CN113113839B - 一种激光器芯片 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例公开了一种激光器芯片，包括：位于同一衬底上的调制模块和激光模块，所述调制模块包括第一调制器和第二调制器；其中，所述第一调制器包括：在所述衬底上依次层叠的第一包覆层、第一填充层和第一电极层；所述第二调制器包括：在所述衬底上依次层叠的第二包覆层、第三包覆层和第二电极层；所述第三包覆层为深脊波导结构，所述第三包覆层覆盖所述第二包覆层的第一部分区域，所述第二包覆层未被所述第三包覆层覆盖的第二部分区域覆盖有第二填充层。

Description

一种激光器芯片
技术领域
本申请涉及光通信技术领域，尤其涉及一种激光器芯片。
背景技术
在我们所处的信息时代里，人们对多种多样的广泛信息的需求，促进了通信系统向更高速率和更大容量方向发展，单个光传输芯片的传输容量和元件的集成度的提高是主要趋势。电吸收调制激光器(Eroabsorption Modulated Laser，EML)是光通信系统中(尤其是长途干线网络中)的一种主要的光信号产生元件。由于材料生长技术的原因，现有的EML芯片的结构激光器端和调制器端的结构基本是一样的，为了提高EML芯片传输的带宽，如何降低调制器端的电容是关键。
为了降低调制器端的电容，通常采用减小量子阱的宽度的方式，这种方式虽然可以提高传输带宽，但是也会使得光限制因子的降低，造成光斑变形。
发明内容
有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种激光器芯片。
为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：
第一方面，本申请实施例提供一种激光器芯片，包括：位于同一衬底上的调制模块和激光模块，所述调制模块包括第一调制器和第二调制器；其中，
所述第一调制器包括：在所述衬底上依次层叠的第一包覆层、第一填充层和第一电极层；
所述第二调制器包括：在所述衬底上依次层叠的第二包覆层、第三包覆层和第二电极层；所述第三包覆层为深脊波导结构，所述第三包覆层覆盖所述第二包覆层的第一部分区域，所述第二包覆层未被所述第三包覆层覆盖的第二部分区域覆盖有第二填充层。
在一种可选的实施方式中，所述第一填充层覆盖所述第一包覆层的第一部分区域；
所述第一调制器还包括第四包覆层，所述第四包覆层覆盖所述第一包覆层的第二部分区域，所述第二部分区域是指所述第一包覆层中未被所述第一填充层覆盖的区域。
在一种可选的实施方式中，所述第二调制器还包括第一量子阱层和/或第一接触层；其中，
所述第一量子阱层位于所述第二包覆层和所述第三包覆层之间；
所述第一接触层位于所述第三包覆层和所述第二电极层之间。
在一种可选的实施方式中，所述第二电极层的第一部分区域覆盖所述第一接触层，且所述第二电极层的第二部分区域覆盖所述第二填充层。
在一种可选的实施方式中，所述第二调制器包括所述第一量子阱层的情况下，所述第二填充层的高度大于所述第一量子阱层和所述第三包覆层的总高度；或者，
所述第二调制器包括所述第一接触层的情况下，所述第二填充层的高度大于所述第一接触层和所述第三包覆层的总高度；或者，
所述第二调制器包括所述第一量子阱层和所述第一接触层的情况下，所述第二填充层的高度大于或等于所述第一量子阱层、所述第三包覆层和所述第一接触层的总高度。
在一种可选的实施方式中，所述第一量子阱层满足以下至少一个特征：
第一特征，所述第一特征指所述第一量子阱层包括的第一量子阱的数量为10-15个；
第二特征，所述第二特征指所述第一量子阱的宽度为1.6μm-1.7μm。
在一种可选的实施方式中，所述激光模块包括在所述衬底上的层叠结构和覆盖所述层叠结构顶部和侧壁的第三电极层；其中，
所述层叠结构包括依次层叠的第五包覆层、填埋层、第六包覆层、第二接触层和绝缘层；所述绝缘层的顶部具有开口，所述第三电极层通过所述开口与所述第二接触层接触。
在一种可选的实施方式中，所述激光模块还包括位于所述填埋层中的第二量子阱层。
在一种可选的实施方式中，所述第二量子阱层满足以下至少一个特征：
第三特征，所述第三特征指所述第二量子阱层包括的第二量子阱的数量为5-10个；
第四特征，所述第四特征指所述第二量子阱的宽度为1.6μm-1.7μm。
在一种可选的实施方式中，所述激光器芯片还包括隔离部；其中，
所述隔离部设置于所述调制模块和所述激光模块之间，用于隔离所述调制模块和所述激光模块。
在一种可选的实施方式中，所述激光器芯片还包括输出波导；其中，
所述激光模块、所述调制模块和所述输出波导沿激光传输方向依次设置。
在一种可选的实施方式中，所述输出波导包括在所述衬底上依次层叠的第七包覆层、第八包覆层和第三接触层；其中，
所述第八包覆层与所述第一量子阱层和所述第三包覆层耦合对接，以吸收所述第二调制器输出的激光。
本申请实施例提供的激光器芯片包括两个调制器，结构简单的第一调制器和深脊型结构的第二调制器，由于结构简单的第一调制器可以降低寄生电容，深脊型结构的第二调制器可以提高光限制因子，因此，通过这两个调制器的协同工作，可以在不降低传输带宽的情况下，提高光限制因子，从而避免出现因光限制因子降低而造成的光斑变形的问题。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种激光器芯片的俯视图；
图2为本申请实施例提供的图1中的激光器芯片的第一调制器的剖视图；
图3为本申请实施例提供的图1中的激光器芯片的第二调制器的剖视图；
图4为本申请实施例提供的图1中的激光器芯片的激光模块的剖视图；
图5为本申请实施例提供的不同波导结构的光限制因子示意图；
图6为本申请实施例提供的图1中的激光器芯片的输出波导的剖视图；
图7为本申请实施例一实施例提供的激光器芯片的优选结构参数示意图；
图8为本申请实施例提供的激光器芯片的输出功率的波形图；
图9a为传统激光器芯片的光斑测试图；
图9b为本申请实施例提供的激光器芯片的光斑测试图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本申请公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本申请的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本申请，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本申请，并且能够将本申请公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本申请更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本申请可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本申请发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述；即，这里不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构。
在附图中，为了清楚，层、区、元件的尺寸以及其相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
应当明白，当元件或层被称为“在……上”、“与……相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在……上”、“与……直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本申请教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。而当讨论的第二元件、部件、区、层或部分时，并不表明本申请必然存在第一元件、部件、区、层或部分。
空间关系术语例如“在……下”、“在……下面”、“下面的”、“在……之下”、“在……之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在……下面”和“在……下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本申请的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
本申请实施例提供一种激光器芯片，图1为本申请实施例提供的一种激光器芯片的俯视图，所述激光器芯片包括：位于同一衬底上的调制模块100和激光模块200，所述调制模块100包括第一调制器110和第二调制器120。
在本申请实施例中，所述激光器芯片还包括隔离部300；其中，所述隔离部300设置于所述调制模块100和所述激光模块200之间，用于隔离所述调制模块100和所述激光模块200。
在本申请实施例中，所述激光器芯片还包括输出波导400；其中，所述激光模块200、所述调制模块100和所述输出波导400沿激光传输方向依次设置。
在本申请实施例中，所述激光器芯片中的激光模块200(光源)提供激光，所述激光经所述隔离部300传输至所述调制模块100，所述调制模块100对所述激光进行调制，在实际应用时，可以通过对所述调制模块100中的电极层施加电压来调制激光的强度，所述调制模块100将调制后的激光经由所述输出波导400进行输出。
图2为本申请实施例提供的图1中的激光器芯片的第一调制器的剖视图，图3为本申请实施例提供的图1中的激光器芯片的第二调制器的剖视图，结合图1至图3所示，所述第一调制器110包括：在所述衬底上依次层叠的第一包覆层111、第一填充层112和第一电极层113；
所述第二调制器120包括：在所述衬底上依次层叠的第二包覆层121、第三包覆层122和第二电极层123；所述第三包覆层122为深脊波导结构，所述第三包覆层122覆盖所述第二包覆层121的第一部分区域，所述第二包覆层121未被所述第三包覆层122覆盖的第二部分区域覆盖有第二填充层124。
在实际应用时，所述调制模块可以为电吸收调制器(Electro AbsorptionModulator，EAM)。
在本申请实施例中，如图3所示，所述第三包覆层122为深脊波导结构，所述第二调制器120中的深脊波导结构的第三包覆层122位于所述第二填充层124的两侧，所述第二填充层124的高度大于或等于所述第三包覆层122的高度。在实际应用时，对所述第三包覆层122进行刻蚀以形成深脊波导，而刻蚀的沟槽经填充材料进行填充而形成所述第二填充层124。
在本申请实施例中，如图2所示，所述第一填充层112覆盖所述第一包覆层111的第一部分区域；所述第一调制器110还包括第四包覆层114，所述第四包覆层覆盖114所述第一包覆层111的第二部分区域，所述第二部分区域是指所述第一包覆层111中未被所述第一填充层112覆盖的区域。
在本申请实施例中，所述第一调制器110还包括位于所述第一包覆层111和所述第一填充层112之间、位于所述第四包覆层114和所述第一填充层112之间的第一绝缘层115。在实际应用时，所述第一绝缘层115和所述第一填充层112共同构成所述第一调制器110的绝缘填充部分。本申请实施例中对所述第四包覆层114进行刻蚀形成两条深脊波导和一条沟槽，在刻蚀后的结构上沉积一层第一绝缘层115，所述第一绝缘层115覆盖所述深脊波导和所述沟槽，再在所述沟槽内填充第一填充层材料，以形成所述第一填充层112。
如图2所示，所述第四包覆层114也为深脊波导结构，所述第一调制器110中的深脊波导结构的第四包覆层114位于所述第一填充层112的两侧，所述第一填充层112的高度小于或等于所述第四包覆层114的高度。在实际应用时，对所述第四包覆层114进行刻蚀以形成深脊波导，而刻蚀的沟槽经填充材料进行填充而形成所述第一填充层112。
在本申请实施例中，所述第一填充层112的材料为绝缘树脂材料，例如为苯并环丁烯(Benzocyclobutene，BCB)。
本申请实施例中，第一调制器中结构简单且采用绝缘树脂材料形成填充层，从而降低了激光器芯片中调制模块的寄生电容。如此，就无需为了降低激光器芯片调制器端的电容而对调制器的尺寸进行缩限，本申请实施例中通过简化第一调制器的结构而降低其寄生电容，如此就无需再对第一调制器的宽度进行缩限，进一步地，也就无需对第一调制器中深脊波导的宽度进行缩限。
在本申请实施例中，如图3所示，所述第二调制器120还包括第一量子阱层125；其中，所述第一量子阱层125位于所述第二包覆层121和所述第三包覆层122之间。
在本申请实施例中，所述第二调制器120还包括第一接触层126；其中，所述第一接触层126位于所述第三包覆层122和所述第二电极层123之间。
在本申请实施例中，所述第二填充层124的高度大于所述第一量子阱层125和所述第三包覆层122的总高度。
在本申请实施例中，所述第二填充层124的高度大于所述第一接触层126和所述第三包覆层122的总高度。
在本申请实施例中，所述第二填充层124的高度大于或等于所述第一量子阱层125、所述第三包覆层122和所述第一接触层126的总高度。
在本申请实施例中，所述第二填充层124的材料为绝缘树脂材料，例如为苯并环丁烯。
这里，所述第二调制器120还包括位于所述第三包覆层122和所述第二填充层124之间、位于所述第二包覆层121和所述第二填充层124之间的第二绝缘层127。在实际应用时，所述第二绝缘层127和所述第二填充层124共同构成所述第二调制器120的绝缘填充部分。本申请实施例中对所述第三包覆层122、第一量子阱层125和第二包覆层121进行刻蚀形成三条深脊波导和两条沟槽，并将第一量子阱层125刻蚀成三部分，在刻蚀后的结构上沉积一层第二绝缘层127，所述第二绝缘层127覆盖所述深脊波导和所述沟槽，再在所述沟槽内填充第二填充层材料，以形成所述第二填充层124。
结合图2和图3所示，所述第一调制器110中所述第四包覆层114包括两条深脊波导，所述第二调制器120中所述第三包覆层122包括三条深脊波导，相较而言，所述第二调制器120的制造精度和难度都大于第一调制器110。而采用这种制造精度和难度高的调制器会造成制造成本的大幅上升，因此，本申请实施例中对第一调制器的结构进行简化，从而降低了第一调制器的寄生电容，并进一步降低了本申请实施例中调制模块的整体制造难度和成本。
在本申请实施例中，所述第二电极层123的第一部分区域覆盖所述第一接触层126，且所述第二电极层123的第二部分区域覆盖所述第二填充层124。这里，所述第二电极层123的第二部分区域覆盖所述第二填充层124的部分裸露区域(上表面区域)。
在本申请实施例中，所述第一量子阱层125满足以下至少一个特征：
第一特征，所述第一特征指所述第一量子阱层125包括的第一量子阱的数量为10-15个；
第二特征，所述第二特征指所述第一量子阱的宽度为1.6μm-1.7μm。
图4为本申请实施例提供的图1中的激光器芯片的激光模块的剖视图，如图4所示，所述激光模块200包括在所述衬底上的层叠结构和覆盖所述层叠结构顶部和侧壁的第三电极层201；其中，所述层叠结构包括依次层叠的第五包覆层202、填埋层203、第六包覆层204、第二接触层205和绝缘层206；所述绝缘层206的顶部具有开口，所述第三电极层201通过所述开口与所述第二接触层205接触。
在实际应用时，所述激光模块可以为分布反馈式激光器(Distributed FeedbackLaser，DFB)。
在本申请实施例中，所述填埋层203为n-InP层。
在本申请实施例中，所述激光模块200还包括位于所述填埋层中的第二量子阱层207。
在本申请实施例中，所述第二量子阱层207满足以下至少一个特征：
第三特征，所述第三特征指所述第二量子阱层207包括的第二量子阱的数量为5-10个；
第四特征，所述第四特征指所述第二量子阱的宽度为1.6μm-1.7μm。
在本申请实施例中，所述激光模块为掩埋异质结结构，该掩埋异质结结构的激光模块的阈值电流较小。
在实际应用时，所述第一量子阱的数量可以为12个，所述第一量子阱的宽度为1.6μm；所述第二量子阱的数量可以为8个，所述第二量子阱的宽度为1.7μm。现有技术中为了降低调制器端的电容，通常采用减小量子阱的宽度(小于1.4μm)的方式，这种方式虽然可以提高传输带宽，但是也会使得光限制因子的降低，造成出光光斑变形。而本申请实施例中，在不减小量子阱的宽度的前提下，通过降低调制器的寄生电容，提高调制器的光限制因子来提高激光器芯片的传输带宽。并且，由于光限制因子的提高，还能够避免出现光斑变形的情况。
图5为本申请实施例提供的不同波导结构的光限制因子示意图，如图5所示，图5提供了三种波导结构的光限制因子，曲线A为深脊波导结构(调制模块)的光限制因子随波导宽度变化的曲线；曲线B为掩埋异质结波导结构(激光模块)的光限制因子随波导宽度变化的曲线；曲线C为脊波导结构(传统结构)的光限制因子随波导宽度变化的曲线。由图5可知，相较于掩埋异质结波导结构和脊波导结构，深脊波导结构的波导的光限制因子最高。
图6为本申请实施例提供的图1中的激光器芯片的输出波导的剖视图，如图6所示，所述输出波导400包括在所述衬底上依次层叠的第七包覆层401、第八包覆层402和第三接触层403；其中，
所述第八包覆层402与所述第一量子阱层125和所述第三包覆层122耦合对接，以吸收所述第二调制器120输出的激光。
为了提高深脊型波导结构的调制模块100的光斑质量，本申请实施例在调制模块100的输出端设置了输出波导400，该输出波导400结构简单，为全波导结构，从而输出波导400可以吸收所述调制模块100输出的全部激光。所述输出波导400的第八包覆层402与所述第一量子阱层125和所述第三包覆层122完全耦合对接，由此为光斑保留了良好的输光界面，从而可以输出的光斑质量很好。
在本申请实施例中，所述第一包覆层111、所述第二包覆层121、所述第三包覆层122、所述第四包覆层114、所述第五包覆层202、所述第六包覆层204、所述第七包覆层401和所述第八包覆层402为p-InP层。
在本申请实施例中，所述第一接触层126和所述第二接触层205为InGaAs层。
在本申请实施例中，所述激光模块200的长度范围为310um-330um，所述隔离部300的长度范围为45um-55um，所述调制模块100的长度范围为150um-170um，所述输出波导400的长度范围为35um-45um。图7为本申请实施例一实施例提供的激光器芯片的优选结构参数示意图，优选的，所述激光模块200的长度为320um，所述隔离部300的长度为50um，所述调制模块100的长度为160um，所述输出波导400的长度为40um。
图8为本申请实施例提供的激光器芯片的输出功率的波形图，如图8所示，在调制模块加反偏电压时，激光器芯片的光功率的波动较小，测试曲线较为平滑，其中，横坐标表示带宽(GHz)，纵坐标表示功率(dB)，对本申请提供的激光器芯片分别施加0V电压、0.3V电压、0.6V电压和0.9V电压，得到测试曲线L1。需要说明的是，由于不同电压下的测试曲线波动较小，因此本申请实施例中未对每个电压下的测试曲线进行区分。曲线L2为测试设备的校准指标。测试曲线L1在-3dB时，其对应的带宽也可以达到26GHz。本申请实施例提供的激光器芯片能够在不降低传输带宽的前提下，提高光限制因子，从而避免出现因光限制因子降低而造成的光斑变形的问题。由图8可知，激光器芯片对应的测试曲线较为平滑，光功率波动较小，当光功率值较好的稳定在一个区间内，可以提升对应的带宽。
图9a为传统激光器芯片的光斑测试图，图9b为本申请实施例提供的激光器芯片的光斑测试图，结合图9a和图9b的光斑测试图中可以看出，本申请实施例提供的激光器芯片输出的光斑形态要远优于传统激光器芯片输出的光斑。本申请实施例提供的激光器芯片输出的光斑不存在形变。
本申请实施例公开了一种激光器芯片，包括：位于同一衬底上的调制模块和激光模块，所述调制模块包括第一调制器和第二调制器；其中，所述第一调制器包括：在所述衬底上依次层叠的第一包覆层、第一填充层和第一电极层；所述第二调制器包括：在所述衬底上依次层叠的第二包覆层、第三包覆层和第二电极层；所述第三包覆层为深脊波导结构，所述第三包覆层覆盖所述第二包覆层的第一部分区域，所述第二包覆层未被所述第三包覆层覆盖的第二部分区域覆盖有第二填充层。本申请实施例提供的激光器芯片包括结构简单的第一调制器和深脊型结构的第二调制器，由于结构简单的第一调制器可以降低寄生电容，深脊型结构的第二调制器可以提高光限制因子，因此，通过这两个调制器的协同工作，可以在不降低传输带宽的情况下，提高光限制因子，从而避免出现因光限制因子降低而造成的光斑变形的问题。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种激光器芯片，其特征在于，包括：位于同一衬底上的调制模块和激光模块，所述调制模块包括第一调制器和第二调制器；其中，
所述第一调制器包括：在所述衬底上依次层叠的第一包覆层、第一填充层和第一电极层；
所述第二调制器包括：在所述衬底上依次层叠的第二包覆层、第三包覆层和第二电极层；所述第三包覆层为深脊波导结构，所述第三包覆层覆盖所述第二包覆层的第一部分区域，所述第二包覆层未被所述第三包覆层覆盖的第二部分区域覆盖有第二填充层。
2.根据权利要求1所述的激光器芯片，其特征在于，所述第一填充层覆盖所述第一包覆层的第一部分区域；
所述第一调制器还包括第四包覆层，所述第四包覆层覆盖所述第一包覆层的第二部分区域，所述第二部分区域是指所述第一包覆层中未被所述第一填充层覆盖的区域。
3.根据权利要求1所述的激光器芯片，其特征在于，所述第二调制器还包括第一量子阱层和/或第一接触层；其中，
所述第一量子阱层位于所述第二包覆层和所述第三包覆层之间；
所述第一接触层位于所述第三包覆层和所述第二电极层之间。
4.根据权利要求3所述的激光器芯片，其特征在于，所述第二电极层的第一部分区域覆盖所述第一接触层，且所述第二电极层的第二部分区域覆盖所述第二填充层。
5.根据权利要求3所述的激光器芯片，其特征在于，
所述第二调制器包括所述第一量子阱层的情况下，所述第二填充层的高度大于所述第一量子阱层和所述第三包覆层的总高度；或者，
所述第二调制器包括所述第一接触层的情况下，所述第二填充层的高度大于所述第一接触层和所述第三包覆层的总高度；或者，
所述第二调制器包括所述第一量子阱层和所述第一接触层的情况下，所述第二填充层的高度大于或等于所述第一量子阱层、所述第三包覆层和所述第一接触层的总高度。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的激光器芯片，其特征在于，所述第一量子阱层满足以下至少一个特征：
第一特征，所述第一特征指所述第一量子阱层包括的第一量子阱的数量为10-15个；
第二特征，所述第二特征指所述第一量子阱的宽度为1.6μm-1.7μm。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的激光器芯片，其特征在于，所述激光模块包括在所述衬底上的层叠结构和覆盖所述层叠结构顶部和侧壁的第三电极层；其中，
所述层叠结构包括依次层叠的第五包覆层、填埋层、第六包覆层、第二接触层和绝缘层；所述绝缘层的顶部具有开口，所述第三电极层通过所述开口与所述第二接触层接触。
8.根据权利要求7所述的激光器芯片，其特征在于，所述激光模块还包括位于所述填埋层中的第二量子阱层；
所述第二量子阱层满足以下至少一个特征：
第三特征，所述第三特征指所述第二量子阱层包括的第二量子阱的数量为5-10个；
第四特征，所述第四特征指所述第二量子阱的宽度为1.6μm-1.7μm。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的激光器芯片，其特征在于，所述激光器芯片还包括隔离部；其中，
所述隔离部设置于所述调制模块和所述激光模块之间，用于隔离所述调制模块和所述激光模块。
10.根据权利要求3至5中任一项所述的激光器芯片，其特征在于，所述激光器芯片还包括输出波导；其中，
所述激光模块、所述调制模块和所述输出波导沿激光传输方向依次设置；
所述输出波导包括在所述衬底上依次层叠的第七包覆层、第八包覆层和第三接触层；其中，
所述第八包覆层与所述第一量子阱层和所述第三包覆层耦合对接，以吸收所述第二调制器输出的激光。
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