一些实例中，R5和R6相同或不同，各自独立地为C6-C60芳基。
当R5和R6为芳基时，芳基可以为C6至C60芳基、C6至C40芳基或C6至C20芳基。
L1和L3相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：单键；C6-C60亚芳基；含有来自O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的二价C2-C60杂环基；以及C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的二价稠环基。
在另一个实例中，L1和L3可以为C6-C60亚芳基。
当L1和L3为亚芳基时，亚芳基可以为C6至C60亚芳基、C6至C40亚芳基或C6至C20亚芳基。
B为选自以下中的一者：C6-C60芳基；含有来自O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；以及C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基。
当B为芳基时，芳基可以为C6至C60芳基、C6至C40芳基或C6至C20芳基。
当B为杂环基时，杂环基可以为C2至C60杂环基、C2至C40杂环基或C2至C20杂环基。
Ar3和Ar4具有与化学式1中的Ar1和Ar2相同的限定。
在化学式2中，芳基、芴基、杂环基、稠环基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、芳氧基、亚芳基和亚芴基可以各自进一步经选自以下中的至少一个取代基取代：氘；硝基；腈基；氰基；卤素；氨基；C1-C20烷基硫基；C1-C20烷氧基；C1-C20烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C6-C20芳基；经氘取代的C6-C20芳基；芴基；C2-C20杂环基；C3-C20环烷基；C7-C20芳基烷基和C8-C20芳基烯基。
此外，另外地取代的取代基可以彼此键合而形成环，以及另外地取代的取代基可以各自进一步经选自以下中的至少一个取代基取代：氘；硝基；腈基；氰基；卤素；氨基；C1-C20烷基硫基；C1-C20烷氧基；C1-C20烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C6-C20芳基；经氘取代的C6-C20芳基；芴基；C2-C20杂环基；C3-C20环烷基；C7-C20芳基烷基和C8-C20芳基烯基；以及这些取代基可以彼此键合而形成环。
第二层222c、322c、422c可以包含由上述化学式1表示的多种类型的化合物中的一种或更多种化合物。由于第一层222c、322c、422c包含由化学式2表示的化合物，因此有机电子元件可以具有高效率或长寿命。
化学式2中的B可以为以下化学式中的任一者。
Figure BDA0002831663760000211
在下文中，将描述化学式B1至B8。
*为与化学式2中的L1结合的位置。
R7至R9相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氢；氘；氚；卤素；氰基；硝基；C6-C60芳基；芴基；含有来自O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基；C1-C50烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C1-C30烷氧基；和C6-C30芳氧基。
在另一些实例中，R7至R9相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氢；氘；和氚。
由于第二层222c、322c和422c可以包含上述化学式B1至B8中的任一者，因此有机电子元件可以具有高效率或长寿命。
由化学式2表示的化合物可以为以下化合物中的一者或更多者，但是在本发明的实施方案中由化学式2表示的化合物不限于以下化合物。
Figure BDA0002831663760000221
当第二层222c、322c和422c包含以上化合物中的一者或更多者时，有机电子元件可以具有高发光效率或长寿命。
本发明的另一些实施方案可以提供显示面板110。
显示面板110包括子像素111，所述子像素111包括上述有机电子元件220、320和420中的一者。
在根据本实施方案的显示面板110中，由于有机电子元件220、320和420与根据上述实施方案的有机电子元件220、320和420相同，因此将省略其描述。
此外，由于以上已描述了根据实施方案的显示面板110和子像素111，因此将省略其描述。
本发明的另一些实施方案可以提供显示装置100。
显示装置100包括上述显示面板110和用于驱动上述显示面板110的驱动电路。
在根据本实施方案的显示装置100中，显示面板110与根据上述实施方案的显示面板110相同，因此将省略其描述。
此外，由于以上已描述了用于驱动根据实施方案的显示面板的驱动电路，因此将省略其描述。
在下文中，将参照实施方案具体描述制造根据实施方案的有机电子元件的实施例，但是实施方案不限于以下实施例。
在下文中，将参照实施方案具体描述由化学式1表示的化合物和由化学式2表示的化合物的合成例以及制造根据实施方案的有机电子元件的实施例，但是实施方案不限于以下实施例。
[合成例]
根据本发明的实施方案的由化学式1表示的化合物可以通过以下反应方案1来制备，但是用于制备由化学式1表示的化合物的方法不限于此。
<反应方案1>
Figure BDA0002831663760000241
在反应方案1中，Rn为R1至R4中的三者(例如，R1、R2、R3)，X、R1至R4、L2、Ar1和Ar2为以上对于由化学式1表示的化合物所述。
Sub 1-a2的合成
对应于反应方案1的Sub 1的Sub 1-a2的示例性合成方法如下。
<反应方案2>
Figure BDA0002831663760000242
在圆底烧瓶中，添加1g Mg(0.04M)、0.1g碘和20ml THF(四氢呋喃)并在室温下搅拌30分钟。向该溶液中，添加溶解在30ml THF中的1-溴-2-苯氧基苯(s1，0.04M)。在搅拌12小时之后，将11.2g 9-溴-7H-苯并[c]芴-7-酮(s2，0.04M)溶解在100ml THF中，然后搅拌8小时。
向反应混合物中添加10％的NH4Cl水溶液，搅拌1小时，然后通过EA分离以回收有机层，并在减压下蒸馏以获得14.3g中间体a1。向圆底烧瓶中，添加14.3g a1(0.03M)、150ml乙酸和0.5ml盐酸(35％)，加热至100℃，并搅拌2小时。当将反应溶液倒入蒸馏水中时，晶体沉淀并将沉淀物过滤。将滤液溶解在100ml MC(二氯甲烷)中，用MgSO4干燥，并使用MC和乙醇再沉淀以获得10.8g Sub 1-a2。
SBX2的合成
<反应方案3>
Figure BDA0002831663760000251
在圆底烧瓶中，添加3g Sub 1-a2(0.007M)、2.3g N,4-二苯基萘-1-胺(s3，0.008M)、0.03g乙酸钯(II)、0.1g 2,2’-双(二苯基膦基)-1,1’-联萘、0.9g叔丁醇钠、30ml甲苯，加热至100℃并搅拌8小时。
将反应溶液通过硅胶过滤以除去杂质，将滤液在减压下浓缩以获得粗产物。将获得的粗制物通过MC/丙酮再沉淀以获得3.3g SBX2。
SBX4的合成
<反应方案4>
Figure BDA0002831663760000252
在SBX2的合成方法中，通过以相同的合成方法进行来获得3.8g SB X4，不同之处在于使用s4代替s3。
SBX5的合成
<反应方案5>
Figure BDA0002831663760000253
在SBX2的合成方法中，通过以相同的合成方法进行来获得4.0g SB X5，不同之处在于使用s5代替s3。
SBX8的合成
<反应方案6>
Figure BDA0002831663760000261
在SBX2的合成方法中，通过以相同的合成方法进行来获得3.7g SB X8，不同之处在于使用s6代替s3。
SBX12的合成
<反应方案7>
Figure BDA0002831663760000262
在SBX2的合成方法中，通过以相同的合成方法进行来获得3.3g SB X12，不同之处在于使用s7代替s3。
SBX15的合成
<反应方案8>
Figure BDA0002831663760000263
在SBX2的合成方法中，通过以相同的合成方法进行来获得3.3g SB X15，不同之处在于使用s8代替s3。
SBX17的合成
<反应方案9>
Figure BDA0002831663760000271
在SBX2的合成方法中，通过以相同的合成方法进行来获得4.0g SB X17，不同之处在于使用s9代替s3。
SBX19的合成
<反应方案10>
Figure BDA0002831663760000272
在SBX2的合成方法中，通过以相同的合成方法进行来获得3.5g SB X19，不同之处在于使用s10代替s3。
SBX22的合成
<反应方案11>
Figure BDA0002831663760000273
在SBX2的合成方法中，通过以相同的合成方法进行来获得3.8g SB X22，不同之处在于使用s11代替s3。
SBX28的合成
<反应方案12>
Figure BDA0002831663760000281
在SBX2的合成方法中，通过以相同的合成方法进行来获得3.8g SB X28，不同之处在于使用s12代替s3。
SBX31的合成
<反应方案13>
Figure BDA0002831663760000282
在SBX2的合成方法中，通过以相同的合成方法进行来获得3.5g SB X31，不同之处在于使用s13代替s3。
SBX33的合成
<反应方案14>
Figure BDA0002831663760000283
在SBX2的合成方法中，通过以相同的合成方法进行来获得3.5g SB X33，不同之处在于使用s14代替s3。
Sub 1-a4的合成
<反应方案15>
Figure BDA0002831663760000291
在圆底烧瓶中，添加1g Mg(0.04M)、0.1g碘和20ml THF(四氢呋喃)并在室温下搅拌30分钟。向该溶液中，添加溶解在30ml THF中的(2-溴苯基)(苯基)硫烷(s15，0.04M)。在搅拌12小时之后，将10.5g 9-溴-7H-苯并[c]芴-7-酮(s2，0.04M)溶解在100ml THF中，然后搅拌8小时。
在圆底烧瓶中，添加13.2g a3(0.03M)、150ml乙酸和0.5ml盐酸(35％)，加热至100℃，并搅拌2小时。当将反应溶液倒入蒸馏水中时，晶体沉淀并将沉淀物过滤。将滤液溶解在100ml MC(二氯甲烷)中，用MgSO4干燥，并使用MC和乙醇再沉淀以获得10.0g Sub 1-a4。
SBX39的合成
<反应方案16>
Figure BDA0002831663760000292
在圆底烧瓶中，添加3g Sub 1-a4(0.006M)、2.7g s16、0.03g乙酸钯(II)、0.1g 2,2’-双(二苯基膦基)-1,1’-联萘、0.9g叔丁醇钠、30ml甲苯，加热至100℃并搅拌8小时。
将反应溶液通过硅胶过滤以除去杂质，将滤液在减压下浓缩以获得粗产物。将获得的粗制物通过MC/丙酮再沉淀以获得3.9g SBX39。
根据实施方案的由化学式2表示的化合物可以通过以下反应方案17来制备，但是用于制备由化学式2表示的化合物的方法不限于此。
<反应方案17>
Figure BDA0002831663760000301
在反应方案17中，Sub 2的B为硼，Sub 3的B为化学式2的B，R5、R6、L1和Sub 3的B为以上对于由化学式2表示的化合物所述。
T3的合成
<反应方案18>
Figure BDA0002831663760000302
在圆底烧瓶中，添加5ml s17(10mmol)、4.6g s18(12mmol)、0.5g四(三苯基膦)钯(0)(0.3mmol)、100ml甲苯、15ml EtOH、10ml 2M K2CO3，并在回流下搅拌12小时。在反应完成之后，将反应溶液过滤以获得粗产物。将滤得的粗制物加热并溶解在CHCl3中，在Al2O3中在减压下过滤并浓缩以重结晶。获得3.7g T3。
T10的合成
<反应方案19>
Figure BDA0002831663760000303
在T3的合成方法中，通过以相同的合成方法进行来获得3.5g T10，不同之处在于使用s19代替s18。
T14的合成
<反应方案20>
Figure BDA0002831663760000311
在T3的合成方法中，通过以相同的合成方法进行来获得3.9g T14，不同之处在于使用s20代替s18。
有机电子元件的制造评估
实施方案1
在将涂覆有厚度为
Figure BDA0002831663760000313
的ITO(氧化铟锡)的玻璃基板洗涤之后，将基板用溶剂例如异丙醇、丙酮或甲醇洗涤并干燥。在该准备的ITO透明电极上，将作为空穴注入材料的HIL-1材料热真空沉积以形成5nm的空穴注入层，然后将SBX 15材料的化合物热真空沉积至80nm的厚度。
随后，分别使用BH-1和BD-1(以5％掺杂)作为发光层的主体和掺杂剂材料，并进行热真空沉积至30nm的厚度。随后，将T3(30nm)化合物作为分别用于电子传输层和电子注入层的材料热真空沉积，然后沉积4nm LiF和100nm Al以形成阴极，从而制造有机电子元件。
Figure BDA0002831663760000312
Figure BDA0002831663760000321
实施方案2至13
以与实施方案1中相同的方式制造有机电子元件，不同之处在于使用表1中示出的化合物代替SBX15化合物作为空穴传输材料。
实施方案14和15
以与实施方案1中相同的方式制造有机电子元件，不同之处在于使用表1中示出的化合物代替SBX15化合物作为空穴传输材料并使用T10化合物作为电子传输材料。
实施方案16和17
以与实施方案1中相同的方式制造有机电子元件，不同之处在于使用表1中示出的化合物代替SBX15化合物作为空穴传输材料并使用T12化合物作为电子传输材料。
比较例1
以与实施方案1中相同的方式制造有机电子元件，不同之处在于使用HT-1化合物代替SBX15化合物作为空穴传输材料并使用ET-1化合物代替T3作为电子传输材料。
表1示出了制造的有机电子元件的性能。
[表1]
Figure BDA0002831663760000331
如从表1的结果可以看出，与比较例1的有机电子元件相比，包括具有由化学式1表示的化合物的空穴传输层和具有由化学式2表示的化合物的电子传输层的有机电子元件可以具有优异的效率或寿命。
本公开中公开了如下技术方案：
1.一种有机电子元件，包括：
第一电极；
第二电极；以及
定位在所述第一电极与所述第二电极之间的有机层，
其中所述有机层包括发光层、第一层和第二层，
所述第一层包含由以下化学式1表示的化合物，以及
所述第二层包含由以下化学式2表示的化合物，
[化学式1]
Figure BDA0002831663760000341
[化学式2]
Figure BDA0002831663760000342
在化学式1中，
X为O、S、CR’R”或NR，
R、R’和R”相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氢；氘；C6-C60芳基；含有来自O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基，R’和R”任选地彼此键合而形成环，
R1至R4相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氢；氘；氚；卤素；氰基；硝基；C6-C60芳基；含有来自O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基；C1-C50烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C1-C30烷氧基；C6-C30芳氧基；和-L2-N(Ar1)(Ar2)，其中R1和R2任选地彼此键合而形成环，R2和R3任选地彼此键合而形成环，以及R3和R4任选地彼此键合而形成环，
L2为选自以下中的一者：单键；C6-C60亚芳基；含有来自O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的二价C2-C60杂环基；以及C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的二价稠环基，
Ar1和Ar2相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：C6-C60芳基；含有来自O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；以及C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基，
在化学式2中，
R5和R6相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氢；氘；氚；卤素；氰基；硝基；C6-C60芳基；含有来自O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基；和-L3-N(Ar3)(Ar4)，
L1和L3相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：单键；C6-C60亚芳基；含有来自O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的二价C2-C60杂环基；以及C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的二价稠环基，
B为选自以下中的一者：C6-C60芳基；含有来自O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；以及C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基，
Ar3和Ar4具有与化学式1中的Ar1和Ar2相同的限定，
在化学式1和2中，所述的芳基、杂环基、稠环基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、芳氧基和亚芳基各自任选地进一步经选自以下中的至少一个取代基取代：氘；硝基；腈基；氰基；卤素；氨基；C1-C20烷基硫基；C1-C20烷氧基；C1-C20烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C6-C20芳基；经氘取代的C6-C20芳基；C2-C20杂环基；C3-C20环烷基；C7-C20芳基烷基和C8-C20芳基烯基，以及
另外地经取代的取代基任选地彼此键合而形成环，以及所述另外地取代的取代基各自任选地进一步经选自以下中的至少一个取代基取代：氘；硝基；腈基；氰基；卤素；氨基；C1-C20烷基硫基；C1-C20烷氧基；C1-C20烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C6-C20芳基；经氘取代的C6-C20芳基；C2-C20杂环基；C3-C20环烷基；C7-C20芳基烷基和C8-C20芳基烯基。
2.根据项1所述的有机电子元件，其中所述由化学式1表示的化合物为以下化学式1-1至1-4中的一者或更多者：
[化学式1-1]
Figure BDA0002831663760000361
[化学式1-2]
Figure BDA0002831663760000362
[化学式1-3]
Figure BDA0002831663760000363
[化学式1-4]
Figure BDA0002831663760000371
在化学式1-1至1-4中，X、R1至R4、L2、Ar1和Ar2与对于化学式1描述的那些相同。
3.根据项1所述的有机电子元件，其中化学式2中的B为以下化学式中的任一者：
Figure BDA0002831663760000372
在化学式B1至B8中，
*为与化学式2中的L1结合的位置，以及
R7、R8和R9相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氢；氘；氚；卤素；氰基；硝基；C6-C60芳基；含有来自O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基；C1-C50烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C1-C30烷氧基；和C6-C30芳氧基。
4.根据项1所述的有机电子元件，其中所述由化学式1表示的化合物为本文记载的化合物SBX1至SBX44中的一者或更多者。
5.根据项1所述的有机电子元件，其中所述由化学式2表示的化合物为本文记载的化合物T1至T14中的一者或更多者。
6.根据项1所述的有机电子元件，其中所述第一层定位在所述发光层与所述第一电极之间，而所述第二层定位在所述发光层与所述第二电极之间。
7.根据项1所述的有机电子元件，其中所述第一层为空穴传输层，而所述第二层为电子传输层。
8.根据项1所述的有机电子元件，其中所述有机层包括两个或更多个所述发光层，所述第一层定位在所述第一电极与邻近所述第一电极的所述发光层之间以及定位在复数个发光层之间。
9.根据项1所述的有机电子元件，其中所述有机层包括两个或更多个所述发光层，以及所述第二层定位在所述第二电极与邻近所述第二电极的所述发光层之间以及定位在复数个发光层之间。
10.一种包括子像素的显示面板，所述子像素包括根据项1至9中任一项所述的有机电子元件。
11.一种显示装置，包括：
根据项10所述的显示面板；以及
用于驱动所述显示面板的驱动电路。
已呈现了以上描述以使本领域任何技术人员能够获得和使用本发明的技术构思，并且已在特定应用及其要求的上下文中提供了以上描述。对所描述的实施方案的各种修改、添加和替换对于本领域技术人员将是显而易见的，并且在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以将本文中限定的一般原理应用于其他实施方案和应用。以上描述和附图仅出于说明性目的提供了本发明的技术构思的实例。即，所公开的实施方案旨在说明本发明的技术构思的范围。因此，本发明的范围不限于所示的实施方案，而是应给予与权利要求一致的最宽范围。本发明的保护范围应基于所附权利要求来解释，并且在其等同方案的范围内的所有技术构思都应被解释为包括在本发明的范围内。

Claims (10)

1.一种有机电子元件，包括：
第一电极；
第二电极；以及
定位在所述第一电极与所述第二电极之间的有机层，
其中所述有机层包括发光层、第一层和第二层，
所述第一层包含由以下化学式1表示的化合物，以及
所述第二层包含由以下化学式2表示的化合物，
[化学式1]
Figure FDA0002831663750000011
[化学式2]
Figure FDA0002831663750000012
在化学式1中，
X为O、S、CR’R”或NR，
R、R’和R”相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氢；氘；C6-C60芳基；含有来自O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基，R’和R”任选地彼此键合而形成环，
R1至R4相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氢；氘；氚；卤素；氰基；硝基；C6-C60芳基；含有来自O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基；C1-C50烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C1-C30烷氧基；C6-C30芳氧基；和-L2-N(Ar1)(Ar2)，其中R1和R2任选地彼此键合而形成环，R2和R3任选地彼此键合而形成环，以及R3和R4任选地彼此键合而形成环，
L2为选自以下中的一者：单键；C6-C60亚芳基；含有来自O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的二价C2-C60杂环基；以及C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的二价稠环基，
Ar1和Ar2相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：C6-C60芳基；含有来自O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；以及C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基，
在化学式2中，
R5和R6相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氢；氘；氚；卤素；氰基；硝基；C6-C60芳基；含有来自O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基；和-L3-N(Ar3)(Ar4)，
L1和L3相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：单键；C6-C60亚芳基；含有来自O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的二价C2-C60杂环基；以及C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的二价稠环基，
B为选自以下中的一者：C6-C60芳基；含有来自O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；以及C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基，
Ar3和Ar4具有与化学式1中的Ar1和Ar2相同的限定，
在化学式1和2中，所述的芳基、杂环基、稠环基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、芳氧基和亚芳基各自任选地进一步经选自以下中的至少一个取代基取代：氘；硝基；腈基；氰基；卤素；氨基；C1-C20烷基硫基；C1-C20烷氧基；C1-C20烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C6-C20芳基；经氘取代的C6-C20芳基；C2-C20杂环基；C3-C20环烷基；C7-C20芳基烷基和C8-C20芳基烯基，以及
另外地经取代的取代基任选地彼此键合而形成环，以及所述另外地取代的取代基各自任选地进一步经选自以下中的至少一个取代基取代：氘；硝基；腈基；氰基；卤素；氨基；C1-C20烷基硫基；C1-C20烷氧基；C1-C20烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C6-C20芳基；经氘取代的C6-C20芳基；C2-C20杂环基；C3-C20环烷基；C7-C20芳基烷基和C8-C20芳基烯基。
2.根据权利要求1所述的有机电子元件，其中所述由化学式1表示的化合物为以下化学式1-1至1-4中的一者或更多者：
[化学式1-1]
Figure FDA0002831663750000031
[化学式1-2]
Figure FDA0002831663750000032
[化学式1-3]
Figure FDA0002831663750000033
[化学式1-4]
Figure FDA0002831663750000041
在化学式1-1至1-4中，X、R1至R4、L2、Ar1和Ar2与对于化学式1描述的那些相同。
3.根据权利要求1所述的有机电子元件，其中化学式2中的B为以下化学式中的任一者：
Figure FDA0002831663750000042
在化学式B1至B8中，
*为与化学式2中的L1结合的位置，以及
R7、R8和R9相同或不同，各自独立地为选自以下中的一者：氢；氘；氚；卤素；氰基；硝基；C6-C60芳基；含有来自O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基；C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基；C1-C50烷基；C2-C20烯基；C2-C20炔基；C1-C30烷氧基；和C6-C30芳氧基。
4.根据权利要求1所述的有机电子元件，其中所述由化学式1表示的化合物为以下化合物中的一者或更多者：
Figure FDA0002831663750000051
Figure FDA0002831663750000061
Figure FDA0002831663750000071
Figure FDA0002831663750000081
5.根据权利要求1所述的有机电子元件，其中所述第一层定位在所述发光层与所述第一电极之间，而所述第二层定位在所述发光层与所述第二电极之间。
6.根据权利要求1所述的有机电子元件，其中所述第一层为空穴传输层，而所述第二层为电子传输层。
7.根据权利要求1所述的有机电子元件，其中所述有机层包括两个或更多个所述发光层，所述第一层定位在所述第一电极与邻近所述第一电极的所述发光层之间以及定位在复数个发光层之间。
8.根据权利要求1所述的有机电子元件，其中所述有机层包括两个或更多个所述发光层，以及所述第二层定位在所述第二电极与邻近所述第二电极的所述发光层之间以及定位在复数个发光层之间。
9.一种包括子像素的显示面板，所述子像素包括根据权利要求1至8中任一项所述的有机电子元件。
10.一种显示装置，包括：
根据权利要求9所述的显示面板；以及
用于驱动所述显示面板的驱动电路。
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