CN113097394A - 一种oled器件、显示装置及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种OLED器件、显示装置及其制备方法，能够调节电子在发光层中的传输浓度、增加材料的稳定性，延长器件的寿命。包括第一电极；空穴阻挡层；发光层，发光层包括主体材料和陷阱型材料；陷阱型材料的最低未占据分子轨道能级低于主体材料的最低未占据分子轨道能级以及空穴阻挡层材料的最低未占据分子轨道能级；陷阱型材料的最高占据分子轨道能级低于或者等于主体材料的最高占据分子轨道能级，且高于空穴阻挡层的最高占据分子轨道能级；电子阻挡层；以及第二电极；其中，第一电极、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层和第二电极依次层叠设置。

Description

一种OLED器件、显示装置及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED器件及其制备方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)是一种利用有机半导体材料和发光材料在电流驱动下而达到发光并实现显示的技术。近年来，OLED显示装置作为一种新型的平板显示器逐渐受到更多的关注。由于其具有主动发光、发光亮度高、分辨率高、宽视角、响应速度快、低能耗以及可柔性化等特点，成为目前市场上炙手可热的主流显示产品。
发明内容
本发明的实施例提供一种OLED器件、显示装置及其制备方法，能够调节电子在发光层中的传输浓度、增加材料的稳定性，延长器件的寿命。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供一种OLED器件，包括第一电极。
空穴阻挡层。
发光层，所述发光层包括主体材料和陷阱型材料；所述陷阱型材料的最低未占据分子轨道能级低于所述主体材料的最低未占据分子轨道能级以及所述空穴阻挡层材料的最低未占据分子轨道能级；所述陷阱型材料的最高占据分子轨道能级低于或者等于所述主体材料的最高占据分子轨道能级，且高于所述空穴阻挡层的最高占据分子轨道能级。
电子阻挡层。
以及第二电极。
其中，所述第一电极、所述空穴阻挡层、所述发光层、电子阻挡层和所述第二电极依次层叠设置。
本发明实施例提供一种OLED器件，通过使发光层包括陷阱型材料，由于陷阱型材料的最低未占据分子轨道能级低于主体材料的最低未占据分子轨道以及空穴阻挡层的最低未占据分子轨道，这样一来，由阴极注入的电子会被陷阱型材料捕获，从而调节电子在发光层中的传输浓度，使电子与空穴复合形成激子的区域远离发光层和空穴阻挡层界面，减少过多电子传输至发光层和空穴阻挡层的界面造成电子的积累，从而减少空穴阻挡层的材料的劣化，增加材料的稳定性，延长器件的寿命。同时，为了保证从第二电极注入的空穴不会被陷阱型材料捕获，陷阱型材料的最高占据分子轨道能级需要低于或者等于主体材料的最高占据分子轨道能级。
可选的，所述发光层还包括客体材料，所述客体材料掺杂于所述主体材料和/或所述陷阱型材料中，所述客体材料与所述主体材料的摩尔比为1:49～1:5。
可选的，所述陷阱型材料掺杂于所述主体材料中。
在此基础上，可选的，所述陷阱型材料与所述主体材料的摩尔比为3：7～7：3。
可选的，所述陷阱型材料的掺杂位置为所述发光层与所述空穴阻挡层接触的一侧，且所述陷阱型材料的掺杂厚度小于等于所述发光层厚度的50％。
可选的，所述发光层包括主体材料层和陷阱型材料层。
所述陷阱型材料层与所述主体材料层交替设置，与所述电子阻挡层接触的是所述主体材料层。
在此基础上，可选的，所述陷阱型材料层的厚度为所述发光层厚度的5％。
可选的，与所述电子阻挡层接触的所述主体材料层的厚度大于等于所述发光层厚度的50％。
可选的，所述OLED器件还包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层和空穴传输层。
所述电子注入层位于所述第一电极与所述空穴阻挡层之间。
所述电子传输层位于所述电子注入层和所述空穴阻挡层之间。
所述空穴注入层位于所述第二电极和所述电子阻挡层之间；所述空穴传输层位于所述空穴注入层与所述电子阻挡层之间。
可选的，所述陷阱型材料为CBP。
另一方面，本发明实施例提供一种OLED显示装置，包括上述OLED显示器件和衬底。
再一方面，本发明实施例提供一种OLED器件的制备方法，包括依次形成第一电极、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层和第二电极；或者依次形成第二电极、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层和第一电极。
其中，所述发光层包括主体材料和陷阱型材料。
所述陷阱型材料的最低未占据分子轨道能级低于所述主体材料的最低未占据分子轨道能级以及所述空穴阻挡层材料的最低未占据分子轨道能级；所述陷阱型材料的最高占据分子轨道能级低于或者等于所述主体材料的最高占据分子轨道能级，且高于所述空穴阻挡层的最高占据分子轨道能级。
本发明实施例提供一种OLED器件的制备方法，通过使发光层包括主体材料和陷阱型材料，由于陷阱型材料的最低未占据分子轨道能级低于主体材料的最低未占据分子轨道以及空穴阻挡层的最低未占据分子轨道，这样一来，由阴极注入的电子会被陷阱型材料捕获，从而调节电子在发光层中的传输浓度，使电子与空穴复合形成激子的区域远离发光层和空穴阻挡层界面，减少过多电子传输至在发光层和空穴阻挡层的界面造成电子的积累，从而减少空穴阻挡层的材料的劣化，增加材料的稳定性，延长器件的寿命。同时，为了保证从第二电极注入的空穴不会被陷阱型材料捕获，陷阱型材料的最高占据分子轨道能级需要低于或者等于主体材料的最高占据分子轨道能级。
可选的，形成所述发光层包括：同时蒸镀所述主体材料和所述陷阱型材料以使所述陷阱型材料掺杂于所述主体材料中的步骤，以及蒸镀所述主体材料的步骤，其中，所述陷阱型材料的掺杂位置为所述发光层中与所述空穴阻挡层接触的一侧，且所述陷阱型材料的掺杂厚度小于等于所述发光层厚度的50％。
可选的，所述发光层包括主体材料层和陷阱型材料层，与所述电子阻挡层接触的是所述主体材料层；与所述电子阻挡层接触的所述主体材料层的厚度大于等于所述发光层厚度的50％。
形成所述发光层包括：交替蒸镀所述主体材料层和所述陷阱型材料层。
可选的，所述发光层还包括客体材料；形成所述发光层还包括：在蒸镀所述主体材料和/或所述陷阱型材料的同时，蒸镀所述客体材料，以使所述客体材料掺杂于所述主体材料和/或所述陷阱型材料中。
又一方面，本发明实施例提供一种OLED显示装置的制备方法，包括在衬底上制备OLED器件，所述OLED器件由上述OLED器件的制备方法制备得到。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为相关技术OLED器件的发光层中激子分布示意图；
图2为本发明实施例提供的一种OLED面板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种OLED器件示意图；
图4为本发明实施例提供的一种OLED器件中材料能级关系示意图；
图5为本发明实施例提供的另一种OLED器件中材料能级关系示意图；
图6为本发明实施例提供的再一种OLED器件中材料能级关系示意图；
图7为本发明实施例提供的又一种OLED器件中材料能级关系示意图；
图8为本发明实施例提供的再一种OLED器件中材料能级关系示意图；
图9为本发明实施例提供的又一种OLED器件中材料能级关系示意图；
图10为本发明实施例提供的另一种OLED器件的结构示意图；
图11为相关技术OLED器件的发光层中和本发明实施例提供的OLED器件的发光层中激子分布示意图。
附图标记：
1-显示面板；2-OLED器件；21-第一电极；22-空穴阻挡层；23-发光层；24-电子阻挡层；25-第二电极；26-电子注入层；27-电子传输层；28-空穴注入层；29-空穴传输层；231-主体材料层；232-陷阱型材料层；A-显示区；S-周边区；P-亚像素。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
随着产品不断的发展，客户对于产品的分辨率越来越高，尤其增强现实(Augmented Reality，AR)/虚拟现实(Virtual Reality，VR)产品中的显示面板也需要很高的分辨率。分辨率的提高，开口率的减小，要求RGB亚像素结构中的OLED器件亮度更高，从而对于亚像素结构中OLED器件的寿命有着更大的考验和要求。OLED器件寿命的衰减，造成面板产品在长期使用之后产生白平衡漂移，视觉上会出现本来应白色画面颜色发红或者发绿发粉的现象。
OLED器件寿命的衰减，产生的原因主要是构成OLED器件的材料产生缺陷而造成的材料的劣化。OLED器件中，最容易劣化的材料为电子阻挡层(Electron Blocking Layer，EBL)(也称为Prime层)的材料，这是因为，EBL层的材料本身一般是富电子体系的材料，同时一般含有苯胺的结构。在此基础上，如图1所示，电子与空穴在发光层(Emitting Layer，EML)中靠近EBL的区域复合形成的激子较多，这样一来，会导致过多的电子传输至EML和EBL的界面，这些电子和EBL的材料上的富电子产生排斥力，这种排斥力会造成EBL的材料苯胺中苯环δ键扭曲，δ键扭曲会造成δ键的断裂，δ键的断裂产生的缺陷造成EBL材料的劣化，进一步造成OLED器件寿命的衰减。
为了解决上述问题，本发明实施例提供一种OLED显示装置，该OLED显示装置至少包括OLED显示面板，例如可以是显示器、电视、数码相机、手机、平板电脑、VR/AR产品等具有任何显示功能的产品或者部件。
参考图2，本实施例中的OLED显示面板1，具有显示区A和位于显示区A至少一侧的周边区S，该显示区A具有多个亚像素P，多个亚像素P至少包括第一颜色亚像素、第二颜色亚像素和第三颜色亚像素。示例的，第一颜色亚像素、第二颜色亚像素和第三颜色亚像素分别为红色亚像素、绿色亚像素和蓝色亚像素。对于第一颜色亚像素、第二颜色亚像素和第三颜色亚像素，其分布方式可以参考本领域的常规设置。
每个亚像素P中均设置有OLED器件和像素驱动电路，该像素驱动电路由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)、电容(Capacitance，C)等电子器件组成。例如，像素驱动电路可以是由两个TFT(一个开关TFT和一个驱动TFT)和一个电容构成的2T1C结构的像素驱动电路；当然，像素驱动电路还可以是由两个以上的TFT(多个开关TFT和一个驱动TFT)和至少一个电容构成的像素驱动电路。不管像素驱动电路包括几个TFT，其中一个TFT为驱动TFT，且该驱动TFT可以通过位于平坦层上的过孔与OLED器件电连接。
如图3所示，本发明实施例提供一种OLED器件2，包括依次层叠设置的第一电极21、空穴阻挡层(Hole Block Layer，HBL)22、发光层(Emission layer，EML)23、电子阻挡层(Electron Block Layer，EBL)24和第二电极25。
发光层23包括主体(Host)材料和陷阱型(Trap)材料，如图4-图9所示，陷阱型材料的最低未占据分子轨道(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)能级(如图4-图9中虚线所示)低于主体材料的最低未占据分子轨道能级以及空穴阻挡层材料的最低未占据分子轨道能级；陷阱型材料的最高占据分子轨道(Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO)能级低于或者等于主体材料的最高占据分子轨道能级。
第一电极21为阴极(Cathode)，用于将电子注入电路，第一电极21可以是透明电极、半透明电极或者反射电极，示例的，当第一电极为半透明电极或者反射电极时，第一电极21的材料可以选自镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)和它们的组合。但是本发明的实施例不限于此。
第二电极25为阳极(Anode)，用于将空穴注入电路，第二电极25可以是透明电极或者半透明电极，示例的，当第二电极25的材料为透明电极时，第二电极25的材料可以选自于氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)和它们的任意组合；当第二电极为半透明电极时，第二电极25的材料可以选自氧化锡(SnO2)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)、氧化铝锌(AZO)及它们的任意组合。但是本发明的实施例不限于此。
空穴阻挡层22的材料可以选自BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉),Bphen(1,10-邻二氮杂菲),TPBI(1,3,5-三(1-苯基-苯并D咪唑-2-基)苯；1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)中的一种。示例的，空穴阻挡层22的厚度范围为10～80nm。但是本发明的实施例不限于此。
电子阻挡层24的材料可以选自mCBP(3,3′-二(9H-咔唑-9-基)-1,1′-联苯)、Tris-PCz(9-苯基-3,6-二(9-苯基-9H咔唑-3-基)-9H-咔唑)中的一种。示例的，电子阻挡层24的厚度范围为5～10nm。但是本发明的实施例不限于此。
发光层23中的主体材料可以选自TCTA(三苯胺)、DMQA(N,N’-二甲基喹吖啶酮)和mEMCB(3,3-′(1,3-苯基)双(7-乙氧基-4-甲基香豆素)中的一种。示例的，发光层23的厚度范围为20～40nm。但是本发明的实施例不限于此。
发光层23中的陷阱型材料为CBP(4,4’-N,N’-二咔唑基联苯)。但是本发明的实施例不限于此。
本发明实施例提供一种OLED器件2，通过使发光层23包括陷阱型材料，由于陷阱型材料的LUMO能级低于主体材料的LUMO以及空穴阻挡层的LUMO，这样一来，由阴极注入的电子会被陷阱型材料捕获，从而调节电子在发光层23中的传输浓度，使电子与空穴复合形成激子的区域远离EML和EBL界面，减少过多电子传输至EML和EBL的界面造成电子的积累，从而减少EBL的材料的劣化，增加材料的稳定性，延长器件的寿命。同时，如图4和图5所示，为了保证从第二电极25注入的空穴不会被陷阱型材料捕获，陷阱型材料的HOMO能级需要低于或者等于主体材料的HOMO能级。
可选的，陷阱型材料掺杂于所述主体材料中。
可选的，陷阱型材料和主体材料的摩尔比为3：7～7：3。
可选的，如图6和图7所示，陷阱型材料的掺杂位置为发光层23与空穴阻挡层22接触的一侧，且陷阱型材料的掺杂厚度小于等于发光层23厚度的50％。即陷阱型材料的掺杂厚度范围为10～20nm。
如图1所示，在发光层23中与电子阻挡层24的距离大于50％的位置处，电子与空穴在发光层23中复合形成的激子较少，由于OLED器件的发光原理是激子辐射跃迁，发出光子，释放能量，因此在该区域掺杂陷阱型材料，对发光层23中激子强度的影响较小，从而保证OLED器件的发光强度。
可选的，如图8和图9所示，发光层23包括主体材料层231和陷阱型材料层232。
主体材料层231与陷阱型材料层232交替设置，与电子阻挡层24接触的是主体材料层231。基于此，发光层23包括至少一层陷阱型材料层232。
可选的，陷阱材料层232的厚度为发光层23厚度的5％。
基于此，将陷阱型材料层232的数量设置为2～3层。如图1所示，在发光层23中距离与EBL层的接触的界面大于50％时，电子与空穴在EML中复合形成的激子较少，由于OLED器件的发光原理是激子辐射跃迁，发出光子，释放能量，因此设置与电子阻挡层24接触的为主体材料层231，使陷阱型材料层232位于主体材料层231远离电子阻挡层24的一侧，与电子阻挡层24接触的主体材料层231的厚度大于等于发光层23厚度的50％，对EML中激子强度的影响较小，从而保证OLED器件2的发光强度。
可选的，与电子阻挡层24接触的主体材料层231的厚度大于等于所述发光层厚度的50％。
基于此，可以进一步降低对发光层23中激子强度的影响，保证OLED器件的发光强度。
可选的，发光层23还包括客体材料，客体材料掺杂于主体材料和/或陷阱型材料中，客体材料与主体材料的摩尔比为1:49～1:5。客体材料和主体材料、陷阱型材料的能级关系如图5、图7和图9所示，客体材料的LUMO低于陷阱型材料的LUMO，客体材料的HOMO高于主体材料的LUMO。
通过在主体材料和/或陷阱型材料中掺杂客体材料，可以保证OLED器件的发光效率。
需要说明的是，客体材料掺杂于主体材料和/或陷阱型材料中具体包括：如图5和图7所示，主体材料的厚度为发光层23的厚度，客体材料掺杂于主体材料和陷阱型材料中；或者如图9所示，主体材料层231和陷阱型材料层232交替制作，则此时分别在主体材料层231和陷阱型材料层232中掺杂客体材料。
可选的，如图10所示，OLED器件2还包括电子注入层26、电子传输层27、空穴注入层28和空穴传输层29。
电子注入层26位于第一电极21与空穴阻挡层22之间。电子注入层26用于调节电子从第一电极21注入的速度和量。电子注入层26的材料可以选自LiF(氟化锂)、Yb(镱)和LIQ(锂喹啉配合物)中的一种。示例的，电子注入层26的厚度范围为1～3nm。但是本发明实施例对此不做限定。
电子传输层27位于电子注入层26和空穴阻挡层22之间。为了让从电子注入层传输的电子和从空穴注入层注入的空穴的复合发生在发光层中，需要设计电子传输层27。电子传输层27的材料可以选自BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、Bphen(1,10-邻二氮杂菲)和TPBI(1,3,5-三(1-苯基-苯并D咪唑-2-基)苯中的一种。电子传输层27的厚度范围为20～35nm。但是本发明实施例对此不做限定。
空穴注入层29位于第二电极25和电子阻挡层24之间。空穴注入层29用于调节空穴从第二电极25注入的速度和量。空穴注入29的材料可以为MoO3(三氧化钼)、F4-TCNQ(2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌)和HAT-CN(2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲)的一种。空穴注入层29的厚度范围为5～30nm。但是本发明实施例对此不做限定。
空穴传输层29位于空穴注入层28与电子阻挡层24之间。为了让从电子注入层传输的电子和从空穴注入层注入的空穴的复合发生在发光层中，需要设计空穴传输层29。空穴传输层29的材料选自NPB(胺类衍生物)、m-MTDATA(4,4',4'-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺)和TPD(N,N’-联苯-N,N’-二(3-甲基苯)-(1,1’-联苯)-4,4’-二胺中的一种。空穴传输层29的厚度范围为1000～1300nm。但是本发明实施例对此不做限定。
可选的，陷阱型材料为CBP(4,4’-N,N’-二咔唑基联苯)。但是本发明的实施例不限于此。
另一方面，本发明实施例提供一种OLED器件的制作方法，包括依次形成第一电极21、空穴阻挡层22、发光层23、电子阻挡层24和第二电极25。
或者，依次形成第二电极25、电子阻挡层24、发光层23、空穴阻挡层22和第一电极21。
其中，发光层23包括主体材料和陷阱型材料。
如图4-图9所示，陷阱型材料的最低未占据分子轨道能级低于主体材料的最低未占据分子轨道能级(如图4-图9中虚线所示)以及空穴阻挡层材料的最低未占据分子轨道能级；陷阱型材料的最高占据分子轨道能级低于或者等于主体材料的最高占据分子轨道能级，且高于空穴阻挡层的最高占据分子轨道能级。
本发明实施例提供一种OLED器件2的制备方法，通过使发光层23包括主体材料和陷阱型材料，由于陷阱型材料的LUMO能级低于主体材料的LUMO以及空穴阻挡层的LUMO，这样一来，由阴极注入的电子会被陷阱型材料捕获，从而调节电子在发光层23中的传输浓度，使电子与空穴复合形成激子的区域远离EML和EBL界面，减少过多电子传输至在EML和EBL的界面造成电子的积累，从而减少EBL的材料的劣化，增加材料的稳定性，延长器件的寿命。同时，如图4-图9所示，为了保证从第二电极25注入的空穴不会被陷阱型材料捕获，陷阱型材料的HOMO能级需要低于或者等于主体材料的HOMO能级。
可选的，形成发光层23包括：步骤A1、同时蒸镀主体材料和陷阱型材料以使陷阱型材料掺杂于主体材料中，以及步骤A2、蒸镀主体材料，其中，如图6和图7所示，陷阱型材料的掺杂位置为发光层中与空穴阻挡层22接触的一侧，且陷阱型材料的掺杂厚度小于等于所述发光层厚度的50％。
需要说明的是，不对步骤A1和步骤A2的执行顺序进行限定，例如在先形成第二电极25和电子阻挡层24的情况下，可以先执行步骤A1，再执行步骤A2；而在先形成第一电极21和空穴阻挡层22的情况下，则先执行步骤A2，再执行步骤A1。
如图1所示，在发光层23中与电子阻挡层24的距离大于50％的位置处，电子与空穴在发光层23中复合形成的激子较少，由于OLED器件的发光原理是激子辐射跃迁，发出光子，释放能量，因此在该区域掺杂陷阱型材料，对发光层23中激子强度的影响较小，从而保证OLED器件的发光强度。
可选的，如图8和图9所示，发光层23包括主体材料层231和陷阱型材料层232，与电子阻挡层24接触的是主体材料层231。与电子阻挡层24接触的主体材料层231的厚度大于等于发光层23厚度的50％。
形成发光层23包括：步骤B1、蒸镀主体材料层231；以及步骤B2、蒸镀陷阱型材料层232。交替执行步骤B1和步骤B2形成发光层23。
需要说明的是，不对步骤B1和步骤B2的执行顺序进行限定，例如在先制作第一电极21和空穴阻挡层22的情况下，可以先执行步骤B1，也可以先执行步骤B2；在先制作第二电极25和电子阻挡层24的情况下，则先执行B1，再执行B2。其中，需要保证与电子阻挡层24接触的是主体材料层231。
如图1所示，在发光层23中距离与EBL层的接触的界面大于50％时，电子与空穴在EML中复合形成的激子较少，由于OLED器件的发光原理是激子辐射跃迁，发出光子，释放能量，因此设置与电子阻挡层24接触的为主体材料层231，而使陷阱型材料层232位于主体材料层231远离电子阻挡层24的一侧，且使与电子阻挡层24接触的主体材料层231的厚度大于等于发光层23厚度的50％，对EML中激子强度的影响较小，从而保证OLED器件的发光强度。
可选的，如图7和图9所示，发光层23还包括客体材料。
形成发光层23还包括：步骤A1’、同时蒸镀主体材料和陷阱型材料以及客体材料以使陷阱型材料和客体材料均掺杂于主体材料中；以及步骤A2’、同时蒸镀主体材料和陷阱型材料以使陷阱型材料掺杂于主体材料中。
需要说明的是，不对步骤A1’和步骤A2’的执行顺序进行限定，例如在先形成第二电极25和电子阻挡层24的情况下，可以先执行步骤A1’，再执行步骤A2’；而在先形成第一电极21和空穴阻挡层22的情况下，则先执行步骤A2’，再执行步骤A1’，按上述任一顺序形成的发光层23如图7所示。
或者，形成发光层23还包括：步骤B1’、同时蒸镀主体材料和客体材料以使客体材料掺杂于主体材料中形成主体材料层231；以及步骤B2’、同时蒸镀陷阱型材料和客体材料以使客体材料掺杂于陷阱型材料中形成陷阱型材料层232。需要说明的是，不对步骤B1’和步骤B2’的执行顺序进行限定，例如在先制作第一电极21和空穴阻挡层22的情况下，可以先执行步骤B1’，也可以先执行步骤B2’；而在先制作第二电极25和电子阻挡层24的情况下，则先执行B1’，再执行B2’。其中，需要保证与电子阻挡层24接触的是主体材料层231。按上述任一顺序形成的发光层23如图9所示。
通过在主体材料和/或陷阱型材料中掺杂客体材料，可以保证OLED器件2的发光效率。
实施例1
用ITO层制作阳极，空穴注入层为MoO3，厚度为5～30nm，空穴传输层为NPB，厚度为1000～1300nm，电子阻挡层为mCBP，厚度为10～80nm，发光层为mEMCB：Ir(ppy)3，厚度为20～40nm，其中陷阱型材料为CBP，陷阱型材料的掺杂厚度为10～20nm，电子阻挡层为mEMCB：Ir(ppy)3，厚度为5～10nm，电子传输层为BCP/Bephen:LIQ，厚度为20～35nm，电子注入层为LIQ，厚度为1～3nm，用Mg-Ag合金制作阴极。
图11分别示出了发光层23掺杂陷阱型材料前和发光层23掺杂陷阱型材料后，激子在发光层23中的分布情况，由图11可以看出，发光层23掺杂陷阱型材料后，激子在距离发光层23和电子阻挡层24的界面25％处分布的最多，避免了过多电子传输至在EML和EBL的界面造成电子的积累。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (16)

1.一种OLED器件，其特征在于，包括：第一电极；
空穴阻挡层；
发光层，所述发光层包括主体材料和陷阱型材料；所述陷阱型材料的最低未占据分子轨道能级低于所述主体材料的最低未占据分子轨道能级以及所述空穴阻挡层材料的最低未占据分子轨道能级；所述陷阱型材料的最高占据分子轨道能级低于或者等于所述主体材料的最高占据分子轨道能级，且高于所述空穴阻挡层的最高占据分子轨道能级；
电子阻挡层；
以及第二电极；
其中，所述第一电极、所述空穴阻挡层、所述发光层、电子阻挡层和所述第二电极依次层叠设置。
2.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述发光层还包括客体材料，所述客体材料掺杂于所述主体材料和/或所述陷阱型材料中，所述客体材料与所述主体材料的摩尔比为1:49～1:5。
3.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述陷阱型材料掺杂于所述主体材料中。
4.根据权利要求3所述的OLED器件，其特征在于，所述陷阱型材料与所述主体材料的摩尔比为3：7～7：3。
5.根据权利要求3所述的OLED器件，所述陷阱型材料的掺杂位置为所述发光层与所述空穴阻挡层接触的一侧，且所述陷阱型材料的掺杂厚度小于等于所述发光层厚度的50％。
6.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述发光层包括主体材料层和陷阱型材料层；
所述陷阱型材料层与所述主体材料层交替设置，与所述电子阻挡层接触的是所述主体材料层。
7.根据权利要求6所述的OLED器件，其特征在于，所述陷阱型材料层的厚度为所述发光层厚度的5％。
8.根据权利要求6所述的OLED器件，其特征在于，与所述电子阻挡层接触的所述主体材料层的厚度大于等于所述发光层厚度的50％。
9.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述OLED器件还包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层和空穴传输层；
所述电子注入层位于所述第一电极与所述空穴阻挡层之间；
所述电子传输层位于所述电子注入层和所述空穴阻挡层之间；
所述空穴注入层位于所述第二电极和所述电子阻挡层之间；所述空穴传输层位于所述空穴注入层与所述电子阻挡层之间。
10.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述陷阱型材料为CBP。
11.一种OLED显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的OLED显示器件和衬底。
12.一种OLED器件的制备方法，其特征在于，包括依次形成第一电极、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层和第二电极；或者
依次形成第二电极、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层和第一电极；
其中，所述发光层包括主体材料和陷阱型材料；
所述陷阱型材料的最低未占据分子轨道能级低于所述主体材料的最低未占据分子轨道能级以及所述空穴阻挡层材料的最低未占据分子轨道能级；所述陷阱型材料的最高占据分子轨道能级低于或者等于所述主体材料的最高占据分子轨道能级，且高于所述空穴阻挡层的最高占据分子轨道能级。
13.根据权利要求12所述的OLED器件的制备方法，其特征在于，
形成所述发光层包括：同时蒸镀所述主体材料和所述陷阱型材料以使所述陷阱型材料掺杂于所述主体材料中的步骤，以及蒸镀所述主体材料的步骤，其中，所述陷阱型材料的掺杂位置为所述发光层中与所述空穴阻挡层接触的一侧，且所述陷阱型材料的掺杂厚度小于等于所述发光层厚度的50％。
14.根据权利要求12所述OLED器件的制备方法，其特征在于，所述发光层包括主体材料层和陷阱型材料层，与所述电子阻挡层接触的是所述主体材料层；与所述电子阻挡层接触的所述主体材料层的厚度大于等于所述发光层厚度的50％；
形成所述发光层包括：交替蒸镀所述主体材料层和所述陷阱型材料层。
15.根据权利要求13或14所述的OLED器件的制备方法，其特征在于，所述发光层还包括客体材料；形成所述发光层还包括：在蒸镀所述主体材料和/或所述陷阱型材料的同时，蒸镀所述客体材料，以使所述客体材料掺杂于所述主体材料和/或所述陷阱型材料中。
16.一种OLED显示装置的制备方法，其特征在于，包括，在衬底上制备OLED器件，所述OLED器件由权利要求11-14任一项所述的OLED器件的制备方法制备得到。
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