CN113115515B - 一种带腔ltcc基板表面多层精密薄膜电路的制备方法 - Google Patents

一种带腔ltcc基板表面多层精密薄膜电路的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及LTCC、薄膜及混合基板制造领域，特别涉及一种带腔LTCC基板表面多层精密薄膜电路的制备方法，主要包括带腔LTCC基板研磨抛光、腔体填充、表面薄膜电路图形制备、表面介质层制备等步骤。采用本发明的技术方案，可以提高带腔LTCC基板表面薄膜电路图形和介质层图形的线条精度，实现带腔LTCC基板表面多层精密薄膜电路的制备，使基板的功能集成度和应用频率更高。

Description

一种带腔LTCC基板表面多层精密薄膜电路的制备方法
技术领域
本发明涉及LTCC、薄膜及混合基板制造领域，特别涉及一种带腔LTCC基板表面多层精密薄膜电路的制备方法。
背景技术
低温共烧陶瓷(LTCC)技术由于具有低介电常数、低介电损耗、高电阻率、合适的热膨胀系数、低烧结温度，能与高电导率的金属共烧等综合的物理、化学和机械性能以及适合批量制造的工艺性能，已广泛应用在有源相控阵雷达T/R组件中，是实现机载、星载、舰载相控阵雷达小型化、轻量化、高性能、高可靠的有效手段。但LTCC本身存在耐焊性差、线条精度低等问题，限制了其在一些微波、宽带中的应用。薄膜多层技术采用与芯片制造相似的工艺，利用光刻技术制作导带，虽然布线层数最少，因其线条细、间距小，布线密度最高，适应于组装密度高、体积小的高频高速电路中。因此将LTCC厚薄膜混合基板技术，通过采用薄厚膜相结合的方法制作多层微波基板，内部的中、低频信号以及各种控制电源部分采用LTCC技术实现，外部的高频信号采用薄膜多层技术实现，对厚、薄膜技术进行优势互补，使基板兼具LTCC技术和薄膜多层技术的优点，使LTCC基板上导带的耐焊性及线宽精度等性能得到了有效提高，在微波模块和3D系统封装中具有广泛的应用前景。
LTCC厚薄膜混合基板加工过程中，LTCC基板预留的芯片埋置腔体会影响后续薄膜多层工艺的实施：光刻时，基板腔体使得腔体周围线条的尺寸精度变差；介质制备时，腔内聚集大量介质难以去除干净影响后期芯片装配。在此背景下，我们发明了一种线条精度高、材料简单、操作便捷的带腔LTCC基板表面多层薄膜电路的制备方法。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种线条精度高、材料简单、操作便捷的带腔LTCC基板表面多层薄膜电路的制备方法。
本发明采用的技术方案为：
一种带腔LTCC基板表面多层精密薄膜电路的制备方法，包括以下步骤：
(1)对带腔LTCC基板表面进行研磨和抛光；
(2)对步骤(1)处理过的带腔LTCC基板采用有机溶剂进行清洗，之后进行烘片；
(3)对步骤(2)处理后的带腔LTCC基板，将液体状填充胶注入LTCC基板的腔体结构中，填充后进行烘片处理；
(4)将步骤(3)处理后的LTCC基板溅射电镀种子层；
(5)将步骤(4)处理后的LTCC基板取出，进行第一层金属图形光刻，在LTCC基板表面形成金属导带部分裸露的光刻胶结构；
(6)将步骤(5)处理后的LTCC基板放入镀金液中进行金属导带部分镀金加厚形成金属导带结构，电镀后进行清洗和吹干处理；
(7)将步骤(6)处理后的LTCC基板进行表层去胶处理，移除光刻胶结构；
(8)将步骤(7)处理后的LTCC基板去除金属导带图形外的电镀种子层；
(9)将步骤(8)处理后的LTCC基板去除腔内的填充物，去除干净后去离子水冲洗，并氮气吹干；
(10)将腔体填充材料进行切割，切割后腔体填充材料的长度和宽度分别对应小于LTCC基板腔体的长度和宽度；
(11)将步骤(10)切割好的腔体填充材料放置于步骤(9)处理后的LTCC基板腔体结构的底部，与基板底部粘牢且高度低于LTCC腔体深度；
(12)在步骤(11)处理后的LTCC基板表面旋涂光敏性介质材料，之后依次进行烘片、曝光和显影，形成介质膜层图形，之后将LTCC基板腔内的填充材料取出；
(13)将步骤(12)处理后的LTCC基板进行烘片，使介质膜层固化；
(14)将步骤(13)处理后的LTCC基板按照步骤(3)～步骤(9)进行第二层薄膜电路图形的制备；
(15)将步骤(14)处理后的LTCC基板按照步骤(10)～步骤(13)进行第二层介质膜层的制备；
(16)重复步骤(14)和步骤(15)，依次完成下一层薄膜电路图形及介质膜层的制备，直至完成LTCC基板上设计的薄膜多层电路结构。
其中，步骤(3)所述将液体状填充胶注入LTCC基板的腔体结构中，其中液体状填充胶为光刻胶、可剥胶、硅胶或混合胶等，填充工具为点胶机或注射器等；步骤(10)中腔体填充材料是UV膜、陶瓷片或高温胶带等固态材料，填充物成型方式是热切机切割、划片机划切或者手术刀切割等。
其中，步骤(4)中溅射膜层是钛-金膜层结构、钛钨-金或铬-金等。
其中，步骤(12)中光敏性介质材料是聚酰亚胺(PI)或苯并环丁烯(BCB)等。
本发明与现有技术相比所取得的有益效果为：
1、与现有工艺相比，在进行薄膜导带图形光刻和介质层旋涂前分别选用不同的材料进行了腔体填充，提高了薄膜电路图形和介质层图形的线条精度，且各工序的材料兼容性和工艺重复性好，可进行多层薄膜电路图形的制备；
2、与现有工艺在光刻前进行腔体填充、电镀后去除嵌件相比，本方法在溅射前采用液态填充胶进行腔体填充、干法刻蚀后再进行嵌件去除，这一工艺方法避免了整个LTCC表面薄膜电路制备工艺过程中对腔底图形的损伤，在保证表面线条精度的同时有效保护了腔底图形的完整性；
3、介质层制备时，LTCC腔内采用固态腔体填充材料填充腔体，填充物在介质层图形化后可以采用镊子等方式去除，无需有机溶剂浸泡，这一工艺方法：一方面避免了采用光刻胶、混合胶等材料进行腔体填充时嵌件去除过程对介质层的损伤；另一方面腔体填充材料可以避免旋涂过程中介质材料在腔内的聚集，可保证显影后腔内介质层无残留，避免了介质层制备过程对腔底电路性能的影响。
4、整个工艺过程所用的材料均为薄膜加工中的常规材料，易于获得，且操作简单可靠；
附图说明
图1是本发明带腔LTCC基板结构示意图。
图2是本发明带腔LTCC基板腔体填充后的结构示意图。
图3是本发明带腔LTCC基板表面第一层薄膜电路电镀后的结构示意图。
图4是本发明带腔LTCC基板表面第一层薄膜电路制备完成后的结构示意图。
图5是本发明带腔LTCC基板表面旋涂介质层材料后的结构示意图。
图6是本发明带腔LTCC基板表面完成一层薄膜电路制备和第一层介质层制备后的结构示意图。
图7是本发明带腔LTCC基板表面第二层薄膜电路制备完成后的结构示意图。
图8是本发明带腔LTCC基板表面第二层介质层制备完成后的结构示意图。
图9是本发明带腔LTCC基板表面第三层薄膜电路制备完成后的结构示意图。
具体实施方式
下面，结合附图对本发明作进一步说明。
一种带腔LTCC基板表面多层精密薄膜电路的制备方法，包括以下步骤：
(1)对带有腔体结构1的LTCC基板表面进行研磨和抛光；
实施例中，使用研磨机和抛光机对图1所示带有腔体结构1的LTCC基板进行研磨抛光，研磨抛光后LTCC基板翘曲小于20μm，LTCC基板表面粗糙度为10nm～30nm。
(2)步骤(1)处理过的LTCC基板依次采用丙酮、异丙醇等有机溶剂进行清洗，之后进行烘片。
实施例中，步骤(1)处理过的LTCC基板放入丙酮中浸泡3遍，每遍浸泡时间为10min～15min；将LTCC基板从丙酮中取出，放入异丙醇溶液中浸泡10min～15min；将LTCC基板从异丙醇溶液中取出，用去离子水喷淋清洗10min；用氮气枪将LTCC基板吹干；将LTCC基板放于退火炉中，300℃～350℃烘片30min～40min。
(3)将步骤(2)处理后的LTCC基板取出，将液体状填充胶2注入LTCC基板的腔体结构1中，填充后进行烘片处理；其中，液体状填充胶为光刻胶、可剥胶、硅胶或混合胶等，填充工具为点胶机或注射器等；
实施例中，将步骤(2)处理后的LTCC基板取出，使用点胶机将光刻胶2注入LTCC基板的腔体结构1中，注入的光刻胶2表面与LTCC基板表面保持平齐，将腔体填充后的LTCC基板置于热板上进行烘片处理。
(4)将步骤(3)处理后的LTCC基板送入磁控溅射台，溅射电镀种子层结构301；其中，溅射膜层是钛-金膜层结构、钛钨-金或铬-金等；
实施例中，将步骤(3)处理后的LTCC基板送入磁控溅射台中，依次溅射钛膜层100nm、金膜层100nm形成电镀种子层结构301。
(5)将步骤(4)处理后LTCC基板取出，进行第一层金属图形光刻，在LTCC基板表面形成金属导带部分裸露的光刻胶结构4；
实施例中，将步骤(4)处理后的LTCC基板取出，使用匀胶机在LTCC基板表面旋涂光刻胶5μm～7μm，之后置于热板上进行前烘处理；将LTCC基板取出，用曝光机进行薄膜电路图形的曝光；将曝光后的LTCC基板放入显影液中显影形成光刻胶结构4，之后进行水洗并用氮气枪吹干；将吹干后的LTCC基板放入等离子去胶机中去除残胶；将LTCC基板取出，置于热板上进行后烘处理。
(6)将步骤(5)处理后的LTCC基板放入镀金液中进行镀金加厚形成金属导带结构302，电镀后进行清洗、吹干处理；
实施例中，将步骤(5)处理后的LTCC基板放入等离子清洗机中处理进行表面金属活化，之后放入镀金液中进行镀金加厚形成金属导带结构302，电镀金层厚度为2.5μm～3μm；取出LTCC基板，用去离子水进行喷淋清洗，并用氮气枪将LTCC基板吹干。
(7)将步骤(6)处理后的LTCC基板进行表层去胶处理，移除光刻胶结构4；
实施例中，将步骤(6)处理后的LTCC基板放入丙酮中浸泡2遍，每遍浸泡时间为4min～5min；将LTCC基板从丙酮中取出，放入异丙醇溶液中浸泡1min～2min，浸泡过程中不断在溶液中晃动LTCC基板；将LTCC基板从异丙醇溶液中取出，用去离子水喷淋清洗10min；用氮气枪将LTCC基板吹干。
(8)将步骤(7)处理后的LTCC基板放入干法刻蚀机中，干法刻蚀去除金属导带结构302范围外的种子层结构301；
实施例中，将步骤(7)处理后的LTCC基板放入干法刻蚀机中，干法刻蚀金膜层5min～6min，金膜层刻蚀干净后再干法刻蚀钛膜层6min～7min。
(9)将步骤(8)处理后的LTCC基板取出，采用丙酮、乙醇等有机溶剂去除腔内的填充结构2，去除干净后去离子水冲洗，氮气吹干，完成图4所示带有腔体结构1的LTCC基板表面第一层电路结构3的制备；
实施例中，将步骤(8)处理后的LTCC基板放入70℃丙酮溶液中浸泡60min；将LTCC基板从70℃丙酮溶液中取出，放入常温丙酮溶液中浸泡2遍，每遍浸泡时间为20min～30min；将LTCC基板从丙酮中取出，放入异丙醇溶液中浸泡2遍，每遍浸泡时间为10min～15min；将LTCC基板从异丙醇溶液中取出，用去离子水喷淋清洗10min；用氮气枪将LTCC基板吹干。
(10)将腔体填充材料进行切割，切割后腔体填充材料的长度和宽度比LTCC腔体的长度和宽度各小10μm～20μm；其中，腔体填充材料是UV膜陶瓷片或高温胶带等，填充物成型方式是热切机切割、划片机划切或者手术刀切割等；
实施例中，将粘性UV膜贴在柔性载体上，之后置于热切机工作台上，使用热切刀将柔性载体上的UV膜切透，其中切割后UV膜的长度和宽度比LTCC腔体的长度和宽度各小10μm～20μm。
(11)将步骤(10)切割好的填充材料放置于步骤(9)处理后的LTCC基板腔体结构底部，使其与基板底部粘牢，同时高度要略低于LTCC腔体深度，对于腔体深度较大的LTCC基板可以在腔内填充多层切割好的填充材料，形成腔体填充结构5；
实施例中，在体式显微镜下，使用镊子将步骤(10)切割好的UV膜放置于步骤(9)处理后的LTCC基板腔体结构1的底部，使UV膜与基板底部粘牢，对于腔体深度较大的LTCC基板可以在腔内填充多层UV膜，最终LTCC腔体内的UV膜填充结构5高度要略低于LTCC腔体结构1的深度；
(12)在步骤(11)处理后的LTCC基板表面旋涂光敏性介质材料6，之后依次进行烘片、曝光和显影，图形化完成后将LTCC基板腔内的固态填充物取出；其中，光敏性介质材料是聚酰亚胺(PI)或苯并环丁烯(BCB)等；
实施例中，如图5所示，使用匀胶机在骤(11)处理后的LTCC基板表面旋涂光敏性聚酰亚胺作为介质层材料6，之后置于热板上进行前烘处理；将LTCC基板取出，用曝光机进行介质层图形的曝光；将曝光后的LTCC基板取出，放于聚酰亚胺显影液中显影，之后进行水洗并用氮气枪吹干；图形化完成后用镊子将LTCC基板腔内的UV膜取出。
(13)将步骤(12)处理后的LTCC基板进行烘片，使介质膜层固化，完成图6中介质膜层结构7的制备，完成图6所示带腔LTCC基板表面单层薄膜电路3单层介质膜层结构7的制备；
实施例中，将步骤(12)处理后的带有介质膜层结构7的LTCC基板放于退火炉中进行固化处理，其中固化温度曲线为：80℃保温15min→150℃保温30min→250℃保温60min，固化氛围为：氮气氛围。
(14)将步骤(13)处理后的LTCC基板取出，按照步骤(3)～步骤(9)进行第二层薄膜电路图形结构8的制备；
实施例中，将步骤(13)处理后的LTCC基板取出，按照步骤(3)～步骤(9)进行图7所示带腔体结构1的LTCC基板表面第二层薄膜电路图形结构8的制备。
(15)将步骤(14)处理后的LTCC基板取出，按照步骤(10)～步骤(13)进行第二层介质膜层9的制备；
实施例中，将步骤(14)处理后的LTCC基板取出，按照步骤(10)～步骤(13)进行图8所示带腔体结构1的LTCC基板表面第二层介质膜层结构9的制备；
(16)重复步骤(14)和步骤(15)，依次完成下一层薄膜电路图形及介质膜层的制备，直至完成LTCC基板上设计的薄膜多层电路结构；
实施例中，将步骤(15)处理后的LTCC基板取出，按照步骤(3)～步骤(9)进行图9所示带腔体结构1的LTCC基板表面第三层薄膜电路图形结构10的制备；
完成带腔LTCC基板表面多层精密薄膜电路的制备。

Claims (4)

1.一种带腔LTCC基板表面多层精密薄膜电路的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)对带腔LTCC基板表面进行研磨和抛光；
(2)对步骤(1)处理过的带腔LTCC基板采用有机溶剂进行清洗，之后进行烘片；
(3)对步骤(2)处理后的带腔LTCC基板，将液体状填充胶注入LTCC基板的腔体结构中，填充后进行烘片处理；
(4)将步骤(3)处理后的LTCC基板溅射电镀种子层；
(5)将步骤(4)处理后的LTCC基板进行第一层金属图形光刻，在LTCC基板表面形成金属导带部分裸露的光刻胶结构；
(6)将步骤(5)处理后的LTCC基板放入镀金液中进行金属导带部分镀金加厚，形成金属导带结构，电镀后进行清洗和吹干处理；
(7)将步骤(6)处理后的LTCC基板进行表层去胶处理，移除光刻胶结构；
(8)将步骤(7)处理后的LTCC基板去除金属导带图形外的电镀种子层；
(9)将步骤(8)处理后的LTCC基板去除腔内的填充物，去除干净后去离子水冲洗，并氮气吹干；
(10)将固态腔体填充材料进行切割，切割后固态腔体填充材料的长度和宽度分别对应小于LTCC基板腔体的长度和宽度；
(11)将步骤(10)切割好的腔体填充材料放置于步骤(9)处理后的LTCC基板腔体结构的底部，与基板底部粘牢且高度低于LTCC腔体深度；
(12)在步骤(11)处理后的LTCC基板表面旋涂光敏性介质材料，之后依次进行烘片、曝光和显影，形成介质膜层图形，之后将LTCC基板腔内的填充材料取出；
(13)将步骤(12)处理后的LTCC基板进行烘片，使介质膜层固化；
(14)将步骤(13)处理后的LTCC基板按照步骤(3)～步骤(9)进行第二层薄膜电路图形的制备；
(15)将步骤(14)处理后的LTCC基板按照步骤(10)～步骤(13)进行第二层介质膜层的制备；
(16)重复步骤(14)和步骤(15)，依次完成下一层薄膜电路图形及介质膜层的制备，直至完成LTCC基板上设计的薄膜多层电路结构。
2.根据权利要求1所述的一种带腔LTCC基板表面多层精密薄膜电路的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述将液体状填充胶注入LTCC基板的腔体结构中，其中液体状填充胶为光刻胶、可剥胶、硅胶或混合胶，填充工具为点胶机或注射器；步骤(10)中腔体填充材料是UV膜、陶瓷片或高温胶带，填充物成型方式是热切机切割、划片机划切或者手术刀切割。
3.根据权利要求1所述的一种带腔LTCC基板表面多层精密薄膜电路的制备方法，其特征在于，步骤(4)中溅射膜层是钛-金膜层结构、钛钨-金或铬-金。
4.根据权利要求1所述的一种带腔LTCC基板表面多层精密薄膜电路的制备方法，其特征在于，步骤(12)中光敏性介质材料是聚酰亚胺或苯并环丁烯。
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JP3580688B2 (ja) * 1997-12-25 2004-10-27 京セラ株式会社 積層セラミック回路基板の製造方法
KR102042033B1 (ko) * 2012-10-30 2019-11-08 엘지이노텍 주식회사 칩 실장형 인쇄회로기판 및 그 제조방법
CN103922869B (zh) * 2014-03-28 2015-09-16 中国电子科技集团公司第五十四研究所 一种用于单膜层ltcc内埋腔体结构的制造方法
CN111430247A (zh) * 2020-03-27 2020-07-17 电子科技大学 基于钛基板电镀图形转移方法制成的ltcc器件

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