CN113079683A - 一种高透光电磁屏蔽膜及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种高透光电磁屏蔽膜，包括：透明衬底，以及设置于衬底两侧的透明导电层；所述两侧的透明导电层独立的选自由碳材料、银纳米线、超薄金属和导电氧化物中的一种或多种制备而成的单层或多层薄膜。本发明通过在透明衬底两面设有高导电的透明导电层，当入射微波电磁波经第一电导面反射并进入衬底，剩余电磁波在基底中继续传播，到达第二电导面时也会产生大量反射。电磁波会在两层透明导电层间发生多重反射，更好的缓和高透光和强屏蔽性能之间的关系，使所述高透光电磁屏蔽膜在具有高透明性的同时还具有强电磁屏蔽。

Description

一种高透光电磁屏蔽膜及其制备方法

技术领域

本发明属于电磁屏蔽技术领域，具体涉及一种高透光电磁屏蔽膜及其制备方法。

背景技术

随着电磁环境的复杂性日益增加，电磁干扰成为了工业、商业、科学及军事等领域的所面临的一个严重问题。对于应用于仪器观察窗、液晶显示屏、屏蔽橱柜和移动交流设备等方面的电磁屏蔽材料，不仅要求对电磁波有着优异的屏蔽作用，还要求具有高的可见光透过率。

实现透明电磁屏蔽最主要的难点在于屏蔽效能与透光率是一对相互制约的关系。对于传统的屏蔽材料或结构要想实现高的屏蔽性能，往往需要牺牲可见光透过率作为代价。而且目前一些研究体系存在屏蔽带宽过窄的问题，不能满足实际应用的需求。

透明导电氧化物如氧化铟锡等，具有优良的透光性能，但其屏蔽性能不佳。如专利CN108728817A所述的氧化铟锡/蓝宝石结构，其电磁波屏蔽性能在1～18GHz频率范围内仅为12dB，不能满足大部分应用的需求。碳材料如石墨烯、碳纳米管等，可用于制备透明导电器件，也具有一定的微波吸收性能，在电磁波屏蔽领域有广泛的应用。哈尔滨工业大学的谭久彬团队在Nanoscale(8卷37期，16684页)上报道的PET/石墨烯多层结构，在18～26.5GHz的屏蔽效能为19.14dB，但其相对透过率仅为80.5％，如果想要进一步提高屏蔽性能，可见光透过率还会继续降低，所以碳材料也难以同时满足高透光和高电磁屏蔽的需求。金属纳米线可以实现90％左右的可见光透过率，但在满足高透过的同时纳米线之间过于稀疏，使得对电磁波的屏蔽效率较低。

另外，使用紫外光刻或纳米压印等技术制备的金属网栅结构在保持相对较高的可见光透过率的同时，还能拥有很低的表面方阻，能很好地平衡可见光透过率和屏蔽效能的关系。但这种金属网栅结构也有一个很明显的缺陷，其屏蔽性能会随电磁波频率的增加而快速降低。在刘艳花团队发表在Optics EXPRESS(27卷17期，24194页)中报道的超薄镍网栅结构，当电磁波频率从8.2GHz增加到12.4GHz时，其屏蔽效能逐渐从41dB减少到38dB。屏蔽性能随电磁波频率增加而下降的现象即使在双面网栅结构中也很明显，如谭久彬团队发表在Optics Letters(42卷8期，1620页)文中所述的双面铝网栅结构，其电磁波屏蔽效能即使在12～18GHz这么小的频率范围内也从37dB减少到27dB，所以金属网栅结构不适用于超宽带的电磁防护。

相比而言，基于超薄金属层的透明电磁防护材料能在保持高透明的同时拥有较好的电磁波屏蔽性能，而且其屏蔽效率不会随电磁波频率的增加发生明显的下降。西班牙巴塞罗那光子科学研究所(ICFO)的Valerio Pruneri等人报道的AZO/Ag/TiO₂/石英玻璃的透明导电膜结构(Nature Communication，7卷，13771页)，可见光透过率高达91.6％，在1～18GHz频率范围内平均屏蔽效能约为27.7dB。哈尔滨工业大学的谭久彬等人报道的ITO/Cu-dopedAg/ITO/PET结构的可见光相对透过率高达96.5％，在8～40GHz的宽电磁波频段的屏蔽效能约为26dB(ACS ApplMater Interfaces,11卷，12期，11782页)。但这种单金属层屏蔽结构的屏蔽性能仍较低，不能满足目前复杂电磁环境的使用需求。

总的说来，以上单一体系或结构都很难同时满足高透明和超宽带高电磁屏蔽的需求。为了更好的平衡透光性与屏蔽性能之间的关系，需要对电磁屏蔽器件进行结构设计优化。以下文献报道了一些复合结构在电磁屏蔽中的应用。

1.专利CN105603373A“一种提高屏蔽玻璃GHz频段电磁屏蔽效能的方法”通过在导电丝网上沉积Ag/AZO复合薄膜，在保证透光率在70％的情况下，1GHz～18GHz频段内的电磁屏蔽效能达到40dB以上，很好地解决了金属丝网的屏蔽效能会随电磁波频率增加而快速下降的问题。

2.美国专利US20130114133A1“Thin films for energy efficient transparentelectromagnetic shields”设计了一种在玻璃上沉积多层TiO₂/Ag/Ti的复合结构，该结构能应用于节能玻璃，同时也有优异的电磁防护性能，在30kHz～18GHz的屏蔽效能大于36dB，可见光透过率大于65％。

3.专利CN106659099A“具有双向吸波作用的石墨烯网栅/双层金属网栅透明电磁屏蔽器件”通过将多层石墨烯网栅薄膜与金属网栅层叠形成复合结构，使来自电磁屏蔽器件两侧的射频电磁波都经过反射和多次吸收，最终实现双向低反射强电磁屏蔽的效果。

4.专利CN106413358A“基于石墨烯/透明导电薄膜复合结构的电磁屏蔽光窗”用透明导电薄膜作为透明反射层，用1～6层被透明介质分隔的石墨烯薄膜作为透明吸收层。制得的结构屏蔽效率为23.2dB，可见光相对透过率为90.4％。

5.专利CN109890190A“一种透明电磁屏蔽薄膜及其制备方法”通过在导电网格上引入铁磁颗粒修饰层，增加了材料整体对电磁波的吸收，进一步增加了材料对电磁波的屏蔽能力，复合结构的屏蔽效能约为24dB。

以上复合结构相对于单一屏蔽材料来说在性能上都有着一定的提升，但仍存在一些不足。上述文献1中将金属丝网和金属薄膜结合，大大增强了结构的整体屏蔽性能，还缓和了金属丝网屏蔽效能下降的趋势，但这种将两种屏蔽结构叠层在一面的设计会大幅降低可见光透过率。上述文献2中采取在单面叠层多金属层的方法来提升对电磁波的防护效果，也会导致器件透过率偏低。上述文献3，4为提升结构对电磁波的吸收能力，在每层石墨烯间都间隔了一层透明介质，这种设计能提升吸收屏蔽占总屏蔽的比例，但器件整体屏蔽效能并不理想。上述文献5通过在导电网格上增加磁性修饰层来提高器件屏蔽电磁波能力，但整体屏蔽效能仍然较低，而且屏蔽性能仍会随电磁波频率增加而下降。

总之，现有的电磁屏蔽复合结构大多都通过在衬底单面叠层多种透明导电层来提升电磁屏蔽效率，这种设计会导致透光性大幅降低，难以同时实现高透明性和强电磁屏蔽。

发明内容

有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种高透光电磁屏蔽膜及其制备方法，本发明提供的高透光电磁屏蔽膜在具有高透明性的同时还具有强电磁屏蔽。

本发明提供了一种高透光电磁屏蔽膜，包括：透明衬底，以及设置于衬底两侧的透明导电层；所述两侧的透明导电层独立的选自由碳材料、银纳米线、超薄金属或导电氧化物中的一种或多种制备而成的单层或多层薄膜，所述设置于衬底两侧的透明导电层中的至少一侧的透明导电层的方块电阻小于10欧姆，电导率大于1×10⁶S·m^-1。

优选的，所述透明衬底选自玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚乙烯醇薄膜、聚氨酯薄膜，聚苯乙烯薄膜或聚二甲基硅氧烷薄膜，所述透明衬底的光学厚度为在(n/2+1/32)～(n/2+15/32)波长距离之间，n为0或正整数。

优选的，所述碳材料选自单层石墨烯、多层石墨烯和碳纳米管中的一种或多种。

优选的，所述超薄金属为金属层夹层在两层高折射率的介电层之间，具有介电层/超薄金属/介电层复合结构，所述超薄金属层为纯金属层或金属合金层；

所述纯金属层选自Cr，Ti，Ag，Al，Cu，Au或Ni的金属层；

所述合金层选自Cr，Ti，Ag，Al，Cu，Au和Ni中的两种或两种以上形成的合金层；

所述两层高折射率的介电层独立的选自ZnO，SnO₂，Al₂O₃，In₂O₃，TiO₂，WO₃，ITO，AZO或GZO等金属氧化物或者SiN_x或AlN_x等介电材料。

优选的，所述导电氧化物选自ITO，FTO，AZO中的一种；

优选的，所述透明导电层的厚度为0.2nm～500nm之间。

本发明还提供了一种上述高透光电磁屏蔽膜的制备方法，包括以下步骤：

在透明衬底的两侧分别制备透明导电层。

优选的，所述制备透明导电层的方法选自磁控溅射、电子束蒸发、蒸镀、电镀、线棒刮涂、提拉法、旋涂法或化学气相沉积法。

与现有技术相比，本发明提供了一种高透光电磁屏蔽膜，包括：透明衬底，以及设置于衬底两侧的透明导电层；所述两侧的透明导电层独立的选自由碳材料、银纳米线、超薄金属和导电氧化物中的一种或多种制备而成的单层或多层薄膜。本发明通过在透明衬底两面设有高导电的透明导电层，当入射微波电磁波经第一电导面反射并进入衬底，剩余电磁波在基底中继续传播，到达第二电导面时也会产生大量反射。电磁波会在两层透明导电层间发生多重反射，更好的缓和高透光和强屏蔽性能之间的关系，使所述高透光电磁屏蔽膜在具有高透明性的同时还具有强电磁屏蔽。

附图说明

图1为本发明提供的高透光电磁屏蔽膜的结构示意图；

图2为本发明提供的高透光电磁屏蔽膜的结构示意图；

图3为ZnO/Ag/ZnO(OMO)在衬底上的单面结构与双面结构的屏蔽效能对比；

图4为ZnO/Ag/ZnO(OMO)在衬底上的单面结构与双面结构的实际可见光透过率对比；

图5为银纳米线/衬底与OMO/衬底/银纳米线复合结构的屏蔽效能对比；

图6为银纳米线/衬底与OMO/衬底/银纳米线复合结构的光学性能对比；

图7为氧化铟锡(ITO)与OMO复合结构的屏蔽效能值。

图8为氧化铟锡(ITO)与OMO复合结构的可见光透过率。

图9为石墨烯与OMO复合结构的屏蔽效能值。

图10为石墨烯与OMO复合结构的可见光透过率。

具体实施方式

本发明提供了一种高透光电磁屏蔽膜，包括：透明衬底，以及设置于衬底两侧的透明导电层；所述两侧的透明导电层独立的选自由碳材料、银纳米线、超薄金属和导电氧化物中的一种或多种制备而成的单层或多层薄膜，所述设置于衬底两侧的透明导电层中的至少一侧的透明导电层的方块电阻小于10欧姆，电导率大于1×10⁶S·m^-1。

本发明提供的高透光电磁屏蔽膜包括透明衬底，所述透明衬底选自玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚乙烯醇薄膜、聚氨酯薄膜，聚苯乙烯薄膜或聚二甲基硅氧烷薄膜。所述透明衬底的光学厚度在(n/2+1/32)～(n/2+15/32)波长距离之间，n为0或正整数。

当衬底的光学厚度逐渐发生变化时，从设置于衬底两侧的透明导电层反射的电磁波之间的相互作用也会发生转变。

当衬底光学厚度由0逐渐增加到1/4波长时，对电磁波衰减幅度不断增加，在1/4波长距离衰减效果达到峰值，而当衬底光学厚度由1/4波长距离逐渐增加到1/2波长距离时，对电磁波衰减幅度慢慢减弱，在1/2波长距离时达到最小值。所以，根据要屏蔽电磁波的具体波段来选择衬底厚度，优化衬底光学厚度在(n/2+1/32)～(n/2+15/32)波长距离之间，n为0或正整数，能达到最佳的屏蔽效果。

所述光学厚度指实际厚度乘以衬底折射率，衬底折射率取所测电磁波段对应的衬底折射率的均值；所述波长距离取所测电磁波段频率最大值时对应的电磁波波长。

本发明提供的高透光电磁屏蔽膜还包括设置于衬底两侧的透明导电层，在本发明中，所述两侧的透明导电层独立的选自由碳材料、银纳米线、超薄金属和导电氧化物中的一种或多种制备而成的单层或多层薄膜。

其中，所述碳材料选自单层石墨烯、多层石墨烯和碳纳米管中的一种或多种，优选为单层石墨烯，可以采用化学气相沉积法制备形成单层石墨烯薄膜。

所述银纳米线平均直径～30nm，平均长度～15μm。

所述超薄金属为金属层夹层在两层高折射率的介电层之间，所述金属层为纯金属层或金属合金层；

所述纯金属层选自Cr，Ti，Ag，Al，Cu，Au或Ni的金属层；

所述合金层选自Cr，Ti，Ag，Al，Cu，Au和Ni中的两种或两种以上形成的合金层；

所述两层高折射率的介电层独立的选自ZnO，SnO₂，Al₂O₃，In₂O₃，TiO₂，WO₃，ITO，AZO或GZO等金属氧化物膜或者SiNx或AlNx等介电材料。

所述介电层厚度为20nm～200nm，优选为20nm～60nm，所述金属层厚度10nm～20nm，优选为13nm～17nm。

在本发明的一些具体实施方式中，所述超薄金属为金属层夹层在两层高折射率的介电层之间，具有介电层/金属层/介电层复合结构，所述金属层为纯金属层或金属合金层。

所述导电氧化物选自ITO，FTO，AZO中的一种。

所述透明导电层的厚度在0.2～500nm之间，优选为1～300nm，进一步优选为10～200nm。

参见图1～图2，图1和图2为本发明提供的高透光电磁屏蔽膜的结构示意图。图1中，8为透明导电层、9为透明导电层、4为透明衬底、8由1、2和3复合而成，1为介电层、2为金属层、3为介电层，9由5、6和7，5为介电层、6为金属层、7为介电层；

图2中，5为透明导电层、6为透明导电层、4为透明衬底、6由1、2和3复合而成，1为介电层、2为金属层、3为介电层。

在本发明中，至少要保证透明衬底的一侧的透明导电层为高电导率的透明导电层，其方块电阻小于10欧姆，优选为小于4欧姆；电导率大于1×10⁶S·m^-1，优选为大于1×10⁷S·m^-1。

在本发明的一些具体实施方式中，当衬底两面的透明导电层都由高电导率的体系组成时，能达到最佳的屏蔽效果。例如：结构两面都由介电层/超薄金属/介电层三层结构构成，由于器件两面都可进行膜层结构设计，能很好地减少可见光的反射，维持器件高的透明性，同时两层高导电的透明导电层对电磁波的衰减幅度更大。

另外，本发明提供的高透光电磁屏蔽膜还会出现屏蔽效能随电磁波频率增加而趋于上升的现象。这是由于当电磁波通过一侧的透明导电层的反射进入衬底后，由于衬底与导电层之间波阻抗的不匹配，电磁波会在两层导电层间发生多次反射与衰减，而电磁波在基底中的多重反射效应与电磁波频率相关，导致屏蔽效能出现了频率依赖性。这一独特的频率依赖现象将在超宽带电磁防护领域有着特殊的应用。

本发明还提供了一种上述高透光电磁屏蔽膜的制备方法，包括以下步骤：

在透明衬底的两侧分别制备透明导电层。

本发明对所述制备透明导电层的制备方法并没有特殊限制，在本发明的一些具体实施方式中，所述制备透明导电层的方法选自磁控溅射、电子束蒸发、蒸镀、电镀、线棒刮涂、提拉法、旋涂法或化学气相沉积法。

本发明通过在透明衬底两面设有高电导率的透明导电层，当入射微波电磁波经第一电导面反射并进入衬底，剩余电磁波在基底中继续传播，到达第二电导面时也会产生大量反射。电磁波会在两层透明导电层间发生多重反射，更好的缓和高透光和强屏蔽性能之间的关系，使所述高透光电磁屏蔽膜在具有高透明性的同时还具有强电磁屏蔽。

另外，本发明可以实现灵活的控制衬底厚度，从而对特定电磁波波段达到最佳的防护效果。

本发明一方面通过多层结构设计，能很好地抑制器件表面光反射从而实现高的可见光透过率；另一方面，可以从电磁波传输原理来适当控制基底距离，实现对特定电磁波段的最佳屏蔽效果。

为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明提供的高透光电磁屏蔽膜及其制备方法进行说明，本发明的保护范围不受以下实施例的限制。

所述的透明电磁屏蔽器件由依次重叠且平行配置的透明导电层8、9，衬底层4装配而成；所述透明导电层为碳材料、银纳米线、超薄金属或导电氧化物中的一种，或者为这些体系组合的复合结构；所述衬底为玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚乙烯醇薄膜、聚氨酯薄膜，聚苯乙烯薄膜或聚二甲基硅氧烷薄膜中的一种，衬底光学厚度控制在(n/2+1/32)～(n/2+15/32)波长距离之间，n为0或正整数。

实施例1

参见图1结构，电磁屏蔽器件由依次重叠且平行配置的透明导电层8、9，衬底层4装配而成，透明导电层8、9的方块电阻为4.0欧姆，电导率为1.92×10⁷S·m^-1；所述透明导电层由金属氧化物1、3、5、7和超薄金属层2，6构成。

具体的实施方式为：首先将所挑选的玻璃衬底在乙醇、丙酮清洗液及去离子水中依次超声清洗10～20min，在N₂气氛下烘干。采用磁控溅射在衬底两面分别沉积金属氧化物/金属层/金属氧化物。本实施例金属氧化物采用ZnO，电源采用射频电源，功率为110W，ZnO层厚度为40nm。金属层采用Ag，电源采用直流电源，功率为40W，Ag层厚度为13nm。所有溅射都在氩气气氛下进行，气体流量控制在40SCCM。

对上述制备得到的电磁屏蔽薄膜进行测试，测试条件为：电磁屏蔽性能通过矢量网络分析仪测试(AV3672E，CETC)，测试频率范围为4～40GHz；可见光透过率通过紫外-可见-近红外分光光度计(Lambda950,Perkin-Elmer)测试。结果见图3和图4，其中，单面为对比试验，是仅在衬底的一侧复合OMO，OMO的方块电阻和电导率分别为4.8欧姆和1.60×10⁷S·m^-1，而双面对应OMO/衬底/OMO结构。为比较衬底厚度不同对双面结构屏蔽性能的影响，在双面结构中分别采用了100μm和1100μm两种厚度的玻璃基底。但衬底厚度不同对单面结构的屏蔽性能无影响，所以并未在图中显示。在图3，4中可以看到，在双面屏蔽结构中，随着衬底厚度变厚，可见光透过率基本保持不变，但屏蔽效能大幅度增加。

表1

实施例2

参见图2结构，电磁屏蔽器件由依次重叠且平行配置的透明导电层6、5，衬底层4装配而成；所述透明导电层6由金属氧化物1、3和金属层2构成，对应的方块电阻和电导率分别为4.3欧姆和1.79×10⁷S·m^-1；所述透明导电层5为纳米银线形成的导电薄膜，对应的方块电阻和电导率分别为46.2欧姆和4.33×10⁵S·m^-1。

具体的实施方式为：在衬底一面采用实施例1中相同条件制备ZnO/Ag/ZnO(OMO)三层结构，在另一面将浓度为5mg/mL的银纳米线(所使用的银纳米线平均直径约为30nm，平均长度约为15μm。)滴在衬底上，采用旋涂或滚涂将银纳米线均匀铺在衬底表面，再在银纳米线表面刮涂上一层复合聚氨酯溶液，在25℃下固化24小时即可完成银纳米线透明导电膜制作，其中衬底为厚度150μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(PET)。

对上述得到的电磁屏蔽薄膜进行性能测试，其中，进行对比试验的为仅在衬底涂覆银纳米线形成的薄膜(对应图中的银纳米线/衬底)。由图5可知，银纳米线/衬底在4～40GHz频率范围内平均屏蔽效能约为16.09dB。OMO/衬底/银纳米线为衬底一面涂覆银纳米线透明导电膜，而另一面磁控溅射OMO结构，在4～40GHz的平均屏蔽效能为36.45dB。在图6中可看到，银纳米线/衬底与银纳米线/衬底/OMO在550nm处的实际透过率分别为89.01％和87.56％。

实施例3

参见图2结构，电磁屏蔽器件由依次重叠且平行配置的透明导电层6、5，衬底层4装配而成；所述透明导电层6由金属氧化物1、3和金属层2构成，对应的方块电阻和电导率分别为4.2欧姆和1.83×10⁷S·m^-1；所述透明导电层5为单层石墨烯形成的导电薄膜，对应的方块电阻和电导率分别为193欧姆和1.52×10⁷S·m^-1。

具体实施方式为：通过CVD法在铜箔上生长石墨烯膜，首先将铜箔放入管式炉中，在H₂气氛下将铜箔加热到1000℃，30分钟后，通入甲烷气体，持续2小时，之后将铜箔快速冷却至室温，即完成石墨烯的合成。

在覆有石墨烯的铜箔上旋涂6μm厚的PMMA，凝固后，浸入腐蚀液(HCl:H₂SO₄:CuSO₄＝50mL:50mL:10g)中腐蚀掉铜箔，之后将PMMA/石墨烯样品用去离子水冲洗后转移到150μm的PET透明衬底上，石墨烯面与PET衬底接触。再在PET透明衬底的另一面镀上与实施例1中条件相同的ZnO/Ag/ZnO三层结构。

对上述得到的电磁屏蔽薄膜进行性能模拟，结果见图7，其中，对比样为仅在衬底复合石墨烯(对应图中的石墨烯/衬底)，由图7可知，石墨烯/衬底的屏蔽性能约为3.21dB，而石墨烯/衬底/OMO在4～40GHz的平均屏蔽效能为33.35dB。图8为透过率测试图谱，石墨烯/衬底与OMO/衬底/石墨烯样品在550nm处透过率分别为86.53％和83.07％。

实施例4

电磁屏蔽器件由依次重叠且平行配置的透明导电层6、5，衬底层4装配而成；所述透明导电层6由金属氧化物1、3和金属层2构成，对应的方块电阻和电导率分别为4.5欧姆和1.71×10⁷S·m^-1；所述透明导电层5为ITO透明导电膜，对应的方块电阻和电导率分别为75欧姆和3.33×10⁵S·m^-1。

具体的实施方式为：选用厚度为200μm的PET透明衬底，在衬底一面采用实施例1中相同条件制备的ZnO/Ag/ZnO三层结构，在衬底另一面采用磁控溅射镀ITO膜。ITO采用直流电源溅射，功率为25W，ITO膜层厚度为40nm，方阻为70Ω/sq。膜层厚度使用椭圆偏振光谱仪(M2000-DI,J.A.Woollam)的测试结果进行模拟得到。

对上述得到的电磁屏蔽薄膜进行性能模拟，结果见图9，其中，对比样为仅在衬底复合ITO(对应图中的ITO/衬底)，由图9可知，单独ITO/衬底的屏蔽效能约为11.32dB，而ITO/衬底/OMO在4～40GHz的平均屏蔽效能为35.18dB。图10为透过率测试图谱，可见ITO/衬底与OMO/衬底/ITO样品在550nm处的透过率分别为83.01％和79.18％。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种高透光电磁屏蔽膜，其特征在于，包括：透明衬底，以及设置于衬底两侧的透明导电层；所述两侧的透明导电层独立的选自由碳材料、银纳米线、超薄金属或导电氧化物中的一种或多种制备而成的单层或多层薄膜，所述设置于衬底两侧的透明导电层中的至少一侧的透明导电层的方块电阻小于10欧姆，电导率大于1×10⁶S·m^-1。

2.根据权利要求1所述的高透光电磁屏蔽膜，其特征在于，所述透明衬底选自玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚乙烯醇薄膜、聚氨酯薄膜，聚苯乙烯薄膜或聚二甲基硅氧烷薄膜，所述透明衬底的光学厚度为在(n/2+1/32)～(n/2+15/32)波长距离之间，n为0或正整数。

3.根据权利要求1所述的高透光电磁屏蔽膜，其特征在于，所述碳材料选自单层石墨烯、多层石墨烯和碳纳米管中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的高透光电磁屏蔽膜，其特征在于，所述超薄金属为金属层夹层在两层高折射率的介电层之间，具有介电层/超薄金属/介电层复合结构，所述超薄金属层为纯金属层或金属合金层；

所述纯金属层选自Cr，Ti，Ag，Al，Cu，Au或Ni的金属层；

所述合金层选自Cr，Ti，Ag，Al，Cu，Au和Ni中的两种或两种以上形成的合金层；

所述两层高折射率的介电层独立的选自ZnO，SnO₂，Al₂O₃，In₂O₃，TiO₂，WO₃，ITO，AZO或GZO等金属氧化物或者SiN_x或AlN_x等介电材料。

5.根据权利要求1所述的高透光电磁屏蔽膜，其特征在于，所述导电氧化物选自ITO，FTO，AZO中的一种。

6.根据权利要求1所述的高透光电磁屏蔽膜，其特征在于，所述透明导电层的厚度为0.2nm～500nm之间。

7.一种如权利要求1～6任意一项所述的高透光电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在透明衬底的两侧分别制备透明导电层。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述制备透明导电层的方法选自磁控溅射、电子束蒸发、蒸镀、电镀、线棒刮涂、提拉法、旋涂法或化学气相沉积法。

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