CN113113333A - 排气装置及半导体加工设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种排气装置及半导体加工设备，包括用于将半导体加工设备的工艺腔室中的废气排出的主排气管路和设置在主排气管路上的主通断阀，其还包括分级过压保护组件，分级过压保护组件包括内径不同的至少两条过压排气管路，每条过压排气管路的进气端和出气端均与主排气管路连接，且分别位于主通断阀的上游和下游，并且在每条过压排气管路上设置有辅通断阀。本发明提出的排气装置及半导体加工设备，其能够根据预设压力开启分级过压保护组件，辅助主排气管路进行排气，从而能够使主排气管路内部压力维持在安全的压力范围内。

Description

排气装置及半导体加工设备
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种排气装置及半导体加工设备。
背景技术
化学气相沉积工艺的基本流程为：将衬底置入工艺腔室中，并向工艺腔室中通入含有构成薄膜元素的工艺气体，以使工艺气体在衬底表面发生化学反应，生成薄膜。
在进行化学气相沉积工艺时，化学反应所述产生的废气通过排气管路，持续排出至尾气处理装置中。但是当温度较高的废气经过温度较低的排气管路时，容易在排气管路中发生沉积，尤其容易在安装在排气管路中的球阀处发生沉积，这会导致排气管路的发生压力波动，进而导致工艺腔室中的压力波动，影响产品的良率和产率。而且当沉积物过多时，排气管路中的球阀会被沉积物堵塞，这会造成排气管路的压力过大，进而造成工艺腔室由于腔室压力过大而炸裂，这会危害操作人员的人身安全，同时造成经济损失。
发明内容
本发明实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种排气装置及半导体加工设备，其可以避免因主排气管路内部压力而导致工艺腔室内部压力过高，造成腔室因内部压力过大而炸裂的问题。
为实现本发明的目的而提供一种排气装置，包括用于将半导体加工设备的工艺腔室中的废气排出的主排气管路和设置在所述主排气管路上的主通断阀，其特征在于，还包括分级过压保护组件，所述分级过压保护组件包括内径不同的至少两条过压排气管路，每条所述过压排气管路的进气端和出气端均与所述主排气管路连接，且分别位于所述主通断阀的上游和下游，并且在每条所述过压排气管路上均设置有辅通断阀。
可选的，所述排气装置还包括物理过压保护管路，所述物理过压保护管路的进气端和出气端均与所述主排气管路连接，且分别位于所述主通断阀的上游和下游；所述物理过压保护管路中设置有物理过压保护部件，所述物理过压保护部件用于在所述主排气管路的内部压力达到预设的腔室防爆压力值时，自动开启所述物理过压保护管路。
可选的，所述物理过压保护部件包括防爆膜片，所述防爆膜片用于在所述主排气管路的内部压力达到所述预设的腔室防爆压力值时破裂，以开启所述物理过压保护管路。
可选的，所述排气装置还包括压力检测单元和控制单元，其中，
所述压力检测单元用于实时检测所述主排气管路内部的当前压力值，并将其发送至所述控制单元；
所述控制单元用于在所述当前压力值超过压力设定值时，关闭所述主通断阀，并根据所述当前压力值选择性地开启多条所述过压排气管路中的其中一条所述过压排气管路上的所述辅通断阀。
可选的，所述压力检测单元包括压力传感器，所述压力传感器与所述主排气管路连接。
可选的，所述过压排气管路上还设置有单向阀，所述单向阀用于使所述过压排气管路中的废气朝指定方向流动。
可选的，所述辅通断阀为气动阀。
可选的，所述主通断阀为球阀。
作为另一种技术方案本发明实施例还提出一种半导体加工设备，其包括工艺腔室、尾气处理装置和连接所述工艺腔室与所述尾气处理装置的排气装置，其中，所述排气装置采用上述实施例所述的排气装置。
可选的，所述半导体加工设备包括化学气相沉积设备。
本发明实施例具有以下有益效果：
本发明实施例提供的排气装置，通过同时设置主排气管路和辅助排气的分级过压保护组件，可以在主排气管路的排气能力不足甚至堵塞时，利用分级过压保护组件进行排气，从而可以避免因主排气管路内部压力过高而导致工艺腔室内部压力过高，造成腔室因内部压力过大而炸裂的问题，进而可以保障设备安全和操作人员的人身安全。而且，由于该分级过压保护组件包括内径不同的至少两条过压排气管路，可以根据主排气管路内部的当前压力值的不同，选择性地开启与该当前压力值相适配的内径对应的一条过压排气管路，从而可以按主排气管路中的压力大小划分等级，以满足主排气管路产生的不同泄压需求，同时还可以在其中一条过压排气管路堵塞时，选择其他未堵塞的过压排气管路，从而可以进一步提高设备的安全性和可靠性。
本发明实施例提供的半导体加工设备，通过采用上述实施例中提供的排气装置连通工艺腔室和尾气传输装置，从而既可以在主排气管路的排气能力不足甚至堵塞时，利用分级过压保护组件进行排气，从而可以避免因主排气管路内部压力过高而导致工艺腔室内部压力过高，造成腔室因内部压力过大而炸裂的问题，进而可以保障设备安全和操作人员的人身安全；又可以按主排气管路中的压力大小划分等级，以满足主排气管路产生的不同泄压需求，同时还可以在其中一条过压排气管路堵塞时，选择其他未堵塞的过压排气管路，从而可以进一步提高设备的安全性和可靠性。
附图说明
图1为现有的排气装置的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的排气装置的结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明，本发明的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本发明的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，本实施例中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本发明所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的温度控制装置及应用其的工艺腔室进行详细描述。
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明实施例提供的排气装置及半导体加工设备进行详细描述。
如图1所示，在进行化学气相沉积工艺时，通常需要向工艺腔室01中持续通入工艺气体，而且为了维持一个满足工艺要求的反应环境以及防止工艺腔室01内部压力过高，需要在工艺腔室01的出气口设置主排气管路02，用以将工艺过程产生的废气(包括反应副产物以及未反应的反应气体等)持续输送至尾气处理装置中。但是当温度较高的废气经过温度较低的主排气管路02时，容易在主排气管路02中的主排气阀021处发生沉积，甚至堵塞主排气阀021，这会导致主排气管路02的发生压力波动，进而导致工艺腔室01中的压力波动，影响产品的良率和产率。而且当沉积物过多时，主排气管路02中的主排气阀021会被沉积物堵塞，这会造成排气管路的压力过大。为解决此问题，现有的技术方案中，通常在主排气管路02的主排气阀021的两端设置一条辅助排气管路04，辅助排气管路04中设置有排气阀用以在主排气管路02中的主排气阀021发生堵塞时开启，从而能够对堵塞的主排气管路02进行泄压。但是辅助排气管路04中的排气阀较容易被废气产生的沉积物堵塞，从而导致辅助排气管路04失去辅助泄压的功能。因而在现有的技术方案中，仍然存在着主排气管路02的中压力波动的问题，甚至存在着因主排气管路02的压力过大，导致工艺腔室01由于内部压力过大而炸裂的问题。
为解决上述技术问题并实现本发明的目的，本实施例提供一种排气装置，如图2所示，其包括主排气管路2和主通断阀21。其中，主排气管路2用于将半导体加工设备的工艺腔室1中的废气排出，具体的，主排气管路2的另一端可以与尾气处理装置3连接，以将废气输送至尾气处理装置3中；主通断阀21设置在主排气管路2上，用于控制主排气管路2的通断。在一些实施例中，主通断阀21为球阀，但本实施例不限于此，主通断阀21的种类还可以根据实际生产条件进行选择。
排气装置还包括分级过压保护组件4，具体的，分级过压保护组件4包括内径不同的至少两条过压排气管路，例如，图2示出了两条过压排气管路(41,42)。图中以管路的粗细来展示内径的不同，示例性地，如图2所示，过压排气管路42的内径大于过压排气管路41的内径。其中，每条过压排气管路的进气端和出气端均与主排气管路2连接，且分别位于主通断阀21的上游和下游，并且在每条过压排气管路上均设置有辅通断阀，例如，如图2所示，两条过压排气管路(41,42)中，过压排气管路41上设置有辅通断阀411,过压排气管路42上设置有辅通断阀421，具体的，辅通断阀(411，421)均用于控制对应的过压排气管路的通断。
通过同时设置主排气管路2和辅助排气的分级过压保护组件4，可以在主排气管路2的排气能力不足甚至堵塞时，利用分级过压保护组件4进行排气，从而可以避免因主排气管路内部压力过高而导致工艺腔室内部压力过高，造成腔室因内部压力过大而炸裂的问题，进而可以保障设备安全和操作人员的人身安全。而且，由于该分级过压保护组件4包括内径不同的至少两条过压排气管路，可以根据主排气管路内部的当前压力值的不同，选择性地开启与该当前压力值相适配的内径对应的一条过压排气管路，从而可以按主排气管路中的压力大小划分等级，以满足主排气管路产生的不同泄压需求，同时还可以在其中一条过压排气管路堵塞时，选择其他未堵塞的过压排气管路，从而可以进一步提高设备的安全性和可靠性。
在一些实施例中，排气装置还包括物理过压保护管路5。物理过压保护管路5的进气端和出气端均与主排气管路2连接，且分别位于主通断阀21的上游和下游。物理过压保护管路5中设置有物理过压保护部件，物理过压保护部件用于在主排气管路2的内部压力达到预设的腔室防爆压力值时，自动开启物理过压保护管路5。如图1所示，由于现有技术方案中的排气装置，通常利用压力传感器05检测主排气管路02的内部压力，所以辅助排气管路04中的排气阀的开启和关闭都依赖于前述压力传感器05的所读取到的压力值，因此当压力传感器05发生损坏时，压力传感器05的读数偏差会导致辅助排气管路04的开启不及时，进而导致工艺腔室01由于内部压力过大而炸裂的问题；与此相比，在本实施例中，排气装置中设置的物理过压保护管路5能够避免依赖压力传感器所读取到的压力值，从而在主排气管路2的内部压力达到预设的工艺腔室1防爆压力值时及时自动开启，确保工艺腔室1的内部压力维持在安全的范围内，不会因内部压力过大而炸裂。
在一些实施例中，物理过压保护管路5包括防爆膜片51，防爆膜片51用于在主排气管路2的内部压力达到预设的腔室防爆压力值时破裂，以开启物理过压保护管路5。具体的，当主排气管路2连接工艺腔室1的出气口和尾气处理装置3的进气口时，在物理过压保护管路5中的防爆膜破裂后，防爆膜碎片会被尾气处理装置3抽走，物理过压保护管路5会连通工艺腔室1和尾气处理装置3，完成泄压。
在一些实施例中，如图2所示，排气装置还包括压力检测单元6和控制单元(图中未示出)。其中，压力检测单元6用于实时检测主排气管路2内部的当前压力值，并将其发送至控制单元，具体的，压力检测单元6可设置在主排气管路2中。控制单元用于在当前压力值超过压力设定值时，关闭主通断阀21，并根据当前压力值选择性地开启多条过压排气管路中的其中一条过压排气管路上的辅通断阀，从而能够在主排气管路2的内部达到不同的压力值时，开启对应的过压排气管路。具体的，由于过压排气管路的内径越大，其排气能力就越强，所以为了满足主排气管路2的不同泄压需要，在主排气管路2的内部压力较高时，控制单元应对应开启内径较大的过压排气管路。以如图2所示的包括两条过压排气管路(41,42)的排气装置为例，在主排气管路2内部的当前压力值超过压力设定值的条件下，若当前压力值较高，则控制单元应控制开启内径较大的过压排气管路42中的辅通断阀421；若当前压力值较低，则控制单元应控制开启内径较小的过压排气管路41中的辅通断阀411。
在一些实施例中，压力检测单元6包括压力传感器，压力传感器与主排气管路2连接。
在一些实施例中，过压排气管路上还设置有单向阀，例如图2所示的过压排气管路41上对应设置有单向阀412，过压排气管路42上对应设置有单向阀422。单向阀用于使过压排气管路中的废气朝指定方向流动，即，使管路内部废气由过压排气管路的进气端流向出气端，从而因避免废气倒流导致过压排气管路内部压力产生波动。
在一些实施例中，前述辅通断阀为气动阀。但本实施例不限于此，在实际生产中，辅通断阀还可以采用电动阀等阀门，其能够接受控制单元发送的控制信号即可。
以具有两条内径不同的过压排气管路(41,42)和一条物理过压保护管路5的排气装置为例，本实施例还提供一种排气装置的控制流程，其具体为：
开启主排气管路2，并对主排气管路2的内部压力进行实时检测；当主排气管路2中的主通断阀21发生堵塞时，主排气管路2的内部压力达到一级预设压力值，开启第一辅通断阀411，以连通内径较小的一级过压排气管路41，同时关闭主通断阀21，以避免影响一级过压排气管路41的泄压效率；具体的，一级预设压力值例如为小于810Torr；
当一级过压排气管路41中的第一辅通断阀411或单向阀412发生堵塞时，主排气管路2的内部压力达到二级预设压力值，开启第二辅通断阀421，以连通内径较大的二级过压排气管路42，同时关闭一级过压排气管路41中的第一辅通断阀411且保持主通断阀21的关闭，避免影响二级过压排气管路42的泄压效率；具体的，二级预设压力值例如为810Torr；
当二级过压排气管路42中的第二辅通断阀421或单向阀422发生堵塞且一级过压排气管路41也被堵塞时，或者在压力检测单元6失灵时，工艺腔室1会压力持续上升，当主排气管路2中的内部压力升至腔室防爆压力值时，物理过压保护管路5中的防爆膜片51会破裂并被尾气处理装置3抽走，以使物理过压保护管路5连通，从而防止工艺腔室1爆裂；具体的，腔室防爆压力值例如为850Torr。
本实施例提供的排气装置，通过同时设置主排气管路和辅助排气的分级过压保护组件，可以在主排气管路的排气能力不足甚至堵塞时，利用分级过压保护组件进行排气，从而可以避免因主排气管路内部压力过高而导致工艺腔室内部压力过高，造成腔室因内部压力过大而炸裂的问题，进而可以保障设备安全和操作人员的人身安全。而且，由于该分级过压保护组件包括内径不同的至少两条过压排气管路，可以根据主排气管路内部的当前压力值的不同，选择性地开启与该当前压力值相适配的内径对应的一条过压排气管路，从而可以按主排气管路中的压力大小划分等级，以满足主排气管路产生的不同泄压需求，同时还可以在其中一条过压排气管路堵塞时，选择其他未堵塞的过压排气管路，从而可以进一步提高设备的安全性和可靠性。
作为另一种技术方案，本实施例还提供一种半导体加工设备，其包括工艺腔室、尾气处理装置和连接工艺腔室与尾气处理装置的排气装置。其中，排气系统采用以上实施例中提供的排气装置。
在一些实施例中，前述半导体加工设备包括化学气相沉积设备。但本实施例并不仅限于此，上述实施例中提供的排气装置还可以用于物理气相沉积设备等废气易沉积的工艺设备中。
本实施例提供的半导体加工设备，通过采用上述实施例中提供的排气装置连通工艺腔室和尾气传输装置，从而既可以在主排气管路的排气能力不足甚至堵塞时，利用分级过压保护组件进行排气，从而可以避免因主排气管路内部压力过高而导致工艺腔室内部压力过高，造成腔室因内部压力过大而炸裂的问题，进而可以保障设备安全和操作人员的人身安全；又可以按主排气管路中的压力大小划分等级，以满足主排气管路产生的不同泄压需求，同时还可以在其中一条过压排气管路堵塞时，选择其他未堵塞的过压排气管路，从而可以进一步提高设备的安全性和可靠性。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种排气装置，包括用于将半导体加工设备的工艺腔室中的废气排出的主排气管路和设置在所述主排气管路上的主通断阀，其特征在于，还包括分级过压保护组件，所述分级过压保护组件包括内径不同的至少两条过压排气管路，每条所述过压排气管路的进气端和出气端均与所述主排气管路连接，且分别位于所述主通断阀的上游和下游，并且在每条所述过压排气管路上均设置有辅通断阀。
2.根据权利要求1所述的排气装置，其特征在于，所述排气装置还包括物理过压保护管路，所述物理过压保护管路的进气端和出气端均与所述主排气管路连接，且分别位于所述主通断阀的上游和下游；所述物理过压保护管路中设置有物理过压保护部件，所述物理过压保护部件用于在所述主排气管路的内部压力达到预设的腔室防爆压力值时，自动开启所述物理过压保护管路。
3.根据权利要求2所述的排气装置，其特征在于，所述物理过压保护部件包括防爆膜片，所述防爆膜片用于在所述主排气管路的内部压力达到所述预设的腔室防爆压力值时破裂，以开启所述物理过压保护管路。
4.根据权利要求1所述的排气装置，其特征在于，所述排气装置还包括压力检测单元和控制单元，其中，
所述压力检测单元用于实时检测所述主排气管路内部的当前压力值，并将其发送至所述控制单元；
所述控制单元用于在所述当前压力值超过压力设定值时，关闭所述主通断阀，并根据所述当前压力值选择性地开启多条所述过压排气管路中的其中一条所述过压排气管路上的所述辅通断阀。
5.根据权利要求4所述的排气装置，其特征在于，所述压力检测单元包括压力传感器，所述压力传感器与所述主排气管路连接。
6.根据权利要求1所述的排气装置，其特征在于，所述过压排气管路上还设置有单向阀，所述单向阀用于使所述过压排气管路中的废气朝指定方向流动。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的排气装置，其特征在于，所述辅通断阀为气动阀。
8.根据权利要求1-6任意一项所述的排气装置，其特征在于，所述主通断阀为球阀。
9.一种半导体加工设备，其特征在于，包括工艺腔室、尾气处理装置和连接所述工艺腔室与所述尾气处理装置的排气装置，其中，所述排气系统采用权利要求1-8中任意一项所述的排气装置。
10.根据权利要求9所述的半导体加工设备，其特征在于，所述半导体加工设备包括化学气相沉积设备。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114100303A (zh) * 2021-10-08 2022-03-01 安徽京仪自动化装备技术有限公司 一种半导体废气处理用进气系统及控制方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980027601U (ko) * 1996-11-18 1998-08-05 문정환 화학기상증착 장비의 보조 배기장치
CN1898411A (zh) * 2003-12-23 2007-01-17 约翰·C·舒马赫 用于半导体反应器的排气调节系统
CN209086763U (zh) * 2018-11-09 2019-07-09 东泰高科装备科技有限公司 反应腔室压力调节装置
CN211872081U (zh) * 2019-11-25 2020-11-06 北京北方华创微电子装备有限公司 排气装置及半导体设备

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980027601U (ko) * 1996-11-18 1998-08-05 문정환 화학기상증착 장비의 보조 배기장치
CN1898411A (zh) * 2003-12-23 2007-01-17 约翰·C·舒马赫 用于半导体反应器的排气调节系统
CN209086763U (zh) * 2018-11-09 2019-07-09 东泰高科装备科技有限公司 反应腔室压力调节装置
CN211872081U (zh) * 2019-11-25 2020-11-06 北京北方华创微电子装备有限公司 排气装置及半导体设备

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114100303A (zh) * 2021-10-08 2022-03-01 安徽京仪自动化装备技术有限公司 一种半导体废气处理用进气系统及控制方法
CN114100303B (zh) * 2021-10-08 2024-02-02 安徽京仪自动化装备技术有限公司 一种半导体废气处理用进气系统及控制方法

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