CN116111452A - 一种电吸收调制激光器芯片的结构和制造方法 - Google Patents

一种电吸收调制激光器芯片的结构和制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116111452A
CN116111452A CN202111330717.9A CN202111330717A CN116111452A CN 116111452 A CN116111452 A CN 116111452A CN 202111330717 A CN202111330717 A CN 202111330717A CN 116111452 A CN116111452 A CN 116111452A
Authority
CN
China
Prior art keywords
modulation
quantum well
region
laser
ridge waveguide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111330717.9A
Other languages
English (en)
Inventor
熊永华
万枫
余洁
曾笔鉴
陈玲玲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hubei Optics Valley Laboratory
Accelink Technologies Co Ltd
Original Assignee
Hubei Optics Valley Laboratory
Accelink Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hubei Optics Valley Laboratory, Accelink Technologies Co Ltd filed Critical Hubei Optics Valley Laboratory
Priority to CN202111330717.9A priority Critical patent/CN116111452A/zh
Publication of CN116111452A publication Critical patent/CN116111452A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/2203—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure with a transverse junction stripe [TJS] structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
    • H01S5/2222—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本发明涉及激光器技术领域，提供了一种电吸收调制激光器芯片的结构和制造方法。包括激光区1、隔离区2和调制区3依次耦合构成电吸收调制激光器芯片，具体的：所述激光区1、隔离区2和调制区3拥有各自的脊型波导结构；其中，位于调制区3的脊型波导结构下的量子阱宽度比激光区1的脊型波导结构下的量子阱宽度大预设值。本发明中通过采用脊形波导工艺，无需进行掺铁掩埋埋层生长，减少了外延步骤和掺铁掩埋生长导致的失效现象，具有成品率高，成本低的优点。

Description

一种电吸收调制激光器芯片的结构和制造方法
【技术领域】
本发明涉及激光器技术领域，特别是涉及一种电吸收调制激光器芯片的结构和制造方法。
【背景技术】
光纤通信自问世以来，在短短的30年内得到了飞速的发展，云计算、大数据、智能手机等后端需求的快速增长对芯片传输速率和传输距离提出了越来越高的要求。高速率、低功耗成为未来光电子芯片发展的一个趋势。目前在25Gb/s及以下速率应用中，直接调制激光器以其外延步骤少、成本低的优点广泛应用于光通信传输中。但是随着传输速率的增加及传输距离的延长，分布反馈式直接调制激光器(DFB)由于受其电容限制，传输速率和带宽收到限制，而电吸收调制激光器(EML)以其电容小的优点弥补了直接调制激光器在这一方面的不足，在56Gb/s及更高速率更具优势。
目前高速电吸收调制激光器普遍采用埋层掩埋结构进行外延生长和芯片制作。通常流程为激光器外延生长-光栅制作-光栅掩埋-调制器区域腐蚀-调制器区域对接生长-掺铁埋层掩埋生长-欧姆接触层外延生长-P电极制作-N电极制作。该方案的特点是外延生长工艺复杂，需要多次外延生长，成本高，尤其在掺铁掩埋材料生长中，工艺较难控制，生长中容易出现铁锌扩散现象，导致芯片出现功率饱和，带宽降低等现象，导致整体成品率较低，芯片成本较高。
鉴于此，克服该现有技术所存在的缺陷是本技术领域亟待解决的问题。
【发明内容】
本发明实施例要解决的技术问题是现有外延生长工艺复杂，需要多次外延生长，成本高，尤其在掺铁掩埋材料生长中，工艺较难控制，生长中容易出现铁锌扩散现象，导致芯片出现功率饱和，带宽降低等现象，导致整体成品率较低，芯片成本较高。
本发明实施例采用如下技术方案：
第一方面，本发明提供了一种电吸收调制激光器芯片的结构，包括激光区1、隔离区2和调制区3依次耦合构成电吸收调制激光器芯片，具体的：
所述激光区1、隔离区2和调制区3拥有各自的脊型波导结构；
其中，位于调制区3的脊型波导结构下的量子阱宽度比激光区1的脊型波导结构下的量子阱宽度大预设值。
优选的，激光区包括N型InP基底11、调制区量子阱12、激光器量子阱13、光栅层14、P型InP包层15、BCB绝缘树脂16、InGaAs接触层17和SiO2绝缘层18，具体的：
N型InP基底11上位于脊型波导结构下生长有激光器量子阱13，激光器量子阱13的两侧生长有调制区量子阱12，激光器量子阱13之上制作有光栅层14；
光栅层14上位于脊柱结构两侧的沟道结构内填充有SiO2绝缘层18，其中，SiO2绝缘层18中间区域填充有BCB绝缘树脂16；所述P型InP包层15构成位于光栅层14上的脊柱结构和位于沟道结构的两外侧壁；
所述InGaAs接触层17生长在脊波导之上用于与金属电极层19电气连接；
其中，所述激光区1的脊型波导结构下的量子阱为所述激光器量子阱13。
优选的，调制区包括N型InP基底31；调制区量子阱32、P型InP包层35、BCB绝缘树脂36、InGaAs接触层37和SiO2绝缘层38，具体的：
N型InP基底31上生长有调制区量子阱32，所述调制区量子阱32在脊型波导结构下被刻蚀出预设宽度，即所述调制区3的脊型波导结构下的量子阱宽度；
所述SiO2绝缘层38填充在被刻蚀掉的调制区量子阱位置和双沟结构中，并且，SiO2绝缘层38内填充有BCB绝缘树脂36；
P型InP包层35构成位于调制区量子阱32上的脊柱结构和位于沟道结构的两外侧壁；
所述InGaAs接触层37生长在脊波导之上用于与金属电极层39电气连接。
优选的，隔离区包括N型InP基底21；调制区量子阱22、P型InP包层25、BCB绝缘树脂26、InGaAs接触层27和SiO2绝缘层28，具体的：
N型InP基底21上生长有调制区量子阱22，所述调制区量子阱22在脊型波导结构下被刻蚀出预设宽度；
所述SiO2绝缘层28填充在被刻蚀掉的调制区量子阱22位置和双沟结构中，并且，SiO2绝缘层28内填充有BCB绝缘树脂26；
P型InP包层25构成位于调制区量子阱22上的脊柱结构和位于沟道结构的两外侧壁。
优选的，在激光区1的脊型波导结构下的激光器量子阱13宽度为18um时，所述调制区3的脊型波导结构下的调制区量子阱32宽度为25um。
优选的，还包括：
激光区1的脊型波导结构中，脊柱结构宽度为2.2um，脊柱结构两侧的双沟宽度各自分别为16um；
调制区3的脊柱结构宽度为4um，脊柱结构两侧的双沟宽度各自分别为120um。
优选的，激光区1的长度为320um，隔离区2的长度为50um和调制区3的长度为160um。
优选的，在距离调制区3的出光面15um的区域，相应位置的BCB绝缘树脂被刻蚀掉；留下覆盖在脊型结构侧壁，及其双沟道结构表面的SiO2绝缘层18。
优选的，在晶圆之上相邻的电吸收调制激光器芯片中，前后邻接的第一电吸收调制激光器芯片和第二电吸收调制激光器芯片是通过第一电吸收调制激光器芯片激光区与第二电吸收调制激光器芯片调制区邻接构成；
左右邻接的第一电吸收调制激光器芯片和第三电吸收调制激光器芯片以各自包含激光区、隔离区和调制区中的P型InP包层邻接构成。
第二方面，本发明提供了一种电吸收调制激光器芯片的制造方法，包括通过生长工艺和刻蚀工艺制作得到如第一方面所述的电吸收调制激光器芯片的结构。
与现有技术相比，本发明实施例的有益效果在于：
本发明中通过采用脊形波导工艺，无需进行掺铁掩埋埋层生长，减少了外延步骤和掺铁掩埋生长导致的失效现象，具有成品率高，成本低的优点。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是本发明实施例提供的一种电吸收调制激光器芯片的脊型波导结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种电吸收调制激光器芯片的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种电吸收调制激光器芯片中激光区剖视结构示意图；
图4是本发明实施例提供的一种电吸收调制激光器芯片的激光区结构尺寸示意图；
图5是本发明实施例提供的一种电吸收调制激光器芯片的调制区剖视结构示意图；
图6是本发明实施例提供的一种电吸收调制激光器芯片的调制区结构尺寸示意图；
图7是本发明实施例提供的一种电吸收调制激光器芯片的隔离区结构剖视示意图；
图8是本发明实施例提供的一种电吸收调制激光器芯片的调制区出光面部分结构剖视图。
【具体实施方式】
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在本发明的描述中，术语“内”、“外”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明而不是要求本发明必须以特定的方位构造和操作，因此不应当理解为对本发明的限制。
此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
实施例1:
本发明实施例1提供了一种电吸收调制激光器芯片的结构，如图1所示，包括激光区1、隔离区2和调制区3依次耦合构成电吸收调制激光器芯片，具体的：
所述激光区1、隔离区2和调制区3拥有各自的脊型波导结构；
其中，位于调制区3的脊型波导结构下的量子阱宽度比激光区1的脊型波导结构下的量子阱宽度大预设值。
所述预设值是根据激光区1量子阱的宽度和调制区3量子阱的大小匹配来的，如果小于预设值，对接处调制器区3就无法吸收激光区1发出的全部光子，如果预设值设置过宽就对寄生电容和结电容的大小有影响。因此，所述预设值是根据调试经验得到。
所述的量子阱宽度在图1中并未直接示出，相应的量子阱宽度差异特性，可以参考图3和图5，或者对照图4和图6来理解，其中，图3是对应图2所示的完整电吸收调制激光器芯片，在其激光区C-C’的剖视图，图5是对应图2所示的完整电吸收调制激光器芯片，在其调制区B-B’的剖视图。图4是相应图3在特定实施例中表现的关键结构层尺寸图，图6是相应图5在特定实施例中表现的关键结构层尺寸图。
本发明实施例中通过采用脊形波导工艺，无需进行掺铁掩埋埋层生长，减少了外延步骤和掺铁掩埋生长导致的失效现象，具有成品率高，成本低的优点。
如图3所示，基于本发明实施例提供的一种实例实现，激光区包括N型InP基底11、调制区量子阱12、激光器量子阱13、光栅层14、P型InP包层15、BCB绝缘树脂16、InGaAs接触层17和SiO2绝缘层18，具体的：
N型InP基底11上位于脊型波导结构下生长有激光器量子阱13，激光器量子阱13的两侧生长有调制区量子阱12，激光器量子阱13之上制作有光栅层14；
光栅层14上位于脊柱结构两侧的沟道结构内填充有SiO2绝缘层18，其中，SiO2绝缘层18中间区域填充有BCB绝缘树脂16；所述P型InP包层15构成位于光栅层14上的脊柱结构和位于沟道结构的两外侧壁；
所述InGaAs接触层17生长在脊波导之上用于与金属电极层19电气连接。
如图5所示，基于本发明实施例提供的一种实例实现，调制区包括N型InP基底31；调制区量子阱32、P型InP包层35、BCB绝缘树脂36、InGaAs接触层37和SiO2绝缘层38，具体的：
N型InP基底31上生长有调制区量子阱32，所述调制区量子阱32在脊型波导结构下被刻蚀出预设宽度；
所述SiO2绝缘层38填充在被刻蚀掉的调制区量子阱位置和双沟结构中，并且，SiO2绝缘层38内填充有BCB绝缘树脂36；
P型InP包层35构成位于调制区量子阱32上的脊柱结构和位于沟道结构的两外侧壁；
所述InGaAs接触层37生长在脊波导之上用于与金属电极层39电气连接。
如图7所示为图2中D-D’的剖视图，基于本发明实施例提供的一种实例实现，隔离区包括N型InP基底21；调制区量子阱22、P型InP包层25、BCB绝缘树脂26、InGaAs接触层27和SiO2绝缘层28，具体的：
N型InP基底21上生长有调制区量子阱22，所述调制区量子阱22在脊型波导结构下被刻蚀出预设宽度；
所述SiO2绝缘层28填充在被刻蚀掉的调制区量子阱位置和双沟结构中，并且，SiO2绝缘层28内填充有BCB绝缘树脂26；
P型InP包层25构成位于调制区量子阱22上的脊柱结构和位于沟道结构的两外侧壁。
如图4和图6所示，在激光区1的脊型波导结构下的激光器量子阱13宽度为18um时，所述调制区3的脊型波导结构下的调制区量子阱32宽度为25um。
如图4和图6所示，作为完整尺寸的展示，相应的激光区和调制区的关联结构尺寸还包括：
激光区1的脊型波导结构中，脊柱结构宽度为2.2um，脊柱结构两侧的双沟宽度各自分别为16um；调制区3的脊柱结构宽度为4um，脊柱结构两侧的双沟宽度为120um。激光区的长度为320um，隔离区的长度为50um和调制区的长度为160um。
在本发明实施例中，根据解理划片的设备精度考虑的，为了保证解理端面的一致性，本发明还提出了一种改进方案，如图8所示为图2中A-A’的剖视图，在距离调制区3的出光面15um的区域，相应位置的BCB绝缘树脂被刻蚀掉；留下覆盖在脊型结构侧壁，及其双沟道结构表面的SiO2绝缘层18。在本发明实施例中，BCB的填充是为了减小调制器端的寄生电容，如果此区域的BCB在，BCB材料的质地软，解理划片工艺中会出现拉扯，造端面有突出区域，影响后端镀膜工艺。
作为上述形成距离调制区3的出光面15um的区域，相应位置的BCB绝缘树脂被刻蚀掉结构的存在意义的场景设定，具体为：在晶圆之上相邻的电吸收调制激光器芯片中，前后邻接的第一电吸收调制激光器芯片和第二电吸收调制激光器芯片是通过第一电吸收调制激光器芯片激光区与第二电吸收调制激光器芯片调制区邻接构成；左右邻接的第一电吸收调制激光器芯片和第三电吸收调制激光器芯片以各自包含激光区、隔离区和调制区中的P型InP包层邻接构成。
此处的“第一”、“第二”和“第三”没有特殊的限定的含义，之所以用其做描述仅仅是为了方便在一类对象中差异出不同的个体进行表述，不应当将其作为顺序或者其他方面带有特殊限定含义解释。
实施例2
本发明实施例还提供了一种电吸收调制激光器芯片的制造方法，包括通过生长工艺和刻蚀工艺制作得到实施例1所述的电吸收调制激光器芯片的结构。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种电吸收调制激光器芯片的结构，其特征在于，包括激光区(1)、隔离区(2)和调制区(3)依次耦合构成电吸收调制激光器芯片，具体的：
所述激光区(1)、隔离区(2)和调制区(3)拥有各自的脊型波导结构；
其中，位于调制区(3)的脊型波导结构下的量子阱宽度比激光区(1)的脊型波导结构下的量子阱宽度大预设值。
2.根据权利要求1所述的电吸收调制激光器芯片的结构，其特征在于，激光区(1)包括N型InP基底(11)、调制区量子阱(12)、激光器量子阱(13)、光栅层(14)、P型InP包层(15)、BCB绝缘树脂(16)、InGaAs接触层(17)和SiO2绝缘层(18)，具体的：
N型InP基底(11)上位于脊型波导结构下生长有激光器量子阱(13)，激光器量子阱(13)的两侧生长有调制区量子阱(12)，激光器量子阱(13)之上制作有光栅层(14)；
光栅层(14)上位于脊柱结构两侧的沟道结构内填充有SiO2绝缘层(18)，其中，SiO2绝缘层(18)中间区域填充有BCB绝缘树脂(16)；所述P型InP包层(15)构成位于光栅层(14)上的脊柱结构和位于沟道结构的两外侧壁；
所述InGaAs接触层(17)生长在脊波导之上用于与金属电极层(19)电气连接；
其中，所述激光区(1)的脊型波导结构下的量子阱为所述激光器量子阱(13)。
3.根据权利要求1所述的电吸收调制激光器芯片的结构，其特征在于，调制区3包括N型InP基底(31)；调制区量子阱(32)、P型InP包层(35)、BCB绝缘树脂(36)、InGaAs接触层(37)和SiO2绝缘层(38)，具体的：
N型InP基底(31)上生长有调制区量子阱(32)，所述调制区量子阱(32)在脊型波导结构下被刻蚀出预设宽度，即所述调制区(3)的脊型波导结构下的量子阱宽度；
所述SiO2绝缘层(38)填充在被刻蚀掉的调制区量子阱位置和双沟结构中，并且，SiO2绝缘层(38)内填充有BCB绝缘树脂(36)；
P型InP包层(35)构成位于调制区量子阱(32)上的脊柱结构和位于沟道结构的两外侧壁；
所述InGaAs接触层(37)生长在脊波导之上用于与金属电极层(39)电气连接。
4.根据权利要求1所述的电吸收调制激光器芯片的结构，其特征在于，隔离区(2)包括N型InP基底(21)；调制区量子阱(22)、P型InP包层(25)、BCB绝缘树脂(26)、InGaAs接触层(27)和SiO2绝缘层(28)，具体的：
N型InP基底(21)上生长有调制区量子阱(22)，所述调制区量子阱(22)在脊型波导结构下被刻蚀出预设宽度；
所述SiO2绝缘层(28)填充在被刻蚀掉的调制区量子阱(22)位置和双沟结构中，并且，SiO2绝缘层(28)内填充有BCB绝缘树脂(26)；
P型InP包层(25)构成位于调制区量子阱(22)上的脊柱结构和位于沟道结构的两外侧壁。
5.根据权利要求3所述的电吸收调制激光器芯片的结构，其特征在于，在激光区(1)的脊型波导结构下的激光器量子阱(13)宽度为18um时，所述调制区(3)的脊型波导结构下的调制区量子阱(32)宽度为25um。
6.根据权利要求5所述的电吸收调制激光器芯片的结构，其特征在于，还包括：
激光区(1)的脊型波导结构中，脊柱结构宽度为2.2um，脊柱结构两侧的双沟宽度各自分别为16um；
调制区(3)的脊柱结构宽度为4um，脊柱结构两侧的双沟宽度各自分别为120um。
7.根据权利要求6所述的电吸收调制激光器芯片的结构，其特征在于，激光区(1)的长度为320um，隔离区(2)的长度为50um和调制区(3)的长度为160um。
8.根据权利要求6所述的电吸收调制激光器芯片的结构，其特征在于，
在距离调制区(3)的出光面15um的区域，相应位置的BCB绝缘树脂被刻蚀掉；留下覆盖在脊型结构侧壁，及其双沟道结构表面的SiO2绝缘层18。
9.根据权利要求8所述的电吸收调制激光器芯片的结构，其特征在于，
在晶圆之上相邻的电吸收调制激光器芯片中，前后邻接的第一电吸收调制激光器芯片和第二电吸收调制激光器芯片是通过第一电吸收调制激光器芯片激光区与第二电吸收调制激光器芯片调制区邻接构成；
左右邻接的第一电吸收调制激光器芯片和第三电吸收调制激光器芯片以各自包含激光区、隔离区和调制区中的P型InP包层邻接构成。
10.一种电吸收调制激光器芯片的制造方法，其特征在于，包括通过生长工艺和刻蚀工艺制作得到如权利要求1-8任一所述的电吸收调制激光器芯片的结构。
CN202111330717.9A 2021-11-11 2021-11-11 一种电吸收调制激光器芯片的结构和制造方法 Pending CN116111452A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111330717.9A CN116111452A (zh) 2021-11-11 2021-11-11 一种电吸收调制激光器芯片的结构和制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111330717.9A CN116111452A (zh) 2021-11-11 2021-11-11 一种电吸收调制激光器芯片的结构和制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116111452A true CN116111452A (zh) 2023-05-12

Family

ID=86258419

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111330717.9A Pending CN116111452A (zh) 2021-11-11 2021-11-11 一种电吸收调制激光器芯片的结构和制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116111452A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117394138A (zh) * 2023-10-07 2024-01-12 武汉云岭光电股份有限公司 电吸收调制器激光器及其制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117394138A (zh) * 2023-10-07 2024-01-12 武汉云岭光电股份有限公司 电吸收调制器激光器及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7476558B2 (en) Method for manufacturing selective area grown stacked-layer electro-absorption modulated laser structure
US9568750B2 (en) Hybrid optical modulator
US5521994A (en) Semiconductor optical waveguide-integrated light-receiving device
JP7267370B2 (ja) 光半導体素子、光モジュール及び光半導体素子の製造方法
US20070223543A1 (en) Laterally Implanted Electroabsorption Modulated Laser
KR20090065982A (ko) 광 증폭기가 집적된 슈퍼루미네슨트 다이오드 및 이를이용한 외부 공진 레이저
KR20020077567A (ko) 광모드 크기 변환기가 결합된 레이저 및 그 제조 방법
US20190310496A1 (en) Optoelectronic device and array thereof
CN111129941B (zh) 一种硅基集成激光器芯片倒装耦合结构
CN111711071B (zh) 可调谐激光器及其制作方法
CN104950382A (zh) Awg输出波导与探测器有缝对接的集成器件及制备方法
CN109256675A (zh) 电吸收调制集成激光器芯片及其制作方法
US20190326729A1 (en) Method for fabricating an elctro-absorption modulated laser and electro-absorption modulated laser
US10852478B1 (en) Monolithically integrated gain element
US20160025922A1 (en) Semiconductor optical device
CN116111452A (zh) 一种电吸收调制激光器芯片的结构和制造方法
CN103247936B (zh) 光学半导体器件以及光学半导体器件的制造方法
US9819153B2 (en) Optical semiconductor device and manufacturing method thereof
CN115579735B (zh) 一种单片集成二维dfb阵列芯片的制备方法
US6931041B2 (en) Integrated semiconductor laser device and method of manufacture thereof
JP2010256760A (ja) 半導体マッハツェンダー光変調器及びその製造方法、半導体光集積素子及びその製造方法
EP3416252A1 (en) One step sibh for integrated circuits
EP2403077B1 (en) A photonic device and a method of manufacturing a photonic device
JP5029239B2 (ja) 半導体光素子およびその製造方法
KR100584332B1 (ko) 전계흡수형 변조기가 집적된 레이저 장치 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination