CN113130209A - 多层电子组件和其上安装有多层电子组件的板 - Google Patents

多层电子组件和其上安装有多层电子组件的板 Download PDF

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Abstract

本公开提供一种多层电子组件和其上安装有多层电子组件的板,所述多层电子组件包括:主体,包括介电层以及与所述介电层交替设置的内电极;以及外电极,包括设置在所述主体上的电极层和设置在所述电极层上的Sn镀层。所述Sn镀层的厚度被定义为Ts,Ts为4.5μm或更大。

Description

多层电子组件和其上安装有多层电子组件的板
本申请要求于2020年1月15日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0005276号韩国专利申请和于2020年6月17日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0073857号韩国专利申请的优先权的权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用被包含于此。
技术领域
本公开涉及一种多层电子组件和其上安装有多层电子组件的板。
背景技术
多层陶瓷电容器(MLCC,一种类型的多层电子组件)是一种片型电容器,安装在各种类型的电子产品(包括诸如液晶显示器(LCD)和等离子体显示面板(PDP)的图像显示装置、计算机、智能电话、移动电话等)的印刷电路板上,用于在其中充电或从其中放电。
由于多层陶瓷电容器的诸如小型化、高容量和易于安装的优点,因此多层陶瓷电容器可用作各种电子装置的组件。随着电子装置(诸如计算机和移动装置)被小型化并被实现为高输出,对多层陶瓷电容器的小型化和实现高容量的需求正在增加。
为了实现多层陶瓷电容器的小型化和高容量,正在进行介电层和内电极的薄化。
此外,除了介电层和内电极的薄化之外,还需要开发外电极的构造以最大限度地利用基板上的空间。
发明内容
本公开的一方面在于提供一种用于最大限度地利用基板上的空间的多层电子组件。
本公开的一方面在于提供一种能在不使用焊料的情况下安装在基板上的多层电子组件。
然而,本公开的目的不限于此,并且在描述本公开的具体实施例的过程中将更容易理解。
根据本公开的一方面,一种多层电子组件包括:主体,包括介电层以及与所述介电层交替设置的内电极;以及外电极,包括设置在所述主体上的电极层和设置在所述电极层上的Sn镀层。所述Sn镀层的厚度被定义为Ts,并且Ts为4.5μm或更大。
根据本公开的另一方面,在其上安装有根据本公开的实施例的多层电子组件的安装基板中,所述安装基板包括:基板;电极焊盘,设置在所述基板的一个表面上,其中,所述多层电子组件的Sn镀层设置为与所述电极焊盘接触。
附图说明
通过以下结合附图进行的详细描述,本公开的以上和其他方面、特征及其他优点将被更清楚地理解,在附图中:
图1是示意性示出根据本公开的实施例的多层电子组件的透视图;
图2是除去外电极的图1的多层电子组件的主体的透视图;
图3是沿图1的线I-I'截取的截面图;
图4是示意性示出根据本公开的实施例的其中堆叠有介电层和内电极的主体的分解透视图;
图5是示意性示出根据本公开的另一实施例的安装基板的透视图;
图6是沿图5的线II-II'截取的截面图;以及
图7是示出根据本公开的另一实施例的安装基板的修改示例的示图。
具体实施方式
在下文中,将参照附图如下描述本公开的实施例。然而,本公开可以以许多不同的形式例示,并且不应该解释为限于在此阐述的具体实施例。更确切地说,提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的,并且将把本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。因此,为了描述的清楚,可夸大附图中的元件的形状和尺寸,并且附图中的由相同的附图标记表示的元件为相同的元件。
在附图中,将省略不相关的描述以清楚地描述本公开,并且为了清楚地表达多个层和区域,可放大厚度。在相同概念的范围内具有相同功能的相同元件将使用相同的附图标记来描述。在整个说明书中,除非另有具体说明,否则当组件被称为“包括”或“包含”时,这意味着该组件也可包括其它组件,而不排除其它组件。
用于描述诸如元件的一维尺寸(包括但不限于长度、宽度、厚度、直径、距离、间隙和/或尺寸)、元件的二维尺寸(包括但不限于面积和/或尺寸)、元件的三维尺寸(包括但不限于体积和/或尺寸)的参数以及元件的特性(包括但不限于粗糙度、密度、重量、重量比和/或摩尔比)的值可通过本公开中描述的方法和/或工具而获得。然而,本公开不限于此。即使在本公开中没有描述,也可使用本领域普通技术人员理解的其他方法和/或工具。
在附图中,X方向可被定义为第二方向、L方向或长度方向,Y方向可被定义为第三方向、W方向或宽度方向,Z方向可被定义为第一方向、堆叠方向、T方向或厚度方向。
多层电子组件
图1是示意性示出根据本公开的实施例的多层电子组件的透视图。
图2是除去外电极的图1的多层电子组件的主体的透视图。
图3是沿图1的线I-I'截取的截面图。
图4是示意性示出根据本公开的实施例的其中堆叠有介电层和内电极的主体的分解透视图。
在下文中,将参照图1至图4描述根据本公开的实施例的多层电子组件100。
根据本公开的实施例,多层电子组件100包括:主体110,包括介电层111以及与介电层111交替设置的内电极121和122;以及外电极131和132,外电极131包括设置在主体上的电极层131a和设置在电极层131a上的Sn镀层131b,外电极132包括设置在主体上的电极层132a和设置在电极层132a上的Sn镀层132b。当Sn镀层的厚度被定义为Ts时,Ts为4.5μm或更大。
当主体的厚度被定义为Tb时,Tb为0.22mm或更小。
主体110具有交替堆叠的介电层111和内电极121和122。
主体110的具体形状不受特别限制,但如示出的,主体110可具有六面体形状或与六面体形状类似的形状。由于包括在主体110中的陶瓷粉末颗粒在烧结工艺期间的收缩,主体110可具有大体六面体形状,但可不具有具备完全直线的六面体形状。
主体110可具有在厚度方向(Z方向)上彼此相对的第一表面1和第二表面2、连接到第一表面1和第二表面2并且在长度方向(X方向)上彼此相对的第三表面3和第四表面4以及连接到第一表面1和第二表面2且连接到第三表面3和第四表面4并且在宽度方向(Y方向)上彼此相对的第五表面5和第六表面6。
形成主体110的多个介电层111处于烧结状态,并且相邻介电层111之间的边界可以是一体的,使得在不使用扫描电子显微镜(SEM)的情况下可能难以辨认该边界。
根据本公开的实施例,用于形成介电层111的原材料没有特别限制,只要可用其获得足够的静电电容即可。例如,用于形成介电层111的原材料可以是钛酸钡(BaTiO3)基材料、铅基复合钙钛矿材料、钛酸锶(SrTiO3)基材料等。钛酸钡基材料可包括BaTiO3基陶瓷粉末,并且陶瓷粉末可以是例如BaTiO3、其中钙(Ca)、锆(Zr)等部分溶在BaTiO3中的(Ba1-xCax)TiO3、Ba(Ti1-yCay)O3、(Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3或Ba(Ti1-yZry)O3等。
可根据本公开的目的将用于形成介电层111的材料、各种陶瓷添加剂、有机溶剂、增塑剂、粘合剂、分散剂等添加到诸如钛酸钡(BaTiO3)的粉末颗粒中。
主体110可包括电容形成部和保护层112和113,电容形成部设置在主体110中、包括第一内电极121和第二内电极122并且在其中形成电容,第一内电极121和第二内电极122设置为彼此相对且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间,保护层112和113分别形成在电容形成部的上部和下部中。
电容形成部是用于有助于电容器的电容形成的部分,并且可通过重复层叠多个第一内电极121和多个第二内电极122且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间而形成。
上保护层112和下保护层113可通过分别在电容形成部的上表面和下表面上沿上下方向层叠单个介电层或者两个或更多个介电层来形成,并且上保护层112和下保护层113可用于基本上防止内电极由于物理或化学应力而损坏。
上保护层112和下保护层113可不包括内电极并且可包括与介电层111的材料相同的材料。
内电极121和122可与介电层111交替地设置。内电极121和122可包括第一内电极121和第二内电极122,第一内电极121和第二内电极122交替地设置为彼此相对且介电层介于第一内电极121和第二内电极122之间。
第一内电极121和第二内电极122可分别暴露于主体110的第三表面3和第四表面4。
参照图1至图3,第一内电极121可与第四表面4间隔开并通过第三表面3暴露,第二内电极122可与第三表面3间隔开并通过第四表面4暴露。第一外电极131可设置在主体的第三表面3上以连接到第一内电极121,第二外电极132可设置在主体的第四表面4上以连接到第二内电极122。
也就是说,第一内电极121不与第二外电极132连接,而是与第一外电极131连接,第二内电极122不与第一外电极131连接,而是与第二外电极132连接。因此,第一内电极121形成为与第四表面4间隔开预定距离,第二内电极122形成为与第三表面3间隔开预定距离。
第一内电极121和第二内电极122可通过设置在中间的介电层111彼此电隔离。
参照图4,主体110可通过在厚度方向(Z方向)上交替地堆叠其上印刷有第一内电极121的介电层111和其上印刷有第二内电极122的介电层111,然后烧制而形成。
用于形成内电极121和122的材料没有特别限制,并且可使用具有优异导电性的材料。例如,可通过在陶瓷生片上印刷用于内电极的导电膏来形成内电极,导电膏包含镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、锡(Sn)、钨(W)、钛(Ti)和它们的合金中的一种或更多种。
可使用丝网印刷法、凹版印刷法等作为印刷用于内电极的导电膏的方法,但本公开不限于此。
外电极131和132设置在主体110上,并且外电极131和132可包括电极层131a和132a以及Sn镀层131b和132b。
外电极131和132可包括分别连接到第一内电极121和第二内电极122的第一外电极131和第二外电极132。
第一外电极131可包括第一电极层131a和第一Sn镀层131b,第二外电极132可包括第二电极层132a和第二Sn镀层132b。
第一外电极131和第二外电极132可分别包括延伸到主体110的第一表面1的一部分和第二表面2的一部分的带部B。第一外电极131的带部B的长度可意味着在长度方向(X方向)上从第三表面3到第一外电极131的带部B的端部的距离B1,并且第二外电极132的带部B的长度可意味着在长度方向(X方向)上从第四表面4到第二外电极132的带部B的端部的距离B2。
此外,电极层131a和132a可利用任意材料(诸如金属等)形成,只要其具有导电性即可,并且可考虑电特性、结构稳定性等来确定具体材料。
用于电极层131a和132a的导电金属没有特别限制,只要是能够与内电极电连接以形成电容的材料即可。例如,导电金属可包括选自由镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、锡(Sn)、钨(W)、钛(Ti)和它们的合金组成的组中的一种或更多种。
例如,电极层131a和132a可以是包括导电金属和玻璃的烧结电极,或者可以是包括导电金属和树脂的树脂基电极。另外,电极层131a和132a可具有烧结电极和树脂基电极顺序地形成在主体上的形式。
另外,电极层131a和132a可通过在主体110上转印包含导电金属的片来形成,或者可通过在烧结电极上转印包含导电金属的片来形成。
此外,电极层131a和132a还可使用原子层沉积(ALD)法、分子层沉积(MLD)法、化学气相沉积(CVD)法、溅射法等形成。
另外,外电极131和132还可包括设置在电极层131a和132a与Sn镀层131b和132b之间的界面处的Ni镀层。
Sn镀层131b和132b设置在电极层131a和132a上并且用于改善安装特性。此外,Sn镀层131b和132b用于保持基板10(下面将描述)与多层电子组件100之间的粘合强度,并且用于将基板10的电极焊盘31和32与外电极131和132电连接。
通常,使用表面安装技术(SMT)将多层电子组件固定和电连接到基板。这里,表面安装技术是指将焊料涂覆在基板的电极焊盘上,将多层电子组件的外电极设置在焊料上,然后通过回流焊热处理(reflow heat treatment)将多层电子组件安装在基板上的方法。焊料用于保持所安装的多层电子组件的粘合强度并实现电特性。然而,由于焊料占据的体积需要给多层电子组件分配额外的空间。特别地,在多层电子组件的长度和/或宽度方向的情况下,会考虑到减少焊料的供给量,或者仅将少量的焊料涂覆到焊盘部的方法。然而,在厚度方向的情况下,由于多层电子组件以浮动状态安装在焊料上,因此焊料进入基板的焊盘和多层电子组件的外电极之间,从而难以在厚度方向上减小体积。特别地,在具有小厚度的低轮廓多层电子组件的情况下,由于在厚度方向上对尺寸的限制很高,因此这样的问题甚至更大。
当本发明将Sn镀层的厚度确保为一定水平或更高时,可在不使用焊料的情况下将多层电子组件安装在基板上,并且已经发现,可减小在厚度方向上占据的空间,同时确保与使用焊料安装的粘合强度相似的粘合强度。
在本公开中,当主体110的厚度被定义为Tb,Sn镀层131b和132b的厚度被定义为Ts时,Tb为0.22mm或更小,Ts为4.5μm或更大。
在使用焊料进行安装的情况下,低轮廓多层电子组件的Sn镀层的厚度为约1μm至约3μm就足够了,但为了如本公开所述不使用焊料进行安装的情况下,Sn镀层131b和132b的厚度Ts应为4.5μm或更大。当Sn镀层131b和132b的厚度Ts小于4.5μm时,可能存在多层电子组件在安装时歪斜或立起的问题,并且担心存在不能充分确保基板10和堆叠的电子组件之间的粘合强度的问题。Sn镀层131b和132b的厚度Ts的上限没有特别限制,并且可考虑将要设置的安装基板的空间而适当地确定。
另外,主体110的厚度Tb应为0.22mm或更小。当主体110的厚度Tb超过0.22mm时,担心即使Sn镀层131b和132b的厚度Ts为4.5μm或更大,也存在不能确保足够的粘合强度,并且根据本公开的确保在厚度方向上的空间的效果也可能不足。
另外,由于根据本公开能够确保在厚度方向上的空间,因此能够通过将无源元件布置在安装基板上的以往未使用过的空间中来最大限度地利用基板上的空间。例如,如图7所示,多层电子组件可设置在应用处理器(AP)或CPU下方以最大限度地利用基板上的空间。
在制备每个测试编号的满足以下表1中的主体的厚度Tb和Sn镀层的厚度Ts的100个样品芯片之后,在不使用焊料的情况下将样品片的外电极设置在基板的电极焊盘上,然后通过回流焊热处理将样品片安装在基板上。测量剪切强度(gf,1gf(gram force)=0.0098N)以确认粘合强度,并获得剪应力的平均值,然后评估安装状态并在以下表1中示出。
在每个单元测试编号的100个样品片中,当出现立碑缺陷(墓碑状缺陷,tombstonedefect)的样品片的数量和安装成倾斜(不平行于基板)的样品片的数量之和为1%或更少时,安装状态由O表示,当出现立碑缺陷的样品片的数量和安装成倾斜的样品片的数量之和为大于1%且小于10%时,安装状态由△表示,当出现立碑缺陷的样品片的数量和安装成倾斜的样品片的数量之和为大于10%时,安装状态由X表示。这里,立碑缺陷是指在回流焊热处理之后片的一个外电极抬起并与电极焊盘分离的缺陷。
[表1]
测试编号 Tb(mm) Ts(μm) 剪切强度(gf) 安装状态
1* 0.2 1 98 X
2* 0.2 3 290
3 0.2 5 310 O
测试编号1示出了Ts为1μm的情况。在测试编号1中,可确认剪切强度小于100gf,并且难以确保粘合强度,并且其安装状态也差。
测试编号2示出了Ts为3μm的情况。在测试编号2中,尽管可确保一定程度的剪切强度,但不能确保用于正常安装片的足够量的焊料,出现了立碑缺陷或者大量的样品片被安装为倾斜于基板而不是平行于基板,因此安装状态不好。
另一方面,测试编号3示出了Ts为5μm的情况。在测试编号3中,可确认剪切强度为300gf或更大,并且能够确保足够的粘合强度,并且安装状态也是好的。
在这种情况下,Sn镀层的厚度Ts与主体的厚度Tb之比Ts/Tb可满足0.02或更大。
当Ts/Tb小于0.02时,会担心的是可能无法确保足够的固定强度,并且根据本公开的确保在厚度方向上的空间的效果可能不足。
另外,主体的厚度Tb可以是在介电层111与内电极121和122交替设置的方向上的长度。也就是说,介电层111与内电极121和122在第一方向(Z方向)上交替地设置,并且Tb可指主体110在第一方向(Z方向)上的长度。另外,主体110在第一方向(Z方向)上的两个表面中的第一表面或第二表面可以是面对基板的安装表面。
另外,Sn镀层的厚度Ts可指从电极层131a和132a的外表面到Sn镀层的外表面的距离。
参照图3,第一外电极131和第二外电极132可分别包括延伸到主体110的第一表面的一部分和第二表面的一部分的带部B。第一外电极131的带部B的长度可指主体110的第三表面到第一外电极131的带部B的端部的距离B1,并且第二外电极132的带部B的长度可指主体110的第四表面到第二外电极132的带部B的端部的距离B2。
在这种情况下,B1和B2之间的差可以是30μm或更小。当B1和B2之间的差超过30μm时,第一外电极的Sn镀层131b的量和第二外电极的Sn镀层132b的量不平衡,从而可能出现会导致安装故障的立碑缺陷,或者多层电子组件可能是倾斜的(不平行于基板)。
此外,B1、B2、Ts和Tb可从通过扫描电子显微镜(SEM)扫描主体110的在长度方向和厚度方向上的截面(X-Z平面或L-T平面)的图像来测量,所述截面在主体110的在宽度方向(Y方向)上的中央处截取。
特别地,B1可以是具有在图像中的X方向上测量的从第三表面的延长线和第二表面的延长线相交的点到Sn镀层131b的端部的距离的值,并且B2可以是具有在图像中的X方向上测量的从第四表面的延长线和第二表面的延长线相交的点到Sn镀层132b的端部的距离的值。
Tb可以是具有在图像中的Z方向上测量的从第三表面的延长线和第二表面的延长线相交的点到第三表面的延长线和第一表面的延长线相交的点的距离的值。
Ts可以是Sn镀层131b的厚度的平均值,Sn镀层131b的厚度的平均值通过以下方法计算:将在图像中的X方向上测量的从第三表面的延长线和第二表面的延长线相交的点到电极层131a的设置在第二表面上的端部的距离等分为十(10)个区段,并且对在十(10)个区段中的五个中心点处测量的Sn镀层131b的厚度取平均。在这种情况下,Sn镀层的厚度是指在Z方向上测量的从电极层131a的外表面到Sn镀层131b的外表面的距离。
安装基板
图5是示意性示出根据本公开的另一实施例的安装基板的透视图。
图6是沿图5的线II-II'截取的截面图。
图7是示出根据本公开的另一实施例的安装基板的修改示例的示图。
在下文中,将参照图5至图7详细描述根据本公开的另一实施例的安装基板1000。然而,为了避免重复描述,省略了与根据本公开的实施例的多层电子组件100共同的描述。
在根据本公开的另一实施例的安装基板1000中,安装了上述根据本公开的实施例的多层电子组件100。安装基板1000包括:基板10,包括设置在基板10的一个表面上的电极焊盘31和32;以及多层电子组件,包括主体和外电极,主体包括介电层111以及与介电层交替设置的内电极121和122,外电极包括设置在主体上的电极层131a和132a以及设置在电极层上的Sn镀层131b'和132b'。Sn镀层设置为与电极焊盘接触。
在将多层电子组件100的外电极131和132设置在基板10的电极焊盘31和32上之后,可通过回流焊热处理来安装它们。在回流焊热处理工艺中,Sn镀层131b和132b可被熔化然后硬化,以粘附到电极焊盘31和32,并且可具有图5至图7中所示的Sn镀层131b'和132b'的形式。
在使用其中焊料施加在电极焊盘上的传统表面安装技术的情况下,多层电子组件的外电极设置在焊料上,然后通过回流焊热处理将多层电子组件安装在基板上,但Sn镀层的表面不直接接触电极焊盘,然而在本公开中,由于不使用焊料,因此Sn镀层131b'和132b'设置为与电极焊盘31和32直接接触。
另外,由于Sn镀层131b和132b在回流焊热处理工艺期间熔化,并且熔化的Sn镀层由于重力而向下流动,因此Sn镀层131b'和132b'的平行于基板10的长度在Sn镀层131b'和132b'与电极焊盘31和32之间的界面处可最长。
参照图6,Sn镀层的在Sn镀层与电极焊盘之间的界面处的长度LS1可比Sn镀层的在Sn镀层与电极层之间的界面处的长度LS2长。也就是说,Sn镀层的长度可具有随着远离基板10而变短的形状。
此外,在Sn镀层131b'和132b'与电极焊盘31和32之间的界面处可包括助焊剂和单分子有机物中的一种或更多种。
在使用焊料进行安装的情况下,焊料可用于固定多层电子组件直到进行回流焊热处理,但是在本公开中,由于不使用焊料,因此可在电极焊盘上印刷助焊剂和单分子有机物中的一种或更多种以固定多层电子组件直到进行回流焊热处理。
焊剂和单分子有机物可在低温下被充分去除。而且,焊剂和单分子有机物即使在低温下不能充分地去除,也很容易被去除。此外,焊剂和单分子有机物几乎没有电效应。因此,他们不会影响在厚度方向上确保空间。然而,在Sn镀层和电极焊盘之间的界面处可部分地检测到助焊剂和单分子有机物中的一种或更多种,即,在Sn镀层和电极焊盘之间的界面处可包括助焊剂和单分子有机物中的一种或更多种。
对于具体示例,助焊剂可以是环氧树脂类、无机类和有机类中的一种或更多种,单分子有机物可以是环氧树脂、增塑剂、增粘剂、分散剂和环氧氧树脂类粘合剂中的一种或更多种。
从电极焊盘31和32到电极层131a和132a的最短距离H1可以是0.1μm至5μm。
如果H1小于0.1μm,那么粘合强度可能不足,并且当H1超过5μm时,安装的多层电子组件的高度H2可能太大而不能利用在厚度方向上的空间。
另外,基板10还可包括设置在基板的一个表面上的焊球50和设置在多层电子组件上的应用处理器AP 70,并且焊球的高度H3可大于多层电子组件的高度H2。
传统上,应用处理器70与基板10之间的空间是未被使用或难以被利用的空间,但是,根据本公开,由于可在不使用焊料的情况下进行安装,因此可使多层电子组件的高度H2最小化,使得多层电子组件100可设置在应用处理器AP与基板10之间的空间中。因此,可最大限度地利用安装基板上的空间。
如上所述,根据本公开,通过调节主体的厚度和Sn镀层的厚度,可提供可在不使用焊料的情况下安装在基板上的多层电子组件。
另外,作为本公开的各种效果之一,可提供一种能够在不使用焊料的情况下确保足够的安装可靠性的多层电子组件。
然而,本公开的各种和有利的优点和效果不限于以上描述,并且将在描述本公开的具体实施例的过程中被更容易理解。
虽然上面已经示出和描述了示例性实施例,但是对于本领域技术人员将显而易见的是,在不脱离本公开的由所附权利要求限定的精神和范围的情况下,可做出修改和变型。

Claims (17)

1.一种多层电子组件,包括:
主体,包括介电层以及与所述介电层交替设置的内电极;以及
外电极,包括设置在所述主体上的电极层和设置在所述电极层上的Sn镀层,
其中,所述Sn镀层的厚度被定义为Ts,并且Ts为4.5μm或更大。
2.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述主体的厚度被定义为Tb,并且Tb为0.22mm或更小。
3.根据权利要求2所述的多层电子组件,其中,Ts与Tb的比Ts/Tb满足0.02或更大。
4.根据权利要求2所述的多层电子组件,其中,所述主体包括在第一方向上相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面并且在第三方向上相对的第五表面和第六表面。
5.根据权利要求4所述的多层电子组件,其中,所述介电层和所述内电极在所述第一方向上交替地设置,并且
Tb是所述主体在所述第一方向上的厚度。
6.根据权利要求4所述的多层电子组件,其中,所述第一表面或所述第二表面是安装表面。
7.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,Ts是从所述电极层的外表面到所述Sn镀层的外表面的距离。
8.根据权利要求4所述的多层电子组件,其中,所述外电极包括分别设置在所述第三表面和所述第四表面上的第一外电极和第二外电极,
所述第一外电极和所述第二外电极分别包括延伸到所述第一表面的一部分和所述第二表面的一部分的带部,并且
所述第一外电极的带部的长度被定义为B1,所述第二外电极的带部的长度被定义为B2,并且B1和B2之间的差为30μm或更小。
9.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述外电极还包括设置在所述电极层与所述Sn镀层之间的界面处的Ni镀层。
10.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述Sn镀层直接设置在所述电极层上。
11.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述电极层包括导电金属和玻璃。
12.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述电极层包括导电金属和树脂。
13.一种其上安装有根据权利要求1-12中任一项所述的多层电子组件的安装基板,所述安装基板包括:
基板,包括设置在所述基板的一个表面上的电极焊盘;以及
所述多层电子组件,
其中,所述Sn镀层设置为与所述电极焊盘接触。
14.根据权利要求13所述的安装基板,其中,所述Sn镀层的平行于所述基板的长度在所述Sn镀层与所述电极焊盘彼此接触的界面处最长。
15.根据权利要求13所述的安装基板,其中,所述Sn镀层与所述电极焊盘之间的界面包括助焊剂和单分子有机物中的一种或更多种。
16.根据权利要求13-15中任一项所述的安装基板,其中,从所述电极焊盘到所述电极层的最短距离为0.1μm至5μm。
17.根据权利要求13-15中任一项所述的安装基板,所述安装基板还包括焊球和应用处理器,所述焊球设置在所述基板的所述一个表面上,所述应用处理器设置在所述焊球和所述多层电子组件上,
其中,所述焊球的高度比所述多层电子组件的高度高。
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